CN114388592A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114388592A
CN114388592A CN202111217223.XA CN202111217223A CN114388592A CN 114388592 A CN114388592 A CN 114388592A CN 202111217223 A CN202111217223 A CN 202111217223A CN 114388592 A CN114388592 A CN 114388592A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
pixel
area
region
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111217223.XA
Other languages
English (en)
Inventor
孙世完
崔洛初
高武恂
孙东铉
吴相训
郑震九
崔庆铉
李海衍
赵成民
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN114388592A publication Critical patent/CN114388592A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

提供了显示装置。根据示例性实施例的显示装置包括：衬底，包括显示区域和透射区域；金属阻挡层，布置在衬底的显示区域中；无机绝缘层，布置在金属阻挡层上；晶体管，布置在无机绝缘层上；发射层，连接到晶体管；以及光阻挡层和滤色器，布置在显示区域的发射层上，其中，光阻挡层的边缘朝向透射区域比金属阻挡层的边缘更多地突出。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年10月22日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0137710号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开涉及显示装置。
背景技术
显示装置可包括诸如传感器或相机的光学器件。光学器件可布置在显示装置的边框区域(围绕屏幕的区域)中以避免干扰屏幕。
如果显示装置的边框在尺寸上减小，则显示装置的屏占比(即，当从前面观看显示装置时屏幕占据的比例)可增加。屏占比对反映显示装置的技术水平起着重要作用，并且同时对消费者的产品的选择起着重要作用。
随着显示装置的边框减小，在边框区域中布置光学器件变得困难，并且相应地，已开发了用于将光学器件布置在屏幕中的技术。在这样的方式下，当将光学器件布置在屏幕中时，必须防止光学器件的可见度因流入光学器件周围的光而降低。
另一方面，入射在有机发光二极管显示器上的外部光从装置的表面反射，使得可大大降低对比度。因此，必须通过在有机发光二极管显示器中提供抗反射单元来提高可见度，以防止由于外部光而导致的对比度的劣化。为了防止由于抗反射单元而导致的透射率劣化，可在非发光部分中形成光阻挡层，并且可形成与发射部分重叠的透射与从发射部分的发射层发射的光的波长带相似的波长带中的光的滤色器。
发明内容
根据示例性实施例的显示装置包括：衬底，包括显示区域和透射区域；金属阻挡层，布置在衬底的显示区域中；无机绝缘层，布置在金属阻挡层上；晶体管，布置在无机绝缘层上；发射层，连接到晶体管；以及光阻挡层和滤色器，布置在显示区域的发射层上，其中，光阻挡层的边缘可朝向透射区域比金属阻挡层的边缘更多地突出。
金属阻挡层的边缘可被无机绝缘层覆盖，并且光阻挡层的边缘可朝向透射区域比无机绝缘层的边缘更多地突出。
显示装置还可包括布置在发射层下面的有机绝缘层。有机绝缘层可布置在显示区域和透射区域中。
无机绝缘层可在透射区域中至少部分被去除。
金属阻挡层可具有与透射区域重叠的第一开口，光阻挡层可具有与透射区域重叠的第二开口，并且第二开口的面积可小于第一开口的面积。
第一开口和第二开口的平面形状可以是相似的。
第一开口可具有十字形的平面形状，并且金属阻挡层的边缘可具有凹部分和凸部分重复的平面形状。
金属阻挡层的第一开口可具有圆形或椭圆形的平面形状。
显示装置可具有：像素限定层，布置在晶体管上并且限定发射层的区域；以及间隔物，布置在像素限定层上。间隔物可定位在显示区域和透射区域之间，并且布置在金属阻挡层的边缘上。
间隔物可具有多边形的平面形状。
间隔物可具有弯曲形状的平面形状。
间隔物可具有选自三角形、矩形、椭圆形和圆形的平面形状。
根据示例性实施例的显示装置包括：包括第一像素区域的第一显示区域；包括彼此相邻的第二像素区域和透射区域的第二显示区域；与第二显示区域重叠的光学器件；布置在第一像素区域和第二像素区域中的光阻挡层和滤色器；以及布置在第二像素区域中的金属阻挡层，其中，光阻挡层的边缘可朝向透射区域比金属阻挡层的边缘更多地突出。
根据示例性实施例的显示装置包括：衬底，包括显示区域和透射区域；金属阻挡层，布置在衬底的显示区域中；无机绝缘层，布置在金属阻挡层上；晶体管，布置在无机绝缘层上；像素限定层，布置在晶体管上；发射层，布置在由像素限定层限定的区域中；以及间隔物，布置在像素限定层上，其中，间隔物可布置在显示区域和透射区域之间，并且间隔物可与金属阻挡层的边缘相邻地布置。
附图说明
图1是根据示例性实施例的显示装置的示意性俯视图。
图2是根据示例性实施例的显示装置的示意性剖视图。
图3是根据示例性实施例的显示装置的第一显示区域和第二显示区域的示意性布局图。
图4是根据示例性实施例的显示装置的第二像素区域的示意性放大图。
图5是根据另一示例性实施例的显示装置的第二像素区域的示意性放大图。
图6是根据另一示例性实施例的显示装置的第二像素区域的示意性放大图。
图7是根据示例性实施例的显示装置的一个像素的电路图。
图8是根据示例性实施例的显示装置的第一显示区域的剖视图。
图9是根据示例性实施例的显示装置的第二显示区域的剖视图。
图10是根据另一示例性实施例的显示装置的第二显示区域的剖视图。
图11、图12和图13是根据另一示例性实施例的显示装置的第二像素区域的示意性放大图。
图14是根据常规技术的显示装置的第二像素区域的示意性放大图。
图15是根据另一示例性实施例的显示装置的第二显示区域的剖视图。
图16是示出实验示例的结果的图像。
图17是示出实验示例的结果的曲线图。
图18是示出另一实验示例的结果的曲线图。
图19是示出另一实验示例的结果的图像。
具体实施方式
在下文中将参照附图更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。如本领域技术人员将意识到的，可以各种不同的方式修改所描述的实施例，而全部不脱离本发明的精神或范围。
在描述本发明时，将省略与描述无关的部分。在整个说明书中，相似的附图标记通常指代相似的元件。
此外，为了描述的更好理解和方便，附图中示出的每个配置的尺寸和厚度是任意示出的，但是本发明不限于此。在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了描述的更好理解和方便，夸大了一些层和区域的厚度。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或衬底的元件被称为在另一元件“上”时，它能直接在另一元件上或者也可存在居间元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，则不存在居间元件。此外，在说明书中，词语“上”或“上方”意味着定位在对象部分上或下方，并且不一定意味着定位在对象部分的基于重力方向的上侧上。
此外，除非明确地描述为相反，否则词语“包括(comprise)”和诸如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”的变体将被理解为暗示包含所陈述的元件，但是不排除任何其它元件。
在整个说明书中，短语“在平面上”意味着从顶部观察对象部分，并且短语“在剖面上”意味着观看从侧面垂直地切割对象部分的剖面。
此外，在说明书中，当提及“连接到”时，这不仅意味着两个或更多个组成元件彼此直接连接，还意味着两个或更多个组成元件可通过其它组成元件间接连接和物理连接，以及它们也可电连接或被称为依据位置或功能的不同名称，并且可意味着它们是一个本体。
在附图中，用于指示方向的符号x是第一方向，符号y是垂直于第一方向的第二方向，并且符号z是垂直于第一方向和第二方向的第三方向。
参照图1和图2示意性地描述根据示例性实施例的显示装置。图1是根据示例性实施例的显示装置的示意性俯视图，并且图2是根据示例性实施例的显示装置的示意性剖视图。
