CN114283972A - 一种用于高频信号传输的ffc屏线 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及FFC屏线领域,尤其涉及一种用于高频信号传输的FFC屏线,其包括导体、第一高频膜、第二高频膜、第一屏蔽层和第二屏蔽层,多个导体间隔均匀地平行设置,导体的宽度为0.3~0.26mm,导体的厚度为0.035~0.125mm,第一高频膜和第二高频膜分别粘合导体的上下平面,第一屏蔽层和第二屏蔽层分别粘合第一高频膜和第二高频膜远离导体的一侧,第一屏蔽层和第二屏蔽层外侧围绕有导电布;多个导体的一端共同连接有PCB。通过对导体尺寸的调整,减少信号损耗;相对于之前截面积增大,提高导体导通率,降低信号传递的衰减;设置第一高频膜和第二高频膜降低导体之间的损耗因子,提高传输效率;第一屏蔽层和第二屏蔽层的设置,使整体特性阻抗满足传递高频信号要求。
Description
技术领域
本发明涉及FFC屏线领域,尤其涉及一种用于高频信号传输的FFC屏线。
背景技术
FFC排线又称柔性扁平线缆,可以任意选择导线数目及间距,使联线更方便,大大减少电子产品的体积,减少生产成本,提高生产效率,最适合于移动部件与主板之间、PCB板对PCB板之间、小型化电器设备中作数据传输线缆之用。在现有技术里,FFC排线大多都是固定的,所有的参数都基本不变,包括它的信号强度,同时FFC排线容易受到外界因素对此排线传输信号干扰,难以应用于高频信号的传输,如4KTV显示器上的信号传输。而应用于高频信号传输的线材如极细同轴线,其成本较高,目前亟需一种能够传递高频信号的成本较低的线材。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种成本较低,生产方便且能够实现变PIN功能的用于传输高频信号的FFC屏线。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:一种用于高频信号传输的FFC屏线,包括导体、第一高频膜、第二高频膜、第一屏蔽层和第二屏蔽层,多个所述导体间隔均匀地平行设置,所述导体的宽度为0.3~0.26mm,所述导体的厚度为0.035~0.125mm,所述第一高频膜和第二高频膜分别粘合导体的上下平面,所述第一屏蔽层和第二屏蔽层分别粘合第一高频膜和第二高频膜远离导体的一侧,所述第一屏蔽层和第二屏蔽层外侧围绕有导电布;多个所述导体的一端共同连接有PCB。
进一步地,所述第一高频膜和第二高频膜的介电常数为2.4~2.6。
进一步地,所述第一屏蔽层和第二屏蔽层为唛拉铝箔。
进一步地,所述第一屏蔽层和第二屏蔽层为CPP基材。
进一步地,所述PCB包括第一接线板、第二接线板、第一屏蔽板和第二屏蔽板,所述第一接线板一侧粘合有第一屏蔽板,所述第一屏蔽板远离第一接线板一侧粘合有第二接线板,所述第二接线板远离第一屏蔽板一侧粘合有第二屏蔽板,所述第一接线板和第二接线板电连接。
进一步地,还包括补强板,所述补强板内嵌与第一屏蔽层和第二屏蔽层内;所述导体前端延伸且导体前端的上下面均可连接。
进一步地,所述补强板朝向多个导体的间隔延伸有屏蔽板。
进一步地,所述导体截面呈梯形,相邻的导体的形状以导体下端的水平面互相对称;所述屏蔽板沿多个导体的间隔倾斜延伸。
本发明的有益效果在于:通过对导体宽度和厚度的调整,减少相邻导体之间的互相干扰,减少信号损耗;整体的导体相对于之前的导体的截面积增大,提高导体的导通率,降低信号传递的衰减;通过设置第一高频膜和第二高频膜降低导体之间的损耗因子,提高传输效率;通过第一屏蔽层和第二屏蔽层的设置,使整体特性阻抗满足传递高频信号要求;设置PCB使得FFC屏线能够实现大小PIN数可变,间距可变,线序位置可变等功能。
