CN114361048A - 金属裸线中料制备方法及金属裸线中料 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种金属裸线中料制备方法及金属裸线中料，该方法包括步骤：通过提供基材；在基材上植入未镀绝缘层的裸线，以形成天线；在天线的始端和末端分别加入导电介质；将预设的芯片放置于导电介质上，形成基础中料，对基础中料进行层压，得到金属裸线中料。在基材上植入未镀绝缘层的天线，天线的始端和末端分为位于线圈内外两侧，以形成两个焊台，在天线两端焊台加入导电介质，将芯片放置于导电介质上，通过层压得到金属裸线中料，在此过程中，焊接不需要开绝缘层、无需用跳线的方式使天线末端跨过线圈，操作工艺简单化，易于实现生产自动化，且降低了不良品及成本，以提高了智能卡生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及智能卡制造领域，尤其涉及金属裸线中料制备方法及金属裸线中料。
背景技术
目前，在智能卡的制造过程中，一般先进行中料的制备，也就是在绝缘基片上敷设镀有绝缘层的导线、固定IC（Integrated Circuit，集成电路)，并将镀有绝缘层的导线和IC焊接好，以完成中料的制备，在中料制备完成后，绝缘基片的上下表面均叠张层压粘合一表层，即完成智能卡的生产过程。
现有的中料生产工艺中，一般是直接将绝缘线圈的始端部分、末端部分焊接在IC上，传统的焊接方式中，所采用的焊接头均会产生高热，体积较大的焊接头在靠近焊台焊接过程中，操作稍有不慎就容易将绝缘基片焊穿，甚至将IC烧毁，并且在焊接过程中，需要先将天线两端的绝缘层去除，再将导线的导体与IC的焊台焊接并导通，因此，在传统工艺中制作程序繁琐，中料的不良率较高，导致了企业的智能卡生产效率低下的问题。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种金属裸线中料制备方法及金属裸线中料，旨在解决降低智能卡生产效率低下的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种金属裸线中料制备方法，所述金属裸线中料制备方法包括步骤：
提供基材；
在所述基材上植入未镀绝缘层的裸线，形成天线，其中，所述天线的始端和末端分别位于所述天线的线圈内外两侧；
在所述天线的始端和末端分别加入导电介质；
将预设的芯片放置于所述导电介质上，形成基础中料，对所述基础中料进行层压，得到金属裸线中料。
可选地，在提供基材的过程中，所述基材为预设厚度的PVC材料制得，其中，所述预设厚度小于厚度阈值，所述厚度阈值为5mm。
可选地，述在所述基材上植入未镀绝缘层的裸线，形成天线的步骤，包括：
将所述基材放置于超声波埋线工位的工作台上；
基于预设的裸线形状，将未镀绝缘层的裸线植入所述基材上，形成天线。
其中，在所述基于预设的裸线形状，将未镀绝缘层的裸线植入所述基材上，形成天线的过程中，所述天线的始端和末端分别位于线圈的内外两侧。
可选地，加入所述导电介质的方式包括滴入式、喷涂式或贴合式；
所述导电介质包括锡膏、导电胶或异方性导电胶膜ACF；
所述导电介质的形态包括膏体、液态、固态或混合介质。
可选地，在所述天线的始端和末端分别加入导电介质的过程中，当所述导电介质为锡膏或导电胶时，所述方式为滴入式；
当所述导电介质为ACF时，所述方式为贴合式。
可选地，所述芯片包括芯片接触面、芯片背面载带和芯片触点，所述将预设的芯片放置于所述导电介质上，形成基础中料，对所述基础中料进行层压，得到金属裸线中料的步骤，包括：
将预设的芯片放置于所述导电介质上，形成基础中料，其中，所述芯片背面载带与所述始端和末端之间的天线贴合，所述芯片触点贴放在所述导电介质上；
