CN114295695A

CN114295695A - 一种用于心肌损伤标记物检测的光电化学免疫传感器的制备方法

Info

Publication number: CN114295695A
Application number: CN202111468326.3A
Authority: CN
Inventors: 王平; 王现英; 何斌; 严雅; 张加加; 彭攀; 刘韦卓; 郭小瑜; 洪婷
Original assignee: Shanghai Institute of Ceramics of CAS; Shanghai Chest Hospital
Current assignee: Shanghai Institute of Ceramics of CAS; Shanghai Chest Hospital
Priority date: 2021-12-03
Filing date: 2021-12-03
Publication date: 2022-04-08

Abstract

本发明涉及一种用于心肌损伤标记物检测的光电化学免疫传感器的制备方法。所述用于心肌损伤标记物检测的光电化学免疫传感器的制备方法包括以下步骤：（1）采用金属催化化学蚀刻法制备硅纳米线阵列Si NWs；（2）在所述硅纳米线阵列Si NWs上高速旋涂负载增强材料；（3）制备光电极基片；以及（4）在所述光电极基片上修饰抗体。

Description

一种用于心肌损伤标记物检测的光电化学免疫传感器的制备方法

技术领域

本发明属于生物医学检测领域，尤其涉及一种基于硅纳米线阵列(SiNWs)复合结构材料的心肌损伤标记物光电化学免疫传感器的制备方法与应用。

背景技术

氢肌钙蛋白(cTn)是临床上公认的急性心肌梗死(Acute MyocardialInfarction， AMI)的金标准。近来，心肌损伤标记物(肌钙蛋白Ⅰ、肌红蛋白及CK-MB等)的检测已被推荐用于心肌梗死的早期诊断[《美国心脏学杂志》(Am.HeartJ.)(1981)，110，1334-1344 页；《分子免疫》(MolecularImmunology)(1992)，29(2)，271-278页]。此外，目前认为患有代表着心肌缺血关键阶段的不稳定型心绞痛患者可能有较高的风险发生心肌梗死和猝死。对这类患者的尸检研究表明，在这些并发症出现之前往往有心肌的微梗死发生[DaviesM.J.等，《循环》(Circulation)(1985)，71，699-708页]。快速、准确测定cTnI浓度，对于早期诊断AMI和尽快实施治疗，具有重要的临床意义。

目前已知的免疫酶方法可以用来检测肌钙蛋白I。LarueC.等描述了一种利用产色底物四甲基联苯胺(TMB)-过氧化氢进行酶促显色的夹心型免疫酶检测法[《分子免疫》(1992)， 29(2)，271-278页；《临床化学》(1993)39/6，972-979页]。显色后，于450nm波长处读取光吸收值，根据其报告，其检出限为0.2μg/l。由Bodor等描述的另一种肌钙蛋白I的检测方法使得检出1.5到3.1μg/l浓度水平的肌钙蛋白I成为可能[Bodor等，《临床化学》(Clin.Chem.)(1992)，38/11，2203-2214页；AdamsJ.等，《循环》(1993)，88(1)，101-106页]，此方法用一种碱性磷酸酶的显色底物对硝基苯基磷酸进行酶促显色，并在405nm波长处进行检测。利用这些方法，已经能够证明在心肌梗死临床征象出现4小时后患者血浆中有肌钙蛋白I存在[AdamsJ.等，《循环》(1993)，88(1)，101-106页]。

然而，这些免疫酶检测法与那些如以放射性检测为基础的复杂且难以应用的检测方法比起来，灵敏度要低得多[《美国心脏学杂志》(1987年6月)113(6)，1333-1334页]。目前已知肼的环状衍生物，特别是二酰基肼可被用作化学发光剂[Roswe11等，《酶学方法》(MethodsEngymol.)(1978)，57，409-423页]。这些试剂已经被设想或已被用于某些免疫酶检测之中[ThropeG.H.G.等《临床化学》(1985)，31，1335-1341页；ThropeG.H.G.等《酶学方法》(1988)，133，331-353页](申请WO88/00695)。另外，利用1,2-二氧杂丁环衍生物的酶促分解而进行的化学发光检测方法也已被证实。

