CN114300840B - 电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种电子设备，包括：地板、第一馈电点、第二馈电点、第一辐射体和第二辐射体，第一辐射体和第二辐射体分别与地板间隔设置，且第一辐射体的第一端和第二辐射体的第一端耦合连接，第一辐射体的第一接地点与地板连接，第二辐射体的第二接地点与地板连接，第一馈电点与第一辐射体连接，第二馈电点与第二辐射体连接；在第一馈电点的第一馈电信号的作用下，第一辐射体上产生第一辐射模式，第二辐射体上产生第二辐射模式；在第二馈电点的第二馈电信号的作用下，第二辐射体上产生第三辐射模式，第一辐射体上产生第四辐射模式。这样，增加了电子设备的天线的辐射带宽。

Description

电子设备

技术领域

本申请属于电子技术领域，具体涉及一种电子设备。

背景技术

随着电子技术的发展，电子设备在人们的生活中占据了越来越重要的位置，同时，人们对于电子设备的功能要求也越来越高。为了使得电子设备具有多种功能，当前电子设备内通常设置有许多种类的电子器件，由于上述电子器件占据了太多的设置空间，容易使得天线在电子设备内的设置空间较小，从而使得电子设备的天线的辐射带宽较差。

发明内容

本申请旨在提供一种电子设备，至少解决电子设备的天线的辐射带宽较差的问题之一。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

本申请实施例提出了一种电子设备，包括：地板、第一馈电点、第二馈电点、第一辐射体和第二辐射体，所述第一辐射体和所述第二辐射体分别与所述地板间隔设置，且所述第一辐射体的第一端和所述第二辐射体的第一端耦合连接，所述第一辐射体的第一接地点与所述地板连接，所述第二辐射体的第二接地点与所述地板连接，所述第一馈电点与所述第一辐射体连接，所述第二馈电点与所述第二辐射体连接；

其中，在所述第一馈电点的第一馈电信号的作用下，所述第一辐射体上产生第一辐射模式，所述第二辐射体上产生第二辐射模式；在所述第二馈电点的第二馈电信号的作用下，所述第二辐射体上产生第三辐射模式，所述第一辐射体上产生第四辐射模式。

在本申请的实施例中，由于第一辐射体的第一端和第二辐射体的第一端耦合连接，因此在第一馈电信号和第二馈电信号的作用下，可以在第一辐射体和第二辐射体上产生多个辐射模式，上述多个辐射模式包括第一辐射模式、第二辐射模式、第三辐射模式和第四辐射模式，而上述多个辐射模式的频率可以不相同，这样，通过第一辐射体和第二辐射体两个辐射体产生的多个辐射模式的叠加，从而增加了电子设备的天线的辐射带宽。

