CN114371391A - 多参数霍尔集成电路高低温测试方法、装置及存储介质 - Google Patents

多参数霍尔集成电路高低温测试方法、装置及存储介质 Download PDF

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CN114371391A CN202210282787.XA CN202210282787A CN114371391A CN 114371391 A CN114371391 A CN 114371391A CN 202210282787 A CN202210282787 A CN 202210282787A CN 114371391 A CN114371391 A CN 114371391A
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Abstract

本发明提供一种多参数霍尔集成电路高低温测试方法、装置及存储介质，接收用户的多参数温度数据，基于最高温参数值、最低温参数值以及精密度信息值生成温度变化率；将霍尔集成电路置于高低温试验箱内进行测试，基于温度变化率对霍尔集成电路所处的温度环境进行控制，对霍尔集成电路在每个时刻输出的测试电能信息进行采集生成电能时间序列，对高低温试验箱内每个时刻的温度信息进行采集生成温度时间序列；根据预设温度点确定温度时间序列相对应的第一时刻，确定电能时间序列中与第一时刻对应的第二时刻；提取电能时间序列中与所述第二时刻对应的测试电能信息，若判断所有测试电能信息与相应的标准电能信息相对应，则霍尔集成电路通过高低温测试。

Description

多参数霍尔集成电路高低温测试方法、装置及存储介质
技术领域
本发明涉及集成电路测试技术领域，尤其涉及一种多参数霍尔集成电路高低温测试方法装置及存储介质。
背景技术
霍尔集成电路是霍尔元件与电子线路一体化的产品，它是由霍尔元件、放大器、温度补偿电路和稳压电路利用集成电路工艺技术制成的。它能感知一切与磁有关的物理量，又能输出相关的电控信息，所以霍尔集成电路既是一种集成电路，又是一种磁敏传感器。
温度对于霍尔集成电路的输出具有较大的影响，在霍尔集成电路出厂前需要对其在不同的温度下进行测试，对霍尔集成电路在不同的温度下进行测试即需要构建不同的测试温度环境，如何提高将霍尔集成电路在不同的温度下进行测试即决定了霍尔集成电路出厂的效率，所以，亟需一种技术方案，能够高效的将霍尔集成电路在不同的温度下进行测试。
发明内容
本发明实施例提供一种多参数霍尔集成电路高低温测试方法、装置及存储介质。能够根据不同霍尔集成电路的测试需求对高低温试验箱采取不同的温度控制方式，并且基于时间序列的方式快速锚定相对应的标准电能信息和测试电能信息，完成信息的比对、霍尔集成电路的测试，效率较高。
本发明实施例的第一方面，提供一种多参数霍尔集成电路高低温测试方法，包括：
接收用户的多参数温度数据、精密度信息值以及磁场强度信息值，所述多参数温度数据至少包括最高温参数值以及最低温参数值，基于所述最高温参数值、最低温参数值以及精密度信息值生成温度变化率；
将霍尔集成电路置于高低温试验箱内进行测试，根据所述磁场强度信息值在所述高低温试验箱内建立相应强度的磁场，基于所述温度变化率对霍尔集成电路所处的环境温度进行控制，对霍尔集成电路在每个时刻输出的测试电能信息进行采集生成电能时间序列，对高低温试验箱内每个时刻的温度信息进行采集生成温度时间序列；
获取用户的标准电能数据，所述标准电能数据包括在多个预设温度点以及多个预设温度点所对应的标准电能信息；
根据所述预设温度点确定温度时间序列相对应的第一时刻，所述第一时刻为温度时间序列中所有与预设温度点相同温度的时刻，确定电能时间序列中与所述第一时刻对应的第二时刻；
提取电能时间序列中与所述第二时刻对应的测试电能信息，若判断所有测试电能信息与相应的标准电能信息相对应，则霍尔集成电路通过高低温测试。
可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，接收用户的多参数温度数据、精密度信息值以及磁场强度信息值，所述多参数温度数据至少包括最高温参数值以及最低温参数值，基于所述最高温参数值、最低温参数值以及精密度信息值生成温度变化率包括：
通过以下公式计算温度变化率，
Figure 191585DEST_PATH_IMAGE001
其中，
Figure 733424DEST_PATH_IMAGE002
为温度变化率，
Figure 232539DEST_PATH_IMAGE003
为温度权重值，
Figure 859829DEST_PATH_IMAGE004
为最高温参数值，
Figure 305854DEST_PATH_IMAGE005
为最低温参数值，
Figure 702200DEST_PATH_IMAGE006
为基准时间值，
Figure 637795DEST_PATH_IMAGE007
为精密度信息值。
可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，将霍尔集成电路置于高低温试验箱内进行测试，根据所述磁场强度信息值在所述高低温试验箱内建立相应强度的磁场，基于所述温度变化率对霍尔集成电路所处的环境温度进行控制包括：
将高低温试验箱内的温度通过制冷装置达到最低温参数值；
在将霍尔集成电路置于高低温试验箱内进行测试，根据所述磁场强度信息值在所述高低温试验箱内建立相应强度的磁场后，控制所述制冷装置停止制冷；
基于所述温度变化率确定高低温试验箱内制热装置在单位时间内的制热效率，
Figure 752382DEST_PATH_IMAGE009
其中，
Figure 736518DEST_PATH_IMAGE010
为高低温试验箱内制热装置在单位时间内的制热效率，
Figure 518530DEST_PATH_IMAGE011
为高低温试验箱内气体的比热容，
Figure 359447DEST_PATH_IMAGE012
为高低温试验箱内气体的密度，
Figure 961329DEST_PATH_IMAGE013
为高低温试验箱内气体的体积，
Figure DEST_PATH_IMAGE014
为霍尔集成电路的比热容，
Figure 545894DEST_PATH_IMAGE015
为霍尔集成电路的质量，
Figure DEST_PATH_IMAGE016
为热损耗系数值；
基于所述制热效率控制制热装置按照相应的制热功率工作，每个制热装置预先设置有与其对应的不同等级的制热功率。
可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，根据所述预设温度点确定温度时间序列相对应的第一时刻，所述第一时刻为温度时间序列中所有与预设温度点相同温度的时刻包括：
确定温度时间序列中与所述预设温度点对应的第一时刻，对每个第一时刻添加第一温度标签，所述第一温度标签与预设温度点相对应，所述第一时刻至少包括一个；
确定电能时间序列中与所述第一时刻对应的第二时刻，提取电能时间序列中与所述第二时刻对应的测试电能信息包括：
确定电能时间序列中与所述第一时刻对应的第二时刻，将第一时刻所对应的第一温度标签添加至与其对应的第二时刻。
可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，提取电能时间序列中与所述第二时刻对应的测试电能信息，若判断所有测试电能信息与相应的标准电能信息相对应，则霍尔集成电路通过高低温测试包括：
提取电能时间序列中与所述第二时刻对应的测试电能信息，根据第二时刻所对应的第一温度标签进行溯源，确定相对应的预设温度点；
统计具有与同一个预设温度点所对应的所有第二时刻，以及该所有第二时刻所对应的测试电能信息，根据第二时刻的数量、预设温度点对应的标准电能信息、该预设温度点所对应的第二时刻所对应的测试电能信息得到相应的第一误差值；
统计所有预设温度点所对应的第一误差值，若所有第一误差值均小于预设误差值，则霍尔集成电路通过高低温测试。
可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，统计具有与同一个预设温度点所对应的所有第二时刻，以及该所有第二时刻所对应的测试电能信息，根据第二时刻的数量、预设温度点对应的标准电能信息、该预设温度点所对应的第二时刻所对应的测试电能信息得到相应的第一误差值包括：
通过以下公式计算每个预设温度点的第一误差值，
Figure 651254DEST_PATH_IMAGE017
其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE018
为第
Figure 474458DEST_PATH_IMAGE019
个预设温度点的第一误差值，
Figure DEST_PATH_IMAGE020
为第
Figure 829216DEST_PATH_IMAGE019
个预设温度点所对应的第
Figure 420734DEST_PATH_IMAGE021
个第二时刻的测试电能信息，
Figure DEST_PATH_IMAGE022
为第
Figure 442917DEST_PATH_IMAGE019
个预设温度点所对应的第二时刻的上限值，
Figure 625637DEST_PATH_IMAGE023
为标准电能信息，
Figure DEST_PATH_IMAGE024
为第一误差权重值。
可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，还包括：
获取所有预设温度点的第一误差值，基于所述第一误差值、精密度信息值计算总误差值；
通过以下公式计算总误差值，
Figure 936532DEST_PATH_IMAGE025
其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE026
为总误差值，
Figure 659638DEST_PATH_IMAGE007
为精密度信息值，
Figure 942851DEST_PATH_IMAGE027
为第
Figure DEST_PATH_IMAGE028
个预设温度点的第一误差值，
Figure 358789DEST_PATH_IMAGE029
为预设温度点的上限值，
Figure DEST_PATH_IMAGE030
为预设误差值，
Figure 891402DEST_PATH_IMAGE031
为第二误差权重值，
Figure DEST_PATH_IMAGE032
为预设温度点的数量值，
Figure 418198DEST_PATH_IMAGE033
为常数值；
若所述总误差值大于第二误差值，则输出第一提醒数据，所述第一提醒数据为霍尔集成电路未通过高低温测试。
可选地，在第一方面的一种可能实现方式中，还包括：
若存在第一误差值大于预设误差值，则输出第二提醒数据，所述第二提醒数据为霍尔集成电路未通过高低温测试。
本发明实施例的第二方面，提供一种多参数霍尔集成电路高低温测试装置，包括：
接收模块，用于接收用户的多参数温度数据、精密度信息值以及磁场强度信息值，所述多参数温度数据至少包括最高温参数值以及最低温参数值，基于所述最高温参数值、最低温参数值以及精密度信息值生成温度变化率；
测试采集模块，用于将霍尔集成电路置于高低温试验箱内进行测试，根据所述磁场强度信息值在所述高低温试验箱内建立相应强度的磁场，基于所述温度变化率对霍尔集成电路所处的环境温度进行控制，对霍尔集成电路在每个时刻输出的测试电能信息进行采集生成电能时间序列，对高低温试验箱内每个时刻的温度信息进行采集生成温度时间序列；
获取模块，用于获取用户的标准电能数据，所述标准电能数据包括在多个预设温度点以及多个预设温度点所对应的标准电能信息；
确定模块，用于根据所述预设温度点确定温度时间序列相对应的第一时刻，所述第一时刻为温度时间序列中所有与预设温度点相同温度的时刻，确定电能时间序列中与所述第一时刻对应的第二时刻；
判断模块，用于提取电能时间序列中与所述第二时刻对应的测试电能信息，若判断所有测试电能信息与相应的标准电能信息相对应，则霍尔集成电路通过高低温测试。
本发明实施例的第三方面，提供一种存储介质，所述存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时用于实现本发明第一方面及第一方面各种可能设计的所述方法。
本发明提供的一种多参数霍尔集成电路高低温测试方法、装置及存储介质。可以根据被测试的霍尔集成电路的测试需求、精密度情况对高低温试验箱采取不同的温度控制方式，使得高低温试验箱在对霍尔集成电路进行测试时产生不同的温度变化率，使得高低温试验箱内的温度的变化更适合当前的测试场景。本发明在统计测试数据时，会按照时间序列的方式进行采集，并且根据电能时间序列以及温度时间序列进行标准电能信息、测试电能信息的对应、比对，使得在不同温度、预设温度点的情况下将相对应的标准电能信息和测试电能信息进行自动化的比对，相较于传统的人工比对方式具有效率高的优势。
本发明提供的技术方案，可以根据最高温参数值、最低温参数值、精密度信息值得到温度变化率，并且根据所得到的温度变化率、各个物质的比热容、体积、质量等因素确定制热装置的制热功率，使得制热装置在相应的功率下能够对相应的霍尔集成电路得到相应的制热效果，该种方式，使得本发明可以在不同规格的高低温试验箱、霍尔集成电路进行测试时，都能根据用户的测试需求自动确定最优的制热功率，该制热功率能够满足用户对温度变化率的要求，使对霍尔集成电路完成的测试更加的准确，无需人工调整制热功率，使测试的完成效率较高。
本发明提供的技术方案，会通过第一温度标签作为标记在温度时间序列和电能时间序列进行对应，确定测试电能信息与标准电能信息相对应的至少一个第二时刻，然后根据第二时刻的数量、每个第二时刻中测试电能信息与标准电能信息的差值得到相应的第一误差值，该第一误差值能够反映出同一个预设温度点下多个第二时刻所对应的测试电能信息与标准电能信息之间的差值关系，进而使第一误差值确定的更加精准。本发明不仅会通过第一误差值确定霍尔集成电路是否误差较大，同时会综合考量所有预设温度点下的总误差值，当总误差值较大时，则也会输出相应的第一提醒数据，判定霍尔集成电路未通过高低温测试，使得本发明在对霍尔集成电路进行测试时，所测试的参考维度较多。
附图说明
图1为多参数霍尔集成电路高低温测试方法的第一种实施方式的流程图；
图2为多参数霍尔集成电路高低温测试方法的第二种实施方式的流程图；
图3为多参数霍尔集成电路高低温测试方法的第三种实施方式的流程图；
图4为多参数霍尔集成电路高低温测试装置的第一种实施方式的结构图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等（如果存在）是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
应当理解，在本发明的各种实施例中，各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
应当理解，在本发明中，“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
应当理解，在本发明中，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“包含A、B和C”、“包含A、B、C”是指A、B、C三者都包含，“包含A、B或C”是指包含A、B、C三者之一，“包含A、B和/或C”是指包含A、B、C三者中任1个或任2个或3个。
应当理解，在本发明中，“与A对应的B”、“与A相对应的B”、“A与B相对应”或者“B与A相对应”，表示B与A相关联，根据A可以确定B。根据A确定B并不意味着仅仅根据A确定B，还可以根据A和/或其他信息确定B。A与B的匹配，是A与B的相似度大于或等于预设的阈值。
取决于语境，如在此所使用的“若”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”或“响应于检测”。
下面以具体地实施例对本发明的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
本发明提供一种多参数霍尔集成电路高低温测试方法，如图1所示，包括：
步骤S110、接收用户的多参数温度数据、精密度信息值以及磁场强度信息值，所述多参数温度数据至少包括最高温参数值以及最低温参数值，基于所述最高温参数值、最低温参数值以及精密度信息值生成温度变化率。本发明提供的技术方案，会通过输入设备接收用户的多参数温度数据，多参数温度数据可以是被测试的霍尔集成电路所需要的测试的温度值，例如一个霍尔集成电路需要在-10度、10度以及30度完成参数的测试，则此时多参数温度数据既包括了-10度、10度以及30度，最高温参数值即为-10度、10度以及30度中的最高值30度，最低温参数值即为-10度、10度以及30度中的最低值-10度。精密度信息值可以是用来评价该霍尔集成电路所需要的的精密度需求，精密度需求越大，则相对应的精密度信息值越大。
本发明提供的技术方案会根据最高温参数值、最低温参数值以及精密度信息值生成温度变化率信息，温度变化率信息可以理解为单位时间的温度变化率，温度变化率信息即反应的是温度和时间的变化关系，单位时间可以是1秒、1分钟等等。当精密度信息越高时，则在每个温度所需要的测试周期越长，此时相对应的温度变化率信息越低。
本发明提供的技术方案，步骤S110具体包括：
通过以下公式计算温度变化率，
Figure 555918DEST_PATH_IMAGE035
其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE036
为温度变化率，
Figure 142758DEST_PATH_IMAGE003
为温度权重值，
Figure 631508DEST_PATH_IMAGE004
为最高温参数值，
Figure 902608DEST_PATH_IMAGE005
为最低温参数值，
Figure 222731DEST_PATH_IMAGE006
为基准时间值，
Figure 183733DEST_PATH_IMAGE007
为精密度信息值。
通过
Figure 894200DEST_PATH_IMAGE037
可以得到对霍尔集成电路进行测试时的温度区间，当温度区间越大时，则相对应的温度变化率越高，基准时间值
Figure 966062DEST_PATH_IMAGE006
可以是预先设置的，温度权重值
Figure 406270DEST_PATH_IMAGE003
可以是根据不同温度区间的范围进行调整、设置的。当精密度信息值
Figure 272595DEST_PATH_IMAGE007
越大时，则相对应的
Figure DEST_PATH_IMAGE038
越大，此时温度变化率越小，高低温试验箱内温度区间的每个温度所处的时间越长，此时在每个温度所得的时刻就越多，相对应的测试电能信息对应的第二时刻就越多，此时所进行测试计算的样本就越多，提高了霍尔集成测试时的准确性，满足相应的精度要求。
步骤S120、将霍尔集成电路置于高低温试验箱内进行测试，根据所述磁场强度信息值在所述高低温试验箱内建立相应强度的磁场，基于所述温度变化率对霍尔集成电路所处的环境温度进行控制，对霍尔集成电路在每个时刻输出的测试电能信息进行采集生成电能时间序列，对高低温试验箱内每个时刻的温度信息进行采集生成温度时间序列。高低温试验箱可以是现有的，一般来说，高低温试验箱一般都会包括制冷装置和制热装置，通过制冷装置和制热装置能够控制高低温试验箱内的温度。
本发明会在高低温试验箱内建立相应的磁场，该磁场可以是由磁场发生设备产生，磁场发生设备可以是集成于高低温试验箱内部，磁场发生设备受控于控制设备建立与磁场强度信息值对应的磁场。由于本申请中主要是关于对霍尔集成电路进行温度的测试，所以对于磁场的生成不做过多介绍，可以是采用现有技术实现。
由于不同的霍尔集成电路可能需要不同的测试精度，所以本发明会根据步骤S110所得到的温度变化率对高低温试验箱进行控制，使得高低温试验箱内的温度环境是按照温度变化率的规律进行变化的。
本发明提供的技术方案，步骤S120具体包括：
将高低温试验箱内的温度通过制冷装置达到最低温参数值。一般来说，本发明在通过高低温试验箱对霍尔集成电路进行测试时，会首先控制制冷装置将高低温试验箱内的温度达到最低温参数值，使高低温试验箱内得温度从低至高进行改变，因为在温度变化的控制过程中，制热装置更易于控制，可以对制热装置的制热丝、制热管等设备添加相应的功率即可使其释放相应的热量，易于控制。
本发明可以通过设置于高低温试验箱内的温度传感器或者是高低温试验箱本身具有的传感器采集高低温试验箱内的温度。当温度传感器检测到高低温试验箱内的温度达到最低温参数值后，此时即可以对霍尔集成电路进行测试。
在将霍尔集成电路置于高低温试验箱内进行测试，根据所述磁场强度信息值在所述高低温试验箱内建立相应强度的磁场后，控制所述制冷装置停止制冷。本发明提供的技术方案，在霍尔集成电路置于高低温试验箱内进行测试后，此时只需要制热装置进行加热即可对霍尔集成电路完成测试，所以此时需要控制制冷装置停止制冷。
基于所述温度变化率确定高低温试验箱内制热装置在单位时间内的制热效率，
Figure 267096DEST_PATH_IMAGE009
其中，
Figure 142648DEST_PATH_IMAGE010
为高低温试验箱内制热装置在单位时间内的制热效率，
Figure 171784DEST_PATH_IMAGE011
为高低温试验箱内气体的比热容，
Figure 209010DEST_PATH_IMAGE012
为高低温试验箱内气体的密度，
Figure 956386DEST_PATH_IMAGE013
为高低温试验箱内气体的体积，
Figure 573312DEST_PATH_IMAGE014
为霍尔集成电路的比热容，
Figure 456955DEST_PATH_IMAGE015
为霍尔集成电路的质量，
Figure 196241DEST_PATH_IMAGE016
为热损耗系数值。
高低温试验箱在对霍尔集成电路进行加热时，霍尔集成电路的温度变化会跟其自身的质量、比热容、所处环境中气体的比热容、气体的质量存在一定的关系，所以本发明会根据
Figure 165334DEST_PATH_IMAGE039
得到在单位时间内变化相应的温度
Figure 320371DEST_PATH_IMAGE036
时气体所需要的加热的热量值，根据
Figure DEST_PATH_IMAGE040
得到在单位时间内变化相应的温度
Figure 120837DEST_PATH_IMAGE036
时霍尔集成电路所需要的加热的热量值，热损耗系数值
Figure 502796DEST_PATH_IMAGE016
可以根据高低温试验箱的实际规格不同进行设置，如果高低温试验箱的热损耗越大，则热损耗系数值
Figure 162447DEST_PATH_IMAGE016
越大，通过热损耗系数值
Figure 917913DEST_PATH_IMAGE016
可以起到补偿的作用，控制制热效率进行相应的提高。
基于所述制热效率控制制热装置按照相应的制热功率工作，每个制热装置预先设置有与其对应的不同等级的制热功率。在确定制热效率后，可以得到相应的制热功率，制热效率可以理解为是单位时间所产生相应焦耳的热量，使得高低温试验箱内空气的温度变化、霍尔集成电路的温度变化满足相应的温度变化率的需求。不同的制热装置其功率与所产生的热量都是出厂时预先设置的好的，所以本发明可以将制热装置的制热功率与相应制热效率进行匹配，得到相应的制热功率，进而实现对制热装置的控制。
本发明提供的技术方案，在通过高低温试验箱对霍尔集成电路进行测试后，会通过温度传感器采集高低温试验箱内每个时刻、时间点的温度得到相对应的温度时间序列，温度时间序列包括如时间点1对应-10度、时间点5对应-8度等等。温度时间序列中具有在霍尔集成电路在每个时间点处的温度值。并且会通过一个信号接收装置与霍尔集成电路的输出端连接，该信号接收装置可以是基于PLC实现，通过信号接收装置可以接收霍尔集成电路所输出的电能信息。本发明可以通过信号接收装置收集到相应的电能时间序列，电能时间序列即为在通过高低温试验箱对霍尔集成电路进行测试时，信号接收装置统计的每个时刻、时间点的所对应的电能信息，电能时间序列包括如时间点1对应电能信息0.11安培、0.11伏特，时间点5对应0.33安培、0.33伏特等等。
步骤S130、获取用户的标准电能数据，所述标准电能数据包括在多个预设温度点以及多个预设温度点所对应的标准电能信息。标准电能数据可以是用户预先设置的，用户可以根据每个霍尔集成电路的工艺不同、使用方式不同设置相应的标准电能数据，标准电能数据包括在预设温度点所对应的标准电能信息。例如，一个霍尔集成电路在测试时需要在-10度、10度的温度下完成测试，合格的霍尔集成电路在-10度的温度下输出的电压是0.12伏特、10度的温度下输出的电压是0.24伏特，此时预设温度点即为-10度、10度，预设温度点-10度对应的标准电能信息即为0.12伏特，预设温度点10度对应的标准电能信息即为0.24伏特。对于标准电能数据中预设温度点的数量、标准电能信息的数值本发明不做任何限定。
步骤S140、根据所述预设温度点确定温度时间序列相对应的第一时刻，所述第一时刻为温度时间序列中所有与预设温度点相同温度的时刻，确定电能时间序列中与所述第一时刻对应的第二时刻。本发明提供的技术方案，会首先选取预设温度点所对应的温度时间序列相对应的第一时刻，因为温度时间序列中可能会存在多个具有相同预设温度点的第一时刻，例如温度时间序列中时刻1和时刻2分别为-10度，预设温度点为-10度，则此时所确定的第一时刻即为时刻1和时刻2。由于电能时间序列与温度时间序列中的时序值是相同的，所以本发明会根据所得到的第一时刻确定电能时间序列中的第二时刻，此时电能时间序列中的第二时刻所处的温度也是-10度。
本发明提供的技术方案，如图2所示，步骤S140具体包括：
步骤S1401、确定温度时间序列中与所述预设温度点对应的第一时刻，对每个第一时刻添加第一温度标签，所述第一温度标签与预设温度点相对应，所述第一时刻至少包括一个。本发明会对每个第一时刻添加相对应的第一温度标签，则此时时刻1和时刻2会分别添加-10度的标签。
步骤S1402、确定电能时间序列中与所述第一时刻对应的第二时刻，将第一时刻所对应的第一温度标签添加至与其对应的第二时刻。本发明在确定相对应的第二时刻后，也会对相对应的第二时刻添加第一温度标签，则此时第二时刻所对应的时刻1和时刻2也会分别添加-10度的标签。
在一个可能的实施方式中，电能时间序列与温度时间序列在时间维度上是同步的，所以电能时间序列与温度时间序列的开启时间和结束时间分别对应，即分别具有相对应的时刻1和时刻2。
步骤S150、提取电能时间序列中与所述第二时刻对应的测试电能信息，若判断所有测试电能信息与相应的标准电能信息相对应，则霍尔集成电路通过高低温测试。本发明会确定第二时刻对应的测试电能信息，此时第二时刻的测试电能信息可能是电能时间序列中时刻1和时刻2分别对应的电能信息，测试电能信息可以是0.12伏特、0.12伏特。当判断所有测试电能信息与相应的标准电能信息相对应，则霍尔集成电路通过高低温测试，相对应可以是测试电能信息与相应的标准电能信息相同，也可以是测试电能信息与相应的标准电能信息的差值小于预设值。当时刻1和时刻2所对应的标准电能信息分别为0.12、电能时间序列中时刻1和时刻2分别对应的测试电能信息也是0.12，则此时可以认为测试电能信息与相应的标准电能信息相同，霍尔集成电路通过高低温测试。
本发明提供的技术方案，如图3所示，步骤S150具体包括：
步骤S1501、提取电能时间序列中与所述第二时刻对应的测试电能信息，根据第二时刻所对应的第一温度标签进行溯源，确定相对应的预设温度点。本发明，在确定第二时刻对应的测试电能信息后，即可将该测试电能信息与标准电能信息进行比较，所以本发明需要通过第二时刻所对应的第一温度标签进行溯源，确定该第二时刻所对应的预设温度点。每个预设温度点具有相对应的标准电能信息，在确定预设温度点后，即可得到相应的标准电能信息，可以将相应的测试电能信息与标准电能信息进行比对。
步骤S1502、统计具有与同一个预设温度点所对应的所有第二时刻，以及该所有第二时刻所对应的测试电能信息，根据第二时刻的数量、预设温度点对应的标准电能信息、该预设温度点所对应的第二时刻所对应的测试电能信息得到相应的第一误差值。在对霍尔集成电路进行测试时，同一个温度可能会持续多个时刻，所以本发明会统计一个预设温度点所对应的所有第二时刻，进而得到相应的第一误差值。
在一个可能的实施方式中，本发明提供的技术方案，通过以下公式计算每个预设温度点的第一误差值，
Figure 776148DEST_PATH_IMAGE017
其中，
Figure 857237DEST_PATH_IMAGE018
为第
Figure 800922DEST_PATH_IMAGE019
个预设温度点的第一误差值，
Figure 297762DEST_PATH_IMAGE020
为第
Figure 10503DEST_PATH_IMAGE019
个预设温度点所对应的第
Figure 262493DEST_PATH_IMAGE021
个第二时刻的测试电能信息，
Figure 693474DEST_PATH_IMAGE022
为第
Figure 994006DEST_PATH_IMAGE019
个预设温度点所对应的第二时刻的上限值，
Figure 826832DEST_PATH_IMAGE023
为标准电能信息，
Figure 984144DEST_PATH_IMAGE024
为第一误差权重值。
当一个预设温度点所对应的第二时刻的数量越多时，则此时该相应预设温度点下所对应的测试电能信息的样本就越多，所以此时可以根据多个测试电能信息确定更加准确的第一误差值，通过
Figure 105684DEST_PATH_IMAGE041
可以得到多个测试电能信息与标准电能信息的差值的平均值，并且通过第一误差权重值能够对平均值进行修正，此时所得到的第一误差值更加的准确，符合当前霍尔集成电路的测试场景。
步骤S1503、统计所有预设温度点所对应的第一误差值，若所有第一误差值均小于预设误差值，则霍尔集成电路通过高低温测试。本发明会对所有预设温度点所对应的第一误差值进行统计，当所有第一误差值均小于预设误差值时，则证明在低温、高温等多个预设温度点下霍尔集成电路的输出均是符合误差要求的，所以此时霍尔集成电路通过高低温测试。
本发明提供的技术方案，还包括：
获取所有预设温度点的第一误差值，基于所述第一误差值、精密度信息值计算总误差值；
通过以下公式计算总误差值，
Figure 741065DEST_PATH_IMAGE025
其中，
Figure 693977DEST_PATH_IMAGE026
为总误差值，
Figure 22190DEST_PATH_IMAGE007
为精密度信息值，
Figure 365447DEST_PATH_IMAGE027
为第
Figure 335677DEST_PATH_IMAGE028
个预设温度点的第一误差值，
Figure 877517DEST_PATH_IMAGE029
为预设温度点的上限值，
Figure 579894DEST_PATH_IMAGE030
为预设误差值，
Figure 207184DEST_PATH_IMAGE031
为第二误差权重值，
Figure 452876DEST_PATH_IMAGE032
为预设温度点的数量值，
Figure 114802DEST_PATH_IMAGE033
为常数值。
通过
Figure DEST_PATH_IMAGE042
可以得到所有第一误差值与预设误差值之间的平均差值，当
Figure 784818DEST_PATH_IMAGE042
越大时，则总误差值越大，常数值
Figure 899404DEST_PATH_IMAGE033
可以是预先设置的。在一个可能的实时场景下，当所有第一误差值均小于预设误差值时，其中每个第一误差值与预设误差值都非常接近，则此时该霍尔集成电路也存在较大的问题，通过总误差值可以综合考虑所有第一误差值的数量大小，避免出现多个第一误差值较大的情况，并且总误差值与精密度信息值存在正相关。精密度信息值越大，则霍尔集成电路的要求越严格，此时总误差值也就越大。第二误差权重值可以是管理员、用户预先设置的。
若所述总误差值大于第二误差值，则输出第一提醒数据，所述第一提醒数据为霍尔集成电路未通过高低温测试。当总误差值大于第二误差值时，则证明此时霍尔集成电路的误差较大，为残次品，此时霍尔集成电路未通过高低温测试。
本发明提供的技术方案，还包括：
若存在第一误差值大于预设误差值，则输出第二提醒数据，所述第二提醒数据为霍尔集成电路未通过高低温测试。当第一误差值大于预设误差值时，则证明此时霍尔集成电路的误差较大，为残次品，此时霍尔集成电路未通过高低温测试。
本发明提供的技术方案，还提供一种多参数霍尔集成电路高低温测试装置，如图4所示，包括：
接收模块，用于接收用户的多参数温度数据、精密度信息值以及磁场强度信息值，所述多参数温度数据至少包括最高温参数值以及最低温参数值，基于所述最高温参数值、最低温参数值以及精密度信息值生成温度变化率；
测试采集模块，用于将霍尔集成电路置于高低温试验箱内进行测试，根据所述磁场强度信息值在所述高低温试验箱内建立相应强度的磁场，基于所述温度变化率对霍尔集成电路所处的环境温度进行控制，对霍尔集成电路在每个时刻输出的测试电能信息进行采集生成电能时间序列，对高低温试验箱内每个时刻的温度信息进行采集生成温度时间序列；
获取模块，用于获取用户的标准电能数据，所述标准电能数据包括在多个预设温度点以及多个预设温度点所对应的标准电能信息；
确定模块，用于根据所述预设温度点确定温度时间序列相对应的第一时刻，所述第一时刻为温度时间序列中所有与预设温度点相同温度的时刻，确定电能时间序列中与所述第一时刻对应的第二时刻；
判断模块，用于提取电能时间序列中与所述第二时刻对应的测试电能信息，若判断所有测试电能信息与相应的标准电能信息相对应，则霍尔集成电路通过高低温测试。
本发明还提供一种存储介质，所述存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时用于实现上述的各种实施方式提供的方法。
其中，存储介质可以是计算机存储介质，也可以是通信介质。通信介质包括便于从一个地方向另一个地方传送计算机程序的任何介质。计算机存储介质可以是通用或专用计算机能够存取的任何可用介质。例如，存储介质耦合至处理器，从而使处理器能够从该存储介质读取信息，且可向该存储介质写入信息。当然，存储介质也可以是处理器的组成部分。处理器和存储介质可以位于专用集成电路(Application Specific IntegratedCircuits，简称：ASIC)中。另外，该ASIC可以位于用户设备中。当然，处理器和存储介质也可以作为分立组件存在于通信设备中。存储介质可以是只读存储器（ROM）、随机存取存储器（RAM）、CD-ROM、磁带、软盘和光数据存储设备等。
本发明还提供一种程序产品，该程序产品包括执行指令，该执行指令存储在存储介质中。设备的至少一个处理器可以从存储介质读取该执行指令，至少一个处理器执行该执行指令使得设备实施上述的各种实施方式提供的方法。
在上述终端或者服务器的实施例中，应理解，处理器可以是中央处理单元（英文：Central Processing Unit，简称：CPU），还可以是其他通用处理器、数字信号处理器（英文：Digital Signal Processor，简称：DSP）、专用集成电路（英文：Application SpecificIntegrated Circuit，简称：ASIC）等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本发明所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件处理器执行完成，或者用处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种多参数霍尔集成电路高低温测试方法，其特征在于，包括：
接收用户的多参数温度数据、精密度信息值以及磁场强度信息值，所述多参数温度数据至少包括最高温参数值以及最低温参数值，基于所述最高温参数值、最低温参数值以及精密度信息值生成温度变化率；
将霍尔集成电路置于高低温试验箱内进行测试，根据所述磁场强度信息值在所述高低温试验箱内建立相应强度的磁场，基于所述温度变化率对霍尔集成电路所处的环境温度进行控制，对霍尔集成电路在每个时刻输出的测试电能信息进行采集生成电能时间序列，对高低温试验箱内每个时刻的温度信息进行采集生成温度时间序列；
获取用户的标准电能数据，所述标准电能数据包括在多个预设温度点以及多个预设温度点所对应的标准电能信息；
根据所述预设温度点确定温度时间序列相对应的第一时刻，所述第一时刻为温度时间序列中所有与预设温度点相同温度的时刻，确定电能时间序列中与所述第一时刻对应的第二时刻；
提取电能时间序列中与所述第二时刻对应的测试电能信息，若判断所有测试电能信息与相应的标准电能信息相对应，则霍尔集成电路通过高低温测试。
2.根据权利要求1所述的多参数霍尔集成电路高低温测试方法，其特征在于，
接收用户的多参数温度数据、精密度信息值以及磁场强度信息值，所述多参数温度数据至少包括最高温参数值以及最低温参数值，基于所述最高温参数值、最低温参数值以及精密度信息值生成温度变化率包括：
通过以下公式计算温度变化率，
Figure 673107DEST_PATH_IMAGE002
其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE003
为温度变化率，
Figure 425163DEST_PATH_IMAGE004
为温度权重值，
Figure DEST_PATH_IMAGE005
为最高温参数值，
Figure 654150DEST_PATH_IMAGE006
为最低温参数值，
Figure DEST_PATH_IMAGE007
为基准时间值，
Figure 590357DEST_PATH_IMAGE008
为精密度信息值。
3.根据权利要求2所述的多参数霍尔集成电路高低温测试方法，其特征在于，
将霍尔集成电路置于高低温试验箱内进行测试，根据所述磁场强度信息值在所述高低温试验箱内建立相应强度的磁场，基于所述温度变化率对霍尔集成电路所处的环境温度进行控制包括：
将高低温试验箱内的温度通过制冷装置达到最低温参数值；
在将霍尔集成电路置于高低温试验箱内进行测试，根据所述磁场强度信息值在所述高低温试验箱内建立相应强度的磁场后，控制所述制冷装置停止制冷；
基于所述温度变化率确定高低温试验箱内制热装置在单位时间内的制热效率，
Figure 320416DEST_PATH_IMAGE010
其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE011
为高低温试验箱内制热装置在单位时间内的制热效率，
Figure 661399DEST_PATH_IMAGE012
为高低温试验箱内气体的比热容，
Figure DEST_PATH_IMAGE013
为高低温试验箱内气体的密度，
Figure 185921DEST_PATH_IMAGE014
为高低温试验箱内气体的体积，
Figure DEST_PATH_IMAGE015
为霍尔集成电路的比热容，
Figure 612354DEST_PATH_IMAGE016
为霍尔集成电路的质量，
Figure DEST_PATH_IMAGE017
为热损耗系数值；
基于所述制热效率控制制热装置按照相应的制热功率工作，每个制热装置预先设置有与其对应的不同等级的制热功率。
4.根据权利要求1所述的多参数霍尔集成电路高低温测试方法，其特征在于，
根据所述预设温度点确定温度时间序列相对应的第一时刻，所述第一时刻为温度时间序列中所有与预设温度点相同温度的时刻包括：
确定温度时间序列中与所述预设温度点对应的第一时刻，对每个第一时刻添加第一温度标签，所述第一温度标签与预设温度点相对应，所述第一时刻至少包括一个；
确定电能时间序列中与所述第一时刻对应的第二时刻，提取电能时间序列中与所述第二时刻对应的测试电能信息包括：
确定电能时间序列中与所述第一时刻对应的第二时刻，将第一时刻所对应的第一温度标签添加至与其对应的第二时刻。
5.根据权利要求4所述的多参数霍尔集成电路高低温测试方法，其特征在于，
提取电能时间序列中与所述第二时刻对应的测试电能信息，若判断所有测试电能信息与相应的标准电能信息相对应，则霍尔集成电路通过高低温测试包括：
提取电能时间序列中与所述第二时刻对应的测试电能信息，根据第二时刻所对应的第一温度标签进行溯源，确定相对应的预设温度点；
统计具有与同一个预设温度点所对应的所有第二时刻，以及该所有第二时刻所对应的测试电能信息，根据第二时刻的数量、预设温度点对应的标准电能信息、该预设温度点所对应的第二时刻所对应的测试电能信息得到相应的第一误差值；
统计所有预设温度点所对应的第一误差值，若所有第一误差值均小于预设误差值，则霍尔集成电路通过高低温测试。
6.根据权利要求5所述的多参数霍尔集成电路高低温测试方法，其特征在于，
统计具有与同一个预设温度点所对应的所有第二时刻，以及该所有第二时刻所对应的测试电能信息，根据第二时刻的数量、预设温度点对应的标准电能信息、该预设温度点所对应的第二时刻所对应的测试电能信息得到相应的第一误差值包括：
通过以下公式计算每个预设温度点的第一误差值，
Figure DEST_PATH_IMAGE019
其中，
Figure 552628DEST_PATH_IMAGE020
为第
Figure DEST_PATH_IMAGE021
个预设温度点的第一误差值，
Figure 482538DEST_PATH_IMAGE022
为第
Figure 443541DEST_PATH_IMAGE021
个预设温度点所对应的第
Figure DEST_PATH_IMAGE023
个第二时刻的测试电能信息，
Figure 357270DEST_PATH_IMAGE024
为第
Figure 897973DEST_PATH_IMAGE021
个预设温度点所对应的第二时刻的上限值，
Figure DEST_PATH_IMAGE025
为标准电能信息，
Figure 213548DEST_PATH_IMAGE026
为第一误差权重值。
7.根据权利要求6所述的多参数霍尔集成电路高低温测试方法，其特征在于，还包括：
获取所有预设温度点的第一误差值，基于所述第一误差值、精密度信息值计算总误差值；
通过以下公式计算总误差值，
Figure DEST_PATH_IMAGE027
其中，
Figure 486397DEST_PATH_IMAGE028
为总误差值，
Figure 624773DEST_PATH_IMAGE008
为精密度信息值，
Figure DEST_PATH_IMAGE029
为第
Figure 500325DEST_PATH_IMAGE030
个预设温度点的第一误差值，
Figure DEST_PATH_IMAGE031
为预设温度点的上限值，
Figure 670407DEST_PATH_IMAGE032
为预设误差值，
Figure DEST_PATH_IMAGE033
为第二误差权重值，
Figure 114158DEST_PATH_IMAGE034
为预设温度点的数量值，
Figure DEST_PATH_IMAGE035
为常数值；
若所述总误差值大于第二误差值，则输出第一提醒数据，所述第一提醒数据为霍尔集成电路未通过高低温测试。
8.根据权利要求5所述的多参数霍尔集成电路高低温测试方法，其特征在于，还包括：
若存在第一误差值大于预设误差值，则输出第二提醒数据，所述第二提醒数据为霍尔集成电路未通过高低温测试。
9.一种多参数霍尔集成电路高低温测试装置，其特征在于，包括：
接收模块，用于接收用户的多参数温度数据、精密度信息值以及磁场强度信息值，所述多参数温度数据至少包括最高温参数值以及最低温参数值，基于所述最高温参数值、最低温参数值以及精密度信息值生成温度变化率；
测试采集模块，用于将霍尔集成电路置于高低温试验箱内进行测试，根据所述磁场强度信息值在所述高低温试验箱内建立相应强度的磁场，基于所述温度变化率对霍尔集成电路所处的环境温度进行控制，对霍尔集成电路在每个时刻输出的测试电能信息进行采集生成电能时间序列，对高低温试验箱内每个时刻的温度信息进行采集生成温度时间序列；
获取模块，用于获取用户的标准电能数据，所述标准电能数据包括在多个预设温度点以及多个预设温度点所对应的标准电能信息；
确定模块，用于根据所述预设温度点确定温度时间序列相对应的第一时刻，所述第一时刻为温度时间序列中所有与预设温度点相同温度的时刻，确定电能时间序列中与所述第一时刻对应的第二时刻；
判断模块，用于提取电能时间序列中与所述第二时刻对应的测试电能信息，若判断所有测试电能信息与相应的标准电能信息相对应，则霍尔集成电路通过高低温测试。
10.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时用于实现权利要求1至8任一所述的方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115015026A (zh) * 2022-08-04 2022-09-06 南京泰祺瑞新材料科技有限公司 新材料测试数据处理方法及装置
CN116147736A (zh) * 2023-03-16 2023-05-23 南京中旭电子科技有限公司 霍尔液位传感器的控制方法及系统

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040164840A1 (en) * 2003-02-21 2004-08-26 Brown University Research Foundation Extraordinary hall effect sensors and arrays
CN101290233A (zh) * 2007-04-19 2008-10-22 上海钜胜微电子有限公司 霍尔效应电路的温度补偿方法及其电路
CN201449438U (zh) * 2009-06-25 2010-05-05 南京中旭电子科技有限公司 霍尔集成电路动态老化试验装置
CN102369522A (zh) * 2009-01-12 2012-03-07 美信集成产品公司 计算引擎的并行流水线式集成电路实现
US20140132254A1 (en) * 2012-11-14 2014-05-15 Olympus Ndt Inc. Hall effect measurement instrument with temperature compensation
CN104122515A (zh) * 2014-06-13 2014-10-29 姚早春 高低温磁场检测系统
CN106501632A (zh) * 2016-09-20 2017-03-15 上海科世达-华阳汽车电器有限公司 一种针对应用霍尔传感器的产品的测试方法和系统
CN107942269A (zh) * 2014-11-05 2018-04-20 英飞凌科技股份有限公司 堆叠式霍尔器件的偏置电路
CN108572087A (zh) * 2017-03-08 2018-09-25 研祥智能科技股份有限公司 温度试验箱的参数测试方法及其系统
CN113092845A (zh) * 2021-04-09 2021-07-09 湖南科瑞变流电气股份有限公司 一种霍尔传感器及均流测试系统
CN214335195U (zh) * 2021-01-29 2021-10-01 绍兴千欣电子技术有限公司 一种大磁场高灵敏的霍尔元件测试装置
CN114111846A (zh) * 2022-01-26 2022-03-01 南京中旭电子科技有限公司 适用于霍尔传感器的补偿方法、装置及存储介质

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040164840A1 (en) * 2003-02-21 2004-08-26 Brown University Research Foundation Extraordinary hall effect sensors and arrays
CN101290233A (zh) * 2007-04-19 2008-10-22 上海钜胜微电子有限公司 霍尔效应电路的温度补偿方法及其电路
CN102369522A (zh) * 2009-01-12 2012-03-07 美信集成产品公司 计算引擎的并行流水线式集成电路实现
CN201449438U (zh) * 2009-06-25 2010-05-05 南京中旭电子科技有限公司 霍尔集成电路动态老化试验装置
US20140132254A1 (en) * 2012-11-14 2014-05-15 Olympus Ndt Inc. Hall effect measurement instrument with temperature compensation
CN104122515A (zh) * 2014-06-13 2014-10-29 姚早春 高低温磁场检测系统
CN107942269A (zh) * 2014-11-05 2018-04-20 英飞凌科技股份有限公司 堆叠式霍尔器件的偏置电路
CN106501632A (zh) * 2016-09-20 2017-03-15 上海科世达-华阳汽车电器有限公司 一种针对应用霍尔传感器的产品的测试方法和系统
CN108572087A (zh) * 2017-03-08 2018-09-25 研祥智能科技股份有限公司 温度试验箱的参数测试方法及其系统
CN214335195U (zh) * 2021-01-29 2021-10-01 绍兴千欣电子技术有限公司 一种大磁场高灵敏的霍尔元件测试装置
CN113092845A (zh) * 2021-04-09 2021-07-09 湖南科瑞变流电气股份有限公司 一种霍尔传感器及均流测试系统
CN114111846A (zh) * 2022-01-26 2022-03-01 南京中旭电子科技有限公司 适用于霍尔传感器的补偿方法、装置及存储介质

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
沈娟 等: "霍尔电路高低温在线测试设备研究", 《传感器世界》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN115015026A (zh) * 2022-08-04 2022-09-06 南京泰祺瑞新材料科技有限公司 新材料测试数据处理方法及装置
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