CN114280898B - 晶圆管芯曝光场的排布方法、晶圆的制备方法及晶圆 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种晶圆管芯曝光场的排布方法、晶圆的制备方法及晶圆，具体方法如下，首先形成第一曝光排布区域和第二曝光排布区域，之后通过判断出任一个第二曝光排布区域在第一方向上的至少一个端部，与晶圆的边缘之间存在未重叠区域时，则确定出对应的第二曝光排布区域的目标移动量和目标移动方向，采用这样错位移动的方式以将形成于晶圆边缘处的未重叠区域进行覆盖，从而增大管芯曝光场与晶圆的重叠面积，提高单片晶圆上管芯的数量，充分利用晶圆有效面积，提高单片晶圆上管芯的产出率；另外，还通过保证第一管芯曝光场与移动后的第二管芯曝光场内的管芯阵列对齐排布，从而防止在切割晶圆使对管芯造成划损。

Description

晶圆管芯曝光场的排布方法、晶圆的制备方法及晶圆

技术领域

本申请涉及芯片制造技术领域，尤其涉及一种晶圆管芯曝光场的排布方法、晶圆的制备方法及晶圆。

背景技术

目前管芯光刻工艺是通过UT光刻机在晶圆上通过步进式曝光，将精细结构光刻到晶圆上。一个步进单元为一个管芯曝光场，每个管芯曝光场内矩阵排布有多个管芯。通过每次步进，将单个管芯曝光场排满整个晶圆，从而实现整个晶圆布满管芯。

但是，当前由于晶圆与管芯曝光场重叠面积较小，位于晶圆边缘处的重叠区域未进行覆盖，从而导致晶圆中管芯排布数量较少，进而导致晶圆有效利用率低下。若任意改变管芯曝光场与晶圆的排布关系，将位于晶圆边缘处的重叠区域尽可能多地进行覆盖，则必然会造成在后续切割晶圆时对布满晶圆的管芯造成划伤，大大增加报废管芯数量。故此，如何在保证管芯成品率的基础上，提高晶圆的有效利用率，成为管芯光刻工艺中亟待解决的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种晶圆管芯曝光场的排布方法、晶圆的制备方法及晶圆，可以通过增加晶圆与管芯曝光场重叠面积，从而增加晶圆中管芯排布数量较少，进而提升利用晶圆有效面积。

为此，第一方面，本申请实施例提供了一种晶圆管芯曝光场的排布方法，所述晶圆分为中间区域以及设置于所述中间区域两侧的边缘区域，所述方法包括：

步骤S1、沿第一方向覆盖所述中间区域矩阵阵列排布多个第一管芯曝光场，以形成第一曝光排布区域；

步骤S2、沿垂直于所述第一方向的第二方向，在所述第一曝光排布区域两侧依次排布两个第二曝光排布区域，其中，每个所述第二曝光排布区域由多个第二管芯曝光场构成，多个所述第二管芯曝光场沿所述第一方向覆盖所述边缘区域直线阵列排布；

步骤S3、若判断出任一个所述第二曝光排布区域在所述第一方向上的至少一个端部，与所述晶圆的边缘之间存在未重叠区域时，则确定出对应的所述第二曝光排布区域的目标移动量和目标移动方向；

步骤S4、按照所述目标移动量和所述目标移动方向，将对应的所述第二曝光排布区域相对所述第一曝光排布区域错位移动至覆盖所述未重叠区域，此时设置于每个所述第二管芯曝光场内的管芯与每个所述第一管芯曝光场内的管芯一一对应。

在一种可能的实现方式中，在所述步骤S2之后，所述方法还包括：

若判断出任一个所述第二曝光排布区域在所述第一方向上的两个端部，均与所述晶圆的边缘之间存在所述未重叠区域时，则将其他所述第二曝光排布区域中与所述晶圆重叠面积较少的所述第二管芯曝光场，移动至对应所述第二曝光排布区域的边缘处，以覆盖其中一个所述未重叠区域；

