CN114384731A - 阵列基板及液晶显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及一种阵列基板及液晶显示面板。该液晶显示面板包括显示区和位于显示区外围的非显示区，其中，阵列基板在非显示区设置有间隔分布的多个导电焊盘，导电焊盘包括依次形成于衬底基板上的第一金属层、绝缘层和导电层，第一金属层与位于显示区的第一公共电极同层且电连接，绝缘层形成有多个过孔，以使导电层与第一公共电极电连接，过孔呈狭缝状设置，且过孔与第一方向之间呈预定夹角设置，第一方向为非显示区围合显示区的方向。该阵列基板可以防止配向膜液滴在非显示区堆积，避免框胶中的导电颗粒不能穿刺配向膜而出现导通不良的问题，改善显示效果。

Description

阵列基板及液晶显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及液晶显示面板。
背景技术
液晶显示面板(Liquid Crystal Display，简称LCD)包括相对设置的阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。其中，阵列基板及彩膜基板的内侧分别形成有配向膜，用于引导液晶分子的排列方向。另外，阵列基板及彩膜基板之间通过位于边框区的框胶实现机械连接及电性连接。
由于阵列基板侧的框胶焊盘的地形高低交错并成网格状，配向膜液体难以扩散而在此堆积形成较厚的膜层，导致框胶中的导电颗粒很难穿刺配向膜膜层而无法导通阵列基板与彩膜基板，从而出现框胶导通不良、液晶显示面板显示异常的问题。
发明内容
本申请旨在提供一种阵列基板及液晶显示面板，该阵列基板可以促使配向膜液滴在非显示区的导电焊盘处快速扩散，改善因配向膜液滴在此堆积致使框胶中的导电颗粒不能穿刺配向膜而出现导通不良的问题，改善显示异常的问题。
第一方面，本申请实施例提出了一种阵列基板，包括显示区和位于显示区外围的非显示区，其中，阵列基板在非显示区设置有间隔分布的多个导电焊盘，导电焊盘包括依次形成于第一衬底基板上的第一金属层、绝缘层和导电层，第一金属层与位于显示区的第一公共电极同层且电连接，绝缘层形成有多个过孔，以使导电层与第一公共电极电连接，其中，过孔呈狭缝状设置，且过孔与第一方向之间呈预定夹角设置，第一方向为非显示区围合显示区的方向。
在一种可能的实施方式中，过孔与第一方向之间的预定夹角α的取值范围为：0≤α<90°。
在一种可能的实施方式中，相邻的两个过孔之间的间距为S，过孔的宽度为W，且S/(W+S)≥30％。
在一种可能的实施方式中，相邻的两个过孔之间的间距S＞5.5μm；和/或，过孔的宽度W＞14.5μm。
在一种可能的实施方式中，过孔包括第一过孔和第二过孔，第一过孔和第二过孔相对于导电焊盘沿第二方向的中线对称设置，第二方向与第一方向垂直。
在一种可能的实施方式中，过孔还包括第三过孔和第四过孔，且第三过孔与第一过孔相对于导电焊盘沿第一方向的中线对称设置，第四过孔与第二过孔相对于导电焊盘沿第一方向的中线对称设置。
在一种可能的实施方式中，导电焊盘包括镀层区和位于镀层区至少一侧的边缘区，绝缘层和导电层位于镀层区，第一金属层铺设于镀层区和边缘区，且过孔朝向边缘区的一侧与边缘区连通。
在一种可能的实施方式中，导电焊盘包括镀层区和位于镀层区至少一侧的边缘区，绝缘层和导电层位于镀层区，第一公共电极由显示区延伸至非显示区的边缘区，并与过孔暴露的第一金属层电连接。
在一种可能的实施方式中，阵列基板还包括第一配向膜和框胶，第一配向膜位于导电层背离第一衬底基板的一侧，框胶内形成有导电颗粒，导电颗粒容纳于过孔中，且导电颗粒的一端透过第一配向膜与第一公共电极电连接，另一端透过液晶显示面板的彩膜基板侧的第二配向膜与第二公共电极电连接。
第二方面，本申请实施例还提供了一种液晶显示面板，包括如前所述的阵列基板；彩膜基板，与阵列基板相对设置；液晶层，设置于阵列基板与彩膜基板之间。
本申请实施例提供的一种阵列基板及液晶显示面板，该阵列基板通过将非显示区的导电焊盘进行图案化设计，即在导电焊盘的绝缘层设置间隔分布的多个狭缝状过孔，且过孔与非显示区绕显示区的围合方向之间呈预定夹角设置，可以促使配向膜液滴在非显示区的导电焊盘处快速扩散，改善因配向膜液滴在过孔处堆积致使框胶中的导电颗粒不能穿刺配向膜而出现导通不良的问题，改善显示异常的问题。
