CN114305071B - 烹饪器具的盖板、烹饪器具和盖板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种烹饪器具的盖板、烹饪器具和盖板的制造方法。其中，烹饪器具的盖板，包括：盖板基板；多孔陶瓷层，形成在盖板基板的至少部分表面上。本发明的多孔陶瓷层形成在盖板基板的至少部分表面上。由于烹饪器具的盖板包括多孔陶瓷层，即，多孔陶瓷层应用于烹饪器具的盖板，通常而言接触的是较高温度的水蒸气，在盖板基板上设置多孔陶瓷层，能够对水蒸气进行较多的吸附，由于陶瓷材料的热传导率较低，多孔结构之间的具有一定的热阻，从而使水蒸气能够在多孔结构中快速冷凝，减少液滴成流体状的聚集，减少烹饪器具的盖板向烹饪器具的烹饪腔内回流水的量，保证食物的烹饪效果。
Description
技术领域
本发明涉及家用设备技术领域，具体而言，涉及一种烹饪器具的盖板、一种烹饪器具、一种烹饪器具的盖板的制造方法、一种烹饪器具的盖板和一种烹饪器具。
背景技术
电饭煲类产品在煮饭及随后的保温过程中，当水蒸气达到电饭煲上部时，由于温差原因，会在电饭煲的盖板处凝结成小水珠。这些小水珠在重力作用下会形成回流水。回流的冷凝水滴到饭煲内的米饭表面上，导致某一处的米饭由于过多冷凝水的浸泡而发烂发白，降低米饭的品质和口感。同时，打开电饭煲时，冷凝水回流到电饭煲外沿，需要用户经常清理，影响用户的体验效果。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
为此，本发明的第一方面提出了一种烹饪器具的盖板。
本发明的第二方面提出了一种烹饪器具。
本发明的第三方面提出了一种烹饪器具的盖板的制造方法。
本发明的第四方面提出了一种烹饪器具的盖板。
本发明的第五方面提出了一种烹饪器具。
有鉴于此，本发明的第一方面提出了一种烹饪器具的盖板，包括：盖板基板；多孔陶瓷层，形成在盖板基板的至少部分表面上。
本发明提供的一种烹饪器具的盖板包括盖板基板和多孔陶瓷层。其中，多孔陶瓷层形成在盖板基板的至少部分表面上。由于烹饪器具的盖板包括多孔陶瓷层，即，多孔陶瓷层应用于烹饪器具的盖板，通常而言接触的是较高温度的水蒸气，在盖板基板上设置多孔陶瓷层，能够对水蒸气进行较多的吸附，由于陶瓷材料的热传导率较低，多孔结构之间具有一定的热阻，从而使水蒸气能够在多孔结构中快速冷凝，减少液滴成流体状的聚集，减少烹饪器具的盖板向烹饪器具的烹饪腔内回流水的量，可保证食物的烹饪效果。且由于烹饪器具的盖板具有较好的抑制回流水的效果，故而可减少回流到烹饪器具外沿的冷凝水的量，有利于减少清理、清洁烹饪器具的频次，简化了烹饪器具的维护难度，提升了产品的使用性能及市场竞争力。
故而，本发明通过合理设置盖板的结构，使得多孔陶瓷层形成在盖板基板的至少部分表面上，该结构能够对水蒸气进行快速吸附冷却，水蒸气在盖板处不会凝结为小滴液，而是形成水膜进行铺展，减少回流水，这样就可减少甚至是避免在保温及开盖过程中，液滴从盖板其他位置滴下的情况发生。显著提高了盖板的亲水效果，明显的降低了回流水残余量。
同时，该设置使得获得的盖板具有较高的表面硬度、良好的耐磨损性能、耐热性、抗腐蚀性及绝缘性能，有利于延长烹饪器具的盖板的使用寿命，有利于提升烹饪器具的盖板的使用性能及市场竞争力。
根据本发明上述的烹饪器具的盖板，还可以具有以下附加技术特征：
在上述技术方案中，进一步地，多孔陶瓷层的表面具有多孔结构。
在该技术方案中，多孔陶瓷层的表面具有多孔结构，如，多孔结构是凹凸形成的孔结构，如，多孔结构是表面下凹形成的孔结构。该结构能够对水蒸气进行快速吸附冷却，水蒸气在盖板处不会凝结为小滴液，而是形成水膜进行铺展，减少回流水。
在上述任一技术方案中，进一步地，多孔结构的孔的深度满足：2μm至7μm；多孔结构的孔的直径满足：4.5μm至15μm。
在该技术方案中，通过合理设置多孔陶瓷层的结构，使得多孔陶瓷层为微米级多孔状结构，具有较好的亲水性。具体地，多孔结构的孔的深度大于等于2μm，且小于等于7μm，孔的直径大于等于4.5μm，且小于等于15μm。该设置能够提高烹饪器具的盖板对水的吸附作用，并形成水膜进行铺展，减少回流水，且烹饪过程中产生的温度较高的水蒸气，与烹饪器具的盖板上的多孔陶瓷层接触进行散热冷凝，而多孔陶瓷层的导热性能较低，将孔的直径限制在4.5μm至15μm的范围内，一方面能够提高在单位面积内孔的数量，从而使水蒸气能够分散的在多个孔中散热，提高冷凝的速度，使水膜能够较好的铺展，减少大液滴的形成；另一方面，能够提高孔对液体的吸附作用，减少大液滴的形成。将孔的深度限制2μm至7μm的范围内，一方面能够提高水蒸气与孔中陶瓷层的接触面积，提高散热的速度，另一方面减少孔对水的过度的吸附而减少水膜的形成。
在上述任一技术方案中，进一步地，多孔陶瓷层的水接触角满足：21°至53.7°。
在该技术方案中，通过合理设置多孔陶瓷层的水接触角的取值范围，使得水接触角大于等于21°，且小于等于53.7°，能够提高多孔陶瓷层的亲水性能，陶瓷材料具有一定的疏水性能，通过限定上述的接触角的取值范围，从而能够提高水蒸气对多孔陶瓷层的润湿的能力，促进水蒸气在烹饪器具的盖板处固体表面铺展并渗透到多孔结构中。
在上述任一技术方案中，进一步地，多孔陶瓷层是通过对盖板基板的至少部分表面氧化处理得到的。
在该技术方案中，多孔陶瓷层是通过对盖板基板的至少部分表面氧化处理得到的，该设置可以提高结合力，盖板基板和多孔陶瓷层之间的热阻减少，提高烹饪器具的盖板的导热性能，且减少因为盖板基板和多孔陶瓷层之间的热膨胀系数的差异而造成的层脱落的风险。
在上述任一技术方案中，进一步地，多孔陶瓷层是通过对盖板基板的至少部分表面进行微弧氧化后得到的。
在该技术方案中，通过微弧氧化处理的方法，在盖板基板的至少部分表面生长出以盖板基板金属氧化为主，并辅以微弧氧化处理所使用的溶液组分的多孔陶瓷层。该设置能够对水蒸气进行较多的吸附，由于陶瓷材料的热传导率较低，多孔结构之间的具有一定的热阻，从而使水蒸气能够在多孔结构中快速冷凝，减少液滴成流体状的聚集，减少烹饪器具的盖板向烹饪器具的烹饪腔内回流水的量。
在上述任一技术方案中，进一步地，多孔陶瓷层包括α-Al2O3及γ-Al2O3。
在该技术方案中，多孔陶瓷层包括α-Al2O3及γ-Al2O3，得到氧化铝陶瓷层，提高耐高温性能以及耐刮擦性能，减少对所形成的多孔陶瓷层结构的破坏。
在上述任一技术方案中，进一步地，盖板基板的水接触角与多孔陶瓷层的水接触角的差值满足：30°至40°。
在该技术方案中，盖板基板的水接触角与多孔陶瓷层的水接触角的差值大于等于30°，且小于等于40°，减小盖板的接触角，也就是说，通过处理使盖板的水接触角降低，相比于处理之前的盖板，水接触角降低30°至40°。该设置可提高盖板表面的亲水性能，盖板基板的水接触角与多孔陶瓷层的水接触角的差值位于上述范围内，能够使效果(烹饪器具的盖板的亲水性能)达到最优。
在上述任一技术方案中，进一步地，盖板基板的材料包括：阀金属和/或阀金属的合金。
在该技术方案中，盖板基板的材料包括阀金属和/或阀金属的合金，其中，阀金属包括铝、镁、钛等等，阀金属的合金包括铝合金、镁合金和钛合金等等。本发明的盖板基板为铝合金板。更具体地，盖板基板选用3000系列铝板，如，3005铝合金板，盖板基板由锰元素为主要成分，具有较好的防锈性能和耐腐蚀性能，及具有较高的强度。
在上述任一技术方案中，进一步地，多孔陶瓷层适于对烹饪器具在烹饪过程中所产生的水蒸气进行吸附冷凝。
在该技术方案中，多孔陶瓷层对烹饪器具在烹饪过程中(如，烹饪器具的烹饪阶段和/或烹饪器具的保温阶段)所产生的水蒸气进行吸附冷凝，使得不凝结成小液滴，而是形成水膜进行铺展，减少回流水，提高盖板的亲水效果。
本发明第二方面提供的烹饪器具，包括：锅体，设有烹饪腔；盖体，可开合地设在锅体上，盖体包括如上述第一方面任一技术方案提出的烹饪器具的盖板，烹饪器具的盖板朝向烹饪腔。