按照未被覆盖的所述未重叠区域所在位置确定出两个所述第二曝光排布区域的所述目标移动量和所述目标移动方向；

两个所述第二曝光排布区域分别按照对应的目标移动量和目标移动方向，相对所述第一曝光排布区域错位移动至覆盖对应的未重叠区域。

在一种可能的实现方式中，所述目标移动量为单个管芯在所述目标移动方向上长度的正整数倍。

在一种可能的实现方式中，所述按照未被覆盖的所述未重叠区域所在位置确定出两个所述第二曝光排布区域的所述目标移动量和所述目标移动方向的步骤具体包括：

计算出所述第二曝光排布区域在所述第一方向上存在所述未重叠区域的端部与所述晶圆边缘之间的距离；

根据所述距离与单个管芯在目标移动方向上长度之间的比值，确定出所述目标移动量。

在一种可能的实现方式中，所述第一曝光排布区域在所述第一方向的尺寸大于或等于所述晶圆在所述第一方向上的直径。

在一种可能的实现方式中，所述步骤S1具体为：

沿所述第一方向直线阵列排布多个所述第一管芯曝光场，并以所述晶圆在所述第一方向上的直径为对称轴，沿所述第二方向分别向所述对称轴的两侧形成呈直线阵列排布的多个所述第一管芯曝光场。

在一种可能的实现方式中，在每个所述第一管芯曝光场与所述晶圆重叠的区域内设置有至少一个精细对位标记。

在一种可能的实现方式中，将任一个所述第二管芯曝光场设置为光学对准场，所述光学对准场与所述晶圆重叠的区域内设置有粗对位标记。

为此，第二方面，本申请实施例提供了一种晶圆的制备方法，所述方法包括：

步骤S1、采用如前述中任一项所述的排布方法在所述晶圆上形成管芯曝光场；

步骤S2、在每个第一管芯曝光场与所述晶圆重叠的区域内设置有至少一个精细对位标记；

步骤S3、将任一个第二管芯曝光场设置为光学对准场，所述光学对准场与所述晶圆重叠的区域内设置有粗对位标记；

步骤S4、利用第一光刻版在所述光学对准场内，基于所述粗对位标记对光刻机进行一次校正；

步骤S5、若检测出当前对准通过，则利用第二光刻版在所述管芯曝光场内，基于所述精细对位标记对所述光刻机进行二次校正；

步骤S6、若检测当前对准通过，则对所述管芯曝光场进行曝光。

为此，第三方面，本申请实施例提供了一种晶圆，采用如前述中所述的制备方法制备得到，所述晶圆的中间区域和边缘区域内均设置有管芯，多个管芯呈矩阵排布。

根据本申请实施例提供的晶圆管芯曝光场的排布方法，如图4所示，本申请通过判断出任一个所述第二曝光排布区域在所述第一方向上的至少一个端部，与所述晶圆的边缘之间存在未重叠区域时，则确定出对应的所述第二曝光排布区域的目标移动量和目标移动方向，采用这样错位移动的方式以将形成于晶圆边缘处的未重叠区域进行覆盖，从而增大管芯曝光场与晶圆的重叠面积，提高单片晶圆上管芯的数量，充分利用晶圆有效面积，提高单片晶圆上管芯的产出率；另外，还通过保证第一管芯曝光场与移动后的第二管芯曝光场内的管芯阵列对齐排布，从而防止在切割晶圆使对管芯造成划损，降低报废管芯数量，提高管芯的成品率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。另外，在附图中，相同的部件使用相同的附图标记，且附图并未按照实际的比例绘制。

