CN114295885B - 电流检测电路及驱动装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电流检测电路及驱动装置，应用于检查技术领域，电路检测电路包括电流发生电路，包括VDMOS器件，电流发生电路用于生成第一电流，且第一电流为流经VDMOS器件的电流；电流采样电路，与电流发生电路连接，电流采样电路用于对第一电流进行线性拟合和温度补偿，并将经过线性拟合与温度补偿的结果作为第二电流；电流采样输出电路，与电流采样电路连接，电流采样输出电路用于将第二电流进行输出，得到目标输出电流。电流检测电路输出的目标输出电流不会跟随温度的变化而变化，且目标输出电流与所述第一电流成比例，因此，目标输出电流可以经过计算直接得到流经VDMOS器件的电流，从而使其它电器元件或装置对VDMOS器件的电流值进行准确获取并应用，实现了高精度的电流采样。

Description

电流检测电路及驱动装置

技术领域

本发明涉及检测技术领域，特别涉及一种电流检测电路及驱动装置。

背景技术

由于VDMOS器件具有温度系数，VDMOS器件的电流不是固定值，无法对VDMOS器件的电流值进行准确获取并应用。例如，驱动功率芯片与VDMOS器件的工艺类型不同，驱动功率芯片采用BCD工艺，即横向工艺，VDMOS为垂直工艺，器件的温度系数必然存在差异，从而得到的VDMOS器件的电流不是固定值，使得驱动功率芯片与VDMOS器件无法直接进行合封使用。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本申请实施例提供了一种电流检测电路及驱动装置，能够对VDMOS器件的电流进行温度补偿，使得电流检测电路输出的电流不随温度变换，实现高精度电流采样。

第一方面，本发明提供一种电流检测电路，包括：

电流发生电路，包括VDMOS器件，所述电流发生电路用于生成第一电流，且所述第一电流为流经所述VDMOS器件的电流；

电流采样电路，与所述电流发生电路连接，所述电流采样电路用于对所述第一电流进行线性拟合和温度补偿，并将经过所述线性拟合与所述温度补偿的结果作为第二电流；

电流采样输出电路，与所述电流采样电路连接，所述电流采样输出电路用于将所述第二电流进行输出，得到目标输出电流。

根据本发明第一方面的上述实施例，至少具有如下有益效果：本发明实施例中的检测电路用于检测流经VDMOS器件的电流，即为电流发生电路生成的第一电流，电流发生电路用于生成第一电流，电流采样电路用于对第一电流进行线性拟合和温度补偿并将得到的结果作为第二电流，电流采样输出电路对接收到的第二电流进行输出，得到目标输出电流，目标输出电流不会跟随温度的变化而变化，且目标输出电流与所述第一电流成比例，因此，目标输出电流可以经过计算直接得到流经VDMOS器件的电流，能够使得其它电器元件或装置对VDMOS器件的电流值进行准确获取并应用，实现了高精度的电流采样。

根据本发明第一方面的一些实施例，所述电流采样电路包括第一运算放大器、第一输入电路、第二输入电路和电流采样温度补偿电路；

所述第一运算放大器的同向输入端与所述第一输入电路连接，所述第一运算放大器的反向输入端与所述第二输入电路的输出端连接；

所述第二输入电路的输入端与所述电流发生电路的输出端连接，所述第一运算放大器的输出端与所述电流采样温度补偿电路的输入端连接，所述电流采样温度补偿电路的输出端与所述第一运算放大器的反向输入端连接，所述第一运算放大器的输出端与所述电流采样输出电路的输入端连接。

根据本发明第一方面的一些实施例，所述第一输入电路包括第一电流源、第一电阻和偏置电流温度补偿电路，所述第一电流源与所述第一电阻串联，所述第一电阻靠近所述第一电流源的一端与所述第一运算放大器的同向输入端连接，所述第一电阻的另一端连接至地，所述偏置电流温度补偿电路与所述第一电流源并联。