附图说明
下面将参考附图来描述本申请示例性实施例的特征、优点和技术效果。在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制，仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸大的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。
图1示出本申请实施例提供的液晶显示面板的俯视结构示意图；
图2示出图1中的液晶显示面板沿B-B方向的剖面图；
图3示出本申请第一实施例提供的阵列基板的导电焊盘的结构示意图；
图4示出本申请第二实施例提供的阵列基板的导电焊盘的结构示意图；
图5示出本申请第三实施例提供的阵列基板的导电焊盘的结构示意图；
图6示出本申请第四实施例提供的阵列基板的导电焊盘的结构示意图；
图7示出本申请第五实施例提供的阵列基板的导电焊盘的结构示意图；
图8示出本申请第六实施例提供的阵列基板的导电焊盘的结构示意图。
附图标记说明：
1、阵列基板；AA、显示区；NA、非显示区；Px-子像素；
10、导电焊盘；101、镀层区；102、边缘区；11、第一衬底基板；
12、第一金属层；121、第一公共电极；
13、绝缘层；13a、栅绝缘层；13b、钝化层；131、过孔；131a、第一过孔；131b、第二过孔；131c、第三过孔；131d、第四过孔；
14、导电层；15、第一配向膜；
16、框胶；161、导电颗粒；
2、彩膜基板；21、第二衬底基板；22、第二公共电极；23、第二配向膜；3、液晶层。
具体实施方式
下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本申请的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本申请造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了区域结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
图1示出本申请实施例提供的液晶显示面板的俯视结构示意图，图2示出图1中的液晶显示面板沿B-B方向的剖面图。
参阅图1和图2，本申请实施例提供了一种液晶显示面板，包括：阵列基板1、与阵列基板1相对设置的彩膜基板2和设置于阵列基板1与彩膜基板2之间的液晶层3。液晶层3包括多个液晶分子，液晶分子通常为棒状，既可以像液体一样流动，又具有某些晶体特征。当液晶分子处于电场中时，其排列方向会根据电场的变化而改变。
液晶显示面板包括显示区AA和位于显示区AA外围的非显示区NA，阵列基板1的非显示区NA沿围合方向形成有间隔分布的多个导电焊盘10。在液晶显示面板的成盒制程中，通常会先在阵列基板1和彩膜基板2相对的表面上分别制作第一配向膜15和第二配向膜23，第一配向膜15和第二配向膜23用于对液晶层3中的液晶分子的取向进行限制，然后在阵列基板1的多个导电焊盘10上涂布密封的框胶16并滴入液晶，再在真空状态下将阵列基板1和彩膜基板2贴合，最后经过紫外线照射将框胶16固化，完成阵列基板1和彩膜基板2的封装。
如图2所示，彩膜基板2包括依次形成于第二衬底基板21上的第二公共电极22和第二配向膜23，框胶16内形成有导电颗粒161，导电颗粒161容纳于导电焊盘10的过孔131中，且导电颗粒161的一端透过第一配向膜15与第一公共电极121电连接，另一端透过彩膜基板2一侧侧的第二配向膜23与第二公共电极22电连接。
可选地，框胶16包括例如环氧树脂等紫外线固化型树脂，并且分散混入有作为导电材料的多个导电性颗粒161和玻璃纤维。导电性颗粒161的外径一般为5μm左右，玻璃纤维的直径一般4μm左右。另外，框胶16的线宽一般为例如0.5mm左右。
相关技术中导电焊盘10设置有高低交错的网格状过孔，配向膜液体难以通过过孔向外扩散而在此堆积形成较厚的膜层，导致框胶16中的导电颗粒161很难穿刺配向膜而无法导通阵列基板1与彩膜基板2，从而出现框胶导通不良、显示面板显示异常的问题。
为此，本申请实施例提供了一种阵列基板1，其可以促使配向膜液滴在非显示区NA的导电焊盘10处快速扩散，改善因配向膜液滴在此堆积致使框胶16中的导电颗粒161不能穿刺配向膜而出现导通不良的问题，改善显示异常的问题
下面结合附图详细描述本申请各实施例提供的阵列基板的具体结构。
第一实施例
图3示出本申请第一实施例提供的阵列基板的导电焊盘的结构示意图。
如图2和图3所示，本申请第一实施例提出了一种阵列基板1，其在非显示区NA形成有间隔分布的多个导电焊盘10，导电焊盘10包括依次形成于第一衬底基板11上的第一金属层12、绝缘层13和导电层14，第一金属层12与位于显示区AA的第一公共电极121同层且电连接，绝缘层13形成有多个过孔131，以使导电层14与第一公共电极121电连接。
其中，过孔131呈狭缝状设置，且过孔131与第一方向之间呈预定夹角设置，第一方向为非显示区NA围合显示区AA的方向。框胶16中的导电颗粒161容纳于过孔131，以导通阵列基板1与彩膜基板2。
可选地，阵列基板1的显示区AA的形状为矩形，非显示区NA围合显示区AA的周侧设置。导电焊盘10位于阵列基板1的长度方向上时，围合方向为阵列基板1的长度方向；导电焊盘10位于阵列基板1的宽度方向上时，围合方向为阵列基板1的宽度方向。
在显示区AA，阵列基板1包括依次形成于第一衬底基板11上的第一金属层12、栅绝缘层13a、半导体层、第二金属层、钝化层13b、导电层14及第一配向膜15。其中，第一金属层12形成有扫描线、薄膜晶体管的栅极及第一公共电极121，第二金属层形成有数据线、薄膜晶体管的源极和漏极。导电层14形成有像素电极，源极和漏极中的任一者与数据线电连接，源极和漏极中的另一者与像素电极电连接。
为了简化制作工序，阵列基板1的非显示区NA的多个导电焊盘10的各膜层与显示区AA同时制作。其中，导电焊盘10的第一金属层12与第一公共电极121同层且电连接，导电焊盘10的绝缘层13可以包括栅绝缘层13a和钝化层13b，通过在绝缘层13上设置过孔131，可以将导电层14与第一公共电极121电连接。
由于第一配向膜15和第二配向膜23具有流动性，通过在聚酰亚胺等树脂材料中添加溶剂使其粘性降低而成。以第一配向膜15的制程工艺为例，第一配向膜15的制作方式主要有两种，一种是使用印刷版转印第一配向膜15，另一种是通过喷墨打印(InkjetPrinting)的涂布方式制作第一配向膜15。以喷墨打印方法为例，首先将第一配向膜15的图形输入电脑中，然后通过喷头将第一配向膜15溶液喷洒到阵列基板1上，固化后形成第一配向膜15。
为了促使第一配向膜15液滴在多个导电焊盘10处快速扩散，本实施例中，将导电焊盘10进行图案化设计，即在绝缘层13上设置间隔分布的呈狭缝状的多个过孔131，相邻的两个过孔131之间的绝缘层13因地势平坦很容易使第一配向膜15液滴扩散出去，并铺满非显示区NA，如图3中的箭头方向所示。由于过孔131与非显示区NA围合显示区AA的第一方向之间呈预定夹角设置，第一配向膜15从地势平坦的绝缘层13扩散后不会直接进入显示区AA，防止第一配向膜15在显示区AA的边缘堆积。
另外，第一配向膜15液滴还可以沿狭缝状过孔131的缝隙直接从导电焊盘10上扩散出去，液滴流动过程中没有其他膜层阻隔而不会堆积，固化后形成一层较薄的膜层，可以使框胶16中的导电颗粒穿刺过孔131上形成的较薄的第一配向膜15，从而将阵列基板1一侧的第一公共电极121与彩膜基板2一侧的第二公共电极22电连接。
本申请实施例提供的一种阵列基板1，通过将非显示区NA的导电焊盘10进行图案化设计，即在绝缘层13上设置呈狭缝状的多个过孔131，且过孔131与非显示区NA围合显示区AA的第一方向之间呈预定夹角设置，可以促使第一配向膜15液滴在非显示区NA的导电焊盘10处快速扩散，改善因第一配向膜15液滴在过孔处堆积致使框胶16中的导电颗粒161不能穿刺第一配向膜15而出现导通不良的问题，提高显示效果。
在一些实施例中，过孔131与第一方向之间的预定夹角α的取值范围为：0≤α<90°。当导电焊盘10位于阵列基板1的长度方向上时，第一方向为阵列基板1的长度方向，过孔131与阵列基板1的长度方向之间呈预定夹角α。当导电焊盘10位于阵列基板1的宽度方向上时，第一方向为阵列基板1的宽度方向，过孔131与阵列基板1的宽度方向之间呈预定夹角α。
预定夹角α的取值范围满足条件0≤α<90°，可以使过孔131的扩散路径较长，以使相邻的两个过孔131之间形成的扩散通道铺满整个导电焊盘10，同时避免第一配向膜15液滴直接流向显示区AA，使第一配向膜15液滴在非显示区AA快速扩散，防止第一配向膜15液滴在过孔131处堆积。
在一些实施例中，相邻的两个过孔131之间的间距为S，过孔131的宽度为W，且S/(W+S)≥30％。
如图3和图4所示，由于框胶16涂敷于导电焊盘10上，需要通过紫外线进行光照来加速固化，故过孔131的宽度需要满足框胶16的紫外光线的固化需求。如果过孔131太窄，紫外光线无法照射入过孔131内，从而无法使框胶16充分固化。如果过孔131太宽，导电层14与第一金属层12之间可能发生短路，影响导电焊盘10的正常使用。可选地，过孔131的宽度W＞14.5μm。
另外，相邻的两个过孔131之间的间距S需要满足制程工艺要求。间距S过大，过孔131的数量就会过少，可能影响将阵列基板1一侧的第一公共电极121与彩膜基板2一侧的第二公共电极22的导通性；间距S过小，将增大制程工艺的难度。可选地，相邻的两个过孔131之间的间距S＞5.5μm。
进一步地，当S/(W+S)≥30％时，既能满足制程工艺要求，也能满足框胶16的光照固化需求。
在一些实施例中，导电焊盘10包括镀层区101和位于镀层区101至少一侧的边缘区102，绝缘层13和导电层14位于镀层区101，第一金属层12铺设于镀层区101和边缘区102，且过孔131朝向边缘区102的一侧与边缘区102连通。
如图2和图4所示，导电焊盘10包括镀层区101和位于镀层区101外周侧的边缘区102，其中，导电层14铺设于镀层区101和边缘区102，为了便于看到过孔131，本实施例中未示出导电层14。第一金属层12铺设于镀层区101和边缘区102，由于镀层区101的第一金属层12被绝缘层13及导电层14覆盖，仅露出边缘区102的第一金属层12，即图4中填充有斜线阴影的部分。绝缘层13为填充有点状阴影的部分，绝缘层13上挖掉条形绝缘块后形成过孔131。过孔131朝向边缘区102的一侧与边缘区102连通，即过孔131暴露出第一金属层12，第一金属层12与显示区AA的第一公共电极121同层且电连接，从而使容纳于过孔131中的导电颗粒161与第一金属层12接触，并与第一公共电极121导通。导电颗粒161的另一侧透过彩膜基板2一侧的第二配向膜23与第二公共电极22电连接，从而将液晶显示面板导通。
另外，过孔131的数量越少，框胶16中的导电颗粒161与第一金属层12的接触面积越小，阻值越大，可能会影响导电焊盘10的导通性。过孔131的数量需要考虑过孔131的宽度等因素，根据具体的设计需求而定，不再赘述。
第二实施例
图4示出本申请第二实施例提供的阵列基板的导电焊盘的结构示意图。
如图4所示，本申请第二实施例提出了一种阵列基板1的导电焊盘10，其与第一实施例提供的阵列基板1的导电焊盘10结构类似，不同之处在于，导电焊盘10的边缘结构不同。
具体来说，导电焊盘10包括镀层区101和位于镀层区101至少一侧的边缘区102，绝缘层13和导电层14位于镀层区101，第一公共电极121由显示区AA延伸至非显示区NA的边缘区102，并与过孔131暴露的第一金属层12电连接。
如图4所示，导电焊盘10包括镀层区101和位于镀层区101外周侧的边缘区102，其中，导电层14铺设于镀层区101和边缘区102，为了便于看到过孔131，本实施例中未示出导电层14。第一金属层12铺设于镀层区101和边缘区102，由于镀层区101的第一金属层12被绝缘层13及导电层14覆盖，仅露出边缘区102的第一公共电极121，即图4中填充有斜线阴影的部分。绝缘层13为填充有点状阴影的部分，绝缘层13上挖掉条形绝缘块后形成过孔131，没有填充的部分为第一衬底基板11。第一金属层12铺设于镀层区101，边缘区102设置有由显示区AA延伸至非显示区NA的第一公共电极121，第一公共电极121与过孔131暴露在镀层区101的第一金属层12电连接，从而使容纳于过孔131中的导电颗粒161直接与第一公共电极121导通。导电颗粒161的另一侧透过彩膜基板2一侧的第二配向膜23与第二公共电极22电连接，从而将液晶显示面板导通。
第三实施例
图5示出本申请第三实施例提供的阵列基板的导电焊盘的结构示意图。
如图5所示，本申请第三实施例提出了一种阵列基板1的导电焊盘10，其与第一实施例提供的阵列基板1的导电焊盘10结构类似，不同之处在于，导电焊盘10的过孔形状不同，即过孔131呈“V”字型结构设置。
具体来说，过孔131包括第一过孔131a和第二过孔131b，第一过孔131a和第二过孔131b相对于导电焊盘10沿第二方向的中线对称设置，第二方向与第一方向垂直。
本实施例中，导电焊盘10的第二方向为与非显示区NA绕显示区AA的围合方向垂直的方向，当导电焊盘10位于阵列基板1的长度方向上时，第一方向为阵列基板1的长度方向，第二方向为阵列基板1的宽度方向。当导电焊盘10位于阵列基板1的宽度方向上时，第一方向为阵列基板1的宽度方向，第二方向为阵列基板1的长度方向。也就是说，第二方向即阵列基板1由显示区AA指向非显示区NA的方向。
在制备第一配向膜15时，可以将第一配向膜15的液滴滴落于导电焊盘10的中心位置，然后使液滴沿第一过孔131a、第二过孔131b、相邻的第一过孔131a之间形成的第一通道及相邻的第二过孔131b之间形成的第二通道分别扩散，如图5中的箭头方向所示，从而可以加快液滴的流动速度和液滴的扩散均匀性，防止第一配向膜15的液滴在第一过孔131a和第二过孔131b中被阻隔而堆积。
第四实施例
图6示出本申请第四实施例提供的阵列基板的导电焊盘的结构示意图。
如图6所示，本申请第四实施例提出了一种阵列基板1的导电焊盘10，其与第三实施例提供的阵列基板1的导电焊盘10结构类似，不同之处在于，导电焊盘10的边缘结构不同。
具体来说，导电焊盘10包括镀层区101和位于镀层区101至少一侧的边缘区102，绝缘层13和导电层14位于镀层区101，第一公共电极121由显示区AA延伸至非显示区NA的边缘区102，并与过孔131暴露的第一金属层12电连接。
如图6所示，导电焊盘10包括镀层区101和位于镀层区101外周侧的边缘区102，其中，导电层14铺设于镀层区101和边缘区102，为了便于看到过孔131，本实施例中未示出导电层14。第一金属层12铺设于镀层区101和边缘区102，由于镀层区101的第一金属层12被绝缘层13及导电层14覆盖，仅露出边缘区102的第一公共电极121，即图6中填充有斜线阴影的部分。绝缘层13为填充有点状阴影的部分，绝缘层13上挖掉条形绝缘块后形成过孔131，没有填充的部分为第一衬底基板11。第一金属层12铺设于镀层区101，边缘区102设置有由显示区AA延伸至非显示区NA的第一公共电极121。过孔131包括第一过孔131a和第二过孔131b，第一过孔131a和第二过孔131b相对于导电焊盘10沿第二方向的中线对称设置。
第一公共电极121与第一过孔131a和第二过孔131b暴露在镀层区101的第一金属层12分别电连接，从而使容纳于过孔131中的导电颗粒161直接与第一公共电极121导通。导电颗粒161的另一侧透过彩膜基板2一侧的第二配向膜23与第二公共电极22电连接，从而将液晶显示面板导通。
第五实施例
图7示出本申请第五实施例提供的阵列基板的导电焊盘的结构示意图。
如图7所示，本申请第五实施例提出了一种阵列基板1的导电焊盘10，其与第三实施例提供的阵列基板1的导电焊盘10结构类似，不同之处在于，导电焊盘10的过孔形状不同，即过孔131呈“米”字型结构设置。
具体来说，如图7所示，过孔131包括第一过孔131a、第二过孔131b、第三过孔131c和第四过孔131d，第一过孔131a和第二过孔131b相对于导电焊盘10沿第二方向的中线对称设置，第三过孔131c与第一过孔131a相对于导电焊盘10沿第一方向的中线对称设置，第四过孔131d与第二过孔131b相对于导电焊盘10沿第一方向的中线对称设置。
本实施例中，导电焊盘10的第一方向为非显示区NA绕显示区AA的围合方向，第一方向与第二方向垂直。即第二方向为阵列基板1由显示区AA指向非显示区NA的方向。
在制备第一配向膜15时，可以将第一配向膜15的液滴滴落于导电焊盘10的中心位置，然后使液滴沿第一过孔131a、第二过孔131b、第三过孔131c、第四过孔131d、相邻的第一过孔131a之间形成的第一通道、相邻的第二过孔131b之间形成的第二通道、相邻的第三过孔131c之间形成的第三通道以及相邻的第四过孔131d之间形成的第四通道分别扩散，如图7中的箭头方向所示，从而可以进一步加快液滴的流动速度和液滴的扩散均匀性，防止第一配向膜15的液滴在第一过孔131a和第二过孔131b中被阻隔而堆积。
第六实施例
图8示出本申请第六实施例提供的阵列基板的导电焊盘的结构示意图。
如图8所示，本申请第六实施例提出了一种阵列基板1的导电焊盘10，其与第五实施例提供的阵列基板1的导电焊盘10结构类似，不同之处在于，导电焊盘10的边缘结构不同。
具体来说，导电焊盘10包括镀层区101和位于镀层区101至少一侧的边缘区102。其中，导电层14铺设于镀层区101和边缘区102，为了便于看到过孔131，本实施例中未示出导电层14。第一金属层12铺设于镀层区101和边缘区102，由于镀层区101的第一金属层12被绝缘层13及导电层14覆盖，仅露出边缘区102的第一公共电极121，即图4中填充有斜线阴影的部分。绝缘层13为填充有点状阴影的部分，绝缘层13上挖掉条形绝缘块后形成过孔131，没有填充的部分为第一衬底基板11。绝缘层13和导电层14位于镀层区101，边缘区102设置有由显示区AA延伸至非显示区NA的第一公共电极121，第一公共电极121与过孔131暴露的第一金属层12电连接。
过孔131包括第一过孔131a、第二过孔131b、第三过孔131c和第四过孔131d，第一过孔131a和第二过孔131b相对于导电焊盘10沿第一方向的中线对称设置，第三过孔131c与第一过孔131a相对于导电焊盘10沿第二方向的中线对称设置，第四过孔131d与第二过孔131b相对于导电焊盘10沿第二方向的中线对称设置。
第一公共电极121与第一过孔131a、第二过孔131b、第三过孔131c和第四过孔131d暴露在镀层区101的第一金属层12分别电连接，从而使容纳于过孔131中的导电颗粒161直接与第一公共电极121导通。导电颗粒161的另一侧透过彩膜基板2一侧的第二配向膜23与第二公共电极22电连接，从而将液晶显示面板导通。
可以理解的是，本申请各实施例提供的阵列基板1的技术方案可以广泛用于各种液晶显示面板，如TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)显示面板、IPS(In-PlaneSwi tching，平面转换型)显示面板、VA(VerticalAlignment，垂直配向型)显示面板、MVA(Multi-DomainVertical Alignment，多象限垂直配向型)显示面板。
应当容易地理解，应当按照最宽的方式解释本申请中的“在……上”、“在……以上”和“在……之上”，以使得“在……上”不仅意味着“直接处于某物上”，还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义，并且“在……以上”或者“在……之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义，还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层(即，直接处于某物上)的含义。
文中使用的术语“衬底基板”是指在其上添加后续材料层的材料。衬底基板本身可以被图案化。添加到衬底基板顶上的材料可以被图案化，或者可以保持不被图案化。此外，衬底基板可以包括宽范围内的一系列材料，例如，硅、锗、砷化镓、磷化铟等。替代地，衬底基板可以由非导电材料(例如，玻璃、塑料或者蓝宝石晶圆等)制成。
文中使用的术语“层”可以指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个的下层结构或上覆结构之上延伸，或者可以具有比下层或上覆结构的范围小的范围。此外，层可以是匀质或者非匀质的连续结构的一个区域，其厚度小于该连续结构的厚度。例如，层可以位于所述连续结构的顶表面和底表面之间或者所述顶表面和底表面处的任何成对的横向平面之间。层可以横向延伸、垂直延伸和/或沿锥形表面延伸。衬底基板可以是层，可以在其中包括一个或多个层，和/或可以具有位于其上、其以上和/或其以下的一个或多个层。层可以包括多个层。例如，互连层可以包括一个或多个导体和接触层(在其内形成触点、互连线和/或过孔)以及一个或多个电介质层。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，用于液晶显示面板，所述液晶显示面板包括显示区和位于所述显示区外围的非显示区，其特征在于，
所述阵列基板在所述非显示区设置有间隔分布的多个导电焊盘，所述导电焊盘包括依次形成于第一衬底基板上的第一金属层、绝缘层和导电层，所述第一金属层与位于所述显示区的第一公共电极同层且电连接，所述绝缘层形成有多个过孔，以使所述导电层与所述第一公共电极电连接，其中，所述过孔呈狭缝状设置，且所述过孔与第一方向之间呈预设夹角设置，所述第一方向为所述非显示区围合所述显示区的方向。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔与所述第一方向之间的所述预定夹角α的取值范围为：0≤α<90°。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，相邻的两个所述过孔之间的间距为S，所述过孔的宽度为W，且S/(W+S)≥30％。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，相邻的两个所述过孔之间的间距S＞5.5μm；
和/或，所述过孔的宽度W＞14.5μm。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔相对于所述导电焊盘沿第二方向的中线对称设置，所述第二方向与所述第一方向垂直。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔还包括第三过孔和第四过孔，且所述第三过孔与所述第一过孔相对于所述导电焊盘沿所述第一方向的中线对称设置，所述第四过孔与所述第二过孔相对于所述导电焊盘沿所述第一方向的中线对称设置。
7.根据权利要求1至6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述导电焊盘包括镀层区和位于所述镀层区至少一侧的边缘区，所述绝缘层和所述导电层位于所述镀层区，所述第一金属层铺设于所述镀层区和所述边缘区，且所述过孔朝向所述边缘区的一侧与所述边缘区连通。
8.根据权利要求1至6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述导电焊盘包括镀层区和位于所述镀层区至少一侧的边缘区，所述绝缘层和所述导电层位于所述镀层区，所述第一公共电极由所述显示区延伸至所述非显示区的所述边缘区，并与所述过孔暴露的所述第一金属层电连接。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括第一配向膜和框胶，所述第一配向膜位于所述导电层背离所述第一衬底基板的一侧，所述框胶内形成有导电颗粒，所述导电颗粒容纳于所述过孔中，且所述导电颗粒的一端透过所述第一配向膜与所述第一公共电极电连接，另一端透过所述液晶显示面板的彩膜基板侧的第二配向膜与第二公共电极电连接。
10.一种液晶显示面板，包括：
如权利要求1至9任一项所述的阵列基板；
彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；
液晶层，设置于所述阵列基板与所述彩膜基板之间。
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