附图说明
图1为本发明具体实施方式的一种用于高频信号传输的FFC屏线的俯视图;
图2为本发明具体实施方式的一种用于高频信号传输的FFC屏线的沿长度方向的截面图;
图3为本发明具体实施方式的一种用于高频信号传输的FFC屏线的沿宽度方向的截面图;
图4为本发明具体实施方式的一种用于高频信号传输的FFC屏线的PCB的截面图。
标号说明:
1、导体;2、第一高频膜;3、第二高频膜;4、第一屏蔽层;5、第二屏蔽层;6、PCB;7、第一接线板;8、第二接线板;9、第一屏蔽板;10、第二屏蔽板;11、补强板;12、屏蔽板。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图1至图4,一种用于高频信号传输的FFC屏线,包括导体1、第一高频膜2、第二高频膜3、第一屏蔽层4和第二屏蔽层5,多个所述导体1间隔均匀地平行设置,所述导体1的宽度为0.3~0.26mm,所述导体1的厚度为0.035~0.125mm,所述第一高频膜2和第二高频膜3分别粘合导体1的上下平面,所述第一屏蔽层4和第二屏蔽层5分别粘合第一高频膜2和第二高频膜3远离导体1的一侧,所述第一屏蔽层4和第二屏蔽层5外侧围绕有导电布;多个所述导体1的一端共同连接有PCB6。
从上述描述可知,本发明的有益效果在于:通过对导体1宽度和厚度的调整,减少相邻导体1之间的互相干扰,减少信号损耗;整体的导体1相对于之前的导体1的截面积增大,提高导体1的导通率,降低信号传递的衰减;通过设置第一高频膜2和第二高频膜3降低导体1之间的损耗因子,提高传输效率;通过第一屏蔽层4和第二屏蔽层5的设置,使整体特性阻抗满足传递高频信号要求;设置PCB6使得FFC屏线能够实现大小PIN数可变,间距可变,线序位置可变等功能。
进一步地,所述第一高频膜2和第二高频膜3的介电常数为2.4~2.6。
进一步地,所述第一屏蔽层4和第二屏蔽层5为唛拉铝箔。
进一步地,所述第一屏蔽层4和第二屏蔽层5为CPP基材。
进一步地,所述PCB6包括第一接线板7、第二接线板8、第一屏蔽板9和第二屏蔽板10,所述第一接线板7一侧粘合有第一屏蔽板9,所述第一屏蔽板9远离第一接线板7一侧粘合有第二接线板8,所述第二接线板8远离第一屏蔽板9一侧粘合有第二屏蔽板10,所述第一接线板7和第二接线板8电连接。
由上述可知,通过第一屏蔽板9和第二屏蔽板10的隔离,减少PCB6上的线路之间的影响和外界的干扰。
进一步地,还包括补强板11,所述补强板11内嵌与第一屏蔽层4和第二屏蔽层5内;所述导体1前端延伸且导体1前端的上下面均可连接。
由上述可知,通过将补强板11内嵌与第一屏蔽层4和第二屏蔽层5内,避免了传统的导体1前端的下方粘合补强板11,使得导体1前端只能有一面进行连接。
进一步地,所述补强板11朝向多个导体1的间隔延伸有屏蔽板12。
由上述可知,通过朝向导体1间延伸屏蔽板12,减少导体1之间的信号干扰;同时规整导体1的位置,在成型时不易偏位。
进一步地,所述导体1截面呈梯形,相邻的导体1的形状以导体1下端的水平面互相对称;所述屏蔽板12沿多个导体1的间隔倾斜延伸。
由上述可知,梯形截面的导体1相对传统扁平型的导体1截面积更大,导通率更高;同时为了导体1间隔均匀,相邻导体1的形状以导体1下端的水平面互相对称,使得导体1的间隔呈倾斜状,由此延伸的屏蔽板12也呈倾斜状,倾斜状的屏蔽板12在导体1受压时能够起到一定的回弹缓冲作用,避免导体1的受损。
本发明的实施例一为:
