CN114322772B - 调整基座装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种调整基座装置，所述调整基座装置包括检测部和调整部，所述检测部用于检测基座的边缘以获取最大弧长，所述检测部还用于检测所述检测部与基座之间的最短距离，所述调整部与所述检测部连接，所述调整部用于根据所述最大弧长、所述最短距离和预设的标准数据调整基座的水平位置和中心位置。本发明还提供了一种调整基座方法。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术技术领域，尤其涉及一种调整基座装置及方法。
背景技术
现有技术中，常温大气环境下基座实现相对腔体的水平对中之后，由于腔体和基座的热膨胀系数不同，高温真空环境下基座相对腔体的水平度和同心度发生变化，此时基座通过常温大气环境下的参数难以实现相对腔体的水平对中，进而严重影响了工艺表现。
因此，有必要提供一种新型的调整基座装置及方法以解决现有技术中存在的上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种调整基座装置及方法，以实现基座在高温真空环境下相对腔体水平对中。
为实现上述目的，本发明提供了一种调整基座装置，包括：检测部和调整部，所述检测部用于检测基座的边缘以获取最大弧长，所述检测部还用于检测所述检测部与基座之间的最短距离，所述调整部与所述检测部连接，所述调整部用于根据所述最大弧长、所述最短距离和预设的标准数据调整基座的水平位置和中心位置。
本发明所述的调整基座装置的有益效果在于：通过设置所述检测部以实现基座在高温真空环境下相对腔体水平对中。
可选地，所述检测部包括传感器和电机，所述传感器与基座位于同一水平面内，所述传感器与所述电机连接，所述电机用于带动所述传感器旋转以获取每个基座的检测数据。
可选地，所述检测部还包括位置控制单元，所述位置控制单元用于控制所述电机在所述传感器到达预设的位置点时停止转动，所述位置点的数目与基座数目相对应。
可选地，所述调整部包括计算单元和第一判断单元，所述计算单元用于计算所述最大弧长对应的计算圆心角，所述标准数据包括预设的标准圆心角，所述第一判断单元用于判断所述计算圆心角与所述标准圆心角是否相同。
可选地，所述调整部还包括第二判断单元，所述标准数据包括预设的标准距离，所述第二判断单元用于判断所述最短距离与所述标准距离是否相同。
可选地，所述调整部还包括水平调整部、比较单元和对中调整部，所述水平调整部用于在所述计算圆心角与所述标准圆心角不相同时调整基座的水平位置，所述计算单元还用于在所述水平调整部调整基座的水平位置后计算新的圆心角，所述比较单元用于将新的所述圆心角与上一次计算的所述计算圆心角比较，所述水平调整部还用于根据比较单元的比较结果调整基座的水平位置，所述对中调整部用于在所述最短距离与所述标准距离不相同时调整基座的中心位置。
本发明还提供了一种调整基座方法，包括步骤：
检测部检测基座的边缘以获取最大弧长，然后所述检测部检测所述检测部与基座之间的最短距离；
调整部根据所述最大弧长、所述最短距离和预设的标准数据调整基座的水平位置和中心位置。
本发明所述的调整基座方法的有益效果在于：通过检测部检测基座的边缘以获取最大弧长，然后所述检测部检测所述检测部与基座之间的最短距离，然后调整部根据所述最大弧长、所述最短距离和预设的标准数据调整基座的水平位置和中心位置以实现基座在高温真空环境下相对腔体水平对中。
可选地，所述调整部根据所述最大弧长、所述最短距离和预设的标准数据调整基座的水平位置和中心位置，包括：
所述调整部包括计算单元、第一判断单元和水平调整部，所述计算单元计算所述最大弧长对应的计算圆心角，所述第一标准数据包括预设的标准圆心角，然后所述第一判断单元判断所述计算圆心角与所述标准圆心角是否相同，若所述计算圆心角与所述标准圆心角不相同，则所述水平调整部调整基座的水平位置。
可选地，所述调整部根据所述最大弧长、所述最短距离和预设的标准数据调整基座的水平位置和中心位置，包括：
所述调整部还包括第二判断单元和对中调整部，所述标准数据包括预设的标准距离，所述第二判断单元判断所述最短距离与所述标准距离是否相同，若所述最短距离与所述标准距离不相同，则所述对中调整部调整基座的中心位置。