本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图之一；

图2是本申请实施例提供的一种电子设备的第一调谐开关的结构示意图之一；

图3是本申请实施例提供的一种电子设备的第一调谐开关的结构示意图之二；

图4是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图之二；

图5是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图之三；

图6是本申请实施例提供的一种电子设备的第一辐射体的电流分布示意图之一；

图7是本申请实施例提供的一种电子设备的第一辐射体的电流分布示意图之二；

图8是本申请实施例提供的一种电子设备的第一辐射体的电流分布示意图之三；

图9是本申请实施例提供的一种电子设备的谐振分布示意图之一；

图10是本申请实施例提供的一种电子设备的第一辐射体的电流分布示意图之四；

图11是本申请实施例提供的一种电子设备的谐振分布示意图之二；

图12是本申请实施例提供的一种电子设备的第一辐射体和第二辐射体的电流分布示意图之一；

图13是本申请实施例提供的一种电子设备的第一辐射体和第二辐射体的电流分布示意图之二；

图14是本申请实施例提供的一种电子设备的第一辐射体和第二辐射体的电流分布示意图之三；

图15是本申请实施例提供的一种电子设备的谐振分布示意图之三；

图16是本申请实施例提供的一种电子设备的S11参数示意图之一；

图17是本申请实施例提供的一种电子设备的S11参数示意图之二；

图18是本申请实施例提供的一种电子设备的S11参数示意图之三；

图19是本申请实施例提供的一种电子设备的S11参数示意图之四。

具体实施方式

下面将详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

参见图1，图1为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图，如图1所示，电子设备，包括：地板10、第一馈电点20、第二馈电点30、第一辐射体40和第二辐射体50，所述第一辐射体40和所述第二辐射体50分别与所述地板10间隔设置，且所述第一辐射体40的第一端和所述第二辐射体50的第一端耦合连接，所述第一辐射体40的第一接地点42与所述地板10连接，所述第二辐射体50的第二接地点52与所述地板10连接，所述第一馈电点20与所述第一辐射体40连接，所述第二馈电点30与所述第二辐射体50连接；

其中，在所述第一馈电点20的第一馈电信号的作用下，所述第一辐射体40上产生第一辐射模式，所述第二辐射体50上产生第二辐射模式；在所述第二馈电点30的第二馈电信号的作用下，所述第二辐射体50上产生第三辐射模式，所述第一辐射体40上产生第四辐射模式。

需要说明的是，第二辐射模式和第四辐射模式的产生方式在此不做具体限定，例如：在第一馈电信号的作用下，可以在第一辐射体40上产生第一辐射模式，以及在第二辐射体50上产生第二辐射模式，在第二馈电信号的作用下，可以在第二辐射体50上产生第三辐射模式，以及在第一辐射体40上产生第四辐射模式；或者，在第一馈电信号的作用下，在第一辐射体40上产生第一辐射模式，在第一辐射模式的作用下，在第二辐射体50上产生第二辐射模式，在第二馈电信号的作用下，在第二辐射体50上产生第三辐射模式，在第三辐射模式的作用下，在第一辐射体40上产生第四辐射模式。

需要说明的是，在第一馈电信号的作用下，在第一辐射体40上产生第一辐射模式，以及在第二辐射体50上产生第二辐射模式，此时第二辐射体50可以被称作为第一辐射体40的寄生辐射体或者寄生天线；在第二馈电信号的作用下，在第二辐射体50上产生第三辐射模式，以及在第一辐射体40上产生第四辐射模式，此时第一辐射体40可以被称作为第二辐射体50的寄生辐射体或者寄生天线。也就是说：第一辐射体40和第二辐射体50彼此相互构成寄生辐射体或者寄生天线，从而增强了电子设备的辐射性能。

另外，上述耦合连接的方式可以包括缝隙耦合，而上述缝隙耦合也可以被称作为间隙耦合，例如：第一辐射体40的第一端和第二辐射体50的第一端可以通过缝隙耦合；而上述间隔设置可以指的是第一辐射体40和第二辐射体50之间不直接接触，即第一辐射体40和第二辐射体50两者之间具有间隙；同理，后文中的第三辐射体60和地板10间隔设置，也可以指的是第三辐射体60和地板10之间不直接接触，即第三辐射体60和地板10之间具有间隙。

其中，本申请实施例的工作原理可以参见以下表述：

由于第一辐射体40的第一端和第二辐射体50的第一端耦合连接，因此在第一馈电信号和第二馈电信号的作用下，可以在第一辐射体40和第二辐射体50上产生多个辐射模式，上述多个辐射模式包括第一辐射模式、第二辐射模式、第三辐射模式和第四辐射模式，而上述多个辐射模式的频率可以不相同，这样，通过第一辐射体40和第二辐射体50两个辐射体产生的多个辐射模式的叠加，从而增加了电子设备的天线的辐射带宽，即增强了天线的辐射性能。

另外，同一个馈电信号产生的不同的辐射模式的频率可以相同，例如：第一馈电信号作用下产生的第一辐射模式和第二辐射模式的频率可以相同，而第二馈电信号作用下产生的第三辐射模式和第四辐射模式的频率也可以相同，这样，相当于增加了天线的辐射口径，从而可以增强辐射信号的强度，进而增强天线的辐射性能。

需要说明的是，同一个馈电信号产生的不同的辐射模式的频率是否相同，与第一辐射体40和第二辐射体50的尺寸相关，当第一辐射体40和第二辐射体50的尺寸(主要是长度)的差值小于预设阈值时，则同一个馈电信号产生的不同的辐射模式的频率相同，当第一辐射体40和第二辐射体50的尺寸的差值大于或等于预设阈值时，则同一个馈电信号产生的不同的辐射模式的频率不同。上述预设阈值的具体取值在此不做限定，作为一种可选的实施方式，预设阈值可以为0。

另外，当电子设备的天线用于辐射频率较低的信号(例如：信号的频率在30KHz到300KHz之间)时，上述天线可以被称作为低频天线，而低频天线辐射的信号的频率较低，波长较长，因此，低频天线的体积较大，且在电子设备中需要占用的设置空间更多。

而本申请实施方式中，当上述多个辐射模式(即上述第一辐射模式、第二辐射模式、第三辐射模式和第四辐射模式)的频率均较低时，也就是说本申请实施例中的天线用于辐射频率较低的信号时，无需增加辐射体的尺寸，通过第一辐射体40和第二辐射体50进行耦合，即可以激发出多个辐射模式，从而增强了天线的辐射性能，还使得电子设备的体积较小。同时，由于无需增加辐射体的尺寸，从而使得第一辐射体40和第二辐射体50在电子设备内的净空较大，从而使得辐射性能较好。

其中，第一辐射体40和第二辐射体50的设置位置在此不做限定，作为一种可选的实施方式，第一辐射体40和第二辐射体50可以位于电子设备的框体上，这样，可以减少电子设备内部其他元器件对第一辐射体40和第二辐射体50的辐射性能的阻挡，增强了第一辐射体40和第二辐射体50的辐射性能。作为另一种可选的实施方式，第一辐射体40和第二辐射体50可以为电子设备的框体的一部分，也就是说：第一辐射体40和第二辐射体50均为框体的一部分，这样，可以减小整个电子设备的体积，另外，第一辐射体40的第一端和第二辐射体50的第一端之间可以开设有间隙，上述间隙内可以填充有连接件，从而增强电子设备的防水防尘效果，上述连接件可以为非导电件。

作为一种可选的实施方式，参见图5，所述电子设备还包括第三辐射体60，所述第三辐射体60位于所述第一辐射体40的第一端和所述第二辐射体50的第一端之间，所述第三辐射体60分别与所述第一辐射体40的第一端和所述第二辐射体50的第一端耦合连接，所述第三辐射体60与所述地板10间隔设置；

其中，在所述第一馈电信号的作用下，所述第三辐射体60上产生第五辐射模式，在所述第二馈电信号的作用下，所述第三辐射体60上产生第六辐射模式。

其中，当第三辐射体60与第一辐射体40或者第二辐射体50的尺寸的差值小于预设差值，且第一辐射体40和第二辐射体50的尺寸的差值小于预设差值时，则第一辐射模式、第二辐射模式和第五辐射模式的频率可以相同；同理，当第四辐射体与第一辐射体40或者第二辐射体50的尺寸的差值小于预设差值，且第一辐射体40和第二辐射体50的尺寸的差值小于预设差值时，第三辐射模式、第四辐射模式和第六辐射模式的频率可以相同。这样，可以增强电子设备的天线的辐射性能。

其中，第五辐射模式的产生方式在此不做限定，第一馈电信号可以先在第一辐射体40上产生第一辐射模式，同时，由于第一辐射体40的第一端和第三辐射体60耦合连接，则在第一辐射模式的作用下，可以在第三辐射体60上产生第五辐射模式，另外，又由于第三辐射体60与第二辐射体50的第一端耦合连接，因此，在第五辐射模式的作用下，第二辐射体50上可以产生第二辐射模式，可见，第一辐射模式、第五辐射模式和第二辐射模式的强度可以依次降低。

或者，在第一馈电信号的作用下，可以分别在第一辐射体40上产生第一辐射模式，在第三辐射体60上产生第五辐射模式，以及在第二辐射体50上产生第二辐射模式，由于第一馈电点20与第一辐射体40连接，而第三辐射体60位于第一辐射体40和第二辐射体50之间，即第一辐射体40、第三辐射体60和第二辐射体50与第一馈电点20的距离依次由近到远，因此，第一辐射模式、第五辐射模式和第二辐射模式的强度可以依次降低。

