CN111987433A - 天线结构及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种天线结构及电子设备，属于通信技术领域。天线结构包括：第一辐射体、第二辐射体和第三辐射体，第一辐射体上设置有用于接入第一馈电信号的第一馈电点，第二辐射体上设置有用于接入第二馈电信号的第二馈电点，第一辐射体和第二辐射体的工作频段的差值小于预设值，第一辐射体与第二辐射体的相对端间隔或者连接，且第一辐射体和第二辐射体均接地，第三辐射体和第一辐射体耦合连接。这样，第三辐射体给整个天线结构引入了一个新的分布参数耦合路径，该分布参数耦合路径可以与第一辐射体和第二辐射体的辐射信号之间产生的分布参数耦合路径相互抵消至少一部分，从而提高了第一辐射体和第二辐射体之间的隔离度。

Description

天线结构及电子设备

技术领域

本申请属于通信技术领域，具体涉及一种天线结构及电子设备。

背景技术

随着通信技术的发展，电子设备上可以实现的功能越来越多，因此，对于天线结构的要求也越来越高，在实现本申请过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：天线结构可以实现的功能越多，会导致天线结构包括的多个辐射体经常处于相同或者相近的工作频率，从而导致天线结构内包括的辐射体之间的隔离度较差。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种天线结构及电子设备，能够解决天线结构内包括的辐射体之间的隔离度较差的问题。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供了一种天线结构，包括：第一辐射体、第二辐射体和第三辐射体，所述第一辐射体上设置有用于接入第一馈电信号的第一馈电点，所述第二辐射体上设置有用于接入第二馈电信号的第二馈电点，所述第一辐射体和所述第二辐射体的工作频段的差值小于预设值，所述第一辐射体与所述第二辐射体的相对端间隔或者连接，且所述第一辐射体和所述第二辐射体均接地，所述第三辐射体和所述第一辐射体耦合连接。

第二方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括第一方面中所述的天线结构。

在本申请实施例中，由于第三辐射体与第一辐射体耦合连接，这样，第三辐射体给整个天线结构引入了一个新的分布参数耦合路径，该分布参数耦合路径可以与第一辐射体和第二辐射体的辐射信号之间产生的分布参数耦合路径相互抵消至少一部分，从而减弱了第一辐射体和第二辐射体的辐射信号之间的耦合作用，提高了第一辐射体和第二辐射体之间的隔离度。

附图说明

图1是本申请实施例提供一种天线结构的结构示意图之一；

图2是本申请实施例提供一种天线结构的隔离度以及反射系数的示意图之一；

图3是本申请实施例提供一种天线结构的结构示意图之二；

图4是本申请实施例提供一种天线结构的隔离度以及反射系数的示意图之二；

图5是本申请实施例提供一种天线结构的结构示意图之三；

图6是本申请实施例提供一种天线结构的结构示意图之四；

图7是本申请实施例提供一种天线结构的中滤波电路的结构示意图；

图8是本申请实施例提供一种天线结构的结构示意图之五；

图9是本申请实施例提供一种天线结构的结构示意图之六；

图10是本申请实施例提供一种天线结构的结构示意图之七；

图11是本申请实施例提供一种天线结构的结构示意图之八；

图12是本申请实施例提供一种天线结构的结构示意图之九；

图13是本申请实施例提供一种天线结构的结构示意图之十。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例提供的天线结构及电子设备进行详细地说明。

参见图1，本申请实施例提供一种天线结构的结构示意图，如图1所示，天线结构包括：第一辐射体10、第二辐射体20和第三辐射体30，所述第一辐射体10上设置有用于接入第一馈电信号的第一馈电点，所述第二辐射体20上设置有用于接入第二馈电信号的第二馈电点，所述第一辐射体10和所述第二辐射体20的工作频段的差值小于预设值，所述第一辐射体10与所述第二辐射体20的相对端间隔或者连接，且所述第一辐射体10和所述第二辐射体20均接地，所述第三辐射体30和所述第一辐射体10耦合连接。