本发明提供的一种烹饪器具因包括如上述第一方面任一技术方案提出的烹饪器具的盖板，因此具有烹饪器具的盖板的全部有益效果，在此不做一一陈述。
本发明第三方面提供的烹饪器具的盖板的制造方法，包括：对盖板基板进行微弧氧化处理，在盖板基板的至少部分表面生成多孔陶瓷层，获得盖板。
本发明提供的一种烹饪器具的盖板的加工方法，通过微弧氧化处理的方法，在盖板基板的至少部分表面生长出多孔陶瓷层。多孔陶瓷层为多孔状结构。多孔陶瓷层应用于烹饪器具的盖板，通常而言接触的是较高温度的水蒸气，在盖板基板的至少部分表面生成多孔陶瓷层，能够对水蒸气进行较多的吸附，由于陶瓷材料的热传导率较低，多孔结构之间的具有一定的热阻，从而使水蒸气能够在多孔结构中快速冷凝，减少液滴成流体状的聚集，减少烹饪器具的盖板向烹饪器具的烹饪腔内回流水的量，可保证食物的烹饪效果。且由于烹饪器具的盖板具有较好的抑制回流水的效果，故而可减少回流到烹饪器具外沿的冷凝水的量，有利于减少清理、清洁烹饪器具的频次，简化了烹饪器具的维护难度，提升了产品的使用性能及市场竞争力。
故而，本发明通过对盖板基板进行微弧氧化处理而获得的盖板，能够对水蒸气进行快速吸附冷却水蒸气在盖板处不会凝结为小滴液，而是形成水膜进行铺展，减少回流水，这样就可减少甚至是避免在保温及开盖过程中，液滴从盖板其他位置滴下的情况发生。显著提高了盖板的亲水效果，明显的降低了回流水残余量。
同时，该设置使得获得的盖板具有较高的表面硬度、良好的耐磨损性能、耐热性、抗腐蚀性及绝缘性能，有利于延长烹饪器具的盖板的使用寿命，有利于提升烹饪器具的盖板的使用性能及市场竞争力。
在上述技术方案中，进一步地，盖板基板的材料包括：阀金属和/或阀金属的合金；和/或采用第一混合溶液对盖板基板进行微弧氧化处理，第一混合溶液包括：溶液浓度为15g/L至21g/L的Na2O·nSiO2溶液、溶液浓度为1g/L至5g/L的NaOH溶液、溶液浓度为18g/L至22g/L的C3H8O3溶液和溶液浓度为3g/L至8g/L的(NaPO3)6溶液。
具体地，盖板基板的材料包括阀金属和/或阀金属的合金，其中，阀金属包括铝、镁、钛等等，阀金属的合金包括铝合金、镁合金和钛合金等等。本发明的盖板基板为铝合金板。更具体地，盖板基板选用3000系列铝板，如，3005铝合金板，盖板基板由锰元素为主要成分，具有较好的防锈性能和耐腐蚀性能，及具有较高的强度。
具体地，将盖板基板置于第一混合溶液中，利用盖板基板自身的材料特性和第一混合溶液，通过微弧氧化处理的方法，在盖板基板的至少部分外表面生长出以盖板基板金属氧化为主，并辅以微弧氧化处理所使用的第一混合溶液组分的多孔陶瓷层。
其中，微弧氧化处理利用弧光放电增强并激活在阳极上发生的反应，从而在以铝、钛、镁等金属及其合金为材料的盖板基板表面形成优质的多孔陶瓷层。如，通过微弧氧化电源在盖板基板上施加电压，使盖板基板表面的金属与微弧氧化处理的第一混合溶液相互作用，在盖板基板表面形成微弧放电，在微弧氧化处理所依据的工作参数的作用下，在盖板基板的至少部分表面生长出多孔陶瓷层。
具体地，第一混合溶液的组成对生成的多孔陶瓷层的速度和质量具有影响，故而，第一混合溶液包括：溶液浓度为15g/L至21g/L的Na2O·nSiO2溶液、溶液浓度为1g/L至5g/L的NaOH溶液、溶液浓度为18g/L至22g/L的C3H8O3溶液和溶液浓度为3g/L至8g/L的(NaPO3)6溶液，可保证生成的多孔陶瓷层的结构粗糙度，以在保证多孔陶瓷层的生长速率的情况下，保证多孔陶瓷层的致密性及亲水性。
在上述任一技术方案中，进一步地，微弧氧化处理所依据的工作参数包括：微弧氧化电流密度、微弧氧化终止电压、微弧氧化时长、微弧氧化频率和微弧氧化占空比；其中，微弧氧化电流密度满足：10A/dm2至18A/dm2；微弧氧化终止电压满足：430V至520V；微弧氧化时长满足：4min至8min；微弧氧化频率满足：600Hz至1200Hz；微弧氧化占空比满足：40％至50％。
在该技术方案中，微弧氧化电流密度、微弧氧化终止电压、微弧氧化时长、微弧氧化频率和微弧氧化占空比相配合以保证多孔陶瓷层的粗糙度、亲水性。
如，微弧氧化终止电压满足：430V至520V。在这个终止电压范围内，生成的多孔陶瓷层具有较好的亲水性。若，终止电压小于430V，则多孔陶瓷层的粗糙度较小，对回流水的抑制效果较差，导致过多的冷凝水回流到食物表面，影响食物的烹饪口感，增加产品清洁难度。若终止电压大于520V，则多孔陶瓷层的粗糙度较大，对回流水的抑制效果较差，导致过多的冷凝水回流到食物表面，影响食物的烹饪口感，增加产品清洁难度。
再如，微弧氧化时长满足：4min至8min。在这个微弧氧化时长范围内，生成的多孔陶瓷层的具有较好的粗糙度和亲水性。若微弧氧化时长小于4min，则多孔结构的多孔陶瓷层的粗糙度较小，对回流水的抑制效果较差。微弧氧化时长大于8min，则多孔结构的多孔陶瓷层的粗糙度较大，对回流水的抑制效果较差。
在上述任一技术方案中，进一步地，对盖板基板进行微弧氧化处理的步骤之前，还包括：将盖板基板放入第二混合溶液，对盖板基板进行去油处理。
在该技术方案中，在对盖板基板进行微弧氧化处理以生成多孔陶瓷层之前，需要利用第二混合溶液对盖板基板进行处理，以去除盖板基板上的油污，这样，可保证生成的多孔陶瓷层及与其接触的部分盖板基板之间致密且连续过渡，可提升多孔陶瓷层与盖板基板之间的结合强度，进而避免后续加工处理过程中，多孔陶瓷层由盖板基板脱落的情况发生，有利于提升盖体的致密性及韧性。
在上述任一技术方案中，进一步地，第二混合溶液包括：溶液浓度为15g/L至23g/L的Na2CO3溶液、溶液浓度为35g/L至42g/L的NaHCO3溶液和溶液浓度为3g/L至6g/L的C12H25SO4Na溶液；去油处理所依据的工作参数包括去油温度和去油时长；其中，去油温度满足：30℃至50℃；去油时长满足：1min至3min。
在该技术方案中，合理设置第二混合溶液的组成，使得第二混合溶液包括：溶液浓度为15g/L至23g/L的Na2CO3溶液、溶液浓度为35g/L至42g/L的NaHCO3溶液和溶液浓度为3g/L至6g/L的C12H25SO4Na溶液，第二混合溶液对油污具有很强的溶解作用，可保证对盖板基板去油污的有效性、可行性及稳定性。
进一步地，第二混合溶液与去油温度和去油时长相配合，以在保证对盖板基板进行有效去油污的同时，减少去油操作的时间，有利于减少烹饪器具的盖板的加工时间，进而有利于降低盖板的生产成本。
其中，去油温度大于等于30℃，且小于等于50℃。在这个温度范围内，去油污效果好。一方面，去油温度低于30℃，易导致油污残留，去油不彻底；另一方面，去油温度高于50℃，易腐蚀损耗盖板基板材料，破坏材料表面形态，使之凸凹不平。
其中，去油时长大于等于1min，且小于等于3min。在这个时间范围内，去油污效果好。一方面，去油时长小于1min，易导致油污残留，去油效果差；另一方面，去油时长大于3min，易出现损伤盖板基板表面组织的问题。
在上述任一技术方案中，进一步地，对盖板基板进行去油处理的步骤之后，还包括：将盖板基板放入第一溶液，对盖板基板进行第一次清洗处理；将经过第一次清洗后的盖板基板放入第二溶液，对盖板基板进行碱洗处理。
在该技术方案中，将经过去油处理后的盖板基板放置在第一溶液中，利用第一溶液，将盖板基板表面残留的第二混合溶液和残渣等清洗掉。
而后将经过第一次清洗后的盖板基板放置在第二溶液中，利用第二溶液，对盖板基板进行碱洗操作，以去除盖板基板上的氧化膜，这样，可保证生成的多孔陶瓷层及与其接触的部分盖板基板之间致密且连续过渡，可提升多孔陶瓷层与盖板基板之间的结合强度，进而避免后续加工处理过程中，因为盖板基板和多孔陶瓷层之间的热膨胀系数的差异而造成的层脱落的风险，且有利于提升盖体的致密性及韧性。
在上述任一技术方案中，进一步地，第一溶液包括去离子水；第一次清洗处理所依据的工作参数包括第一次清洗温度和第一次清洗时长；第一次清洗温度满足：30℃至50℃；第一次清洗时长满足：1min至3min。