光电化学(PEC)免疫传感器是基于抗体和抗原在光电极表面特异性识别和结合的原理设计而成，特异性结合之后产生位阻效应，影响光生载流子的传输，降低光电流密度，所呈现出的电信号变化被电化学工作站检测以实现对待测物的定量检测，设备易操作，成本低廉。

发明内容

针对上述免疫酶法等心肌损伤标记物检测的方法灵敏度低的问题，本发明基于光电化学以及抗原抗体特异性识别与结合的原理，设计了一种能够有效提升心肌损伤标记物检测限的光电化学免疫传感器的制备方法。

第一方面，本发明提供了一种光电化学免疫传感器的制备方法，包括以下步骤：

(1)采用金属催化化学蚀刻法制备硅纳米线阵列Si NWs；(2)在所述硅纳米线阵列Si NWs上高速旋涂负载增强材料；(3)制备光电极基片；以及(4)在所述光电极基片上修饰抗体。

硅纳米线阵列(Si NWs)具有优异的光电响应特性，加工工艺成熟且稳定性好，同时也不需要借助ITO或FTO作为导电基底；具有大的比表面积，因此对表面电荷或表面修饰的变化响应非常灵敏。另一方面，石墨烯量子点作为零维碳纳米材料，具有良好的生物相容性、耐光腐蚀性，容易官能团化且成本低廉，在生物医学检测领域已有诸多应用。石墨烯量子点(GQDs)结合Si NWs使得光电流密度进一步提升，能够吸收可见光，为检测限的提升提供有力保障。

较佳地，在所述步骤(1)中，选用n型硅片，清洗后将其置于0.1-5M氢氟酸和 0.01-1M硝酸银混合溶液中进行刻蚀20-60分钟，刻蚀完成后取出硅基片，放入浓硝酸溶液中浸泡30分钟-2小时，冲洗、干燥后得到所述硅纳米线阵列Si NWs。

较佳地，在所述步骤(2)中，采用高速旋涂法将增强材料旋涂负载到所述Si NWs上，旋涂参数为：每次取20-80μL浓度为0.5-2mg/mL的增强材料水溶液滴涂到硅片中心处，旋涂时间20-60s，旋涂速度500-12000rpm，加速度为200-1000rpm/s。

较佳地，所述增强材料为石墨烯量子点GQDs、SnO₂或者CdS；优选地，所述增强材料为N、P或S元素掺杂的石墨烯量子点GQDs。

较佳地，在所述步骤(3)中，将步骤(2)中得到的负载增强材料的硅纳米线阵列与导线连接，所述导线与硅基片的接触点用InGa共晶涂覆后，再用环氧树脂绝缘胶进行固定和封装，得到所述光电极基片。

较佳地，在所述步骤(4)中，取等体积的质量分数为1-20％的戊二醛水溶液与浓度为10ug/ml的抗体Ab溶液，混合均匀后，取20-80μL混合液滴涂到所述光电极基片上，4- 40℃下孵化1-12小时；取出基片后，滴加浓度为0.5-2mg/ml的牛血清白蛋白溶液，4-40℃下反应20-60分钟，得到所述光电化学免疫传感器。

第二方面，本发明提供了一种根据上述制备方法得到的光电化学免疫传感器。

第三方面，本发明还提供了一种上述光电化学免疫传感器在心肌损伤标记物检测中的应用。

有益效果

(1)硅纳米线阵列复合材料作为基底材料提供光电响应，再负载增强型材料，如氧化物 (SnO₂)、硫化物(CdS)、石墨烯量子点(GQDs)等，在无需施加偏压的情况下增强硅纳米线阵列的光响应及稳定性，为灵敏度和检测限提升提供有力的保障；