其中，本申请实施例的工作原理可以参见以下表述：

由于第一辐射体10和第二辐射体20的工作频段的差值小于预设值，也就是说当第一辐射体10和第二辐射体20的工作频率(或者说工作频段)相同或者相近时，此时第一辐射体10和第二辐射体20之间会产生较强的分布参数耦合，也就是说：第一辐射体10和第二辐射体20在辐射信号时，第一辐射体10和第二辐射体20的辐射信号之间会产生耦合作用，从而产生一部分分布参数(可以理解为电容参数和电感参数等参数中的至少一种)，即导致第一辐射体10和第二辐射体20的隔离度较差，而本申请实施例中由于包括第三辐射体30，且第三辐射体30和第一辐射体10耦合连接，这样，第三辐射体30同样可以提供一个新的分布参数耦合路径，即该分布参数耦合路径可以与第一辐射体10和第二辐射体20的辐射信号之间产生的分布参数耦合路径相互抵消至少一部分，从而减弱了第一辐射体10和第二辐射体20的辐射信号之间的耦合作用，提高了第一辐射体10和第二辐射体20之间的隔离度。同时，第三辐射体30还可以产生谐振，从而增强了整个天线结构的带宽，提升了整个天线结构的辐射效率。

作为一种可选的实施方式，所述预设值为300MHZ。也可以理解为：第一辐射体10和第二辐射体20的工作频段的差值位于0到300MHZ这一范围内，此时第一辐射体10和第二辐射体20之间的隔离度较差，需要增加第三辐射体30以改善第一辐射体10和第二辐射体20之间的隔离度。

例如：参见图2，图2中横坐标表示工作频率，纵坐标表示比值(例如可以为衰减的比值)，S1,2和S2,1均表示第一辐射体10和第二辐射体20之间的隔离度，S1,1和S2,2分别表示第一辐射体10和第二辐射体20的反射系数，由图2中可知，隔离度达到了-13dB左右，而现有技术中一般为-6dB左右(也就是说：无第三辐射体30时隔离度为-6dB左右)，由此可见，本实施方式中第一辐射体10和第二辐射体20的隔离度较好。

其中，第一辐射体10和第二辐射体20的长度可以为其工作频段(也可以理解为其辐射的信号)的1/4波长或者3/4波长，这样，可以提高第一辐射体10和第二辐射体20的辐射效果。当然，第一辐射体10和第二辐射体20的长度也可以根据周围环境以及天线结构中的介质进行调整。上述介质可以用于向天线结构中的辐射体(例如：第一辐射体10或者第二辐射体20)加载信号。

而第三辐射体30的长度可以为其工作频段的1/2波长或者1倍波长，这样，也可以进一步提高第三辐射体30的辐射效果。当然，第三辐射体30的长度同样可以根据周围环境以及天线结构中的介质进行调整。

其中，第一辐射体10、第二辐射体20和第三辐射体30的制造方式在此不做限定，例如：当本实施例中的天线结构应用于电子设备中时，上述辐射体可以采用柔性电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)、金属边框、塑胶压铸金属、塑胶内嵌金属片、电子设备自带的悬浮金属部件(比如悬浮金属按键、悬浮摄像头装饰件)等结构，当然，还可以直接通过激光直接成型技术(Laser Direct Structuring，LDS)或者印刷直接成型技术(PrintedDirect Structure，PDS)制取得到。

需要说明的是，天线结构还可以包括第一馈源11和第二馈源21，第一馈源11可以与第一辐射体连接，以向第一辐射体10提供第一馈电信号，第二馈源21可以与第二辐射体20连接，以向第二辐射体20提供第二馈电信号。

其中，作为一种可选的实施方式，第一馈源11可以直接与第一辐射体10电连接，第二馈源21可以直接与第二辐射体20电连接。这样，可以缩短整个天线结构中的电连接线路的长度。而上述第一馈源11和第二馈源21可以分别向第一辐射体10和第二辐射体20传输信号，以使第一辐射体10和第二辐射体20辐射信号。

作为另一种可选的实施方式，参见图1，第一馈源11可以通过第一匹配电路12与第一辐射体10电连接，第二馈源21可以通过第二匹配电路22与第二辐射体20电连接。而第一匹配电路12和第二匹配电路22可以分别用于调节电路中的阻抗，从而用于提升整个天线结构的带宽和总辐射效率。

其中，当天线结构应用于电子设备中时，本申请实施例中的接地或者接地板100(参见图1)可以指的是电子设备的印制电路板、金属壳体和电子设备内部的金属部件等结构中的至少一种。

其中，作为一种可选的实施方式，第一辐射体10和第二辐射体20的相对端间隔设置，如第一辐射体10的第一端与第二辐射体20的第一端间隔设置，此时，第一辐射体10的第一端和第二辐射体20的第一端可以分别接地。

当然，第一辐射体10的第一端和第二辐射体20的第一端的接地方式在此不做限定，例如：第一辐射体10的第一端和第二辐射体20的第一端可以分别通过导电连接件接地。这样，导电连接件在增强第一辐射体10和第二辐射体20的接地性能的同时，还可以对第一辐射体10和第二辐射体20起到支撑作用。

其中，作为另一种可选的实施方式，第一辐射体10和第二辐射体20的相对端连接，例如：参见图1，第一辐射体10的第一端与第二辐射体20的第一端连接，此时第一辐射体10的第一端和第二辐射体20的第二端可以通过第三导电连接件200接地，这样，第三导电连接件200可以增强第一辐射体10和第二辐射体20的接地性能，同时，第三导电连接件200还可以对第一辐射体10和第二辐射体20起到支撑作用。

另外，第一辐射体10和第二辐射体20连接时，第一辐射体10和第二辐射体20可以为单独的两个辐射体固定连接，当然，第一辐射体10和第二辐射体20也可以为一体成型结构，即第一辐射体10和第二辐射体20为同一个辐射体的相邻两个部分。

其中，第三辐射体30和第一辐射体10之间的位置关系在此不做限定，例如：第三辐射体30可以和第一辐射体10位于同一水平面上，当然，第三辐射体30还可以与第一辐射体10位于同一水平面上的同一直线方向上。

另外，第三辐射体30还可以部分位于第一辐射体10与接地平面100之间，即第三辐射体30在接地平面100上的垂直投影与第一辐射体10在接地平面100上的垂直投影可以部分重合。

另外，第一辐射体10还可以部分位于第三辐射体30与接地平面100之间，同样，第三辐射体30在接地平面100上的垂直投影与第一辐射体10在接地平面100上的垂直投影可以部分重合。

需要说明的是，第三辐射体30的位置不同，对第一辐射体10和第二辐射体20之间隔离度的调整程度也不相同，可以根据需要调整第三辐射体30的位置，以对第一辐射体10和第二辐射体20之间的隔离度进行调整。

可选地，参见图3，所述天线结构还包括第四辐射体40，所述第四辐射体40与所述第二辐射体20耦合连接。

其中，第四辐射体40也可以参见上述第三辐射体30的相应表述，具体在此不再赘述，而第四辐射体40与第二辐射体20之间的位置关系可以参见第三辐射体30与第一辐射体10之间的位置关系的表述，也在此不再赘述。

这样，由于天线结构还包括第四辐射体40，即第四辐射体40产生的分布参数耦合路径同样可以抵消第一辐射体10和第二辐射体20之间分布参数耦合路径的至少一部分，从而可以进一步增强整个天线结构的隔离度，同时还可以增加整个天线结构的工作带宽，提高整个天线结构的辐射效率。

参见图4，具体可以参见图2中的相应表述，本实施方式中的隔离度达到了-23dB左右，与现有技术相比，可见进一步增强了天线结构的隔离度。

需要说明的是，第三辐射体30和第四辐射体40可以同时设置，也可以只单独设置一个，具体在此不做限定。

当第三辐射体30和第四辐射体40同时设置时，作为一种可选的实施方式，参见图3，所述天线结构还包括第一接地板101，所述第三辐射体30和所述第四辐射体40中至少一者与所述第一接地板101绝缘设置。这样，可以增强第三辐射体30和第四辐射体40与第一接地板101之间的隔离效果，从而可以进一步增强第三辐射体30和第四辐射体40辐射性能。

作为一种可选的实施方式，第三辐射体30和第四辐射体40中至少一者相对第一接地板101悬空设置，这样，可以增强第三辐射体30和第四辐射体40与第一接地板101之间的隔离效果。

可选地，参见图5，所述第三辐射体30和所述第四辐射体40中至少一者接地。这样，增强了第三辐射体30和第四辐射体40设置方式的灵活性和多样性，同时，还增强了整个天线结构的接地性能。

其中，第三辐射体30和第四辐射体40的接地点的个数以及设置位置在此不做限定，例如：第三辐射体30和第四辐射体40的接地点的个数可以为一个，第三辐射体30的接地点可以为远离第一辐射体10的一端(即第三辐射体30的第二端)，同样，第四辐射体40的接地点可以为远离第二辐射体20的一端(即第四辐射体40的第二端)。而此时，第三辐射体30和第四辐射体40的第一端到第二端的长度可以为其工作频段的1/4波长。

当然，第三辐射体30和第四辐射体40的接地点的个数也可以为多个，且上述接地点可以为端点位置或者中点位置等。这样，通过多个接地点接地，可以增强第三辐射体30和第四辐射体40的接地性能。

另外，第三辐射体30和第四辐射体40的形状在此不做限定，例如：第三辐射体30和第四辐射体40可以均为长方形辐射体，当然，第三辐射体30和第四辐射体40还可以为其他形状辐射体(如U形辐射体或者V形辐射体)。

当然，第三辐射体30和第四辐射体40还可以包括两个子辐射体，且一个子辐射体的一端与另一个子辐射体的一端垂直连接。

可选地，所述第三辐射体30和所述第四辐射体40中至少一者通过滤波电路60接地。

其中，参见图6，当第三辐射体30和第四辐射体40均通过滤波电路60接地时，此时第三辐射体30和第四辐射体40均可以通过两条电流路径(电流路径可以表述在空间中能量的传递方向)工作，具体参见图6，第三辐射体30可以通过C1和C2两条电流路径工作，第四辐射体40可以通过C3和C4两条电流路径工作，而不同的电流路径的工作频段可以不同。这样，既增加了天线结构的工作频段，也可以利用上述多条电流路径形成的分布参数耦合路径与第一辐射体10和第二辐射体20之间产生的分布参数耦合路径进行抵消，从而增强了整个天线结构的隔离度。

其中，滤波电路60的具体结构在此不做限定，滤波电路60可以包括电容和电感，且根据需要可以将多个电容与电感进行串联或者并联。

作为一种可选的实施方式，参见图7，所述滤波电路60包括第一电容61、第二电容62和电感63，所述第一电容61的第一端和所述电感63的第一端电连接，所述第一电容61的第二端和所述电感63的第二端电连接，且所述第一电容61的第二端和所述电感63的第二端均与所述第二电容62电连接。

这样，本实施方式中的滤波电路可以对低频段的辐射信号呈现导通特性，当第三辐射体30和第四辐射体40工作在低频段的时候，可以通过C2和C4工作；而滤波电路可以对高频段的辐射信号呈现阻断特性，当第三辐射体30和第四辐射体40工作在高频段的时候，可以通过C1和C3工作。

因此，本实施方式中可以通过控制不同的电流路径处于工作状态，从而控制第三辐射体30和第四辐射体40工作于高频段或者低频段，增强对第三辐射体30和第四辐射体40的控制方式的灵活性和智能化程度。

需要说明的是，高频段和低频段只是一个相对的概念，例如：高频段通常为3MHz～30MHz，低频段通常为30kHz～300kHz，当然，上述数值只是举例说明，并不具体限定。

可选地，参见图8，所述天线结构还包括第二接地板102；

所述天线结构还包括第一导电连接件201，所述第三辐射体30的两端分别与所述第一导电连接件201连接形成第一凹槽结构301，所述第一导电连接件201与所述第二接地板102连接，所述第一凹槽结构301的开口朝向所述第二接地板102；和/或，

所述天线结构还包括第二导电连接件202，所述第四辐射体40的两端分别与所述第二导电连接件202连接形成第二凹槽结构401，所述第二导电连接件202与所述第二接地板102连接，所述第二凹槽结构401的开口朝向所述第二接地板102。

需要说明的是，第三辐射体30与两个第一导电连接件201连接形成第一凹槽结构301，也就是说：第三辐射体30的两端可以分别连接一个第一导电连接件201。

同理，第二凹槽结构401为：第四辐射体40与两个第二导电连接件202连接形成，即第四辐射体40的两端分别连接一个第二导电连接件202。

其中，本实施方式中，第一凹槽结构301和第二凹槽结构401可以作为辐射体对辐射信号进行辐射，这样，进一步增强了整个天线结构包括的辐射体的种类的多样性。需要说明的是，第一凹槽结构301和第二凹槽结构401的长度同样可以为其工作频段的1/2波长。

另外，第一凹槽结构301和第二凹槽结构401内还可以填充有绝缘介质，这样，上述绝缘介质可以构成介质谐振天线，从而进一步增强天线结构包括的辐射体的种类的多样性，同时，还可以增强天线结构的辐射效果。

可选地，参见图9，所述天线结构还包括第三接地板103；

所述第三辐射体30与所述第三接地板103绝缘设置，且所述第三辐射体30为包括第一容置槽302的辐射体，所述第一辐射体10的一端(例如：第二端)设置于所述第一容置槽302内，且与所述第一容置槽302的内壁绝缘设置；和/或，

所述第四辐射体40与所述第三接地板103绝缘设置，且所述第四辐射体40为包括第二容置槽402的辐射体，所述第二辐射体20的一端(例如：第二端)设置于所述第二容置槽402内，且与所述第二容置槽402的内壁绝缘设置。

其中，第三辐射体30和第四辐射体40可以均为U形辐射体，而第一容置槽302和第二容置槽402则分别为U形辐射体包括的容置槽。而第一辐射体10的第一端与第二辐射体20的第一端可以为相对端，或者上述两者连接。

也就是说：第三辐射体30和第四辐射体40均为折弯的辐射体，且第三辐射体30可以半环绕第一辐射体10，第四辐射体40可以半环绕第二辐射体20。

这样，由于第三辐射体30的两端均分别与第一辐射体10耦合，第四辐射体40的两端均分别与第二辐射体20耦合，从而增强了耦合效果，进而进一步提高了整个天线结构的隔离度。同时，还可以增加天线结构的工作带宽，增强辐射效果。

可选地，参见图10，所述天线结构还包括第五辐射体50，所述第五辐射体50分别与所述第一辐射体10和所述第二辐射体20耦合连接，且所述第五辐射体50分别与所述第三辐射体30和所述第四辐射体40耦合连接。

需要说明的是，所述第五辐射体50的两端可以分别与第三辐射体30和第四辐射体4的两端耦合连接，而第五辐射体50可以整体分别与第一辐射体10和第二辐射体20耦合连接。

其中，由于第五辐射体50分别与第一辐射体10和第二辐射体20耦合连接，且第五辐射体50分别与第三辐射体30和第四辐射体40耦合连接，这样，参见图10，新增了空间耦合路径C5、C6和C7，从而可以进一步降低第一辐射体10和第二辐射体20之间的耦合作用，即进一步增强了整个天线结构的隔离度，改善了整个天线结构的辐射效率。

其中，第三辐射体30和第四辐射体40的长度可以为其工作频段的1/2波长，而第五辐射体50的长度可以根据实际需求以及与第一辐射体10、第二辐射体20、第三辐射体30和第四辐射体40之间的距离进行调整，具体取值在此不做限定。

可选地，参见图11，所述第五辐射体50接地。这样，由于天线结构包括第五辐射体50，从而可以增加整个天线结构的工作频段。同时，由于第五辐射体50接地，从而增强了第五辐射体50的接地性能。

其中，第五辐射体50可以包括两个子辐射体，且上述两个子辐射体相互连接，上述两个子辐射体的连接处可以通过第三导电连接件200接地，而该第三导电连接件200可以与第一辐射体10和第二辐射体20连接的第三导电连接件200为同一连接件。

需要说明的是，上述两个子辐射体可以为一体成型结构，当然，上述两个子辐射体之间也可以为可拆卸连接的方式。

但是由于第五辐射体50接地，从而同样会出现由于上述两个子辐射体具有共同的回地路径带来的强耦合现象，从而导致隔离度较差的问题。

为此，作为一种可选的实施方式，参见图11，所述第三辐射体30包括第一子辐射体31、第一滤波子电路32和第二子辐射体33，所述第一子辐射体31通过所述第一滤波子电路32与所述第二子辐射体33电连接；和/或，

所述第四辐射体40包括第三子辐射体41、第二滤波子电路42和第四子辐射体43，所述第三子辐射体41通过所述第二滤波子电路42与所述第四子辐射体43电连接。

这样，由于第三辐射体30包括第一滤波子电路32，第四辐射体40包括第二滤波子电路42，而第一滤波子电路32和第二滤波子电路42对低频段的辐射信号呈现导通特性，即第三辐射体30和第四辐射体40工作在低频段时，第一滤波子电路32和第二滤波子电路42可以供低频段的辐射信号通过，从而可以使得第三辐射体30和第四辐射体40的整体长度均参与辐射；同时，第一滤波子电路32和第二滤波子电路42对高频段的辐射信号具有阻断特征，第三辐射体30和第四辐射体40工作在高频段时，第一滤波子电路32和第二滤波子电路42可以阻止高频段的辐射信号通过，从而可以使得第三辐射体30和第四辐射体40的一部分长度参与辐射(例如：可以为第一子辐射体31和第三子辐射体41参与辐射)。通过上述原理，改善了整个天线结构的隔离度，拓展了天线结构的工作带宽，同时还增强了辐射信号辐射方式的灵活性。

需要说明的是，本申请实施例中的低频段和高频段都是相对而言的，例如：第一辐射体10工作在第一频段，第二辐射体20工作在第二频段，若第一频段低于第二频段，则第一频段可以被称作为低频段，第二频段可以被称作为高频段。相应的，若第一频段高于第二频段，则第一频段可以被称作为高频段，第二频段可以被称作为低频段。

另外，需要说明的是，作为一种可选的实施方式，第一滤波子电路32和第二滤波子电路42可以均包括电容和电感，具体连接方式在此不做限定，例如：第一滤波子电路32和第二滤波子电路42的具体结构可以参见上述实施例中的滤波电路60的结构，具体在此不再赘述。

可选地，参见图12，所述第三辐射体30包括相互电连接的第五子辐射体34和第六子辐射体35，所述第五子辐射体34工作在第一频段，所述第六子辐射体35工作在第二频段，所述第一频段和所述第二频段不同；和/或，

所述第四辐射体40包括相互电连接的第七子辐射体44和第八子辐射体45，所述第七子辐射体44工作在第三频段，所述第八子辐射体45工作在第四频段，所述第三频段和所述第四频段不同。

其中，第一频段和第二频段可以为不同的频段，第三频段和第四频段可以为不同的频段，这样，由于第五子辐射体34和第六子辐射体35的工作频段不同，则参见图12，具有C8和C9两条电流路径工作，且C8和C9两条电流路径分别表示不同的频段的能量传输；且第七子辐射体44和第八子辐射体45的工作频段不同，则其具有C10和C11两条电流路径工作，且C10和C11两条电流路径分别表示不同的频段的能量传输；从而进一步增加了整个天线结构的工作带宽，同时，还可以进一步改善天线结构的隔离度。

另外，第一频段和第三频段，第二频段和第四频段之间的关系在此不做限定，例如：作为一种可选的实施方式，第一频段和第三频段的差值小于预设值，第二频段和第四频段的差值小于预设值，预设值可以参见上述实施例中的相关表述，即预设值可以小于300MHZ，此时表示第一频段和第三频段为相同或者相近频段，第二频段和第四频段为相同或者相近频段。这样，通过设置第五子辐射体34、第六子辐射体35、第七子辐射体44和第八子辐射体，从而可以进一步增强第一辐射体10和第二辐射体20之间的隔离度。当然，当第五辐射体50包括两个子辐射体时，也可以增强上述两个子辐射体之间的隔离度。

需要说明的是，另外一种可选的实施方式与上述实施方式的差别在于：第一频段和第四频段为相同或者相近频段，第二频段和第三频段为相同或者相近频段，其他表述可以参见上述的有关表述，在此不再赘述。

其中，第五子辐射体34和第六子辐射体35的具体结构和连接关系在此不做限定，作为一种可选的实施方式，第五子辐射体34可以包括第一部分和第二部分，第六子辐射体35可以为线形辐射体，则第一部分可以与第六子辐射体35相对设置，而第二部分的两端可以分别与第一部分和第六子辐射体35(例如：中间位置)固定连接，且第一部分、第二部分和第六子辐射体35可以连接形成辐射体容置槽，而第一辐射体10的第二端可以容置于辐射体容置槽内，且第一辐射体10的第二端与辐射体容置槽的内壁间隔设置。

同理，第四辐射体40中包括的第七子辐射体44和第八子辐射体45的结构和连接关系也可以参见上述第五子辐射体34和第六子辐射体35的相关表述，具体在此不再赘述。

可选地，参见图13，所述天线结构还包括第四接地板104；

所述第三辐射体30为包括第一腔体303的环状辐射体，且所述第三辐射体30与第四导电连接件203连接形成第三凹槽结构304，所述第四导电连接件203与所述第四接地板104连接，所述第三凹槽结构304的开口朝向所述第四接地板104；和/或，

所述第四辐射体40为包括第二腔体403的环状辐射体，且所述第四辐射体40与第五导电连接件204连接形成第四凹槽结构404，所述第四导电连接件203与所述第四接地板104连接，所述第四凹槽结构404的开口朝向所述第四接地板104。

需要说明的是，第三辐射体30与两个第四导电连接件203连接形成第三凹槽结构304，也就是说：第三辐射体30的两端分别连接一个第四导电连接件203；同理，第四辐射体40与两个第五导电连接件204连接形成第四凹槽结构404，也就是说：第四辐射体40的两端分别连接一个第五导电连接件204。

其中，第一腔体303的长度可以大于第三凹槽结构304的长度，而第一腔体303的宽度可以小于第三凹槽结构304的宽度。同理，第二腔体403的长度可以大于第四凹槽结构404的长度，而第二腔体403的宽度可以小于第四凹槽结构404的宽度。

本实施方式中，参见图13，第三辐射体30与第四接地板104之间可以形成C12和C13两个电流路径，且上述两个电流路径的长度并不相同，而不同的电流路径可以工作在不同的频段(即用于不同频段的能量传输)，这样，增加了整个天线结构的工作带宽，同时还可以进一步增强整个天线结构的隔离度；同理，第四辐射体40与第四接地板104之间可以形成C14和C15两个电流路径，且上述两个电流路径的长度并不相同，而不同的电流路径可以工作在不同的频段，这样，增加了整个天线结构的工作带宽，同时还可以进一步增强整个天线结构的隔离度。

需要说明的是，在本申请文件中，从图1、图3、图5、图6以及图8-13所示的实施例中，第三辐射体30和第四辐射体40的形状、尺寸和材料等可以均相同，也就是说，第三辐射体30和第四辐射体40可以关于第三导电连接件200对称设置。这样，可以使得第三辐射体30和第四辐射体40对第一辐射体10和第二辐射体20的辐射信号之间产生的分布参数耦合路径的抵消程度相同或者相近(即较为均匀)，从而进一步增强第一辐射体10和第二辐射体20的隔离度。

另外，本申请文件中的接地板100、第一接地板101、第二接地板102、第三接地板103和第四接地板104为在不同的实施方式中的表述，当各个实施方式中的结构集合在一个实施方式中时，接地板100、第一接地板101、第二接地板102、第三接地板103和第四接地板104可以表示同一个接地板。

可选地，本申请实施例还提供一种电子设备，包括上述实施例中的天线结构。由于本实施例提供的电子设备包括上述实施例中的天线结构，因此具有与上述实施例相同的有益技术效果，而天线结构的具体结构可以参见上述实施例中的相应表述，具体在此不再赘述。

上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。

Claims (15)

1.一种天线结构，其特征在于，包括：第一辐射体、第二辐射体和第三辐射体，所述第一辐射体上设置有用于接入第一馈电信号的第一馈电点，所述第二辐射体上设置有用于接入第二馈电信号的第二馈电点，所述第一辐射体和所述第二辐射体的工作频段的差值小于预设值，所述第一辐射体与所述第二辐射体的相对端间隔或者连接，且所述第一辐射体和所述第二辐射体均接地，所述第三辐射体和所述第一辐射体耦合连接。

2.根据权利要求1所述的天线结构，其特征在于，所述天线结构还包括第四辐射体，所述第四辐射体与所述第二辐射体耦合连接。

3.根据权利要求2所述的天线结构，其特征在于，所述天线结构还包括第一接地板，所述第三辐射体和所述第四辐射体中至少一者与所述第一接地板绝缘设置。

4.根据权利要求2所述的天线结构，其特征在于，所述第三辐射体和所述第四辐射体中至少一者接地。

5.根据权利要求3所述的天线结构，其特征在于，所述第三辐射体和所述第四辐射体中至少一者通过滤波电路接地。

6.根据权利要求2所述的天线结构，其特征在于，所述天线结构还包括第二接地板；

所述天线结构还包括第一导电连接件，所述第三辐射体的两端分别与所述第一导电连接件连接形成第一凹槽结构，所述第一导电连接件与所述第二接地板连接，所述第一凹槽结构的开口朝向所述第二接地板；和/或，

所述天线结构还包括第二导电连接件，所述第四辐射体的两端分别与所述第二导电连接件连接形成第二凹槽结构，所述第二导电连接件与所述第二接地板连接，所述第二凹槽结构的开口朝向所述第二接地板。

7.根据权利要求2所述的天线结构，其特征在于，所述天线结构还包括第三接地板；

所述第三辐射体与所述第三接地板绝缘设置，且所述第三辐射体为包括第一容置槽的辐射体，所述第一辐射体的一端设置于所述第一容置槽内，且与所述第一容置槽的内壁绝缘设置；和/或，

所述第四辐射体与所述第三接地板绝缘设置，且所述第四辐射体为包括第二容置槽的辐射体，所述第二辐射体的一端设置于所述第二容置槽内，且与所述第二容置槽的内壁绝缘设置。

8.根据权利要求2所述的天线结构，其特征在于，所述天线结构还包括第五辐射体，所述第五辐射体分别与所述第一辐射体和所述第二辐射体耦合连接，且所述第五辐射体分别与所述第三辐射体和所述第四辐射体耦合连接。

9.根据权利要求8所述的天线结构，其特征在于，所述第五辐射体接地。

10.根据权利要求9所述的天线结构，其特征在于，所述第三辐射体包括第一子辐射体、第一滤波子电路和第二子辐射体，所述第一子辐射体通过所述第一滤波子电路与所述第二子辐射体电连接；和/或，

所述第四辐射体包括第三子辐射体、第二滤波子电路和第四子辐射体，所述第三子辐射体通过所述第二滤波子电路与所述第四子辐射体电连接。

11.根据权利要求9所述的天线结构，其特征在于，所述第三辐射体包括相互电连接的第五子辐射体和第六子辐射体，所述第五子辐射体工作在第一频段，所述第六子辐射体工作在第二频段，所述第一频段和所述第二频段不同；和/或，

所述第四辐射体包括相互电连接的第七子辐射体和第八子辐射体，所述第七子辐射体工作在第三频段，所述第八子辐射体工作在第四频段，所述第三频段和所述第四频段不同。

12.根据权利要求2所述的天线结构，其特征在于，所述天线结构还包括第四接地板；

所述第三辐射体为包括第一腔体的环状辐射体，且所述第三辐射体与第四导电连接件连接形成第三凹槽结构，所述第四导电连接件与所述第四接地板连接，所述第三凹槽结构的开口朝向所述第四接地板；和/或，

所述第四辐射体为包括第二腔体的环状辐射体，且所述第四辐射体与第五导电连接件连接形成第四凹槽结构，所述第四导电连接件与所述第四接地板连接，所述第四凹槽结构的开口朝向所述第四接地板。

13.根据权利要求1所述的天线结构，其特征在于，所述第一辐射体和所述第二辐射体的相对端连接，且所述第一辐射体和所述第二辐射体均通过第三导电连接件接地。

14.根据权利要求1所述的天线结构，其特征在于，所述预设值为300MHZ。

15.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至14中任一项所述的天线结构。

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