CN114373788A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114373788A
CN114373788A CN202111174926.9A CN202111174926A CN114373788A CN 114373788 A CN114373788 A CN 114373788A CN 202111174926 A CN202111174926 A CN 202111174926A CN 114373788 A CN114373788 A CN 114373788A
Authority
CN
China
Prior art keywords
contact hole
pixel electrode
display device
light emitting
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111174926.9A
Other languages
English (en)
Inventor
金寿桢
朱宣奎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN114373788A publication Critical patent/CN114373788A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种显示装置，可以是，包括：基板；薄膜晶体管，位于基板之上；绝缘膜，位于薄膜晶体管之上并包括接触孔；像素电极，与接触孔的一部分重叠并位于绝缘膜之上；以及发光层，位于像素电极之上，像素电极包括：第一部分，与发光层重叠；第二部分，与接触孔的下方面的一部分重叠；以及第三部分，从第一部分向第二部分延伸。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置是显示用于向用户提供视觉信息的图像的装置。在显示装置中，最近，有机发光显示装置(organic light emitting diode display)备受关注。
有机发光显示装置具有自发光特性，并与液晶显示装置(liquid crystaldisplay device)不同，无需单独的光源，因此可以减少厚度和重量。另外，有机发光显示装置表现出低功耗、高亮度以及高响应速度等高质量特性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种反射色分离现象得到改善的显示装置。
然而，本发明的目的不限于上述的目的，在不脱离本发明的构思和领域的范围内可以进行各种扩展。
为了达到本发明的一目的，可以是，根据实施例的显示装置包括：基板；薄膜晶体管，位于所述基板之上；绝缘膜，位于所述薄膜晶体管之上并包括接触孔；像素电极，与所述接触孔的一部分重叠并位于所述绝缘膜之上；以及发光层，位于所述像素电极之上，所述像素电极包括：第一部分，与所述发光层重叠；第二部分，与所述接触孔的下方面的一部分重叠；以及第三部分，从所述第一部分向所述第二部分延伸。
在一实施例中，可以是，所述接触孔贯通所述绝缘膜，所述接触孔的所述下方面使得所述薄膜晶体管的一部分暴露。
在一实施例中，可以是，所述第二部分作为所述像素电极的一端而配置在所述接触孔的所述下方面。
在一实施例中，可以是，所述接触孔在平面上位于远离所述发光层的第一方向上，所述接触孔在所述第一方向上的长度大于所述接触孔在与所述第一方向交叉的第二方向上的长度。
在一实施例中，可以是，所述接触孔的形状为椭圆形。
在一实施例中，可以是，所述接触孔的形状为水滴形态。
在一实施例中，可以是，所述第二部分通过所述接触孔与所述薄膜晶体管接触。
在一实施例中，可以是，所述薄膜晶体管包括：活性层；栅极电极，位于所述活性层之上；以及源极电极及漏极电极，位于所述栅极电极上，并与所述活性层电连接，可以是，所述第二部分与所述源极电极以及所述漏极电极中的至少一个重叠。
为了达到本发明的一目的，可以是，根据实施例的显示装置包括：基板；薄膜晶体管，位于所述基板之上；绝缘膜，位于所述薄膜晶体管之上并包括接触孔；像素电极，与所述接触孔重叠并位于所述绝缘膜之上；以及发光层，位于所述像素电极之上，所述接触孔在平面上位于远离所述发光层的第一方向上，所述接触孔在所述第一方向上的长度大于所述接触孔在与所述第一方向交叉的第二方向上的长度。
在一实施例中，可以是，所述接触孔的形状为椭圆形。
在一实施例中，可以是，所述接触孔的形状为水滴形态。
在一实施例中，可以是，所述接触孔的侧面和所述接触孔的下方面之间的至少一部分的角度为约170度以上。
在一实施例中，可以是，所述接触孔贯通所述绝缘膜，所述像素电极通过所述接触孔与所述薄膜晶体管接触。
为了达到本发明的一目的，可以是，根据实施例的显示装置包括：基板；布线，位于所述基板之上；绝缘膜，位于所述布线之上并包括与所述布线的中央部重叠的平坦部以及与所述布线的边缘重叠的第一台阶部及第二台阶部；像素电极，位于所述绝缘膜之上并包括至少一个开口；以及发光层，位于所述像素电极之上，所述至少一个开口与所述平坦部、所述第一台阶部以及所述第二台阶部中的至少一个重叠。
在一实施例中，可以是，所述平坦部位于所述第一台阶部和所述第二台阶部的之间，从所述基板到所述平坦部的上面的高度大于从所述基板到所述绝缘膜的上面的高度。
在一实施例中，可以是，所述至少一个开口与所述第一台阶部、所述第二台阶部以及所述平坦部重叠。
在一实施例中，可以是，所述至少一个开口包括第一开口以及第二开口，所述第一开口以及所述第二开口分别与所述第一台阶部以及所述第二台阶部重叠。
在一实施例中，可以是，所述至少一个开口的形状为圆形以及四边形中的一个。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：低反射层，配置在所述绝缘膜和所述像素电极之间，并与所述至少一个开口重叠。
在一实施例中，可以是，所述低反射层包含金属，所述低反射层的反射率低于所述像素电极的反射率。
(发明效果)
在根据本发明的实施例的显示装置中，像素电极可以仅重叠至接触孔的下方面，由此可以减少反射色分离现象并发射白光。即，通过去除像素电极中的配置在接触孔的远离发光层的侧面上的部分，可以减少反射色分离现象。