同理，第六辐射模式的产生方式也可以参见上述第五辐射模式的产生方式的相关表述。即第二馈电信号可以先在第二辐射体50上产生第三辐射模式，同时，由于第二辐射体50的第一端和第三辐射体60耦合连接，则在第三辐射模式的作用下，可以在第三辐射体60上产生第六辐射模式，另外，又由于第三辐射体60与第一辐射体40的第一端耦合连接，因此，在第六辐射模式的作用下，第一辐射体40上可以产生第四辐射模式，可见，第三辐射模式、第六辐射模式和第四辐射模式的强度可以依次降低。

或者，在第二馈电信号的作用下，可以分别在第二辐射体50上产生第三辐射模式，在第三辐射体60上产生第六辐射模式，以及在第一辐射体40上产生第四辐射模式，由于第二馈电点30与第二辐射体50连接，而第三辐射体60位于第一辐射体40和第二辐射体50之间，即第二辐射体50、第三辐射体60和第一辐射体40与第二馈电点30的距离依次由近到远，因此，第三辐射模式、第六辐射模式和第四辐射模式的强度可以依次降低。

其中，第三辐射体60也可以设置在电子设备的框体上，或者，第三辐射体60也可以构成框体的一部分，具体在此不做限定。

本申请实施方式中，由于设置有第三辐射体60，可以进一步增加产生的辐射模式的个数，即进一步增强天线的辐射强度，从而进一步增强了天线的辐射性能。

作为一种可选的实施方式，参见图5，所述第三辐射体60还通过第三调谐开关61与所述地板10连接。这样，通过第三调谐开关61，可以根据需要调节第三辐射体60上产生的第五辐射模式和第六辐射模式的频率，从而增强了第五辐射模式和第六辐射模式的调节方式的灵活性。

其中，第三调谐开关61的个数和与第三辐射体60的连接位置在此不做限定，例如：第三调谐开关61的个数可以为一个，则该第三调谐开关61与第三辐射体60的连接位置可以位于第三辐射体60的中间位置或者两端。当然，第三调谐开关61的个数可以为两个，而上述两个第三调谐开关61与第三辐射体60的连接位置可以分别位于第三辐射体60的两端。当然，第三调谐开关61的个数还可以为多个。

其中，第三调谐开关61的类型在此也不做限定，第三调谐开关61可以包括电容、电阻和电感中的至少一项，当第三调谐开关61包括电容和电感时，电容和电感可以并联，当然，电容和电感也可以组成LC滤波电路。另外，当第三调谐开关61包括电容、电阻和电感时，上述电容、电阻和电感也可以相互并联，而电阻的阻值在此也不做限定，例如：电阻的阻值可以为0欧姆。

作为一种可选的实施方式，参见图1和图4，所述第一辐射体40还通过第一调谐开关41与所述地板10连接，所述第二辐射体50通过第二调谐开关51与所述地板10连接。

其中，第一调谐开关41和第二调谐开关51可以参见上述第三调谐开关61的相应表述，具体在此不再赘述。

这样，通过第一调谐开关41和第二调谐开关51，可以根据需要灵活调节第一辐射体40上产生的第一辐射模式和第四辐射模式的频率，以及，第二辐射体50上产生的第二辐射模式和第三辐射模式的频率。

需要说明的是，第一调谐开关41与第一辐射体40的连接点，以及第一馈电点20与第一辐射体40的连接点可以为同一连接点，此时，第一调谐开关41的调谐方式为匹配调谐的方式，同理，第二调谐开关51与第二辐射体50的连接点，以及第二馈电点30与第二辐射体50的连接点可以为同一连接点，此时，第二调谐开关51的调谐方式为匹配调谐的方式。