根据本发明第一方面的一些实施例，所述偏置电流温度补偿电路包括第二运算放大器、第二电流源、第二电阻、第三电阻、第一MOS管和第一镜像电路；

所述第二电阻与所述第二电流源串联，所述第二电阻靠近所述第二电流源的一端与所述第二运算放大器的同向输入端连接，所述第二电阻的另一端连接至地；

所述第三电阻通过所述第一MOS管与所述第一镜像电路串联，所述第一MOS管与所述第二运算放大器的输出端连接，所述第三电阻靠近所述第一镜像电路的一端与所述第二运算放大器的反向输入端连接，所述第三电阻的另一端连接至地；

所述第二电流源远离所述第二电阻的一端与所述第一电流源的一端连接，所述第一镜像电路远离所述第三电阻的一端与所述第一运算放大器的正向输入端连接，且所述第一电流源与所述第二电流源的电流值相等，所述第二电阻为零温度系数电阻，所述第三电阻为热敏电阻。

根据本发明第一方面的一些实施例，所述第一镜像电路包括第二MOS管和第三MOS管；

所述第二MOS管的栅极与所述第一MOS管的漏极连接，所述第二MOS管的源极与所述第一MOS管的漏极连接，所述第二MOS管的漏极与所述第二电流源的一端连接；

所述第三MOS管的栅极与所述第一MOS管的漏极连接，所述第三MOS管的漏极与所述第二电流源的一端连接，所述第三MOS管的源极与所述第一运算放大器的正向输入端连接。

根据本发明第一方面的一些实施例，所述电流采样温度补偿电路包括第四MOS管、第五MOS管、第三运算放大器、第四电阻、第五电阻、第六MOS管和第二镜像电路；

所述第四电阻与所述第五MOS管的源极连接，所述第四电阻靠近所述第五MOS管的一端与所述第三运算放大器的同向输入端连接，所述第四电阻的另一端连接至地；

所述第五电阻通过所述第六MOS管与所述第二镜像电路串联，所述第六MOS管与所述第三运算放大器的输出端连接，所述第五电阻靠近所述第二镜像电路的一端与所述第三运算放大器的反向输入端连接，所述第五电阻的另一端连接至地；

所述第五MOS管的漏极与所述第四MOS管的漏极连接，所述第四MOS管的源极与所述第一运算放大器的反向输入端连接，所述第二镜像电路远离所述第五电阻的一端与所述第一运算放大器的反向输入端连接，所述第四MOS管的栅极与所述第一运算放大器的输出端连接，所述第五MOS管的栅极与所述第一运算放大器的输出端连接，且流经所述第四MOS管与所述第五MOS管的电流值相等，所述第四电阻为零温度系数电阻，所述第五电阻为热敏电阻。

根据本发明第一方面的一些实施例，所述第二输入电路包括第六电阻，所述第六电阻的一端与所述第一运算放大器的反向输入端连接，所述第六电阻的另一端与所述VDMOS器件连接。

根据本发明第一方面的一些实施例，所述电流采样输出电路包括第七MOS管、第三电流源和第一输出电路，所述第七MOS管的栅极与所述电流采样电路连接，所述第七MOS管与所述第三电流源串联，所述第三电流源远离所述第七MOS管的一端连接至地，所述第三电流源与所述第一输出电路并联，流经所述第一输出电路的电流为所述目标输出电流。

根据本发明第一方面的一些实施例，所述电流发生电路还包括电感，所述电感与所述VDMOS器件串联，且所述VDMOS器件的漏极与所述电感连接，所述VDMOS器件的源极连接至地。

第二方面，本发明提供一种驱动装置，包括：

驱动功率芯片；

如本发明第一方面实施例所述的电流检测电路；

所述驱动功率芯片与所述电流检测电路连接。

由于第二方面的驱动装置应用第一方面任一项的电流检测电路，因此具有本发明第一方面的所有有益效果。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请实施例的一些实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请一个实施例提供的驱动装置的结构示意图；

图2是本申请一个实施例提供的电流检测电路的电路示意图；

图3是本申请一个实施例提供的偏置电流温度补偿电路的电路示意图；

图4是本申请一个实施例提供的电流采样温度补偿电路的电路示意图。

具体实施方式

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请实施例。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请实施例的描述。