可选地，所述调整基座方法还包括调整步骤，所述调整步骤包括：所述水平调整部朝第一方向调整基座的水平位置后，重新计算新的圆心角，将新的所述圆心角与上一次计算的所述计算圆心角比较，若新的所述圆心角大于上一次计算的所述计算圆心角，则所述水平调整部朝所述第一方向的反方向调整基座的水平位置。
附图说明
图1为本发明一些实施例调整基座装置的部分结构示意图；
图2为本发明又一些实施例调整基座装置的部分结构示意图；
图3为本发明还一些实施例调整基座装置的部分结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
针对现有技术存在的问题，本发明的实施例提供了一种调整基座装置，所述调整基座装置包括：检测部和调整部，所述检测部用于检测基座的边缘以获取最大弧长，所述检测部还用于检测所述检测部与基座之间的最短距离，所述调整部与所述检测部连接，所述调整部用于根据所述最大弧长、所述最短距离和预设的标准数据调整基座的水平位置和中心位置。
一些实施例中，所述检测部包括传感器和电机，所述传感器与基座位于同一水平面内，所述传感器与所述电机连接，所述电机用于带动所述传感器旋转以获取每个基座的检测数据。
一些实施例中，所述检测部还包括位置控制单元，所述位置控制单元用于控制所述电机在所述传感器到达预设的位置点时停止转动，所述位置点的数目与基座数目相对应。
图1为本发明一些实施例调整基座装置的部分结构示意图。
一些实施例中，参照图1，基座的数目为6，6个基座分别为第一基座101、第二基座102、第三基座103、第四基座104、第五基座105和第六基座106，其中，所述第一基座101、第二基座102、第三基座103、第四基座104、第五基座105和第六基座106的半径相等，6个基座在同一水平面内，在6个基座相对腔体水平对中时，所述传感器200和基座位于同一水平面内，所述传感器200与每个基座的圆心之间的距离相等。
一些实施例中，基座用以承载晶圆，本发明所述的调整基座装置能够在高温真空环境下调整基座使得每个基座相对腔体水平对中，以减小高温真空环境下基座位置偏移对每个基座上承载的晶圆的性能的影响。
一些实施例中，参照图1，所述位置点数目为6，6个所述位置点分别为第一位置点301、第二位置点302、第三位置点303、第四位置点304、第五位置点305和第六位置点306。
一些实施例中，所述传感器设置于原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)腔体的中心位置。
一些实施例中，所述传感器为激光传感器，但本发明不限于此。
一些实施例中，本发明实施例中的基座为加热盘。
一些实施例中，所述调整部包括计算单元和第一判断单元，所述计算单元用于计算所述最大弧长对应的计算圆心角，所述标准数据包括预设的标准圆心角，所述第一判断单元用于判断所述计算圆心角与所述标准圆心角是否相同。
一些实施例中，所述调整部还包括第二判断单元，所述标准数据包括预设的标准距离，所述第二判断单元用于判断所述最短距离与所述标准距离是否相同。
一些实施例中，所述调整部还包括水平调整部、比较单元和对中调整部，所述水平调整部用于在所述计算圆心角与所述标准圆心角不相同时调整基座的水平位置，所述计算单元还用于在所述水平调整部调整基座的水平位置后计算新的圆心角，所述比较单元用于将新的所述圆心角与上一次计算的所述计算圆心角比较，所述水平调整部还用于根据比较单元的比较结果调整基座的水平位置，所述对中调整部用于在所述最短距离与所述标准距离不相同时调整基座的中心位置。
一些实施例中，本发明还提供了一种调整基座方法，包括步骤：
检测部检测基座的边缘以获取最大弧长，然后所述检测部检测所述检测部与基座之间的最短距离；
调整部根据所述最大弧长、所述最短距离和预设的标准数据调整基座的水平位置和中心位置。
一些实施例中，所述调整部根据所述最大弧长、所述最短距离和预设的标准数据调整基座的水平位置和中心位置，包括：
所述调整部包括计算单元、第一判断单元和水平调整部，所述计算单元计算所述最大弧长对应的计算圆心角，所述第一标准数据包括预设的标准圆心角，然后所述第一判断单元判断所述计算圆心角与所述标准圆心角是否相同，若所述计算圆心角与所述标准圆心角不相同，则所述水平调整部调整基座的水平位置。
一些实施例中，所述调整部根据所述最大弧长、所述最短距离和预设的标准数据调整基座的水平位置和中心位置，包括：