参照图1和图2，显示装置1可包括显示面板10、连接到显示面板10的柔性印刷电路膜20、包括集成电路芯片30等的驱动单元、以及光学器件40。
显示面板10可包括显示图像的显示区域DA和布置为围绕显示区域DA并且不显示图像的非显示区域NA。显示区域DA可对应于屏幕。显示面板10显示图像并且检测触摸。
多个像素PX定位在显示区域DA中。这里，像素PX是显示图像的最小单位，并且每个像素PX可根据输入图像信号以各种亮度显示具体颜色，例如，红色、绿色和蓝色之中的一种颜色。
在非显示区域NA中，布置用于生成和/或传输被施加到显示区域DA的各种信号的电路和/或信号线。诸如栅极线、数据线、驱动电压线等的信号线连接到每个像素PX，并且像素PX可从这些信号线接收栅极信号、数据电压、驱动电压等。
显示区域DA包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。第二显示区域DA2具有比第一显示区域DA1更高的透射率，以使得除了显示图像的独特功能之外，它还可执行其它功能。这里，透射率意味着在第三方向z上穿过显示面板10的光的透射率。光可以是可见光和/或除可见光外的具有一波长的光(例如，红外光)。第二显示区域DA2具有比第一显示区域DA1更小的像素PX的密度，即，每单位面积的像素PX的数量。
在显示区域DA中，可以各种方式布置第二显示区域DA2。在所示的示例性实施例中，第二显示区域DA2布置在第一显示区域DA1内并且被第一显示区域DA1围绕。
第二显示区域DA2可布置为与非显示区域NA接触，例如可布置为在显示区域DA的顶部中的左侧、右侧和/或中心处划分为两个或更多个区域。第二显示区域DA2可沿第一方向x完全横跨显示区域DA的顶部布置，或者可沿第二方向y横跨显示区域DA的左端和/或右端布置。第二显示区域DA2可具有各种形状，诸如多边形(例如，矩形、三角形)、圆形和椭圆形。
在显示面板10的非显示区域NA中，可布置生成和/或处理用于驱动显示面板10的各种信号的驱动单元。驱动单元可包括用于将数据电压施加到数据线的数据驱动器、用于将栅极信号施加到栅极线的栅极驱动器、以及用于控制数据驱动器和栅极驱动器的信号控制器。
驱动器可集成在显示面板10上，并且可布置在显示区域DA的两侧或一侧上。数据驱动器和信号控制器可作为集成电路芯片(也被称作驱动IC芯片)30提供，并且集成电路芯片30可安装在柔性印刷电路膜20上并且电连接到显示面板10。集成电路芯片30可安装在显示面板10的非显示区域NA中。
显示面板10可包括衬底SB，并且多个像素PX可形成在衬底SB上。衬底SB可横跨第一显示区域DA1和第二显示区域DA2连续布置。
显示面板10可包括覆盖所有像素PX的封装层EC。封装层EC密封第一显示区域DA1和第二显示区域DA2以防止湿气或氧气进入显示面板10。
触摸传感器层TS可定位在封装层EC上。能够检测触摸的触摸传感器层TS的区域可与显示区域DA近似重合。
触摸电极(未示出)可定位在触摸传感器层TS中。一个触摸电极可遍及多个像素PX布置。触摸电极可由金属网构成。触摸电极可由诸如钛、铝、铜、钼的金属材料或诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料形成。触摸电极可由单层或多层形成。
触摸电极可检测用户的接触或非接触的触摸。每个触摸电极可以自电容法感测触摸，或者相邻的触摸电极可以互电容法感测触摸。显示面板10可被称为触摸屏幕面板。显示装置1可包括触摸驱动器，该触摸驱动器生成用于驱动触摸电极的信号并且处理从触摸电极接收的信号，并且触摸驱动器可作为集成电路芯片提供。
用于减少外部光的反射的抗反射层AR可布置在触摸传感器层TS上。抗反射层AR可包括光阻挡构件和滤色器。稍后更详细地描述抗反射层AR。
光学器件40可布置为在显示面板10的背面上与显示面板10重叠，并且可布置为对应于整个第二显示区域DA2或仅第二显示区域DA2的部分。而且，在第二显示区域DA2中，可布置多个光学器件40。
光学器件40可以是相机、传感器或闪光灯，并且当光学器件40是传感器时，光学器件40可以是接近传感器或照度传感器。由光学器件40使用的波长的光可通过第二显示区域DA2，以更高的透射率穿过显示面板10。
光学器件40可朝向布置在显示面板10的前面的对象OB发射预定波长范围的光L或者接收从对象OB反射的光L。预定波长范围的光L是可由光学器件40处理的波长的光，并且可以是可见光和/或红外光，并且预定波长范围的光L可主要穿过布置在第二显示区域DA2中的透射区域。例如，当光学器件40使用红外光时，光的预定波长可在约900nm到1000nm的波长区域内。光学器件40可接收照射在显示面板10的前表面上的预定波长范围的光L。
除了光学器件40之外，各种电子器件也可定位在显示面板10的背面上。
参照图3连同图1和图2描述根据示例性实施例的显示装置1的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。图3是根据示例性实施例的显示装置的第一显示区域和第二显示区域的示意性布局图。
参照图3，第一显示区域DA1包括多个第一像素区域PA1，并且第二显示区域DA2包括多个第二像素区域PA2和多个透射区域TA。
一个第一像素区域PA1的尺寸和一个第二像素区域PA2的尺寸可不同，但是不限于此，并且一个第一像素区域PA1的尺寸和一个第二像素区域PA2的尺寸可相同。
像素区域PA1和PA2中的每个可包括至少一个像素PX。像素PX可包括像素电路和发光单元。像素电路是用于驱动诸如发光二极管LED(参见图7)的发光元件的电路，并且可包括晶体管、电容器等。发光单元是发射从发光元件发射的光的区域。此外，在第二显示区域DA2中，像素电路可定位在非显示区域中，并且像素电路可定位在单独空间中，而该单独空间定位在第一显示区域DA1中。像素电路和第二像素区域PA2通过由透明金属制成的连接布线而彼此连接，该透明金属可增加光学器件的效率。
图3中所示的像素PX可对应于发光单元。发光单元能具有各种形状，诸如菱形、矩形和圆形。像素PX可在一个方向(即，第三方向z)上发射光。
透射区域TA不包括像素电路和发光单元。在透射区域TA中，没有定位或很少定位干扰光的透射的像素电路、发光单元、触摸电极等，所以透射率高于第一像素区域PA1和第二像素区域PA2的透射率。
布线区域定位在第二像素区域PA2周围，并且用于将信号传输到像素PX的多个信号线可定位在第一像素区域PA1和第二像素区域PA2以及布线区域中。
根据图3中所示的示例性实施例，每个第一像素区域PA1包括一个红色像素R、两个绿色像素G和一个蓝色像素B。每个第二像素区域PA2包括一个红色像素R、两个绿色像素G和一个蓝色像素B。
第一像素区域PA1的红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B的排列与第二像素区域PA2的红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B的排列可彼此不同，并且第一像素区域PA1的红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B的尺寸与第二像素区域PA2的红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B的尺寸可彼此不同。与如示出的不同，第一像素区域PA1的像素排列和第二像素区域PA2的像素排列可相同。
如果包括在像素区域PA1和PA2中的每个中的像素R、G和B的组被称作单位像素，则第一像素区域PA1的单位像素和第二像素区域PA2的单位像素的配置可相同或可不同。单位像素可包括一个红色像素R、一个绿色像素G和一个蓝色像素B。单位像素可包括红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B中的至少一个，并且可包括白色像素。
包括在第一显示区域DA1中的像素R、G和B在第一方向x上形成像素行。在第一显示区域DA1中的每个像素行中，像素R、G和B在第一方向x上以近似直线排列。在每个像素行中，像素R、G和B可在第一方向x上以红色像素R、绿色像素G、蓝色像素B和绿色像素G的顺序重复排列。在一个像素行中包括的像素R、G和B的排列可进行各种改变。例如，像素R、G和B可在第一方向x上以蓝色像素B、绿色像素G、红色像素R和绿色像素G的顺序重复排列，或者可以红色像素R、蓝色像素B、绿色像素G和蓝色像素B的顺序重复排列。
在第二显示区域DA2中的每个像素行中，像素R、G和B在第一方向x上以近似直线排列。在每个像素行中，针对像素R、G和B，可在第一方向x上重复排列一个红色像素R、两个绿色像素G和一个蓝色像素B。在一个像素行中包括的像素R、G和B的排列可进行各种改变。在第二显示区域DA2中，每个像素PX可具有矩形平面形状。
