CN219421504U - 发光元件 - Google Patents

Abstract

一种发光元件，发光元件包括基板、第一保护层、导电层、复数个凸块、第二保护层和图案化光遮挡层。第一保护层在基板上方。导电层在第一保护层上方。复数个凸块配置于基板之上，复数个凸块中两相邻凸块间各具有包含有机材料的有机发光单元，其中有机发光单元具有包含有机材料的有机发光堆栈层。第二保护层覆盖有机发光堆栈层且具有上表面。图案化光遮挡层设置于第二保护层的上表面，其中图案化光遮挡层的边缘与复数个凸块中一者的边缘不对齐。

Description

发光元件

技术领域

本揭露是关于一种发光元件，特别是关于一种有机发光元件。

背景技术

有机发光显示器已经广泛使用于最高端的电子装置中。然而，由于现有技术的限制，有机发光显示器中的发光材料的发光效果无法有效地被控制，导致容易产生光晕及光学串扰等问题，造成有机发光显示器的光学效果不如预期。现有技术中有时候会额外增加偏光片来改善上述问题，但还是无法有效地消除光晕，而且额外增加的偏光片有使显示器厚度增加且成本偏高等缺点。本揭露内容提供了一种可解决上述困境的装置。

实用新型内容

在本实用新型中，提供一种发光元件，发光元件包括基板、第一保护层、导电层、复数个凸块、第二保护层和图案化光遮挡层。第一保护层在基板上方。导电层在第一保护层上方。复数个凸块配置于基板之上，复数个凸块中两相邻凸块间各具有包含有机材料的有机发光单元，其中有机发光单元具有包含有机材料的有机发光堆栈层。第二保护层覆盖有机发光堆栈层且具有上表面。图案化光遮挡层设置于第二保护层的上表面，其中图案化光遮挡层的边缘与复数个凸块中一者的边缘不对齐。

在某些实施方式中，所述有机发光材料包括具有共振结构的分子结构，且可选自于由螺-三芳基胺、双-三芳基胺及其组合组成的群组。

在某些实施方式中，所述有机发光单元具有有效发光区，其大小由位于所述有机发光单元下方的阳极所界定，所述有机发光单元于发光时具有黑区与亮区，其中所述黑区的总面积小于所述有效发光区的50％。

在某些实施方式中，其中所述有机发光堆栈层包括：载体注入层、载体传输层、有机发射层及有机载体传输层。

在某些实施方式中，所述复数个凸块包含光敏材料。

在某些实施方式中，所述基板包含透明材料。

在某些实施方式中，所述有机发光单元之所述两相邻凸块之各一边缘之间的距离大于所述复数个光遮挡层中两者之间的距离。

在某些实施方式中，所述图案化光遮挡层包含具有十字形轮廓的开口，所述具有十字形轮廓的开口可曝露由单一有机发光单元发出的光。

在某些实施方式中，所述图案化光遮挡层包含具有十字形轮廓的开口，所述具有十字形轮廓的开口可曝露由复数个有机发光单元发出的光。

在本实用新型中，具有一种发光元件，发光元件包括基板、第一保护层、导电层、复数个凸块、第二保护层和复数个光遮挡层。第一保护层在基板上方。复数个凸块配置于所述导电层之一部份之上，复数个凸块中两相邻凸块间具有包含有机材料的有机发光单元，其中有机发光单元包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元。第二保护层在有机发光单元上方且覆盖有机发光单元。复数个光遮挡层在第二保护层上方，其中，在纵向方向上，复数凸块各具有边缘，其与复数个光遮挡层中一者的边缘彼此偏移。

在某些实施方式中，在横向方向上所述光遮挡层之面积大于所述复数个凸块中各者的面积。

在某些实施方式中，所述导电层包括透明导电膜，所述透明导电膜包括ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)或IGZO(氧化铟镓锌)。

在某些实施方式中，所述导电层包括阳极电极。

在某些实施方式中，所述有机发光单元之所述两相邻凸块之各一边缘之间的距离大于所述复数个光遮挡层中两者之间的距离。

在某些实施方式中，所述复数个光遮挡层中的一者可包含具有十字形轮廓的凹陷，所述具有十字形轮廓的凹陷可曝露由单一有机发光单元发出的光。

在某些实施方式中，所述复数个光遮挡层中的一者可包含具有十字形轮廓的凹陷，所述具有十字形轮廓的凹陷可曝露由复数个有机发光单元发出的光。

附图说明

图1为俯视图，例示发光元件的中间产物。

图2为例示沿着图1中的线AA的剖面图。

图3A至图3L绘示根据一实施例的制造发光元件的流程。

图4A与图4B绘示根据一实施例的光遮挡层的俯视图。

附图符号说明

10 发光元件

10a 发光单元

10b 发光单元

10c 发光单元

100 基板

101 第一保护层

102 第一电极

102T 厚度

103 凸块

103' 凸块

103a 边缘

103'a 边缘

104L1 载体注入层

104L2 载体传输层

104L3 有机发射层

104L4 有机载体传输层

104D 第二电极

105 第二保护层

105s 上表面

106 光遮挡层/图案化光遮挡层

106' 光遮挡层/图案化光遮挡层

106a 边缘

106'a 边缘

106T 厚度

d 偏移

d' 偏移

W1 距离

W2 距离

具体实施方式

图1为俯视图，例示发光元件10的中间产物。发光元件10具有发光层20以及位于该发光层20上方的覆盖层40。对于发光层20，可设计间隔物21以提供用于容纳发光像素阵列的凹部阵列。在一些实施例中，间隔物21可包含光敏感材料。

图2为例示沿着图1中的线AA的剖面图并且仅说明发光区域。为求简洁，此处省略覆盖层40。间隔物21具有复数个凸块103，以定义发光像素图案。凹部位在两个相邻凸块103之间并且提供容纳发光像素的空间。技艺之人士应理解从剖面图观察，凸块103以断开的方式绘示，但从图1的俯视示意图观察，它们可经由间隔物21的其他部分而彼此连接。

发光元件10包括发光阵列,发光阵列包括第一有机发光单元10a、第二有机发光单元10b以及第三有机发光单元10c。有机发光单元在本申请中亦可称为发光像素。在一些实施例中，发光单元10a包括一第一电极102、在凸块103和第一电极102上方的载体注入层104L1、在载体注入层104L1上方的载体传输层104L2、在载体传输层104L2的一部分上方的有机发射层104L3，以及在有机发射层104L3上方的有机载体传输层104L4。载体注入层104L1、载体传输层104L2、有机发射层104L3，以及有机载体传输层104L4可以统称为有机发光堆栈层。

在一些实施例中，载体注入层104L1配置于第一电极102与载体传输层104L2之间。发光单元10a包含一有机材料，此有机材料可依不同的实施方式置于发光单元10a中的载体传输层、载体注入层或机发射层中的任一层中。且此有机材料在一些实施例中，对于一特定波长之吸收率大于或等于50％，在一些实施例中，对于一特定波长之吸收率大于或等于60％，在一些实施例中，对于一特定波长之吸收率大于或等于70％，在一些实施例中，对于一特定波长之吸收率大于或等于80％，在一些实施例中，对于一特定波长之吸收率大于或等于90％，在一些实施例中，对于一特定波长之吸收率大于或等于95％。

在一些实施例中，特定波长不大于400nm，在一些实施例中，特定波长不大于350nm，在一些实施例中，特定波长不大于300nm，在一些实施例中，特定波长不大于250nm，在一些实施例中，特定波长不大于200nm，在一些实施例中，特定波长不大于150nm，在一些实施例中，特定波长不大于100nm。

基板100位在发光层20下方。在一些实施例中，基板100可包括薄膜晶体管(TFT)阵列。在一些实施例中，基板100包含基材(未绘示)、介电层(未绘示)，及设于基材上或基材内的一或多个电路(未绘示)。在一些实施例中，基材为透明基材，或至少一部分是透明的。在一些实施例中，基材为非可挠式基材，且基材的材料可包括玻璃、石英、低温多晶硅(lowtemperature poly-silicon，LTPS)或其他适当材料。在一些实施例中，基材为可挠式基材，且基材的材料可包括透明环氧树脂、聚酰亚胺、聚氯乙烯、甲基丙烯酸甲酯或其他适当材料。介电层可视需要而设于基材上。在一些实施例中，介电层可包括氧化硅、硅氮化物、硅氧氮化物或其他适当材料。

在一些实施例中，电路可包含互补式金属氧化物半导体(Complementary metal–oxide–semiconductor，CMOS)电路，或是包含数个晶体管及邻近晶体管的数个电容器，其中晶体管及电容器形成于介电层上。在一些实施例中，晶体管为薄膜晶体管(thin-filmtransistor，TFT)。每一晶体管包括源极/汲极区域(包含至少一源极区域及一汲极区域)、介于源极/汲极区域间的通道(channel)区域、设于通道区域上方的闸极电极以及介于通道区域与闸极电极间的闸极绝缘体。晶体管的通道区域可由半导体材料制成，譬如硅或选自第IV族或第III族及第V族的其他元素。

保护层101形成于基板100之上。保护层101形成于基板100之上表面100a上。保护层101接触基板100的表面100a。

复数个第一电极102形成于所述第一保护层101上方。复数个第一电极102接触所述第一保护层101。复数个第一电极102彼此分隔开。复数个第一电极102与基板100电连接。

如图2所示，复数个凸块103配置于基板100之上。复数个凸块103配置于所述第一保护层101上方。复数个凸块103覆盖第一电极102的一部份。第一电极102的周围区域由凸块103覆盖。在一些实施例中，第一电极102的边缘角落完全被凸块103包围。在一些实施例中，第一电极102的侧壁完全与凸块103接触。在一些实施例中，在两个第一电极102之间的两个凸块103彼此分隔开。

在本申请中，第一电极102可为阳极。在本申请中，第一电极102可为导电层。发光单元10a的第一电极102可界定有效发光区的大小。在一些实例中，发光单元10a于发光时具有黑区与亮区。黑区的总面积小于有效发光区的50％。有效发光区也可称为有效照明区。

在一些实施例中，有效照明区具有至少小于10微米的宽度。在一些实施例中，有效照明区具有约3微米至6微米的宽度。在一些实施例中，有效照明区具有约4微米至6微米的宽度。有效照明区决定图1中的发光元件10的像素大小。由于可将有效照明区的大小控制在10微米以下，因而发光元件10的像素密度可超过1000或2000ppi。

第一电极102可具有约至约/>的总厚度。在一些实施例中，第一电极102具有约/>至约/>的总厚度。在一些实施例中，第一电极102具有约/>的总厚度。第一电极102可为导电层。第一电极102可包含ITO、IZO、IGZO、AlCu合金、AgMo合金，约至/>ITO(或IZO或IGZO)与/>至/>金属膜(Ag、Al、Mg、Au)以及约/>至ITO(或IZO或IGZO)。

在一些实施例中，电极102为复合结构。例如，电极102可具有导电膜与位在其上的透明导电膜。导电膜位于透明导电膜与基板100之间。在一些实施例中，导电膜包含铝、金、银、铜等。在一些实施例中，透明导电膜包含铟、锡、石墨烯、锌、氧等。在一些实施例中，电极102包括透明导电薄膜。在一些实施例中，电极102包括ITO(铟锡氧化物)。在一些实施例中，电极102包括IZO(铟锌氧化物)。在一些实施例中，电极102包括IGZO(氧化铟镓锌)。在一些实施例中，透明导电膜的粗糙度导电膜的厚度可为约/> 至约/>之间。透明导电膜的厚度可为约/>至约/>之间。

在一些实施例中，第一电极102具有至少三个不同的膜。导电膜(例如Al、Cu、Ag、Au等)夹置在两个透明导电膜之间。在一些情况下，两个透明导电膜其中之一为ITO，其一侧与基板100接触且另一侧与导电膜接触。在一些情况下，两个透明导电膜其中之一为ITO，其一侧与导电膜接触且另一侧与凸块103或发光材料接触。

在一些实施例中，每个凸块103都具有弯曲表面，其远离基板100突出并且覆盖第一电极102的外围区域。凸块103可为不同的形状。在一些实施例中，凸块103具有弯曲的表面。在一些实施例中，凸块103的形状可以为梯型。在一些实施例中，凸块103的形状可以为矩型。凸块103的图案根据像素布置来设计，并且图案化的凸块103可称为像素定义层(pixel defined layer，PDL)。凸块103配置于基板100之上。每个凸块103填入两相邻第一电极102之间的间隙。每个第一电极102由凸块103部分覆盖。凸块103可包含光敏材料。

在一些实施例中，凸块103对于一特定波长之吸收率大于或等于50％，在一些实施例中，凸块103对于一特定波长之吸收率大于或等于60％，在一些实施例中，凸块103对于一特定波长之吸收率大于或等于70％，在一些实施例中，凸块103对于一特定波长之吸收率大于或等于80％，在一些实施例中，凸块103对于一特定波长之吸收率大于或等于90％，在一些实施例中，凸块103对于一特定波长之吸收率大于或等于95％。在一些实施例中，特定波长不大于400nm，在一些实施例中，特定波长不大于350nm，在一些实施例中，特定波长不大于300nm，在一些实施例中，特定波长不大于250nm，在一些实施例中，特定波长不大于200nm，在一些实施例中，特定波长不大于150nm，在一些实施例中，特定波长不大于100nm。

载体注入层104L1设置在保护层101、第一电极102和凸块103的暴露表面上。载体注入层104L1连续覆盖凸块103和第一电极102的暴露表面。在一些实施例中，每个第一电极102的暴露表面经配置为用于一个发光单元10a的有效发光区域。载体注入层104L1可选择性与凸块103接触。在一些实施例中，载体注入层104L1与第一电极102接触。在一些实施例中，载体注入层104L1为有机体。在一些实施例中，载体注入层104L1是经配置为执行空穴注入。在一些实施例中，载体注入层104L1为一空穴注入层。在一些实施例中，载体注入层104L1可具有约至约/>的厚度。

载体传输层104L2设置在保护层101、第一电极102和凸块103上。载体传输层104L2设置在载体注入层104L1上方并完全覆盖载体注入层104L1。载体注入层104L1设置在载体传输层104L2底下。载体传输层104L2连续覆盖载体注入层104L1。载体传输层104L2覆盖多个第一电极102和多个凸块103。载体传输层104L2可选择性与载体注入层104L1接触。在一些实施例中，载体传输层104L2为有机体。在一些实施例中，载体传输层104L2是经配置为执行空穴传输。在一些实施例中，载体传输层104L2为一第一空穴传输层。在一些实施例中，载体注入层104L1可具有约至约/>的厚度。

有机发射层104L3设置在保护层101、第一电极102和凸块103上。有机发射层104L3设置在载体传输层104L2上方并完全覆盖载体传输层104L2。载体传输层104L2设置在有机发射层104L3底下。有机发射层104L3连续覆盖载体传输层104L2。有机发射层104L3覆盖多个第一电极102和多个凸块103。有机发射层104L3可选择性与载体传输层104L2接触。有机发射层104L3是经配置为发出第一颜色。

在一些实施例中，有机发射层104L3对于一特定波长之吸收率大于或等于50％，在一些实施例中，有机发射层104L3对于一特定波长之吸收率大于或等于60％，在一些实施例中，有机发射层104L3对于一特定波长之吸收率大于或等于70％，在一些实施例中，有机发射层104L3对于一特定波长之吸收率大于或等于80％，在一些实施例中，有机发射层104L3对于一特定波长之吸收率大于或等于90％，在一些实施例中，有机发射层104L3对于一特定波长之吸收率大于或等于95％。在一些实施例中，特定波长不大于400nm，在一些实施例中，特定波长不大于350nm，在一些实施例中，特定波长不大于300nm，在一些实施例中，特定波长不大于250nm，在一些实施例中，特定波长不大于200nm，在一些实施例中，特定波长不大于150nm，在一些实施例中，特定波长不大于100nm。

在一些实施例中，载体传输层104L2和有机发射层104L3中至少一者包括有机材料。该有机材料可包括具有共振结构的分子结构。该有机材料可选自于由螺-三芳基胺、双-三芳基胺及其组合组成的群组。在一些实施例中，载体传输层104L2和有机发射层104L3中至少一者包括螺-三芳基胺。在一些实施例中，载体传输层104L2和有机发射层104L3中至少一者包括双-三芳基胺。在一些实施例中，载体传输层104L2和有机发射层104L3包括该相同材料。在一些实施例中，载体传输层104L2包括并且有机发射层104L3包括在一些实施例中，载体传输层104L2包括/>并且有机发射层104L3包括/>

有机载体传输层104L4设置在保护层101、第一电极102和凸块103上。有机载体传输层104L4设置在有机发射层104L3上方并完全覆盖有机发射层104L3。有机发射层104L3设置在有机载体传输层104L4底下。有机载体传输层104L4连续覆盖有机发射层104L3。有机载体传输层104L4覆盖多个第一电极102和多个凸块103。选择性，有机载体传输层104L4与有机发射层104L3接触。

第二电极104D设置在保护层101、第一电极102和凸块103上。第二电极104D位在有机载体传输层104L4上方并完全覆盖有机载体传输层104L4。在一些情况下，第二电极104D经图案化以仅覆盖各个发光像素的有效发光区域。在一些情况下，第二电极104D与有机载体传输层104L4接触。

第二电极104D可具有约至约/>的厚度。在一些实施例中，第二电极104D可具有约/>至约/>的厚度。在一些实施例中，第二电极104D可具有约/>至约/>的厚度。在一些实施例中，第二电极104D可具有约/>至约/>的厚度。在一些实施例中，第二电极104D可具有约/>至约/>的厚度。在一些实施例中，第二电极104D可具有约/>至约/>的厚度。

在本申请中，第二电极104D可为阴极。第二电极104D可为金属材料，例如Ag、Mg等。在一些实施例中，第二电极104D包括ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)。

在一些实施例中，第二电极104D为复合结构。例如，第二电极104D具有导电膜以及在其上的透明导电膜。导电膜位在透明导电膜与有机载体传输层104L4之间。在一些实施例中，导电膜包含铝、金、银、铜、镁、钼等。在一些实施例中，透明导电膜包含铟、锡、石墨烯、锌、氧等。在一些实施例中，透明导电膜为ITO(铟锡氧化物)。在一些实施例中，透明导电膜为IZO(铟锌氧化物)。在一些实施例中，透明导电膜位在导电膜与有机载体传输层104L4之间。在一些实施例中，第二电极104D可为图形化导电层，或带有图形化绝缘层的图形化导电层。

在图2中发光元件10包括基板100、在基板100上的多个凸块103以及由凸块103隔开的多个发光单元。这些发光单元包括第一发光单元10a、第二发光单元10b及第三发光单元10c。在一些实施例中，第一发光单元10a、第二发光单元10b及第三发光单元10c彼此相邻。在一些实施例中，第二发光单元10b及第三发光单元10c具有与第一发光单元10a类似的构造。此外，尽管第一发光单元10a、第二发光单元10b及第三发光单元10c例示为具有相似的特征，但这仅为例示性，无意于限制这些实施例。第一发光单元10a、第二发光单元10b及第三发光单元10c可具有相似的结构或不同的结构，以满足期望的功能要求。

第一发光单元10a、第二发光单元10b及第三发光单元10c可至少在有机发光堆栈层的厚度上彼此不同。第一发光单元10a、第二发光单元10b及第三发光单元10c可配置为发射不同颜色的可见光。在一些实施例中，第一发光单元10a发射绿光、第二发光单元10b发射红光并且第三发光单元10c发射蓝光。

在一些实施例中，发光单元10a、10b、10c是经配置为分成至少三个不同群组，其中每一群组发出与其他群组不同的颜色。每一有机发光堆栈层的厚度可与由相应发光单元10a、10b、10c显示的颜色有关。在一些实施例中，与配置为发出不同颜色的其他发光单元相比，第一发光单元10a发出绿光，并且第一发光单元10a的有机发光堆栈层可具有最小厚度。在一些实施例中，与配置为发射不同颜色的其他发光单元相比，第二发光单元10b发射红光，并且第二发光单元10b内有机发光堆栈层的厚度可介于第一发光单元10a内有机发光堆栈层的厚度与第三发光单元10c内有机发光堆栈层的厚度之间。在一些实施例中，与配置为发出不同颜色的其他发光单元相比，第三发光单元10c发出蓝光，并且第三发光单元10c的有机发光堆栈层可具有最大厚度。第一发光单元10a、第二发光单元10b及第三发光单元10c的有机发光堆栈层可通过诸如气相沉积、液体喷射或喷墨印刷的各种处理来形成。

在一些实施例中，第一、第二和第三发光单元10a、10b、10c可至少在第一、第二和第三发光单元10a、10b、10c的载体传输层的厚度差异上彼此不同。

在一些实施例中，发光单元10a、10b、10c是经配置为分成至少三个不同群组，其中每一群组发出与其他群组所发出颜色不同的颜色。载体传输层的厚度可关联于相应发光单元10a所显示的颜色。在一些实施例中，与配置为发出不同颜色的其他发光单元相比，第一发光单元10a发出绿光，并且第一发光单元10a的载体传输层可具有最小厚度。在一些实施例中，与配置为发射不同颜色的其他发光单元相比，第二发光单元10b发射红光，并且第二发光单元10b内载体传输层的厚度可介于第一发光单元10a内载体传输层的厚度与第三发光单元10c内载体传输层的厚度之间。在一些实施例中，与配置为发出不同颜色的其他发光单元相比，第三发光单元10c发出蓝光，并且第三发光单元10c的载体传输层可具有最大厚度。

保护层105形成于第一、第二和第三发光单元10a、10b、10c之上。保护层105接触第一、第二和第三发光单元10a、10b、10c。在一些实施例中，保护层101覆盖第一、第二和第三发光单元10a、10b、10c。在一些实施例中，保护层105覆盖有机发光堆栈层且具有上表面105s。在一些实施例中，保护层105包括无机材料。在一些实施例中，保护层105包括有机材料。

复数个光遮挡层106形成保护层105之上。复数个光遮挡层106形成于保护层105的上表面105s。复数个光遮挡层106与基板100分隔开。复数个光遮挡层106也可以统称为图案化光遮挡层106。复数个光遮挡层106彼此分开达一距离W1。复数个光遮挡层106彼此分开的部分可以称为开口，开口具有宽度W1。复数个光遮挡层106彼此分开的部分可以称为凹陷，凹陷具有宽度W1。复数个光遮挡层106可吸收90％以上的可见光。在一些实施例中，光遮挡层106可以包含黑体材料。在一些实施例中，光遮挡层106包括一层单一材料。在一些实施例中，光遮挡层106包括多个材料形成的复合层。在一些实施例中，光遮挡层106包括有机材料。在一些实施例中，光遮挡层106包括无机材料。在一些实施例中，光遮挡层106包括有机或无机材料的複合层。

在图2中，光遮挡层106具有厚度106T。第一电极102具有厚度102T。在一些实施例中，光遮挡层106的厚度106T大于第一电极102的厚度102T。在一些实施例中，光遮挡层106的厚度106T等于第一电极102的厚度102T。在一些实施例中，光遮挡层106的厚度106T小于第一电极102的厚度102T。

凸块103中一者在覆盖第一电极102的上表面上有边缘103a。光遮挡层106在其接近第一电极102中心处有边缘106a。光遮挡层106的边缘106a与凸块103的边缘103a不对齐。凸块103的边缘103a与光遮挡层的边缘106a在纵向方向上有偏移d。偏移d占光遮挡层106之宽度的百分比可大于或等于1％。偏移d占光遮挡层106之宽度的百分比可大于或等于5％。偏移d占光遮挡层106之宽度的百分比可大于或等于10％。偏移d占光遮挡层106之宽度的百分比可大于或等于15％。

凸块103'中一者在覆盖第一电极102的上表面上有边缘103'a。光遮挡层106'在其接近第一电极102中心处有边缘106'a。光遮挡层106'的边缘106'a与凸块103'的边缘103'a不对齐。凸块103'的边缘103'a与光遮挡层106的边缘106'a之间有偏移d'。在一些实施例中，偏移d'小於或等於100nm。偏移d'占光遮挡层106'之宽度的百分比可大于或等于1％。偏移d'占光遮挡层106'之宽度的百分比可大于或等于5％。偏移d'占光遮挡层106'之宽度的百分比可大于或等于10％。偏移d'占光遮挡层106'之宽度的百分比可大于或等于15％。在一些实施例中，偏移d等于偏移d'。在一些实施例中，偏移d大于偏移d'。在一些实施例中，偏移d小于偏移d'。上述比例的偏移有助于有效地消除光晕及光学串扰，将于后续段落根据图3L进一步说明。

在图2中，在横向方向上复数个光遮挡层106各者之面积大于凸块103中各者的面积。在图2中，复数个光遮挡层106及106'之间的距离为W1，两相邻凸块103及103'之各一边缘103a及103'a之间的距离为W2。由于有偏移d及d'，两相邻凸块103及103'之各一边缘103a及103'a之间的距离W2大于复数个光遮挡层中两相邻光遮挡层106及106'的各一边缘106a及106'a之间的距离W1。在图2中，两相邻凸块103及103'之各一边缘103a及103'a之间的距离W2可为复数个光遮挡层106中两者106及106'之间的距离W1、以及偏移d与偏移d'之和。两相邻凸块103及103'之各一边缘103a及103'a之间的距离W2可定义有效发光区之面积。因为复数个光遮挡层106及106'之间的距离W1小于W2，复数个光遮挡层106及106'可控制第一电极102发出的光，从而改善图案的成像效果。

图3A至图3K绘示根据一实施例的制造发光元件的一流程。

在图3A中，提供基板100。

在图3B中，在基板100之第一表面100a上设置保护层101。

在图3C中，在保护层101之上设置复数个第一电极102。各个第一电极102经配置以电连接至基板100。考虑像素的安排而设计第一电极102之阵列图案。

在图3D中，在保护层101及第一电极102上设置光敏层103L。在一些实施例中，涂布光敏层103L于保护层101及第一电极102上。光敏层103L填入相邻的第一电极102之间的间隙中。将光敏层103L加热至一预定的温度，然后将之暴露在指定的波长之下。光敏层103L可吸收90％以上的可见光。在暴露之后，在一溶液中润湿光敏层103L以进行显影。

如图3E所示，光敏层103L之一部分被移除，而留下的部分局部覆盖相邻的第一电极102之间的间隙。在此剖面图中，留下的光敏层103L形成复数凸块103，各个凸块103形成于第一电极102之部分上表面上且包覆第一电极102之一侧表面。凸块103局部地覆盖各个第一电极102。

凸块103可经形成为不同的形状。在图3E中，凸块103具有弯曲的表面。在一些实施例中，凸块103的形状为梯型。在形成凸块103后，执行清洁操作以清洁第一电极102及凸块103之暴露表面。在一实施例中，在清洁操作期间，将去离子水加热至介于30℃及80℃之间的一温度。在去离子水的温度升高至一预定温度后，将去离子水引导至第一电极102及凸块103之暴露表面。

在一些实施例中，在清洁操作期间使用超声波。将超声波导入清洁剂(例如水或异丙醇(IPA)等)中。在一些实施例中，将二氧化碳导入清洁剂中。在清洁操作之后，经由加热操作将清洁剂从暴露表面移除。在加热操作期间，可将基板100及凸块103加热至介于80℃及110℃之间的一温度。在一些例子中，将压缩空气引导至暴露表面，以在加热的同时帮助移除清洁剂之残余物。

在加热操作之后，可使用O2、N2、或Ar电浆来处理暴露表面。电浆系用以使暴露表面粗糙化。在一些实施例中，使用臭氧以调节暴露表面之表面状态。

如图3F所示，在保护层101、凸块103及第一电极102之暴露表面上设置载体注入层104L1。载体注入层104L1沿着暴露表面连续地加衬(lining)。更具体而言，各个第一电极102之暴露表面经配置作为一发光单元(亦即，一像素)的有效发光面积。在此实施例中，所有发光单元使用载体注入层104L1。在一些实施例中，载体注入层104L1系用于电洞注入。在一些实施例中，载体注入层104L1系用于电子注入。载体注入层104L1连续地覆盖在第一电极102及复数个凸块103之暴露表面之上。可选地，载体注入层104L1与凸块103接触。在一实施例中，载体注入层104L1与第一电极102接触。在一些实施例中，载体注入层104L1为有机的。

如图3G所示，在保护层101、凸块103及第一电极102之部分暴露表面上设置载体传输层104L2。载体注入层104L1设置在载体传输层104L2之下。载体传输层104L2沿着载体注入层104L1连续地加衬。在此实施例中，所有的发光单元使用载体传输层104L2。在一些实施例中，载体传输层104L2系用于电洞注入。在一些实施例中，载体传输层104L2系用于电子注入。载体传输层104L2连续地覆盖在复数个凸块103及第一电极102之上。可选地，载体传输层104L2与载体注入层104L1接触。在一些实施例中，载体传输层104L2为有机的。

在图3H中，有机发射层104L3设置在保护层101、凸块103及第一电极102之部分暴露表面上。有机发射层104L3覆盖载体传输层104L2。有机发射层104L3完全地覆盖暴露的载体传输层104L2。有机发射层104L3经配置以发射第一颜色。

如图3I所示，在有机发射层104L3上设置有机载体传输层104L4。有机载体传输层104L4可为电洞或电子传输层。在一些实施例中，有机载体传输层104L4及载体传输层104L2各自配置成相反的价态。

在图3J中，在有机载体传输层104L4上设置第二电极104D。第二电极104D覆盖有机载体传输层104L4。第二电极104D可为金属材料，例如Ag、Mg等。在一些实施例中，第二电极104D包括ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)。在一些实施例中，从剖视图观看，各个发光单元(亦即，像素)具有独立的第二电极104D。

在图3K中，保护层105设置在保护层101及第二电极104D之上。保护层105覆盖第二电极104D。

在图3L中，在保护层105上设置复数个光遮挡层106。各个光遮挡层106经配置成保护层105之同一侧上。各个光遮挡层106彼此分开。

可重复执行如图3A-3L中所示之操作以形成不同颜色的发光单元。

如图3L所示，发光单元所产生的光L1可以朝向光遮挡层106的方向向外发出，而外界的光L2具有朝向发光单元行进的分量。外界的光L2进入发光单元内后，会因发光单元内的各种不同组件产生不同的反射光L2r。反射光L2r可能对发光单元所产生的光L1产生干扰，因此产生光晕及光学串扰等问题，造成有机发光显示器的光学效果不如预期。在一些实施例中，发光单元中非L1方向或是侧向光的干扰也会产生光晕及光学串扰等问题。根据本揭露的光遮挡层106，经过适当配置(例如，采用如上述讨论可遮挡环境光)，可大大降低外界的光L2以及反射光L2r对光L1产生的干扰，进而解决光晕及光学串扰等问题，并提高发光单元的对比度。

参见图4A，在一些实施例中，光遮挡层106从俯视角度可具有呈现十字形轮廓的凹陷400(可对应于图2中标示的W1部分)。十字形轮廓400可以让发光单元(例如10a、10b或10c)发出的光透出。在一些实施例中，十字形轮廓400可让单一发光单元发出的光透出。在一些实施例中，十字形轮廓400可让多个发光单元发出的光透出。

在一些实施例中，图4A的凹陷400也可称为开口400。参见图4A，在一些实施例中，光遮挡层106从俯视角度可具有呈现十字形轮廓的开口400(可对应于图2中标示的W1部分)。十字形轮廓的开口400可以让发光单元(例如10a、10b或10c)发出的光透出。在一些实施例中，十字形轮廓的开口400可让单一发光单元发出的光透出。在一些实施例中，十字形轮廓的开口400可让多个发光单元发出的光透出。

参见图4B，在一些实施例中，光遮挡层106可包含第一凹陷402与第二凹陷404、406、408、410。第一凹陷402具有十字形轮廓；第二凹陷404、406、408、410，位于第一凹陷402的四侧，且具有L形轮廓，从而第一凹陷402与第二凹陷404、406、408、410共同形成一个准心的图案。准心的图案可以让发光单元(例如10a、10b或10c)发出的光透出。在一些实施例中，第一凹陷402可与单一发光单元的有效发光面积重迭，让单一发光单元发出的光透出。在一些实施例中，第一凹陷402可与多个发光单元的有效发光面积重迭，让多个发光单元发出的光透出。在一些实施例中，第二凹陷404、406、408、410的每一者可与单一发光单元的有效发光面积重迭，各自让单一发光单元发出的光透出。在一些实施例中，第二凹陷404、406、408、410的每一者可与多个发光单元的有效发光面积重迭，让多个发光单元发出的光透出。

在一些实施例中，第一凹陷402以及第二凹陷404、406、408、410可与单一发光单元的有效发光面积重迭，让单一发光单元发出的光透出。在一些实施例中，第一凹陷402以及第二凹陷404、406、408、410可与多个发光单元的有效发光面积重迭，让多个发光单元发出的光透出。

在一些实施例中，图4B的第一凹陷402也可称为第一开口402，图4B的第二凹陷404、406、408、410也可称为第二开口404、406、408、410。参见图4B，在一些实施例中，光遮挡层106可包含第一开口402与第二开口404、406、408、410。第一开口402具有十字形轮廓；第二开口404、406、408、410，位于第一开口402的四侧，且具有L形轮廓，从而第一开口402与第二开口404、406、408、410共同形成一个准心的图案。准心的图案可以让发光单元(例如10a、10b或10c)发出的光透出。在一些实施例中，第一开口402可与单一发光单元的有效发光面积重迭，让单一发光单元发出的光透出。在一些实施例中，第一开口402可与多个发光单元的有效发光面积重迭，让多个发光单元发出的光透出。在一些实施例中，第二开口404、406、408、410的每一者可与单一发光单元的有效发光面积重迭，各自让单一发光单元发出的光透出。在一些实施例中，第二开口404、406、408、410的每一者可与多个发光单元的有效发光面积重迭，让多个发光单元发出的光透出。

在一些实施例中，第一开口402以及第二开口404、406、408、410可与单一发光单元的有效发光面积重迭，让单一发光单元发出的光透出。在一些实施例中，第一开口402以及第二开口404、406、408、410可与多个发光单元的有效发光面积重迭，让多个发光单元发出的光透出。

本申请可以根据实际需求将图案化调成成所期望的形状。

前述内容概述一些实施方式的特征，因而熟知此技艺的人士可更加理解本揭露的各方面。熟知此技艺的人士应理解可轻易使用本揭露作为基础，用于设计或修饰其他制程与结构而实现与本申请案所述的实施例具有相同目的与/或达到相同优点。熟知此技艺的人士亦应理解此均等架构并不脱离本揭露揭示内容的精神与范围，并且熟知此技艺的人士可进行各种变化、取代与替换，而不脱离本揭露的精神与范围。

Claims (15)

1.一种发光元件，其特征在于，包括：

基板；

第一保护层，其在所述基板上方；

导电层，其在所述第一保护层上方；

复数个凸块配置于所述基板之上，所述复数个凸块中两相邻凸块间各具有有机发光单元，其中所述有机发光单元具有有机发光堆栈层；

第二保护层，其覆盖所述有机发光堆栈层且具有上表面；

图案化光遮挡层，其设置于所述第二保护层的所述上表面，其中所述图案化光遮挡层的边缘与所述复数个凸块中一者的边缘不对齐。

2.如权利要求1中所述的发光元件，其特征在于，其中所述有机发光单元具有有效发光区，其大小由位于所述有机发光单元下方的阳极所界定，所述有机发光单元于发光时具有黑区与亮区，其中所述黑区的总面积小于所述有效发光区的50％。

3.如权利要求1中所述的发光元件，其特征在于，其中所述有机发光堆栈层包括：

载体注入层；

载体传输层；

有机发射层；及

有机载体传输层。

4.如权利要求1项中所述的发光元件，其特征在于，其中所述复数个凸块包含光敏材料。

5.如权利要求1项中所述的发光元件，其特征在于，其中所述基板包含透明材料。

6.如权利要求1中所述的发光元件，其特征在于，其中所述有机发光单元之所述两相邻凸块之各一边缘之间的距离大于所述图案化光遮挡层中两者之间的距离。

7.如权利要求1中所述的发光元件，其特征在于，其中所述图案化光遮挡层包含具有十字形轮廓的开口，所述具有十字形轮廓的开口可曝露由单一有机发光单元发出的光。

8.如权利要求1中所述的发光元件，其特征在于，其中所述图案化光遮挡层包含具有十字形轮廓的开口，所述具有十字形轮廓的开口可曝露由复数个有机发光单元发出的光。

9.一种发光元件，其特征在于，包括：

基板；

第一保护层，其在所述基板上方；

导电层，其在所述第一保护层上方；

复数个凸块，其中所述复数个凸块配置于所述导电层之一部份之上，所述复数个凸块中两相邻凸块间具有包含有机材料的有机发光单元，其中所述有机发光单元包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，

第二保护层，其在所述有机发光单元上方且覆盖所述有机发光单元；

复数个光遮挡层，其在所述第二保护层上方，其中，在纵向方向上，所述复数个凸块各具有边缘，其与所述复数个光遮挡层中一者的边缘彼此偏移。

10.如权利要求9中所述的发光元件，其特征在于，其中在横向方向上所述复数个光遮挡层之面积大于所述复数个凸块中各者的面积。

11.如权利要求9中所述的发光元件，其特征在于，其中所述导电层包括透明导电膜，所述透明导电膜包括氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铟镓锌。

12.如权利要求9中所述的发光元件，其特征在于，其中所述导电层包括阳极电极。

13.如权利要求9中所述的发光元件，其特征在于，其中所述有机发光单元之所述两相邻凸块之各一边缘之间的距离大于所述复数个光遮挡层中两者之间的距离。

14.如权利要求9所述的发光元件，其特征在于，其中所述复数个光遮挡层中的一者包含具有十字形轮廓的凹陷，所述具有十字形轮廓的凹陷曝露由单一有机发光单元发出的光。

15.如权利要求9所述的发光元件，其特征在于，其中所述复数个光遮挡层中的一者包含具有十字形轮廓的凹陷，所述具有十字形轮廓的凹陷曝露由复数个有机发光单元发出的光。