CN114325474A - 漏电检测电路 - Google Patents

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CN114325474A CN202111621898.0A CN202111621898A CN114325474A CN 114325474 A CN114325474 A CN 114325474A CN 202111621898 A CN202111621898 A CN 202111621898A CN 114325474 A CN114325474 A CN 114325474A
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Abstract

本发明提供了一种漏电检测电路,包括:分压电路,分压电路与待测电源相连;开关电路,开关电路设置于分压电路中,用以控制分压电路的通断;基准电压电路;运算放大电路,运算放大电路分别与分压电路和基准电压电路相连,用以在分压电路导通时生成漏电检测电压;控制芯片,控制芯片分别与开关电路和运算放大电路相连,控制芯片内设有待测电源不同位置的漏电参考电压,当分压电路导通时,控制芯片根据漏电参考电压和漏电检测电压判断待测电源是否漏电,以及发生漏电时的漏电位置。本发明能够实现高压漏电检测,并且能够实现待测电源正负极中间的漏电检测,从而能够提高检测范围以确保待测电源的安全性,此外,结构简单、成本较低。

Description

漏电检测电路
技术领域
本发明涉及漏电检测技术领域,具体涉及一种漏电检测电路。
背景技术
现有新能源的高压漏电检测电路,一般运用不平衡桥法或脉冲注入法,而这两种方案通常用于检测高压正极或负极对地漏电,若正极与负极之间的部分漏电则无法检测,此外,由于高压电子元器件的耐高压性能使得现有高压漏电检测电路难以检测1000V以上的高压漏电,导致其检测范围较小。
发明内容
本发明为解决上述技术问题,提供了一种漏电检测电路,能够实现高压漏电检测,并且能够实现待测电源正负极中间的漏电检测,从而能够提高检测范围以确保待测电源的安全性,此外,结构简单、成本较低。
一种漏电检测电路,包括:分压电路,所述分压电路与待测电源相连;开关电路,所述开关电路设置于所述分压电路中,用以控制所述分压电路的通断;基准电压电路;运算放大电路,所述运算放大电路分别与所述分压电路和所述基准电压电路相连,用以在所述分压电路导通时生成漏电检测电压;控制芯片,所述控制芯片分别与所述开关电路和所述运算放大电路相连,所述控制芯片内设有所述待测电源不同位置的漏电参考电压,当所述分压电路导通时,所述控制芯片根据所述漏电参考电压和所述漏电检测电压判断所述待测电源是否漏电,以及发生漏电时的漏电位置。
根据本发明的一个实施例,所述分压电路包括第一分压电路和第二分压电路,所述第一分压电路和所述第二分压电路分别与所述待测电源正极和负极对应相连,其中,所述第一分压电路包括:第一分压电阻,所述第一分压电阻的一端与所述运算放大电路相连:第二分压电阻,所述第二分压电阻的一端与所述第一分压电阻的另一端相连;第三分压电阻,所述第三分压电阻的一端与所述第二分压电阻的另一端相连;第四分压电阻,所述第四分压电阻的一端与所述第三分压电阻的另一端相连,所述第四分压电阻的另一端与所述待测电源正极相连;所述第二分压电路包括:第五分压电阻,所述第五分压电阻的一端与所述运算放大电路相连:第六分压电阻,所述第六分压电阻的一端与所述第五分压电阻的另一端相连;第七分压电阻,所述第七分压电阻的一端与所述第六分压电阻的另一端相连;第八分压电阻,所述第八分压电阻的一端与所述第七分压电阻的另一端相连,所述第八分压电阻的另一端与所述待测电源负极相连。