(2)硅纳米线阵列复合电极制备方法简单，成本低廉，在大规模检测方面较为有利。

附图说明

图1为本发明公开的传感器制备与光电化学检测流程图；

图2为实施例1硅纳米线阵列负载GQDs、抗体、抗原后的每个光电极的光电流图；

图3为实施例2硅纳米线阵列与GQDs复合电极检测不同心肌肌钙蛋白抗原(Ag)浓度的光电流图；

图4为实施例3硅纳米线阵列负载硫化镉、抗体、抗原后的每个光电极的光电流图；

图5为实施例3硅纳米线阵列与硫化镉复合电极检测不同心肌肌钙蛋白抗原(Ag)浓度的光电流图。

具体实施方式

下面结合具体实例对本发明进行进一步说明，但应理解，本发明的保护范围并不限于所述的具体、特定的内容。

本发明提供了一种基于硅纳米线阵列复合结构材料的心肌损伤标记物光电化学免疫传感器的制备方法与应用，其中所述制备方法主要包括如下两个部分。

1、Si NWs复合材料光电极的制备。硅纳米线阵列作为基底材料提供光电响应，其中增强材料的负载可以在无需施加偏压的情况下增强硅纳米线阵列的光响应及稳定性，为灵敏度和检测限提升提供有力保障。在一些优选的实施例中，增强材料可以选择氧化物(如SnO₂)、硫化物(如CdS)、石墨烯量子点(GQDs)等。硅纳米线阵列负载增强材料后，两者能够形成异质结结构，进而能够有效地阻碍光生电子空穴对的复合，提高硅纳米线阵列基底的光电性能及稳定性，同时降低电子跃迁所需能量。该效果的获取一方面与增强材料的种类有关，另一方面也与具体的旋涂工艺相关。增强材料的种类决定了能否形成满足要求的异质结结构，旋涂工艺则关系着增强材料的负载量及其与硅纳米线阵列基底的结合程度。

2、光电化学免疫传感器的构建。光电化学免疫传感器的构建是在上述光电极制备的基础上对其进行抗体修饰。当将心肌损伤标记物的抗原滴加在光电极基片上之后，抗原抗体在电极表面发生特异性结合，其产生的位阻效应使得光电流密度下降，所呈现出的电信号变化被电化学工作站检测，最终实现对心肌损伤标记物(心肌肌钙蛋白Ⅰ、肌红蛋白及CK-MB 等)的高灵敏检测。

上述传感器的制备可以进一步细分为以下四个步骤。

步骤1：金属催化化学蚀刻制备硅纳米线阵列。用非离子型表面活性剂(烷基多苷、烷基酚聚氧乙烯醚等)清洗n型硅片；将清洗后的硅片置于浓硫酸：双氧水体积比为7：1 的清洗液中浸泡20-60min；再依次采用丙酮、去离子水、无水乙醇和去离子水进行清洗 (丙酮可优先把附着在硅片上的有机物溶解掉，再用去离子水与无水乙醇进一步对硅片清洗)。之后，将清洗干净的硅片置于0.1-5M氢氟酸和0.01-1M硝酸银混合溶液中进行刻蚀 20-60min。刻蚀完成后取出硅基片，放入浓硝酸溶液中浸泡30min-2h，去除附着在硅纳米线阵列上的Ag纳米颗粒，然后用去离子水冲洗，保护性N₂气氛下干燥2h-12h，得到金属催化化学蚀刻的硅纳米线阵列。

由于p型硅片与n型硅片在价导带位置上存在差异，p型硅片与增强材料结合后并不能起到促进性能的作用，所以本发明中优选n型硅片。蚀刻的硅片尺寸可以结合具体测试的情形和要求进行选择，根据实际刻蚀后得到的有效面积进行测试。另外，硅纳米线的刻蚀主要基于以下原理：由于Ag的电负性高于硅，所以Ag能吸引硅的电子而使其氧化为SiO₂，之后SiO₂进一步与HF反应生成SiF₄，SiF₄遇水水解，循环该过程即可使得银逐步往下刻蚀。与此同时，通过控制刻蚀液浓度及刻蚀时间，可以得到不同密度、长度的硅纳米线阵列，最终得到基础光电流性能不同的硅纳米线阵列。

步骤2：高速旋涂负载增强材料。首先将步骤1中制备得到的Si NWs浸入1-10M HF溶液中5s-60s，去除其表面的SiO₂，然后用去离子水清洗，采用高速旋涂法将增强材料旋涂负载到Si NWs上：每次取20-80μL浓度为0.5-2mg/ml的增强材料水溶液滴涂到硅片中心处，旋涂时间20-60s，旋涂速度可以为500-12000rpm，加速度可以为200-1000 rpm/s。其中，旋涂时间的长短影响增强材料与硅纳米线阵列的结合紧密程度。旋涂速度过低，增强材料无法负载到基底上；旋涂速度过高，则容易使增强材料液体直接甩出，同样无法很好地负载于基底上。所述增强材料可以为石墨烯量子点GQDs、SnO₂或者CdS。在一些优选的实施例中，所述增强材料可以为N、P或S元素掺杂的石墨烯量子点GQDs。