在该技术方案中，去离子水为除去了呈离子形式杂质后的纯水，第一溶液包括去离子水，利用去离子水对经过去油处理后的盖板基板进行第一次清洗，由于去离子水去除了水中的离子状态质，水更纯净，故而经过去离子水清洗后的盖板基板的清洁性更好，盖板基板表面附着的杂质更少，清洗效果好。
进一步地，第一溶液与第一次清洗温度和第一次清洗时长相互配合，以在保证清洗效果的同时，减少清洗时间，有利于减少烹饪器具的盖板的加工时间，进而有利于降低盖板的生产成本。
其中，第一次清洗温度大于等于30℃，且小于等于50℃。在这个温度范围内，清洗效果好。若第一次清洗温度小于30℃，则对第二混合溶液的清洗效果差，第二混合溶液易残留；若第一次清洗温度大于50℃，则是对资源的浪费，能耗高，且具有破坏盖板基板的材料表面形态的风险。
其中，第一次清洗时长大于等于1min，且小于等于3min。在这个时间范围内，清洗效果好。一方面，若第一次清洗时长小于1min，则第二混合溶液易残留；另一方面，若第一次清洗时长大于3min，则是对资源的浪费，能耗高。
在上述任一技术方案中，进一步地，第二溶液包括浓度为2％至7％的NaOH的溶液；碱洗处理所依据的工作参数包括碱洗温度和碱洗时长；碱洗温度满足：20℃至50℃；碱洗时长满足：1min至5min。
在该技术方案中，合理设置第二溶液的组成，使得第二溶液包括浓度为2％至7％的NaOH的溶液，利用第二溶液有效去除盖板基板上的氧化膜。若，NaOH溶液的溶度小于2％，则无法有效去除氧化膜，使得盖板基板上残留有部分氧化膜，这样，会降低多孔陶瓷层与盖板基板之间的结合强度，进而易导致多孔陶瓷层脱落的情况发生。若，NaOH溶液的溶度大于7％，则，易出现腐蚀损耗盖板基板材料的情况发生，破坏材料表面形态，使之凸凹不平。
进一步地，第二溶液与碱洗温度及碱洗时长相互配合，以在保证去除氧化膜的有效性的同时，有利于减少烹饪器具的盖板的加工时间，进而有利于降低盖板的生产成本。
其中，碱洗温度大于等于20℃，且小于等于50℃。在这个温度范围内，对氧化膜的去除效果好。若碱洗温度小于20℃，则对氧化膜的去除效果差，氧化膜易残留；若碱洗温度大于50℃，则易出现腐蚀损耗盖板基板材料的情况发生，破坏材料表面形态，使之凸凹不平。
其中，碱洗时长大于等于1min，且小于等于5min。在这个时间范围内，清洗效果好。一方面，避免因碱洗时长小于1min，而导致部分氧化膜残留，去除氧化膜的效果差的情况发生；另一方面，碱洗时长大于5min，易出现腐蚀损耗盖板基板材料的问题，会破坏材料表面形态，使之凸凹不平。
在上述任一技术方案中，进一步地，对盖板基板进行微弧氧化处理的步骤之后，还包括：将盖板放入第三溶液，对盖板进行第二次清洗处理；将经过第二次清洗处理后的盖板放入烘干设备，对盖板进行烘干处理；将经过烘干处理后的盖板放入第四溶液，对盖板进行封闭处理。
在该技术方案中，将盖板置于第三溶液中，第二次清洗盖板，以去除残留在盖板上的第一混合溶液和杂质。将经过第二次清洗后的盖板放入烘干箱中，进行烘干操作，以保证盖板的清洁性及干燥性。烘干后的盖板置于第四溶液中，对盖板进行封闭处理，也就是说，在第四溶液的作用下，填补多孔陶瓷层的微小缝隙或裂缝，以使盖板被修复得平整光滑，这样有利于延长盖板的使用寿命，且便于盖板的清洁。
在上述任一技术方案中，进一步地，第三溶液包括去离子水；第二次清洗处理所依据的工作参数包括第二次清洗温度和第二次清洗时长；其中，第二次清洗温度满足：30℃至50℃；第二次清洗时长满足：1min至3min。
在该技术方案中，去离子水为除去了呈离子形式杂质后的纯水，第三溶液包括去离子水，利用去离子水对经过微弧氧化处理后的盖板进行第二次清洗，由于去离子水去除了水中的离子状态质，水更纯净，故而经过去离子水清洗后的盖板的清洁性更好，盖板表面附着的杂质更少，清洗效果好。
进一步地，第三溶液与第二次清洗温度和第二次清洗时长相互配合，以在保证清洗效果的同时，减少清洗时间，有利于减少烹饪器具的盖板的加工时间，进而有利于降低盖板的生产成本。
其中，第二次清洗温度大于等于30℃，且小于等于50℃。在这个温度范围内，清洗效果好。若第二次清洗温度小于30℃，则对第一混合溶液和残渣的清洗效果差，第一混合溶液和残渣易残留；若第二次清洗温度大于50℃，则是对资源的浪费，能耗高，且易腐蚀损耗盖板基板材料。
其中，第二次清洗时长大于等于1min，且小于等于3min。在这个时间范围内，清洗效果好。一方面，避免因第二次清洗时长小于1min，而导致第一混合溶液和残渣残留，清洗效果差的情况发生；另一方面，若第二次清洗时长大于3min，则是对资源的浪费，能耗高。
在上述任一技术方案中，进一步地，烘干处理所依据的工作参数包括烘干温度和烘干时长；烘干温度满足：80℃至100℃；烘干时长满足：10min至35min；封闭处理所依据的封闭温度满足：90℃至110℃。
在该技术方案中，通过合理设置烘干温度和烘干时间的取值范围，使得烘干温度大于等于80℃，且小于等于100℃，烘干时长大于等于10min，且小于等于35min，烘干时间和烘干温度相配合，以在保证盖板的烘干效果的同时，降低能耗，有利于降低盖板的生产成本。
进一步地，封闭处理所依据的封闭温度大于等于90℃，且小于等于110℃，可保证填补多孔陶瓷层处的微小缝隙或裂缝的有效性，以使盖板被修复得平整光滑。
本发明的第四方面提出了一种烹饪器具的盖板，烹饪器具的盖板通过如第三方面中任一技术方案的烹饪器具的盖板的制造方法制成。
本发明提供的一种烹饪器具的盖板，因由如上述第三方面任一技术方案提出的烹饪器具的盖板的制造方法制成，因此具有烹饪器具的盖板的制造方法的全部有益效果，在此不做一一陈述。
本发明第五方面提供的烹饪器具，包括：锅体，设有烹饪腔；盖体，可开合地设在锅体上，盖体包括如上述第四方面的技术方案提出的烹饪器具的盖板，烹饪器具的盖板朝向烹饪腔。
本发明提供的一种烹饪器具因包括如上述第四方面的技术方案提出的烹饪器具的盖板，因此具有烹饪器具的盖板的全部有益效果，在此不做一一陈述。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1示出了本发明的一个实施例的盖板的结构示意图；
图2示出了本发明的一个实施例的盖板的局部结构示意图；
图3示出了本发明一个实施例的盖板表面微观形貌结构图；
图4示出了本发明一个实施例的盖板截面微观形貌结构图；
图5示出了本发明一个实施例的盖板的剖视图；
图6示出了本发明一个实施例的盖板表面X射线衍射图；
图7示出了本发明第一个实施例的烹饪器具的盖板的制造方法的流程示意图；
图8示出了本发明第二个实施例的烹饪器具的盖板的制造方法的流程示意图；
图9示出了本发明第三个实施例的烹饪器具的盖板的制造方法的流程示意图；
图10示出了本发明第四个实施例的烹饪器具的盖板的制造方法的流程示意图；
图11示出了本发明一个实施例的对盖板基板进行碱洗处理后的表面组织结构图；
图12示出了本发明第五个实施例的烹饪器具的盖板的制造方法的流程示意图。
其中，图1至图5及图11中的附图标记与部件名称之间的对应关系为：
100盖板，110盖板基板，120多孔陶瓷层，130孔。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
下面参照图1至图12描述根据本发明一些实施例的烹饪器具的盖板100、烹饪器具和烹饪器具的盖板的制造方法。
实施例1：
如图1和图2所示，本发明第一方面的实施例提出了一种烹饪器具的盖板100，包括：盖板基板110；多孔陶瓷层120，形成在盖板基板110的至少部分表面上。