图1示出本申请实施例提供的一种晶圆管芯曝光场的排布方法流程图；

图2示出本申请实施例提供的一种晶圆的制备方法流程图；

图3示出本申请其中一个实施例示出晶圆管芯曝光场排布示意图；

图4示出图3中第二曝光排布区域相对第一曝光排布区域错位排布的局部放大图；

图5示出图3中的局部放大图。

附图标记说明：

1、第一曝光排布区域；2、第一管芯曝光场；3、第二曝光排布区域；4、第二管芯曝光场；5、管芯；6、精细对位标记；7、粗对位标记；8、平边。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

如图1和图4所示，本申请实施例提供了一种晶圆管芯曝光场的排布方法，所述晶圆分为中间区域以及设置于所述中间区域两侧的边缘区域，更为具体的，晶圆上设置有平边8，为了方便理解，将与平边8平行的方向设定为第一方向，将与平边8垂直的方向设定为第二方向。

具体方法包括：

步骤S1、沿第一方向覆盖所述中间区域矩阵阵列排布多个第一管芯曝光场2，以形成第一曝光排布区域1；

在一个可选的示例中，第一曝光排布区域1具体形成方式为：沿第一方向直线阵列设排布多个第一管芯曝光场2，并以晶圆在所述第一方向上的直径为对称轴，沿垂直于所述第一方向的第二方向分别向所述对称轴的两侧形成呈直线阵列排布的多个所述第一管芯曝光场2。

在一个可选的示例中，所述第一曝光排布区域1在第一方向的尺寸大于或等于所述晶圆在所述第一方向上的直径；为了节省成本，优选的，第一曝光排布区域1在第一方向的尺寸等于晶圆在所述第一方向上的直径，也就是说，第一曝光排布区域1的两侧的的边缘与晶圆的边缘相重合，从而保证第一曝光区域与晶圆的重叠面积最大，管芯曝光场内排布有多个管芯5，增大管芯曝光场与晶圆的重叠面积能够增晶圆上管芯5的数量，达到提高单片晶圆产出率的效果。

步骤S2、沿垂直于所述第一方向的第二方向，在所述第一曝光排布区域1两侧依次排布两个第二曝光排布区域3，其中，每个所述第二曝光排布区域3由多个第二管芯曝光场4构成，多个所述第二管芯曝光场4沿所述第一方向覆盖所述边缘区域直线阵列排布；

步骤S3、若判断出任一个所述第二曝光排布区域3在第一方向上的至少一个端部，与所述晶圆的边缘之间存在未重叠区域时，此时由于该未重叠区域的存在，从而导致后期在晶圆上制备管芯时，在未重叠区域内无法实现加工管芯，进而导致在晶圆的边缘处存在空白区域，最终导致晶圆有效利用率低下；则可以根据该为重叠区域的位置确定出对应的第二曝光排布区域3的目标移动量和目标移动方向；优选的，目标移动量为单个管芯5在目标移动方向上长度的正整数倍，示例性的，正整数为1，2，3等；从而保证完全覆盖未重叠区域的同时，可以保证移动后的管芯曝光场与其相邻的管芯曝光场内的管芯5仍阵列排布，避免由于错位导致切割晶圆时对管芯5造成划损，降低报废管芯5数量，提高管芯5的成品率。

步骤S4、如图4所示，按照所述目标移动量和所述目标移动方向，将对应的第二曝光排布区域3相对所述第一曝光排布区域1错位移动至覆盖所述未重叠区域，此时设置于每个所述第二管芯曝光场4内的管芯5与每个所述第一管芯曝光场2内的管芯5一一对应设置，具体可以参照图3。

具体的，首先计算出所述第二曝光排布区域3在第一方向上存在未重叠区域的端部与所述晶圆边缘之间的距离；并将计算出的所述距离除以单个管芯5在目标移动方向上长度，从而确定出需要移动单个管芯5的倍数；目标移动方向为朝向覆盖未重叠区域方向，示例性的，当第二曝光排布区域3的左端设置有一个未重叠区域时，则目标移动方向则为沿着第一方向向左移动，直至完全覆盖未重叠区域；示例性的，如图3所示，当计算出目标移动量为5个管芯5长度时，则将第二曝光排布区域3朝向覆盖未重叠区域方向移动，直至完全覆盖未重叠区域即可。