根据本发明的一个实施例,所述开关电路包括第一开关电路和第二开关电路,所述第一开关电路和所述第二开关电路分别与所述第一分压电路和所述第二分压电路对应相连,其中,所述第一开关电路包括:第一继电器,所述第一继电器的动触点与所述第一分压电阻的一端相连,所述第一继电器的静触点与所述第二分压电阻的一端相连;第一二极管,所述第一二极管的正极与所述第一继电器线圈的一端相连,并连接外部电源,所述第一二极管的负极与所述第一继电器线圈的另一端相连;第一MOS管,所述第一MOS管的漏极与所述第一二极管的负极相连,所述第一MOS管的源极接地;第九分压电阻,所述第九分压电阻的一端与所述控制芯片相连,所述第九分压电阻的另一端与所述第一MOS管的栅极相连;第十分压电阻,所述第十分压电阻的一端与所述控制芯片相连,所述第十分压电阻的另一端接地;所述第二开关电路包括:第二继电器,所述第二继电器的动触点与所述第五分压电阻的一端相连,所述第二继电器的静触点与所述第六分压电阻的一端相连;第二二极管,所述第二二极管的正极与所述第二继电器线圈的一端相连,并连接所述外部电源,所述第二二极管的负极与所述第二继电器线圈的另一端相连;第二MOS管,所述第二MOS管的漏极与所述第二二极管的负极相连,所述第二MOS管的源极接地;第十一分压电阻,所述第十一分压电阻的一端与所述控制芯片相连,所述第十一分压电阻的另一端与所述第二MOS管的栅极相连;第十二分压电阻,所述第十二分压电阻的一端与所述控制芯片相连,所述第十二分压电阻的另一端接地。
根据本发明的一个实施例,所述基准电压电路包括第一基准电压电路和第二基准电压电路,其中,所述第一基准电压电路包括:第一基准电压源;第十三分压电阻,所述第十三分压电阻的一端与所述第一基准电压源相连,所述第十三分压电阻的另一端连接所述外部电源;第十四分压电阻,所述第十四分压电阻的一端与所述运算放大电路相连,所述第十四分压电阻的另一端与所述第一基准电压源相连;所述第二基准电压电路包括:第二基准电压源;第十五分压电阻,所述第十五分压电阻的一端与所述第二基准电压源相连,所述第十五分压电阻的另一端连接所述外部电源;第十六分压电阻,所述第十六分压电阻的一端与所述运算放大电路相连,所述第十六分压电阻的另一端与所述第二基准电压源相连。
根据本发明的一个实施例,所述运算放大电路包括第一运算放大电路和第二运算放大电路,所述第一运算放大电路分别与所述第一分压电路、所述第一基准电压电路和所述控制芯片相连,所述第二运算放大电路分别与所述第二分压电路、所述第二基准电压电路和所述控制芯片相连,其中,所述第一运算放大电路包括:第一运算放大器,所述第一运算放大器的正相输入端与所述第十四分压电阻的一端相连,所述第一运算放大器的反相输入端与所述第一分压电阻的一端相连,所述第一运算放大器的输出端与所述控制芯片相连;第十七分压电阻,所述第十七分压电阻的一端与所述第一运算放大器的输出端相连,所述第十七分压电阻的另一端与所述第一运算放大器的反相输入单相连;所述第二运算放大电路包括:第二运算放大器,所述第二运算放大器的正相输入端与所述第十六分压电阻的一端相连,所述第二运算放大器的反相输入端与所述第五分压电阻的一端相连,所述第二运算放大器的输出端与所述控制芯片相连;第十八分压电阻,所述第十八分压电阻的一端与所述第二运算放大器的输出端相连,所述第十八分压电阻的另一端与所述第二运算放大器的反相输入单相连。
根据本发明的一个实施例,所述的漏电检测电路还包括第一滤波电路和第二滤波电路,所述第一滤波电路和所述第二滤波电路分别与所述第一运算放大电路和所述第二运算放大电路对应相连,其中,所述第一滤波电路包括:第一滤波电容,所述第一滤波电容的一端与所述控制芯片相连,所述第一滤波电容的另一端接地;第十九分压电阻,所述第十九分压电阻的一端与所述控制芯片相连,所述第十九分压电阻的另一端接地;所述第二滤波电路包括:第二滤波电容,所述第二滤波电容的一端与所述控制芯片相连,所述第二滤波电容的另一端接地;第二十分压电阻,所述第二十分压电阻的一端与所述控制芯片相连,所述第二十分压电阻的另一端接地。