所述调整部还包括第二判断单元和对中调整部，所述标准数据包括预设的标准距离，所述第二判断单元判断所述最短距离与所述标准距离是否相同，若所述最短距离与所述标准距离不相同，则所述对中调整部调整基座的中心位置。
一些实施例中，所述调整基座方法还包括调整步骤，所述调整步骤包括：所述水平调整部朝第一方向调整基座的水平位置后，重新计算新的圆心角，将新的所述圆心角与上一次计算的所述计算圆心角比较，若新的所述圆心角大于上一次计算的所述计算圆心角，则所述水平调整部朝所述第一方向的反方向调整基座的水平位置。
图2为本发明又一些实施例调整基座装置的部分结构示意图。
一些实施例中，参照图1和图2，在大气室温环境下，通过水平对中仪使第一基座101相对腔体400水平对中，所述传感器200位于第一位置点301处，然后所述传感器200旋转第一角度θ检测第一基座101的上边缘以获取第一最大弧长L1，所述第一基座101的半径为R，然后根据圆心角计算公式计算所述第一最大弧长L1对应的第一圆心角，并将所述第一圆心角作为预设的标准圆心角θ1，所述传感器200检测所述传感器200与所述第一基座101之间的最短距离以作为预设的标准距离d1。
一些实施例中，所述第一角度θ的范围为1度-180度。
图3为本发明还一些实施例调整基座装置的部分结构示意图。
一些实施例中，参照图1和图3，在高温真空环境下，所述第一基座101和腔体400的热膨胀系数不同，所述第一基座101的位置发生了偏移，所述传感器200位于第一位置点301处，然后所述传感器200旋转第一角度θ检测所述第一基座101的上边缘以获取第二最大弧长L2，所述第一基座101的半径为R，然后根据圆心角计算公式计算所述第二最大弧长L2对应的第一计算圆心角θ2，所述第一判断单元(图中未标示)判断所述第一计算圆心角θ2与所述标准圆心角θ1是否相同，若所述第一计算圆心角θ2与所述标准圆心角θ1不相同，则所述水平调整部(图中未标示)调整所述第一基座101的水平位置。
一些实施例中，若所述第一计算圆心角θ2大于所述标准圆心角θ1，则所述水平调整部朝第一方向调整基座的水平位置，然后所述传感器旋转第一角度θ检测所述第一基座的上边缘以获取第三最大弧长L3，所述第一基座的半径为R，然后根据圆心角计算公式计算所述第三最大弧长L3对应的第二计算圆心角θ3，所述第一判断单元判断所述第二计算圆心角θ3与所述标准圆心角θ1是否相同，若所述第二计算圆心角θ3与所述标准圆心角θ1不相同，则所述比较单元将所述第二计算圆心角θ3与上一次计算的所述第一计算圆心角θ2比较，若新的所述第二计算圆心角θ3大于上一次计算的所述第一计算圆心角θ2，则所述水平调整部朝所述第一方向的反方向调整基座的水平位置。
一些实施例中，参照图3，在高温真空环境下，所述传感器200检测所述传感器200与所述第一基座101之间的第一最短距离d2，所述第二判断单元(图中未标示)判断所述第一最短距离d2与所述标准距离d1是否相同，若所述第一最短距离d2与所述标准距离d1不相同，则所述对中调整部(图中未标示)调整所述第一基座101的中心位置。
一些实施例中，在高温真空环境下，所述第一计算圆心角与所述标准圆心角相同，且所述第一最短距离与所述标准距离相同，所述位置控制单元控制所述电机带动所述传感器从所述第一位置点转动到所述第二位置点。
一些实施例中，所述传感器在所述第二位置点旋转第一角度θ检测所述第二基座的上边缘以获取第四最大弧长L4，所述第二基座的半径为R，然后根据圆心角计算公式计算所述第四最大弧长对应的第三计算圆心角θ4，所述第一判断单元判断所述第三计算圆心角θ4与所述标准圆心角θ1是否相同，若所述第三计算圆心角θ4与所述标准圆心角θ1不相同，则所述水平调整部调整所述第二基座的水平位置。
一些实施例中，所述传感器检测所述传感器与所述第二基座之间的第二最短距离d3，所述第二判断单元判断所述第二最短距离d3与所述标准距离d1是否相同，若所述第二最短距离d3与所述标准距离d1不相同，则所述对中调整部调整所述第二基座的中心位置。
一些实施例中，若所述第二最短距离d3小于所述标准距离d1，则所述对中调整部将所述第二基座远离所述传感器的方向调整，若所述第二最短距离d3大于所述标准距离d1，则所述对中调整部将所述第二基座朝向所述传感器的方向调整。
一些实施例中，所述水平调整部与基座可拆卸链接，所述对中调整部与所述水平调整部可拆卸链接。
虽然在上文中详细说明了本发明的实施方式，但是对于本领域的技术人员来说显而易见的是，能够对这些实施方式进行各种修改和变化。但是，应理解，这种修改和变化都属于权利要求书中所述的本发明的范围和精神之内。而且，在此说明的本发明可有其它的实施方式，并且可通过多种方式实施或实现。
Claims (10)
1.一种调整基座装置，其特征在于，包括：
检测部和调整部，所述检测部用于检测基座的边缘以获取最大弧长，所述检测部还用于检测所述检测部与基座之间的最短距离，所述调整部与所述检测部连接，所述调整部用于根据在高温真空环境下测得的所述最大弧长计算出的计算圆心角、在高温真空环境下测得的所述最短距离和预设的标准数据调整基座的水平位置和中心位置；
所述标准数据包括在常温大气环境下得到的标准圆心角和标准距离，根据所述检测部检测基座的边缘获取的最大弧长计算得到所述标准圆心角，所述检测部与基座之间的最短距离为所述标准距离；
当所述计算圆心角、所述最短距离分别与所述标准圆心角、所述标准距离不相同时，进行基座的水平位置和中心位置的调整。
2.根据权利要求1所述调整基座装置，其特征在于，所述检测部包括传感器和电机，所述传感器与基座位于同一水平面内，所述传感器与所述电机连接，所述电机用于带动所述传感器旋转以获取每个基座的检测数据。
3.根据权利要求2所述调整基座装置，其特征在于，所述检测部还包括位置控制单元，所述位置控制单元用于控制所述电机在所述传感器到达预设的位置点时停止转动，所述位置点的数目与基座数目相对应。
4.根据权利要求1、2或3所述调整基座装置，其特征在于，所述调整部包括计算单元和第一判断单元，所述计算单元用于计算所述最大弧长对应的计算圆心角，所述标准数据包括预设的标准圆心角，所述第一判断单元用于判断所述计算圆心角与所述标准圆心角是否相同。
5.根据权利要求4所述调整基座装置，其特征在于，所述调整部还包括第二判断单元，所述标准数据包括预设的标准距离，所述第二判断单元用于判断所述最短距离与所述标准距离是否相同。
6.根据权利要求5所述调整基座装置，其特征在于，所述调整部还包括水平调整部、比较单元和对中调整部，所述水平调整部用于在所述计算圆心角与所述标准圆心角不相同时调整基座的水平位置，所述计算单元还用于在所述水平调整部调整基座的水平位置后计算新的圆心角，所述比较单元用于将新的所述圆心角与上一次计算的所述计算圆心角比较，所述水平调整部还用于根据比较单元的比较结果调整基座的水平位置，所述对中调整部用于在所述最短距离与所述标准距离不相同时调整基座的中心位置。
7.一种调整基座方法，其特征在于，包括步骤：
检测部检测基座的边缘以获取最大弧长，然后所述检测部检测所述检测部与基座之间的最短距离；
调整部根据在高温真空环境下测得的所述最大弧长计算出的计算圆心角、在高温真空环境下测得的所述最短距离和预设的标准数据调整基座的水平位置和中心位置；
所述标准数据包括在常温大气环境下得到的标准圆心角和标准距离，根据所述检测部检测基座的边缘获取的最大弧长计算得到所述标准圆心角，所述检测部与基座之间的最短距离为所述标准距离；
当所述计算圆心角、所述最短距离分别与所述标准圆心角、所述标准距离不相同时，进行基座的水平位置和中心位置的调整。
8.根据权利要求7所述调整基座方法，其特征在于，所述调整部根据所述最大弧长、所述最短距离和预设的标准数据调整基座的水平位置和中心位置，包括：所述调整部包括计算单元、第一判断单元和水平调整部，所述计算单元计算所述最大弧长对应的计算圆心角，所述标准数据包括预设的标准圆心角，然后所述第一判断单元判断所述计算圆心角与所述标准圆心角是否相同，若所述计算圆心角与所述标准圆心角不相同，则所述水平调整部调整基座的水平位置。
9.根据权利要求8所述调整基座方法，其特征在于，所述调整部根据所述最大弧长、所述最短距离和预设的标准数据调整基座的水平位置和中心位置，包括：所述调整部还包括第二判断单元和对中调整部，所述标准数据包括预设的标准距离，所述第二判断单元判断所述最短距离与所述标准距离是否相同，若所述最短距离与所述标准距离不相同，则所述对中调整部调整基座的中心位置。
10.根据权利要求8所述调整基座方法，其特征在于，还包括调整步骤，所述调整步骤包括：所述水平调整部朝第一方向调整基座的水平位置后，重新计算新的圆心角，将新的所述圆心角与上一次计算的所述计算圆心角比较，若新的所述圆心角大于上一次计算的所述计算圆心角，则所述水平调整部朝所述第一方向的反方向调整基座的水平位置。