基于预设的温度和压力，对所述基础中料进行层压，通过所述层压的温度将所述导电介质熔化和固化，得到金属裸线中料，其中，所述芯片和所述金属裸线中料上的射频主体导通。
此外，本发明还提供了一种基于上述金属裸线中料制备方法制备得到的金属裸线中料，所述金属裸线中料包括：
基材；
天线，所述天线设置在所述基材上，所述天线包括始端和末端；
导电介质，在所述始端和所述末端上加入所述导电介质；
芯片，所述芯片包括芯片接触面、芯片背面载带和芯片触点，所述芯片接触面朝上，所述芯片背面载带与所述始端和所述末端之间的天线贴合，所述芯片触点与所述导电介质接触。
可选地，所述天线由未镀绝缘层的裸线按照设定形状植入至所述基材上而形成。
可选地，所述始端和所述末端分别位于线圈的内外两侧。
可选地，所述芯片触点和所述芯片背部载带位于所述芯片上所述芯片接触面的另一面。
本发明实施例提出的一种金属裸线中料制备方法及金属裸线中料，通过提供基材；在所述基材上植入未镀绝缘层的裸线，形成天线，其中，所述天线的始端和末端分别位于所述天线的线圈内外两侧；在所述天线的始端和末端分别加入导电介质；将预设的芯片放置于所述导电介质上，形成基础中料，对所述基础中料进行层压，得到金属裸线中料。通过上述方式，在基材上植入未镀绝缘层的天线，天线的始端和末端分为位于天线的线圈内外两侧，以形成两个焊台，在天线两端焊台加入导电介质，将芯片放置于导电介质上，通过层压的方式，使得芯片、天线和基材结合，得到金属裸线中料，在此过程中，焊接不需要开绝缘层、无需用跳线的方式使天线末端跨过线圈，操作工艺简单化，易于实现生产自动化，且降低了不良品及成本，以提高了智能卡生产效率。
附图说明
图1为本发明金属裸线中料制备方法第一实施例的流程示意图；
图2为本发明金属裸线中料制备方法的工艺流程图；
图3为本发明金属裸线中料制备方法中芯片贴合工艺示意图；
图4为本发明金属裸线中料的结构剖视图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例的主要解决方案是：
目前，在智能卡的制造过程中，一般先进行中料的制备，也就是在绝缘基片上敷设镀有绝缘层的导线、固定IC（Integrated Circuit，集成电路)，并将镀有绝缘层的导线和IC焊接好，以完成中料的制备，在中料制备完成后，绝缘基片的上下表面均叠张层压粘合一表层，即完成智能卡的生产过程。
现有的中料生产工艺中，一般是直接将绝缘线圈的始端部分、末端部分焊接在IC上，传统的焊接方式中，所采用的焊接头均会产生高热，体积较大的焊接头在靠近焊台焊接过程中，操作稍有不慎就容易将绝缘基片焊穿，甚至将IC烧毁，并且在焊接过程中，需要先将天线两端的绝缘层去除，再将导线的导体与IC的焊台焊接并导通，因此，在传统工艺中制作程序繁琐，中料的不良率较高，导致了企业的智能卡生产效率低下的问题。
本发明提供一种解决方案，适用于智能卡的制造，解决智能卡生产效率低下的技术问题。
本发明提出一种金属裸线中料制备方法以及基于该制备方法得到的金属裸线中料。
参照图1，图1为本发明金属裸线中料制备方法及金属裸线中料第一实施例提供一种金属裸线中料制备方法。
本发明实施例提供了金属裸线中料制备方法的实施例，需要说明的是，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
参照图2，图2为本发明金属裸线中料制备方法的工艺流程图，其中，图2的（a）为提供基材工艺，图2的（b）为天线的制作工艺，图2的（c）为加入导电介质工艺，图2的（d）为芯片贴合工艺，图2的（e）为层压工艺。
本实施例所述金属裸线中料制备方法包括：
步骤S10，提供基材；
步骤S20，在所述基材上植入未镀绝缘层的裸线，形成天线，其中，所述天线的始端和末端分别位于所述天线的线圈内外两侧；
步骤S30，在所述天线的始端和末端分别加入导电介质；