综上所述，如图4所示，本申请通过判断出任一个所述第二曝光排布区域3在所述第一方向上的至少一个端部，与所述晶圆的边缘之间存在未重叠区域时，则确定出对应的所述第二曝光排布区域3的目标移动量和目标移动方向，采用这样错位移动的方式以将形成于晶圆边缘处的未重叠区域进行覆盖，从而增大管芯曝光场与晶圆的重叠面积，提高单片晶圆上管芯5的数量，充分利用晶圆有效面积，提高单片晶圆上管芯5的产出率；另外，还通过保证第一管芯曝光场2与移动后的第二管芯曝光场4内的管芯5阵列对齐排布，从而防止在切割晶圆使对管芯5造成划损，降低报废管芯5数量，提高管芯5的成品率。

在一个可选的示例中，在步骤S1之前，所述方法还包括：按照不同管芯5尺寸选择相匹配的步进单元，以形成与所需管芯5尺寸相对应的管芯曝光场，相同尺寸的晶圆针对不同的生产需求，在晶圆上排布的管芯5尺寸并不唯一，按照上述排布方法排布管芯曝光场时，需要移动的管芯曝光场移动的距离也并不唯一，移动的距离需要根据管芯5尺寸而定。

首先根据晶圆中所需管芯5尺寸选择相匹配的步进单元，从而形成在晶圆上形成与所需管芯5尺寸相对应的管芯曝光场，之后操作人员在与光刻机配合的计算机中绘制与晶圆配合的管芯曝光场排布图，具体绘制方式如下：

首先沿第一方向覆盖所述中间区域矩阵阵列排布多个第一管芯曝光场2，以形成第一曝光排布区域1；之后沿垂直于所述第一方向的第二方向，在所述第一曝光排布区域1两侧依次排布两个第二曝光排布区域3，其中，每个所述第二曝光排布区域3由多个第二管芯曝光场4构成，多个所述第二管芯曝光场4沿所述第一方向覆盖所述边缘区域直线阵列排布；

假使操作人员观察到在上侧边缘区域内，靠近第一曝光排布区域1的一个第二曝光排布区域3在第一方向上的右端，与所述晶圆的边缘之间存在未重叠区域，则将覆盖该未重叠区域的方向确定为目标移动方向，具体的，目标移动方向为沿着第一方向向右移动；并通过测试系统计算出多少倍的单个管芯5在第一方向的长度，具体计算过程如下：首先计算出的该第二曝光排布区域3的右端与晶圆边缘之间的距离；之后将计算出的所述距离除以单个管芯5在目标移动方向上长度，从而确定出需要移动单个管芯5的倍数；示例性的，如图3所示，当计算出倍数为5时，则确定当前目标移动量为5个单个管芯5的长度；之后仅需沿着第一方向向右直线阵列多个第二管芯曝光场4，以使得每个第二管芯曝光场4与对应的第一管芯曝光场2之间存在5个单个管芯5长度的错位量，从而实现覆盖未重叠区域，并且，每个第二管芯曝光场4与对应的第一管芯曝光场2为一一对应设置，有效避免由于错位导致切割晶圆时对管芯5造成划损，降低报废管芯5数量，提高管芯5的成品率，其他排的第二曝光排布区域3具有未重叠区域的排布设计与前述相同，故不在此做过多赘述，最后利用前述已经选定的步进单元按照该排布方式在晶圆上曝光刻蚀形成管芯5，从而保证在晶圆的中间区域和两侧边缘区域内均形成有管芯5，也就是说晶圆上全部覆盖有管芯5，进而有效提升晶圆利用率。

在一个可选的示例中，管芯曝光场的尺寸影响到生产成本与产出率，在控制生产成本的前提下尽可能增大管芯曝光场的尺寸能够提高产出率，优选地，本申请采用长度在29mm-30mm之间，宽度在12mm-15mm之间的矩形管芯曝光场作为步进单元；另外，管芯曝光场的尺寸不限于上述范围，能够根据实际生产需要设定。

在一个可选的示例中，管芯曝光场的尺寸要依据管芯曝光场内排布的管芯5尺寸而定，管芯曝光场的长度与宽度分别设定为管芯5的长度与宽度的正整数倍，使一个管芯曝光场内排布的管芯5数量达到最大，保证晶圆的利用率，避免浪费管芯曝光场内的区域使其无法排布管芯5，增大了单个晶圆上管芯5的数量，提高了单片晶圆上管芯5的产出率。

在上述实施例中，为了保证完全覆盖未重叠区域，需要合理的增加第二管芯曝光场4的数量，而本采用本实施例的方案可以实现不增加第二管芯曝光场4数量的前提下，可以提升晶圆有效利用面积，具体排布方法如下：

步骤S1与步骤S2与前述实施例相同，故不在此做详述赘述；

之后，若判断出任一个所述第二曝光排布区域3在第一方向上的两个端部，均与所述晶圆的边缘之间存在未重叠区域时，则将其他排的第二曝光排布区域3中与所述晶圆重叠面积较少的第二管芯曝光场4，移动至对应第二曝光排布区域3的边缘处，以覆盖其中一个所述未重叠区域；

按照未被覆盖的未重叠区域所在位置确定出两个所述第二曝光排布区域3的目标移动量和目标移动方向；

两个所述第二曝光排布区域3分别按照对应的目标移动量和目标移动方向，相对所述第一曝光排布区域1错位移动至覆盖对应的未重叠区域。

综上所述，采用本实施例的设计，仅需通过移动两排第二曝光排布区域33即可实现在不增加管芯曝光场数量的前提下，对未重叠区域实现有效覆盖，进而提升晶圆有效利用面积；并且不会浪费其他区域，可以在其他区域内布置管芯5，提升管芯5布置效率。

具体的，假使操作人员观察到在上侧边缘区域内，靠近第一曝光排布区域1的一个第二曝光排布区域3在第一方向上的两端，均与所述晶圆的边缘之间存在未重叠区域，为了方便理解，将设置于左端的未重叠区域定义为第一未重叠区域，将设置于右端的未重叠区域定义为第二未重叠区域；

此时，若操作人员观察到在下侧边缘区域内，靠近第一曝光排布区域1的一个第二曝光排布区域3左端，位于与晶圆边缘部分重合的第二管芯曝光场4其与晶圆重叠面积较少，则将该第二管芯曝光场4移动至覆盖第二未重叠区域，此时，两个第二曝光排布区域3将均在左端设置有第一未重叠区域，为了覆盖对应的第一未重叠区域，两个第二曝光排布区域3的目标移动方向均为向左移动。

当然，若操作人员若将前述第二管芯曝光场4移动至覆盖设置于左端的第一未重叠区域，则位于上侧边缘区域内的第二曝光排布区域3具有在右端设置有第二未重叠区域，而位于下侧边缘区域内的第二曝光排布区域3则在左端设置有第一未重叠区域，此时，位于上侧边缘区域内的第二曝光排布区域3为了覆盖第二未重叠区域，其目标移动方向设置为向右移动，同理的，位于下侧边缘区域内的第二曝光排布区域3为了覆盖第一未重叠区域，其目标移动方向设置为向左移动，综上所述，为了操作方便，优选的，选择第一种排布方式，下面为了方便理解，以第一种排布方式进行举例说明。

首先按照前述计算方法分别计算出目标移动量，示例性的，当计算出倍数为5时，则确定两排第二曝光排布区域3的当前目标移动量均为5个单个管芯5的长度；之后，仅需在上侧边缘区域内，沿着第一方向向左直线阵列多个第二管芯曝光场4，以使得每个第二管芯曝光场4与对应的第一管芯曝光场2之间存在5个单个管芯5长度的错位量，从而实现覆盖第一未重叠区域；同理的，在下侧边缘区域内，沿着第一方向向左直线阵列多个第二管芯曝光场4，以使得每个第二管芯曝光场4与对应的第一管芯曝光场2之间存在5个单个管芯5长度的错位量，从而实现覆盖第一未重叠区域，最后利用前述已经选定的步进单元按照该排布方式在晶圆上曝光刻蚀形成管芯5，从而保证在晶圆的中间区域和两侧边缘区域内均形成有管芯5，也就是说晶圆上全部覆盖有管芯5，进而有效提升晶圆利用率；综上所述，本实施例通过调整个别区域管芯曝光场的数量并改变管芯曝光场的位置使其错位排布，使得管芯曝光场与晶圆重叠面积增大的同时，管芯曝光场的数量没有发生改变，在不增加生产成本的同时提高了单片晶圆上管芯5的产出率。

当然，采用前述实施例继续排布后，第二曝光排布区域3在第一方向上的至少一个端部仍具有未重叠区域，可以采用本实施例中对该未重叠区域进行覆盖，从而进一步提升晶圆有效面积的利用率。

在一个可选的示例中，如图5所示，在每个所述第一管芯曝光场2与所述晶圆重叠的区域内设置有至少一个精细对位标记6，进行光刻时，光刻设备通过精细对位标记6分别对准每一个管芯曝光场，以此保证位于管芯曝光场内的管芯5的位置准确度，防止切割晶圆时对管芯5造成划损；优选的，精细对位标记6设置为两个，其中一个设置于第一管芯曝光场2的左上角，另一个设置于第一管芯曝光场2的右上角；当然，为了保证对位的准确性，精细对位标记6的数量可以设置为多个，多个精细对位标记6可以沿着第一方向顺次排列，也可以沿着第二方向顺次排列，第一光刻版上对应位置形成与多个精细对位标记6相配合的对位标记。

在一个可选的示例中，如图5所示，将任一个所述第二管芯曝光场4设置为光学对准场，所述光学对准场与所述晶圆重叠的区域内设置有粗对位标记7，粗对位标记7用于光刻设备初步对准光刻区域，具体的，该第二管芯曝光场4仅设置有粗对位标记7，未设置有管芯5；保证光刻位置准确度，本实施例中采用将光学对准场设置于第二管芯曝光场4内，从而跟随错位排布进行位置变化，从而有效提升对位准确性。

在一个可选的示例中，粗对位标记7设置在管芯曝光场与晶圆未重叠的区域，管芯曝光场与晶圆未重叠的区域能够容纳整个粗对位标记7，如此设置能够避免粗对位标记7占用管芯5的排布位置导致无法排布管芯5，增加了晶圆上管芯5的排布数量，进一步使单片晶圆上的管芯5产出率增大。

在另一个可选的实施例中，为了进一步增加管芯5的布局面积，减少管芯5布局面积的浪费，光学对准场内也可以在空余位置设置管芯5；此时，为了更好的对粗对位标记7进行光学识别，避免管芯5和粗对位标记7相互影响，在一个光学对准场中，所述粗对位标记7与其相邻的管芯5之间要设置一个安全距离，即在所述粗对位标记7的4mm*4mm的正方形面积周围再加一安全距离之外，才能布设管芯5；所述的安全距离可以在50微米-120微米选一具体数值设置，如60微米，这个范围既能保证对粗对位标记7的光学识别效果，又不会浪费过多的空间，可以布设更多的管芯5。

如图2所示，本申请实施例提供了一种晶圆的制备方法，所述方法包括：

步骤S1、采用如前述中任一项所述的排布方法在所述晶圆上形成管芯曝光场；

步骤S2、在每个第一管芯曝光场2与所述晶圆重叠的区域内设置有至少一个精细对位标记6；

步骤S3、将任一个第二管芯曝光场4设置为光学对准场，所述光学对准场与所述晶圆重叠的区域内设置有粗对位标记7；

步骤S4、利用第一光刻版在所述光学对准场内，基于所述粗对位标记7对光刻机进行一次校正；

步骤S5、若检测出当前对准通过，则利用第二光刻版在所述管芯曝光场内，基于所述精细对位标记6对所述光刻机进行二次校正；

步骤S6、若检测当前对准通过，则对所述管芯曝光场进行曝光。

本申请实施例提供了一种晶圆，采用如前述所述的制备方法制备得到，所述晶圆的中间区域和边缘区域内均设置有多个管芯5，多个管芯5呈矩阵排布，经过统计，采用前述制备方法得到的单片晶圆上管芯5的产出率提高了0.67％，按月产10万片合计，采用前述制备方法后每年能够多产出9463片，本申请实施例提供的制备方法使单片晶圆上管芯5的产出率大大提高，创造了更多价值。

需要说明的是，附图中仅示出了一部分管芯曝光场内的管芯5排布情况，其中管芯5的数量和大小均不限于图中所示，管芯5的大小、数量及阵列排布的行数和列数均视实际生产情况而定，能够灵活调整，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

根据本申请实施例提供的晶圆管芯曝光场的排布方法、晶圆的制备方法及晶圆，通过改变管芯曝光场的排布方式，采用错位排布的方式，在不增加管芯曝光场个数的前提下，使管芯曝光场与晶圆的重叠面积增大，提高单片晶圆上管芯5的数量，充分利用晶圆有效面积，最大化利用晶圆，提高单片晶圆上管芯5的产出率，创造更多价值；另外，管芯曝光场移动量为单个管芯5在目标移动方向上长度的正整数倍，使位于不同管芯曝光场内的管芯5均阵列对齐排布，切割晶圆时能够有效避免管芯5被划损，降低报废管芯5数量，提高管芯5的成品率。

应当指出，在说明书中提到的“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”、“一些实施例”等表示所述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但未必每个实施例都包括该特定特征、结构或特性。此外，这样的短语未必是指同一实施例。此外，在结合实施例描述特定特征、结构或特性时，结合明确或未明确描述的其他实施例实现这样的特征、结构或特性处于本领域技术人员的知识范围之内。

应当容易地理解，应当按照最宽的方式解释本公开中的“在……上”、“在……以上”和“在……之上”，以使得“在……上”不仅意味着“直接处于某物上”，还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义，并且“在……以上”或者“在……之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义，还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层(即，直接处于某物上)的含义。

此外，文中为了便于说明可以使用空间相对术语，例如，“下面”、“以下”、“下方”、“以上”、“上方”等，以描述一个元件或特征相对于其他元件或特征的如图所示的关系。空间相对术语意在包含除了附图所示的取向之外的处于使用或操作中的管芯5的不同取向。装置可以具有其他取向(旋转90度或者处于其他取向上)，并且文中使用的空间相对描述词可以同样被相应地解释。

需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种晶圆管芯曝光场的排布方法，所述晶圆分为中间区域以及设置于所述中间区域两侧的边缘区域，其特征在于，所述方法包括：

步骤S1、沿第一方向覆盖所述中间区域矩阵阵列排布多个第一管芯曝光场，以形成第一曝光排布区域；

步骤S2、沿垂直于所述第一方向的第二方向，在所述第一曝光排布区域两侧依次排布两个第二曝光排布区域，其中，每个所述第二曝光排布区域由多个第二管芯曝光场构成，多个所述第二管芯曝光场沿所述第一方向覆盖所述边缘区域直线阵列排布；