步骤3：光电极基片制备。将步骤2中制备得到的负载增强材料的硅纳米线阵列与细导线连接，导线与基片的接触点用InGa共晶涂覆以形成欧姆接触，再用环氧树脂绝缘胶进行固定和封装。对封装好的电极进行拍照，照片用于计算电极实际面积，处理软件为Image J。

步骤4：光电极基片抗体修饰。配置质量分数为1-20％的戊二醛水溶液，以及浓度为 10ug/ml的磷酸缓冲盐溶液(PBS)稀释的抗体Ab溶液，取等体积两种溶液混合并在室温下放置20-60min。然后，取20-80μL混合液滴涂到所述光电极基片上，4-40℃下孵化1h-12h。取出基片后用PBS溶液冲洗，滴加配置好的浓度为0.5-2mg/ml的牛血清白蛋白溶液(BSA)以阻断非特异性结合位点，在4-40℃下反应20-60min，然后用PBS溶液冲洗，得到抗体修饰的光电极基片，也即所述光电化学免疫传感器。

可以向上述抗体修饰的光电极基片上依次滴加20-80ul浓度为0.05、1、5、100、250ng/mL的心肌肌钙蛋白抗原(Ag)溶液，形成浓度梯度。在4-40℃下反应1h-12h，然后用 PBS溶液冲洗后，准备进行光电化学测试。通过观察是否有光电测试信号，进而可以求出线性规律并进行机理探究。NewportAM 1.5G太阳光模拟器(150W Oriel 94021A,Newport/Orielinstruments,USA)作为光源，电化学测试通过Ivium CompactStat potentiostat进行。在标准三电极体系中进行光电化学I-t测试。

下面进一步例举实施例以详细说明本发明。同样应理解，以下实施例只用于对本发明进行进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。下述示例具体的工艺参数等也仅是合适范围中的一个示例，即本领域技术人员可以通过本文的说明做合适的范围内选择，而并非要限定于下文示例的具体数值。

实施例1

步骤1：金属催化化学蚀刻制备硅纳米线阵列。具体操作如下：首先清洗硅片(n型)(上海大恒光学精密机械有限公司，Si，N/P，(100)Dia4″x0.5mm，单抛，电阻率：1～ 10欧姆厘米)，将清洗后的硅片置于浓硫酸：双氧水体积比为7：1的清洗液中浸泡30 min，依次用丙酮、去离子水(三次)、无水乙醇、去离子水(三次)进行超声清洗。将清洗干净的硅片放入2M氢氟酸和0.1M硝酸银混合溶液中进行蚀刻，刻蚀时间为30min。最后，将蚀刻好的硅纳米线阵列放入浓硝酸溶液中浸泡30min，去除Ag纳米颗粒。去离子水冲洗，保护性气氛N₂下干燥2h。

步骤2：高速旋涂负载增强材料。具体操作如下：将步骤1中制备的硅纳米线阵列放入1M HF溶液中浸泡30s，再用去离子水清洗后，开始旋涂GQDs(灵巧型EZ6匀胶机 |EZ6|Schwan Technology)，每次取30μL 1mg/mL GQDs水溶液滴涂到硅片中心处，旋涂时间25s，旋涂速度为10000rpm，加速度为400rpm/s，旋涂次数为4次。

步骤3：光电极基片制备。具体操作如下：将步骤2中制备得到的负载GQDs的硅纳米线阵列与细导线连接，用于光电化学性能测试及机理探究，在导线与硅纳米线阵列的接触处，涂上InGa共晶以形成欧姆接触，最后用环氧树脂绝缘胶将电极封装。对封装好的电极进行拍照，照片用于计算电极实际面积，处理软件为Image J。

步骤4：光电极基片抗体修饰。具体操作如下：配置戊二醛水溶液，质量分数为2％，用磷酸缓冲盐溶液(PBS)稀释抗体Ab，稀释后的浓度为10ug/ml，取等体积的两种溶液混合并在室温下放置30min。然后，取20μL混合液滴涂到基片上，4℃下孵化12h。取出基片后用PBS溶液冲洗，滴加配置好的1mg/ml牛血清白蛋白溶液(BSA)，在37℃反应20min，然后用PBS溶液冲洗，得到抗体修饰的光电极基片。

滴加30μL浓度为0.05ng/mL的心肌肌钙蛋白抗原(Ag)到基片上，在37℃下反应12h，最后用PBS溶液冲洗，准备进行光电化学测试。图2示出了实施例1硅纳米线阵列负载GQDs、抗体、抗原后的每个光电极的光电流图，由图2可知，在负载增强材料GQDs 后，Si NWs电极性能得到明显的增高。由图2可以看出，Si NWs性能约在20uA/cm²左右，而SiNWs/GQDs达到了约60uA/cm²；在此基础上，依次负载Ab与Ag后，其检测结果区分更明显，灵敏度得到了有效提高(图2曲线由上至下依次为：SiNWs/GQDs, SiNWs/GQDs+Ab,SiNWs/GQDs+Ab+Ag,SiNWs)。

实施例2

步骤1：金属催化化学蚀刻制备硅纳米线阵列。具体操作如下：首先清洗硅片(n型)，将清洗后的硅片置于浓硫酸：双氧水体积比为7：1的清洗液中浸泡60min，依次用丙酮、去离子水(三次)、无水乙醇、去离子水(三次)进行超声清洗。将清洗好的硅片放入 3M氢氟酸和0.2M硝酸银混合溶液中进行蚀刻，刻蚀时间为20min。最后，将蚀刻好的纳米线阵列放入浓硝酸溶液中浸泡60min，去除Ag纳米颗粒。去离子水冲洗，保护性气氛N₂下干燥2h。

步骤2：高速旋涂负载增强材料。具体操作如下：将步骤1中制备的硅纳米线阵列放入10M HF溶液中浸泡，并用去离子水清洗。然后开始旋涂GQDs，每次取50μL 1mg/mL GQDs水溶液滴涂到硅片中心处，旋涂时间60s，旋涂速度为6000rpm，加速度为600 rpm/s，旋涂次数为2次。

步骤3：光电极基片制备。具体操作如下：将步骤2中制备得到的负载GQDs的硅纳米线阵列与细导线连接，用于光电化学性能测试及机理研究，在导线与硅纳米线阵列的接触处，涂上InGa共晶以形成欧姆接触，最后用环氧树脂绝缘胶将电极封装。对封装好的电极进行拍照，照片用于计算电极实际面积，处理软件为Image J。

步骤4：光电极基片抗体修饰。具体操作如下：配置戊二醛水溶液，质量分数为15％，用磷酸缓冲盐溶液(PBS)稀释Ab，稀释后的浓度为10ug/ml，取等体积两种溶液混合并在室温下放置60min。然后，取50μL混合液滴涂到基片上，37℃下孵化1h。取出基片后用PBS溶液冲洗，滴加配置好的1mg/ml牛血清白蛋白溶液(BSA)，在37℃反应30 min，然后用PBS溶液冲洗，得到抗体修饰的光电极基片。

依次滴加30μL浓度为0.05、1、5、100、250ng/mL的心肌肌钙蛋白抗原(Ag)到不同的基片上，在37℃下反应1h，最后用PBS溶液冲洗，准备进行光电化学测试。图3示出了实施例2硅纳米线阵列与GQDs复合电极检测不同心肌肌钙蛋白抗原(Ag)浓度的光电流图。

实施例3

步骤1：金属催化化学蚀刻制备硅纳米线阵列。具体操作如下：首先清洗硅片(n型)，将清洗后的硅片置于浓硫酸：双氧水体积比为7：1的清洗液中浸泡30min，依次用丙酮、去离子水(三次)、无水乙醇、去离子水(三次)进行超声清洗。将清洗好的硅片放入 2M氢氟酸和0.1M硝酸银混合溶液中进行蚀刻，刻蚀时间为30min。最后，将蚀刻好的纳米线阵列放入浓硝酸溶液中浸泡30min，去除Ag纳米颗粒。去离子水冲洗，保护性气氛N₂下干燥2h。

步骤2：高速旋涂负载增强材料。具体操作如下：将步骤1中制备的硅纳米线阵列放入10M HF溶液中浸泡30s，再用去离子水清洗后，开始旋涂CdS，每次取30μL CdS水溶液(1mg/ml)滴涂到硅片中心处，旋涂时间25s，旋涂速度为10000rpm，加速度为400 rpm/s，旋涂次数为4次。其中CdS水溶液的制备可以采取以下方案：利用硝酸铬与硫化钠反应，将CdS沉淀清洗干燥后，配制成1mg/ml的水溶液即可。

步骤3：光电极基片制备。具体操作如下：将步骤2中制备得到的负载CdS的硅纳米线阵列与细导线连接，用于光电化学性能测试及机理探究，在导线与硅纳米线阵列的接触处，涂上InGa共晶以形成欧姆接触，最后用环氧树脂绝缘胶将电极封装。对封装好的电极进行拍照，照片用于计算电极实际面积，处理软件为Image J。

步骤4：光电极基片抗体修饰。具体操作如下：配置戊二醛水溶液，质量分数为2％，用磷酸缓冲盐溶液(PBS)稀释抗体Ab，稀释后的浓度为10ug/ml，取等体积两种溶液混合并在室温下放置30min。然后，取20μL混合液滴涂到基片上，4℃下孵化12h。取出基片后用PBS溶液冲洗，滴加配置好的1mg/ml牛血清白蛋白溶液(BSA)，在37℃反应 20min，然后用PBS溶液冲洗，得到抗体修饰的光电极基片。

依次滴加30μL浓度为0.05、1、5、100、250ng/mL的心肌肌钙蛋白抗原(Ag)到不同的基片上，在37℃反应12h，最后用PBS溶液冲洗，准备进行光电化学测试。图4示出了实施例3硅纳米线阵列负载硫化镉、抗体、抗原后的每个光电极的光电流图，由上至下样品依次为：SiNWs/CdS,SiNWs/CdS+Ab,SiNWs/CdS+Ab+Ag,SiNWs，图5示出了实施例3硅纳米线阵列与硫化镉复合电极检测不同心肌肌钙蛋白抗原(Ag)浓度的光电流图。

Claims

1.一种光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）采用金属催化化学蚀刻法制备硅纳米线阵列Si NWs；（2）在所述硅纳米线阵列Si NWs上高速旋涂负载增强材料；（3）制备光电极基片；以及（4）在所述光电极基片上修饰抗体。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤（1）中，选用n型硅片，清洗后将其置于0.1-5 M氢氟酸和0.01-1 M硝酸银混合溶液中进行刻蚀20-60分钟，刻蚀完成后取出硅基片，放入浓硝酸溶液中浸泡30分钟-2小时，冲洗、干燥后得到所述硅纳米线阵列SiNWs。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤（2）中，采用高速旋涂法将增强材料旋涂负载到所述Si NWs上，旋涂参数为：每次取20-80μL浓度为0.5-2 mg/mL的增强材料水溶液滴涂到硅片中心处，旋涂时间20-60s，旋涂速度500-12000 rpm，加速度为200-1000 rpm/s。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述增强材料为石墨烯量子点GQDs、SnO₂或者CdS；优选地，所述增强材料为N、P或S元素掺杂的石墨烯量子点GQDs。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤（3）中，将步骤（2）中得到的负载增强材料的硅纳米线阵列与导线连接，所述导线与硅基片的接触点用InGa共晶涂覆后，再用环氧树脂绝缘胶进行固定和封装，得到所述光电极基片。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤（4）中，取等体积的质量分数为1-20 %的戊二醛水溶液与浓度为10 ug/ml的抗体Ab溶液，混合均匀后，取20-80μL混合液滴涂到所述光电极基片上，4-40℃下孵化1-12小时；取出基片后，滴加浓度为0.5-2 mg/ml的牛血清白蛋白溶液，4-40℃下反应20-60分钟，得到所述光电化学免疫传感器。

7.一种根据权利要求1-6中任一项所述的制备方法得到的光电化学免疫传感器。

8.一种权利要求7所述的光电化学免疫传感器在心肌损伤标记物检测中的应用。