详细地，烹饪器具的盖板100包括盖板基板110和多孔陶瓷层120。其中，多孔陶瓷层120形成在盖板基板110的至少部分表面上，多孔陶瓷层120为多孔130状结构。由于烹饪器具的盖板100包括多孔陶瓷层120，即，多孔陶瓷层120应用于烹饪器具的盖板100，通常而言接触的是较高温度的水蒸气，在盖板基板110上设置多孔陶瓷层120，能够对水蒸气进行较多的吸附，由于陶瓷材料的热传导率较低，多孔结构之间的具有一定的热阻，从而使水蒸气能够在多孔结构中快速冷凝，减少液滴成流体状的聚集，减少烹饪器具的盖板100向烹饪器具的烹饪腔内回流水的量，可保证食物的烹饪效果。且由于烹饪器具的盖板100具有较好的抑制回流水的效果，故而可减少回流到烹饪器具外沿的冷凝水的量，有利于减少清理、清洁烹饪器具的频次，简化了烹饪器具的维护难度，提升了产品的使用性能及市场竞争力。
本发明通过合理设置盖板100的结构，使得多孔陶瓷层120形成在盖板基板110的至少部分表面上，该结构能够对水蒸气进行快速吸附冷却，水蒸气在盖板100处不会凝结为小滴液，而是形成水膜进行铺展，减少回流水，这样就可减少甚至是避免在保温及开盖过程中，液滴从盖板100其他位置滴下的情况发生。显著提高了盖板100的亲水效果，明显的降低了回流水残余量。
同时，该设置使得获得的盖板100具有较高的表面硬度、良好的耐磨损性能、耐热性、抗腐蚀性及绝缘性能，有利于延长烹饪器具的盖板100的使用寿命，有利于提升烹饪器具的盖板100的使用性能及市场竞争力。
进一步地，多孔陶瓷层120对烹饪器具在烹饪过程中(如，烹饪器具的烹饪阶段和/或烹饪器具的保温阶段)所产生的水蒸气进行吸附冷凝，使得不凝结成小液滴，而是形成水膜进行铺展，减少回流水，提高盖板100的亲水效果。
具体地，多孔陶瓷层120可以是表面呈凹凸结构的陶瓷层，也可以是从陶瓷层表面下凹以形成的孔结构，该两种结构均在本申请的保护范围内。
实施例2：
如图3、图4和图5所示，根据本发明的一个实施例，包括上述任一实施例限定的特征，以及进一步地：多孔陶瓷层120的表面具有多孔结构。
详细地，多孔陶瓷层120的表面具有多孔结构，如，多孔结构是凹凸形成的孔结构，如，多孔结构是表面下凹形成的孔结构。该结构能够对水蒸气进行快速吸附冷却，水蒸气在盖板100处不会凝结为小滴液，而是形成水膜进行铺展，减少回流水。
进一步地，多孔结构的孔130的深度满足：2μm至7μm；多孔结构的孔的直径满足：4.5μm至15μm。
详细地，通过合理设置多孔陶瓷层120的结构，使得多孔陶瓷层为微米级多孔状结构，具有较好的亲水性。具体地，多孔结构的孔130的深度大于等于2μm，且小于等于7μm，孔的直径大于等于4.5μm，且小于等于15μm。该设置能够提高烹饪器具的盖板100对水的吸附作用，并形成水膜进行铺展，减少回流水，且烹饪过程中产生的温度较高的水蒸气，与烹饪器具的盖板100上的多孔陶瓷层120接触进行散热冷凝，而多孔陶瓷层120的导热性能较低，将孔的直径限制在4.5μm至15μm的范围内，一方面能够提高在单位面积内孔的数量，从而使水蒸气能够分散的在多个孔中散热，提高冷凝的速度，使水膜能够较好的铺展，减少大液滴的形成；另一方面，能够提高孔对液体的吸附作用，减少大液滴的形成。将孔的深度限制2μm至7μm的范围内，一方面能够提高水蒸气与孔中陶瓷层的接触面积，提高散热的速度，另一方面减少孔对水的过度的吸附而减少水膜的形成。
若孔的深度大于7μm，则会造成孔对水的过度吸附，减少水膜的形成，易增加回流水的量；若孔的深度小于2μm，则对液体的吸附作用较弱，易增多大液滴的形成。
具体地，孔的深度包括3μm、4μm、5μm和6μm等等，在此不一一列举。
若孔的直径大于15μm，则，单位面积内的孔的数量较少，导致水蒸气的冷凝速度降低，易增多大液滴的形成；若孔的直径小于4.5μm，则降低孔对液体的吸附作用，易增多大液滴的形成。
具体地，孔的直径包括6μm、8μm、10μm和12μm等等，在此不一一列举。
其中，孔的直径指的是，在孔的横截面中，孔的轮廓线上的任意两点之间的最大距离。
实施例3：
根据本发明的一个实施例，包括上述任一实施例限定的特征，以及进一步地：多孔陶瓷层120的水接触角满足：21°至53.7°。
详细地，通过合理设置多孔陶瓷层120的水接触角的取值范围，使得水接触角大于等于21°，且小于等于53.7°，能够提高多孔陶瓷层120的亲水性能，陶瓷材料具有一定的疏水性能，通过限定上述的接触角的取值范围，从而能够提高水蒸气对多孔陶瓷层120的润湿的能力，促进水蒸气在烹饪器具的盖板100处固体表面铺展并渗透到多孔结构中。
具体地，多孔陶瓷层120的水接触角满足：21°至40°。
具体地，多孔陶瓷层120的水接触角包括：26°、28°、30°、35°、38°等等，在此不一一列举。
进一步地，盖板基板110的水接触角与多孔陶瓷层120的水接触角的差值满足：30°至40°。盖板基板110的水接触角与多孔陶瓷层120的水接触角的差值大于等于30°，且小于等于40°，减小盖板100表面的接触角，也就是说，通过处理使盖板100的水接触角降低，相比于处理之前的盖板，水接触角降低30°至40°。该设置可提高盖板100表面的亲水性能，盖板基板110的水接触角与多孔陶瓷层120的水接触角的差值位于上述范围内，能够使效果(如，烹饪器具的盖板100的亲水性能)达到最优。
具体地，盖板基板110的水接触角与多孔陶瓷层120的水接触角的差值包括：32°、34°、36°和38°等等，在此不一一列举。
具体地，微弧氧化处理前后，水与盖板100的接触角差值在30°至40°时，回流水的抑制效果较好，在4勺米，保温时间为4h时，回流水残余量约为8.04g。
实施例4：
根据本发明的一个实施例，包括上述任一实施例限定的特征，以及进一步地：多孔陶瓷层120是通过对盖板基板110的至少部分表面氧化处理得到的。
详细地，多孔陶瓷层120是通过对盖板基板110的至少部分表面氧化处理得到的，该设置可以提高结合力，盖板基板110和多孔陶瓷层120之间的热阻减少，提高烹饪器具的盖板100的导热性能，且减少因为盖板基板110和多孔陶瓷层120之间的热膨胀系数的差异而造成的层脱落的风险。
进一步地，多孔陶瓷层120是通过对盖板基板110的至少部分表面进行微弧氧化后得到的。通过微弧氧化处理的方法，在盖板基板110的至少部分表面生长出以盖板基板110金属氧化为主，并辅以微弧氧化处理所使用的溶液组分的多孔陶瓷层120。该设置能够对水蒸气进行较多的吸附，由于陶瓷材料的热传导率较低，多孔结构之间的具有一定的热阻，从而使水蒸气能够在多孔结构中快速冷凝，减少液滴成流体状的聚集，减少烹饪器具的盖板100向烹饪器具的烹饪腔内回流水的量。
在本实施例中，通过氧化盖板基板110的方式形成多孔陶瓷层120。
在其他一些实施例中，可以设置多孔陶瓷层120附接到盖板基板110上，如，多孔陶瓷层120与盖板基板110通过粘接的方式连接。
在另外一些实施例中，通过涂覆的方式，涂覆陶瓷涂料以在盖板基板110上形成多孔陶瓷层120。
实施例5：
如图6所示，根据本发明的一个实施例，包括上述任一实施例限定的特征，以及进一步地：多孔陶瓷层120包括α-Al2O3及γ-Al2O3。
详细地，多孔陶瓷层120包括α-Al2O3及γ-Al2O3，得到氧化铝陶瓷层，提高耐高温性能以及耐刮擦性能，减少对所形成的多孔陶瓷层120结构的破坏。
实施例6：
根据本发明的一个实施例，包括上述任一实施例限定的特征，以及进一步地：盖板基板110的材料包括阀金属和/或阀金属的合金，其中，阀金属包括铝、镁、钛等等，阀金属的合金包括铝合金、镁合金和钛合金等等。本发明的盖板基板110为铝合金板。更具体地，盖板基板110选用3000系列铝板，如，3005铝合金板，盖板基板110由锰元素为主要成分，具有较好的防锈性能和耐腐蚀性能，及具有较高的强度。
在本实施例中，多孔陶瓷层120形成在盖板基板110的全部表面上。
在其他一些实施例中，多孔陶瓷层120形成在盖板基板110朝向烹饪器具的烹饪腔的一侧表面上。
实施例7：
本发明第二方面的实施例提出了一种烹饪器具，包括：锅体，设有烹饪腔；盖体，可开合地设在锅体上，盖体包括如上述第一方面实施例提出的烹饪器具的盖板100，烹饪器具的盖板100朝向烹饪腔。
本发明提供的一种烹饪器具因包括如上述第一方面实施例提出的烹饪器具的盖板100，因此具有烹饪器具的盖板100的全部有益效果，在此不做一一陈述。
具体地，烹饪器具包括：饭煲和电压力锅。
实施例8：
根据本发明的第三方面，提出了一种烹饪器具的盖板的制造方法，图7示出了本发明的第一个实施例的烹饪器具的盖板的制造方法的流程示意图，其中，烹饪器具的盖板的制造方法包括：
步骤S302，对盖板基板进行微弧氧化处理，在盖板基板的至少部分表面生成多孔陶瓷层，获得盖板。
详细地，本发明提供的一种烹饪器具的盖板的加工方法，通过微弧氧化处理的方法，在盖板基板的至少部分表面生长出多孔陶瓷层。多孔陶瓷层为多孔状结构。多孔陶瓷层应用于烹饪器具的盖板，通常而言接触的是较高温度的水蒸气，在盖板基板的至少部分表面生成多孔陶瓷层，能够对水蒸气进行较多的吸附，由于陶瓷材料的热传导率较低，多孔结构之间具有一定的热阻，从而使水蒸气能够在多孔结构中快速冷凝，减少液滴成流体状的聚集，减少烹饪器具的盖板向烹饪器具的烹饪腔内回流水的量，可保证食物的烹饪效果。且由于烹饪器具的盖板具有较好的抑制回流水的效果，故而可减少回流到烹饪器具外沿的冷凝水的量，有利于减少清理、清洁烹饪器具的频次，简化了烹饪器具的维护难度，提升了产品的使用性能及市场竞争力。
故而，本发明通过对盖板基板进行微弧氧化处理而获得的盖板，能够对水蒸气进行快速吸附冷却，水蒸气在盖板处不会凝结为小滴液，这样就可减少甚至是避免在保温及开盖过程中，液滴从盖板其他位置滴下的情况发生。显著提高了盖板的亲水效果，明显的降低了回流水残余量。
同时，该设置使得获得的盖板具有较高的表面硬度、良好的耐磨损性能、耐热性、抗腐蚀性及绝缘性能，有利于延长烹饪器具的盖板的使用寿命，有利于提升烹饪器具的盖板的使用性能及市场竞争力。
具体地，将盖板基板置于第一混合溶液中，利用盖板基板自身的材料特性和第一混合溶液，通过微弧氧化处理的方法，在盖板基板的至少部分外表面生长出以盖板基板金属氧化为主，并辅以微弧氧化处理所使用的第一混合溶液组分的多孔陶瓷层。微弧氧化也被称为等离子体电解氧化，主要依靠电解液(如第一混合溶液)与电参数(如，微弧氧化电流密度、微弧氧化终止电压、微弧氧化时长、微弧氧化频率和微弧氧化占空比)的匹配调节，在弧光放电产生的瞬时高温高压作用下，于铝、镁、钛等阀金属及其合金表面生长出以基体金属氧化物为主并辅以电解液组份的改性多孔陶瓷层。
进一步地，盖板基板的材料包括：阀金属和/或阀金属的合金；第一混合溶液包括：溶液浓度为15g/L至21g/L的Na2O·nSiO2溶液、溶液浓度为1g/L至5g/L的NaOH溶液、溶液浓度为18g/L至22g/L的C3H8O3溶液和溶液浓度为3g/L至8g/L的(NaPO3)6溶液；微弧氧化处理所依据的工作参数包括：微弧氧化电流密度、微弧氧化终止电压、微弧氧化时长、微弧氧化频率和微弧氧化占空比；其中，微弧氧化电流密度满足：10A/dm2至18A/dm2；微弧氧化终止电压满足：430V至520V；微弧氧化时长满足：4min至8min；微弧氧化频率满足：600Hz至1200Hz；微弧氧化占空比满足：40％至50％。
其中，合理限定了微弧氧化处理所依据的工作参数(如，微弧氧化电流密度、微弧氧化终止电压、微弧氧化时长、微弧氧化频率和微弧氧化占空比)的取值范围、盖板基板的材料及第一混合溶液的组成。
具体地，盖板基板的材料包括阀金属和/或阀金属的合金，其中，阀金属包括铝、镁、钛等等，阀金属的合金包括铝合金、镁合金和钛合金等等。本发明的盖板基板为铝合金板。更具体地，盖板基板选用3000系列铝板，如，3005铝合金板，盖板基板由锰元素为主要成分，具有较好的防锈性能和耐腐蚀性能，及具有较高的强度。
具体地，微弧氧化处理利用弧光放电增强并激活在阳极上发生的反应，从而在以铝、钛、镁等金属及其合金为材料的盖板基板表面形成优质的多孔陶瓷层。如，通过微弧氧化电源在盖板基板上施加电压，使盖板基板表面的金属与微弧氧化处理的第一混合溶液相互作用，在盖板基板表面形成微弧放电，在微弧氧化处理所依据的工作参数的作用下，在盖板基板的至少部分表面生长出多孔陶瓷层。
其中，第一混合溶液的组成对生成的多孔陶瓷层的速度和质量具有影响，故而，第一混合溶液包括：溶液浓度为15g/L至21g/L的Na2O·nSiO2溶液、溶液浓度为1g/L至5g/L的NaOH溶液、溶液浓度为18g/L至22g/L的C3H8O3溶液和溶液浓度为3g/L至8g/L的(NaPO3)6溶液，可保证生成的多孔陶瓷层的结构粗糙度，以在保证多孔陶瓷层的生长速率的情况下，保证多孔陶瓷层的致密性及亲水性。
具体地，Na2O·nSiO2溶液的浓度包括：16g/L、17g/L、18g/L、19g/L及20g/L等等，在此不一一列举。
具体地，NaOH溶液的浓度包括：2g/L、3g/L及4g/L等等，在此不一一列举。
具体地，C3H8O3溶液的浓度包括：19g/L、20g/L及21g/L等等，在此不一一列举。
具体地，(NaPO3)6溶液的浓度包括：4g/L、5g/L、6g/L及7g/L等等，在此不一一列举。
另外，微弧氧化电流密度、微弧氧化终止电压、微弧氧化时长、微弧氧化频率和微弧氧化占空比相配合以保证多孔陶瓷层的粗糙度、亲水性。
如，微弧氧化终止电压满足：430V至520V。在这个终止电压范围内，生成的多孔陶瓷层具有较好的亲水性。若，终止电压小于430V，则多孔陶瓷层的粗糙度较小，对回流水的抑制效果较差，导致过多的冷凝水回流到食物表面，影响食物的烹饪口感，增加产品清洁难度。若终止电压大于520V，则多孔陶瓷层的粗糙度较大，对回流水的抑制效果较差，导致过多的冷凝水回流到食物表面，影响食物的烹饪口感，增加产品清洁难度。
具体地，微弧氧化终止电压包括：450V、470V、490V及510V等等，在此不一一列举。
再如，微弧氧化时长满足：4min至8min。在这个微弧氧化时长范围内，生成的多孔陶瓷层的具有较好的粗糙度和亲水性。若微弧氧化时长小于4min，则多孔结构的多孔陶瓷层的粗糙度较小，对回流水的抑制效果较差。微弧氧化时长大于8min，则多孔结构的多孔陶瓷层的粗糙度较大，对回流水的抑制效果较差。
具体地，微弧氧化时长包括：5min、6min和7min等等，在此不一一列举。
具体地，微弧氧化电流密度包括：12A/dm2、14A/dm2和16A/dm2等等，在此不一一列举。
具体地，微弧氧化频率包括：800Hz、900Hz、1000Hz和1100Hz等等，在此不一一列举。
微弧氧化占空比包括：42％、44％、46％和48％等等，在此不一一列举。
相关技术中，还通过纳米管结构和微米-纳米结构来增加材料表面的粗糙度，该方法具有材料间的结合力差，实用性低的缺点。本发明通过第一混合溶液和微弧氧化处理所依据的工作参数相配合，使得获得的盖板呈现微米多孔结构，显著降低了液体与盖板的接触角，亲水效果好，且生成的多孔陶瓷层的结合力更强，实用价值高。
实施例9：
图8示出了本发明的第二个实施例的烹饪器具的盖板的制造方法的流程示意图，其中，烹饪器具的盖板的制造方法包括：
步骤S402，将盖板基板放入第二混合溶液，对盖板基板进行去油处理；
步骤S404，将盖板基板放入第一混合溶液，对盖板基板进行微弧氧化处理，在盖板基板的至少部分表面生成多孔陶瓷层，获得盖板。
详细地，在对盖板基板进行微弧氧化处理以生成多孔陶瓷层之前，需要利用第二混合溶液对盖板基板进行处理，以去除盖板基板上的油污，这样，可保证生成的多孔陶瓷层及与其接触的部分盖板基板之间致密且连续过渡，可提升多孔陶瓷层与盖板基板之间的结合强度，进而避免后续加工处理过程中，多孔陶瓷层由盖板基板脱落的情况发生，有利于提升盖体的致密性及韧性。
具体地，第二混合溶液为碱性溶液。
进一步地，第二混合溶液包括：溶液浓度为15g/L至23g/L的Na2CO3溶液、溶液浓度为35g/L至42g/L的NaHCO3溶液和溶液浓度为3g/L至6g/L的C12H25SO4Na溶液；去油处理所依据的工作参数包括去油温度和去油时长；其中，去油温度满足：30℃至50℃；去油时长满足：1min至3min。
其中，合理设置第二混合溶液的组成，使得第二混合溶液包括：溶液浓度为15g/L至23g/L的Na2CO3溶液、溶液浓度为35g/L至42g/L的NaHCO3溶液和溶液浓度为3g/L至6g/L的C12H25SO4Na溶液，第二混合溶液对油污具有很强的溶解作用，可保证对盖板基板去油污的有效性、可行性及稳定性。
具体地，Na2CO3溶液的浓度包括：16g/L、17g/L、18g/L、19g/L及22g/L等等，在此不一一列举。
具体地，NaHCO3溶液的浓度包括：36g/L、37g/L、38g/L、39g/L及41g/L等等，在此不一一列举。
具体地，C12H25SO4Na溶液的浓度包括：3.5g/L、4g/L、4.5g/L、5g/L及5.5g/L等等，在此不一一列举。
另外，第二混合溶液与去油温度和去油时长相配合，以在保证对盖板基板进行有效去油污的同时，减少去油操作的时间，有利于减少烹饪器具的盖板的加工时间，进而有利于降低盖板的生产成本。
其中，去油温度大于等于30℃，且小于等于50℃。在这个温度范围内，去油污效果好。一方面，去油温度低于30℃，易导致油污残留，去油不彻底；另一方面，去油温度高于50℃，易腐蚀损耗盖板基板材料，破坏材料表面形态，使之凸凹不平。
具体地，去油温度包括：35℃、40℃和45℃等等，在此不一一列举。
其中，去油时长大于等于1min，且小于等于3min。在这个时间范围内，去油污效果好。一方面，去油时长小于1min，易导致油污残留，去油效果差；另一方面，去油时长大于3min，易出现损伤盖板基板表面组织的问题。
具体地，去油时长包括：1.5min、2min和2.5min等等，在此不一一列举。
实施例10：
图9示出了本发明的第三个实施例的烹饪器具的盖板的制造方法的流程示意图，其中，烹饪器具的盖板的制造方法包括：
步骤S502，将盖板基板放入第二混合溶液，对盖板基板进行去油处理；
步骤S504，将盖板基板放入第一溶液，对盖板基板进行第一次清洗处理；
步骤S506，将经过第一次清洗后的盖板基板放入第二溶液，对盖板基板进行碱洗处理；
步骤S508，将盖板基板放入第一混合溶液，对盖板基板进行微弧氧化处理，在盖板基板的至少部分表面生成多孔陶瓷层，获得盖板。
详细地，将经过去油处理后的盖板基板放置在第一溶液中，利用第一溶液，将盖板基板表面残留的第二混合溶液和残渣等清洗掉。
而后将经过第一次清洗后的盖板基板放置在第二溶液中，利用第二溶液，对盖板基板进行碱洗操作，以去除盖板基板上的氧化膜，这样，可保证生成的多孔陶瓷层及与其接触的部分盖板基板之间致密且连续过渡，可提升多孔陶瓷层与盖板基板之间的结合强度，进而避免后续加工处理过程中，因为盖板基板和多孔陶瓷层之间的热膨胀系数的差异而造成的层脱落的风险，且有利于提升盖体的致密性及韧性。
进一步地，第一溶液包括去离子水；第一次清洗处理所依据的工作参数包括第一次清洗温度和第一次清洗时长；第一次清洗温度满足：30℃至50℃；第一次清洗时长满足：1min至3min。
其中，去离子水为除去了呈离子形式杂质后的纯水，第一溶液包括去离子水，利用去离子水对经过去油处理后的盖板基板进行第一次清洗，由于去离子水去除了水中的离子状态质，水更纯净，故而经过去离子水清洗后的盖板基板的清洁性更好，盖板基板表面附着的杂质更少，清洗效果好。
另外，第一溶液与第一次清洗温度和第一次清洗时长相互配合，以在保证清洗效果的同时，减少清洗时间，有利于减少烹饪器具的盖板的加工时间，进而有利于降低盖板的生产成本。
其中，第一次清洗温度大于等于30℃，且小于等于50℃。在这个温度范围内，清洗效果好。若第一次清洗温度小于30℃，则对第二混合溶液的清洗效果差，第二混合溶液易残留；若第一次清洗温度大于50℃，则是对资源的浪费，能耗高，且具有破坏盖板基板的材料表面形态的风险。
具体地，第一次清洗温度包括：35℃、40℃和45℃等等，在此不一一列举。
其中，第一次清洗时长大于等于1min，且小于等于3min。在这个时间范围内，清洗效果好。一方面，若第一次清洗时长小于1min，则第二混合溶液易残留；另一方面，若第一次清洗时长大于3min，则是对资源的浪费，能耗高。
具体地，第一次清洗时长包括：1.5min、2min和2.5min等等，在此不一一列举。
进一步地，第二溶液包括浓度为2％至7％的NaOH的溶液；碱洗处理所依据的工作参数包括碱洗温度和碱洗时长；碱洗温度满足：20℃至50℃；碱洗时长满足：1min至5min。
其中，合理设置第二溶液的组成，使得第二溶液包括浓度为2％至7％的NaOH的溶液，利用第二溶液有效去除盖板基板上的氧化膜。若，NaOH溶液的溶度小于2％，则无法有效去除氧化膜，使得盖板基板上残留有部分氧化膜，这样，会降低多孔陶瓷层与盖板基板之间的结合强度，进而易导致多孔陶瓷层脱落的情况发生。若，NaOH溶液的溶度大于7％，则，易出现腐蚀损耗盖板基板材料的情况发生，破坏材料表面形态，使之凸凹不平。
具体地，NaOH溶液的浓度包括：3％、4％、5％和6％等等，在此不一一列举。
第二溶液与碱洗温度及碱洗时长相互配合，以在保证去除氧化膜的有效性的同时，有利于减少烹饪器具的盖板的加工时间，进而有利于降低盖板的生产成本。
其中，碱洗温度大于等于20℃，且小于等于50℃。在这个温度范围内，对氧化膜的去除效果好。若碱洗温度小于20℃，则对氧化膜的去除效果差，氧化膜易残留；若碱洗温度大于50℃，则易出现腐蚀损耗盖板基板材料的情况发生，破坏材料表面形态，使之凸凹不平。
具体地，碱洗温度包括：30℃、35℃、40℃和45℃等等，在此不一一列举。
其中，碱洗时长大于等于1min，且小于等于5min。在这个时间范围内，清洗效果好。一方面，避免因碱洗时长小于1min，而导致部分氧化膜残留，去除氧化膜的效果差的情况发生；另一方面，碱洗时长大于5min，易出现腐蚀损耗盖板基板材料的问题，会破坏材料表面形态，使之凸凹不平。
具体地，碱洗时长包括：2min、3min和4min等等，在此不一一列举。
实施例11：
图10示出了本发明的第四个实施例的烹饪器具的盖板的制造方法的流程示意图，其中，烹饪器具的盖板的制造方法包括：
步骤S602，将盖板基板放入第二混合溶液，对盖板基板进行去油处理；
步骤S604，将盖板基板放入第一溶液，对盖板基板进行第一次清洗处理；
步骤S606，将经过第一次清洗后的盖板基板放入第二溶液，对盖板基板进行碱洗处理；
步骤S608，将盖板基板放入第一混合溶液，对盖板基板进行微弧氧化处理，在盖板基板的至少部分表面生成多孔陶瓷层，获得盖板；
步骤S610，将盖板放入第三溶液，对盖板进行第二次清洗处理；
步骤S612，将经过第二次清洗处理后的盖板放入烘干设备，对盖板进行烘干处理；
步骤S614，将经过烘干处理后的盖板放入第四溶液，对盖板进行封闭处理。
详细地，将盖板置于第三溶液中，第二次清洗盖板，以去除残留在盖板上的第一混合溶液和杂质。将经过第二次清洗后的盖板放入烘干箱中，进行烘干操作，以保证盖板的清洁性及干燥性。烘干后的盖板置于第四溶液中，对盖板进行封闭处理，也就是说，在第四溶液的作用下，填补多孔陶瓷层的微小缝隙或裂缝，以使盖板被修复得平整光滑，这样有利于延长盖板的使用寿命，且便于盖板的清洁。
进一步地，第三溶液包括去离子水；第二次清洗处理所依据的工作参数包括第二次清洗温度和第二次清洗时长；其中，第二次清洗温度满足：30℃至50℃；第二次清洗时长满足：1min至3min。
其中，去离子水为除去了呈离子形式杂质后的纯水，第三溶液包括去离子水，利用去离子水对经过微弧氧化处理后的盖板进行第二次清洗，由于去离子水去除了水中的离子状态质，水更纯净，故而经过去离子水清洗后的盖板的清洁性更好，盖板表面附着的杂质更少，清洗效果好。
另外，第三溶液与第二次清洗温度和第二次清洗时长相互配合，以在保证清洗效果的同时，减少清洗时间，有利于减少烹饪器具的盖板的加工时间，进而有利于降低盖板的生产成本。
其中，第二次清洗温度大于等于30℃，且小于等于50℃。在这个温度范围内，清洗效果好。若第二次清洗温度小于30℃，则对第一混合溶液和残渣的清洗效果差，第一混合溶液和残渣易残留；若第二次清洗温度大于50℃，则是对资源的浪费，能耗高，且易腐蚀损耗盖板基板材料。
具体地，第二次清洗温度包括：35℃、40℃和45℃等等，在此不一一列举。
其中，第二次清洗时长大于等于1min，且小于等于3min。在这个时间范围内，清洗效果好。一方面，避免因第二次清洗时长小于1min，而导致第一混合溶液和残渣残留，清洗效果差的情况发生；另一方面，若第二次清洗时长大于3min，则是对资源的浪费，能耗高。
具体地，第二次清洗时长包括：1.5min、2min和2.5min等等，在此不一一列举。
进一步地，烘干处理所依据的工作参数包括烘干温度和烘干时长；烘干温度满足：80℃至100℃；烘干时长满足：10min至35min；封闭处理所依据的封闭温度满足：90℃至110℃。
其中，通过合理设置烘干温度和烘干时间的取值范围，使得烘干温度大于等于80℃，且小于等于100℃，烘干时长大于等于10min，且小于等于35min，烘干时间和烘干温度相配合，以在保证盖板的烘干效果的同时，降低能耗，有利于降低盖板的生产成本。
具体地，烘干温度包括：85℃、90℃和95℃等等，在此不一一列举。
具体地，烘干时间包括：15min、20min、25min和30min等等，在此不一一列举。
其中，封闭处理所依据的封闭温度大于等于90℃，且小于等于110℃，可保证填补多孔陶瓷层处的微小缝隙或裂缝的有效性，以使盖板被修复得平整光滑。
具体地，封闭温度包括：95℃、100℃和105℃等等，在此不一一列举。
实施例12：
图12示出了本发明的第四个实施例的烹饪器具的盖板的制造方法的流程示意图，其中，烹饪器具的盖板的制造方法包括：
步骤S702，去油；
步骤S704，水洗；
步骤S706，碱洗；
步骤S708，微弧氧化；
步骤S710，水洗；
步骤S712，烘干；
步骤S714，封闭。
步骤702中，将3005铝合金盖板基板放入溶液浓度为15g/L至23g/L的Na2CO3溶液，溶液浓度为35g/L至42g/LNaHCO3，及溶液浓度为3g/L至6g/L的C12H25SO4Na的第二混合溶液中，在30℃至50℃下进行去油处理1min至3min。
步骤704中，去油处理完成后，将铝合金盖板基板放入去离子水中，在30℃至50℃下进行1min至3min的水洗处理。
步骤706中，水洗处理完成后，将铝合金盖板基板取出，放入溶液浓度为2％至7％的NaOH溶液，在处理温度为20℃至50℃，处理1min至5min。图11示出了碱洗后盖板基板的表面组织，碱洗以去除盖板基板的氧化层。
步骤708中，碱洗处理完成后，将铝合金盖板基板放入溶液浓度为15g/L至21g/L的Na2O·nSiO2溶液、溶液浓度为1g/L至5g/L的NaOH溶液、溶液浓度为18g/L至22g/L的C3H8O3溶液和溶液浓度为3g/L至8g/L的(NaPO3)6溶液的第一混合溶液中，在电流密度10A/dm2至18A/dm2，终止电压430V至520V，处理时间4min至8min，频率600Hz至1200Hz，40％至50％参数下，对铝合金盖板基板进行微弧氧化处理。
步骤710中，微弧氧化处理完毕后，将铝合金盖板放入去离子水中，在30℃至50℃下进行1min至3min的水洗处理。
步骤712中，水洗处理完成后，将铝合金盖板放入烘干设备中，在80℃至100℃下，烘干处理10min至35min。
步骤714中，烘干处理完成后，将铝合金盖板放入100℃的去离子水中，进行封闭处理。
最后获得如图6所示的盖板，并将成品进行包装。对经过微弧氧化处理后的盖板表面进行X射线衍射分析(XRD)。如图6所示，结果表明，微弧氧化处理后的盖板表面物相为α-Al2O3及γ-Al2O3，说明盖板基板表面形成Al2O3多孔陶瓷层。
另外，将包括未处理的铝合金盖板的第一烹饪器具、包括304不锈钢盖板的第二烹饪器具和包括本发明的盖板的制造方法制成的盖板的第三烹饪器具，对回流水抑制效果进行测试。分别向三个烹饪器具内放入1勺米、4勺米和8勺米，保温时间分别为1小时、4小时和8小时，并用等重量的纸巾吸收回流水残余量，最后进行称重。测试结果如下表所示，相比于未处理的盖板，本发明的盖板的回流水残余量降低44％至65.3％，如表1所示。
表1三种烹饪器具的回水残余量对比测试表
实施例13：
本发明第四方面的实施例提出了一种烹饪器具的盖板100，烹饪器具的盖板100通过如第三方面中任一实施例的烹饪器具的盖板100的制造方法制成。
本发明提供的烹饪器具的盖板100因通过如上述第三方面实施例提出的烹饪器具的盖板100的制造方法制成，因此具有上述烹饪器具的盖板100的制造方法的全部有益效果，在此不做一一陈述。
具体地，本发明的烹饪器具的盖板100，改变了相关技术中，烹饪器具的盖板100的制备流程，提出了微弧氧化处理步骤，并明确了各个制备步骤的具体工作参数。微弧氧化处理后在盖板基板110的至少部分表面形成多孔130状结构的多孔陶瓷层120。多孔陶瓷层120表面分布有多个直径范围为4.5μm至15μm的孔130。其中，孔130的深度满足2μm至7μm，该结构具有良好的亲水性能，有利于液体逐步聚集在多孔130结构中，具有较好的抑制回流水的效果，这样就可减少甚至是避免在保温及开盖过程中，液滴从盖板100其他位置滴下的情况发生。显著提高了盖板100的亲水效果，明显的降低了回流水残余量。
相关技术中，还通过纳米管结构和微米-纳米结构来增加材料表面的粗糙度，该方法具有材料间的结合力差，实用性低的缺点。如图5所示，本发明通过第一混合溶液和微弧氧化处理所依据的工作参数相配合，使得获得的盖板100呈现微米多孔130结构，显著降低了液体与盖板100的接触角，亲水效果好，且生成的多孔陶瓷层120的结合力更强，实用价值高。
具体地，微弧氧化处理前，水与3005铝合金盖板基板110的接触角为65.7°；微弧氧化处理后，水与盖板100接触角范围在21°-53.7°之间。液体与多孔陶瓷层120的接触角大于等于21°，且小于等于53.7°，接触角的合理设置，增加盖板100的粗糙度，使得盖板100的润湿性好，使得水蒸气在盖板100处不会凝结为小滴液，而是在盖板100的表面铺展并渗透到多孔陶瓷层120的多孔130结构中，液体逐步聚集在多孔130结构中，这样就可减少甚至是避免在保温及开盖过程中，液滴从盖板100其他位置滴下的情况发生。显著提高了盖板100的亲水效果，明显的降低了回流水残余量。
采用Drop Meter A-20型接触角仪测量第三烹饪器具所制备多孔陶瓷层120的接触角。
实施例(1)：
微弧氧化处理，使得多孔陶瓷层120表面的孔130的直径为5μm，孔130的深度为4.8μm，水与盖板100的接触角为34.4°。回流水的抑制效果较好，在4勺米，保温时间为4h时，回流水残余量约为7.54g。
实施例(2)：
微弧氧化处理，使得多孔陶瓷层120表面的孔130的直径为6.7μm，孔130的深度为5.4μm，水与盖板100的接触角为27.8°时，回流水的抑制效果较好，在4勺米，保温时间为4h时，回流水残余量约为6.37g。
实施例(3)：
微弧氧化处理，使得多孔陶瓷层120表面的孔130的直径为23μm，孔130的深度为2.5μm，水与盖板100的接触角为61.2°时，回流水的抑制效果较差，在4勺米，保温时间为4h时，回流水残余量约为13.24g。
实施例(4)：
微弧氧化处理，使得多孔陶瓷层120表面的孔130的直径为18.1μm，孔130的深度为1.2μm，水与盖板的接触角为57.8°时，回流水的抑制效果较差，在4勺米，保温时间为4h时，回流水残余量约为15.24g。
实施例(5)：
微弧氧化处理，使得多孔陶瓷层120表面的孔130的直径为6.7μm，孔130的深度为4.8μm，水与盖板的接触角为29.2°时，回流水的抑制效果较好，在4勺米，保温时间为4h时，回流水残余量约为5.6g。
实施例(6)：
微弧氧化处理，使得多孔陶瓷层120表面的孔130的直径为6.1μm，孔130的深度为5.2μm，水与盖板的接触角为24.2°时，回流水的抑制效果较好，在4勺米，保温时间为4h时，回流水残余量约为5.1g。
实施例(7)：
微弧氧化处理，使得多孔陶瓷层120表面的孔130的直径为7.5μm，孔130的深度为3.2μm，水与盖板100的接触角为37.5°时，回流水的抑制效果较好，在4勺米，保温时间为4h时，回流水残余量约为7.9g。
实施例(8)：
微弧氧化处理，使得多孔陶瓷层120表面的孔130的直径为18.4μm，孔130的深度为3.0μm，水与盖板100的接触角为39.5°时，回流水的抑制效果较好，在4勺米，保温时间为4h时，回流水残余量约为7.3g。
实施例(9)：
微弧氧化处理，使得多孔陶瓷层120表面的孔130的直径为4.8μm，孔130的深度为3.9μm，水与盖板的接触角为38.5°时，回流水的抑制效果较好，在4勺米，保温时间为4h时，回流水残余量约为7.94g。
实施例(10)：
微弧氧化处理，使得多孔陶瓷层120表面的孔130的直径为24.5μm，孔130的深度为6.4μm时，水与盖板的接触角为61.8°，回流水的抑制效果较差，在4勺米，保温时间为4h时，回流水残余量约为14.68g，但该加工成本高。
兼顾产品的亲水性及生产成本，微弧氧化处理后，水与本发明的盖板100接触角范围在21°至53.7°之间。更进一步地，水与本发明的盖板100接触角范围在21°至40°之间。
实施例14：
本发明第五方面的实施例提出了一种烹饪器具，包括：锅体，设有烹饪腔；盖体，可开合地设在锅体上，盖体包括如上述第四方面实施例提出的烹饪器具的盖板100，烹饪器具的盖板100朝向烹饪腔。
本发明提供的一种烹饪器具因包括如上述第四方面实施例提出的烹饪器具的盖板100，因此具有烹饪器具的盖板100的全部有益效果，在此不做一一陈述。
具体地，烹饪器具包括：饭煲和电压力锅。
在本发明中，术语“多个”则指两个或两个以上，除非另有明确的限定。术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；“相连”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (17)
1.一种烹饪器具的盖板，其特征在于，包括：
盖板基板；
多孔陶瓷层，形成在所述盖板基板的至少部分表面上；
所述多孔陶瓷层的表面具有多孔结构；
所述多孔结构的孔的深度满足：2μm至7μm；
所述多孔结构的孔的直径满足：4.5μm至15μm；
所述多孔陶瓷层的水接触角满足：21°至53.7°。
2.根据权利要求1所述的烹饪器具的盖板，其特征在于，
所述多孔陶瓷层是通过对所述盖板基板的至少部分表面氧化处理得到的。
3.根据权利要求2所述的烹饪器具的盖板，其特征在于，
所述多孔陶瓷层是通过对所述盖板基板的至少部分表面进行微弧氧化后得到的。
4.根据权利要求1所述的烹饪器具的盖板，其特征在于，
所述多孔陶瓷层包括α-Al2O3及γ-Al2O3；和/或
所述盖板基板的水接触角与所述多孔陶瓷层的水接触角的差值满足：30°至40°；和/或
所述盖板基板的材料包括阀金属和/或阀金属的合金。
5.根据权利要求1所述的烹饪器具的盖板，其特征在于，
所述多孔陶瓷层适于对所述烹饪器具在烹饪过程中所产生的水蒸气进行吸附冷凝。
6.一种烹饪器具，其特征在于，包括：
锅体，设有烹饪腔；
盖体，可开合地设在所述锅体上，所述盖体包括如权利要求1至5中任一项所述的烹饪器具的盖板，所述烹饪器具的盖板朝向所述烹饪腔。
7.一种烹饪器具的盖板的制造方法，其特征在于，用于制造如权利要求1-5中任一项所述的烹饪器具的盖板，所述烹饪器具的盖板的制造方法包括：
对盖板基板进行微弧氧化处理，在所述盖板基板的至少部分表面生成多孔陶瓷层，获得所述盖板。
8.根据权利要求7所述的烹饪器具的盖板的制造方法，其特征在于，
所述盖板基板的材料包括：阀金属和/或阀金属的合金；和/或
采用第一混合溶液对所述盖板基板进行微弧氧化处理，其中，所述第一混合溶液包括：溶液浓度为15g/L至21g/L的Na2O·nSiO2溶液、溶液浓度为1g/L至5g/L的NaOH溶液、溶液浓度为18g/L至22g/L的C3H8O3溶液和溶液浓度为3g/L至8g/L的(NaPO3)6溶液。
9.根据权利要求7或8所述的烹饪器具的盖板的制造方法，其特征在于，
所述微弧氧化处理所依据的工作参数包括：微弧氧化电流密度、微弧氧化终止电压、微弧氧化时长、微弧氧化频率和微弧氧化占空比；
其中，所述微弧氧化电流密度满足：10A/dm2至18A/dm2；所述微弧氧化终止电压满足：430V至520V；所述微弧氧化时长满足：4min至8min；所述微弧氧化频率满足：600Hz至1200Hz；所述微弧氧化占空比满足：40％至50％。
10.根据权利要求7或8所述的烹饪器具的盖板的制造方法，其特征在于，所述对盖板基板进行微弧氧化处理的步骤之前，还包括：
将所述盖板基板放入第二混合溶液，对所述盖板基板进行去油处理。
11.根据权利要求10所述的烹饪器具的盖板的制造方法，其特征在于，
所述第二混合溶液包括：溶液浓度为15g/L至23g/L的Na2CO3溶液、溶液浓度为35g/L至42g/L的NaHCO3溶液和溶液浓度为3g/L至6g/L的C12H25SO4Na溶液；
所述去油处理所依据的工作参数包括去油温度和去油时长；
其中，所述去油温度满足：30℃至50℃；所述去油时长满足：1min至3min。
12.根据权利要求10所述的烹饪器具的盖板的制造方法，其特征在于，所述对盖板基板进行去油处理的步骤之后，还包括：
将所述盖板基板放入第一溶液，对所述盖板基板进行第一次清洗处理；
将经过所述第一次清洗后的盖板基板放入第二溶液，对所述盖板基板进行碱洗处理。
13.根据权利要求12所述的烹饪器具的盖板的制造方法，其特征在于，
所述第一溶液包括去离子水；
所述第一次清洗处理所依据的工作参数包括第一次清洗温度和第一次清洗时长；
所述第二溶液包括浓度为2％至7％的NaOH的溶液；
所述碱洗处理所依据的工作参数包括碱洗温度和碱洗时长；
其中，所述第一次清洗温度满足：30℃至50℃；所述第一次清洗时长满足：1min至3min；所述碱洗温度满足：20℃至50℃；所述碱洗时长满足：1min至5min。
14.根据权利要求7或8所述的烹饪器具的盖板的制造方法，其特征在于，所述对盖板基板进行微弧氧化处理的步骤之后，还包括：
将所述盖板放入第三溶液，对所述盖板进行第二次清洗处理；
将经过所述第二次清洗处理后的盖板放入烘干设备，对所述盖板进行烘干处理；
将经过所述烘干处理后的盖板放入第四溶液，对所述盖板进行封闭处理。
15.根据权利要求14所述的烹饪器具的盖板的制造方法，其特征在于，
所述第三溶液包括去离子水；
所述第二次清洗处理所依据的工作参数包括第二次清洗温度和第二次清洗时长；
所述烘干处理所依据的工作参数包括烘干温度和烘干时长；
所述第四溶液包括去离子水；
其中，所述清洗温度满足：30℃至50℃；所述清洗时长满足：1min至3min；所述烘干温度满足：80℃至100℃；所述烘干时长满足：10min至35min；所述封闭处理所依据的封闭温度满足：90℃至110℃。
16.一种烹饪器具的盖板，其特征在于，所述烹饪器具的盖板通过如权利要求7至15中任一项所述的烹饪器具的盖板的制造方法制成。
17.一种烹饪器具，其特征在于，包括：
锅体，设有烹饪腔；
盖体，可开合地设在所述锅体上，所述盖体包括如权利要求16所述的烹饪器具的盖板，所述烹饪器具的盖板朝向所述烹饪腔。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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