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01164047A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-28 | Tokyo Electron Ltd | ウエハの位置決め装置 |
| US6197117B1 (en) * | 1997-07-23 | 2001-03-06 | Applied Materials, Inc. | Wafer out-of-pocket detector and susceptor leveling tool |
| KR20130065014A (ko) * | 2011-12-09 | 2013-06-19 | 주식회사 케이씨텍 | 서셉터의 변형을 검출하는 원자층 증착장비 |
| CN204809194U (zh) * | 2015-07-31 | 2015-11-25 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种smif激光传感器检测及调整辅助工具 |
| CN106546156A (zh) * | 2015-09-23 | 2017-03-29 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 加热盘水平测量工装结构及测量方法 |
| CN106989699A (zh) * | 2017-05-16 | 2017-07-28 | 广东省计量科学研究院（华南国家计量测试中心） | 激光对中仪校准设备及通过其测量激光对中仪的示值误差的方法 |
| CN112444210A (zh) * | 2019-08-30 | 2021-03-05 | 长鑫存储技术有限公司 | 平面相对位置检测工具及其检测方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7421340B2 (ja) * | 2020-01-06 | 2024-01-24 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
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2021
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01164047A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-28 | Tokyo Electron Ltd | ウエハの位置決め装置 |
| US6197117B1 (en) * | 1997-07-23 | 2001-03-06 | Applied Materials, Inc. | Wafer out-of-pocket detector and susceptor leveling tool |
| KR20130065014A (ko) * | 2011-12-09 | 2013-06-19 | 주식회사 케이씨텍 | 서셉터의 변형을 검출하는 원자층 증착장비 |
| CN204809194U (zh) * | 2015-07-31 | 2015-11-25 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种smif激光传感器检测及调整辅助工具 |
| CN106546156A (zh) * | 2015-09-23 | 2017-03-29 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 加热盘水平测量工装结构及测量方法 |
| CN106989699A (zh) * | 2017-05-16 | 2017-07-28 | 广东省计量科学研究院（华南国家计量测试中心） | 激光对中仪校准设备及通过其测量激光对中仪的示值误差的方法 |
| CN112444210A (zh) * | 2019-08-30 | 2021-03-05 | 长鑫存储技术有限公司 | 平面相对位置检测工具及其检测方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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