需要说明的是，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于流程图中的顺序执行所示出或描述的步骤。说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。

还应当理解，在本申请实施例说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请实施例的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。

本申请实施例的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本申请实施例中的具体含义。

VDMOS器件是属于电压控制型器件，在合适的栅极电压的控制下，VDMOS器件的半导体表面反型，形成导电沟道，于是漏极和源极之间流过适量的电流，VDMOS器件兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点。但是，VDMOS器件的温度系数同时会使得VDMOS器件的电阻会随温度变化，对于采用驱动与外部VDMOS器件合封的方式提升电流密度的方案，驱动功率芯片必须精确的采样VDMOS器件的瞬态电流用来提供给系统做控制，使得驱动功率芯片能够高效的工作，但是，驱动功率芯片与VDMOS器件的工艺类型不同，驱动功率芯片采用BCD工艺，即横向工艺，VDMOS为垂直工艺，器件的温度系数必然存在差异，从而得到的VDMOS器件的电流不是固定值。

基于此，本申请实施例提供了一种电流检测电路及驱动装置。本申请实施例针对采样VDMOS器件的电流进行温度补偿，使得输出电流增益不受温度的影响，从而提高电流检测精度。

下面结合附图，对本申请实施例作进一步阐述。

如图1所示，图1是本申请一个实施例提供的驱动装置的结构示意图。在图1的示例中，该驱动装置包括驱动功率芯片140和电流检测电路150，且驱动功率芯片140与电流检测电路150连接。

在一些实施例中，驱动装置还包括保护电路160，保护电路160与电流采样输出电路130连接，保护电路160用于防止VDMOS器件因电流过大被烧毁。

根据本发明实施例的技术方案，驱动功率芯片140采用横向工艺，而电流检测电路150的设置能够精确检测出VDMOS器件的电流，检测出的电流通过温度补偿，使得输出电流增益不受温度的影响，从而提高电流检测精度，保护驱动功率芯片140的安全与驱动装置的控制环路的稳定性。

本申请实施例描述的驱动装置是电流检测电路150应用的一种方案，并不构成对本申请实施例提供的技术方案的应用范围的限定，电流检测电路150还可以应用到其它需要VDMOS器件的装置。本领域技术人员可知，随着新应用场景的出现，本申请实施例提供的技术方案对于类似的技术问题，同样适用。

如图2所示，图2是本申请一个实施例提供的电流检测电路的电路示意图。电流检测电路150包括：

电流发生电路110，包括VDMOS器件，电流发生电路110用于生成第一电流，且第一电流为流经VDMOS器件的电流。

电流采样电路120，与电流发生电路110连接，电流采样电路120用于对第一电流进行线性拟合和温度补偿，并将经过线性拟合与温度补偿的结果作为第二电流。

电流采样输出电路130，与电流采样电路120连接，电流采样输出电路130用于将第二电流进行输出，得到目标输出电流。

可以理解的是，电流发生电路110用于生成第一电流，第一电流流入电流采样电路120，电流采样电路120对第一电流进行线性拟合和温度补偿，且电流采样电路120将经过线性拟合与温度补偿的结果作为第二电流，电流采样输出电路130与电流采样电路120连接，并将第二电流进行输出，得到目标输出电流。电流检测电路150输出的目标输出电流不受温度的影响，从而提高了电流检测精度，便于对VDMOS器件的电流进行获取和应用。

需要说明的是，电流采样电路120包括第一运算放大器A_V1、第一输入电路、第二输入电路和电流采样温度补偿电路。第一运算放大器A_V1的同向输入端与第一输入电路连接，第一运算放大器A_V1的反向输入端与第二输入电路的输出端连接；第二输入电路的输入端与电流发生电路的输出端连接，第一运算放大器A_V1的输出端与电流采样温度补偿电路的输入端连接，电流采样温度补偿电路的输出端与第一运算放大器A_V1的反向输入端连接，第一运算放大器A_V1的输出端与电流采样输出电路的输入端连接。