根据本发明的一个实施例,所述待测电源不同位置的漏电参考电压包括所述待测电源的正极漏电参考电压、所述待测电源的负极漏电参考电压和所述待测电源的正负极中间漏电参考电压。
根据本发明的一个实施例,所述待测电源的负极漏电参考电压通过下列公式计算:
Vp-=Vref1-(VDC+Vref1)*R17/(R1+R2+R3+R4+Rn)
其中,所述Vref1表示所述第一基准电压源输出电压,所述VDC表示所述待测电源输出电压,所述R17表示所述第十七分压电阻,所述R1表示所述第一分压电阻,所述R2表示所述第二分压电阻,所述R3表示第三分压电阻,所述R4表示第四分压电阻,所述Rn表示待测电源负极漏电时的绝缘电阻。
根据本发明的一个实施例,所述待测电源的正极漏电参考电压通过下列公式计算:
Vn+=Vref2-(VDC+Vref2)*R18/(R5+R6+R7+R8+Rp)
其中,所述Vref2表示所述第二基准电压源输出电压,所述R18表示所述第十七八分压电阻,所述R5表示所述第五分压电阻,所述R6表示所述第六分压电阻,所述R7表示第七分压电阻,所述R8表示第八分压电阻,所述Rp表示待测电源正极漏电时的绝缘电阻。
根据本发明的一个实施例,所述待测电源的正负极中间漏电参考电压通过下列公式计算:
Vp-’=Vref1-(VDC-Vi+Vref1)*R17/(R1+R2+R3+R4+Rm)
Vn+’=Vref2-(VDC-Vi+Vref2)*R18/(R5+R6+R7+R8+Rm)
其中,所述Vp-’表示所述待测电源的正负极中间漏电时的第一漏电参考电压,所述Vn+’表示所述待测电源的正负极中间漏电时的第二漏电参考电压,所述Vi表示所述待测电源的正负极中间漏电电压,所述Rm表示所述待测电源的正负极中间漏电时的绝缘电阻。
本发明的有益效果如下:
1)发明不仅能够实现待测电源正负极的漏电检测,还能够实现待测电源正负极中间的漏电检测,从而能够提高检测范围以确保待测电源的安全性;
2)本发明能够减少开关器件的数量,结构简单、成本较低;
3)本发明不需要把待测电源的高压地与低压地相连,通过多个电阻分压与隔离继电器可以检测1000V以上电压的漏电,能够提高适用范围。
附图说明
图1为本发明实施例的漏电检测电路的方框示意图;
图2为本发明一个实施例的漏电检测电路的方框示意图;
图3为本发明一个实施例的漏电检测电路的拓扑图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图1为本发明实施例的漏电检测电路的方框示意图。
如图1所示,本发明实施例的漏电检测电路包括分压电路10、开关电路20、基准电压电路30、运算放大电路40和控制芯片50。其中,分压电路10与待测电源100相连;开关电路20设置于分压电路10中,用以控制分压电路10的通断;运算放大电路40分别与分压电路10和基准电压电路30相连,用以在分压电路10导通时生成漏电检测电压;控制芯片50分别与开关电路20和运算放大电路40相连,控制芯片50内设有待测电源100不同位置的漏电参考电压,当分压电路10导通时,控制芯片50根据漏电参考电压和漏电检测电压判断待测电源100是否漏电,以及发生漏电时的漏电位置。
