CN114284299A - 显示面板及其制备方法、移动终端 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、移动终端；该显示面板包括低温多晶硅晶体管以及金属氧化物晶体管，金属氧化物晶体管和低温多晶硅晶体管分离设置，金属氧化物晶体管包括第一有源层和位于第一有源层上的阻挡层，第一有源层包括第一沟道部和位于第一沟道部两侧的第一导体部，阻挡层与至少部分第一导体部搭接，其中，阻挡层的材料包括金属氧化物；上述显示面板通过在金属氧化物晶体管中的第一有源层上设置阻挡层，使阻挡层与至少部分第一导体部搭接，阻挡层为金属氧化物，进而使得阻挡层能够阻挡后续化学气相沉积制程中产生的氢离子对金属氧化物半导体的腐蚀，从而增强金属氧化物半导体薄膜晶体管的性能稳定性，进一步提升了显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、移动终端。
背景技术
低温多晶氧化物(LowTemperaturePoly-Oxide，LTPO)技术一般是在阵列基板栅驱动电路(GatedriveronArray，GOA)区采用低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)薄膜晶体管，其具有迁移率高、尺寸小、充电快的优点而能有效减小边框尺寸。并且，在显示区(ActiveArea，AA)采用金属氧化物薄膜晶体管，诸如铟镓锌氧化物(indiumgalliumzincoxide，IGZO)薄膜晶体管，其暗电流小、可低频驱动。因此，LTPO技术可同时实现窄边框和低功耗。
对于低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物半导体薄膜晶体管而言，由于材料的性质不同，将其形成于同一基板上会出现工艺不兼容等问题。例如，在相关技术制备低温多晶硅薄膜晶体管的过程中，需要制作贯穿多层绝缘层的过孔，以使源漏电极与多晶硅半导体层连接。在制作过孔后，由于多晶硅层中对应位置暴露在空气中，会使其表面发生氧化，后续需要经化学气相沉积法制备绝缘膜层过程中产生的氢离子对多晶硅半导体层的表面氧化物进行处理。然而，上述过程中产生的氢离子会扩散至金属氧化物半导体层，进而对金属氧化物半导体造成腐蚀，从而影响金属氧化物半导体薄膜晶体管的性能。
因此，亟需一种显示面板及其制备方法、移动终端以解决上述技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、移动终端，以改善当前运用低温多晶氧化物技术的显示面板中的金属氧化物半导体容易被腐蚀的技术问题。
本申请实施例提供一种显示面板，包括衬底和位于所述衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层包括低温多晶硅晶体管以及金属氧化物晶体管，所述金属氧化物晶体管和所述低温多晶硅晶体管分离设置；
所述金属氧化物晶体管包括第一有源层和位于所述第一有源层上的阻挡层，所述第一有源层包括第一沟道部和位于所述第一沟道部两侧的第一导体部，所述阻挡层与至少部分所述第一导体部搭接；
其中，所述阻挡层的材料包括金属氧化物。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属氧化物晶体管还包括：
第一栅极绝缘层，设置于所述衬底上；
遮光层，设置于所述第一栅极绝缘层上；
第二栅极绝缘层，设置于所述第一栅极绝缘层上且完全覆盖所述遮光层；
所述第一有源层，设置于所述第二栅极绝缘层上；
第三栅极绝缘层，设置于所述第一沟道部上；
所述阻挡层，设置于所述第二栅极绝缘层上且与所述第三栅极绝缘层相接触；
第一栅极，设置于所述第三栅极绝缘层上；
层间绝缘层，设置于所述阻挡层以及所述第三栅极绝缘层上，且所述层间绝缘层完全覆盖所述第一栅极；
第一源漏极，设置于所述层间绝缘层上；以及
钝化层，设置于所述层间绝缘层上且完全覆盖所述第一源漏极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述低温多晶硅晶体管包括：
第二有源层，设置于所述衬底上；
第二栅极，与所述遮光层同层设置；
第四栅极绝缘层，与所述第一有源层同层设置；
第三栅极，设置于所述第四栅极绝缘层上且与所述第二栅极对应设置；以及
第二源漏极，与所述第一源漏极同层设置。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述低温多晶硅晶体管还包括所述阻挡层，所述阻挡层与所述第四栅极绝缘层相接触；
其中，所述阻挡层与所述第三栅极之间形成开口结构。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述衬底包括第一无机阻隔层、设置于所述第一无机阻隔层上的钼金属层以及设置于所述第一无机阻隔层上并完全覆盖所述钼金属层的第二无机阻隔层；
