CN114420679A - 高频装置 - Google Patents

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Abstract

一种高频装置，包括第一基板、第二基板、第一电极、第二电极、框胶及介质层。第二基板相对于第一基板设置，第一电极设置于第一基板的邻近于第二基板的一侧面上、第二电极设置于第二基板的邻近于第一基板的一侧面上，框胶设置于第一基板与第二基板之间，介质层经由框胶夹置于第一基板与第二基板之间，其中介质层包括气体或真空。

Description

高频装置
技术领域
本揭露涉及一种高频装置，特别是涉及以气体或真空作为介质层的高频装置。
背景技术
随着高频装置的演进，第五代无线通信系统(5th generation wireless system,5G)为一种新一代通讯科技。当高频装置放置在室内中，信号的传送可能会被严重被阻挡。故设计高频状置作为信号加强器已成为现今研究的项目之一，例如将窗户增加(透明)天线的功能作为信号加强器等应用。
发明内容
本揭露的一种高频装置，包括第一基板、第二基板、第一电极、第二电极、框胶及介质层。第二基板相对于第一基板设置，第一电极设置于第一基板的邻近于第二基板的侧面上、第二电极设置于第二基板的邻近于第一基板的侧面上，框胶设置于第一基板与第二基板之间，介质层经由框胶夹置于第一基板与第二基板之间，其中介质层包括气体或真空。
附图说明
图1所示为本揭露的一实施例的高频装置的截面结构示意图，并以剖视方式表示各元件结构。
图2是根据本揭露的另一实施例的高频装置的截面结构示意图，并以剖视方式表示各元件结构。
图3是根据本揭露的另一实施例的高频装置的截面结构示意图，并以剖视方式表示各元件结构。
图4是根据本揭露的另一实施例的高频装置的截面结构示意图，并以剖视方式表示各元件结构。
图5是根据本揭露的另一实施例的高频装置的截面结构示意图，并以剖视方式表示各元件结构。
图6是根据本揭露的另一实施例的高频装置的截面结构示意图，并以剖视方式表示各元件结构。
图7是根据本揭露的另一实施例的高频装置的截面结构示意图，并以剖视方式表示各元件结构。
图8是根据本揭露的另一实施例的高频装置的截面结构示意图，并以剖视方式表示各元件结构。
附图标记说明：高频装置101；第一基板110；第一电极111；子电极111A；子电极111B；子电极111C；侧面112；第二基板120；第二电极121；侧面122；框胶130；操作区131；非操作区132；凸出部133；介质层136；第一连接垫140；第一连接垫140A；子层141；子层142；子层143；第二连接垫150；第二连接垫150A；子层151；子层152；子层153；导电件160；导电件160A；弹性体161；导电层162；导电材料163；接合垫170；接合垫170A；外部电子元件176；外部电子元件176A；保护层180；间隙G；空隙181；接合垫182；厚度H；厚度H1；边缘S1。
具体实施方式
下文结合具体实施例和附图对本揭露的内容进行详细描述，且为了使本揭露的内容更加清楚和易懂，下文各附图为可能为简化的示意图，且其中的元件可能并非按比例绘制。并且，附图中的各元件的数量与尺寸仅为示意，并非用于限制本揭露的范围。
本揭露通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件，且本文并未意图区分那些功能相同但名称不同的元件。当在本说明书中使用术语"包括"、"包括"和/或"具有"时，其指定了所述特征、区域、步骤、操作和/或元件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、区域、步骤、操作、元件和/或其组合的存在或增加。
当诸如层或区域的元件被称为在另一元件(或其变型)"上"或延伸到另一元件"上"时，它可以直接在另一元件上或直接延伸到另一元件上，或者两者之间还可以存在插入的元件。另一方面，当称一元件"直接在"另一元件(或其变型)上或者"直接"延伸到另一元件"上"时，两者间不存在插入元件。并且，当一元件被称作"耦接"到另一元件(或其变型)时，它可以直接连接到另一元件或通过一或多个元件间接地连接(例如电性连接)到另一元件。
于文中，「约」、「实质上」的用语通常表示在一给定值或范围的10％内，或5％内、或3％之内、或2％之内、或1％之内、或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明「约」、「实质上」的情况下，仍可隐含「约」、「实质上」的含义。此外，用语「范围介于第一数值及第二数值之间」表示所述范围包括第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。
能理解的是，虽然在此可使用用语「第一」、「第二」等来叙述各种元件、层及/或部分，这些元件、层及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的元件、层及/或部分。因此，以下讨论的一第一元件、层及/或部分可在不偏离本揭露一些实施例的教示的情况下被称为一第二元件、层及/或部分。另外，为了简洁起见，在说明书中亦可不使用「第一」、「第二」等用语来区别不同元件。在不违背后附申请专利范围所界定的范围的情况下，申请专利范围所记载的第一元件及/或第二元件可解读为说明书中符合叙述的任何元件。
在本揭露中，厚度、长度与宽度的量测方式可采用光学显微镜量测而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面影像量测而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。若第一值等于第二值，其隐含着第一值与第二值之间可存在着约10％的误差；若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇揭露所属的一般技艺者所通常理解的相同涵义。能理解的是这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有一与相关技术及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在此特别定义。
须说明的是，下文中不同实施例所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本揭露精神的情况下构成另一实施例。
图1所示为本揭露的一实施例的高频装置101的截面结构示意图，并以剖视方式表示各元件结构。高频装置101可包括第一基板110、第一电极111、第二基板120、第二电极121、框胶130和介质层136。在一些实施例中，高频装置101可选择性包括第一连接垫140、第二连接垫150及/或导电件160。在一些实施例，高频装置可包括薄膜晶体管(图未示)，用于控制高频装置的驱动。在一些实施例，高频装置所发射的高频信号可包括1GHz以上的电磁波信号，但不限于此。在一些实施例，高频装置可应用于户外或窗户上的(透明)天线或其它高频装置，但不限于此。
图1所示，第二基板120相对于第一基板110设置。第一基板110及/或第二基板120的材料可包括透明或不透明的有机材料及/或无机材料。第一基板110及/或第二基板120的材料可包括硬质的材料或可挠性的软性材料。有机材料可包括聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚碳酸(polycarbonate,PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、液晶高分子(LCP)、其他已知适合的材料或上述的组合，但不限于此。无机材料可包括玻璃、石英、蓝宝石或陶瓷，但不限于此。在一些实施例，第一基板110及/或第二基板120的材料可包括玻璃，玻璃具有光滑或粗糙度低的表面，有利于降低高频信号的衰减。此处的“可挠性的材料”指材料可以弯曲(curved)、弯折(bent)、折迭(fold)、卷曲(rolled)、挠曲(flexible)、拉伸(stretch)及/或其他类似的变形，来表示上述的至少一种可能的变形方式。第一基板110及/或第二基板120的材料可包括具有低介电损失(Dissipation Factor,Df)，或低的tanδ耗损正切(Loss Tangent)的材料，例如其Df值可以小于0.1或0.15，但不限于此。玻璃的Df值可介于0.03至0.06之间(0.03≦Df值≦0.06)，但不限于此，有利于高频信号天线的低损耗应用。
如图1所示，在一些实施例，第一基板110与第二基板120之间的间隙G可介于3微米至500微米之间(3微米≦间隙G≦500微米)，但不限于此。在一些实施例，间隙G可介于100微米至500微米之间(100微米≦间隙G≦500微米)。在一些实施例，间隙G可介于150微米至400微米之间(150微米≦间隙G≦400微米)。
如图1所示，在一些实施例，第一电极111或第二电极121可分别设在第一基板110或第二基板120上。例如，第一电极111可设置于第一基板110的邻近于第二基板120的一侧面112上，亦即第一电极111位在第一基板110邻近于第二基板120的内侧上。第二电极121可设置于第二基板120的邻近于第一基板110的侧面122上，亦即第二电极121位在第二基板120邻近于第一基板110的内侧上。第一电极111可包括多个子电极，例如子电极111A与子电极111B，但不限于此。在其它实施例(未绘示)，第二电极121可包括多个子电极，第二电极121的子电极例如可以与第一电极111的子电极错位或交替设置，但不限于此。
在一些实施例，第一电极111或第二电极121的其中一者可以是接地端(ground,GND)，另一者可以是(贴片)电极(patch)。第一电极111及/或第二电极121可包括单层或复合层(composite layer)。在一些实施例中，第一电极111及/或第二电极121可包括金属材料、透明导电材料或上述的组合。金属材料包括铜、镍、金、银、其它合适材料或上述的组合。透明导电材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料，但不限于此。
在一些实施例，第一电极111或第二电极121的制作方法可如下所述，但不限于此。首先，可选择性在第一基板110或第二基板120上制作晶种层。之后，在晶种层上形成第一电极111或第二电极121，但不限于此。第一电极111或第二电极121可通过电镀、溅镀或其他合适的方式所形成，但不限于此。
在一些实施例，框胶130可以设置于第一基板110与第二基板120之间，介质层136可经由框胶130夹置于第一基板110与第二基板120之间。通过框胶130使第一电极111、第二电极121及介质层136可密封在框胶130所界定的空间中。框胶130的厚度H可大约等于第一基板110与第二基板120之间的间隙G，但不限于此。框胶130可包括透明或不透明的有机材料或无机材料，例如包括聚环氧乙烷类的高分子材料、其它合适材料，但不限于此。在一些实施例，框胶130可具有防水氧特性的材料，但不限于此，通过框胶130可降低第一电极111及/或第二电极121被腐蚀的机会。高频装置101举例可具有操作区131与非操作区132，框胶130的内部边缘可将高频装置101定义出操作区131与非操作区132。详细来说，操作区131可定义为框胶130的内部边缘S1及第一基板110与第二基板120之间所围出的区域。非操作区132定义为操作区131以外的区域。
在一些实施例，介质层136可位于操作区131中，介质层136可具有低Df值的材料，例如Df值小于或等于0.01或0.03的材料，但不限于此。低Df值的材料有利于降低电磁波穿过介质层136后的损耗，可提高高频装置的信赖度。举例来说，介质层136可包括气体(例如氦气、二氧化碳或其它气体)或是真空，真空或气体的Df值约为0，有利于提高高频装置的信赖度。
在一些实施例，第一连接垫140及第二连接垫150可以分别设置于第一基板110与第二基板120表面，但不限于此。在一些实施例，第一连接垫140可设置于第一基板110的邻近于第二基板120的侧面112上。在一些实施例，第二连接垫150可设置于第二基板120的邻近于第一基板110的侧面122上。在一些实施例，第一连接垫140可以是接地端连接垫或贴片连接垫其中的一者，第二连接垫150可以是接地端连接垫或是贴片连接垫其中的另一者。第二连接垫150可与第二电极121电性连接。在一些实施例，导电件160可设置于第一连接垫140与第二连接垫150之间，且第一连接垫140经由导电件160与第二连接垫150电性连接，但不限于此。在一些实施例，导电件设置于操作区中。在一些实施例，第一连接垫140可与第一电极111为同层导电层或不同导电层，第二连接垫150可与第一电极121为同层导电层或不同导电层。在此实施例中，第一连接垫140例如与第一电极111电性绝缘，第一电极111例如通过其它电路(未绘示)与接合垫170电性连接，关于接合垫170的叙述后续会再说明。
在一些实施例中，第一连接垫140及第二连接垫150的至少一者可包括铜层、镍层与金层所组成，但不限于此。在一些实施例中，第一连接垫140及第二连接垫150的至少一者可包括铜层、镍层、金层或银层中的至少一者，但不限于此。在一些实施例中，第一连接垫140或第二连接垫150可包括复合金属层。第一连接垫140与第二连接垫150的层迭或材料可以相同或不同。
在一些实施例中，导电件160可选择性接触第一连接垫140与第二连接垫150，使第一连接垫140可经由导电件160与第二连接垫150电性连接，但不限于此。在一些实施例中，导电件160经由一锡层与第一连接垫160及第二连接垫150电性连接。在一些实施例中，导电件160可未接触框胶130。导电件160的厚度H1(或直径)可小于或等于间隙G或厚度H，但不限于此。在一些实施例中，导电件160的厚度H1可介于3微米至500微米之间(3微米≦厚度H1≦500微米)，但不限于此。在一些实施例中，导电件160的厚度H1可介于100微米至450微米之间(100微米≦厚度H1≦450微米)。在一些实施例中，导电件160的厚度H1可介于150微米至400微米之间(150微米≦厚度H1≦400微米)。图1绘示的导电件160可大致呈球型或具有弧型，但不限于此。在其它实施例(未绘示)，导电件160可大致呈柱状、梯形、矩形或其它外型。导电件160的材料例如包括金属，例如金、铜、锡、银、其它合适材料或其组合，但不限于此。
在一些实施例(未绘示)，框胶130可选择性混入导电粒子(例如金或其它材料)或其它导电材料，第一连接垫140与第二连接垫150可与部分框胶130接触，第一连接垫140与第二连接垫150之间可通过框胶130中的导电粒子而电性连接，但不限于此。在一些实施例(如图1)，框胶130中未有混合导电粒子(例如金或其它材料)或其它导电材料。
在一些实施例中，高频装置101可以包括至少一接合垫170，接合垫170设置于非操作区132中，且与第一电极111与第二电极121的其中至少一者电性连接。在一些实施例中，接合垫170可位于第一基板110的侧面112上，但不限于此。在其它实施例中(未绘示)，接合垫170可位于第二基板120的侧面122上。在一些实施例中，接合垫170例如设置于外部导线连接区(outer lead bonding,OLB)中。在一些实施例中，接合垫170可电性连接于第一连接垫140及/或第二连接垫150，接合垫170例如可通过其它线路(未绘示)电性连接于第一连接垫140。在一些实施例中，外部电子元件176可具有接合垫182，接合垫182可电性连接至接合垫170，通过外部电子元件176控制或驱动高频装置101的各电子元件。在一些实施例中，外部电子元件176可经由接合垫182与接合垫170以控制第一电极111及/或第二电极121的其中至少一者。外部电子元件176可包括集成电路(IC)、电路板或其他电子元件，但不限于此。电路板可包括软性印刷电路板(flexible printed circuit,FPC)或硬性电路板，但不限于此。如图1实施例所示，第二连接垫150例如会与第二电极121电性连接，故接合垫170例如经由第二连接垫150及第一连接垫140电性连接至第二电极121，且第一连接垫140例如与第一电极111电性绝缘，第一电极111可经由其它电路(未绘示)电性连接至另一接合垫170，接合垫170与另一接合垫170例如与外部电子元件176上的不同接合垫182电连接。通过如上的第一连接垫140、第二连接垫150及导电件160的设置，并将接合垫170电性连接于第一连接垫140，可使控制或驱动第一电极111及/或第二电极121的外部电子元件176整并，或控制或驱动第一电极111及/或第二电极121的外部电子元件可仅设置于第一基板110或第二基板120上，减少外部电子元件的设置数量、或减化制程。在一些实施例中，第一电极111与第二电极121可设计成由同一个集成电路所驱动，但不限于此。
在一些实施例中，高频装置101可包括保护层180，保护层180可设置于非操作区132中。在一些实施例中，保护层180例如包括防水胶(例如tuffy)。保护层180可选择性覆盖或接触位于非操作区132中的各种元件。在一些实施例中，保护层180可接触(或覆盖)接合垫170、第一基板110、第二基板120、框胶130、接合垫182或外部电子元件176的至少一者或多者，但不限于此。在一些实施例中，保护层180可填充于非操作区132的空隙181，但不限于此。空隙181例如为面板(即包括第一基板110及二基板120)与外部电子元件176之间所形成的空隙，但不限于此。保护层180可用来保护位于非操作区132中的各种元件，或减少水气渗入位于非操作区132中的各种元件。
本揭露的高频装置并不以上述实施例为限。下文将揭示本揭露的其它实施例，为了简化说明并突显各实施例之间的差异，下文中使用相同标号标注相同元件，并不再对重复部分作赘述。此外，后续实施例中各元件及制程步骤的条件皆可参考前述实施例，因此不再赘述。
图2是根据本揭露的另一实施例的高频装置102的截面结构示意图，并以剖视方式表示各元件结构。与图1实施例相较，主要差异之处在于，导电件160的组成不同。如图2所示，导电件160可以是一种复合结构(composite structure)。例如，导电件160可包括弹性体161、导电层162与导电材料163，但不限于此。弹性体161可包括塑料，但不限于此。通过弹性体161控制第一基板110与第二基板120之间的间隙G。在一些实施例，导电层162可包括金属，例如金、银或其它合金，但不限于此。导电层162可包覆弹性体161，且导电材料163可包覆导电层161。在一些实施例，导电材料163可包括金属，例如锡，在一些实施例，可通过回焊(reflow)导电材料163来使其电性连接第一连接垫140与第二连接垫150，或使导电材料163接触第一连接垫140与第二连接垫150，但不限于此。导电件160除了可将第一连接垫140与第二连接垫150电性连接外，可作为第一基板110与第二基板120的弹性支撑物。在一些实施例，导电材料163可包覆在导电层162的外侧，导电材料163的外型轮廓可大致沿着弹性体161或导电层162的外型而呈现弧形边缘，导电材料163的外型轮廓例如呈现中间凸出的样态，类似灯笼形(lantern shape)，但不限于此。
图3是根据本揭露的另一实施例的高频装置103的截面结构示意图，并以剖视方式表示各元件结构。与图1实施例相较，主要差异之处在于，导电件160的外型不同，另外，第一连接垫140及/或第二连接垫150可包括复合层(composite layer)，例如复合金属层。图3的导电件160的外型轮廓例如呈现中间内凹的样态，类似沙漏形(hourglass shape)，但不限于此。图3的第一连接垫140及/或第二连接垫150可包括复合层，例如可包括三层子层或其它数量的子层。例如，图3的第一连接垫140包括子层141、子层142及/或子层143，第二连接垫150包括子层151、子层152及/或子层153，但不限于此。在一些实施例，第一连接垫140及第二连接垫150所包含的子层数可以相同或不同。举例来说，在一些实施例，第一连接垫140的底层(例如子层141)或第二连接垫150的底层(例如子层151)的材料例如包括铜，当以锡作为连接第一连接垫140及第二连接垫150的焊料(即导电材料163例如为锡)时，因铜与锡之间易产生接口金属共化物(Intermetallic Compound,IMC)，铜与锡所产生的接口金属共化物具有易脆的特性。当此接口金属共化物产生裂痕时，可能影响第一连接垫140与第二连接垫150的导通。本实施例的第一连接垫140及/或第二连接垫150可通过设计中间层(即子层142或子层152)，中间层(即子层142或子层152)的材料可包括镍层或其它合适层别，以降低铜与锡之间产生接口金属共化物，进而降低上述问题，但不限于此。在一些实施例，中间层(即子层142或子层152)可通过化学电镀或其它方法来形成，但不限于此。在一些实施例，第一连接垫140及/或第二连接垫150可选择性设计顶部层(即子层143或子层153)，顶部层(即子层143或子层153)的材料可为金层或其它较不易腐蚀的导电材料层，但不限于此。通过顶部层(即子层143或子层153)以降低第一连接垫140及/或第二连接垫150被氧化腐蚀的机会。顶部层(即子层143或子层153)可以通过化学电镀或其它方法来形成，但不限于此。本揭露通过上述中间层(即子层142或子层152)或顶部层(即子层143或子层153)的设计，可提高第一连接垫140及/或第二连接垫150的电性连接合格率、或降低被腐蚀的机会，提高高频装置可靠度。本实施例中具有复合结构的第一连接垫140与第二连接垫150可以依需要应用到其他实施例中。
在一些实施例，第一电极111、第一连接垫140及/或接合垫170可以由相同的导电层所形成，即第一电极111、第一连接垫140及/或接合垫170可由相同的制程所形成，但不限于此。当第一电极111、第一连接垫140及/或接合垫170由相同的制程所形成，第一电极111所具有的子层数量例如与第一连接垫140及/或接合垫170的子层数量相同，但不限于此。在一些实施例，第二电极121与第二连接垫150可以由相同的导电层所形成，即第二电极121与第二连接垫150可由相同的制程所形成，但不限于此。当第二电极121与第二连接垫150由相同的制程所形成，第二电极121所具有的子层数量例如与第二连接垫150的子层数量相同，但不限于此。
图4是根据本揭露的另一实施例的高频装置104的截面结构示意图，并以剖视方式表示各元件结构。与图1实施例相较，主要差异之处在于，高频装置104包括重布层(redistribution layer,RDL)113及/或重布层123。
如图4所示，重布层113可位于第一基板110与第一电极111之间，重布层123可位于第二基板120与第二电极121之间。在一些实施例，第一电极、第一连接垫140及/或接合垫170之间可经由重布层113而电性连接，但不限于此。在一些实施例，第二电极121及第二连接垫150之间可经由重布层123而电性连接。重布层113及/或重布层123例如有至少一导电层与至少一介电层所组成的导电结构。在一些实施例，框胶130可选择性设置于重布层113及/或重布层123上，但不限于此。在一些实施例，框胶130可选择性设于重布层113及重布层123之间。在一些实施例(未绘示)，框胶130可接触第一基板110及/或第二基板120，但不限于此。在一些实施例，保护层180可接触或覆盖于重布层113及/或重布层123的侧边，降低水氧对重布层113及/或重布层123的影响，但不限于此。
图5是根据本揭露的另一实施例的高频装置105的截面结构示意图，并以剖视方式表示各元件结构。与图1的实施例相较，主要差异之处在于，高频装置105可以省略导电件、第一连接垫与第二连接垫，并另增加接合垫170A。如图5所示，接合垫170及/或接合垫170A，设置于非操作区132中，接合垫170及/或接合垫170A与第一电极111与第二电极121的其中至少一者电性连接。举例来说，高频装置105的第一电极111可包括子电极111A、第一子电极111B与子电极111C，第一电极111与接合垫170例如设置在第一基板110上，第一电极111与接合垫170电性连接，第一电极111可经由接合垫170电性连接至外部电子元件176。另一方面，第二电极121与接合垫170A例如设置在第二基板120上，第二电极121与接合垫170A电性连接，第二电极121可经由接合垫170A电性连接至外部电子元件176A。外部电子元件176A与外部电子元件176相似，因此不再赘述。在一些实施例中(未绘示)，接合垫170与接合垫170A可位于相同的基板上。在图5的实施例中，可省略前述的导电件、第一连接垫与第二连接垫的设计，有利于简化制造的流程或降低成本。
图6是根据本揭露的另一实施例的高频装置106的截面结构示意图，并以剖视方式表示各元件结构。与图1的实施例相较，主要差异之处在于，高频装置106可增加第一连接垫140A、第二连接垫150A、导电件160A及/或接合垫170A。如图6所示，第一连接垫140A可设置于第一基板110的侧面112上，而第一电极110例如位在第一连接垫140A与第一连接垫140之间，或第一连接垫140A与第一连接垫140例如设置于第一基板110的侧面112的不同的位置上，但不限于此。第二连接垫150A可设置于第二基板120的侧面122上，而第二电极121例如位在第二连接垫150A与第二连接垫150之间，或第二连接垫150A与第二连接垫150例如设置于第二基板120的侧面122的不同的位置上，但不限于此。在一些实施例，第二连接垫150A及第二连接垫150可与第二电极121电性连接。在一些实施例，导电件160A可设置于操作区131中，导电件160A可位于第一连接垫140A与第二连接垫150A之间，且第一连接垫140A经由导电件160A与第二连接垫150A电性连接。导电件160A的厚度或材料可相似于导电件160，因此不再赘述。
另一方面，接合垫170A可与接合垫170位于第一基板110的侧面112上。第一连接垫140A、第二连接垫150A与导电件160A可与接合垫170A电性连接，并经由接合垫170A电性连接至外部电子元件176A，外部电子元件176A可用以驱动或控制第二电极121。在此种实际例，不同外部电子元件(例如外部电子元件176A及外部电子元件176)可经由位于不同区域上的接合垫(例如接合垫170A及接合垫170)传递信号至第二电极121，分散或更均匀的传递信号至第二电极121。在其它实施例，高频装置可选择性增加更多的第一连接垫、第二连接垫、导电件及/或接合垫。
图7是根据本揭露的另一实施例的高频装置107的截面结构示意图，并以剖视方式表示各元件结构。与图1的实施例相较，主要差异之处在于，部分的框胶130可接触第一连接垫140及第二连接垫150中的至少一者。在一些实施例，框胶130可包括凸出部(bulge)133。如图7所示，右侧的框胶130包括凸出部133，此凸出部133可接触第一连接垫140及第二连接垫150中的至少一者，或覆盖第一连接垫140及/或第二连接垫150的部分表面。在一些实施例，框胶130(例如凸出部133)可更接触部分导电件160。
图8是根据本揭露的另一实施例的高频装置108的截面结构示意图，并以剖视方式表示各元件结构。与图1的实施例相较，主要差异之处在于，接合垫170可以设置于第二基板120的侧面122。须注意的是，如图8所示的实施例，第二连接垫150及第一连接垫140例如与第一电极111电性连接，而第二连接垫150例如与第二电极电性绝缘。在此实施例，外部电子元件176可通过接合垫182与接合垫170电性连接，接合垫170与第二连接垫150及第一连接垫140电性连接，且第一连接垫140电性连接至第一电极111。外部电子元件176通过接合垫170电性连接至第一电极111。另外，第二电极121可通过其它电路(未绘示)电性连接至另一个接合垫170，使第二电极121可与外部电子元件176电性连接。通过上述设计，驱动或控制第一电极111与第二电极121的外部电子元件可整并为一个或较少的数量，但不限于此。或驱动或控制第一电极111与第二电极121的外部电子元件可设于同一个基板上，减少外部电子元件设置的复杂性。
本揭露的各实施例的高频装置的结构，第一电极与第二电极可分别设在两基板上，且第一电极与第二电极通过框胶封于在两基板之间，可使得第一电极与第二电极不易受到例如水气或氧气的环境影响，有利于本揭露的高频信号天线在户外作为透明天线使用的需求。
以上所述仅为本揭露的实施例而已，并不用于限制本揭露，对于本领域的技术人员来说，本揭露可以有各种更改和变化。凡在本揭露的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本揭露的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种高频装置，其特征在于，包括：
一第一基板；
一第二基板，相对于所述第一基板设置；
一第一电极，设置于所述第一基板的邻近于所述第二基板的一侧面上；
一第二电极，设置于所述第二基板的邻近于所述第一基板的一侧面上；
一框胶，设置于所述第一基板与所述第二基板之间；以及
一介质层，经由所述框胶夹置于所述第一基板与所述第二基板之间，其中所述介质层包括气体或真空。
2.如权利要求1所述的高频装置，其特征在于，更包括：
一第一连接垫，设置于所述第一基板的邻近于所述第二基板的所述侧面上；
一第二连接垫，设置于所述第二基板的邻近于所述第一基板的所述侧面上，且所述第二连接垫与所述第二电极电性连接；以及
一导电件，设置于所述第一连接垫与所述第二连接垫之间，且所述第一连接垫经由所述导电件与所述第二连接垫电性连接。
3.如权利要求2所述的高频装置，其特征在于，所述高频装置具有一操作区与一非操作区，且所述导电件设置于所述操作区中。
4.如权利要求3所述的高频装置，其特征在于，更包括一接合垫，设置于所述非操作区中，其中所述接合垫与所述第一电极与所述第二电极之中的至少一者电性连接。
5.如权利要求4所述的高频装置，其特征在于，更包括一保护层，设置于所述非操作区中，其中所述保护层接触所述接合垫、所述第一基板、所述第二基板与所述框胶之中的至少一者。
6.如权利要求2所述的高频装置，其特征在于，所述导电件的一厚度介于3微米至500微米。
7.如权利要求2所述的高频装置，其特征在于，所述第一连接垫或所述第二连接垫包括复合金属层。
8.如权利要求2所述的高频装置，其特征在于，所述第一连接垫及所述第二连接垫之中的至少一者包括一铜层、一镍层与一金层。
9.如权利要求2所述的高频装置，其特征在于，所述导电件包括一弹性体、一导电层及一导电材料，所述导电层包覆所述弹性体，且所述导电材料包覆所述导电层。
10.如权利要求2所述的高频装置，其特征在于，所述导电件未接触所述框胶。
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