本实施例的一种用于高频信号传输的FFC屏线,包括导体1、第一高频膜2、第二高频膜3、第一屏蔽层4和第二屏蔽层5,多个所述导体1间隔均匀地平行设置,所述导体1的宽度为0.3mm,所述导体1的厚度为0.035mm,所述第一高频膜2和第二高频膜3分别粘合导体1的上下平面,所述第一屏蔽层4和第二屏蔽层5分别粘合第一高频膜2和第二高频膜3远离导体1的一侧,所述第一屏蔽层4和第二屏蔽层5外侧围绕有导电布;多个所述导体1的一端共同连接有PCB6。
所述第一高频膜2和第二高频膜3的介电常数为2.4。
所述第一屏蔽层4和第二屏蔽层5为唛拉铝箔或CPP基材。
所述PCB6包括第一接线板7、第二接线板8、第一屏蔽板9和第二屏蔽板10,所述第一接线板7一侧粘合有第一屏蔽板9,所述第一屏蔽板9远离第一接线板7一侧粘合有第二接线板8,所述第二接线板8远离第一屏蔽板9一侧粘合有第二屏蔽板10,所述第一接线板7和第二接线板8电连接。
本发明的实施例二为:
本实施例的一种用于高频信号传输的FFC屏线,包括导体1、第一高频膜2、第二高频膜3、第一屏蔽层4和第二屏蔽层5,多个所述导体1间隔均匀地平行设置,所述导体1的宽度为0.26mm,所述导体1的厚度为0.125mm,所述第一高频膜2和第二高频膜3分别粘合导体1的上下平面,所述第一屏蔽层4和第二屏蔽层5分别粘合第一高频膜2和第二高频膜3远离导体1的一侧,所述第一屏蔽层4和第二屏蔽层5外侧围绕有导电布;多个所述导体1的一端共同连接有PCB6。
所述第一高频膜2和第二高频膜3的介电常数为2.6。
所述第一屏蔽层4和第二屏蔽层5为唛拉铝箔或CPP基材。
所述PCB6包括第一接线板7、第二接线板8、第一屏蔽板9和第二屏蔽板10,所述第一接线板7一侧粘合有第一屏蔽板9,所述第一屏蔽板9远离第一接线板7一侧粘合有第二接线板8,所述第二接线板8远离第一屏蔽板9一侧粘合有第二屏蔽板10,所述第一接线板7和第二接线板8电连接。
本发明的实施例三为:
本实施例的一种用于高频信号传输的FFC屏线,包括导体1、第一高频膜2、第二高频膜3、第一屏蔽层4和第二屏蔽层5,多个所述导体1间隔均匀地平行设置,所述导体1的宽度为0.28mm,所述导体1的厚度为0.08mm,所述第一高频膜2和第二高频膜3分别粘合导体1的上下平面,所述第一屏蔽层4和第二屏蔽层5分别粘合第一高频膜2和第二高频膜3远离导体1的一侧,所述第一屏蔽层4和第二屏蔽层5电连接。
所述第一高频膜2和第二高频膜3的介电常数为2.5。
所述第一屏蔽层4和第二屏蔽层5为唛拉铝箔或CPP基材。
所述第一屏蔽层4和第二屏蔽层5外侧围绕有导电布。
多个所述导体1的一端共同连接有PCB6。
所述PCB6包括第一接线板7、第二接线板8、第一屏蔽板9和第二屏蔽板10,所述第一接线板7一侧粘合有第一屏蔽板9,所述第一屏蔽板9远离第一接线板7一侧粘合有第二接线板8,所述第二接线板8远离第一屏蔽板9一侧粘合有第二屏蔽板10,所述第一接线板7和第二接线板8电连接。
本发明的实施例四为:
本实施例的一种用于高频信号传输的FFC屏线,包括导体1、第一高频膜2、第二高频膜3、第一屏蔽层4和第二屏蔽层5,多个所述导体1间隔均匀地平行设置,所述导体1的宽度为0.28mm,所述导体1的厚度为0.08mm,所述第一高频膜2和第二高频膜3分别粘合导体1的上下平面,所述第一屏蔽层4和第二屏蔽层5分别粘合第一高频膜2和第二高频膜3远离导体1的一侧,所述第一屏蔽层4和第二屏蔽层5电连接。
所述第一高频膜2和第二高频膜3的介电常数为2.5。
所述第一屏蔽层4和第二屏蔽层5为唛拉铝箔或CPP基材。
所述第一屏蔽层4和第二屏蔽层5外侧围绕有导电布。
多个所述导体1的一端共同连接有PCB6。
所述PCB6包括第一接线板7、第二接线板8、第一屏蔽板9和第二屏蔽板10,所述第一接线板7一侧粘合有第一屏蔽板9,所述第一屏蔽板9远离第一接线板7一侧粘合有第二接线板8,所述第二接线板8远离第一屏蔽板9一侧粘合有第二屏蔽板10,所述第一接线板7和第二接线板8电连接。
还包括补强板11,所述补强板11内嵌与第一屏蔽层4和第二屏蔽层5内;所述导体1前端延伸且导体1前端的上下面均可连接。
所述补强板11朝向多个导体1的间隔延伸有屏蔽板12。
所述导体1截面呈梯形,具体地,所述导体1上底面宽度为0.28mm,所述导体1下底面宽度为0.3mm,相邻的导体1的形状以导体1下端的水平面互相对称;所述屏蔽板12沿多个导体1的间隔倾斜延伸。
综上所述,本发明提供的一种用于高频信号传输的FFC屏线,通过对导体宽度和厚度的调整,减少相邻导体之间的互相干扰,减少信号损耗;整体的导体相对于之前的导体的截面积增大,提高导体的导通率,降低信号传递的衰减;通过设置第一高频膜和第二高频膜降低导体之间的损耗因子,提高传输效率;通过第一屏蔽层和第二屏蔽层的设置,使整体特性阻抗满足传递高频信号要求;设置具有多层屏蔽板的PCB,在实现大小PIN数可变,间距可变,线序位置可变等功能的同时保证信号传输效率;通过设置内嵌于第一屏蔽层和第二屏蔽层的补强板来实现导体前端双面可连接;通过设置屏蔽板,减少导体间的干涉;通过设置梯形截面的导体和对应的屏蔽板,在提高导通率的同时使得导体被按压时具有一定的回复力。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换,或直接或间接运用在相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种用于高频信号传输的FFC屏线,其特征在于,包括导体、第一高频膜、第二高频膜、第一屏蔽层、第二屏蔽层和PCB,多个所述导体间隔均匀地平行设置,所述导体的宽度为0.3~0.26mm,所述导体的厚度为0.035~0.125mm,所述第一高频膜和第二高频膜分别粘合导体的上下平面,所述第一屏蔽层和第二屏蔽层分别粘合第一高频膜和第二高频膜远离导体的一侧,所述第一屏蔽层和第二屏蔽层外侧围绕有导电布;多个所述导体的一端共同连接有PCB。
2.根据权利要求1所述的一种用于高频信号传输的FFC屏线,其特征在于,所述第一高频膜和第二高频膜的介电常数为2.4~2.6。
3.根据权利要求1所述的一种用于高频信号传输的FFC屏线,其特征在于,所述第一屏蔽层和第二屏蔽层为唛拉铝箔。
4.根据权利要求1所述的一种用于高频信号传输的FFC屏线,其特征在于,所述第一屏蔽层和第二屏蔽层为CPP基材。
5.根据权利要求1所述的一种用于高频信号传输的FFC屏线,其特征在于,所述PCB包括第一接线板、第二接线板、第一屏蔽板和第二屏蔽板,所述第一接线板一侧粘合有第一屏蔽板,所述第一屏蔽板远离第一接线板一侧粘合有第二接线板,所述第二接线板远离第一屏蔽板一侧粘合有第二屏蔽板,所述第一接线板和第二接线板电连接。
6.根据权利要求1所述的一种用于高频信号传输的FFC屏线,其特征在于,还包括补强板,所述补强板内嵌与第一屏蔽层和第二屏蔽层内;所述导体前端延伸且导体前端的上下面均可连接。
7.根据权利要求6所述的一种用于高频信号传输的FFC屏线,其特征在于,所述补强板朝向多个导体的间隔延伸有屏蔽板。
8.根据权利要求7所述的一种用于高频信号传输的FFC屏线,其特征在于,所述导体截面呈梯形,相邻的导体的形状以导体下端的水平面互相对称;所述屏蔽板沿多个导体的间隔倾斜延伸。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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