具体地,如图2所示,分压电路10可包括第一分压电路101和第二分压电路102,并且第一分压电路101和第二分压电路102可分别与待测电源100的正极和负极对应相连;开关电路20可包括第一开关电路201和第二开关电路202,并且第一开关电路201可设置于第一分压电路101中,用于控制第一分压电路101的通断,第二开关电路202可设置于第二分压电路102中,用于控制第二分压电路102的通断;基准电压电路30可包括第一基准电压电路301和第二基准电压电路302;运算放大电路40可包括第一运算放大电路401和第二运算放大电路402,并且第一运算放大电路401可分别与第一分压电路101、第一基准电压电路301和控制芯片50相连,用以在第一分压电路101导通时生成待测电源100正极的漏电检测电压,第二运算放大电路402可分别与第二分压电路102、第二基准电压电路302和控制芯片50相连,用以在第二分压电路102导通时生成待测电源100负极的漏电检测电压。
由此,控制芯片50可根据存储设置的漏电参考电压,即待测电源100正极漏电参考电压或待测电源100负极漏电参考电压与漏电检测电压判断待测电源100的正极或负极是否漏电,并能够判断漏电位置,即待测电源100的正极或负极,此外,控制芯片50还可根据存储设置的漏电参考电压,即待测电源100正极漏电参考电压和待测电源100负极漏电参考电压与漏电检测电压判断待测电源100的正负极中间是否漏电,并能够判断待测电源100的正负极中间漏电位置。
下面将结合图3具体说明本发明实施例的漏电检测电路的拓扑结构,以及基于该拓扑结构的漏电检测过程。
在本发明的一个实施例子中,如图3所示,第一分压电路101包括:第一分压电阻R1,第一分压电阻R1的一端与运算放大电路40相连:第二分压电阻R2,第二分压电阻R2的一端与第一分压电阻R1的另一端相连;第三分压电阻R3,第三分压电阻R3的一端与第二分压电阻R2的另一端相连;第四分压电阻R4,第四分压电阻R4的一端与第三分压电阻R3的另一端相连,第四分压电阻R4的另一端与待测电源100正极相连。
在本发明的一个实施例中,如图3所示,第二分压电路102包括:第五分压电阻R5,第五分压电阻R5的一端与运算放大电路40相连:第六分压电阻R6,第六分压电阻R6的一端与第五分压电阻R5的另一端相连;第七分压电阻R7,第七分压电阻R7的一端与第六分压电阻R6的另一端相连;第八分压电阻R8,第八分压电阻R8的一端与第七分压电阻R7的另一端相连,第八分压电阻R8的另一端与待测电源100负极相连。
在本发明的一个实施例中,如图3所示,第一开关电路201包括:第一继电器U1,第一继电器U1的动触点与第一分压电阻R1的一端相连,第一继电器U1的静触点与第二分压电阻R2的一端相连;第一二极管D1,第一二极管D1的正极与第一继电器U1线圈的一端相连,并连接外部电源,第一二极管D1的负极与第一继电器U1线圈的另一端相连;第一MOS管Q1,第一MOS管Q1的漏极与第一二极管D1的负极相连,第一MOS管Q1的源极接地;第九分压电阻R9,第九分压电阻R9的一端与控制芯片50相连,第九分压电阻R9的另一端与第一MOS管Q1的栅极相连;第十分压电阻R10,第十分压电阻R10的一端与控制芯片50相连,第十分压电阻R10的另一端接地。
在本发明的一个实施例中,如图3所示,第二开关电路202包括:第二继电器U2,第二继电器U2的动触点与第五分压电阻R5的一端相连,第二继电器U2的静触点与第六分压电阻R6的一端相连;第二二极管D2,第二二极管D2的正极与第二继电器U2线圈的一端相连,并连接外部电源,第二二极管D2的负极与第二继电器U2线圈的另一端相连;第二MOS管Q2,第二MOS管Q2的漏极与第二二极管D2的负极相连,第二MOS管Q2的源极接地;第十一分压电阻R11,第十一分压电阻R11的一端与控制芯片50相连,第十一分压电阻R11的另一端与第二MOS管Q2的栅极相连;第十二分压电阻R12,第十二分压电阻R12的一端与控制芯片50相连,第十二分压电阻R12的另一端接地。
在本发明的一个实施例中,如图3所示,第一基准电压电路301包括:第一基准电压源U3;第十三分压电阻R13,第十三分压电阻R13的一端与第一基准电压源U3相连,第十三分压电阻R13的另一端连接外部电源;第十四分压电阻R14,第十四分压电阻R14的一端与运算放大电路40相连,第十四分压电阻R14的另一端与第一基准电压源U3相连。
在本发明的一个实施例中,如图3所示,第二基准电压电路302包括:第二基准电压源U4;第十五分压电阻R15,第十五分压电阻R15的一端与第二基准电压源U4相连,第十五分压电阻R15的另一端连接外部电源;第十六分压电阻R16,第十六分压电阻R16的一端与运算放大电路40相连,第十六分压电阻R16的另一端与第二基准电压源U4相连。
在本发明的一个实施例中,如图3所示,第一运算放大电路401包括:第一运算放大器U5,第一运算放大器U5的正相输入端与第十四分压电阻R14的一端相连,第一运算放大器U5的反相输入端与第一分压电阻R1的一端相连,第一运算放大器U5的输出端与控制芯片50相连;第十七分压电阻R17,第十七分压电阻R17的一端与第一运算放大器U5的输出端相连,第十七分压电阻R17的另一端与第一运算放大器U5的反相输入单相连;
在本发明的一个实施例中,如图3所示,第二运算放大电路402包括:第二运算放大器U6,第二运算放大器U6的正相输入端与第十六分压电阻R16的一端相连,第二运算放大器U6的反相输入端与第五分压电阻R5的一端相连,第二运算放大器U6的输出端与控制芯片50相连;第十八分压电阻R18,第十八分压电阻R18的一端与第二运算放大器U6的输出端相连,第十八分压电阻R18的另一端与第二运算放大器U6的反相输入单相连。
进一步地,如图2所示,本发明实施例的漏电检测电路,还包括第一滤波电路601和第二滤波电路602,第一滤波电路601和第二滤波电路602分别与第一运算放大电路401和第二运算放大电路402对应相连。
具体地,如图3所示,第一滤波电路601包括:第一滤波电容C1,第一滤波电容C1的一端与控制芯片50相连,第一滤波电容C1的另一端接地;第十九分压电阻R19,第十九分压电阻R19的一端与控制芯片50相连,第十九分压电阻R19的另一端接地。同样地,如图3所示,第二滤波电路602包括:第二滤波电容C2,第二滤波电容C2的一端与控制芯片50相连,第二滤波电容C2的另一端接地;第二十分压电阻R20,第二十分压电阻R20的一端与控制芯片50相连,第二十分压电阻R20的另一端接地。
在本发明的一个实施例中,控制芯片50,即MCU内可设置存储有待测电源100不同位置的漏电参考电压,例如待测电源100的正极漏电参考电压、待测电源100的负极漏电参考电压和待测电源100的正负极中间漏电参考电压。
具体地,参照图3,当待测电源100的负极漏电时,若闭合第一继电器U1以控制第一分压电路101导通,则待测电源100负极漏电时的绝缘电阻Rn、第一分压电阻R1、第二分压电阻R2、第三分压电阻R3、第四分压电阻R4、第十七分压电阻R17和第一基准电压源U3可形成回路,因此可通过下列公式计算待测电源100的负极漏电参考电压:
Vp-=Vref1-(VDC+Vref1)*R17/(R1+R2+R3+R4+Rn)
其中,Vref1表示第一基准电压源U3输出电压,VDC表示待测电源100输出电压。
具体地,参照图3,当待测电源100的正极漏电时,若闭合第二继电器U2以控制第二分压电路102导通,则待测电源100正极漏电时的绝缘电阻Rp、第五分压电阻R5、第六分压电阻R6、第七分压电阻R7、第八分压电阻R8、第十八分压电阻R18和第二基准电压源U4可形成回路,因此可通过下列公式计算待测电源100的正极漏电参考电压:
Vn+=Vref2-(VDC+Vref2)*R18/(R5+R6+R7+R8+Rp)
其中,Vref2表示第二基准电压源U4输出电压。
具体地,当待测电源100的正负极中间漏电时,可设待测电源100的正负极中间漏电电压为Vi,由此,参考图3,若闭合第一继电器U1以控制第一分压电路101导通,可使得待测电源100正负极中间漏电时的绝缘电阻Rm、第一分压电阻R1、第二分压电阻R2、第三分压电阻R3、第四分压电阻R4、第十七分压电阻R17和第一基准电压源U3形成回路,从而可通过下列公式计算待测电源100的正负极中间漏电时的第一漏电参考电压:
Vp-’=Vref1-(VDC-Vi+Vref1)*R17/(R1+R2+R3+R4+Rm);
此外,参考图3,若闭合第二继电器U2以控制第二分压电路102导通,可使得待测电源100正负极中间漏电时的绝缘电阻Rm、第五分压电阻R5、第六分压电阻R6、第七分压电阻R7、第八分压电阻R8、第十八分压电阻R18和第二基准电压源U4形成回路,从而可通过下列公式计算待测电源100的正负极中间漏电时的第二漏电参考电压:
Vn+’=Vref2-(VDC-Vi+Vref2)*R18/(R5+R6+R7+R8+Rm)。
综上所述,基于本发明实施例的漏电检测电路对待测电源100进行漏电检测时,可通过控制芯片50先发出第一开关控制信号S1,以控制第一继电器U1闭合从而导通第一分压电路101,然后可通过控制芯片50采样第一运算放大电路401生成的第一漏电检测电压Vp,进而可通过比较第一漏电检测电压Vp与待测电源100的负极漏电参考电压Vp-以判断待测电源100负极是否漏电;进一步地,可通过控制芯片50先发出第二开关控制信号S2,以控制第二继电器U2闭合从而导通第二分压电路102,然后可通过控制芯片50采样第二运算放大电路402生成的第二漏电检测电压Vn,进而可通过比较第二漏电检测电压Vn与待测电源100的正极漏电参考电压Vn+以判断待测电源100正极是否漏电。
其中,若判断待测电源100正极和负极均为未漏电,且第一漏电检测电压Vp和第二漏电检测电压Vn均不处于正常工作电压,即不等于Rn、Rp为0时的待测电源100的负极漏电参考电压Vp-和正极漏电参考电压Vn+,则可判断待测电源100的正负极中间漏电,此时,控制芯片50通过分别控制第一继电器U1和第二继电器U2依次单独闭合,检测到的漏电检测电压可分别为Vp-’和Vn+’,由此,可通过上述公式求出待测电源100的正负极中间漏电电压Vi和绝缘电阻Rm,从而可判断待测电源100的正负极中间漏电位置。
本发明的有益效果如下:
1)发明不仅能够实现待测电源正负极的漏电检测,还能够实现待测电源正负极中间的漏电检测,从而能够提高检测范围以确保待测电源的安全性;
2)本发明能够减少开关器件的数量,结构简单、成本较低;
3)本发明不需要把待测电源的高压地与低压地相连,通过多个电阻分压与隔离继电器可以检测1000V以上电压的漏电,能够提高适用范围。
在本发明的描述中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必针对相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

Claims (10)

1.一种漏电检测电路,其特征在于,包括:
分压电路,所述分压电路与待测电源相连;
开关电路,所述开关电路设置于所述分压电路中,用以控制所述分压电路的通断;
基准电压电路;
运算放大电路,所述运算放大电路分别与所述分压电路和所述基准电压电路相连,用以在所述分压电路导通时生成漏电检测电压;
控制芯片,所述控制芯片分别与所述开关电路和所述运算放大电路相连,所述控制芯片内设有所述待测电源不同位置的漏电参考电压,当所述分压电路导通时,所述控制芯片根据所述漏电参考电压和所述漏电检测电压判断所述待测电源是否漏电,以及发生漏电时的漏电位置。
2.根据权利要求1所述的漏电检测电路,其特征在于,所述分压电路包括第一分压电路和第二分压电路,所述第一分压电路和所述第二分压电路分别与所述待测电源正极和负极对应相连,其中,
所述第一分压电路包括:
第一分压电阻,所述第一分压电阻的一端与所述运算放大电路相连:
第二分压电阻,所述第二分压电阻的一端与所述第一分压电阻的另一端相连;
第三分压电阻,所述第三分压电阻的一端与所述第二分压电阻的另一端相连;
第四分压电阻,所述第四分压电阻的一端与所述第三分压电阻的另一端相连,所述第四分压电阻的另一端与所述待测电源正极相连;
所述第二分压电路包括:
第五分压电阻,所述第五分压电阻的一端与所述运算放大电路相连:
第六分压电阻,所述第六分压电阻的一端与所述第五分压电阻的另一端相连;
第七分压电阻,所述第七分压电阻的一端与所述第六分压电阻的另一端相连;
第八分压电阻,所述第八分压电阻的一端与所述第七分压电阻的另一端相连,所述第八分压电阻的另一端与所述待测电源负极相连。
3.根据权利要求2所述的漏电检测电路,其特征在于,所述开关电路包括第一开关电路和第二开关电路,所述第一开关电路和所述第二开关电路分别与所述第一分压电路和所述第二分压电路对应相连,其中,
所述第一开关电路包括:
第一继电器,所述第一继电器的动触点与所述第一分压电阻的一端相连,所述第一继电器的静触点与所述第二分压电阻的一端相连;
第一二极管,所述第一二极管的正极与所述第一继电器线圈的一端相连,并连接外部电源,所述第一二极管的负极与所述第一继电器线圈的另一端相连;
第一MOS管,所述第一MOS管的漏极与所述第一二极管的负极相连,所述第一MOS管的源极接地;
第九分压电阻,所述第九分压电阻的一端与所述控制芯片相连,所述第九分压电阻的另一端与所述第一MOS管的栅极相连;
第十分压电阻,所述第十分压电阻的一端与所述控制芯片相连,所述第十分压电阻的另一端接地;
所述第二开关电路包括:
第二继电器,所述第二继电器的动触点与所述第五分压电阻的一端相连,所述第二继电器的静触点与所述第六分压电阻的一端相连;
第二二极管,所述第二二极管的正极与所述第二继电器线圈的一端相连,并连接所述外部电源,所述第二二极管的负极与所述第二继电器线圈的另一端相连;
第二MOS管,所述第二MOS管的漏极与所述第二二极管的负极相连,所述第二MOS管的源极接地;
第十一分压电阻,所述第十一分压电阻的一端与所述控制芯片相连,所述第十一分压电阻的另一端与所述第二MOS管的栅极相连;
第十二分压电阻,所述第十二分压电阻的一端与所述控制芯片相连,所述第十二分压电阻的另一端接地。
4.根据权利要求3所述的漏电检测电路,其特征在于,所述基准电压电路包括第一基准电压电路和第二基准电压电路,其中,
所述第一基准电压电路包括:
第一基准电压源;
第十三分压电阻,所述第十三分压电阻的一端与所述第一基准电压源相连,所述第十三分压电阻的另一端连接所述外部电源;
第十四分压电阻,所述第十四分压电阻的一端与所述运算放大电路相连,所述第十四分压电阻的另一端与所述第一基准电压源相连;
所述第二基准电压电路包括:
第二基准电压源;
第十五分压电阻,所述第十五分压电阻的一端与所述第二基准电压源相连,所述第十五分压电阻的另一端连接所述外部电源;
第十六分压电阻,所述第十六分压电阻的一端与所述运算放大电路相连,所述第十六分压电阻的另一端与所述第二基准电压源相连。
5.根据权利要求4所述的漏电检测电路,其特征在于,所述运算放大电路包括第一运算放大电路和第二运算放大电路,所述第一运算放大电路分别与所述第一分压电路、所述第一基准电压电路和所述控制芯片相连,所述第二运算放大电路分别与所述第二分压电路、所述第二基准电压电路和所述控制芯片相连,其中,
所述第一运算放大电路包括:
第一运算放大器,所述第一运算放大器的正相输入端与所述第十四分压电阻的一端相连,所述第一运算放大器的反相输入端与所述第一分压电阻的一端相连,所述第一运算放大器的输出端与所述控制芯片相连;
第十七分压电阻,所述第十七分压电阻的一端与所述第一运算放大器的输出端相连,所述第十七分压电阻的另一端与所述第一运算放大器的反相输入单相连;
所述第二运算放大电路包括:
第二运算放大器,所述第二运算放大器的正相输入端与所述第十六分压电阻的一端相连,所述第二运算放大器的反相输入端与所述第五分压电阻的一端相连,所述第二运算放大器的输出端与所述控制芯片相连;
第十八分压电阻,所述第十八分压电阻的一端与所述第二运算放大器的输出端相连,所述第十八分压电阻的另一端与所述第二运算放大器的反相输入单相连。
6.根据权利要求5所述的漏电检测电路,其特征在于,还包括第一滤波电路和第二滤波电路,所述第一滤波电路和所述第二滤波电路分别与所述第一运算放大电路和所述第二运算放大电路对应相连,其中,
所述第一滤波电路包括:
第一滤波电容,所述第一滤波电容的一端与所述控制芯片相连,所述第一滤波电容的另一端接地;
第十九分压电阻,所述第十九分压电阻的一端与所述控制芯片相连,所述第十九分压电阻的另一端接地;
所述第二滤波电路包括:
第二滤波电容,所述第二滤波电容的一端与所述控制芯片相连,所述第二滤波电容的另一端接地;
第二十分压电阻,所述第二十分压电阻的一端与所述控制芯片相连,所述第二十分压电阻的另一端接地。
7.根据权利要求4所述的漏电检测电路,其特征在于,所述待测电源不同位置的漏电参考电压包括所述待测电源的正极漏电参考电压、所述待测电源的负极漏电参考电压和所述待测电源的正负极中间漏电参考电压。
8.根据权利要求7所述的漏电检测电路,其特征在于,所述待测电源的负极漏电参考电压通过下列公式计算:
Vp-=Vref1-(VDC+Vref1)*R17/(R1+R2+R3+R4+Rn)
其中,所述Vref1表示所述第一基准电压源输出电压,所述VDC表示所述待测电源输出电压,所述R17表示所述第十七分压电阻,所述R1表示所述第一分压电阻,所述R2表示所述第二分压电阻,所述R3表示第三分压电阻,所述R4表示第四分压电阻,所述Rn表示待测电源负极漏电时的绝缘电阻。
9.根据权利要求8所述的漏电检测电路,其特征在于,所述待测电源的正极漏电参考电压通过下列公式计算:
Vn+=Vref2-(VDC+Vref2)*R18/(R5+R6+R7+R8+Rp)
其中,所述Vref2表示所述第二基准电压源输出电压,所述R18表示所述第十七八分压电阻,所述R5表示所述第五分压电阻,所述R6表示所述第六分压电阻,所述R7表示第七分压电阻,所述R8表示第八分压电阻,所述Rp表示待测电源正极漏电时的绝缘电阻。
10.根据权利要求9所述的漏电检测电路,其特征在于,所述待测电源的正负极中间漏电参考电压通过下列公式计算:
Vp-’=Vref1-(VDC-Vi+Vref1)*R17/(R1+R2+R3+R4+Rm)
Vn+’=Vref2-(VDC-Vi+Vref2)*R18/(R5+R6+R7+R8+Rm)
其中,所述Vp-’表示所述待测电源的正负极中间漏电时的第一漏电参考电压,所述Vn+’表示所述待测电源的正负极中间漏电时的第二漏电参考电压,所述Vi表示所述待测电源的正负极中间漏电电压,所述Rm表示所述待测电源的正负极中间漏电时的绝缘电阻。
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