CN114369792A - 一种蒸镀装置及蒸镀方法 - Google Patents

一种蒸镀装置及蒸镀方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114369792A
CN114369792A CN202011100696.7A CN202011100696A CN114369792A CN 114369792 A CN114369792 A CN 114369792A CN 202011100696 A CN202011100696 A CN 202011100696A CN 114369792 A CN114369792 A CN 114369792A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transparent substrate
alignment mark
alignment
evaporation
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011100696.7A
Other languages
English (en)
Inventor
李�灿
池珉昊
李承皇
曹景博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Sineva Intelligent Machine Co Ltd
Original Assignee
Hefei Sineva Intelligent Machine Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hefei Sineva Intelligent Machine Co Ltd filed Critical Hefei Sineva Intelligent Machine Co Ltd
Priority to CN202011100696.7A priority Critical patent/CN114369792A/zh
Publication of CN114369792A publication Critical patent/CN114369792A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及掩膜版蒸镀领域，公开一种蒸镀装置及蒸镀方法，该蒸镀装置，包括：蒸镀室；设置在蒸镀室内用于运送非透明基板的托架；非透明基板具有至少一个第一对位标识；设置在托架用于对第一对位标识加热的加热器；用于对朝向蒸发源的非透明基板进行遮挡的掩膜版，掩膜版具有与第一对位标识一一对应的第二对位标识；位于蒸镀室外部的红外热成像仪，红外热成像仪确定第一对位标识的位置和第二对位标识的位置的距离差；用于控制托架移动的对位平台，根据距离差以使位于托架上的非透明基板的第一对位标识与第二对位标识对位。使掩膜版与非透明基板准确对位，提高了产品良率，降低了生产制造成本。

Description

一种蒸镀装置及蒸镀方法
技术领域
本发明涉及掩膜版蒸镀的技术领域，特别涉及一种蒸镀装置及蒸镀方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器具有低能耗、自发光、宽视角及响应速度快等优点，是当今显示器研究领域的热点之一，被认为是下一代显示技术。目前，采用蒸镀方式制备OLED显示器的像素单元中的膜层的方式较为广泛。
在实际的操作中，为了能够在非透明基板上制作图案，在蒸镀过程中往往使用掩膜版，即在非透明基板上掩膜版遮挡的地方不会成膜，在非透明基板上掩膜版未遮挡的地方则会成膜，从而形成所需图案。其中，掩膜版与非透明基板的对位是否准确，严重影响蒸镀制作的图案是否满足要求。
由于掩膜版与非透明基板在光学反射对位时，设备组装水平度等因素的限制，会影响蒸镀设备的对位精度，且量产过程中多次对位也容易使掩膜版与非透明基板无法准确对位，影响蒸镀制作的图案精度，降低产品良率，增加生产制造成本。
发明内容
本发明公开了一种蒸镀装置及蒸镀，使掩膜版与非透明基板准确对位，提高了产品良率，降低了生产制造成本。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
第一方面，本发明提供的一种蒸镀装置，包括：
蒸镀室；
设置在所述蒸镀室内用于运送非透明基板的托架；
所述非透明基板具有至少一个第一对位标识；
设置在所述托架用于对所述第一对位标识加热的加热器；
用于对朝向蒸发源的所述非透明基板进行遮挡的掩膜版，所述掩膜版具有与所述第一对位标识一一对应的第二对位标识；
位于所述蒸镀室外部的红外热成像仪，所述红外热成像仪确定所述第一对位标识的位置和所述第二对位标识的位置的距离差；
用于控制所述托架移动的对位平台，根据所述距离差以使位于所述托架上的所述非透明基板的所述第一对位标识与所述第二对位标识对位。
这里在蒸镀室中设有用于运送非透明基板的托架，非透明基板具有至少一个第一对位标识，用于对朝向蒸发源的非透明基板进行遮挡的掩膜版，掩膜版具有与所述第一对位标识一一对应的第二对位标识；在非透明基板放入蒸镀室后，设置在托架上的加热器通过对第一对位标记区域进行局部加热，位于蒸镀室外部的红外热成像仪，利用红外热成像仪可以精准的捕捉到非透明基板的第一对位标识，通过红外热成像仪确定第一对位标识的位置和第二对位标识的位置的距离差，根据第一对位标识的位置和第二对位标识的位置的距离差，使得对位平台控制托架移动进而带动第一对位标识移动，从而使得位于所述托架上的非透明基板的第一对位标识与第二对位标识对位，保证掩膜版与非透明基板的精确对位。
进一步地，还包括：位于所述蒸镀室内的载具；所述载具用于将所述掩膜版和所述非透明基板贴合。
进一步地，所述载具包括：磁板；所述磁板用于将所述掩膜版吸附在所述非透明基板上。
进一步地，所述载具还包括：位于所述磁板朝向所述非透明基板一侧的冷却板；所述冷却板用于对所述非透明基板蒸镀时进行降温。
进一步地，所述加热器的加热温度为：40℃-50℃。
进一步地，所述红外热成像仪包括：处理器、红外探测器和显示器；
所述红外探测器识别通过所述加热器加热后的所述非透明基板的第一对位标识，将所述第一对位标识的热辐射信号转变为电信号，通过处理器将所述电信号转变为位置信息并显示在所述显示器。
进一步地，还包括：驱动机构；所述驱动机构驱动所述掩膜版靠近或远离所述非透明基板。
进一步地，所述对位平台包括：若干个马达。
第二方面，本发明提供的一种蒸镀方法，包括：
将非透明基板放入蒸镀室内；
对所述非透明基板的第一对位标识加热；
确定所述加热后的第一对位标识的位置和第二对位标识的位置的距离差；
根据所述距离差将非透明基板的第一对位标识与掩膜版的第二对位标识对位。
上述蒸镀方法具有第一方面蒸镀装置的全部优点。
进一步地，所述确定所述加热后的第一对位标识的位置和第二对位标识的位置的距离差，具体包括：通过红外探测器识别加热后的所述非透明基板的第一对位标识，将所述第一对位标识的热辐射信号转变为电信号，通过处理器将所述电信号转变为位置信息。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种蒸镀装置的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种蒸镀装置的流程示意图。
图标：001-非透明基板；001a-第一对位标识；002-掩膜版；002a-第二对位标识；100-蒸镀室；200-托架；300-加热器；400-红外热成像仪；500-对位平台；600-载具；610-磁板；620-冷却板；700-驱动机构。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
现有的蒸镀设备由于掩膜版002与非透明基板001，利用光学反射进行对位，因受到设备组装的水平度，反射影响设备对位精度，并且在量产过程中的多次对位容易导致对位不准，使掩膜版002与非透明基板001无法准确对位，降低了产品良率，增加了生产制造成本。
如图1所示，第一方面，本发明实施例提供了一种蒸镀装置，包括：
蒸镀室100；
设置在蒸镀室100内用于运送非透明基板001的托架200；
非透明基板001具有至少一个第一对位标识001a；
设置在托架200用于对第一对位标识001a加热的加热器300；
用于对朝向蒸发源的非透明基板001进行遮挡的掩膜版002，掩膜版002具有与第一对位标识001a一一对应的第二对位标识002a；
位于蒸镀室100外部的红外热成像仪400，红外热成像仪400确定第一对位标识001a的位置和第二对位标识002a的位置的距离差；
用于控制托架200移动的对位平台500，根据距离差以使位于托架200上的非透明基板001的第一对位标识001a与第二对位标识002a对位。
这里在蒸镀室100中设有用于运送非透明基板001的托架200，非透明基板001具有至少一个第一对位标识001a，用于对朝向蒸发源的非透明基板001进行遮挡的掩膜版002，掩膜版002具有与所述第一对位标识001a一一对应的第二对位标识002a；在非透明基板001放入蒸镀室100后，设置在托架200上的加热器300通过对第一对位标记区域进行局部加热，位于蒸镀室100外部的红外热成像仪400，利用红外热成像仪400可以精准的捕捉到非透明基板001的第一对位标识001a，通过红外热成像仪400确定第一对位标识001a的位置和第二对位标识002a的位置的距离差，根据第一对位标识001a的位置和第二对位标识002a的位置的距离差，使得对位平台500控制托架200移动进而带动第一对位标识001a移动，从而使得位于所述托架200上的非透明基板001的第一对位标识001a与第二对位标识002a对位，保证掩膜版002与非透明基板001的精确对位。
具体地，对第一对位标识001a进行加热的加热器300的加热温度为：40℃-50℃。这里加热器300的加热温度可以根据实际需要进行选择，如40℃、45℃或是50℃。
上述红外热成像仪400采用非接触式红外探测技术，可以快速、准确、方便、直观的显示非透明基板001第一对位标识001a的温度场的分布，测量出第一对位标识001a的位置参数。
可选地，本发明实施例提供的蒸镀装置还包括：位于蒸镀室100内的载具600；载具600用于将掩膜版002和非透明基板001贴合。
具体地，载具600包括：磁板610；磁板610用于将掩膜版002吸附在非透明基板001上。
载具600还包括：位于磁板610朝向非透明基板001一侧的冷却板620；冷却板620用于对非透明基板001蒸镀时进行降温。
作为一种示例，磁板610的作用是，待装入的掩膜版002和非透明基板001完成对位后，使掩膜版002和非透明基板001吸附在一起完全贴合；冷却板620的作用是，掩膜版002与非透明基板001贴合后，贴在非透明基板001背面抑制蒸镀时可能产生非透明基板001的温度上升，因此通过冷却板620可以进行降温。
另外，红外热成像仪400包括：处理器、红外探测器和显示器；
红外探测器识别通过加热器300加热后的非透明基板001的第一对位标识001a，将第一对位标识001a的热辐射信号转变为电信号，通过处理器将电信号转变为位置信息并显示在显示器。
这里红外热成像仪400的功能是：非透明基板001的第一对位标识001a通过红外探测器检测，将第一对位标识001a热辐射信号转变为电信号，通过处理器对电信号进行处理，经过处理器处理后的电信号转变为可见光图像并通过显示组件显示。具体过程如下：红外探测器采集到的第一对位标识001a热辐射信号转变为电信号，通过处理器将电信号转变为位置信息，这里的位置信息为第一对位标识001a的对位图像，对位图像通过信号连接线被传递到图像采集卡并被图像采集卡转换后输入到蒸镀装置的数据处理系统，通过软件分析处理后将非透明基板001的对位图像显示在显示器。
根据第一对位标识001a和第二对位标识002a的位置精度要求，设定位置标准，并将设定位置标准的数据放入上述数据处理系统，由数据处理系统计算出蒸镀装置中控制托架200移动的对位平台500最终的位置信息调整值。位置信息调整值通过输出串口传递给蒸镀装置的主机，进而对对位平台500进行调整，提高对位精度。
本发明实施例提供的蒸镀装置还包括：驱动机构700；驱动机构700驱动掩膜版002靠近或远离非透明基板001。
当非透明基板001放入蒸镀室100内的托架200上，通过对位平台500控制托架200将非透明基板001运送到载具600处并与载具600贴合，然后将掩膜版002放入蒸镀室100内，通过驱动机构700将掩膜版002送至非透明基板001处，并通过载具600中的磁板610将两者紧密贴合。
上述对位平台500包括：若干个马达。
具体是将掩膜版002和非透明基板001对位的对位平台500，对位平台500利用四个马达使得托架200向X轴，Y轴，Z轴运动，精密对位用红外热成像仪400识别掩膜版002第二对位标识002a和非透明基板001的第一对位标识001a。红外热成像仪400通过红外探测器识别掩膜版002和非透明基板001的对位光标，计算第一对位标识001a和第二对位标识002a两个对位光标之间的间距误差，对位平台500根据数据处理系统计算出蒸镀装置中托架200最终的位置信息，使得移动托架200的对位平台500将非透明基板001的第一对位标识001a与掩膜版002的第二对位标识002a进行对位。具体地，上述对位平台500为UVW移动平台。
第二方面，本发明实施例提供的一种蒸镀方法，包括：
将非透明基板001放入蒸镀室100内；
对非透明基板001的第一对位标识001a加热；
确定加热后的第一对位标识001a的位置和第二对位标识002a的位置的距离差；
根据距离差将非透明基板001的第一对位标识001a与掩膜版002的第二对位标识002a对位。
可选地，确定加热后的第一对位标识001a的位置和第二对位标识002a的位置的距离差，具体包括：
通过红外探测器识别加热后的非透明基板001的第一对位标识001a，将第一对位标识001a的热辐射信号转变为电信号，通过处理器将电信号转变为位置信息。
如图2所示，本发明实施例的蒸镀装置的具体蒸镀过程如下：
S201：非透明基板001放入蒸镀腔室内；
S202：托架200运送非透明基板001上升至载具600接触位置；
S203：加热器300对非透明基板001的第一对位光标进行加热；具体地，设置在托架200的加热器300通电释放热能，对非透明基板001的第一对位光标进行加热，温度保持在40℃～50℃；
S204：红外热成像仪400对非透明基板001第一对位光标进行运算，数据处理系统计算出控制托架200移动的对位平台500最终的位置信息；
S205：蒸镀装置的主机将位置信息传输给对位平台500，对位平台500移动，使得非透明基板001第一对位光标和掩膜版002第二对位光标对位；
S206：判断第一对位光标与第二对位光标是否对位；如果对位成功，则执行S207；否则执行S205；
S207：驱动机构700驱动掩膜版002上升与非透明基板001通过载具600贴合，进行工艺蒸镀。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种蒸镀装置，其特征在于，包括：
蒸镀室；
设置在所述蒸镀室内用于运送非透明基板的托架；
所述非透明基板具有至少一个第一对位标识；
设置在所述托架用于对所述第一对位标识加热的加热器；
用于对朝向蒸发源的所述非透明基板进行遮挡的掩膜版，所述掩膜版具有与所述第一对位标识一一对应的第二对位标识；
位于所述蒸镀室外部的红外热成像仪，所述红外热成像仪确定所述第一对位标识的位置和所述第二对位标识的位置的距离差；
用于控制所述托架移动的对位平台，根据所述距离差以使位于所述托架上的所述非透明基板的所述第一对位标识与所述第二对位标识对位。
2.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，还包括：位于所述蒸镀室内的载具；所述载具用于将所述掩膜版和所述非透明基板贴合。
3.根据权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，所述载具包括：磁板；所述磁板用于将所述掩膜版吸附在所述非透明基板上。
4.根据权利要求3所述的蒸镀装置，其特征在于，所述载具还包括：位于所述磁板朝向所述非透明基板一侧的冷却板；所述冷却板用于对所述非透明基板蒸镀时进行降温。
5.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述加热器的加热温度为：40℃-50℃。
6.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述红外热成像仪包括：处理器、红外探测器和显示器；
所述红外探测器识别通过所述加热器加热后的所述非透明基板的第一对位标识，将所述第一对位标识的热辐射信号转变为电信号，通过处理器将所述电信号转变为位置信息并显示在所述显示器。
7.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，还包括：驱动机构；所述驱动机构驱动所述掩膜版靠近或远离所述非透明基板。
8.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述对位平台包括：若干个马达。
9.一种蒸镀方法，其特征在于，包括：
将非透明基板放入蒸镀室内；
对所述非透明基板的第一对位标识加热；
确定所述加热后的第一对位标识的位置和第二对位标识的位置的距离差；
根据所述距离差将非透明基板的第一对位标识与掩膜版的第二对位标识对位。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述确定所述加热后的第一对位标识的位置和第二对位标识的位置的距离差，具体包括：
通过红外探测器识别加热后的所述非透明基板的第一对位标识，将所述第一对位标识的热辐射信号转变为电信号，通过处理器将所述电信号转变为位置信息。
CN202011100696.7A 2020-10-15 2020-10-15 一种蒸镀装置及蒸镀方法 Pending CN114369792A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011100696.7A CN114369792A (zh) 2020-10-15 2020-10-15 一种蒸镀装置及蒸镀方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011100696.7A CN114369792A (zh) 2020-10-15 2020-10-15 一种蒸镀装置及蒸镀方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114369792A true CN114369792A (zh) 2022-04-19

Family

ID=81138219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011100696.7A Pending CN114369792A (zh) 2020-10-15 2020-10-15 一种蒸镀装置及蒸镀方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114369792A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101436006A (zh) * 2008-12-17 2009-05-20 上海微电子装备有限公司 双面位置对准装置与方法
WO2010106958A1 (ja) * 2009-03-18 2010-09-23 株式会社アルバック 位置合わせ方法、蒸着方法
JP2013076616A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Gunze Ltd 導電体パターン検査装置、導電体パターン検査方法及び導電体パターンが形成される基板の位置合わせ装置
CN111424234A (zh) * 2020-05-09 2020-07-17 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 一种对位模块、对位设备、薄膜沉积生产线及控制方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101436006A (zh) * 2008-12-17 2009-05-20 上海微电子装备有限公司 双面位置对准装置与方法
WO2010106958A1 (ja) * 2009-03-18 2010-09-23 株式会社アルバック 位置合わせ方法、蒸着方法
JP2013076616A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Gunze Ltd 導電体パターン検査装置、導電体パターン検査方法及び導電体パターンが形成される基板の位置合わせ装置
CN111424234A (zh) * 2020-05-09 2020-07-17 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 一种对位模块、对位设备、薄膜沉积生产线及控制方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101866139B1 (ko) 얼라인먼트 방법, 얼라인먼트 장치, 이를 포함하는 진공증착방법 및 진공증착장치
KR101858368B1 (ko) 반도체 장치의 제조 장치
US5971250A (en) Contactless bonding tool heater
US20170214005A1 (en) AMOLED Display Panel Manufacturing Method, Apparatus and System
CN105441899B (zh) 一种加热腔室及半导体加工设备
CN114369792A (zh) 一种蒸镀装置及蒸镀方法
CN103935138B (zh) 一种打码系统、方法及装置
CN111378932B (zh) 基板载置方法、成膜方法、成膜装置及有机el面板的制造系统
TW200917408A (en) Method and apparatus for wafer marking
KR20190010138A (ko) 상향식 증착장치 및 기판 얼라인 방법
WO2020124860A1 (zh) 打码方法、打码装置和打码系统
JP7440356B2 (ja) アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体
CN105278228A (zh) 激光投影显示器及其颜色对准方法
JP5975668B2 (ja) ワーク搬送装置、ワーク搬送方法および組付部品の製造方法
JP2019104952A (ja) 蒸着装置
CN219180477U (zh) 一种柔性电子标签芯片倒封装装置
WO2014119434A1 (ja) 実装方法および実装装置
KR101989788B1 (ko) 하향식 증착장치
CN104640355B (zh) 调整基板曲度的方法与制具
CN105044951A (zh) 基板组立方法
KR20220000819A (ko) 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 프로그램, 및 기억 매체
KR101060653B1 (ko) 기판 이송 장치, 기판 이송 방법 및 이를 이용한 기판 합착장치
US20130292454A1 (en) Apparatus and method for determining an alignment of a bondhead of a die bonder relative to a workchuck
JP7301894B2 (ja) アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、及び電子デバイスの製造方法
KR101605659B1 (ko) 비접촉식 프리얼라인 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 230013 Southwest District of Hefei City, Anhui Province

Applicant after: Hefei xinyihua Intelligent Machine Co.,Ltd.

Address before: 230013 Southwest District of Hefei City, Anhui Province

Applicant before: HEFEI SINEVA INTELLIGENT MACHINE Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20220419

RJ01 Rejection of invention patent application after publication