其中，所述第一源漏极通过第一过孔与所述钼金属层电连接，所述第二源漏极通过第二过孔与所述钼金属层电连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述遮光层、所述第一栅极、所述第二栅极、所述第三栅极、所述第一源漏极以及所述第二源漏极的材料包括Mo、Al、Cu以及Ti中的至少一种；所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第三栅极绝缘层、所述第四栅极绝缘层、所述层间绝缘层以及所述钝化层的材料包括氮氧化物以及氮硅化物中的至少一种。
相应地，本申请实施例还提供一种显示面板的制备方法，所述方法包括：
在一衬底上形成第二有源层；
在所述衬底上依次形成第一栅极绝缘层以及第一金属层，所述第一金属层经图案化后形成第二栅极以及与所述第二栅极绝缘设置的遮光层；
在所述第一栅极绝缘层上依次形成第二栅极绝缘层、第一有源层、第三栅极绝缘层以及第四栅极绝缘层，所述第一有源层与所述遮光层相对设置，所述第三绝缘层设置于所述第一有源层上；
在所述第三栅极绝缘层上形成第一栅极，同时在所述第四栅极绝缘层上形成第三栅极；
在所述第二栅极绝缘层上形成阻挡层，所述阻挡层与所述第一有源层的至少部分第一导体部搭接；
在所述阻挡层上依次形成层间绝缘层、第一源漏极以及第二源漏极，所述第一源漏极与所述第二源漏极同层设置；
在所述层间绝缘层上形成钝化层，所述钝化层完全覆盖所述第一源漏极以及所述第二源漏极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述第三栅极绝缘层上形成第一栅极，同时在所述第四栅极绝缘层上形成第三栅极的步骤包括：
在所述第二栅极绝缘层上沉积第二金属层，所述第二金属层完全覆盖所述第三栅极绝缘层以及所述第四栅极绝缘层；
通过黄光工艺对所述第二金属层进行图案化处理，保留位于所述第三栅极绝缘层上的部分所述第二金属层以形成所述第一栅极，同时保留位于所述第四栅极绝缘层上的另一部分所述第二金属层以形成所述第三栅极；
保留位于所述第一栅极以及所述第三栅极上的光刻胶。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述第二栅极绝缘层上形成阻挡层，所述阻挡层与所述第一有源层的至少部分第一导体部搭接的步骤还包括：
在所述第二栅极绝缘层上沉积第三金属层；
剥离所述光刻胶以及位于所述光刻胶上的部分所述第三金属层，剩余所述第三金属层与所述第一有源层的至少部分第一导体部搭接；
对剩余所述第三金属层进行退火处理，得到所述阻挡层。
相应地，本申请实施例又提供一种移动终端，所述移动终端包括终端主体和如上任一项所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、移动终端；该显示面板包括衬底和位于所述衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层包括低温多晶硅晶体管以及金属氧化物晶体管，所述金属氧化物晶体管和所述低温多晶硅晶体管分离设置，所述金属氧化物晶体管包括第一有源层和位于所述第一有源层上的阻挡层，所述第一有源层包括第一沟道部和位于所述第一沟道部两侧的第一导体部，所述阻挡层与至少部分所述第一导体部搭接，其中，所述阻挡层的材料包括金属氧化物；上述显示面板通过在所述金属氧化物晶体管中的所述第一有源层上设置所述阻挡层，使所述阻挡层与至少部分所述第一导体部搭接，所述阻挡层为金属氧化物，进而使得所述阻挡层能够阻挡后续化学气相沉积制程中产生的氢离子对金属氧化物半导体的腐蚀，从而增强金属氧化物半导体薄膜晶体管的性能稳定性，进一步提升了显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的第一种显示面板的截面结构图；
图2为本申请实施例提供的第二种显示面板的截面结构图；
图3为本申请实施例提供的显示面板的制备方法流程图；
图4A-图4G为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例针对当前运用低温多晶氧化物技术的显示面板中的金属氧化物半导体容易被腐蚀的技术问题，本申请实施例能够解决上述技术问题。
请参阅图1至图4G，本申请实施例提供一种显示面板100，包括衬底10和位于所述衬底10上的驱动电路层20，所述驱动电路层20包括低温多晶硅晶体管T2以及金属氧化物晶体管T1，所述金属氧化物晶体管T1和所述低温多晶硅晶体管T2分离设置；
所述金属氧化物晶体管T1包括第一有源层206和位于所述第一有源层206上的阻挡层2011，所述第一有源层206包括第一沟道部2061和位于所述第一沟道部2061两侧的第一导体部2062，所述阻挡层2011与至少部分所述第一导体部2062搭接；
其中，所述阻挡层2011的材料包括金属氧化物。
本申请实施例提供的显示面板100通过在所述金属氧化物晶体管T1中的所述第一有源层206上设置所述阻挡层2011，使所述阻挡层2011与至少部分所述第一导体部2062搭接，所述阻挡层2011为金属氧化物，进而使得所述阻挡层2011能够阻挡后续化学气相沉积制程中产生的氢离子对金属氧化物半导体的腐蚀，从而增强金属氧化物半导体薄膜晶体管的性能稳定性，进一步提升了显示面板100的显示效果。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
实施例1：
如图1所示，本申请第一实施例提供一种显示面板100，所述显示面板100包括衬底10和位于所述衬底10上的驱动电路层20，所述驱动电路层20包括低温多晶硅晶体管T2以及金属氧化物晶体管T1，所述金属氧化物晶体管T1和所述低温多晶硅晶体管T2分离设置；
所述金属氧化物晶体管T1包括第一有源层206和位于所述第一有源层206上的阻挡层2011，所述第一有源层206包括第一沟道部2061和位于所述第一沟道部2061两侧的第一导体部2062，所述阻挡层2011与至少部分所述第一导体部2062搭接；
其中，所述阻挡层2011的材料包括金属氧化物。
在本申请实施例中，所述金属氧化物晶体管T1还包括：
第一栅极绝缘层202，设置于所述衬底10上；
遮光层204，设置于所述第一栅极绝缘层202上；
第二栅极绝缘层205，设置于所述第一栅极绝缘层202上且完全覆盖所述遮光层204；
所述第一有源层206，设置于所述第二栅极绝缘层205上；
第三栅极绝缘层208，设置于所述第一沟道部2061上；
所述阻挡层2011，设置于所述第二栅极绝缘层205上且与所述第三栅极绝缘层208相接触；
第一栅极2010，设置于所述第三栅极绝缘层208上；
层间绝缘层2012，设置于所述阻挡层2011以及所述第三栅极绝缘层208上，且所述层间绝缘层2012完全覆盖所述第一栅极2010；
所述第一源漏极2014，设置于所述层间绝缘层2012上；以及
钝化层2015，设置于所述层间绝缘层2012上且完全覆盖所述第一源漏极2014。
其中，所述第一源漏极2014通过第三过孔以及第四过孔与所述第一有源层206的所述第一导体部2062的两端电连接。
进一步地，所述低温多晶硅晶体管T2还包括：
第二有源层201，设置于所述衬底10上；
所述第一栅极绝缘层202，设置于所述衬底10上且覆盖所述第二有源层201；
第二栅极203，设置于所述第一栅极绝缘层202上，且与所述遮光层204同层设置；
所述第二栅极绝缘层205，设置于所述第一栅极绝缘层202上，且完全覆盖所述第二栅极203；
第四栅极绝缘层207，设置于所述第二栅极绝缘层205上，且与所述第一有源层206同层设置；
第三栅极209，设置于所述第四栅极绝缘层207上且与所述第二栅极203对应设置；
所述阻挡层2011，设置于所述第二栅极绝缘层205上并覆盖部分所述第四栅极绝缘层207，其中，所述阻挡层2011与所述第三栅极209之间形成有开口结构20111；
所述层间绝缘层2012，设置于所述阻挡层2011以及所述第三栅极209上；
第二源漏极2013，设置于所述层间绝缘层2012上，且与所述第一源漏极2014同层设置；
所述钝化层2015，设置于所述层间绝缘层2012上，且完全覆盖所述第二源漏极2013；
其中，所述第二源漏极2013通过第五过孔以及第六过孔与所述第二有源层201的第二导体部电连接。
在本申请实施例中，所述衬底10还包括：
第一聚酰亚胺层101；
缓冲层102，设置于所述第一聚酰亚胺层101上；
第二聚酰亚胺层103，设置于所述缓冲层102上；
第一阻隔层104，设置于所述第二聚酰亚胺层103上；
钼金属层105，设置于所述第一阻隔层104上，且对应于所述金属氧化物晶体管T1设置；
第二阻隔层106，设置于所述第一阻隔层104上且完全覆盖所述钼金属层105；以及
无机绝缘层107，设置于所述第二阻隔层106上。
进一步地，所述第一源漏极2014通过第一过孔与所述钼金属层105电性连接，所述第二源漏极2013通过第二过孔与所述钼金属层105电性连接；这样设置是为了防止所述衬底10与玻璃基板在剥离过程中生成的静电。
在本申请实施例中，所述衬底10具有多个第一区域和多个第二区域(图中仅示出各一个)，以在两个区域中分别形成所述低温多晶硅晶体管T2以及所述金属氧化物晶体管T1；其中，所述低温多晶硅晶体管T2作为所述显示面板100中驱动电路的驱动元件，所述金属氧化物晶体管T1作为所述显示面板100中显示区域内像素的开关元件。
在本申请实施例中，所述缓冲层102、所述第一阻隔层104、所述第二阻隔层106以及所述无机绝缘层107均是利用化学气相沉积法制备而成；其中，化学气相沉积法包括低压化学气相沉积法、热气相沉积法、催化化学气相沉积法以及等离子增强化学气相沉积法等。
进一步地，所述缓冲层102、所述第一阻隔层104、所述第二阻隔层106以及所述无机绝缘层107的材料为氮化硅(SiNx)层和氧化硅(SiOx)层的叠层。
在本申请实施例中，所述遮光层204的材料可以利用非晶硅或者深色树脂或者金属材料，从而避免从衬底10侧入射的光线影响半导体器件的工作特性。
在本申请实施例中，所述遮光层204、所述第一栅极2010、所述第二栅极203、所述第三栅极209、所述第一源漏极2014以及所述第二源漏极2013的材料包括Mo、Al、Cu以及Ti中的至少一种；所述第一栅极绝缘层202、所述第二栅极绝缘层205、所述第三栅极绝缘层208、所述第四栅极绝缘层207、所述层间绝缘层2012以及所述钝化层2015的材料包括氮氧化物以及氮硅化物中的至少一种。
在本申请实施例中，所述第一有源层206的材料可为氧化铟锌(Indium ZincOxide，IZO)、氧化铟锡锌(Indium-Tin-ZincOxide，ITZO)、氧化铟镓(IndiumGalliumOxide，IGO)、氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)、氧化铟钨(IndiumTungsten Oxide，IWO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO)、氧化镓锌(Gallium-Zinc Oxide，GZO)、氧化锌锡(Zinc-Tin Oxide，ZTO)中的任一种，可以为前述多种材料的组合；所述第二有源层201的材料为多晶硅。
在本申请实施例中，所述阻挡层2011的材料为金属氧化物，所述金属氧化物包括自钝化金属形成的氧化物、以及自钝化金属的合金形成的氧化物中的至少一种；优选地，所述阻挡层2011的材料为Ti2O3、Cr2O3、Al2O3以及Ti-Al-Ti合金形成的氧化物。其中，所述阻挡层2011的厚度范围为50埃米至100埃米。
进一步地，在制备所述层间绝缘层2012的过程中需要硅源气体或者氮源气体；其中，可使用NH3、N2H4、N2等作为氮源气体，同时可使用SiH4、Si2H6、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl3、SiF4等作为氮源气体。
因此，在制备所述层间绝缘层2012的过程中会产生大量的氢离子，当上述氢离子扩散至金属氧化物材料形成的所述第一有源层206中时，会对所述第一有源层206造成腐蚀；当上述氢离子扩散至多晶硅材料形成的所述第二有源层201中时，会对所述第二有源层201因源漏极开孔区域中的水汽侵蚀而形成的表面氧化物进行还原，从而可以修复所述第二有源层201表面的缺陷。
针对当前运用低温多晶氧化物技术的显示面板100中的金属氧化物半导体容易被腐蚀的技术问题；本申请实施例提供一种显示面板100，该显示面板100包括衬底10和位于所述衬底10上的驱动电路层20，所述驱动电路层20包括低温多晶硅晶体管T2以及金属氧化物晶体管T1，所述金属氧化物晶体管T1和所述低温多晶硅晶体管T2分离设置，所述金属氧化物晶体管T1包括第一有源层206和位于所述第一有源层206上的阻挡层2011，所述第一有源层206包括第一沟道部2061和位于所述第一沟道部2061两侧的第一导体部2062，所述阻挡层2011与至少部分所述第一导体部2062搭接，其中，所述阻挡层2011的材料包括金属氧化物，所述低温多晶硅晶体管T2包括所述阻挡层2011，所述阻挡层2011与所述低温多晶硅晶体管T2内的第三栅极209之间形成有开口结构20111；上述显示面板100通过在所述金属氧化物晶体管T1中的所述第一有源层206上设置所述阻挡层2011，使所述阻挡层2011与至少部分所述第一导体部2062搭接，所述阻挡层2011为金属氧化物，使得所述阻挡层2011能够阻挡后续化学气相沉积制程中产生的氢离子对金属氧化物半导体的腐蚀，从而增强金属氧化物半导体薄膜晶体管的性能稳定性，进一步提升了显示面板100的显示效果。同时，所述阻挡层2011与所述第三栅极209之间设置有所述开口结构20111，后续化学气相沉积制程中产生的氢离子能够通过所述开口结构20111对所述第二有源层201的表面氧化物进行还原，从而可以修复所述第二有源层201表面的缺陷，更进一步提升了所述显示面板100的稳定性。
实施例二
如图2所示，为本申请实施例提供的第二种显示面板100的截面结构图；其中，本申请实施例二中显示面板100的结构与本申请实施例一的结构大部分相同，不同之处仅在于，所述阻挡层2011仅设置于所述金属氧化物晶体管T1内。
本申请第二实施例相比本申请第一实施例，由于所述低温多晶硅晶体管T2未设置所述阻挡层2011，使得后续化学气相沉积制程中产生的氢离子相比本申请实施例一更容易扩散至多晶硅半导体层中，从而能够对多晶硅半导体层的表面氧化物进行还原，从而可以修复所述第二有源层201表面的缺陷，更进一步提升了所述显示面板100的稳定性。
针对当前运用低温多晶氧化物技术的显示面板100中的金属氧化物半导体容易被腐蚀的技术问题；本申请实施例提供一种显示面板100，该显示面板100包括衬底10和位于所述衬底10上的驱动电路层20，所述驱动电路层20包括低温多晶硅晶体管T2以及金属氧化物晶体管T1，所述金属氧化物晶体管T1和所述低温多晶硅晶体管T2分离设置，所述金属氧化物晶体管T1包括第一有源层206和位于所述第一有源层206上的阻挡层2011，所述第一有源层206包括第一沟道部2061和位于所述第一沟道部2061两侧的第一导体部2062，所述阻挡层2011与至少部分所述第一导体部2062搭接，其中，所述阻挡层2011的材料包括金属氧化物，所述阻挡层2011仅设置于所述金属氧化物晶体管T1对应的区域；上述显示面板100通过在所述金属氧化物晶体管T1中的所述第一有源层206上设置所述阻挡层2011，使所述阻挡层2011与至少部分所述第一导体部2062搭接，所述阻挡层2011为金属氧化物且所述阻挡层2011仅设置于所述金属氧化物晶体管T1对应的区域，使得所述阻挡层2011能够阻挡后续化学气相沉积制程中产生的氢离子对金属氧化物半导体的腐蚀，从而增强金属氧化物半导体薄膜晶体管的性能稳定性，进一步提升了显示面板100的显示效果。
同时，本申请第二实施例相比本申请第一实施例，由于所述低温多晶硅晶体管T2未设置所述阻挡层2011，使得后续化学气相沉积制程中产生的氢离子相比本申请实施例一更容易扩散至多晶硅半导体层中，从而能够对多晶硅半导体层的表面氧化物进行还原，进而可以修复所述第二有源层201表面的缺陷，更进一步提升了所述显示面板100的稳定性。
相应地，如图3所示，为本申请实施例提供的一种显示面板100的制备方法流程图；以制备本申请第一实施例提供的显示面板100为例，所述方法包括：
S10，在一衬底10上形成第二有源层201。
具体地，所述S10还包括：
首先提供一衬底10，所述衬底10为柔性衬底10；其中，所述衬底10还包括：第一聚酰亚胺层101、设置于所述第一聚酰亚胺层101上的缓冲层102、设置于所述缓冲层102上的第二聚酰亚胺层103、设置于所述第二聚酰亚胺层103上的第一阻隔层104、设置于所述第一阻隔层104上的钼金属层105、设置于所述第一阻隔层104上且完全覆盖所述钼金属层105的第二阻隔层106以及设置于所述第二阻隔层106上的无机绝缘层107，所述无机绝缘层107包括三层无机子绝缘层。
具体地，所述缓冲层102、所述第一阻隔层104、所述第二阻隔层106以及所述无机绝缘层107均通过化学气相沉积法制备而成，所述缓冲层102、所述第一阻隔层104、所述第二阻隔层106以及用于阻隔外界水氧；所述无机绝缘层107用于防止所述衬底10中所含的杂质污染所述第二有源层201。
优选地，所述缓冲层102、所述第一阻隔层104、所述第二阻隔层106以及所述无机绝缘层107均通过化学气相沉积法制备而成；所述缓冲层102、所述第一阻隔层104、所述第二阻隔层106以及所述无机绝缘层107的材料为氮硅化物以及氮氧化物的至少一种。
之后，通过构图工艺在所述衬底10的第一区域形成一个半导体图案，形成第二有源层201，其材料可为多晶硅。其中，所述第二有源层201的形成具体可包括以下步骤：在所述衬底10的第一区域形成非晶硅(a-Si)，之后对非晶硅照射准分子激光，从而将非晶硅转化为多晶硅，如图4A所示。
S20，在所述衬底10上依次形成第一栅极绝缘层202以及第一金属层，所述第一金属层经图案化后形成第二栅极203以及与所述第二栅极203绝缘设置的遮光层204。
具体地，所述S20还包括：
首先，在所述衬底10上沉积第一栅极绝缘层202，所述第一栅极绝缘层202覆盖所述第二有源层201。其中，所述第一栅极绝缘层202的材料为一层SiOx或是SiNx或是多层结构薄膜，所述第一栅极绝缘层202的厚度范围为1000埃米至3000埃米之间。所述第一栅极绝缘层202通过化学气相沉积法所形成，化学气相沉积法可例如低压化学气相沉积法、热气相沉积法、催化化学气相沉积法、等离子增强化学气相沉积法等。
之后，在所述第一栅极绝缘层202上沉积第一金属层；通过一次成膜工艺，利用同一掩模和相同材料分别在对应于所述低温多晶硅晶体管T2所在的第一区域和对应于所述金属氧化物晶体管T1所在的第二区域将所述第一金属层图案化后形成第二栅极203和遮光层204，所述第二栅极203和所述遮光层204彼此隔离。其中，所述第二栅极203和所述遮光层204由Al合金、Cr、Mo、W或者上述这些的层叠膜等形成，所述第二栅极203作为所述低温多晶硅晶体管T2的栅极，所述遮光层204作为所述金属氧化物晶体管T1的遮光层204，所述遮光层204能够避免从所述衬底10侧入射的光线影响所述金属氧化物晶体管T1的工作特性。所述第二栅极203形成于所述第一栅极绝缘层202上且处于所述第二有源层201的正上方，所述遮光层204形成于所述第一栅极绝缘层202上。
进一步地，所述第二栅极203和所述遮光层204可通过镀膜的方式形成，包括但不限于真空蒸镀、磁控溅射镀膜、离子溅射镀膜等。
最后，对所述第二有源层201的源漏极区进行离子掺杂，使所述第二有源层201的源漏极区导体化，如图4B所示。
S30，在所述第一栅极绝缘层202上依次形成第二栅极绝缘层205、第一有源层206、第三栅极绝缘层208以及第四栅极绝缘层207，所述第一有源层206与所述遮光层204相对设置，所述第三绝缘层设置于所述第一有源层206上。
具体地，所述S30还包括：
首先，在所述第一栅极绝缘层202上形成第二栅极绝缘层205，所述第二栅极绝缘层205完全覆盖所述第二栅极203和所述遮光层204；所述第二栅极绝缘层205为一层SiOx或是SiNx或是多层结构薄膜，厚度范围为1000埃米至3000埃米之间。
之后，在所述第二栅极绝缘层205上沉积一层金属氧化物半导体材料(Oxide)作为半导体层，所述半导体层经图案化处理后形成所述第一有源层206，所述第一有源层206与所述遮光层204对应设置，所述第一有源层206的厚度范围为100埃米至1000埃米之间。所述第一有源层206包括第一沟道部2061和位于所述第一沟道部2061两侧的第一导体部2062。
其中，所述第一有源层206的材料可为氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)、氧化铟锡锌(Indium-Tin-ZincOxide，ITZO)、氧化铟镓(Indium Gallium Oxide，IGO)、氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)、氧化铟钨(Indium Tungsten Oxide，IWO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO)、氧化镓锌(Gallium-Zinc Oxide，GZO)、氧化锌锡(Zinc-Tin Oxide，ZTO)中的任一种，可以为前述多种材料的组合；所述第二有源层201的材料为多晶硅。
进一步地，所述第一有源层206可通过镀膜的方式形成，包括但不限于真空蒸镀、磁控溅射镀膜、离子溅射镀膜等。以IGZO为例，可采用直流磁控溅射制备，其中靶材的原子比为In2O3-Ga2O3-ZnO＝1∶1∶1(摩尔比)，通过调节氧气流量、沉积功率，气体流量等参数来获得满足应用要求的IGZO薄膜。
然后，在所述第二栅极绝缘层205上沉积一层绝缘层，所述绝缘层完全覆盖所述第一有源层206；之后对所述绝缘层进行图案化处理，形成第三栅极绝缘层208以及第四栅极绝缘层207，所述第三栅极绝缘层208与所述第四栅极绝缘层207分离设置，所述第四栅极绝缘层207对应于所述低温多晶硅晶体管T2所在的第一区域，所述第三栅极绝缘层208设置于所述第一有源层206上且对应于所述金属氧化物晶体管T1所在的第二区域。其中，所述第三栅极绝缘层208与所述第四栅极绝缘层207均为一层SiOx或是SiNx或是多层结构薄膜，厚度范围在1000埃米至3000埃米，如图4C所示。
S40，在所述第三栅极绝缘层208上形成第一栅极2010，同时在所述第四栅极绝缘层207上形成第三栅极209。
具体地，所述S40还包括：
首先，在所述第二栅极绝缘层205上沉积第二金属层，所述第二金属层完全覆盖所述第三栅极绝缘层208以及所述第四栅极绝缘层207；其次，通过黄光工艺对所述第二金属层进行图案化处理，保留位于所述第三栅极绝缘层208上的部分所述第二金属层以形成所述第一栅极2010，同时保留位于所述第四栅极绝缘层207上的另一部分所述第二金属层以形成所述第三栅极209；最后，保留位于所述第一栅极2010以及所述第三栅极209上的光刻胶30。其中，所述第一栅极2010以及所述第三栅极209的材料为Mo，Al，Cu以及Ti中的至少一种，厚度范围为2000埃米至8000埃米之间，如图4D所示。
在本申请实施例中，所述第一栅极2010用于所述金属氧化物晶体管T1的栅极，所述第三栅极209用于所述低温多晶硅晶体管T2的电容。
进一步地，所述第一栅极2010的长度小于所述第三栅极绝缘层208的长度，这样设置是为了定义出所述金属氧化物晶体管T1的源漏搭接区；同时，所述第三栅极209的长度小于所述第四栅极绝缘层207的长度，这样设置是为了后续与所述阻挡层2011形成开口结构20111。其中，所述第一栅极2010或者所述第三栅极209的长度小于对应的所述光刻胶30的长度是通过湿法工艺对所述第二金属层进行侧边蚀刻而成。
S50，在所述第二栅极绝缘层205上形成阻挡层2011，所述阻挡层2011与所述第一有源层206的至少部分第一导体部2062搭接。
具体地，所述S50还包括：
首先，在所述第二栅极绝缘层205上沉积第三金属层，所述第三金属层中的至少一层的材料采用自钝化金属、以及自钝化金属的合金中的至少一种；其中，所述第三金属层的材料采用Ti、Al、Cr、以及Ti-Al-Ti中的至少一种，厚度范围为50埃米至100埃米之间；之后通过剥离工艺剥离所述光刻胶30以及位于所述光刻胶30上的部分所述第三金属层，剩余所述第三金属层与所述第一有源层206的至少部分第一导体部2062搭接，且剩余所述第三金属层与所述第三栅极209形成开口结构20111；最后，对剩余的所述第三金属层进行退火处理，所述第三金属层与所述第一有源层206中的氧原子结合，形成所述阻挡层2011；同时，所述第一有源层206的所述第一导体部2062失去氧原子而被导体化，所述第一有源层206的所述第一沟道部2061未接触所述第三金属层，从而保持了半导体特性，如图4E所示。
S60，在所述阻挡层2011上依次形成层间绝缘层2012、第一源漏极2014以及第二源漏极2013，所述第一源漏极2014与所述第二源漏极2013同层设置。
具体地，所述S60还包括：
首先，在所述阻挡层2011上沉积层间绝缘层2012，所述层间绝缘层2012完全覆盖所述阻挡层2011、所述开口结构20111、所述第四栅极绝缘层207、所述第三栅极209、所述第三栅极绝缘层208以及所述第一栅极2010；所述层间绝缘层2012可以是含SiOx或是SiNx或是有机材料，厚度范围为2000埃米至10000埃米之间。其中，在制备所述层间绝缘层2012的过程中，会存在氢离子。
之后，利用一道黄光在所述层间绝缘层2012上进行开孔处理，形成多个过孔，以定义出源漏极搭接孔。其中，上述多个过孔的形成可在同一次曝光工艺中利用干式蚀刻同时进行，干式蚀刻可使用CF系(CF4)、或者CHF系(CHF3)的气体来进行。
最后，在所述层间绝缘层2012上沉积一层第四金属层，所述第四金属层经图案化处理后，形成彼此分分离设置的第一源漏极2014以及第二源漏极2013，所述第一源漏极2014与所述第二源漏极2013同层设置；其中，所述第一源漏极2014与所述第二源漏极2013的材料均为Mo、Al、Cu以及Ti中的至少一种，厚度范围在2000埃米至8000埃米之间。
进一步地，所述第一源漏极2014通过第一过孔与所述钼金属层105电连接；所述第二源漏极2013通过第二过孔与所述钼金属层105电连接。所述第一源漏极2014通过第三过孔以及第四过孔与所述第一有源层206的所述第一导体部2062的两端电连接；所述第二源漏极2013通过第五过孔以及第六过孔与所述第二有源层201的第二导体部电连接，如图4F所示。
S70，在所述层间绝缘层2012上形成钝化层2015，所述钝化层2015完全覆盖所述第一源漏极2014以及所述第二源漏极2013。
具体地，所述S70还包括：
在所述层间绝缘层2012上形成钝化层2015，所述钝化层2015完全覆盖所述第一源漏极2014以及所述第二源漏极2013。之后可顺利进行后续工艺以制得所述显示面板100，如图4G所示。
本申请实施例所提供的显示面板100的制备方法通过在运用低温多晶氧化物技术的显示面板100中设置阻挡层2011，不但能够修复低温多晶硅半导体因表面有氧化物产生的缺陷，还能阻挡后续制程中产生的氢离子扩散至金属氧化物半导体中，保护了所述金属氧化物晶体管T1的稳定性。此外，所述显示面板100的制备方法只需要6道光罩以及3道化学气相沉积工艺；相比现有低温多晶氧化物技术的显示面板100，减少了1道光罩和3层化学气相沉积膜层，进而有利于超薄显示技术的开发。
相应地，本申请实施例还提供一种移动终端，包括终端主体以及如上任一项所述的显示面板100，所述终端主体与所述显示面板100组合为一体。其中，所述移动终端在车载、手机、平板、电脑及电视产品上具有广阔的应用空间。
本申请实施例提供一种显示面板100及其制备方法、移动终端；该显示面板100包括衬底10和位于所述衬底10上的驱动电路层20，所述驱动电路层20包括低温多晶硅晶体管T2以及金属氧化物晶体管T1，所述金属氧化物晶体管T1和所述低温多晶硅晶体管T2分离设置，所述金属氧化物晶体管T1包括第一有源层206和位于所述第一有源层206上的阻挡层2011，所述第一有源层206包括第一沟道部2061和位于所述第一沟道部2061两侧的第一导体部2062，所述阻挡层2011与至少部分所述第一导体部2062搭接，其中，所述阻挡层2011的材料包括金属氧化物；上述显示面板100通过在所述金属氧化物晶体管T1中的所述第一有源层206上设置所述阻挡层2011，使所述阻挡层2011与至少部分所述第一导体部2062搭接，所述阻挡层2011为金属氧化物，进而使得所述阻挡层2011能够阻挡后续化学气相沉积制程中产生的氢离子对金属氧化物半导体的腐蚀，从而增强金属氧化物半导体薄膜晶体管的性能稳定性，进一步提升了显示面板100的显示效果。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法、移动终端进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底和位于所述衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层包括：
低温多晶硅晶体管；
金属氧化物晶体管，所述金属氧化物晶体管和所述低温多晶硅晶体管分离设置，所述金属氧化物晶体管包括第一有源层和位于所述第一有源层上的阻挡层，所述第一有源层包括第一沟道部和位于所述第一沟道部两侧的第一导体部，所述阻挡层与至少部分所述第一导体部搭接；
其中，所述阻挡层的材料包括金属氧化物。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属氧化物晶体管还包括：
第一栅极绝缘层，设置于所述衬底上；
遮光层，设置于所述第一栅极绝缘层上；
第二栅极绝缘层，设置于所述第一栅极绝缘层上且完全覆盖所述遮光层；
所述第一有源层，设置于所述第二栅极绝缘层上；
第三栅极绝缘层，设置于所述第一沟道部上；
所述阻挡层，设置于所述第二栅极绝缘层上且与所述第三栅极绝缘层相接触；
第一栅极，设置于所述第三栅极绝缘层上；
层间绝缘层，设置于所述阻挡层以及所述第三栅极绝缘层上，且所述层间绝缘层完全覆盖所述第一栅极；
第一源漏极，设置于所述层间绝缘层上；以及
钝化层，设置于所述层间绝缘层上且完全覆盖所述第一源漏极。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述低温多晶硅晶体管包括：
第二有源层，设置于所述衬底上；
第二栅极，与所述遮光层同层设置；
第四栅极绝缘层，与所述第一有源层同层设置；
第三栅极，设置于所述第四栅极绝缘层上且与所述第二栅极对应设置；以及
第二源漏极，与所述第一源漏极同层设置。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述低温多晶硅晶体管还包括所述阻挡层，所述阻挡层与所述第四栅极绝缘层相接触；
其中，所述阻挡层与所述第三栅极之间形成开口结构。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述衬底包括第一无机阻隔层、设置于所述第一无机阻隔层上的钼金属层以及设置于所述第一无机阻隔层上并完全覆盖所述钼金属层的第二无机阻隔层；
其中，所述第一源漏极通过第一过孔与所述钼金属层电连接，所述第二源漏极通过第二过孔与所述钼金属层电连接。
6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述遮光层、所述第一栅极、所述第二栅极、所述第三栅极、所述第一源漏极以及所述第二源漏极的材料包括Mo、Al、Cu以及Ti中的至少一种；所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第三栅极绝缘层、所述第四栅极绝缘层、所述层间绝缘层以及所述钝化层的材料包括氮氧化物以及氮硅化物中的至少一种。
7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在一衬底上形成第二有源层；
在所述衬底上依次形成第一栅极绝缘层以及第一金属层，所述第一金属层经图案化后形成第二栅极以及与所述第二栅极绝缘设置的遮光层；
在所述第一栅极绝缘层上依次形成第二栅极绝缘层、第一有源层、第三栅极绝缘层以及第四栅极绝缘层，所述第一有源层与所述遮光层相对设置，所述第三绝缘层设置于所述第一有源层上；
在所述第三栅极绝缘层上形成第一栅极，同时在所述第四栅极绝缘层上形成第三栅极；
在所述第二栅极绝缘层上形成阻挡层，所述阻挡层与所述第一有源层的至少部分第一导体部搭接；
在所述阻挡层上依次形成层间绝缘层、第一源漏极以及第二源漏极，所述第一源漏极与所述第二源漏极同层设置；
在所述层间绝缘层上形成钝化层，所述钝化层完全覆盖所述第一源漏极以及所述第二源漏极。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述第三栅极绝缘层上形成第一栅极，同时在所述第四栅极绝缘层上形成第三栅极的步骤包括：
在所述第二栅极绝缘层上沉积第二金属层，所述第二金属层完全覆盖所述第三栅极绝缘层以及所述第四栅极绝缘层；
通过黄光工艺对所述第二金属层进行图案化处理，保留位于所述第三栅极绝缘层上的部分所述第二金属层以形成所述第一栅极，同时保留位于所述第四栅极绝缘层上的另一部分所述第二金属层以形成所述第三栅极；
保留位于所述第一栅极以及所述第三栅极上的光刻胶。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述第二栅极绝缘层上形成阻挡层，所述阻挡层与所述第一有源层的至少部分第一导体部搭接的步骤还包括：
在所述第二栅极绝缘层上沉积第三金属层；
剥离所述光刻胶以及位于所述光刻胶上的部分所述第三金属层，剩余所述第三金属层与所述第一有源层的至少部分第一导体部搭接；
对剩余所述第三金属层进行退火处理，得到所述阻挡层。
10.一种移动终端，其特征在于，所述移动终端包括终端主体和如权利要求1至6任一项所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111564554.0A CN114284299A (zh) | 2021-12-20 | 2021-12-20 | 显示面板及其制备方法、移动终端 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111564554.0A CN114284299A (zh) | 2021-12-20 | 2021-12-20 | 显示面板及其制备方法、移动终端 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114284299A true CN114284299A (zh) | 2022-04-05 |
Family
ID=80873256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111564554.0A Pending CN114284299A (zh) | 2021-12-20 | 2021-12-20 | 显示面板及其制备方法、移动终端 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114284299A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023240715A1 (zh) * | 2022-06-15 | 2023-12-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置以及制备方法 |
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2021
- 2021-12-20 CN CN202111564554.0A patent/CN114284299A/zh active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2023240715A1 (zh) * | 2022-06-15 | 2023-12-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置以及制备方法 |
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