在根据本发明的实施例的显示装置中，可以通过去除像素电极的台阶部分来平坦地形成像素电极的上面。即，可以通过在台阶部分形成像素电极的开口来去除像素电极的台阶部分。由此，可以减少漫反射现象。
然而，本发明的效果不限于前述的效果，在不脱离本发明的构思和领域的范围内可以进行各种扩展。
附图说明
图1是示出根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。
图2是放大图1的A区域的平面图。
图3是沿图2的I-I'线截取的截面图。
图4是根据一实施例的显示装置的平面图。
图5是根据一实施例的显示装置的平面图。
图6是根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。
图7是沿图6的II-II'线截取的截面图。
图8是根据一实施例的显示装置的平面图。
图9是根据一实施例的显示装置的截面图。
图10是示出根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。
图11是放大图10的C区域的平面图。
图12是沿图11的III-III'线截取的截面图。
图13是根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。
图14是沿图13的IV-IV'线截取的截面图。
图15是根据一实施例的显示装置的平面图。
图16是根据一实施例的显示装置的截面图。
图17是根据一实施例的显示装置的平面图。
(附图标记说明)
10-20：显示装置 100：基板
200：薄膜晶体管 210：活性层
220：栅极绝缘膜 230：栅极电极
240：层间绝缘膜 250：源极电极
260：漏极电极 300：绝缘膜
310：接触孔 311：接触孔的下方面
312：接触孔的第一侧面 313：接触孔的第二侧面
320：绝缘膜的平坦部 321：绝缘膜的第一台阶部
322：绝缘膜的第二台阶部
400：像素电极 410：像素电极的第一部分
420：像素电极的第二部分 430：像素电极的第三部分
440：像素电极的开口
450：像素电极的第一开口 460：像素电极的第二开口
500：像素界定膜 510：开口部
600：发光层 700：公共电极
800：布线 900：低反射层
具体实施方式
以下，参照所附附图，更详细地说明本发明的实施例。针对附图中相同的构成要件，使用相同的附图标记并省略针对相同构成要件重复的说明。
图1是示出根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。图2是放大图1的A区域的平面图。图3是沿图2的I-I'线截取的截面图。
参照图1以及图2，根据一实施例的显示装置10可以包括第一发光元件R、第二发光元件G以及第三发光元件B。第一发光元件R可以包括第一像素电极400R、第一发光层600R以及第一接触孔310R，第二发光元件G可以包括第二像素电极400G、第二发光层600G以及第二接触孔310G，第三发光元件B可以包括第三像素电极400B、第三发光层600B以及第三接触孔310B。在本说明书中后述的接触孔310可以包括第一接触孔310R、第二接触孔310G以及第三接触孔310B。另外，在本说明书中后述的发光层600可以包括第一发光层600R、第二发光层600G以及第三发光层600B，像素电极400可以包括第一像素电极400R、第二像素电极400G以及第三像素电极400B。
参照图2以及图3，显示装置10可以包括基板100、薄膜晶体管200、绝缘膜300、像素电极400、像素界定膜500、发光层600以及公共电极700。
基板100可以是包含玻璃、聚合物或者不锈钢等的绝缘性基板。基板100可以是柔性(flexible)的、可拉伸(stretchable)的、可折叠(foldable)的、可弯曲(bendable)的或可卷曲(rollable)的。通过基板100是柔性(flexible)的、可拉伸(stretchable)的、可折叠(foldable)的、可弯曲(bendable)的或可卷曲(rollable)的，显示装置10可以是柔性(flexible)的、可拉伸(stretchable)的、可折叠(foldable)的、可弯曲(bendable)的或可卷曲(rollable)的。
在基板100之上可以配置有薄膜晶体管200。薄膜晶体管200可以包括活性层210、栅极绝缘膜220、栅极电极230、层间绝缘膜240、源极电极250以及漏极电极260。活性层210可以包含多晶硅、非晶硅或者氧化物半导体。
在活性层210之上可以配置有栅极绝缘膜220。在栅极绝缘膜220之上可以配置有栅极电极230。栅极电极230可以通过栅极绝缘膜220与活性层210绝缘。栅极绝缘膜220可以配置为与基板100的正面重叠。栅极绝缘膜220可以包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等之类的无机绝缘物质。
在栅极绝缘膜220以及基板100之间可以配置有缓冲层(未示出)。缓冲层可以使得基板100的一面平坦或杂质不扩散。
在栅极电极230之上可以配置有层间绝缘膜240。层间绝缘膜240可以包含无机绝缘物质或者有机绝缘物质。在层间绝缘膜240之上可以配置有薄膜晶体管200的源极电极250以及漏极电极260、数据线、信号线(未示出)等。源极电极250以及漏极电极260各自可以通过层间绝缘膜240所具有的开口与活性层210的一区域相接，并可以与活性层210电连接。例如，源极电极250以及漏极电极260可以分别与活性层210的源极区域以及漏极区域接触。
图3所示的薄膜晶体管200是由于栅极电极230比活性层210位于上方，可称为顶栅极型(top-gate)晶体管。薄膜晶体管200的结构不限于此，可以进行各种改变，例如，薄膜晶体管200也可以是底栅极型(bottom-gate)晶体管。底栅极型晶体管可以是栅极电极230位于活性层210之下的结构。在层间绝缘膜240之上可以配置有绝缘膜300。绝缘膜300可以起到为了提高发光层600的发光效率而消除台阶并使得平坦化的作用。绝缘膜300可以与薄膜晶体管200重叠并覆盖薄膜晶体管200。作为一例，绝缘膜300可以包含有机绝缘物质。所述有机绝缘物质可以包括聚酰亚胺(polyimide)、聚酰胺(polyamide)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、不饱和聚酯(unsaturated polyester)、环氧树脂、酚醛树脂等，但不限于此。