可以理解的是。第一电流通过第二输入电路的输入端流入电流采样电路120，电流采样电路120对第一电流进行电流采样和温度补偿后，将得到的结构作为第二电流从第一运算放大器A_V1的输出端流出。

需要说明的是，参照图2，第一输入电路包括第一电流源A₁、第一电阻R₁和偏置电流温度补偿电路，第一电流源A₁与第一电阻R₁串联，第一电阻R₁靠近第一电流源A₁的一端与第一运算放大器的同向输入端连接，第一电阻R₁的另一端连接至地，偏置电流温度补偿电路与第一电流源A₁并联。

可以理解的是，假设第一电流源A₁的电流为I_OS,偏置电流温度补偿电路的电流为I₁,则第一运算放大器A_V1的同向输入端的电压V_P1可以表示为：

V_P1＝R₁×(I_OS+I₁)

需要说明的是，参照图3，偏置电流温度补偿电路包括第二运算放大器A_V2、第二电流源A₂、第二电阻R₂、第三电阻R₃、第一MOS管M₁和第一镜像电路。第二电阻R₂与第二电流源串联，第二电阻R₂靠近第二电流源A₂的一端与第二运算放大器A_V2的同向输入端连接，第二电阻R₂的另一端连接至地；第三电阻R₃通过第一MOS管M₁与第一镜像电路串联，第一MOS管M₁与第二运算放大器A_V2的输出端连接，第三电阻R₃靠近第一镜像电路的一端与第二运算放大器A_V2的反向输入端连接，第三电阻R₃的另一端连接至地；第二电流源远离第二电阻R₂的一端与第一电流源A₁的一端连接，第一镜像电路远离第三电阻R₃的一端与第一运算放大器A_V1的正向输入端连接，且第一电流源A₁与第二电流源A₂的电流值相等，第二电阻R₂为零温度系数电阻，第三电阻R₃为热敏电阻。

可以理解的是，第三电阻R₃为负温度系数电阻，显然的，第三电阻R3也可以为正温度系数电阻，本申请对此不做限定。

可以理解的是，第二电流源A₂与第二电阻R₂串联，那么第二运算放大器A_V2的同向输入端的电压V_P2可以表示为：

V_P2＝I_OSR₂

假设偏置电流温度补偿电路输出的电流为I₁，第一MOS管M₁的作用相当于开关，根据第一镜像电路可得，流经第三电阻R₃电流与偏置电流温度补偿电路输出的电流相等，即流经第三电阻R₃电流为I₁，则第二运算放大器A_V2的反向输入端的电压V_N2为：

V_N2＝I₁R₃

根据运算放大器的原理可得，第二运算放大器A_V2正向输入端的电压与反向输入端的电压相等，即V_P2＝V_N2,那么偏置电流温度补偿电路输出的电流I₁可以表示为：

假设第三电阻R₃的温度系数为α₃，第三电阻R₃可以表示为R₃＝r₃·(α₃T+1),r₃为第三电阻R₃在温度为零时的电阻。那么第一运算放大器A_V1的同向输入端的电压V_P1可以表示为：

需要说明的是，参照图3，第一镜像电路包括第二MOS管M₂和第三MOS管M₃。第二MOS管M₂的栅极与第一MOS管M₁的漏极连接，第二MOS管M₂的源极与第一MOS管M₁的漏极连接，第二MOS管M₂的漏极与第二电流源A₂的一端连接；第三MOS管M₃的栅极与第一MOS管M₁的漏极连接，第三MOS管M₃的漏极与第二电流源A₂的一端连接，第三MOS管M₃的源极与第一运算放大器A_V1的正向输入端连接。

需要说明的是，参照图2和图4，电流采样温度补偿电路包括第四MOS管M₄、第五MOS管M₅、第三运算放大器A_V3、第四电阻R₄、第五电阻R₅、第六MOS管M₆和第二镜像电路。第四电阻R₄与第五MOS管M₅的源极连接，第四电阻R₄靠近第五MOS管M₅的一端与第三运算放大器A_V3的同向输入端连接，第四电阻R₄的另一端连接至地；第五电阻R₅通过第六MOS管M₆与第二镜像电路串联，第六MOS管M₆与第三运算放大器A_V3的输出端连接，第五电阻R₅靠近第二镜像电路的一端与第三运算放大器A_V3的反向输入端连接，第五电阻的另一端连接至地；第五MOS管M₅的漏极与第四MOS管M₄的漏极连接，第四MOS管M₄的源极与第一运算放大器A_V1的反向输入端连接，第二镜像电路远离第五电阻的一端与第一运算放大器A_V1的反向输入端连接，第四MOS管M₄的栅极与第一运算放大器A_V1的输出端连接，第五MOS管M₅的栅极与第一运算放大器A_V1的输出端连接，且流经第四MOS管M₄与第五MOS管M₅的电流值相等，第四电阻R₄为零温度系数电阻，第五电阻R₅为热敏电阻。

可以理解的是，第五电阻R₅为负温度系数电阻，显然的，第三电阻R3也可以为正温度系数电阻，本申请对此不做限定。

可以理解的是，第二镜像电路包括两个MOS管，分别为第八MOS管M₈和第九MOS管M₉。第八MOS管M₈的栅极与第六MOS管M₆的漏极连接，第九MOS管M₉的源极与第六MOS管M₆的漏极连接，第八MOS管M₈的漏极与第五MOS管M₅的漏极连接；第九MOS管M₉的栅极与第六MOS管M₆的漏极连接，第九MOS管M₉的漏极与第五MOS管M₅的漏极连接，第九MOS管M₉的源极与第一运算放大器A_V1的反向输入端连接。

可以理解的是，假设流经第四MOS管M₄和第五MOS管M₅的电流为I_S,第五MOS管M₅与第四电阻R₄串联，那么第三运算放大器A_V3的同向输入端的电压V_P3可以表示为：

V_P3＝I_SR₄

第六MOS管M₆的作用相当于开关，根据第二镜像电路可得，流经第五电阻R₅电流与第二镜像电路输出的电流I₂相等，即流经第五电阻R₅电流为I₂，则第三运算放大器A_V3的反向输入端的电压V_N3为：

V_N3＝I₂R₅

根据运算放大器的原理可得，第三运算放大器A_V3正向输入端的电压与反向输入端的电压相等，即V_P3＝V_N3,那么偏第二镜像电路输出的电流I₂可以表示为：

假设第三电阻R₃的温度系数为α₃，第三电阻R₃可以表示为R₃＝r₃·(α₃T+1),r₃为第三电阻R₃在温度为零时的电阻，那么第二镜像电路输出的电流I₂可以表示为：

需要说明的是，如图2所示，第二输入电路包括第六电阻R₆，第六电阻R₆的一端与第一运算放大器A_V1的反向输入端连接，第六电阻R₆的另一端与VDMOS器件连接。

可以理解的是，假设第二镜像电路输出的电流I₂可以表示为电流发生电路110的输出端电压为V_SW,那么第一运算放大器A_V1反向输入端的电压V_N1可以表示为：

可以理解的是，如图2所示，第二输入电路设有开关X_Φ和开关Φ，进行电流检测时连接开关Φ，开关X_Φ断开，开关X_Φ的设置是当VDMOS器件断开时，避免第六电阻R₆悬空。

需要说明的是，电流采样输出电路130包括第七MOS管M₇、第三电流源A₃和第一输出电路，第七MOS管M₇的栅极与电流采样电路连接，第七MOS管M₇与第三电流源A₃串联，第三电流源A₃远离第七MOS管M₇的一端连接至地，第三电流源A₃与第一输出电路并联，流经第一输出电路的电流为目标输出电流。

可以理解的是，第七MOS管M₇与第四MOS管M₄呈镜像，因此，流经第四MOS管M₄的电流与流经第七MOS管M₇的电流相等，则目标输出电流I_CS可以表示为：

I_CS＝I_S-I_OS

需要说明的是，如图2所示，电流发生电路110还包括电感L，电感L与VDMOS器件串联，且VDMOS器件的漏极与电感L连接，VDMOS器件的源极连接至地。

可以理解的是，如图2所示，电流发生电路110还包括VDMOSH器件，VDMOSH器件的源极与VDMOS器件的漏极连接，VDMOSH器件与输入电压连接。

可以理解的是，开关Φ连接，开关X_Φ断开时，VDMOS器件导通，VDMOSH器件断开；开关Φ断开，开关X_Φ连接时，VDMOS器件断开，VDMOSH器件连接，可以避免第六电阻R₆悬空。

可以理解的是，电流发生电路110的输出端电压为V_SW＝-I_LR₀，其中，R₀为VDMOS器件的电阻，假设VDMOS器件的电阻在温度为0时的电阻为r₀,VDMOS器件的温度系数为α₀，VDMOS器件的电阻可以表示为R₀＝r₀·(α₀T+1)，对于第一运算放大器A_V1的同向输入端的电压第一运算放大器A_V2的同向输入端的电压/>且V_P1＝V_N1,目标输出电流I_CS＝I_S-I_OS,R₁＝R₆＝R_P,R₂＝R₄＝R_Z，r₃＝r₅＝r_N，α₃＝α₅＝α_N，R_P＝r_P·(α_PT+1)，那么目标输出电流I_CS可以表示为：

可得出当时，则可得到/>目标输出电流I_CS不随温度变化。

可以理解的是，若将温度补偿的相关电流去掉，即第一输入电路只保留第一电流源A₁和第一电阻R₁，电流采样温度补偿电路只保留第四MOS管M₄，那么目标输出电流I_CS可以表示为：

由于α₀≠α_P，则目标输出电流I_CS必然会受温度的影响。

另外，本申请实施例还提供一种驱动装置，包括：

驱动功率芯片140和电流检测电路150，且驱动功率芯片140与电流检测电路150连接。

可以理解的是，驱动装置为驱动功率芯片140和电流检测电路150合封的集成电路。

可以理解的是，电流检测电路150对流经VDMOS器件的电流进行电流采样和温度补偿，得到目标输出电流，驱动功率芯片140对目标输出电流进行获取，并通过目标输出电流对驱动装置所在的系统进行控制，使得该驱动装置的电流密度得到提升，从而满足驱动装置功率密度不断提升的需求。

电流发生电路110用于生成第一电流，第一电流流入电流采样电路120，电流采样电路120对第一电流进行线性拟合和温度补偿，且电流采样电路120将经过线性拟合与温度补偿的结果作为第二电流，电流采样输出电路130与电流采样电路120连接，并将第二电流进行输出，得到目标输出电流。电流检测电路150输出的目标输出电流不受温度的影响，从而提高了电流检测精度，便于其它电器元件或装置对VDMOS器件的电流进行获取和应用。而驱动功率芯片140与VDMOS器件工艺不同所带来的差异通过电流检测电路150进行温度补偿，从而提高电流检测精度，保护驱动装置的安全与控制环路的稳定性。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种电流检测电路，其特征在于，包括：

电流发生电路，包括VDMOS器件，所述电流发生电路用于生成第一电流，且所述第一电流为流经所述VDMOS器件的电流；

电流采样电路，与所述电流发生电路连接，所述电流采样电路用于对所述第一电流进行线性拟合和温度补偿，并将经过所述线性拟合与所述温度补偿的结果作为第二电流；

电流采样输出电路，与所述电流采样电路连接，所述电流采样输出电路用于将所述第二电流进行输出，得到目标输出电流；

其中，所述电流采样电路包括第一运算放大器、第一输入电路、第二输入电路和电流采样温度补偿电路；

所述第一运算放大器的同向输入端与所述第一输入电路连接，所述第一运算放大器的反向输入端与所述第二输入电路的输出端连接；

所述第二输入电路的输入端与所述电流发生电路的输出端连接，所述第一运算放大器的输出端与所述电流采样温度补偿电路的输入端连接，所述电流采样温度补偿电路的输出端与所述第一运算放大器的反向输入端连接，所述第一运算放大器的输出端与所述电流采样输出电路的输入端连接；

所述第一输入电路包括第一电流源、第一电阻和偏置电流温度补偿电路，所述第一电流源与所述第一电阻串联，所述第一电阻靠近所述第一电流源的一端与所述第一运算放大器的同向输入端连接，所述第一电阻的另一端连接至地，所述偏置电流温度补偿电路与所述第一电流源并联；

所述偏置电流温度补偿电路包括第二运算放大器、第二电流源、第二电阻、第三电阻、第一MOS管和第一镜像电路；

所述第二电阻与所述第二电流源串联，所述第二电阻靠近所述第二电流源的一端与所述第二运算放大器的同向输入端连接，所述第二电阻的另一端连接至地；

所述第三电阻通过所述第一MOS管与所述第一镜像电路串联，所述第一MOS管与所述第二运算放大器的输出端连接，所述第三电阻靠近所述第一镜像电路的一端与所述第二运算放大器的反向输入端连接，所述第三电阻的另一端连接至地；

所述第二电流源远离所述第二电阻的一端与所述第一电流源的一端连接，所述第一镜像电路远离所述第三电阻的一端与所述第一运算放大器的正向输入端连接，且所述第一电流源与所述第二电流源的电流值相等，所述第二电阻为零温度系数电阻，所述第三电阻为热敏电阻；

所述电流采样温度补偿电路包括第四MOS管、第五MOS管、第三运算放大器、第四电阻、第五电阻、第六MOS管和第二镜像电路；

所述第四电阻与所述第五MOS管的源极连接，所述第四电阻靠近所述第五MOS管的一端与所述第三运算放大器的同向输入端连接，所述第四电阻的另一端连接至地；

所述第五电阻通过所述第六MOS管与所述第二镜像电路串联，所述第六MOS管与所述第三运算放大器的输出端连接，所述第五电阻靠近所述第二镜像电路的一端与所述第三运算放大器的反向输入端连接，所述第五电阻的另一端连接至地；

所述第五MOS管的漏极与所述第四MOS管的漏极连接，所述第四MOS管的源极与所述第一运算放大器的反向输入端连接，所述第二镜像电路远离所述第五电阻的一端与所述第一运算放大器的反向输入端连接，所述第四MOS管的栅极与所述第一运算放大器的输出端连接，所述第五MOS管的栅极与所述第一运算放大器的输出端连接，且流经所述第四MOS管与所述第五MOS管的电流值相等，所述第四电阻为零温度系数电阻，所述第五电阻为热敏电阻。

2.根据权利要求1所述的电流检测电路，其特征在于，所述第一镜像电路包括第二MOS管和第三MOS管；

所述第二MOS管的栅极与所述第一MOS管的漏极连接，所述第二MOS管的源极与所述第一MOS管的漏极连接，所述第二MOS管的漏极与所述第二电流源的一端连接；

所述第三MOS管的栅极与所述第一MOS管的漏极连接，所述第三MOS管的漏极与所述第二电流源的一端连接，所述第三MOS管的源极与所述第一运算放大器的正向输入端连接。

3.根据权利要求1所述的电流检测电路，其特征在于，所述第二输入电路包括第六电阻，所述第六电阻的一端与所述第一运算放大器的反向输入端连接，所述第六电阻的另一端与所述VDMOS器件连接。

4.根据权利要求1所述的电流检测电路，其特征在于，所述电流采样输出电路包括第七MOS管、第三电流源和第一输出电路，所述第七MOS管的栅极与所述电流采样电路连接，所述第七MOS管与所述第三电流源串联，所述第三电流源远离所述第七MOS管的一端连接至地，所述第三电流源与所述第一输出电路并联，流经所述第一输出电路的电流为所述目标输出电流。

5.根据权利要求1所述的电流检测电路，其特征在于，所述电流发生电路还包括电感，所述电感与所述VDMOS器件串联，且所述VDMOS器件的漏极与所述电感连接，所述VDMOS器件的源极连接至地。

6.一种驱动装置，其特征在于，包括：

驱动功率芯片；

如权利要求1至5任一项所述的电流检测电路；

所述驱动功率芯片与所述电流检测电路连接。