作为一种可选的实施方式，所述第一馈电点20与所述第一辐射体40的第一馈电点连接，所述第二馈电点30与所述第二辐射体50的第二馈电点连接，所述第一调谐开关41分别与所述第一馈电点和所述地板10连接，所述第二调谐开关51分别与所述第二馈电点和所述地板10连接。

本申请方式中，第一调谐开关41和第一馈电点20均与第一馈电点连接，第二调谐开关51和第二馈电点30均与第二馈电点连接，即此时第一调谐开关41对第一辐射体40上的调谐信号的调谐方式，以及第二调谐开关51对第二辐射体50上的调谐信号的调谐方式均为匹配调谐的方式，从而减少了与第一辐射体40的连接点的个数，同时还使得对调谐信号的调谐效果较好。

需要说明的是，上述匹配调谐的方式也可以被称作为阻抗调谐。

作为一种可选的实施方式，参见图3，所述第一调谐开关41包括至少两条并联的第一支路411，所述第一支路411分别与所述第一馈电点和所述地板10连接，所述第一馈电点20通过至少两条并联的第二支路412与所述第一馈电点连接，所述第一支路411和所述第二支路412并联，且所述第一支路411和所述第二支路412中均设置有第一调谐元器件413和第一控制开关414；

所述第二调谐开关51包括至少两条并联的第三支路，所述第三支路分别与所述第二馈电点和所述地板10连接，所述第二馈电点30通过至少两条并联的第四支路与所述第二馈电点连接，所述第三支路和所述第四支路并联，且所述第三支路和所述第四支路中均设置有第二调谐元器件和第二控制开关。

需要说明的是，本实施方式中的第一调谐开关41和第二调谐开关51由于分别加载在第一馈电点和第二馈电点所在的位置，因此，本实施方式中的第一调谐开关41和第二调谐开关51可以被称作为串联开关。

其中，第一调谐元器件413和第二调谐元器件可以为电容、电阻或者电感，而电阻的阻值在此不做限定，例如：电阻的阻值可以为0欧姆。第一控制开关414和第二控制开关可以分别用于控制对应的支路导通或者断开。

本申请实施方式中，第一调谐开关41通过控制不同的第一支路411导通，第二调谐开关51通过控制不同的第三支路导通，从而可以实现对不同频率的辐射模式的调谐，从而进一步增强了对辐射模式的频率的调谐方式的灵活性。同时，通过控制不同的第二支路412和不同的第四支路导通，也可以分别对第一馈电信号和第二馈电信号形成调节，进而对第一辐射体40和第二辐射体50上的辐射模式的频率构成调谐，从而进一步增强了对辐射模式的频率的调谐方式的灵活性和多样性。

当然，第一调谐开关41与第一辐射体40的连接点，以及第一馈电点20与第一辐射体40的连接点可以为不同连接点，此时，第一调谐开关41的调谐方式为孔径调谐，同理，第二调谐开关51与第二辐射体50的连接点，以及第二馈电点30与第二辐射体50的连接点可以为不同连接点，此时，第二调谐开关51的调谐方式为孔径调谐。

作为一种可选的实施方式，所述第一馈电点20与所述第一辐射体40的第三馈电点连接，所述第二馈电点30与所述第二辐射体50的第四馈电点连接，所述第一调谐开关41分别与所述第一辐射体40的第一连接点和所述地板10连接，所述第一连接点位于所述第三馈电点的一侧，所述第二调谐开关51分别与所述第二辐射体50的第二连接点连接，所述第二连接点位于所述第四馈电点的一侧。

本申请实施方式中，第一连接点与第三馈电点为不同的连接点，第二连接点与第四馈电点为不同的连接点，即此时第一调谐开关41对第一辐射体40上的调谐信号的调谐方式，以及第二调谐开关51对第二辐射体50上的调谐信号的调谐方式均为孔径调谐的方式，从而增强了第一连接点和第二连接点设置位置的灵活性，同时还使得对调谐信号的调谐效果较好。

作为一种可选的实施方式，参见图2，所述第一调谐开关41和所述第二调谐开关51均包括至少两条并联的第五支路415，所述第五支路415的一端与所述第一辐射体40或者所述第二辐射体50连接，所述第五支路415的另一端与所述地板10连接，所述第五支路415中包括第三调谐元器件416和第三控制开关417，所述第三调谐元器件416包括电容、电感和电阻中的至少一者。