绝缘膜300可以包括接触孔310。接触孔310可以意指绝缘膜300的一部分被去除而贯通绝缘膜300的部分。接触孔310可以包括侧面312、313以及下方面311。接触孔310的侧面312、313可以意指绝缘膜300的一部分被切割的切割面。接触孔310的下方面311可以意指绝缘膜300贯通而薄膜晶体管200的一部分暴露的部分。
在接触孔310的下方面311可以配置有后述的像素电极400的第二部分420，像素电极400的第二部分420可以通过接触孔310的下方面311与薄膜晶体管200接触。
接触孔310的形状可以是在平面上圆形。接触孔310的侧面312、313可以包括与发光层600相邻的第一侧面312、在第一方向D1上与发光层600不相邻的第二侧面313。即，第一侧面312和发光层600之间的距离t1可以小于第二侧面313和发光层600之间的距离t2。
在绝缘膜300之上可以配置有像素电极400。像素电极400可以与接触孔310的一部分重叠。像素电极400可以通过接触孔310的下方面311与薄膜晶体管200的源极电极250以及漏极电极260中的至少一个接触。
接触孔310的第一侧面312可以意指像素电极400和接触孔310重叠的部分，第二侧面313可以意指像素电极400和接触孔310不重叠的部分。具体地，第一侧面312可以与像素电极400的第二部分420以及第三部分430的一部分重叠。为了像素电极400和漏极电极260的顺畅连接，第一侧面312的面积可以大于第二侧面313的面积。
像素电极400可以包含反射性导电物质、半透射性导电物质或透明的导电物质。作为一例，像素电极400可以包含铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)之类透明导电物质、锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)以及金(Au)之类金属中的至少一个。
像素电极400可以包括与发光层600重叠的第一部分410、与接触孔310的下方面311的一部分重叠的第二部分420以及从第一部分410向第二部分420延伸的第三部分430。像素电极400的第一至第三部分410、420、430可以向第一方向D1以第一部分410，第三部分430以及第二部分420的顺序排列。第一方向D1可以是从发光层600朝向接触孔310的方向。
在现有技术中，接触孔的形状为圆形且像素电极与接触孔的整体重叠，因此在第一接触孔中反射的第一红光和在第三接触孔中反射的第一蓝光可能合并。因此，可能朝向一方向发射紫光。另外，在第二接触孔中第一绿光可能朝向另一方向反射而发射绿光。由此，可能发生在一部分区域中识别到紫光且在一部分区域中识别到绿光的问题。即，在显示装置中可能发生反射色分离现象。即，在现有技术中，像素电极与接触孔的侧面整体重叠，因此外部光可能被配置在接触孔的远离发光层的侧面上的像素电极反射而发生反射色分离现象。
但是，在本发明的实施例中，像素电极400仅与接触孔310的下方面311以及第一侧面312重叠，从而可以减少反射色分离现象且发射白光。即，通过去除像素电极400中的配置在接触孔310的远离发光层600的第二侧面313上的部分，可以减少反射色分离现象。
当能够防止反射色分离现象时，可以省略显示装置10所需的偏光片，由此可以节约生产显示装置10所需的费用。另外，通过省略偏光片，可以减小显示装置10的厚度。
第一部分410是与发光层600重叠的部分。第一部分410可以与绝缘膜300的一部分重叠。第二部分420可以是像素电极400的一端。第二部分420可以配置在接触孔310的下方面311以及接触孔310的第一侧面312。另外，第二部分420可以通过接触孔310与薄膜晶体管200的源极电极250以及漏极电极260中的一个接触。可以是，第三部分430位于第一部分410和第二部分420之间，并包括倾斜面或者台阶。第二部分420可以具有以第一部分410的上方面为基准凹陷的形态。
第二部分420可以与接触孔310的第一侧面312重叠，第二部分420可以与接触孔310的下方面311的一部分或者全部重叠。与第二部分420重叠的接触孔310的下方面311的一部分可以是被第一侧面312包围的部分。在形成像素电极400时，第二部分420可以通过去除与接触孔310的第二侧面313重叠的部分来形成。换句话说，在形成像素电极400的图案化工艺中，可以从像素电极400中去除与接触孔310的第二侧面313重叠的部分。由此，外部光可以不被像素电极400反射并发射。因此，可以减少反射色分离现象。
在现有技术中，接触孔可以配置为与发光层隔开3.5微米以上。另外，由此外部光可以被像素界定膜吸收，并可以不被像素电极反射。然而，此时，像素的尺寸变大，因此存在不能适用于高分辨率显示装置的问题。
在根据一实施例的显示装置10中，接触孔310可以在平面上与发光层600隔开3.5微米以下。因此，由于像素的尺寸可以变小，可以还适用于高分辨率显示装置。
在绝缘膜300以及像素电极400之上可以配置有像素界定膜500。像素界定膜500可以与像素电极400的一部分重叠。像素界定膜500可以吸收通过后述的开口部510从外部进入的外部光，并可以还吸收在像素电极400中反射的光。
像素界定膜500可以具有与像素电极400重叠的开口部510。像素界定膜500的开口部510可以是与像素相对应的区域。开口部510可以在平面上具有多边形形态或者圆形形态，并可以具有多边形形态中的四边形、三角形、五边形、六边形、七边形、八边形等多边形形态。开口部510可以具有接近圆形形态的多边形形态。
像素界定膜500可以包含聚酰亚胺、聚丙烯酸酯、聚酰胺之类有机绝缘物质，但不限于此。
在像素电极400之上可以配置有发光层600。在发光层600和像素电极400之间可以追加配置有空穴注入层、空穴输送层。在发光层600和公共电极700之间可以追加配置有电子注入层以及电子输送层。
发光层600可以包含发射红色、绿色以及蓝色等光的物质。发光层600可以包括发射具有第一波长的光的第一发光层600R、发射具有第二波长的光的第二发光层600G以及发射具有第三波长的光的第三发光层600B(参照图1)。作为一例，具有所述第一波长的光可以呈现红色，具有所述第二波长的光可以呈现绿色，具有所述第三波长的光可以呈现蓝色。
发光层600也可以具有发射彼此不同颜色的光的多个有机物质层叠的结构。或者，发光层600可以包含发射红色、绿色以及蓝色等的光的无机物质。
在发光层600之上可以配置有传递公共电压的公共电极700。公共电极700可以包含铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)之类透明导电物质。公共电极700也可以层叠钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)等金属来形成为具有透光性。
像素电极400、发光层600以及公共电极700可以构成发光二极管即发光元件D。像素电极400可以是空穴注入电极即阳极(anode)，公共电极700可以是电子注入电极即阴极(cathode)。与此相反地，像素电极400可以是阴极，公共电极700也可以是阳极。空穴和电子可以分别从像素电极400以及公共电极700向发光层600内部注入。当注入的空穴和电子复合的激子(exciton)从激发态跃迁到基态时，发光元件D可以发光。
虽然附图中未示出，但在公共电极700之上可以配置有薄膜封装层。薄膜封装层可以包括多个无机层或者包括无机层和有机层层叠的结构。
图4是根据一实施例的显示装置的平面图。
参照图4，根据本发明的一实施例的显示装置11可以包括接触孔310。接触孔310可以在平面上位于远离发光层600的第一方向D1。接触孔310在第一方向D1上的长度h1可以大于接触孔310在与第一方向D1交叉的第二方向D2上的长度h2。接触孔310的形状可以是在第一方向D1上长的椭圆形。
当接触孔310在第一方向D1上的长度h1大于接触孔310在第二方向D2上的长度h2时，像素电极400和漏极电极260接触的面积变宽，从而像素电极400和漏极电极260之间的连接可以变得容易。另外，当像素电极400在平面上向第一方向D1浮动时，像素电极400的第二部分420也可以配置在接触孔310的内部。即，当像素电极400在平面上向第一方向D1浮动时，像素电极400的第二部分420可以配置在接触孔310的下方面311而与漏极电极260连接(参照图3)。
图5是根据一实施例的显示装置的平面图。
参照图5，根据本发明的一实施例的显示装置12可以包括接触孔310。接触孔310在第一方向D1上的长度h1可以大于接触孔310在第二方向D2上的长度h2。接触孔310的形状可以是水滴形状，并可以在第一方向D1上配置有水滴形状的尖端部分。然而，接触孔310的形状不限于此，接触孔310可以具有其它形状。
图6是根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。图7是沿图6的II-II'线截取的截面图。
参照图6以及图7，根据一实施例的显示装置13可以包括基板100、薄膜晶体管200、绝缘膜300、像素电极400、像素界定膜500、发光层600以及公共电极700。另外，薄膜晶体管200可以包括活性层210、栅极绝缘膜220、栅极电极230、层间绝缘膜240、源极电极250以及漏极电极260。在参照图6以及图7说明的显示装置13的结构中，与参照图2以及图3说明的显示装置10相同的结构已经参照图2以及图3进行了说明，因此在下面省略。
绝缘膜300可以包括接触孔310。接触孔310可以贯通绝缘膜300，接触孔310的下方面311可以使得薄膜晶体管200的一部分暴露。在整个接触孔310中可以配置有像素电极400，像素电极400可以通过接触孔310的下方面311与薄膜晶体管200的源极电极250以及漏极电极260中的一个接触。
接触孔310可以在平面上位于远离发光层600的第一方向D1上。接触孔310在第一方向D1上的长度h1可以大于接触孔310在与第一方向D1交叉的第二方向D2上的长度h2。
接触孔310可以包括侧面312、313以及下方面311。接触孔310的侧面312、313可以包括与发光层600相邻的第一侧面312、在第一方向D1上与发光层600不相邻的第二侧面313。即，第一侧面312和发光层600之间的距离t1可以小于第二侧面313和发光层600之间的距离t2。
在现有技术中，接触孔的形状为圆形，因此外部光可能被配置在所述接触孔的侧面中的与发光层不相邻的部分中的像素电极反射而发射特定颜色的光。即，由于所述接触孔的形状为圆形，所述接触孔的第二侧面可能比较靠近像素界定膜的开口部。因此，外部光可能到达配置在所述接触孔的侧面中的所述第二侧面的所述像素电极。所述外部光可能被所述像素电极反射而特定颜色的光再次通过所述开口部发射，由此可能发生反射色分离现象。
在本发明的实施例中，当接触孔310在第一方向D1上的长度h1大于接触孔310在第二方向D2上的长度h2时，外部光可能无法到达至配置在接触孔310的第二侧面313的像素电极400。即，通过开口部510进入的所述外部光可能无法到达至配置在第二侧面313的像素电极400而被像素界定膜500吸收。另外，即使所述外部光到达配置在第二侧面313的像素电极400，被像素电极400反射的光也可能不到达至开口部510而被像素界定膜500吸收。
图8是根据一实施例的显示装置的平面图。
参照图8，根据本发明的一实施例的显示装置14可以包括接触孔310。接触孔310的形状可以是水滴形状，并可以在第一方向D1上配置有水滴形状的尖端部分。然而，如果接触孔310在第一方向D1的长度h1大于在第二方向D2上的长度h2，则接触孔310的形状不受限制。
当接触孔310的形状为水滴形状时，可以减小接触孔310的第二侧面313的面积(参照图7)。即，与接触孔310的形状并非为水滴形状的情况相比，在水滴形状的情况下，可以进一步减小配置在第二侧面313的像素电极400的面积。因此，可以减小反射外部光的像素电极400的面积。由此可以减少反射色分离现象。
图9是根据一实施例的显示装置的截面图。
参照图9，根据本发明的一实施例的显示装置15可以包括接触孔310。接触孔310可以包括侧面312、313以及下方面311。接触孔310的侧面312、313可以包括与发光层600相邻的第一侧面312、在第一方向D1上与发光层600不相邻的第二侧面313。即，第一侧面312和发光层600之间的距离t1可以小于第二侧面313和发光层600之间的距离t2。
接触孔310的第二侧面313和接触孔310的下方面311之间的至少一部分角度θ可以是约170度以上。即，接触孔310的第二侧面313的一部分和接触孔310的下方面311之间的角度θ可以是约170度以上。另外，接触孔310的第二侧面313全部和接触孔310的下方面311之间的角度θ也可以是约170度以上。接触孔310的第一侧面312和接触孔310的下方面311之间的至少一部分的角度也可以是约170度以上。
当接触孔310的第二侧面313和接触孔310的下方面311之间的角度θ为约170度以上时，通过开口部510进入的所述外部光即使被配置在第二侧面313的像素电极400反射，被像素电极400反射的光也可能无法到达开口部510。即，被像素电极400反射的所述光可以不向开口部510发射而被像素界定膜500吸收。
图10是示出根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。图11是放大图10的C区域的平面图。图12是沿图11的III-III'线截取的截面图。
参照图10以及图11，根据一实施例的显示装置16可以包括第一发光元件R、第二发光元件G以及第三发光元件B。第一发光元件R可以包括第一像素电极400R以及第一发光层600R，在第一发光元件R的下方可以配置有第一布线800R。第二发光元件G可以包括第二像素电极400G以及第二发光层600G，在第二发光元件G的下方可以配置有第二布线800G。第三发光元件B可以包括第三像素电极400B以及第三发光层600B，在第三发光元件B的下方可以配置有第三布线800B。第一像素电极400R、第二像素电极400G以及第三像素电极400B各自可以包括开口440。
发光层600可以包括第一发光层600R、第二发光层600G以及第三发光层600B，像素电极400可以包括第一像素电极400R、第二像素电极400G以及第三像素电极400B。布线800可以包括第一布线800R、第二布线800G以及第三布线800B。
参照图11以及图12，显示装置16可以包括基板100、布线800、绝缘膜300、像素电极400、像素界定膜500、发光层600以及公共电极700。
在基板100之上可以配置有布线800。布线800可以包括栅极布线(未示出)、数据布线(未示出)、ELVDD布线(未示出)等。所述栅极布线可以向第一方向D1，例如垂直方向排列，所述数据布线可以向第二方向D2，例如水平方向排列。布线800可以位于像素电极400下方，多个布线可以位于像素电极400的下方。
布线800可以位于发光层600的中央。当布线800位于发光层600的中央时，发光层600可以以布线800为基准对称。因此，被像素电极400反射的光可以向所有方向相同地反射。由此，可以减少漫反射现象。
在布线800之上可以配置有绝缘膜300。绝缘膜300可以为了提高位于其之上的发光层600的发光效率而消除台阶。绝缘膜300可以平坦化所述台阶。绝缘膜300可以与布线800重叠并覆盖布线800。作为一例，绝缘膜300可以包含有机绝缘物质。所述有机绝缘物质可以包含聚酰亚胺(polyimide)、聚酰胺(polyamide)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、不饱和聚酯(unsaturated polyester)、环氧树脂、酚醛树脂等，但不限于此。
绝缘膜300可以包括与布线800的中央部重叠的平坦部320以及位于平坦部320的两侧的第一台阶部321及第二台阶部322。换句话说，平坦部320可以是与布线800的中央部重叠的部分，并可以是通过布线800从绝缘膜300的上面凸出的部分中的平坦的部分。第一台阶部321以及第二台阶部322可以是通过布线800凸出的部分中的存在台阶的部分。平坦部320可以位于第一台阶部321和第二台阶部322之间。从基板100到平坦部320的上面的高度h5可以大于从基板100到与像素电极400重叠的绝缘膜300的上面的高度h6。
在绝缘膜300之上可以配置有像素电极400。像素电极400可以包含反射性导电物质、半透射性导电物质或透明的导电物质。作为一例，像素电极400可以包含铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)之类透明导电物质、锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)以及金(Au)之类金属中的至少一个。
在现有技术中，像素电极与配置在像素电极的下方的布线重叠，因此可能由于所述布线而产生所述像素电极的台阶。具体地，可能由于所述布线而在绝缘膜中形成台阶部，并由于所述台阶部而在所述像素电极形成台阶部分。因此，通过开口部进入的外部光或者从发光层发射的光可能被所述像素电极的所述台阶部分反射。即，可能不在所有方向上反射相同量的光，而在所有方向上反射不同量的光或仅在特定方向上反射特定颜色的光。换句话说，可能发生漫反射现象。
但是，在本发明的实施例中，当外部光或者从发光层600发射的光被反射时，与布线800的边缘重叠的像素电极400的台阶部分被去除而像素电极400的上面可以平坦地形成。即，像素电极400的开口440形成在像素电极400的台阶部分，从而可以去除像素电极400的所述台阶部分。由此，可以减少漫反射现象。
像素电极400可以包括至少一个开口440。开口440可以与绝缘膜300的平坦部320、第一台阶部321以及第二台阶部322中的至少一个重叠。即，开口440与绝缘膜300的平坦部320、第一台阶部321以及第二台阶部322重叠，从而可以去除绝缘膜300导致的像素电极400的所述台阶部分。像素电极400的开口440的四个边可以均被像素电极400包围。然而，像素电极400的开口440的形状可以不限于此。在形成像素电极400时，可以去除像素电极400的所述台阶部分。换句话说，在形成像素电极400的图案化工艺中可以去除与绝缘膜300的平坦部320、第一台阶部321以及第二台阶部322中的至少一个重叠的像素电极400的一部分。由此，可以防止漫反射现象。
为了最小化开口440对发光元件的影响，开口440在第二方向D2上的宽度可以与绝缘膜300的平坦部320在第二方向D2上的宽度、第一台阶部321以及第二台阶部322在第二方向D2上的宽度之和相似。由此，可以最小化开口440的面积。
再次参照图10，开口440的尺寸可以根据第一至第三发光元件R、G、B各自的尺寸而改变。例如，第一发光元件R的尺寸可以大于第二发光元件G的尺寸。因此，包括在第一发光元件R中的开口440的尺寸可以大于包括在第二发光元件G中的开口440的尺寸。
开口440可以与第一台阶部321、第二台阶部322以及平坦部320重叠。即，一个开口440可以与第一台阶部321、第二台阶部322以及平坦部320全部重叠。通过开口440，发光层600和绝缘膜300可以接触。另外，像素电极400的上面和绝缘膜300的平坦部320的上面可以位于相同的水平面上。因此，发光层600的底面可以在像素电极400之上平坦地配置，并可以减少漫反射现象。
根据布线800的形状，开口440在第二方向D2上的长度h3可以小于在第一方向D1上的长度h4。第一方向D1可以是布线800延伸的方向，第二方向D2可以是与布线800延伸的方向正交的方向。可以根据布线800的宽度不同地形成开口440在第二方向D2上的长度h3。即，开口440的尺寸可以根据布线800的种类而改变。
在绝缘膜300以及像素电极400之上可以配置有像素界定膜500。像素界定膜500可以与像素电极400的一部分重叠。像素界定膜500可以通过开口部510吸收从外部进入的外部光，并可以还吸收被像素电极400反射而发射的光。
像素界定膜500具有与像素电极400重叠的开口部510。像素界定膜500的开口部510可以限定与像素相对应的区域。开口部510可以在平面上具有多边形形态或者圆形形态，并可以具有多边形形态中的四边形、三角形、五边形、六边形、七边形、八边形等多边形形态。
像素界定膜500可以包含聚酰亚胺、聚丙烯酸酯、聚酰胺之类有机绝缘物质，但不限于此。
在像素电极400之上可以配置有发光层600。在发光层600和像素电极400之间可以追加配置有空穴注入层、空穴输送层，在发光层600和公共电极700之间可以追加配置有电子注入层以及电子输送层。
发光层600可以包含发射红色、绿色以及蓝色等的光的物质。发光层600可以包括发射具有第一波长的光的第一发光层600R、发射具有第二波长的光的第二发光层600G以及发射具有第三波长的光的第三发光层600B。作为一例，具有所述第一波长的光可以呈现红色，具有所述第二波长的光可以呈现绿色，具有所述第三波长的光可以呈现蓝色。
发光层600也可以具有发射彼此不同颜色的光的多个有机物质层叠的结构。或者，发光层600可以包含发射红色、绿色以及蓝色等的光的无机物质。
在发光层600之上可以配置有传递公共电压的公共电极700。公共电极700可以包含铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)之类透明导电物质。公共电极700也可以层叠钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)等金属来形成为具有透光性。
像素电极400、发光层600以及公共电极700可以构成发光二极管即发光元件D。像素电极400可以是空穴注入电极即阳极(anode)，公共电极700可以是电子注入电极即阴极(cathode)。与此相反地，像素电极400可以是阴极，公共电极700也可以是阳极。空穴和电子可以分别从像素电极400以及公共电极700向发光层600内部注入。当注入的空穴和电子复合的激子(exciton)从激发态跃迁到基态时，发光元件D可以发光。
虽然附图中未示出，但在公共电极700之上可以配置有薄膜封装层。薄膜封装层可以包括多个无机层或者包括无机层和有机层层叠的结构。
图13是根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。图14是沿图13的IV-IV'线截取的截面图。
参照图13以及图14，显示装置17的开口440可以包括第一开口450以及第二开口460。第一开口450可以与第一台阶部321重叠，第二开口460可以与第二台阶部322重叠。即，第一开口450以及第二开口460分别与第一台阶部321以及第二台阶部322重叠，从而可以去除绝缘膜300导致的像素电极400的台阶部分。
在形成像素电极400时，可以去除像素电极400的所述台阶部分。换句话说，在形成像素电极400的图案化工艺中可以去除与绝缘膜300的第一台阶部321以及第二台阶部322重叠的像素电极400的一部分。由此，可以防止漫反射现象。
当像素电极400包括第一开口450以及第二开口460时，位于平坦部320之上的像素电极400的上面和其余部分的上面可以位于相同的水平面上。即，从平坦部320到像素电极400的上面的高度h7可以小于从绝缘膜300到像素电极400的上面的高度h8。因此，发光层600的底面可以平坦地配置在像素电极400之上，可以减少漫反射现象。
将第一开口450以及第二开口460的面积加起来的面积可以小于与第一台阶部321、第二台阶部322以及平坦部320全部重叠的一个开口440的面积(参照图11)。因此，第一开口450以及第二开口460对发光元件的影响可能更小。
图15是根据一实施例的显示装置的平面图。
参照图15，显示装置18的像素电极400可以包括开口440。开口440的形状可以是圆形以及四边形中的一个。参照图11，开口440的形状可以是四边形。参照图15，开口440的形状可以是圆形。可以考虑布线800的形状来形成开口440。换句话说，根据布线800的形状，开口440在第二方向D2上的长度h3可以小于在第一方向D1上的长度h4。因此，开口440的形状可以是在第一方向D1上长的椭圆形。然而，开口440的形状不限于此。
图16是根据一实施例的显示装置的截面图。
参照图16，显示装置19可以在绝缘膜300和像素电极400之间还包括低反射层900。低反射层900可以与像素电极400整体重叠。可以是，低反射层900形成为单层，并包含反射率低的材料。反射率低的材料可以是金属。例如，反射率低的材料可以是Mo、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、W以及包含其的一个以上的合金(Alloy)。低反射层900的反射率可以低于像素电极400的反射率。
低反射层900可以通过像素电极400的开口440暴露。由于开口440，可以消除像素电极400的台阶部分，由此，通过开口部510进入的外部光可以到达低反射层900。外部光可以被低反射层900大部分吸收。因此，当还包括低反射层900时，可以进一步减少漫反射现象。
图17是根据一实施例的显示装置的平面图。
参照图17，显示装置20的像素电极400可以包括开口440。包括在参照图10至图16说明的显示装置16、17、18、19中的结构也可以同样适用于图17的显示装置20。另外，在上面对图17的显示装置20中的与显示装置16、17、18、19相同的结构已经进行了说明，因此在下面省略。
开口440的形状可以是开口440的一个边开放的形状。即，可以是只有开口440的三个边被像素电极400包围。在一实施例中，像素电极400的开口440可以是向第一方向D1开放的形状。然而，开口440的形状不限于此，在另一实施例中，像素电极400的开口440可以是向与第一方向D1相反方向即第三方向D3开放的形状。第一方向D1以及第三方向D3可以是布线800延伸的方向。另外，开口440也可以是向第一方向D1以及第三方向D3两方向开放的形状。
(产业上可利用性)
根据本发明的示例性实施例的显示装置可以适用于包括在电脑、笔记本电脑、移动电话、智能电话、智能平板、PMP、PDA、MP3播放器等中的显示装置。
在上述中，虽然参照本发明的实施例进行了说明，但在所属技术领域中具有通常知识的人应能理解在不脱离权利要求书中记载的本发明的构思和领域的范围内可以以多种方式修改及变更本发明。

Claims (20)

1.一种显示装置，其中，包括：
基板；
薄膜晶体管，位于所述基板之上；
绝缘膜，位于所述薄膜晶体管之上并包括接触孔；
像素电极，与所述接触孔的一部分重叠并位于所述绝缘膜之上；以及
发光层，位于所述像素电极之上，
所述像素电极包括：
第一部分，与所述发光层重叠；
第二部分，与所述接触孔的下方面的一部分重叠；以及
第三部分，从所述第一部分向所述第二部分延伸。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述接触孔贯通所述绝缘膜，
所述接触孔的所述下方面使得所述薄膜晶体管的一部分暴露。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第二部分作为所述像素电极的一端而配置在所述接触孔的所述下方面。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述接触孔在平面上位于远离所述发光层的第一方向上，
所述接触孔在所述第一方向上的长度大于所述接触孔在与所述第一方向交叉的第二方向上的长度。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述接触孔的形状为椭圆形。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述接触孔的形状为水滴形态。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第二部分通过所述接触孔与所述薄膜晶体管接触。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述薄膜晶体管包括：
活性层；
栅极电极，位于所述活性层之上；以及
源极电极及漏极电极，位于所述栅极电极上，并与所述活性层电连接，
所述第二部分与所述源极电极以及所述漏极电极中的至少一个重叠。
9.一种显示装置，其中，包括：
基板；
薄膜晶体管，位于所述基板之上；
绝缘膜，位于所述薄膜晶体管之上并包括接触孔；
像素电极，与所述接触孔重叠并位于所述绝缘膜之上；以及
发光层，位于所述像素电极之上，
所述接触孔在平面上位于远离所述发光层的第一方向上，
所述接触孔在所述第一方向上的长度大于所述接触孔在与所述第一方向交叉的第二方向上的长度。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述接触孔的形状为椭圆形。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述接触孔的形状为水滴形态。
12.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述接触孔的侧面和所述接触孔的下方面之间的至少一部分的角度为170度以上。
13.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述接触孔贯通所述绝缘膜，所述像素电极通过所述接触孔与所述薄膜晶体管接触。
14.一种显示装置，其中，包括：
基板；
布线，位于所述基板之上；
绝缘膜，位于所述布线之上，并包括与所述布线重叠的平坦部以及位于所述平坦部的两侧的第一台阶部及第二台阶部；
像素电极，位于所述绝缘膜之上并包括至少一个开口；以及
发光层，位于所述像素电极之上，
所述至少一个开口与所述平坦部、所述第一台阶部以及所述第二台阶部中的至少一个重叠。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，
从所述基板到所述平坦部的上面的高度大于从所述基板到与所述像素电极重叠的所述绝缘膜的上面的高度。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，
所述至少一个开口与所述第一台阶部、所述第二台阶部以及所述平坦部重叠。
17.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，
所述至少一个开口包括第一开口以及第二开口，
所述第一开口以及所述第二开口分别与所述第一台阶部以及所述第二台阶部重叠。
18.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，
所述至少一个开口的形状为圆形以及四边形中的一个。
19.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还包括：
低反射层，配置在所述绝缘膜和所述像素电极之间，并与所述至少一个开口重叠。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其特征在于，
所述低反射层包含金属，
所述低反射层的反射率低于所述像素电极的反射率。
CN202111174926.9A 2020-10-15 2021-10-09 显示装置 Pending CN114373788A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0133313 2020-10-15
KR1020200133313A KR20220050265A (ko) 2020-10-15 2020-10-15 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114373788A true CN114373788A (zh) 2022-04-19

Family

ID=81138754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111174926.9A Pending CN114373788A (zh) 2020-10-15 2021-10-09 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220123080A1 (zh)
KR (1) KR20220050265A (zh)
CN (1) CN114373788A (zh)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3355143B2 (ja) * 1998-12-22 2002-12-09 松下電器産業株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
KR20160066112A (ko) * 2014-12-01 2016-06-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220050265A (ko) 2022-04-25
US20220123080A1 (en) 2022-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111129270B (zh) 微型led显示装置
CN110875438B (zh) 发光显示装置
US9666829B2 (en) Organic electroluminescent display device
US20210074731A1 (en) Array substrate, display panel and display device
JP6761020B2 (ja) 有機発光表示装置
US10763455B2 (en) Electroluminescent display device
US12004375B2 (en) Pixel defining layer, organic light-emitting diode display panel, and manufacturing method thereof
KR102492199B1 (ko) 표시 장치
WO2021239127A1 (zh) 柔性显示面板及其制备方法和显示装置
US11232755B2 (en) Display substrate and manufacturing method therefor, and display device
CN111684602B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板
KR20220051065A (ko) 표시 장치
US11145697B2 (en) Organic light emitting display device
WO2024000995A1 (zh) 显示面板及其制备方法和显示装置
CN215955282U (zh) 显示面板及其显示装置
WO2022217880A1 (zh) 显示面板及其显示装置
CN114373788A (zh) 显示装置
US20240213425A1 (en) Display substrate and display device
US20240032360A1 (en) Light-emitting display device and method of manufacturing the same
CN115398637B (zh) 显示基板及显示装置
US20240147820A1 (en) Display device and method of fabricating the same
US20230209925A1 (en) Display substrate and display device
KR20220161618A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20220031280A (ko) 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
CN115513225A (zh) 一种显示基板、显示基板的制备方法及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination