CN114387918B - 一种oled折叠屏的像素电路排布结构及其驱动方法 - Google Patents

一种oled折叠屏的像素电路排布结构及其驱动方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种OLED折叠屏的像素电路排布结构及其驱动方法，OLED折叠屏包括至少两块非折叠区以及至少一块连接相邻两块非折叠区的折叠区；非折叠区的补偿电路使用LTPS像素补偿电路，折叠区的像素补偿电路使用IGZO像素补偿电路；且在同一行当中，所有非折叠区的LTPS像素补偿电路连接同一路GIP驱动信号，所有折叠区的IGZO像素补偿电路连接另一路GIP驱动信号。本发明通过OLED折叠屏与OLED内部补偿电路的有机结合，利用IGZO与LTPS半导体的特性以及Pixel的排布，解决OLED折叠屏的老化问题。

Description

一种OLED折叠屏的像素电路排布结构及其驱动方法
技术领域
本发明涉及OLED折叠屏技术领域，尤其涉及一种OLED折叠屏的像素电路排布结构及其驱动方法。
背景技术
随着科技的进步以及人们对显示器要求的不断提升，为了增加手机显示器的视觉体验，研发人员开发出了OLED折叠屏 ；使用这种屏幕可是使用户在影音游戏娱乐时有更畅快的体验，且携带方便，可提升用手机办公的效率；另外为了解决OLED面板Vth漂移等不良因子引发的显示问题，需使用补偿电路，补偿电路有较复杂的电路架构，具有更多的TFT，其中应用IGZO半导体的TFT比LTPS的更稳定，在折叠区的这种复杂Pixel电路会因为TFT稳定性不够，导致出现电性问题，影响面板显示。因此，如何减小OLED折叠屏这一问题是亟待解决的一项重要课题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED折叠屏的像素电路排布结构及其驱动方法。
本发明采用的技术方案是：
一种OLED折叠屏的像素电路排布结构，OLED折叠屏包括至少两块非折叠区以及至少一块连接相邻两块非折叠区的折叠区；非折叠区的补偿电路使用LTPS像素补偿电路，折叠区的像素补偿电路使用IGZO像素补偿电路；且在同一行当中，所有非折叠区的LTPS像素补偿电路连接同一路GIP驱动信号，所有折叠区的IGZO像素补偿电路连接另一路GIP驱动信号。
进一步地，折叠区的像素补偿电路使用LTPS的6T2C补偿电路，折叠区的像素补偿电路使用IGZO的6T2C补偿电路。
进一步地，6T2C电路具体包括晶体管T1、T2、T3、T4、T5和电容C1、C2，
T1的输入端连接Vdata信号线，T1的输出端连接B点，T1的控制端连接第一扫描信号Scan1；
T2的输入端连接B点，T2的输出端连接A点，T2的控制端连接第二扫描信号Scan2；
T3的输入端连接A点，T3的输出端连接G点，T3的控制端连接第三扫描信号Scan3；
T4的输入端连接电压VDD，T4的输出端连接S点，T4的控制端连接第三扫描信号G点；
T5的输入端连接基准电压Vref，T5的输出端连接G点，T5的控制端连接第二扫描信号Scan2；
T6的输入端连接S点，T6的输出端连接低电压VSS，T6的控制端连接第二扫描信号Scan2；
电容C1的一端连接B点，C1的另一端分别连接T5的输入端和基准电压Vref，
电容C2的一端连接A点，C2的另一端分别连接S点。
进一步地，本发明还公开了一种OLED折叠屏的像素电路排布结构的IGZO像素补偿电路的驱动方法，具体步骤为：
T1阶段， Scan1写入高电压，T1打开，B点写入Vdata电压，Scan2写入低电压，T2与T5关闭，VB=Vdata；
T2阶段，Scan1写入低电压， T1关闭，Scan2依旧写入低电压，T2与T5继续保持关闭，Scan4写入高电压，T6打开，Scan3写入低电压，T3关闭，S点放电至OLED两端跨压，即VS=VOLED ;
T3阶段，Scan2写入高电压，T2与T5打开，A点写入Vdata，G点写入Vref，S点达到Vref-Vth，即此时VA=Vdata，VG=Vref，VS= Vref –Vth；
T4阶段，Scan2写入低电压，T2与T5关闭，Scan4写入高电压，T6打开，Scan3写入高电压，T3打开；G点写入Vdata电压，即VG=Vdata，VS= Vref –Vth那么 VGS=VG-VS= Vdata-(Vref–Vth)，代入N型TFT饱和区电流公式IOLED = 1/2μnCOXW/L (VGS-VTH)2 得到IOLED = 1/2μnCOXW/L（Vdata-Vref）2。
本发明采用以上技术方案，在折叠区采用IGZO Pixel电路，在非折叠区采用LTPSPixel电路，避免LTPS电路做在折叠区因为频繁的折叠影响电性。将OLED IGZO Pixel电路做在折叠区，其Scan接在一起，将LTPS补偿电路做在非折叠区，其Scan另接在一起，位于折叠区的IGZO Pixel电路结构稳定，频繁折叠不易发生问题，提升面板质量。本发明通过OLED折叠屏与OLED内部补偿电路的有机结合，利用IGZO与LTPS半导体的特性以及Pixel的排布，解决OLED折叠屏的老化问题。
附图说明
以下结合附图和具体实施方式对本发明做进一步详细说明；
图1为折叠屏分区示意图；
图2为具体实施方式所述的折叠屏像素电路示意图；
图3为具体实施方式所述的折叠屏像素类型分布图；
图4为本发明的IGZO部分补偿电路的驱动过程的T1阶段示意图；
图5为本发明的IGZO部分补偿电路的驱动过程的T2阶段示意图；
图6为本发明的IGZO部分补偿电路的驱动过程的T3阶段示意图；
图7为本发明的IGZO部分补偿电路的驱动过程的T4阶段示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
图1展示了折叠屏的分区方式，OLED折叠屏分为两个非折叠区和一个折叠区，每一部分都是有几百万个画素组成的，每一个画素都是由Pixel补偿电路控制亮度，一般来说，以对折的折叠屏为例，则折叠区设置在中间，而两侧都设置有非折叠区。而另一些实施例中，折叠屏也可能是三折屏，四折屏，那么以三折屏为例，则有可能是两个折叠区被三个非折叠区两两夹在中间的设计方式(图中未示出)。
如图2所示，在折叠区采用IGZO Pixel电路，在非折叠区采用LTPS Pixel电路，避免LTPS电路做在折叠区因为频繁的折叠影响电性。低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon;简称LTPS)，LTPS反应速度较快，且有高亮度、高分辨率与低耗电量等优点。氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，缩写IGZO)，IGZO与非晶硅相比能够缩小晶体管尺寸，提高液晶面板画素的开口率，较易实现分辨率高出一倍，电子迁移率快十倍。
具体地，非折叠区的补偿电路使用LTPS的6T2C补偿电路，所述折叠区的像素补偿电路使用IGZO的6T2C补偿电路；
所述6T2C电路具体包括晶体管T1、T2、T3、T4、T5和电容C1、C2，
T1的输入端连接Vdata信号线，T1的输出端连接B点，T1的控制端连接第一扫描信号Scan1；
T2的输入端连接B点，T2的输出端连接A点，T2的控制端连接第二扫描信号Scan2；
T3的输入端连接A点，T3的输出端连接G点，T3的控制端连接第三扫描信号Scan3；
T4的输入端连接电压VDD，T4的输出端连接S点，T4的控制端连接第三扫描信号G点；
T5的输入端连接基准电压Vref，T5的输出端连接G点，T5的控制端连接第二扫描信号Scan2；
T6的输入端连接S点，T6的输出端连接低电压VSS，T6的控制端连接第二扫描信号Scan2；
电容C1的一端连接B点，C1的另一端分别连接T5的输入端和基准电压Vref，
电容C2的一端连接A点，C2的另一端分别连接S点。
如图3所示，将OLED IGZO Pixel电路做在折叠区，其Scan接在一起，将LTPS补偿电路做在非折叠区，其Scan另接在一起，位于折叠区的IGZO Pixel电路结构稳定，频繁折叠不易发生问题，提升面板质量。
在同一行当中，所有非折叠区的LTPS的6T2C补偿电路连接同一路GIP驱动信号（GIP A），所有折叠区的IGZO的6T2C补偿电路连接另一路GIP驱动信号（GIP B）。
折叠区的IGZO部分补偿电路具体操作方法如下：
如图4所示，T1阶段， Scan1写入高电压，T1打开，B点写入Vdata电压，Scan2写入低电压，T2与T5关闭，VB=Vdata；
如图5所示，T2阶段，Scan1写入低电压， T1关闭，Scan2依旧写入低电压，T2与T5继续保持关闭，Scan4写入高电压，T6打开，Scan3写入低电压，T3关闭，S点放电至OLED两端跨压，即VS=VOLED ;
如图6所示，T3阶段，Scan2写入高电压，T2与T5打开，A点写入Vdata，G点写入Vref，S点达到Vref-Vth，即此时VA=Vdata，VG=Vref，VS= Vref –Vth；
如图7所示，T4阶段，Scan2写入低电压，T2与T5关闭，Scan4写入高电压，T6打开，Scan3写入高电压，T3打开；G点写入Vdata电压，即VG=Vdata，VS= Vref –Vth那么 VGS=VG-VS=Vdata-(Vref –Vth)，代入N型TFT饱和区电流公式IOLED = 1/2μnCOXW/L (VGS-VTH)2 得到IOLED =1/2μnCOXW/L（Vdata-Vref）2 (注μn 为场效应迁移率，COX 为单位面积的绝缘层电容；W/L为TFT沟道宽度比长度)。
从OLED 发光电流公式可以了解OLED电流只与VDATA，Vref有关，与VTH无关，其他参数相对固定，达到了设计目的，同时该架构TFT数量少,Pixel所占面积较小，面板容纳Pixel数量较多，解析度较高
本发明采用以上技术方案，在折叠区采用IGZO Pixel电路，在非折叠区采用LTPSPixel电路，避免LTPS电路做在折叠区因为频繁的折叠影响电性。将OLED IGZO Pixel电路做在折叠区，其Scan接在一起，将LTPS补偿电路做在非折叠区，其Scan另接在一起，位于折叠区的IGZO Pixel电路结构稳定，频繁折叠不易发生问题，提升面板质量。本发明通过OLED折叠屏与OLED内部补偿电路的有机结合，利用IGZO与LTPS半导体的特性以及Pixel的排布，解决OLED折叠屏的老化问题。
显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

Claims (4)

1.一种OLED折叠屏的像素电路排布结构，OLED折叠屏包括至少两块非折叠区以及至少一块连接相邻两块非折叠区的折叠区；其特征在于：非折叠区的补偿电路使用LTPS像素补偿电路，折叠区的像素补偿电路使用IGZO像素补偿电路；且在同一行当中，所有非折叠区的LTPS像素补偿电路连接同一路GIP驱动信号，所有折叠区的IGZO像素补偿电路连接另一路GIP驱动信号。
2.根据权利要求1所述的一种OLED折叠屏的像素电路排布结构，其特征在于：折叠区的像素补偿电路使用LTPS的6T2C补偿电路，折叠区的像素补偿电路使用IGZO的6T2C补偿电路。
3.根据权利要求2所述的一种OLED折叠屏的像素电路排布结构，其特征在于：6T2C电路具体包括晶体管T1、T2、T3、T4、T5和电容C1、C2，
T1的输入端连接Vdata信号线，T1的输出端连接B点，T1的控制端连接第一扫描信号Scan1；
T2的输入端连接B点，T2的输出端连接A点，T2的控制端连接第二扫描信号Scan2；
T3的输入端连接A点，T3的输出端连接G点，T3的控制端连接第三扫描信号Scan3；
T4的输入端连接电压VDD，T4的输出端连接S点，T4的控制端连接第三扫描信号G点；
T5的输入端连接基准电压Vref，T5的输出端连接G点，T5的控制端连接第二扫描信号Scan2；
T6的输入端连接S点，T6的输出端连接低电压VSS，T6的控制端连接第二扫描信号Scan2；
电容C1的一端连接B点，C1的另一端分别连接T5的输入端和基准电压Vref，
电容C2的一端连接A点，C2的另一端分别连接S点。
4.一种OLED折叠屏的像素电路排布结构的IGZO像素补偿电路的驱动方法，应用于权利要求1至3任一所述的一种OLED折叠屏的像素电路排布结构，其特征在于：具体步骤为：
T1阶段， Scan1写入高电压，T1打开，B点写入Vdata电压，Scan2写入低电压，T2与T5关闭，VB=Vdata；
T2阶段，Scan1写入低电压， T1关闭，Scan2依旧写入低电压，T2与T5继续保持关闭，Scan4写入高电压，T6打开，Scan3写入低电压，T3关闭，S点放电至OLED两端跨压，即VS=VOLED ;
T3阶段，Scan2写入高电压，T2与T5打开，A点写入Vdata，G点写入Vref，S点达到Vref-Vth，即此时VA=Vdata，VG=Vref，VS= Vref –Vth；
T4阶段，Scan2写入低电压，T2与T5关闭；Scan4写入高电压，T6打开；Scan3写入高电压，T3打开；G点写入Vdata电压，即VG=Vdata，VS= Vref –Vth。
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