步骤S3、若判断出任一个所述第二曝光排布区域在所述第一方向上的至少一个端部，与所述晶圆的边缘之间存在未重叠区域时，则确定出对应的所述第二曝光排布区域的目标移动量和目标移动方向；

步骤S4、按照所述目标移动量和所述目标移动方向，将对应的所述第二曝光排布区域相对所述第一曝光排布区域错位移动至覆盖所述未重叠区域，此时设置于每个所述第二管芯曝光场内的管芯与每个所述第一管芯曝光场内的管芯一一对应。

2.根据权利要求1所述的晶圆管芯曝光场的排布方法，其特征在于，在所述步骤S2之后，所述方法还包括：

若判断出任一个所述第二曝光排布区域在所述第一方向上的两个端部，均与所述晶圆的边缘之间存在所述未重叠区域时，则将其他所述第二曝光排布区域中与所述晶圆重叠面积较少的所述第二管芯曝光场，移动至对应所述第二曝光排布区域的边缘处，以覆盖其中一个所述未重叠区域；

按照未被覆盖的所述未重叠区域所在位置确定出两个所述第二曝光排布区域的所述目标移动量和所述目标移动方向；

两个所述第二曝光排布区域分别按照对应的目标移动量和目标移动方向，相对所述第一曝光排布区域错位移动至覆盖对应的未重叠区域。

3.根据权利要求2所述的晶圆管芯曝光场的排布方法，其特征在于，所述目标移动量为单个管芯在所述目标移动方向上长度的正整数倍。

4.根据权利要求2所述的晶圆管芯曝光场的排布方法，其特征在于，所述按照未被覆盖的所述未重叠区域所在位置确定出两个所述第二曝光排布区域的所述目标移动量和所述目标移动方向的步骤具体包括：

计算出所述第二曝光排布区域在所述第一方向上存在所述未重叠区域的端部与所述晶圆边缘之间的距离；

根据所述距离与单个管芯在目标移动方向上长度之间的比值，确定出所述目标移动量。

5.根据权利要求1所述的晶圆管芯曝光场的排布方法，其特征在于，所述第一曝光排布区域在所述第一方向的尺寸大于或等于所述晶圆在所述第一方向上的直径。

6.根据权利要求1所述的晶圆管芯曝光场的排布方法，其特征在于，所述步骤S1具体为：

沿所述第一方向直线阵列排布多个所述第一管芯曝光场，并以所述晶圆在所述第一方向上的直径为对称轴，沿所述第二方向分别向所述对称轴的两侧形成呈直线阵列排布的多个所述第一管芯曝光场。

7.根据权利要求1所述的晶圆管芯曝光场的排布方法，其特征在于，在每个所述第一管芯曝光场与所述晶圆重叠的区域内设置有至少一个精细对位标记。

8.根据权利要求7所述的晶圆管芯曝光场的排布方法，其特征在于，将任一个所述第二管芯曝光场设置为光学对准场，所述光学对准场与所述晶圆重叠的区域内设置有粗对位标记。

9.一种晶圆的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S1、采用如权利要求1-8中任一项所述的排布方法在所述晶圆上形成管芯曝光场；

步骤S2、在每个第一管芯曝光场与所述晶圆重叠的区域内设置有至少一个精细对位标记；

步骤S3、将任一个第二管芯曝光场设置为光学对准场，所述光学对准场与所述晶圆重叠的区域内设置有粗对位标记；

步骤S4、利用第一光刻版在所述光学对准场内，基于所述粗对位标记对光刻机进行一次校正；

步骤S5、若检测出当前对准通过，则利用第二光刻版在所述管芯曝光场内，基于所述精细对位标记对所述光刻机进行二次校正；

步骤S6、若检测当前对准通过，则对所述管芯曝光场进行曝光。

10.一种晶圆，采用如权利要求9中所述的制备方法制备得到，所述晶圆的中间区域和边缘区域内均设置有管芯，多个管芯呈矩阵排布。