步骤S40，将预设的芯片放置于所述导电介质上，形成基础中料，对所述基础中料进行层压，得到金属裸线中料。
在本实施例中，通过在基材上植入未镀绝缘层的天线，天线的始端和末端分为位于天线的线圈内外两侧，以形成两个焊台，在天线两端焊台加入导电介质，将芯片放置于导电介质上，通过层压的方式，使得芯片、天线和基材结合，得到金属裸线中料，在此过程中，焊接不需要开绝缘层、无需用跳线的方式使天线末端跨过线圈，操作工艺简单化，易于实现生产自动化，且降低了不良品及成本，以提高了智能卡生产效率。
具体步骤如下：
步骤S10，提供基材；
在本实施例中，在制备金属裸线中料的基材放置于超声波埋线工位的工作台上。
作为一种示例，在提供基材的过程中，基材为预设厚度的PVC（Polyvinylchloride，聚氯乙烯）材料制得。
作为一种示例，预设厚度是指制备金属裸线中料时选用基材的厚度，预设厚度小于厚度阈值，其中，厚度阈值是指基材的最大厚度。
作为一种示例，厚度阈值为5mm。
步骤S20，在所述基材上植入未镀绝缘层的裸线，形成天线，其中，所述天线的始端和末端分别位于所述天线的线圈内外两侧；
在本实施例中，在基材上植入未镀绝缘层的裸线，得到天线，其中，天线具有两端，分别是始端和末端，始端和末端形成两个焊台，以避免裸线焊接时发生短路。需要说明的是，天线的始端可以是天线的起始端，末端可以是天线的终止端，也即起端和尾端。天线的形状根据生产需求设定，在此不做具体限定，可以理解，当天线的始端（或末端）位于线圈的内侧（或外侧）时，则天线的末端（或始端）位于线圈的另一侧，也即外侧（或内侧），以避免金属裸线短路。
进一步地，在所述基材上植入未镀绝缘层的裸线，形成天线的步骤，包括以下步骤S21-S23：
步骤S21，将所述基材放置于超声波埋线工位的工作台上；
步骤S22，基于预设的裸线形状，将未镀绝缘层的裸线植入所述基材上，形成天线。
在本实施例中，将基材放置于超声波埋线工位的工作台上，基于预设的裸线形状，将未镀绝缘层的裸线植入基材上，形成天线。其中，预设的裸线形状是指在制造智能卡过程中，已预设定的形状，通过预设的裸线形状得到的天线，其始端和末端位于相对的内外两侧。可以理解，在所述基于预设的裸线形状，将未镀绝缘层的裸线植入所述基材上，形成天线的过程中，天线的始端为起点，以设定形状在基材上布置，此时天线的始端位于线圈的内侧，天线的末端位于线圈的外侧，因此，天线的始端和末端分别位于线圈的内外两侧。通过在基材上根据预设裸线形状布置未镀绝缘层的裸线，无需跳线，以形成两个焊接台，后续通过导电介质实现焊接，可降低传统焊接过程中接触焊接的不良率，实现生产自动化以及低不良率。
步骤S30，在所述天线的始端和末端分别加入导电介质。
在本实施例中，在天线的始端和末端表面分别加入导电介质。
作为一种示例，加入所述导电介质的方式包括滴入式、喷涂式或贴合式；
所述导电介质包括锡膏、导电胶或ACF（Anisotropic Conductive Film，异方性导电胶膜）。
作为一种示例，所述导电介质的形态包括膏体、液态、固态或混合介质。
作为一种示例，在所述天线的始端和末端分别加入导电介质的过程中，当所述导电介质为锡膏或导电胶时，所述方式为滴入式；
作为一种示例，当所述导电介质为ACF时，所述方式为贴合式。
步骤S40，将预设的芯片放置于所述导电介质上，形成基础中料，对所述基础中料进行层压，得到金属裸线中料。
在本实施例中，参照图3，图3为本发明金属裸线中料制备方法中芯片贴合工艺示意图，将预设的芯片放置于基材、导电介质上，形成基础中料，该基础中料从下往上分别是基材、天线、导电介质、芯片。进而对基础中料进行层压加工，得到金属裸线中料。
进一步地，将预设的芯片放置于所述导电介质上，形成基础中料，对所述基础中料进行层压，得到金属裸线中料，包括以下步骤S41-步骤S42：
步骤S41，将预设的芯片放置于所述导电介质上，形成基础中料，其中，所述芯片背面载带与所述始端和末端之间的天线贴合，所述芯片触点贴放在所述导电介质上；
步骤S42，基于预设的温度和压力，对所述基础中料进行层压，通过所述层压的温度将所述导电介质熔化和固化，得到金属裸线中料，其中，所述芯片和所述金属裸线中料上的射频主体导通。
在本实施例中，需要说明的是，芯片包括芯片接触面、芯片背面载带和芯片触点，将预设的芯片放置于基材、导电介质上，形成基础中料，在放置过程中，芯片背面载带与天线上始端和末端之间的间隙贴合，芯片触点与导电介质接触，以使层压时，基于预设的层压工艺的温度和压力，通过层压的温度将导电介质熔化，熔化的导电介质使芯片和所述金属裸线中料上的射频主体导通，完成焊接，在导电介质固化后，得到金属裸线中料，完成制备过程。其中，层压的温度高于预设的温度阈值，可将导电介质熔化。
在本实施例提出的金属裸线中料制备方法，通过提供基材；在所述基材上植入未镀绝缘层的裸线，形成天线，其中，所述天线的始端和末端分别位于所述天线的线圈内外两侧；在所述天线的始端和末端分别加入导电介质；将预设的芯片放置于所述导电介质上，形成基础中料，对所述基础中料进行层压，得到金属裸线中料。通过上述方式，在基材上植入未镀绝缘层的天线，天线的始端和末端分为位于天线的线圈内外两侧，以形成两个焊台，在天线两端焊台加入导电介质，将芯片放置于导电介质上，通过层压的方式，使得芯片、天线和基材结合，得到金属裸线中料，在此过程中，焊接不需要开绝缘层、无需用跳线的方式使天线末端跨过线圈，操作工艺简单化，易于实现生产自动化，且降低了不良品及成本，以提高了智能卡生产效率。
参照图4，本发明还提供一种金属裸线中料。
在本实施例中，该金属裸线中料通过上述金属裸线中料制备方法的实施例得到。
该金属裸线中料包括基材100、天线200、导电介质300和芯片400。
基材100，基材选用一定厚度的PVC材料制作，通常的厚度为5mm以内。
天线200，天线设置在基材上，天线包括线圈间隙201，具体的，将基材置于超声波埋线工位的工作台上，按裸线设定的形状植入基材，形成天线，其中，天线为裸线且未镀绝缘层，天线的形状根据生产需求设定，在此不做具体限定。天线包括始端和末端，始端和末端分别位于线圈的内外两侧，也即，天线的始端在线圈内侧或外侧，天线末端在线圈的另一侧。
导电介质300，在天线的始端和末端表面上分别加入导电介质，导电介质在层压过程中会熔化和固化，和天线与电子元件进行导通，以实现导电片材与中料上的射频主体牢固导通。其中，加入导电介质的方式包括滴入式、喷涂式或贴合式；导电介质包括锡膏、导电胶或ACF；导电介质的形态包括膏体、液态、固态或混合介质。
进一步地，当导电介质为锡膏或导电胶时，所述方式为滴入式；当导电介质为ACF时，所述方式为贴合式。
芯片400，芯片包括芯片接触面401、芯片背面载带402和芯片触点403，芯片接触面401朝上，芯片背面载带402与天线的始端和末端之间的天线贴合，芯片触点403与导电介质300接触。在层压过程中，通过层压的温度把导电介质熔化并固化，实现芯片与中料上的射频主体牢固导通。其中，层压的温度高于预设的温度阈值，可将导电介质熔化。
其中，芯片触点403和芯片背部载带402位于芯片400上的芯片接触面401的另一面。
制造时，将基材置于超声波埋线工位的工作台上，按裸线设定的形状植入到基材，形成天线。其后在天线的始端和末端的表面分别滴入或贴合导电介质，将芯片放置于基材上，其中，根据预制芯片方式工艺，在芯片放置在基材上的过程中，以使芯片的芯片背部载带与天线的始末两端之间的未镀绝缘层的天线贴合，芯片触点与导电介质接触，开始层压工艺，通过层压的高温把导电介质熔化并固化，实现芯片与中料上的射频主体牢固导通，得到金属裸线中料。
