CN117479574A - 发光元件 - Google Patents
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Abstract
一种发光元件，发光元件包括基板、复数个光遮挡层、覆盖层、导电层和复数个凸块。复数个光遮挡层在基板下方。覆盖层接触基板的第一表面並覆蓋复数个光遮挡层。导电层接触基板的第二表面。复数个凸块配置于基板的第二表面并覆蓋导电层的一部份，复数个凸块中两相邻凸块间具有包含有机材料的有机发光单元。复数凸块中一者具有边缘，其与复数个光遮挡层中一者的边缘在纵向方向上彼此偏移。
Description
技术领域
本揭露是关于一种发光元件，特别是关于一种有机发光元件。
背景技术
有机发光显示器已经广泛使用于最高端的电子装置中。然而，由于现有技术的限制，有机发光显示器中的发光材料的发光效果无法有效地被控制，导致容易产生光晕及光学串扰等问题，造成有机发光显示器的光学效果不如预期。现有技术中有时候会额外增加偏光片来改善上述问题，但还是无法有效地消除光晕，而且额外增加的偏光片有使显示器厚度增加且成本偏高等缺点。本揭露内容提供了一种可解决上述困境的装置。
发明内容
在本发明中，提供一种发光元件，发光元件包括基板、复数个光遮挡层、覆盖层、导电层和复数个凸块。复数个光遮挡层在基板下方。覆盖层接触基板的第一表面並覆蓋复数个光遮挡层。导电层接触基板的第二表面。复数个凸块配置于基板的第二表面并覆蓋导电层的一部份，复数个凸块中两相邻凸块间具有包含有机材料的有机发光单元。复数凸块中一者具有边缘，其与复数个光遮挡层中一者的边缘在纵向方向上彼此偏移。
在某些实施方式中，所述在横向方向上所述复数个光遮挡层各者之面积大于所述复数个凸块中各者的面积。
在某些实施方式中，所述导电层包括透明导电膜，所述透明导电膜包括ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)或IGZO(氧化銦鎵鋅)。
在某些实施方式中，所述发光元件包括离型层，其在所述覆盖层下方，其中所述离型层与所述复数个光遮挡层藉由所述覆盖层分隔开。
在某些实施方式中，所述有机发光单元的所述两相邻凸块的各一边缘之间的距离大于所述复数个光遮挡层中两相邻光遮挡层的各一边缘之间的距离。
在某些实施方式中，所述复数个光遮挡层中的一者可包含具有十字形轮廓的凹陷，所述具有十字形轮廓的凹陷可曝露由单一有机发光单元发出的光。
在某些实施方式中，所述复数个光遮挡层中的一者可包含具有十字形轮廓的凹陷，所述具有十字形轮廓的凹陷可曝露由复数个有机发光单元发出的光。
在本发明中，具有一种发光元件，发光元件包括基板、图案化光遮挡层、覆盖层、复数个凸块和离型层。图案化光遮挡层在基板下方且具有开口。覆盖层在图案化光遮挡层下方。复数个凸块配置于所述基板之上，复数个凸块中两相邻凸块间各具有包含有机发光材料的有机发光单元，其中有机发光单元包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，其中图案化光遮挡层的边缘与复数个凸块中一者的边缘不对齐。离型层在覆盖层下方，其中离型层与图案化光遮挡层藉由覆盖层分隔开。
在某些实施方式中，所述有机发光材料包括具有共振结构的分子结构，且可选自于由螺-三芳基胺、双-三芳基胺及其组合组成的群组。
在某些实施方式中，所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元各自具有有效发光区，其大小由位于各发光单元下方的一阳极所界定，各发光单元于发光时具有黑区与亮区，其中所述黑区的总面积小于所述有效发光区的50％。
在某些实施方式中，所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元分别具有包含有机材料的有机发光堆栈层，其中所述有机发光堆栈层包括：载体注入层、载体传输层、有机发射层及有机载体传输层。
在某些实施方式中，所述光遮挡层及所述覆盖层包含有机材料，且所述离型层包含无机材料。
在某些实施方式中，所述所述基板包含透明材料。
在某些实施方式中，所述第一发光单元的两相邻凸块的各一边缘之间的距离大于所述图案化光遮挡层的所述开口的宽度。
附图说明
图1为俯视图，例示发光元件的中间产物。
图2为例示沿着图1中的线AA的剖面图。
图3为发光元件与解黏膜的相对关系剖面图。
图4A至图4K绘示根据一实施例的制造发光元件的流程。
图5A与5B绘示根据一实施例的光遮挡层的俯视图。
具体实施方式
图1为俯视图，例示发光元件10的中间产物。发光元件10具有发光层20以及位于该发光层20上方的覆盖层40。对于发光层20，可设计间隔物21以提供用于容纳发光像素阵列的凹部阵列。在一些实施例中，间隔物21可包含光敏感材料。
图2为例示沿着图1中的线AA的剖面图并且仅说明发光区域。为求简洁，此处省略覆盖层40。间隔物21具有数个凸块105，以定义发光像素图案。凹部位在两个相邻凸块105之间并且提供容纳发光像素的空间。技艺之人士应理解从剖面图观察，凸块105以断开的方式绘示，但从图1的俯视示意图观察，它们可经由间隔物21的其他部分而彼此连接。
发光元件10包括发光阵列,发光阵列包括第一有机发光单元10a、第二有机发光单元10b以及第三有机发光单元10c。有机发光单元在本案中亦可称为发光像素。在一些实施例中，发光单元10a包括一第一电极104、在凸块105和第一电极104上方的载体注入层106L1、在载体注入层106L1上方的载体传输层106L2、在载体传输层106L2的一部分上方的有机发射层106L3，以及在有机发射层106L3上方的有机载体传输层106L4。载体注入层106L1、载体传输层106L2、有机发射层106L3，以及有机载体传输层106L4可以统称为有机发光堆栈层。
在一些实施例中，载体注入层106L1配置于第一电极104与载体传输层106L2之间。发光单元10a包含一有机材料，此有机材料可依不同的实施方式置于发光单元10a中的载体传输层、载体注入层或机发射层中的任一层中。且此有机材料在一些实施例中，对于一特定波长之吸收率大于或等于50％，在一些实施例中，对于一特定波长之吸收率大于或等于60％，在一些实施例中，对于一特定波长之吸收率大于或等于70％，在一些实施例中，对于一特定波长之吸收率大于或等于80％，在一些实施例中，对于一特定波长之吸收率大于或等于90％，在一些实施例中，对于一特定波长之吸收率大于或等于95％。
在一些实施例中，特定波长不大于400nm，在一些实施例中，特定波长不大于350nm，在一些实施例中，特定波长不大于300nm，在一些实施例中，特定波长不大于250nm，在一些实施例中，特定波长不大于200nm，在一些实施例中，特定波长不大于150nm，在一些实施例中，特定波长不大于100nm。
基板100位在发光层20下方。在一些实施例中，基板100可包括薄膜晶体管(TFT)阵列。在一些实施例中，基板100包含基材(未绘示)、介电层(未绘示)，及设于基材上或基材内的一或多个电路(未绘示)。在一些实施例中，基材为透明基材，或至少一部分是透明的。在一些实施例中，基材为非可挠式基材，且基材的材料可包括玻璃、石英、低温多晶硅(lowtemperature poly-silicon，LTPS)或其他适当材料。在一些实施例中，基材为可挠式基材，且基材的材料可包括透明环氧树脂、聚酰亚胺、聚氯乙烯、甲基丙烯酸甲酯或其他适当材料。介电层可视需要而设于基材上。在一些实施例中，介电层可包括氧化硅、硅氮化物、硅氧氮化物或其他适当材料。
在一些实施例中，电路可包含互补式金属氧化物半导体(Complementary metal–oxide–semiconductor，CMOS)电路，或是包含数个晶体管及邻近晶体管的数个电容器，其中晶体管及电容器形成于介电层上。在一些实施例中，晶体管为薄膜晶体管(thin-filmtransistor，TFT)。每一晶体管包括源极/汲极区域(包含至少一源极区域及一汲极区域)、介于源极/汲极区域间的通道(channel)区域、设于通道区域上方的闸极电极以及介于通道区域与闸极电极间的闸极绝缘体。晶体管的通道区域可由半导体材料制成，譬如硅或选自第IV族或第III族及第V族的其他元素。
复数个光遮挡层101形成基板100之下。复数个光遮挡层101形成于基板100的第一表面100a上。复数个光遮挡层101与基板100分隔开。复数个光遮挡层101也可以统称为图案化光遮挡层101。复数个光遮挡层101彼此分开达一距离W1。复数个光遮挡层101彼此分开的部分也可以称为开口，开口具有宽度W1。复数个光遮挡层101可吸收90％以上的可见光。在一些实施例中，光遮挡层101可以包含黑体材料。在一些实施例中，光遮挡层101包括一层单一材料。在一些实施例中，光遮挡层101包括多个材料形成的复合层。在一些实施例中，光遮挡层101包含有机材料。在一些实施例中，光遮挡层101包含无机材料。
覆盖层102接触基板100的第一表面100a並覆蓋复数个光遮挡层101。覆盖层102形成于复数个光遮挡层101之间的间隙中。覆盖层102形成于图案化光遮挡层101的开口中。覆盖层102覆盖于光遮挡层101之下表面上及两个侧面。覆盖层102将基板100与复数个光遮挡层101分隔开。在一些实施例中，覆盖层102包含有机材料。在一些实施例中，覆盖层102可保护光遮挡层101在制造过程中不被划伤。
复数个第一电极104形成于基板100之第二表面100b上。复数个第一电极104接触基板100。复数个第一电极104接触基板100的第二表面100b。复数个第一电极104彼此分隔开。复数个第一电极104与基板100电连接。
如图2所示，复数个凸块105配置于基板100的第二表面并覆蓋第一电极104的一部份。第一电极104的周围区域由凸块105覆盖。在一些实施例中，第一电极104的边缘角落完全被凸块105包围。在一些实施例中，第一电极104的侧壁完全与凸块105接触。在一些实施例中，在两个第一电极104之间的间隙中的两个凸块105彼此分开。
在本案中，第一电极104可为阳极。在本案中，第一电极104可为导电层。发光单元10a的第一电极104可界定有效发光区的大小。在一些实例中，发光单元10a于发光时具有黑区与亮区。黑区的总面积小于有效发光区的50％。有效发光区也可称为有效照明区。
在一些实施例中，有效照明区具有至少小于10微米的宽度。在一些实施例中，有效照明区具有约3微米至6微米的宽度。在一些实施例中，有效照明区具有约4微米至6微米的宽度。有效照明区决定图1中的发光元件10的像素大小。由于可将有效照明区的大小控制在10微米以下，因而发光元件10的像素密度可超过1000或2000ppi。
在图2中，光遮挡层101具有厚度101T。第一电极104具有厚度104T。在一些实施例中，光遮挡层101的厚度101T大于第一电极104的厚度104T。在一些实施例中，光遮挡层101的厚度101T等于第一电极104的厚度104T。在一些实施例中，光遮挡层101的厚度101T小于第一电极104的厚度104T。
第一电极104可具有约至约/>的总厚度。在一些实施例中，第一电极104具有约/>至约/>的总厚度。在一些实施例中，第一电极104具有约/>的总厚度。第一电极104可为导电层。第一电极104可包含ITO、IZO、IGZO、AlCu合金、AgMo合金，约至/>ITO(或IZO或IGZO)与/>至/>金属膜(Ag、Al、Mg、Au)以及约/>至ITO(或IZO或IGZO)。
在一些实施例中，电极104为复合结构。例如，电极104具有导电膜与位在其上的透明导电膜。导电膜位于透明导电膜与基板100之间。在一些实施例中，导电膜包含铝、金、银、铜等。在一些实施例中，透明导电膜包含铟、锡、石墨烯、锌、氧等。在一些实施例中，电极104包括透明导电薄膜。在一些实施例中，电极104包括ITO(铟锡氧化物)。在一些实施例中，电极104包括IZO(铟锌氧化物)。在一些实施例中，电极104包括IGZO(氧化銦鎵鋅)。在一些实施例中，透明导电膜的粗糙度导电膜的厚度可为约/> 至约/>之间。透明导电膜的厚度可为约/>至约/>之间。
在一些实施例中，第一电极104具有至少三个不同的膜。导电膜(例如Al、Cu、Ag、Au等)夹置在两个透明导电膜之间。在一些情况下，两个透明导电膜其中之一为ITO，其一侧与基板100接触且另一侧与导电膜接触。在一些情况下，两个透明导电膜其中之一为ITO，其一侧与导电膜接触且另一侧与凸块105或发光材料接触。
在一些实施例中，每个凸块105都具有弯曲表面，其远离基板100突出并且覆盖第一电极104的外围区域。凸块105可为不同的形状。在一些实施例中，凸块105具有弯曲的表面。在一些实施例中，凸块105的形状为梯型。在一些实施例中，凸块105的形状为矩型。凸块105的图案根据像素布置来设计，并且图案化的凸块105可称为像素定义层(pixel definedlayer，PDL)。凸块105配置于基板100之上。每个凸块105填入两相邻第一电极104之间的间隙。每个第一电极104由凸块105部分覆盖。凸块105可包含光敏材料。在图2中，在横向方向上复数个光遮挡层101各者之面积大于凸块105中各者的面积。
凸块105中一者在覆盖第一电极104的上表面上有边缘105a。光遮挡层101在其接近第一电极104中心处有边缘101a。光遮挡层101的边缘101a与凸块105的边缘105a不对齐。凸块105的边缘105a与光遮挡层的边缘101a在纵向方向上有偏移d。偏移d占光遮挡层101之宽度的百分比可大于或等于1％。偏移d占光遮挡层101之宽度的百分比可大于或等于5％。偏移d占光遮挡层101之宽度的百分比可大于或等于10％。偏移d占光遮挡层101之宽度的百分比可大于或等于15％。
凸块105'中一者在覆盖第一电极104的上表面上有边缘105'a。光遮挡层101'在其接近第一电极104中心处有边缘101'a。光遮挡层101'的边缘101'a与凸块105'的边缘105'a不对齐。凸块105'的边缘105'a与光遮挡层的边缘101'a之间有偏移d'。偏移d占光遮挡层101'之宽度的百分比可大于或等于1％。偏移d占光遮挡层101'之宽度的百分比可大于或等于5％。偏移d占光遮挡层101'之宽度的百分比可大于或等于10％。偏移d占光遮挡层101'之宽度的百分比可大于或等于15％。在一些实施例中，偏移d等于偏移d'。在一些实施例中，偏移d大于偏移d'。在一些实施例中，偏移d小于偏移d'。
在图2中，复数个光遮挡层101及101'之间的距离为W1，两相邻凸块105及105'之各一边缘105a及105'a之间的距离为W2。由于有偏移d及d'，两相邻凸块105及105'之各一边缘105a及105'a之间的距离W2大于复数个光遮挡层中两相邻光遮挡层101及101'的各一边缘101a及101'a之间的距离W1。在图2中，两相邻凸块105及105'之各一边缘105a及105'a之间的距离W2可为复数个光遮挡层101中两者101及101'之间的距离W1、以及偏移d与偏移d'之和。两相邻凸块105及105'之各一边缘105a及105'a之间的距离W2可定义有效发光区之面积。因为复数个光遮挡层101及101'之间的距离W1小于W2，复数个光遮挡层101及101'可控制第一电极104发出的光，从而改善图案的成像效果。
在一些实施例中，凸块105对于一特定波长之吸收率大于或等于50％，在一些实施例中，凸块105对于一特定波长之吸收率大于或等于60％，在一些实施例中，凸块105对于一特定波长之吸收率大于或等于70％，在一些实施例中，凸块105对于一特定波长之吸收率大于或等于80％，在一些实施例中，凸块105对于一特定波长之吸收率大于或等于90％，在一些实施例中，凸块105对于一特定波长之吸收率大于或等于95％。在一些实施例中，特定波长不大于400nm，在一些实施例中，特定波长不大于350nm，在一些实施例中，特定波长不大于300nm，在一些实施例中，特定波长不大于250nm，在一些实施例中，特定波长不大于200nm，在一些实施例中，特定波长不大于150nm，在一些实施例中，特定波长不大于100nm。
载体注入层106L1设置在覆盖层102、凸块105和第一电极104的暴露表面上。载体注入层106L1连续覆盖凸块105和第一电极104的暴露表面。在一些实施例中，每个第一电极104的暴露表面是经配置为用于一个发光单元10a的有效发光区域。选择性，载体注入层106L1与凸块105接触。在一些实施例中，载体注入层106L1与第一电极104接触。在一些实施例中，载体注入层106L1为有机体。在一些实施例中，载体注入层106L1是经配置为执行空穴注入。在一些实施例中，载体注入层106L1为一空穴注入层。在一些实施例中，载体注入层106L1可具有约至约/>的厚度。
载体传输层106L2设置在覆盖层102、凸块105和第一电极104的暴露表面上。载体传输层106L2设置在载体注入层106L1上方并完全覆盖载体注入层106L1。载体注入层106L1设置在载体传输层106L2底下。载体传输层106L2连续覆盖载体注入层106L1。载体传输层106L2覆盖多个凸块105和多个第一电极104。选择性，载体传输层106L2与载体注入层106L1接触。在一些实施例中，载体传输层106L2为有机体。在一些实施例中，载体传输层106L2是经配置为执行空穴传输。在一些实施例中，载体传输层106L2为一第一空穴传输层。在一些实施例中，载体注入层106L1可具有约至约/>的厚度。
有机发射层106L3设置在覆盖层102、凸块105和第一电极104的暴露表面上。有机发射层106L3设置在载体传输层106L2上方并完全覆盖载体传输层106L2。载体传输层106L2设置在有机发射层106L3底下。有机发射层106L3连续覆盖载体传输层106L2。有机发射层106L3覆盖多个凸块105和多个第一电极104。选择性，有机发射层106L3与载体传输层106L2接触。有机发射层106L3是经配置为发出第一颜色。。
在一些实施例中，有机发射层106L3对于一特定波长之吸收率大于或等于50％，在一些实施例中，有机发射层106L3对于一特定波长之吸收率大于或等于60％，在一些实施例中，有机发射层106L3对于一特定波长之吸收率大于或等于70％，在一些实施例中，有机发射层106L3对于一特定波长之吸收率大于或等于80％，在一些实施例中，有机发射层106L3对于一特定波长之吸收率大于或等于90％，在一些实施例中，有机发射层106L3对于一特定波长之吸收率大于或等于95％。在一些实施例中，特定波长不大于400nm，在一些实施例中，特定波长不大于350nm，在一些实施例中，特定波长不大于300nm，在一些实施例中，特定波长不大于250nm，在一些实施例中，特定波长不大于200nm，在一些实施例中，特定波长不大于150nm，在一些实施例中，特定波长不大于100nm。
在一些实施例中，载体传输层106L2和有机发射层106L3中至少一者包括有机材料。该有机材料可包括具有共振结构的分子结构。该有机材料可选自于由螺-三芳基胺、双-三芳基胺及其组合组成的群组。在一些实施例中，载体传输层106L2和有机发射层106L3中至少一者包括螺-三芳基胺。在一些实施例中，载体传输层106L2和有机发射层106L3中至少一者包括双-三芳基胺。在一些实施例中，载体传输层106L2和有机发射层106L3包括该相同材料。在一些实施例中，载体传输层106L2包括并且有机发射层106L3包括在一些实施例中，载体传输层106L2包括/>并且有机发射层106L3包括/>
有机载体传输层106L4设置在覆盖层102、凸块105和第一电极104的暴露表面上。有机载体传输层106L4设置在有机发射层106L3上方并完全覆盖有机发射层106L3。有机发射层106L3设置在有机载体传输层106L4底下。有机载体传输层106L4连续覆盖有机发射层106L3。有机载体传输层106L4覆盖多个凸块105和多个第一电极104。选择性，有机载体传输层106L4与有机发射层106L3接触。
第二电极106D设置在覆盖层102、凸块105和第一电极104的暴露表面上。第二电极106D位在有机载体传输层106L4上方并完全覆盖有机载体传输层106L4。在一些情况下，第二电极106D经图案化以仅覆盖各个发光像素的有效发光区域。在一些情况下，第二电极106D与有机载体传输层106L4接触。
第二电极106D可具有约至约/>的厚度。在一些实施例中，第二电极106D可具有约/>至约/>的厚度。在一些实施例中，第二电极106D可具有约/>至约的厚度。在一些实施例中，第二电极106D可具有约/>至约/>的厚度。在一些实施例中，第二电极106D可具有约/>至约/>的厚度。在一些实施例中，第二电极106D可具有约/>至约/>的厚度。
在本案中，第二电极106D可为阴极。第二电极106D可为金属材料，例如Ag、Mg等。在一些实施例中，第二电极106D包括ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)。
在一些实施例中，第二电极106D为复合结构。例如，第二电极106D具有导电膜以及在其上的透明导电膜。导电膜位在透明导电膜与有机载体传输层106L4之间。在一些实施例中，导电膜包含铝、金、银、铜、镁、钼等。在一些实施例中，透明导电膜包含铟、锡、石墨烯、锌、氧等。在一些实施例中，透明导电膜为ITO(铟锡氧化物)。在一些实施例中，透明导电膜为IZO(铟锌氧化物)。在一些实施例中，透明导电膜位在导电膜与有机载体传输层106L4之间。在一些实施例中，第二电极106D可为图形化导电层，或带有图形化绝缘层的图形化导电层。
在图2中发光元件10包括基板100、在基板100上的多个凸块105以及由凸块105隔开的多个发光单元。
这些发光单元包括第一发光单元10a、第二发光单元10b及第三发光单元10c。在一些实施例中，第一发光单元10a、第二发光单元10b及第三发光单元10c彼此相邻。在一些实施例中，第二发光单元10b及第三发光单元10c具有与第一发光单元10a类似的构造。此外，尽管第一发光单元10a、第二发光单元10b及第三发光单元10c例示为具有相似的特征，但这仅为例示性，无意于限制这些实施例。第一发光单元10a、第二发光单元10b及第三发光单元10c可具有相似的结构或不同的结构，以满足期望的功能要求。
第一发光单元10a、第二发光单元10b及第三发光单元10c可至少在有机发光堆栈层的厚度上彼此不同。在一些实施例中，第一发光单元10a发射绿光、第二发光单元10b发射红光并且第三发光单元10c发射蓝光。
在一些实施例中，发光单元10a、10b、10c是经配置为分成至少三个不同群组，其中每一群组发出与其他群组所发出颜色不同的颜色。每一有机发光堆栈层的厚度可与由相应发光单元10a、10b、10c显示的颜色有关。在一些实施例中，与配置为发出不同颜色的其他发光单元相比，第一发光单元10a发出绿光，并且第一发光单元10a的有机发光堆栈层可具有最小厚度。在一些实施例中，与配置为发射不同颜色的其他发光单元相比，第二发光单元10b发射红光，并且第二发光单元10b内有机发光堆栈层的厚度可介于第一发光单元10a内有机发光堆栈层的厚度与第三发光单元10c内有机发光堆栈层的厚度之间。在一些实施例中，与配置为发出不同颜色的其他发光单元相比，第三发光单元10c发出蓝光，并且第三发光单元10c的有机发光堆栈层可具有最大厚度。第一发光单元10a、第二发光单元10b及第三发光单元10c的有机发光堆栈层可通过诸如气相沉积、液体喷射或喷墨印刷的各种处理来形成。
在一些实施例中，第一、第二和第三发光单元10a、10b、10c可至少在第一、第二和第三发光单元10a、10b、10c的载体传输层的厚度差异上彼此不同。
在一些实施例中，发光单元10a、10b、10c是经配置为分成至少三个不同群组，其中每一群组发出与其他群组所发出颜色不同的颜色。载体传输层的厚度可关联于相应发光单元10a所显示的颜色。在一些实施例中，与配置为发出不同颜色的其他发光单元相比，第一发光单元10a发出绿光，并且第一发光单元10a的载体传输层可具有最小厚度。在一些实施例中，与配置为发射不同颜色的其他发光单元相比，第二发光单元10b发射红光，并且第二发光单元10b内载体传输层的厚度可介于第一发光单元10a内载体传输层的厚度与第三发光单元10c内载体传输层的厚度之间。在一些实施例中，与配置为发出不同颜色的其他发光单元相比，第三发光单元10c发出蓝光，并且第三发光单元10c的载体传输层可具有最大厚度。
图3为发光元件与解黏膜的相对关系剖面图。离型层103形成于覆盖层102下方。在一些实施例中，离型层103可保护覆盖层102。在一些实施例中，覆盖层102可保护光遮挡层101。在一些实施例中，离型层103可保护光遮挡层101。离型层103与复数个光遮挡层101藉由覆盖层102分隔开。在一些实施例中，离型层103包含无机材料。在一些实施例中，离型层103包含氧化硅或氮化硅。在一些实施例，离形层103可包括硅。
在制造过程中，提供解黏膜107以固定多个发光元件10'。如图3所示的相对位置关系，离型层103形成在覆盖层102与解黏膜107之间，离型层103会与解黏膜107接触。解黏膜107系用来固定发光元件形成于其上的晶圆，以保证分割发光元件时的切割精准度。当切割完成后，再将发光元件10'将与解黏膜107分离开来。在一些实施例中，解黏膜107包含有机材料。当利用照射紫外线来分离发光元件10'及解黏膜107时，由于离型层103为无机材料且解黏膜107为有机材料，离型层103与解粘膜107容易剥离，从而提高分割发光元件时的制程良率。在一些实施例中，离形层103能达到易剥离的技术效果。在一些实施例中，离形层103能保护光遮挡层101。在一些实施例中，离形层103包括耐刮材料。在一些实施例中，离形层103防止光遮挡层101扩散。
在一些实施例中，离形层103包括一层单一材料。在一些实施例中，离形层103包括多个材料形成的复合层。在一些实施例，离形层103可涂布(coating)或喷涂(spraying)于覆盖层102之上。在一些实施例，离形层103的厚度可小于15um，例如介于1um至10um之间。在一些实施例，离形层103可包括光阻材料，例如碳、氢、氧、其他适合材料、或前述的组合的混合物。在一些实施例，离形层103的一侧表面可涂负具有分离性的离形剂。在一些实施例，离形层103的离形力可小于15公克/公厘(g/mm)，例如小于10公克/公厘。
图4A至图4K绘示根据一实施例的制造发光元件的一方法。
在图4A中，提供基板100。
在图4B中，在基板100之第一表面100a上设置复数个光遮挡层101。各个光遮挡层101经配置成基板之同一侧上。各个光遮挡层101彼此分开。
在图4C中，在基板100之第一表面100a上的各个光遮挡层101之上设置覆盖层102。覆盖层102包围复数个光遮挡层101中各者之上方表面及两个侧表面。覆盖层102接触基板100。覆盖层102通过化学气相沈积(CVD)、物理气相沈积(PVD)及旋转涂布玻璃(SOG Spincoating)之其中一者而形成于复数个光遮挡层101上方。
在图4D中，在基板100之第二表面100b上设置复数个第一电极104。各个第一电极104经配置以电连接至基板100。考虑像素的安排而设计第一电极104之阵列图案。
在图4E中，在第一电极104上设置光敏层105L。在一些实施例中，涂布光敏层105L于第一电极104及覆盖层102上。光敏层105L填入相邻的第一电极104之间的间隙中。将光敏层105L加热至一预定的温度，然后将之暴露在指定的波长之下。光敏层105L可吸收90％以上的可见光。在暴露之后，在一溶液中润湿光敏层105'以进行显影。
如图4F所示，光敏层105L之一部分被移除，而留下的部分局部覆盖相邻的第一电极104之间的间隙。在此剖面图中，留下的光敏层105L形成复数凸块105，各个凸块105形成于第一电极104之部分上表面上且包覆第一电极104之一侧表面。凸块105局部地覆盖各个第一电极104。
凸块105可经形成为不同的形状。在图4F中，凸块105具有弯曲的表面。在一些实施例中，凸块105的形状为梯型。在形成凸块105后，执行清洁操作以清洁凸块105及第一电极104之暴露表面。在一实施例中，在清洁操作期间，将去离子水加热至介于30℃及80℃之间的一温度。在去离子水的温度升高至一预定温度后，将去离子水引导至凸块105及第一电极104之暴露表面。
在一些实施例中，在清洁操作期间使用超声波。将超声波导入清洁剂(例如水或异丙醇(IPA)等)中。在一些实施例中，将二氧化碳导入清洁剂中。在清洁操作之后，经由加热操作将清洁剂从暴露表面移除。在加热操作期间，可将基板100及凸块105加热至介于80℃及110℃之间的一温度。在一些例子中，将压缩空气引导至暴露表面，以在加热的同时帮助移除清洁剂之残余物。
在加热操作之后，可使用O2、N2、或Ar电浆来处理暴露表面。电浆系用以使暴露表面粗糙化。在一些实施例中，使用臭氧以调节暴露表面之表面状态。
如图4G所示，在凸块105、覆盖层102之部分暴露表面上、及第一电极104之暴露表面上设置载体注入层106L1。载体注入层106L1沿着暴露表面连续地加衬(lining)。更具体而言，各个第一电极104之暴露表面经配置作为一发光单元(亦即，一像素)的有效发光面积。在此实施例中，所有发光单元使用载体注入层106L1。在一些实施例中，载体注入层106L1系用于电洞注入。在一些实施例中，载体注入层106L1系用于电子注入。载体注入层106L1连续地覆盖在复数个凸块105及第一电极104之暴露表面之上。可选地，载体注入层106L1与凸块105接触。在一实施例中，载体注入层106L1与第一电极104接触。在一些实施例中，载体注入层106L1为有机的。
如图4H所示，在凸块105、覆盖层102之部分暴露表面上、及第一电极104之暴露表面上设置载体传输层106L2。载体注入层106L1设置在载体传输层106L2之下。载体传输层106L2沿着载体注入层106L1连续地加衬。在此实施例中，所有的发光单元使用载体传输层106L2。在一些实施例中，载体传输层106L2系用于电洞注入。在一些实施例中，载体传输层106L2系用于电子注入。载体传输层106L2连续地覆盖在复数个凸块105及第一电极104之上。可选地，载体传输层106L2与载体注入层106L1接触。在一些实施例中，载体传输层106L2为有机的。
在图4I中，有机发射层106L3设置在凸块105、覆盖层102之部分暴露表面上、及第一电极104之暴露表面上。有机发射层106L3覆盖载体传输层106L2。有机发射层106L3完全地覆盖暴露的载体传输层106L2。有机发射层106L3经配置以发射第一颜色。
如图4J所示，在有机发射层106L3上设置有机载体传输层106L4。有机载体传输层106L4可为电洞或电子传输层。在一些实施例中，有机载体传输层106L4及载体传输层106L2各自配置成相反的价态。
在图4K中，在有机载体传输层106L4上设置第二电极106D。第二电极106D覆盖有机载体传输层106L4。第二电极106D可为金属材料，例如Ag、Mg等。在一些实施例中，第二电极106D包括ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)。在一些实施例中，从剖视图观看，各个发光单元(亦即，像素)具有独立的第二电极106D。
可重复执行如图4A-4K中所示之操作以形成不同颜色的发光单元。
如图4K所示，发光单元所产生的光L1可以朝向基板的方向向外发出，也有部分的光L2会朝向第二电极106D的方向向外发出。当光L2碰到第二电极106D后，可能会因第二电极106D内的不同材料而产生不同的反射光L2r。反射光L2r可能对发光单元所产生的光L1产生干扰，因此产生光晕及光学串扰等问题，造成有机发光显示器的光学效果不如预期。根据本揭露的光遮挡层101，经过适当配置(例如，采用如上述讨论可遮挡环境光)，可大大降低反射光L2r对光L1产生的干扰，进而解决光晕及光学串扰等问题，并提高发光单元的对比度。
参见图5A，在一些实施例中，光遮挡层101从俯视角度可具有呈现十字形轮廓的凹陷500(可对应于图2中标示的W1部分)。十字形轮廓500可以让发光单元(例如10a、10b或10c)发出的光透出。在一些实施例中，十字形轮廓500可让单一发光单元发出的光透出。在一些实施例中，十字形轮廓500可让多个发光单元发出的光透出。
参见图5B，在一些实施例中，光遮挡层101可包含第一凹陷502与第二凹陷504、506、508、510。第一凹陷502具有十字形轮廓；第二凹陷504、506、508、510，位于第一凹陷502的四侧，且具有L形轮廓，从而第一凹陷502与第二凹陷504、506、508、510共同形成一个准心的图案。准心的图案可以让发光单元(例如10a、10b或10c)发出的光透出。在一些实施例中，第一凹陷502可与单一发光单元的有效发光面积重迭，让单一发光单元发出的光透出。在一些实施例中，第一凹陷502可与多个发光单元的有效发光面积重迭，让多个发光单元发出的光透出。在一些实施例中，第二凹陷504、506、508、510的每一者可与单一发光单元的有效发光面积重迭，各自让单一发光单元发出的光透出。在一些实施例中，第二凹陷504、506、508、510的每一者可与多个发光单元的有效发光面积重迭，让多个发光单元发出的光透出。
在一些实施例中，第一凹陷502以及第二凹陷504、506、508、510可与单一发光单元的有效发光面积重迭，让单一发光单元发出的光透出。在一些实施例中，第一凹陷502以及第二凹陷504、506、508、510可与多个发光单元的有效发光面积重迭，让多个发光单元发出的光透出。
本申请可以根据实际需求将图案化调成成所期望的形状。
前述内容概述一些实施方式的特征，因而熟知此技艺的人士可更加理解本揭露的各方面。熟知此技艺的人士应理解可轻易使用本揭露作为基础，用于设计或修饰其他制程与结构而实现与本申请案所述的实施例具有相同目的与/或达到相同优点。熟知此技艺的人士亦应理解此均等架构并不脱离本揭露揭示内容的精神与范围，并且熟知此技艺的人士可进行各种变化、取代与替换，而不脱离本揭露的精神与范围。
附图符号说明
10 发光元件
10a 发光单元
10b 发光单元
10c 发光单元
100 基板
101 光遮挡层/图案化光遮挡层
101' 光遮挡层
101a 边缘
101'a 边缘
101T 厚度
102 覆盖层
103 离型层
104 第一电极
104T 厚度
105 凸块
105' 凸块
105a 边缘
105'a 边缘
106L1 载体注入层
106L2 载体传输层
106L3 有机发射层
106L4 有机载体传输层
106D 第二电极
107 解黏膜
d 偏移
d' 偏移
W1 距离
W2 距离。
Claims (14)
1.一种发光元件，包括：
基板；
复数个光遮挡层，其在所述基板下方；
覆盖层，其接触所述基板的第一表面並覆蓋所述复数个光遮挡层；
导电层，其接触所述基板的第二表面；
复数个凸块，其中所述复数个凸块配置于所述基板的所述第二表面并覆蓋所述导电层的一部份，所述复数个凸块中两相邻凸块间具有包含有机材料的有机发光单元；
其中，所述复数凸块中一者具有边缘，其与所述复数个光遮挡层中一者的边缘在纵向方向上彼此偏移。
2.如权利要求1中所述的发光元件，其中在横向方向上所述复数个光遮挡层各者的面积大于所述复数个凸块中各者的面积。
3.如权利要求1中所述的发光元件，其中所述导电层包括透明导电膜，所述透明导电膜包括ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)或IGZO(氧化銦鎵鋅)。
4.如权利要求1中所述的发光元件，进一步包括离型层，其在所述覆盖层下方，其中所述离型层与所述复数个光遮挡层藉由所述覆盖层分隔开。
5.如权利要求1中所述的发光元件，其中所述有机发光单元的所述两相邻凸块的各一边缘之间的距离大于所述复数个光遮挡层中两相邻光遮挡层的各一边缘之间的距离。
6.如权利要求1所述的发光元件，其中所述复数个光遮挡层中的一者可包含具有十字形轮廓的凹陷，所述具有十字形轮廓的凹陷可曝露由单一有机发光单元发出的光。
7.如权利要求1所述的发光元件，其中所述复数个光遮挡层中的一者可包含具有十字形轮廓的凹陷，所述具有十字形轮廓的凹陷可曝露由复数个有机发光单元发出的光。
8.一种发光元件，包括：
基板；
图案化光遮挡层，其在所述基板下方且具有开口；
覆盖层，其在所述图案化光遮挡层下方；
复数个凸块配置于所述基板之上，所述复数个凸块中两相邻凸块间各具有包含有机发光材料的有机发光单元，其中所述有机发光单元包括第一发光单元、第二
发光单元和第三发光单元，其中所述图案化光遮挡层的所述开口的边缘与所述复数个凸块中一者的边缘不对齐；
离型层，其在所述覆盖层下方，其中所述离型层与所述图案化光遮挡层藉由所述覆盖层分隔开。
9.如权利要求8中所述的发光元件，其中所述有机发光材料包括具有共振结构的分子结构，且可选自于由螺-三芳基胺、双-三芳基胺及其组合组成的群组。
10.如权利要求8中所述的发光元件，其中所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元各自具有有效发光区，其大小由位于各发光单元下方的一阳极所界定，各发光单元于发光时具有黑区与亮区，其中所述黑区的总面积小于所述有效发光区的50％。
11.如权利要求8中所述的发光元件，其中所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元分别具有包含有机材料的有机发光堆栈层，其中所述有机发光堆栈层包括：
载体注入层；
载体传输层；
有机发射层；及
有机载体传输层。
12.如权利要求8项中所述的发光元件，其中所述图案化光遮挡层及所述覆盖层包含有机材料，且所述离型层包含无机材料。
13.如权利要求8项中所述的发光元件，其中所述基板包含透明材料。
14.如权利要求8项中所述的发光元件，其中所述第一发光单元的两相邻凸块的各一边缘之间的距离大于所述图案化光遮挡层的所述开口的宽度。
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