其中，第三控制开关417可以用于控制对应的第五支路415的导通与断开。

其中，当第五支路415位于第一调谐开关41中时，第五支路415的一端与第一辐射体40连接，另一端与地板10连接；当第五支路415位于第二调谐开关51中时，第五支路415的一端与第二辐射体50连接，另一端与地板10连接。

其中，当第一调谐开关41包括多条第五支路415时，不同的第五支路415中的第三调谐元器件416的类型可以不同；同理，当第二调谐开关51包括多条第五支路415时，不同的第五支路415中的第三调谐元器件416的类型可以不同。

例如：参见图2，调谐开关包括四条第五支路415，其中，两条第五支路415中包括的第三调谐元器件416可以为电感，可以分别标记为L1和L2，而另外两条第五支路415中包括的第三调谐元器件416可以为电容和电阻中的至少一者，电容可以标记为C，电阻可以标记为R，电阻的阻值可以为0欧姆。

本申请实施方式中，第一调谐开关41和第二调谐开关51均包括至少两条并联的第五支路415，这样，通过控制不同的第五支路415导通，从而可以灵活调节第一辐射体40和第二辐射体50上产生的辐射模式的频率。

需要说明的是，由于第一馈电点20与第一辐射体40的连接位置不同，第一辐射体40可以构成不同类型的天线，同理，第二馈电点30与第二辐射体50的连接位置不同，第二辐射体50可以构成不同类型的天线。而本申请实施例中，对第一辐射体40和第二辐射体50构成的天线的类型在此不做限定。

作为一种可选的实施方式，参见图1，所述第一接地点42位于所述第一辐射体40的第一端和第二端之间，所述第二接地点52位于所述第二辐射体50的第二端。

其中，当第一接地点42位于第一辐射体40的第一端和第二端之间，此时第一辐射体40构成的天线可以被称作为T天线，当第二接地点52位于第二辐射体50的第二端，此时第二辐射体50构成的天线可以被称作为倒F天线或者IFA天线。

其中，T天线可以在频段内产生频率分别为f0和f1的两个谐振，参见图6和图7，f0的主要辐射模式为：与地板10的连接点到第一辐射体40左侧末端的四分之一IFA天线模式，以及，与地板10的连接点到第一辐射体40右侧末端的四分之一IFA天线模式的叠加，而在该上述两种模式叠加的情况下，电流在第一辐射体40上的分布可以参见图6和图7中的f0。通过上述两种模式的叠加，相当于使得天线的口径增大，因此提升了第一辐射体40的辐射效率。参见图8，而f1谐振主要辐射模式为第一辐射体40的二分之一模式，而此时电流在第一辐射体40上的分布如图8中的f1所示。参见图9，f0和f1两个谐振在天线的辐射频段中的分布示意图。

另外，参见图10和图11，IFA天线可以在频带内产生一个频率为f0的谐振，该谐振的主要辐射模式为与地板10的接地点到第一辐射体40的末端的四分之一IFA模式，而在该辐射模式下电流在第一辐射体40上的方向如图10中的箭头所示，即f0所示。参见图11，f0在天线的辐射频段中的分布示意图。

参见图12、图13和图14所示，由于第一辐射体40和第二辐射体50可以相互为彼此的寄生天线，因此，当第二辐射体50为第一辐射体40的寄生天线时，可在频带内产生两个频率分别为f0和f1的谐振；f0谐振的主要辐射模式为与地板10的连接点(即第一接地点42)到第一辐射体40末端的四分之一IFA模式，f1谐振的主要辐射模式为寄生分支(即第二辐射体50)的四分之一单极(monopole)模式，由于两个辐射体上的电流的方向相同，因此在该辐射模式下天线的辐射能力增加，因此提升了天线的效率。

需要注意的是当频带内存在超过f1频率的f2频率时，此时在f2频率处主要辐射模式为两侧回地点之间的环形(Loop)模式，由于电流方向同向，在该辐射模式下的损耗会增加，此时天线的辐射效率会下降。但由于此时整体f1频率附近S11参数(即回波损耗特性参数)变深(即增大)，因此在一定频率范围内还是可以呈现带宽扩展的效果。在该辐射模式下电流的分布方向如图14中的箭头所示，而参见图15，f0、f1和f2在天线的辐射频段中的分布示意图。

需要说明的是，在图9、图11和图15中，横坐标均为频率，单位为hz，纵坐标为回波损耗(也可以简单成为S11)，单位为db。

本申请实施方式中，使得T天线和IFA天线可以彼此构成寄生天线，从而可以提升第一辐射体40和第二辐射体50的辐射带宽，进而增强电子设备的辐射性能。

另外，参见图16，图16为本申请实施方式中的电子设备的第二辐射体50的S11参数(即回波损耗特性参数)与IFA天线的S11参数的对比示意图，其中，实线所示为IFA天线的S11参数示意图，虚线所示为本申请实施方式中的电子设备的第二辐射体50的S11参数的示意图，横坐标为频率，纵坐标为损耗。参见图17，图17为本申请实施方式中的电子设备的第一辐射体40的S11参数与IFA天线的S11参数的对比示意图，其中，实线所示为IFA天线的S11参数示意图，虚线所示为本申请实施方式中的电子设备的第一辐射体40的S11参数的示意图，横坐标为频率，纵坐标为损耗。

作为一种可选的实施方式，参见图4，所述第一接地点42位于所述第一辐射体40的第二端，所述第二接地点52位于所述第二辐射体50的第一端和第二端之间。

其中，当第一接地点42位于第一辐射体40的第二端，此时第一辐射体40构成的天线可以被称作为倒F天线或者IFA天线，当第二接地点52位于第二辐射体50的第一端和第二端之间时，此时第二辐射体50构成的天线可以被称作为T天线。

本申请实施方式与上述实施方式的区别在于IFA天线和T天线两者的位置不同，也就是说：本实施方式中的T天线和IFA天线同样可以彼此构成寄生天线，从而可以提升第一辐射体40和第二辐射体50的辐射带宽，进而增强电子设备的辐射性能。

作为一种可选的实施方式，参见图5，所述第一接地点42位于所述第一辐射体40的第二端，所述第二接地点52位于所述第二辐射体50的第二端。

其中，当第一接地点42位于第一辐射体40的第二端，此时第一辐射体40构成的天线可以被称作为倒F天线或者IFA天线，当第二接地点52位于第二辐射体50的第二端，此时第二辐射体50构成的天线可以被称作为倒F天线或者IFA天线。

另外，参见图18，图18为本申请实施方式中的电子设备的第二辐射体50的S11参数(即回波损耗特性参数)与IFA天线的S11参数的对比示意图，其中，实线所示为IFA天线的S11参数示意图，虚线所示为本申请实施方式中的电子设备的第二辐射体50的S11参数的示意图，横坐标为频率，纵坐标为损耗。参见图19，图19为本申请实施方式中的电子设备的第一辐射体40的S11参数与IFA天线的S11参数的对比示意图，其中，实线所示为IFA天线的S11参数示意图，虚线所示为本申请实施方式中的电子设备的第一辐射体40的S11参数的示意图，横坐标为频率，纵坐标为损耗。

本实施方式中的两个IFA天线同样可以彼此构成寄生天线，从而可以提升第一辐射体40和第二辐射体50的辐射带宽，进而增强电子设备的辐射性能。

作为一种可选的实施方式，所述第一接地点42位于所述第一辐射体40的第一端和第二端之间，所述第二接地点52位于所述第二辐射体50的第一端和第二端之间。

其中，第一接地点42位于第一辐射体40的第一端和第二端之间，此时第一辐射体40构成的天线可以被称作为T天线，第二接地点52位于第二辐射体50的第一端和第二端之间，此时第二辐射体50构成的天线也可以被称作为T天线。

本实施方式中的两个T天线同样可以彼此构成寄生天线，从而可以提升第一辐射体40和第二辐射体50的辐射带宽，进而增强电子设备的辐射性能。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本申请的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本申请的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本申请的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (11)

1.一种电子设备，其特征在于，包括：地板、第一馈电点、第二馈电点、第一辐射体和第二辐射体，所述第一辐射体和所述第二辐射体分别与所述地板间隔设置，且所述第一辐射体的第一端和所述第二辐射体的第一端耦合连接，所述第一辐射体的第一接地点与所述地板连接，所述第二辐射体的第二接地点与所述地板连接，所述第一馈电点与所述第一辐射体连接，所述第二馈电点与所述第二辐射体连接；

其中，在所述第一馈电点的第一馈电信号的作用下，所述第一辐射体上产生第一辐射模式，所述第二辐射体上产生第二辐射模式；在所述第二馈电点的第二馈电信号的作用下，所述第二辐射体上产生第三辐射模式，所述第一辐射体上产生第四辐射模式；

所述电子设备还包括第三辐射体，所述第三辐射体位于所述第一辐射体的第一端和所述第二辐射体的第一端之间，所述第三辐射体分别与所述第一辐射体的第一端和所述第二辐射体的第一端耦合连接，所述第三辐射体与所述地板间隔设置；

其中，在所述第一馈电信号的作用下，所述第三辐射体上产生第五辐射模式，在所述第二馈电信号的作用下，所述第三辐射体上产生第六辐射模式。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第三辐射体还通过第三调谐开关与所述地板连接。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一辐射体还通过第一调谐开关与所述地板连接，所述第二辐射体通过第二调谐开关与所述地板连接。

4.根据权利要求3所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备的第一馈电点与所述第一辐射体的第一馈电点连接，所述电子设备的第二馈电点与所述第二辐射体的第二馈电点连接，所述第一调谐开关分别与所述第一辐射体的第一馈电点和所述地板连接，所述第二调谐开关分别与所述第二辐射体的第二馈电点和所述地板连接。

5.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，所述第一调谐开关包括至少两条并联的第一支路，所述第一支路分别与所述第一馈电点和所述地板连接，所述第一馈电点通过至少两条并联的第二支路与所述第一馈电点连接，所述第一支路和所述第二支路并联，且所述第一支路和所述第二支路中均设置有第一调谐元器件和第一控制开关；

所述第二调谐开关包括至少两条并联的第三支路，所述第三支路分别与所述第二馈电点和所述地板连接，所述第二馈电点通过至少两条并联的第四支路与所述第二馈电点连接，所述第三支路和所述第四支路并联，且所述第三支路和所述第四支路中均设置有第二调谐元器件和第二控制开关。

6.根据权利要求3所述的电子设备，其特征在于，所述第一馈电点与所述第一辐射体的第三馈电点连接，所述第二馈电点与所述第二辐射体的第四馈电点连接，所述第一调谐开关分别与所述第一辐射体的第一连接点和所述地板连接，所述第一连接点位于所述第三馈电点的一侧，所述第二调谐开关分别与所述第二辐射体的第二连接点连接，所述第二连接点位于所述第四馈电点的一侧。

7.根据权利要求6所述的电子设备，其特征在于，所述第一调谐开关和所述第二调谐开关均包括至少两条并联的第五支路，所述第五支路的一端与所述第一辐射体或者所述第二辐射体连接，所述第五支路的另一端与所述地板连接，所述第五支路中包括第三调谐元器件和第三控制开关，所述第三调谐元器件包括电容、电感和电阻中的至少一者。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述第一接地点位于所述第一辐射体的第一端和第二端之间，所述第二接地点位于所述第二辐射体的第二端。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述第一接地点位于所述第一辐射体的第二端，所述第二接地点位于所述第二辐射体的第一端和第二端之间。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述第一接地点位于所述第一辐射体的第二端，所述第二接地点位于所述第二辐射体的第二端。

11.根据权利要求1至7中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述第一接地点位于所述第一辐射体的第一端和第二端之间，所述第二接地点位于所述第二辐射体的第一端和第二端之间。