在本实施例中，通过未镀绝缘层的裸线在基材上制成天线，天线具有始端和末端，且始端和末端位于线圈相对的内外两侧，避免了桥式跨越工艺，金属裸线会短路的问题，在天线的两端滴入导电介质，通过层压的高温将导电介质熔化，通过熔化的导电介质将芯片和射频主体牢固导通，摒弃了传统的先对导电介质进行接触焊接的工艺，通过简单工艺和操作方便，实现生产自动化，以降低封装不良率，提高了智能卡的生产效率。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在如上所述的一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种金属裸线中料制备方法，其特征在于，所述金属裸线中料制备方法包括以下步骤：
提供基材；
在所述基材上植入未镀绝缘层的裸线，形成天线，其中，所述天线的始端和末端分别位于所述天线的线圈内外两侧；
在所述天线的始端和末端分别加入导电介质；
将预设的芯片放置于所述导电介质上，形成基础中料，对所述基础中料进行层压，得到金属裸线中料。
2.如权利要求1所述的金属裸线中料制备方法，其特征在于，在提供基材的过程中，所述基材为预设厚度的PVC材料制得，其中，所述预设厚度小于厚度阈值，所述厚度阈值为5mm。
3.如权利要求1所述的金属裸线中料制备方法，其特征在于，所述在所述基材上植入未镀绝缘层的裸线，形成天线的步骤，包括：
将所述基材放置于超声波埋线工位的工作台上；
基于预设的裸线形状，将未镀绝缘层的裸线植入所述基材上，形成天线，
其中，所述天线的始端和末端分别位于线圈的内外两侧。
4.如权利要求1-3中任一项所述的金属裸线中料制备方法，其特征在于，加入所述导电介质的方式包括滴入式、喷涂式或贴合式；
所述导电介质包括锡膏、导电胶或异方性导电胶膜ACF；
所述导电介质的形态包括膏体、液态、固态或混合介质。
5.如权利要求4所述的金属裸线中料制备方法，其特征在于，在所述天线的始端和末端分别加入导电介质的过程中，当所述导电介质为锡膏或导电胶时，所述方式为滴入式；
当所述导电介质为ACF时，所述方式为贴合式。
6.如权利要求1所述的金属裸线中料制备方法，其特征在于，所述芯片包括芯片接触面、芯片背面载带和芯片触点，所述将预设的芯片放置于所述导电介质上，形成基础中料，对所述基础中料进行层压，得到金属裸线中料的步骤，包括：
将预设的芯片放置于所述导电介质上，形成基础中料，其中，所述芯片背面载带与所述始端和末端之间的天线贴合，所述芯片触点贴放在所述导电介质上；
基于预设的温度和压力，对所述基础中料进行层压，通过所述层压的温度将所述导电介质熔化和固化，得到金属裸线中料，其中，所述芯片和所述金属裸线中料上的射频主体导通。
7.一种金属裸线中料，其特征在于，所述金属裸线中料采用如权利要求1至6任一项所述的金属裸线中料制备方法得到，所述金属裸线中料包括：
基材；
天线，所述天线设置在所述基材上，所述天线包括始端和末端；
导电介质，在所述始端和所述末端上加入所述导电介质；
芯片，所述芯片包括芯片接触面、芯片背面载带和芯片触点，所述芯片接触面朝上，所述芯片背面载带与所述始端和所述末端之间的天线贴合，所述芯片触点与所述导电介质接触。
8.如权利要求7所述的金属裸线中料，其特征在于，所述天线由未镀绝缘层的裸线按照设定形状植入至所述基材上而形成。
9.如权利要求7所述的金属裸线中料，其特征在于，所述始端和所述末端分别位于线圈的内外两侧。
10.如权利要求7所述的金属裸线中料，其特征在于，所述芯片触点和所述芯片背部载带位于所述芯片上所述芯片接触面的另一面。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20220415 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |