CN114330210A - 一种高精准dcoc的版图结构设计方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了，一种高精准DCOC的版图结构设计方法，整体版图布局采用中心对称分布，Q路的mos管分布在左上右下对角线方向，I路的mos管分布在右上左下对角线方向，整个DCOC的最外侧分布有dummy mos管；整个版图结构的左右两侧布局的中间分布有dummy mos管；整个版图的对角线上均分布有dummy mos管；版图左、右两侧的布局中，I路中各个多倍电流源的mos管与Q路中各个多倍电流源mos管的数量相同。本发明的采用中心对称匹配方式，不仅从版图布局方面减小了工艺引起的信号失配，缩小版图面积，继而提生了分频器的性能指标，而且从设计方法上提升了版图设计者的工作效率。
Description
技术领域
本发明涉及DCOC的版图设计技术领域，具体是一种高精准DCOC的版图结构设计方法。
背景技术
DCOC(直流失调校准)是一种协助接收机工作的辅助电路，其可以消除接收机直流失配，从而保证接收机的正常工作，稳定接收机的电路性能。
随着DCOC的射频通信领域中广泛使用，其性能指标也越来越高，版图布局的合理性也越来越关键。一般DCOC版图采用IQ两路的左右对称的方式，容易引起工艺失配，从而影响DCOC的性能指标。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高精准DCOC的版图结构设计方法，采用中心对称结构布局方式，可以抑制工艺误差，使得各路电流源受到几乎相同的工艺误差影响，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种高精准DCOC的版图结构设计方法，整体版图布局采用中心对称分布，Q路的mos管分布在左上右下对角线方向，I路的mos管分布在右上左下对角线方向，整个DCOC的最外侧分布有dummy mos管；整个版图结构的左右两侧布局的中间分布有dummy mos管；整个版图的对角线上均分布有dummy mos管；版图左侧布局以中间的Q路1倍电流源的mos管、Q路8倍电流源mos管、Q路32倍电流源mos管以及dummy mos管为中心线上下对称设置；版图右侧布局以中间的I路1倍电流源的mos管、I路8倍电流源mos管、I路32倍电流源mos管以及dummymos管为中心线上下对称设置。
进一步的，版图左侧布局中，整体沿中间mos管呈上下对称设置，1代表Q路1倍电流源的mos管，2代表Q路2倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，4代表Q路4倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，8代表Q路8倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，16代表Q路16倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，32代表Q路32倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，64代表Q路64倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一；2`代表I路2倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，4`代表I路4倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，8`代表I路8倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，16`代表I路16倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，32`代表I路32倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，64`代表I路64倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一。
进一步的，版图右侧布局中，整体沿中间的mos管呈上下对称设置，1`代表I路1倍电流源的mos管，2`代表I路2倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，4`代表I路4倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，8`代表I路8倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，16`代表I路16倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，32`代表I路32倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，64`代表I路64倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，2代表Q路2倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，4代表Q路4倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，8代表Q路8倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，16代表Q路16倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，32代表Q路32倍电流源mos管的，其数量为整个版图总数的二分之一，64代表Q路64倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一。
本发明的采用中心对称匹配方式，减小工艺引起的信号失配，布局紧凑，连线简单，版图面积小。本发明不仅从版图布局方面减小了工艺引起的信号失配，缩小版图面积，继而提生了分频器的性能指标，而且从设计方法上提升了版图设计者的工作效率。
附图说明
图1为一种高精准DCOC的版图结构设计方法中左侧布局的结构示意图。
图2为一种高精准DCOC的版图结构设计方法中右侧布局的结构示意图。
图3为本发明高精准DCOC的整体版图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
请参阅图1-3，一种高精准DCOC的版图结构设计方法，采用中心对称结构布局方式，可以抑制工艺误差，使得各路电流源受到几乎相同的工艺误差影响，大大的提高了DCOC的性能指标。
本发明左侧布局如图一所示，整体沿中间mos管呈上下对称设置，1代表Q路1倍电流源的mos管，2代表Q路2倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，4代表Q路4倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，8代表Q路8倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，16代表Q路16倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，32代表Q路32倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，64代表Q路64倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一；2`代表I路2倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，4`代表I路4倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，8`代表I路8倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，16`代表I路16倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，32`代表I路32倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，64`代表I路64倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一。
右侧布局如图二所示，整体沿中间的mos管呈上下对称设置，1`代表I路1倍电流源的mos管，2`代表I路2倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，4`代表I路4倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，8`代表I路8倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，16`代表I路16倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，32`代表I路32倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，64`代表I路64倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，2代表Q路2倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，4代表Q路4倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，8代表Q路8倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，16代表Q路16倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，32代表Q路32倍电流源mos管的，其数量为整个版图总数的二分之一，64代表Q路64倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一。
图三是DCOC的整体版图布局采用中心对称分布，Q路的mos管分布在左上右下对角线方向，I路的mos管分布在右上左下对角线方向，dummy mos管分布在整个DCOC的最外侧。采用中心对称匹配方式，减小工艺引起的信号失配，布局紧凑，连线简单，版图面积小。
整个版图的对角线上均分布有dummy mos管；版图左侧布局以中间的Q路1倍电流源的mos管、Q路8倍电流源mos管、Q路32倍电流源mos管以及dummy mos管为中心线上下对称设置；版图右侧布局以中间的I路1倍电流源的mos管、I路8倍电流源mos管、I路32倍电流源mos管以及dummy mos管为中心线上下对称设置。
整体版图中mos管以中心向外发散的形式设计，总体上，低倍电流源mos管大致位于高倍电流源mos管的内侧。
版图左、右两侧的布局中，除去上下对称中心线上的mos管，I路中各个多倍电流源的mos管与Q路中各个多倍电流源mos管的数量相同
上面对本专利的较佳实施方式作了详细说明，但是本专利并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利宗旨的前提下作出各种变化。
Claims (4)
1.一种高精准DCOC的版图结构设计方法，其特征在于，整体版图布局采用中心对称分布，Q路的mos管分布在左上右下对角线方向，I路的mos管分布在右上左下对角线方向，整个DCOC的最外侧分布有dummy mos管；整个版图结构的左右两侧布局的中间分布有dummy mos管；整个版图的对角线上均分布有dummy mos管；版图左侧布局以中间的Q路1倍电流源的mos管、Q路8倍电流源mos管、Q路32倍电流源mos管以及dummy mos管为中心线上下对称设置；版图右侧布局以中间的I路1倍电流源的mos管、I路8倍电流源mos管、I路32倍电流源mos管以及dummy mos管为中心线上下对称设置。
2.根据权利要求1所述的一种高精准DCOC的版图结构设计方法，其特征在于，整体版图布局中，1代表Q路1倍电流源的mos管，2代表Q路2倍电流源mos管，4代表Q路4倍电流源mos管，8代表Q路8倍电流源mos管，16代表Q路16倍电流源mos管，32代表Q路32倍电流源mos管，64代表Q路64倍电流源mos管；1`代表I路1倍电流源的mos管，2`代表I路2倍电流源mos管，4`代表I路4倍电流源mos管，8`代表I路8倍电流源mos管，16`代表I路16倍电流源mos管，32`代表I路32倍电流源mos管，64`代表I路64倍电流源mos管。
3.根据权利要求1所述的一种高精准DCOC的版图结构设计方法，其特征在于，版图左、右两侧的布局中，I路中各个多倍电流源的mos管与Q路中各个多倍电流源mos管的数量相同。
4.根据权利要求1所述的一种高精准DCOC的版图结构设计方法，其特征在于，整体版图中mos管以中心向外发散的形式设计，总体上，低倍电流源mos管位于高倍电流源mos管的内侧。
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|---|---|---|---|---|
| WO2023245767A1 (zh) * | 2022-06-24 | 2023-12-28 | 长鑫存储技术有限公司 | 版图结构及其制备方法 |
| US12113531B2 (en) | 2022-06-24 | 2024-10-08 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Layout structure and method for fabricating same |
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