绿色像素G的平面尺寸和蓝色像素B的平面尺寸可小于红色像素R的平面尺寸。
第一像素区域PA1和第二像素区域PA2的像素R、G和B也在第二方向y上形成像素列。在每个像素列中，像素R、G和B在第二方向y上以近似直线排列。在每个像素列中，可布置相同颜色的像素PX，并且可在第二方向y上交替布置两种或更多种颜色的像素PX。包括在一个像素列中的像素R、G和B的排列可进行各种改变。
第二像素区域PA2的像素R、G和B可以是单侧发射型，例如在第三方向z上发射光的顶部发射型。第二像素区域PA2的像素R、G和B可以是底部发射型或双侧发射型。
接着，参照图4连同图3描述第二显示区域DA2中的第二像素区域PA2和透射区域TA。图4是根据示例性实施例的显示装置的第二像素区域的示意性放大图和图3的区域A的放大图。
参照图4连同图3，在第二显示区域DA2中，第二像素区域PA2与透射区域TA彼此相邻，并且第二像素区域PA2包括像素R、G和B。第二显示区域DA2还包括布置在多个第二像素区域PA2和多个透射区域TA之间的多个布线区域WA。多个布线区域WA中的每个定位为围绕多个透射区域TA。尽管未示出，但是用于将信号传输到第二像素区域PA2的像素R、G和B的诸如栅极线和数据线的信号线定位在被布置在透射区域TA的边界处的布线区域WA中，以使得透射区域TA的透射率不劣化。
金属阻挡层BL和光阻挡层BM定位在第二像素区域PA2中，并且金属阻挡层BL和光阻挡层BM具有定位在透射区域TA中的开口OPN。金属阻挡层BL和光阻挡层BM也可布置在布线区域WA中。金属阻挡层BL和光阻挡层BM也定位在定位为围绕透射区域TA的布线区域WA中，以防止穿过透射区域TA的光在透射区域TA周围衍射，从而防止光学器件40(图2)的品质因周围的光而劣化。
根据图4的示例性实施例，金属阻挡层BL和光阻挡层BM的开口OPN具有近似十字形的平面形状，并且十字形的开口OPN的上突出部、下突出部、左突出部和右突出部可为约相同的尺寸。
金属阻挡层BL可包括金属，并且可防止从外部流入的光流入到第二像素区域PA2并且防止穿过透射区域TA的光在透射区域TA周围衍射。金属阻挡层BL可包括金属氧化物。
在平面上，光阻挡层BM的边缘比金属阻挡层BL的边缘更多地突出第一间隔d1，并且可防止光被定位在金属阻挡层BL的边缘周围的绝缘层衍射和散射并且在金属阻挡层BL周围被识别。
透射区域TA可具有被金属阻挡层BL围绕的第一透射区域TA1和被光阻挡层BM围绕的第二透射区域TA2，并且第二透射区域TA2的面积可比第一透射区域TA1的面积窄。
金属阻挡层BL和光阻挡层BM的开口OPN以上突出部、下突出部、左突出部及右突出部的尺寸几乎相同的近似十字形形成，以使得可减少在开口OPN周围可能发生的光衍射的影响。
金属阻挡层BL和光阻挡层BM布置为与定位有用于将信号传输到第二像素区域PA2的信号线的布线区域WA重叠，以使得可以防止光流入到布置在布线区域WA中的信号线以及防止光从线表面反射并且在透射区域TA侧被识别。
接着，参照图5连同图3描述根据另一示例性实施例的显示装置的第二像素区域PA2。图5是根据另一示例性实施例的显示装置的第二像素区域的示意性放大图并且是图3的区域A的放大图。
参照图5连同图3，根据另一示例性实施例的显示装置的第二像素区域PA2中的金属阻挡层BL和光阻挡层BM的开口OPN具有近似十字形的平面形状，并且十字形的开口OPN的上突出部、下突出部、左突出部和右突出部可具有几乎相同的尺寸。
金属阻挡层BL和光阻挡层BM的开口OPN以近似十字形形成，而该近似十字形具有几乎相同尺寸的上突出部、下突出部、左突出部和右突出部，以使得可以减少在开口OPN周围可能发生的光的衍射的影响。
在平面上，光阻挡层BM的边缘比金属阻挡层BL的边缘更多地突出，以使得可防止光被定位在金属阻挡层BL的边缘周围的绝缘层衍射和散射并且在金属阻挡层BL周围被识别。
金属阻挡层BL和光阻挡层BM布置为与定位有用于将信号传输到第二像素区域PA2的信号线的布线区域WA重叠，以使得可以防止光流入到布置在布线区域WA中的信号线以及防止光从线表面反射并且在透射区域TA侧被识别。
此外，开口OPN的边缘不是直线，而是可具有其中凹部分和凸部分重复的压纹形状。通过不以直线，而是以其中凹部分和凸部分重复的压纹形状来形成开口OPN的边缘，可减少在开口OPN周围可能发生的光衍射的影响。
现在，参照图6描述根据另一示例性实施例的显示装置的第二像素区域PA2。图6是根据另一示例性实施例的显示装置的第二像素区域的示意性放大图。
参照图6，金属阻挡层BL和光阻挡层BM的开口OPN具有近似圆形的平面形状。金属阻挡层BL和光阻挡层BM的开口OPN可具有近似椭圆形的平面形状。
金属阻挡层BL可包括金属，并且可防止从外部流入的光流入到第二像素区域PA2并且防止穿过透射区域TA的光在透射区域TA周围衍射。
通过将金属阻挡层BL和光阻挡层BM的开口OPN形成为具有近似圆形或椭圆形的平面形状，可减少在金属阻挡层BL的开口OPN周围可能发生的光衍射的影响。
在平面上，光阻挡层BM的边缘比金属阻挡层BL的边缘更多地突出，以使得可防止光被定位在金属阻挡层BL的边缘周围的绝缘层衍射和散射并且在金属阻挡层BL周围被识别。
金属阻挡层BL和光阻挡层BM布置为与定位有用于将信号传输到第二像素区域PA2的信号线的布线区域WA重叠，以使得可防止光流入到布置在布线区域WA中的信号线以及防止光从线表面反射并且在透射区域TA侧被识别。
现在参照图7描述根据示例性实施例的显示装置的显示区域DA1和DA2的一个像素PX的像素电路。图7是根据示例性实施例的显示装置的一个像素的电路图。
如图7中所示，根据示例性实施例的显示装置的一个像素PX包括连接到几个布线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst、升压电容器Cbt和发光二极管LED。
多个布线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741与一个像素PX连接。多个布线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描线151、第二扫描线152、初始化控制线153、旁路控制线154、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172和公共电压线741。
第一扫描线151连接到栅极驱动器(未示出)以将第一扫描信号GW传输到第二晶体管T2。在与第一扫描线151的信号相同的时间，第二扫描线152可被施加有极性与施加到第一扫描线151的电压相反的电压。例如，当负电压施加到第一扫描线151时，可向第二扫描线152施加正电压。第二扫描线152向第三晶体管T3传输第二扫描信号GC。
初始化控制线153向第四晶体管T4传输初始化控制信号GI。旁路控制线154向第七晶体管T7传输旁路信号GB。旁路控制线154可由前一级的第一扫描线151组成。发光控制线155向第五晶体管T5和第六晶体管T6传输发光控制信号EM。
数据线171是传输从数据驱动器(未示出)生成的数据电压DATA的布线，并且由发光二极管LED发射的亮度依据施加到像素PX的数据电压DATA而改变。
驱动电压线172施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127传输第一初始化电压VINT，并且第二初始化电压线128传输第二初始化电压AINT。公共电压线741将公共电压ELVSS施加到发光二极管LED的阴极。在本示例性实施例中，施加到驱动电压线172、第一初始化电压线127和第二初始化电压线128以及公共电压线741的电压可分别是恒定电压。
多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可包括驱动晶体管(或第一晶体管)T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可包括包含氧化物半导体的氧化物晶体管和包含多晶半导体的多晶晶体管。例如，第三晶体管T3和第四晶体管T4可由氧化物晶体管制成，并且驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可制成为多晶晶体管。然而，本实施例不限于此，并且多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可全部制成为多晶晶体管。
在上文中，已描述了一个像素PX包括七个晶体管T1至T7、一个存储电容器Cst和一个升压电容器Cbt，但是不限于此，并且晶体管和电容器的数量及其连接关系可以各种方式改变。
现在参照图8和图9更详细地描述根据示例性实施例的显示装置的第一显示区域和第二显示区域。图8是根据示例性实施例的显示装置的第一显示区域的剖视图，并且图9是根据示例性实施例的显示装置的第二显示区域的剖视图。
根据图8和图9中所示的示例性实施例，为了描述的更好领悟和方便，主要描述了第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和连接到第二晶体管TR2的发光二极管LED，但是它不限于此，并且如图7中所示，可包括除第一晶体管TR1和第二晶体管TR2以外的其它晶体管。第一晶体管TR1可以是开关晶体管，并且第二晶体管TR2可以是驱动晶体管，但是不限于此。
首先，参照图8，根据示例性实施例的显示装置的第一显示区域DA1的第一像素区域PA1包括显示单元1000、触摸单元2000和抗反射单元3000。触摸单元2000可布置在显示单元1000和抗反射单元3000之间。
衬底SB可包括诸如聚合物(诸如聚酰亚胺和聚酰胺)或玻璃的绝缘材料，并且可以是光学透明的。
衬底SB可包括彼此重叠的第一层(未示出)和第二层(未示出)，以及定位在第一层和第二层之间的第一势垒层(未示出)。
第一层和第二层可包括诸如聚酰亚胺和聚酰胺的聚合物。第一层和第二层可包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素之中的至少一种。
第一势垒层可防止湿气等的渗透，并且可包括诸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiOxNy)的无机绝缘材料。第一势垒层可包括非晶硅(a-Si)。
第二势垒层1101布置在衬底SB上。
第二势垒层1101起到平坦表面，同时防止诸如杂质或湿气的不需要的成分的渗透的作用。第二势垒层1101可包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物和非晶硅中的至少一种。
缓冲层111可布置在第二势垒层1101上。
缓冲层111定位在衬底SB和第二半导体130之间以在形成多晶硅的结晶工艺期间阻挡来自衬底SB的杂质，从而改善多晶硅特性。
缓冲层111可包括诸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiOxNy)的无机绝缘材料。缓冲层111可包括非晶硅(a-Si)。
第二半导体130可布置在缓冲层111上。第二半导体130可包括多晶硅材料。即，第二半导体130可由多晶半导体形成。第二半导体130可包括源极区域131、沟道区域132和漏极区域133。
第二半导体130的源极区域131可连接到第二源电极SE2，并且第二半导体130的漏极区域133可连接到第二漏电极DE2。
第一栅极绝缘层141可布置在第二半导体130上。第一栅极绝缘层141可具有包括硅氮化物、硅氧化物、硅氮氧化物等的单层或多层结构。
第二栅极下电极GE2_L可布置在第一栅极绝缘层141上。第二栅极下电极GE2_L可包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)，并且可具有包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的单层或多层结构。
第二栅极绝缘层142可定位在第二栅极下电极GE2_L上。第二栅极绝缘层142可包括硅氮化物、硅氧化物、硅氮氧化物等。第二栅极绝缘层142可具有包括硅氮化物、硅氧化物和硅氮氧化物的单层或多层结构。
第二栅极上电极GE2_U可定位在第二栅极绝缘层142上。第二栅极下电极GE2_L和第二栅极上电极GE2_U可经由第二栅极绝缘层142重叠。第二栅极上电极GE2_U和第二栅极下电极GE2_L配置第二栅电极GE2。第二栅电极GE2可在垂直于衬底SB的方向上与第二半导体130的沟道区域132重叠。
第二栅极上电极GE2_U和栅极线GL(参见图9)可包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)等，并且可以是包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)等的单层或多层结构。
在第二栅极绝缘层142上，可布置由与第二栅极上电极GE2_U和栅极线GL相同的层构成的金属层BML，并且金属层BML可与稍后描述的第一晶体管TR1重叠。金属层BML可连接到驱动电压线，或者第一晶体管TR1的栅电极或源电极，所以它可作为下栅电极。
第二半导体130、第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2构成第二晶体管TR2。第二晶体管TR2可以是连接到发光二极管LED的驱动晶体管并且可形成为包括多晶半导体的晶体管。
第一层间绝缘层161可布置在第二栅电极GE2上。第一层间绝缘层161可包括硅氮化物、硅氧化物、硅氮氧化物等。第一层间绝缘层161可由其中包括硅氮化物的层和包括硅氧化物的层堆叠的多层形成。此时，在第一层间绝缘层161中，包括硅氮化物的层可比包括硅氧化物的层定位为更靠近衬底SB。
第一半导体135可布置在第一层间绝缘层161上。第一半导体135可与金属层BML重叠。
第一半导体135可包括氧化物半导体。氧化物半导体可包括铟(In)氧化物、锡(Sn)氧化物、锌(Zn)氧化物、铪(Hf)氧化物和铝(Al)氧化物中的至少一种。例如，第一半导体135可包括铟镓锌氧化物(IGZO)。
第一半导体135可包括沟道区域137以及定位在沟道区域137的两侧上的源极区域136和漏极区域138。第一半导体135的源极区域136可连接到第一源电极SE1，并且第一半导体135的漏极区域138可连接到第一漏电极DE1。
第三栅极绝缘层143可定位在第一半导体135上。第三栅极绝缘层143可包括硅氮化物、硅氧化物、硅氮氧化物等。
在所示的示例性实施例中，第三栅极绝缘层143可定位在第一半导体135和第一层间绝缘层161上面。相应地，第三栅极绝缘层143覆盖第一半导体135的源极区域136、沟道区域137和漏极区域138的上表面和侧表面。
如果第三栅极绝缘层143没有覆盖源极区域136和漏极区域138的上表面，则第一半导体135的一些材料可移动到第三栅极绝缘层143的侧表面。在本示例性实施例中，由于第三栅极绝缘层143定位在第一半导体135和第一层间绝缘层161的整个表面上，因此可防止由于金属颗粒的扩散而导致的第一半导体135和第一栅电极GE1之间的短路。
然而，示例性实施例不限于此，并且第三栅极绝缘层143可不定位在第一半导体135和第一层间绝缘层161的整个表面上。例如，第三栅极绝缘层143可仅定位在第一栅电极GE1和第一半导体135之间。即，第三栅极绝缘层143可与第一半导体135的沟道区域137重叠，并且可不与源极区域136和漏极区域138重叠。通过此，在实现高分辨率的过程中可减少半导体沟道的长度。
第一栅电极GE1可定位在第三栅极绝缘层143上。
第一栅电极GE1可在垂直于衬底SB的方向上与第一半导体135的沟道区域137重叠。第一栅电极GE1可包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)，并且可具有包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的单层或多层结构。例如，第一栅电极GE1可包括包含钛的下层和包含钼的上层，并且包含钛的下层防止氟(F)的扩散，氟是干蚀刻上层时的蚀刻气体。
第一半导体135、第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1构成第一晶体管TR1。第一晶体管TR1可以是用于开关第二晶体管TR2的开关晶体管，并且可由包括氧化物半导体的晶体管制成。
第二层间绝缘层162可布置在第一栅电极GE1上。第二层间绝缘层162可包括硅氮化物、硅氧化物、硅氮氧化物等。第二层间绝缘层162可由多层形成，在该多层中堆叠有包含硅氮化物的层和包含硅氧化物的层。
第一源电极SE1和第一漏电极DE1以及第二源电极SE2和第二漏电极DE2可布置在第二层间绝缘层162上。第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2可包括铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)等，并且可具有包括铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)等的单层或多层结构。例如，第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2可以是包括难熔金属(诸如钛、钼、铬、钽或其合金)的下层、具有低电阻率(诸如铝基金属、银基金属和铜基金属)的中间层以及包括难熔金属(诸如钛、钼、铬和钽)的上层的三层结构。
第一源电极SE1可连接到第一半导体135的源极区域136，并且第一漏电极DE1可连接到第一半导体135的漏极区域138。
第二源电极SE2可连接到第二半导体130的源极区域131，并且第二漏电极DE2可连接到第二半导体130的漏极区域133。
第一绝缘层170可布置在第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2上。第一绝缘层170可以是有机层或无机层。例如，第一绝缘层170可包括诸如常用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、聚酰亚胺和硅氧烷基聚合物的有机绝缘材料。
连接电极CE、数据线171和驱动电压线172可定位在第一绝缘层170上。连接电极CE和数据线171可包括铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)等，并且可具有包括铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)等的单层或多层结构。
连接电极CE连接到第二漏电极DE2。
第二绝缘层180可定位在第一绝缘层170、连接电极CE、驱动电压线172和数据线171上。第二绝缘层180可起到平坦化和去除台阶的作用，以增大将在其上形成的发射层的发射效率。第二绝缘层180可包括有机绝缘材料，诸如常用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、聚酰亚胺和硅氧烷基聚合物。
像素电极191可定位在第二绝缘层180上。像素电极191可通过第二绝缘层180的接触孔185(参见图9)和第一绝缘层170的接触孔165(参见图9)连接到第二漏电极DE2。
可针对每个像素PX单独地提供像素电极191。像素电极191可包括诸如银(Ag)、锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)和金(Au)的金属，并且也可包含诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电氧化物(TCO)。像素电极191可由包括金属材料或透明导电氧化物的单层或包括金属材料和透明导电氧化物的多层形成。例如，像素电极191可具有铟锡氧化物(ITO)/银(Ag)/铟锡氧化物(ITO)的三层结构。
像素限定层350可定位在像素电极191上。像素限定层350可包括有机绝缘材料，诸如常用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、聚酰亚胺和硅氧烷基聚合物。通过包括黑色染料，像素限定层350可不透射光。
像素开口365A、365B和365C形成在像素限定层350中，并且像素限定层350的像素开口365A、365B和365C可与像素电极191重叠。发射层370A、370B和370C可布置在像素限定层350的像素开口365A、365B和365C中。
发射层370A、370B和370C可包括唯一地发射诸如红色、绿色和蓝色的基本颜色的光的材料层。发射层370A、370B和370C可具有其中发射不同颜色的光的多个材料层堆叠的结构。
例如，发射层370A、370B和370C可以是有机发射层，并且有机发射层包括发射层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一个或多个。当有机发射层包括这些中的全部时，空穴注入层可定位在作为阳极的像素电极191上，并且空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层可顺序堆叠在空穴注入层上。
公共电极270可定位在发射层370A、370B和370C以及像素限定层350上。公共电极270可对所有像素PX公共提供，并且公共电压ELVSS可通过非显示区域NA的公共电压传输部来施加。
公共电极270可包括：包括钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)等的反射金属或诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电氧化物(TCO)。
像素电极191、发射层370A、370B和370C以及公共电极270可形成发光二极管LED。这里，像素电极191可以是作为空穴注入电极的阳极，并且公共电极270可以是作为电子注入电极的阴极。然而，在示例性实施例中，根据有机发光二极管显示器的驱动方法，像素电极191可以是阴极并且公共电极270可以是阳极。
来自像素电极191和公共电极270的空穴和电子中的每个被注入到发射层370中，并且由注入的空穴和电子结合形成的激子从激发态下降到基态，从而引起发光。
作为根据示例性实施例的显示装置的开关晶体管的一部分的第一晶体管TR1可包括氧化物半导体，并且作为驱动晶体管的一部分的第二晶体管TR2可包括多晶半导体。针对高速驱动，通过将约60Hz的频率增加到约120Hz，可更自然地表达运动画面的移动，但是这增加了功耗。可降低驱动静止图像时的频率以补偿增加的功耗。例如，当驱动静止图像时，它可以约1Hz来驱动。如果以这种方式降低频率，则可出现泄漏电流。在根据示例性实施例的显示装置中，可通过使作为开关晶体管的第一晶体管TR1包括氧化物半导体来最小化泄漏电流。此外，由于作为驱动晶体管的第二晶体管TR2包括多晶半导体，因此可实现高电子迁移率。换言之，通过使开关晶体管和驱动晶体管包括不同的半导体材料，可以更稳定地驱动并且具有高可靠性。
封装层600定位在公共电极270上。封装层600可通过不仅覆盖显示单元1000的上表面而且还覆盖显示单元1000的侧表面来密封显示单元1000。封装层600定位在显示区域DA的整个表面上，并且封装层600的端部可通过从显示区域DA延伸而定位在非显示区域NA中。
由于诸如有机发射层的发射层370非常易受湿气和氧气的影响，因此封装层600密封显示单元1000以阻止湿气和氧气从外部流入。封装层600可包括多个层并且可形成为包括无机层和有机层这两者的复合层。例如，封装层600可形成为三层，在该三层中，依次形成第一封装无机膜、封装有机膜和第二封装无机膜，第一封装无机膜和第二封装无机膜可包括无机材料，并且封装有机膜可包括有机材料。
触摸单元2000布置在封装层600上。
简要描述触摸单元2000。第三绝缘层710定位在封装层600上。第三绝缘层710可包括金属氧化物、金属氮氧化物、硅氧化物、硅氮化物和硅氮氧化物之中的至少一种，或者可包括有机层并且有机层可由聚合物系列材料形成，然而它不限于此。第三绝缘层710可覆盖封装层600以保护封装层600并且防止湿气渗透。此外，第三绝缘层710可减小公共电极270和触摸电极之间的寄生电容。
第一触摸单元连接部452布置在第三绝缘层710上，并且第四绝缘层720布置在第一触摸单元连接部452上。第四绝缘层720可由诸如金属氧化物、金属氮氧化物、硅氧化物、硅氮化物和硅氮氧化物的无机层或有机层形成。
第一触摸单元TE定位在第四绝缘层720上。此外，虽然未示出，但是第二触摸单元和第二触摸单元连接部也可定位在第四绝缘层720上。此时，第一触摸单元TE和第二触摸单元中的一个可以是感测输入电极，并且另一个可以是感测输出电极。第一触摸单元TE和第二触摸单元可彼此电分离，并且可被散布以便彼此不重叠并且可以网格形式布置。第一触摸单元TE可通过第一触摸单元连接部452彼此连接，并且第二触摸单元可通过第二触摸单元连接部彼此连接。
触摸单元钝化层430可定位在第一触摸单元TE和第二触摸单元(未示出)上。触摸单元钝化层430可通过覆盖第一触摸单元TE和第二触摸单元(未示出)以使得它们不暴露于外部来保护第一触摸单元TE和第二触摸单元(未示出)。触摸单元钝化层430可包括诸如硅氮化物(SiNx)或二氧化硅(SiO2)的无机材料、聚丙烯酸酯树脂、聚酰亚胺树脂和丙烯酸基有机材料。
抗反射单元3000定位在触摸单元2000上。
抗反射单元3000包括光阻挡层520和滤色器530A、530B和530C。
光阻挡层520与显示单元1000的像素限定层350重叠并且可具有比像素限定层350更窄的宽度。光阻挡层520可定位在整个非显示区域NA(图1)上面。
光阻挡层520具有与像素限定层350的像素开口365重叠的多个开口521，并且每个开口521与像素开口365重叠。光阻挡层520的开口521的宽度可宽于每个重叠的像素开口365的宽度。
滤色器530A、530B和530C布置在光阻挡层520上。滤色器530A、530B和530C中的每个的大部分布置在光阻挡层520的开口521中。第五绝缘层540可布置在多个滤色器530A、530B和530C上。
抗反射单元3000防止从外部入射的外部光被布线反射并且被识别。抗反射单元3000的光阻挡层520布置为与非显示区域NA和显示区域DA的发光区域的边缘重叠，从而吸收入射的外部光并且减少入射在发光区域上的外部光。结果，可减小外部光被反射和被视觉识别的程度。
抗反射单元3000的滤色器530A、530B和530C降低了通过在从外部入射的外部光入射在像素限定层350等上之后被反射而引起的可见度。由于滤色器530A、530B和530C不完全阻挡光，所以可以在不降低从发射层370发射的光的效率的情况下防止外部光的反射被识别为可见。
通常，可使用偏振层来防止来自外部光的反射光的识别，但是这降低了从发射层发射的光的效率。然而，根据示例性实施例，可以通过抗反射单元3000，在不降低从发射层370发射的光的效率的情况下防止外部光的反射被识别。
接着，参照图9，根据示例性实施例的显示装置的第二显示区域DA2包括能够显示图像的第二像素区域PA2和透射区域TA，以及布置在第二像素区域PA2周围的布线区域WA。
能够显示图像的第二像素区域PA2的层间结构类似于根据参照图8描述的示例性实施例的显示装置的第一像素区域PA1的层间结构。省略相同的组成元件的详细描述。
如图9中所示，金属阻挡层BL布置在第二势垒层1101上。金属阻挡层BL可防止来自衬底SB的下部的光流入和被识别。特别地，金属阻挡层BL定位在除了透射区域TA之外的第二像素区域PA2和布线区域WA中，以防止在透射区域TA周围的漏光，从而防止由于不必要的外部光而导致的定位在透射区域TA下方的电子器件的性能劣化。
金属阻挡层BL可包括有机材料、金属氧化物或包括具有黑颜色的材料的金属。
缓冲层111可定位在第二势垒层1101和金属阻挡层BL上。
从缓冲层111到第五绝缘层540的配置与根据图8中所示的示例性实施例的配置相同。
光阻挡层520可具有与发射层370重叠的开口，并且滤色器530可定位在光阻挡层520的开口处。定位在第二像素区域PA2的边缘处的光阻挡层520朝向布线区域WA侧延伸，以形成比金属阻挡层BL的边缘更多地延伸的光阻挡层BM。
定位在第二像素区域PA2中的金属阻挡层BL也定位在布线区域WA中。栅极线GL和数据线DL可布置在布线区域WA中。
透射区域TA可包括由布置在第二像素区域PA2中的金属阻挡层BL的边缘部形成的第一透射区域TA1和由定位在第二像素区域PA2中的光阻挡层BM的边缘部形成的第二透射区域TA2。
在平面上，光阻挡层BM可比金属阻挡层BL的边缘更多地延伸，第二透射区域TA2的面积可比第一透射区域TA1的面积窄，并且透射区域TA的开口OPN的面积可与第二透射区域TA2的面积几乎相同。
在第一透射区域TA1中，可去除布置在第二像素区域PA2中的多个绝缘层141、142、143、161和162，但是多个绝缘层141、142、143、161和162的部分可布置在金属阻挡层BL的侧面处。
通过用多个绝缘层141、142、143、161和162的部分覆盖和保护金属阻挡层BL的侧面，可以在制造过程期间防止金属阻挡层BL被腐蚀。
具有去除了在第二像素区域PA2中布置的金属阻挡层BL和光阻挡层BM的开口OPN的透射区域TA1和TA2被布置，并且光可透射通过可在衬底SB的后面上布置的光学器件(未示出)。光学器件可以是传感器、相机、闪光灯等。
此时，由于定位在第一透射区域TA1的边缘处的多个绝缘层141、142、143、161和162的膜厚和膜特性的差异，光被衍射或散射并且然后可从外部被识别，并且结果，光学器件的性能可劣化。
然而，在根据示例性实施例的显示装置中，在平面上，光阻挡层BM的边缘比金属阻挡层BL的边缘更多地突出，并且布置在金属阻挡层BL的边缘周围的绝缘层141、142、143、161和162的边缘可被覆盖，从而防止在金属阻挡层BL的边缘周围的光由于漫射和散射而被识别。
根据上述示例性实施例的金属阻挡层BL和光阻挡层BM以及透射区域TA的开口OPN的形状全部可适用于本示例性实施例。
上述的封装层600定位在包括显示区域DA1和DA2的发光二极管LED、像素限定层350和透射区域TA的整个区域中，以覆盖衬底SB的整个表面。如图9中所示，封装层600可包括第一封装无机膜610、封装有机膜620和第二封装无机膜630。
第一绝缘层170和第二绝缘层180也保留在透射区域TA中，因此有助于平坦化定位在封装层600下面的层。
这样，第一绝缘层170和第二绝缘层180保留在透射区域TA1和TA2中，从而增加透射区域TA1和TA2的平坦度，相应地从而改善光学器件的光学特性。
如上述的，透射区域TA1和TA2的光阻挡层BM的边缘比金属阻挡层BL的边缘更多地突出。
在平面上，金属阻挡层BL的边缘和光阻挡层BM的边缘之间的第一间隔d1可长于作为布线区域WA的栅极线GL的边缘和金属阻挡层BL的边缘之间的最小间隔的第二间隔d2以及作为布线区域WA的数据线DL的边缘和金属阻挡层BL的边缘之间的最小间隔的第三间隔d3。而且，在平面上，金属阻挡层BL的边缘和光阻挡层BM的边缘之间的第一间隔d1可窄于作为像素限定层350的边缘和金属阻挡层BL的边缘之间的最小间隔的第四间隔d4。
由于透射区域TA1和TA2的光阻挡层BM的边缘比金属阻挡层BL的边缘更多地突出，因此布置在金属阻挡层BL的边缘周围的绝缘层141、142、143、161和162的边缘可被覆盖，并且在平面上，金属阻挡层BL的边缘和光阻挡层BM的边缘之间的第一间隔d1可宽于作为金属阻挡层BL的边缘与绝缘层141、142、143、161和162的边缘之间的最小间隔的第五间隔。
这样，根据本示例性实施例的显示装置通过包括光阻挡层520和滤色器530的抗反射单元防止外部光的反射光的识别，而不降低从发射层370发射的光的效率，所以可以防止外部光的反射光被视觉识别。
从第二显示区域DA2的透射区域TA去除包括光阻挡层520和滤色器530的抗反射单元，从而提高光学器件的效率。
而且，金属阻挡层BL阻挡在衬底SB下面(即，衬底SB的后侧)入射的光，以使得可容易地识别布置在透射区域TA的衬底SB的后面处的光学器件，从而增加光学器件的光学特性，并且在抗反射单元的光阻挡层520之中比金属阻挡层BL的边缘更多地延伸的光阻挡层BM，可覆盖布置在金属阻挡层BL的边缘周围的绝缘层141、142、143、161和162的边缘，并且因此，可以防止光在金属阻挡层BL的边缘周围被衍射和散射以及被视觉识别。
此外，第一绝缘层170和第二绝缘层180也保留在透射区域TA中，从而增加了透射区域TA1和TA2的平坦度，从而改善了光学器件的光学特性。
接着，参照图10描述根据另一示例性实施例的显示装置的第二显示区域。图10是根据另一示例性实施例的显示装置的第二显示区域的剖视图。根据本示例性实施例的显示装置的第二显示区域类似于根据参照图8和图9描述的示例性实施例的显示装置的第二显示区域。省略相同的组成元件的详细描述。
参照图10，与根据图9中所示的示例性实施例的显示装置的第二显示区域不同，根据本示例性实施例的显示装置的第二显示区域还可包括布置在像素限定层350上的间隔物SP。
间隔物SP可布置在像素限定层350上，并且在平面上，可布置在第二像素区域PA2和透射区域TA之间。
间隔物SP可包括有机材料。
间隔物SP支撑在后续工艺中使用的掩模，从而防止由于掩模的下垂而导致的在发射层370中出现缺陷。
如上述的，间隔物SP布置在像素限定层350上，在平面上布置在第二像素区域PA2和透射区域TA之间，并且在平面上，作为间隔物SP和发射层370之间的最小间隔的第六间隔d6可以是约7μm或更大。
如果间隔物SP和发射层370之间的第六间隔d6是靠近的，则发射层370的寿命可因在包括有机材料的间隔物SP中可能出现的脱气而劣化。
通常，间隔物SP形成在彼此相邻的发射层370之间，并且在这样情况下，难以实现间隔物SP和发射层370之间的预定间隔，使得发射层370的寿命可能由于间隔物SP中可能出现的脱气而劣化。此外，由于彼此相邻的发射层370之间的间隔是窄的，因此可能难以确保可形成有间隔物SP的区域，并且可能难以形成具有恒定厚度的间隔物SP。
然而，依据根据示例性实施例的显示装置，由于间隔物SP不布置在第二像素区域PA2的相邻的发射层370之间，而是布置在第二像素区域PA2和透射区域TA之间，因此在平面上，作为间隔物SP和发射层370之间的最小间隔的第六间隔d6可保持在约7μm或更大，并且可形成有间隔物SP的区域是相对宽的，从而形成期望厚度的间隔物SP。
根据上述示例性实施例的显示装置的许多特征可适用于根据本示例性实施例的显示装置。
接着，参照图14连同图11至图13更详细地描述根据示例性实施例的显示装置的间隔物SP的位置和形状。图11至图13是根据另一示例性实施例的显示装置的第二像素区域的示意性放大图，并且图14是根据常规技术的显示装置的第二像素区域的示意性放大图。图11至图13是放大图5的区域B的视图。
参照图11，间隔物SP布置在第二显示区域DA2的第二像素区域PA2和具有开口OPN的透射区域TA之间。间隔物SP与金属阻挡层BL的边缘相邻地布置。
间隔物SP可具有近似三角形的形式的平面形状。
由于不同于图14的常规技术，间隔物SP布置在第二显示区域DA2的第二像素区域PA2和具有开口OPN的透射区域TA之间，因此，与间隔物SP1布置在第二显示区域DA2的第二像素区域PA2的像素PX之间的情况相比，间隔物SP和像素PX之间的间隔可充分保持，并且形成有间隔物SP的部分的面积是宽的，从而容易形成具有预定厚度的间隔物SP的形状。
由于间隔物SP布置在第二显示区域DA2的第二像素区域PA2和具有开口OPN的透射区域TA之间，间隔物SP和像素PX之间的间隔可充分保持，从而防止由于可能在间隔物SP中生成的脱气而导致的发射层的品质劣化。
接着，参照图12，间隔物SP布置在第二显示区域DA2的第二像素区域PA2和具有开口OPN的透射区域TA之间。间隔物SP与金属阻挡层BL的边缘相邻地布置。
间隔物SP可具有近似四边形的形式的平面形状。
由于间隔物SP布置在第二显示区域DA2的第二像素区域PA2和具有开口OPN的透射区域TA之间，因此间隔物SP和像素PX之间的间隔可充分保持，从而防止由于在间隔物SP中可能生成的脱气而导致的发射层的品质劣化，并且形成有间隔物SP的区域是宽的，从而容易形成具有预定厚度的间隔物SP的形状。
图11和图12中所示的间隔物SP的形状是示例，并且根据示例性实施例的显示装置的间隔物的形状不限于此并且可修改为具有预定多边形形状的平面形状。
接着，参照图13，间隔物SP布置在第二显示区域DA2的第二像素区域PA2和具有开口OPN的透射区域TA之间。间隔物SP与金属阻挡层BL的边缘相邻地布置。
间隔物SP可具有近似椭圆形形状的平面形状。
由于间隔物SP布置在第二显示区域DA2的第二像素区域PA2和具有开口OPN的透射区域TA之间，因此间隔物SP和像素PX之间的间隔可充分保持，从而防止由于在间隔物SP中可能生成的脱气而导致的发射层的品质劣化，并且形成有间隔物SP的区域是宽的，从而容易形成具有预定厚度的间隔物SP的形状。
图13中所示的间隔物SP的形状是示例，并且根据示例性实施例的显示装置的间隔物的形状不限于此并且可修改为具有诸如圆形的各种弯曲形状的平面形状。
如上述的，在根据图14中所示的常规技术的显示装置中，间隔物SP1布置在第二显示区域DA2的第二像素区域PA2的像素PX之间。如此，当间隔物SP1布置在第二显示区域DA2的第二像素区域PA2的像素PX之间时，难以保持间隔物SP1和像素PX之间充分的间隔，因此难以防止由于在间隔物SP1中可能出现的脱气而导致的发射层的品质劣化，并且随着形成有间隔物SP1的部分的面积变窄，难以形成具有预定厚度的间隔物SP1。
接着，参照图15描述根据另一示例性实施例的显示装置的第二显示区域。图15是根据另一示例性实施例的显示装置的第二显示区域的剖视图。根据本示例性实施例的显示装置的第二显示区域类似于根据参照图10描述的示例性实施例的显示装置的第二显示区域。省略相同的组成元件的详细描述。
参照图15，根据本示例性实施例的显示装置的第二显示区域可包括布置在像素限定层350上的间隔物SP。
间隔物SP可布置在像素限定层350上，并且在平面上，可布置在第二像素区域PA2和透射区域TA之间。根据以上参照图10描述的示例性实施例的显示装置的间隔物SP的许多特征完全可适用于根据本示例性实施例的显示装置的间隔物SP，并且因此省略了间隔物SP的详细描述。
与根据参照图10描述的示例性实施例的显示装置不同，依据根据本示例性实施例的显示装置，可不包括包含光阻挡层520和滤色器530的抗反射单元。
根据上述的示例性实施例的显示装置的许多特征完全可适用于根据本示例性实施例的显示装置。
接着，参照图16和图17描述实验示例。图16是示出实验示例的结果的图像，并且图17是示出实验示例的结果的曲线图。
在本实验示例中，同根据示例性实施例的显示装置一样，在第二显示区域DA2的透射区域TA中，在透射区域TA中形成第一绝缘层170和第二绝缘层180之后，不去除第一绝缘层170和第二绝缘层180，并且用电子显微镜照片来测量表面在第二显示区域DA2的透射区域TA中是否平坦，并且其结果示出在图16中。而且，针对与根据示例性实施例的显示装置不同的在第二显示区域DA2的透射区域TA中去除第一绝缘层170和第二绝缘层180的第一情况a、在第二显示区域DA2的透射区域TA中不去除第一绝缘层170和第二绝缘层180的第二情况b、c和d，光学器件的调制传递函数(MTF)被测量，并且其结果示出在图17中。
参照图16，同根据示例性实施例的显示装置一样，在不从第二显示区域DA2的透射区域TA去除第一绝缘层170和第二绝缘层180并且在透射区域TA中也形成第一绝缘层170和第二绝缘层180的情况下，可确认的是，很好地进行了平坦化。
参照图17，与在第二显示区域DA2的透射区域TA中去除第一绝缘层170和第二绝缘层180的第一情况a相比，在同根据示例性实施例的显示装置一样的在第二显示区域DA2的透射区域TA中不去除第一绝缘层170和第二绝缘层180的第二情况b、c和d下，可确认的是，光学器件的MTF是优异的。
接着，参照图18描述另一实验示例。图18是示出另一实验示例的结果的曲线图。
在本实验示例中，同根据示例性实施例的显示装置一样，针对布置在第二显示区域DA2的透射区域TA中的光阻挡层BM形成为比金属阻挡层BL更多地延伸但是它比定位在金属阻挡层BL的侧面上的绝缘层的边缘更多地突出的情况x1、布置在第二显示区域DA2的透射区域TA中的光阻挡层BM形成为比金属阻挡层BL更多地延伸但是它形成为与布置在金属阻挡层BL的侧面上的绝缘层的边缘垂直地重叠的情况x2以及布置在第二显示区域DA2的透射区域TA中的光阻挡层BM的边缘和金属阻挡层BL的边缘形成为垂直地重叠的情况x3，光学器件的MTF被测量并且其结果示出在图18中。
参照图18，同根据示例性实施例的显示装置一样，在定位在第二显示区域DA2的透射区域TA中的光阻挡层BM形成为比金属阻挡层BL更多地延伸但是它形成为比定位在金属阻挡层BL的侧面上的绝缘层的边缘更多地突出的情况x1下，可确认的是，光学器件的MTF更好。
接着，参照图19描述另一实验示例。图19是示出另一实验示例的结果的图像。
在本实验示例中，同根据示例性实施例的显示装置一样，在平面上，形成了定位在第二像素区域PA2和透射区域TA之间的间隔物SP，并且其结果通过电子显微镜照片、3D轮廓照片和3D图形来测量，并且其结果示出在图19中。在图19中，(a)为电子显微镜照片，(b)为三维轮廓图片，并且(c)为三维图形。
参照图19，类似于图11中所示出的，可确认的是，间隔物SP具有期望的平面形状并且其以预定厚度很好地形成。
虽然已结合目前被认为是实用的示例性实施例描述了本公开，但是将理解的是，本发明不限于所公开的实施例。相反，它旨在覆盖包括在所附的权利要求的精神和范围内的各种修改和等效布置。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
衬底，包括显示区域和透射区域；
金属阻挡层，布置在所述衬底的所述显示区域中；
无机绝缘层，布置在所述金属阻挡层上；
晶体管，布置在所述无机绝缘层上；
发射层，连接到所述晶体管；以及
光阻挡层和滤色器，布置在所述显示区域的所述发射层上，
其中，所述光阻挡层的边缘朝向所述透射区域比所述金属阻挡层的边缘更多地突出。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述金属阻挡层的所述边缘被所述无机绝缘层覆盖，并且
所述光阻挡层的所述边缘朝向所述透射区域比所述无机绝缘层的边缘更多地突出。
3.如权利要求1所述的显示装置，还包括布置在所述发射层下面的有机绝缘层，
其中，所述有机绝缘层布置在所述显示区域和所述透射区域中。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述无机绝缘层在所述透射区域中至少部分被去除。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述金属阻挡层具有与所述透射区域重叠的第一开口，
所述光阻挡层具有与所述透射区域重叠的第二开口，并且
所述第二开口的面积小于所述第一开口的面积。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中，
所述第一开口的平面形状和所述第二开口的平面形状相同。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中，
所述第一开口具有十字形的平面形状，并且
所述金属阻挡层的所述边缘具有凹部分和凸部分重复的平面形状。
8.如权利要求5所述的显示装置，其中，
所述金属阻挡层的所述第一开口具有圆形或椭圆形的平面形状。
9.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
像素限定层，布置在所述晶体管上并且限定所述发射层的区域；以及
间隔物，布置在所述像素限定层上，
其中，所述间隔物定位在所述显示区域与所述透射区域之间，并且靠近所述金属阻挡层的所述边缘布置。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中，
所述间隔物具有多边形的平面形状，或者所述间隔物具有弯曲形状的平面形状。
CN202111217223.XA 2020-10-22 2021-10-19 显示装置 Pending CN114388592A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200137710A KR20220053756A (ko) 2020-10-22 2020-10-22 표시 장치
KR10-2020-0137710 2020-10-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114388592A true CN114388592A (zh) 2022-04-22

Family

ID=81194892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111217223.XA Pending CN114388592A (zh) 2020-10-22 2021-10-19 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11956997B2 (zh)
KR (1) KR20220053756A (zh)
CN (1) CN114388592A (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113193020B (zh) * 2021-04-25 2022-10-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置
KR20230072991A (ko) * 2021-11-18 2023-05-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20230158138A (ko) * 2022-05-09 2023-11-20 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기
KR20230172637A (ko) * 2022-06-15 2023-12-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN117479574A (zh) * 2022-07-15 2024-01-30 台州观宇科技有限公司 发光元件

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101776655B1 (ko) 2010-07-01 2017-09-11 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판, 그 제조 방법, 및 상기 어레이 기판을 포함하는 표시 장치
KR20140043526A (ko) 2012-09-21 2014-04-10 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20170113066A (ko) 2016-03-24 2017-10-12 삼성전자주식회사 디스플레이를 가진 전자 장치 및 그의 이미지 표시 방법
KR102648412B1 (ko) 2016-06-17 2024-03-18 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102344877B1 (ko) 2017-03-30 2021-12-30 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN107230698B (zh) 2017-05-27 2019-09-03 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
KR20210101379A (ko) 2020-02-07 2021-08-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 전자 기기
KR20210142808A (ko) 2020-05-18 2021-11-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
CN111599846B (zh) * 2020-05-29 2023-02-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
KR20210157640A (ko) * 2020-06-22 2021-12-29 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220053756A (ko) 2022-05-02
US11956997B2 (en) 2024-04-09
US20220130915A1 (en) 2022-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20220293637A1 (en) Array substrate and display panel
US11956997B2 (en) Display device
US20220359641A1 (en) Display device having light transmissive regions
US20210183983A1 (en) Display device
JP7111793B2 (ja) 画素アレイ基板およびこれを備えるディスプレイ装置
US20220165984A1 (en) Display device
US20230131822A1 (en) Display apparatus
US20220302420A1 (en) Display device
CN218277721U (zh) 显示设备
US20230209883A1 (en) Display apparatus
CN114171560A (zh) 显示装置
KR20220033612A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220111817A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
US11569322B2 (en) Display device having a blocking layer
US20220077269A1 (en) Display device
US20230389397A1 (en) Display apparatus and electronic apparatus including the same
US20230171994A1 (en) Light emitting display device
US11616117B2 (en) Display apparatus
US20240170470A1 (en) Display apparatus
US20220158127A1 (en) Display panel and electronic device
US20230172022A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US20220059636A1 (en) Display panel and display device
KR20230102313A (ko) 표시 장치용 모 기판 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
KR20230023840A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220140073A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination