CN114267636B - 功率芯片单元的制造方法、功率封装模块的制造方法及功率封装模块 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 78
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 27
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 10
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 22
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明提供一种功率芯片单元的制造方法、功率封装模块的制造方法及功率封装模块，在所述功率芯片单元和功率封装模块的制造方法中，在衬底上以“化整为零”方式形成若干功率芯片单元，然后将若干功率芯片单元以“化零为整”方式封装组合成功率封装模块。“化整为零”形成的小尺寸并带有保护环的功率芯片单元的良率较高，进而提高了功率芯片单元组合成的功率封装模块的产品良率，并降低了生产成本。同时，组合成的功率封装模块，可按照功能需求用不同尺寸规格和数量的功率芯片单元进行集成封装，得到多种大电流、电压规格的大功率封装模块，避免了不同规格的功率芯片和模块的特定制造和封装需求，改进了功率芯片、功率模块的制造效率和成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种功率芯片单元的制造方法、功率封装模块的制造方法及功率封装模块。
背景技术
随着电力电子系统应用需求的日益增长，功率封装模块正越来越受欢迎，使用模块化的设计可使电源系统设计师专注于将电源系统发挥最大性能；同时，随着SiC或者GaN晶体管(MOS管或者IGBT管)的发展，这种宽能隙功率器件的优势越来越明显，其开关切换速度快，尺寸体积小，且能在电源系统中实现更大电流的切换控制。
但是，相较于Si衬底，SiC或者GaN衬底的缺陷密度较大，漏电通道较多，漏电流比较明显，直接在SiC或者GaN衬底上形成对应功率器件时，衬底缺陷的扩散和漏电流的增大会引起外延层上功率器件结构的破坏改变，导致性能的降低或者失效，对应产品良率较低，其中，满足电力电子系统的大电流、高电压等应用场合中的大尺寸、大体积的SiC或者GaN功率器件的良率更低。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种在SiC或者GaN等高缺陷密度的衬底上形成功率芯片单元和功率封装模块的技术方案，用于解决上述技术问题。
为实现上述目的及其他相关目的，首先，本发明提供一种功率芯片单元的制造方法，包括：
提供衬底，对所述衬底进行缺陷密度测量；
根据所述衬底的缺陷密度，利用预先设置的掩膜版在所述衬底上形成若干固定尺寸的功率单元，所述功率单元包括功率晶体管结构和保护环，所述保护环绕着所述功率晶体管结构设置；
对若干所述功率单元进行测试；
对所述衬底上所述功率单元进行切割，得到若干测试合格且相互独立的所述功率芯片单元。
可选地，所述衬底包括：Si衬底、SiC衬底、GaN衬底。
可选地，所述功率单元的外形包括正方形和长方形，且若干所述功率单元具有至少一种尺寸，所述功率单元的尺寸与所使用的掩膜版相关。
可选地，所述功率单元的尺寸由所述衬底的缺陷密度决定：当所述衬底的缺陷密度为0～1/(100μm)2时，所述功率单元的基本边长为100μm；当所述衬底的缺陷密度为1/(100μm)2～1/(10μm)2时，所述功率单元的基本边长为10μm。
可选地，所述功率单元的尺寸包括：5x5um、5x10um、5x20um、10x10μm、10x20μm、10x30μm、20x20μm、20x40μm、20x60μm、50x50μm、50x100μm、100x100μm、1000x1000μm。
可选地，所述功率单元包括至少一个所述功率晶体管结构。
可选地，所述功率晶体管结构包括：MOS管、IGBT管。
可选地，所述功率芯片单元具有相对设置的正面和背面，在每个所述功率晶体管结构中，所述功率晶体管结构的栅极与发射极设置在所述功率芯片单元的正面，且所述功率晶体管结构的栅极与发射极并排呈矩形设置，所述功率晶体管结构的集电极设置在所述功率芯片单元的背面。
可选地，所述功率晶体管结构的栅极与发射极上形成有凸块阵列，用于所述功率芯片单元在封装时连接。
可选地，当所述功率单元包括多个所述功率晶体管结构时，多个所述功率晶体管结构呈阵列设置，且多个所述功率晶体管结构的集电极连在一起；多个所述功率晶体管结构的发射极和栅极，各自在封装时会连在一起。
可选地，所述功率单元包括多个所述保护环，多个所述保护环同心设置。
为实现上述目的及其他相关目的，其次，本发明还提供一种功率封装模块的制造方法，将驱动控制芯片及若干功率芯片单元集成封装在封装腔体内，且若干所述功率芯片单元在所述封装腔体内并行连接，得到所述功率封装模块；其中，所述功率芯片单元根据上述任意一项所述的功率芯片单元的制造方法制备得到。
为实现上述目的及其他相关目的，再次，本发明还提供一种功率封装模块，所述功率封装模块包括集成封装在封装腔体内的驱动控制芯片和若干功率芯片单元，若干所述功率芯片单元在所述封装腔体内并行连接，且所述驱动控制芯片分别与若干所述功率芯片单元连接；若干所述功率芯片单元具有至少一种尺寸，每个所述功率芯片单元包括至少一个功率晶体管结构和保护环，所述保护环绕着所述功率晶体管结构设置。
可选地，所述功率芯片单元包括：Si基功率芯片单元、SiC基功率芯片单元、GaN基功率芯片单元。
可选地，所述功率芯片单元中的功率晶体管结构包括：MOS管、IGBT管。
如上所述，本发明的功率芯片单元的制造方法，具有以下有益效果：
相较于直接在衬底上形成大面积的包括若干功率晶体管结构的功率封装模块，在衬底上形成若干小尺寸的功率单元后测试切割得到功率芯片单元，小面积小尺寸的功率芯片单元仅包括一个或者少数个功率晶体管结构，对应的衬底缺陷或者漏电通道造成的功率晶体管结构损坏或失效的可能性大大降低，从而提高了功率芯片单元的产品良率；在此基础上，将若干独立的功率芯片单元集成封装成一个较大功率的封装模块，能有效提高功率封装模块的产品良率，并降低了生产成本；同时，基于功率芯片单元的“化零为整”到封装模块，可按照功能需求对不同尺寸规格和数量的功率芯片单元进行集成封装，得到多种大电流、电压规格的大功率封装模块，避免了不同规格的功率芯片和功率模块的特定制造封装，有效提升了功率芯片和功率模块的制造效率。
附图说明
图1显示为本发明实施例一中功率芯片单元的制造方法的步骤示意图。
图2-图9显示为发明实施例一中功率芯片单元的制造工艺流程图。
图10显示为发明实施例一中功率封装模块的结构示意图。
附图标号说明
1 衬底
2 功率单元
21 功率晶体管结构
22 保护环
21a 凸块
21E 功率晶体管结构21的发射极
21G 功率晶体管结构21的栅极
2' 功率芯片单元
3 封装衬底
4 功率封装模块
具体实施方式
发明人研究发现，相较于Si衬底，由于SiC或者GaN衬底的缺陷密度较大，漏电通道较多，漏电流比较明显，直接在SiC或者GaN衬底上形成对应器件结构时，衬底缺陷的扩散和漏电流的增大会引起外延层上器件结构的破坏改变，导致器件性能的降低或者失效，对应产品良率较低，这个问题在电力电子系统大电流、高电压等应用场合的SiC或者GaN功率器件上比较突出。
基于此，本发明提出一种功率芯片单元及功率封装模块的制造方法：首先，化整为零，在衬底上形成若干小尺寸的功率单元，而后对测试合格的功率单元进行切割，得到功率芯片单元，每个功率芯片单元仅包括一个或者少数个功率晶体管结构；最后，化零为整，将若干小尺寸的功率芯片单元集成封装起来，形成一个大尺寸的包括若干功率晶体管结构的功率封装模块。
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图10。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“正面”、“背面”、“第一”及“第二”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。
实施例一
如图1所示，并结合图2-图9，本发明提供一种功率芯片单元的制造方法，其包括步骤：
S1、提供衬底1，并对衬底1进行缺陷密度测量；
S2、根据衬底1的缺陷密度，利用预先设置的掩膜版在衬底1上形成若干固定尺寸的功率单元2，功率单元2包括功率晶体管结构21和保护环22，保护环22绕着功率晶体管结构21设置；
S3、对衬底1上的若干功率单元2进行测试；
S4、对衬底1上的功率芯片单元2进行切割，得到若干测试合格且相互独立的功率芯片单元2'。
详细地，在步骤S1中，衬底1包括常规的Si衬底，也包括第三代半导体材料构成的衬底，如SiC衬底、GaN衬底，在此不做限定。
详细地，在步骤S2中，如图2或者图3所示，利用预先设置的掩膜版进行工艺流片，在衬底1上形成若干相互独立的功率单元2，功率单元2的外形可以包括正方形(如图2及图3所示)和长方形(如图3所示)、菱形、五边形、六边形等多种规则的形状，且若干功率单元2的尺寸可以不一样，即若干功率单元2具有至少一种尺寸。
详细地，在步骤S2中，先由衬底1的缺陷密度确定功率单元2的目标尺寸，再由功率单元2的目标尺寸反推流片用的掩膜版的尺寸，设计出对应的掩膜版进行流片，其中，功率单元2的具体尺寸直接与所使用的掩膜版相关。
可选地，如图2所示，在衬底1形成了若干呈正方形的功率单元2，且若干功率单元2的尺寸大小一致；可选地，如图3所示，在衬底1形成了若干呈正方形或者长方形的功率单元2，呈正方形的功率单元2具有两种尺寸，呈长方形的功率单元2也具有两种尺寸。
详细地，在步骤S2中，功率单元2的具体尺寸由衬底1的缺陷密度决定，如：当衬底1的缺陷密度为0～1/(100μm)2时，功率单元2的基本边长为100μm；当衬底1的缺陷密度为1/(100μm)2～1/(10μm)2时，功率单元2的基本边长为10μm。
可选地，呈长方形或正方形的功率单元2的尺寸包括但不限于：5x5um、5x10um、5x20um、10x10μm、10x20μm、10x30μm、20x20μm、20x40μm、20x60μm、50x50μm、50x100μm、100x100μm、1000x1000μm。
更详细地，在步骤S2中，在根据衬底1的缺陷密度选择设计功率单元2的外形尺寸的基础上，在保证后续形成的功率晶体管结构21的良率前提下，进一步结合衬底1中缺陷的形状(如点状、条状等)适当调整功率单元2的外形尺寸。
更详细地，在步骤S2中，如图2-图5所示，在衬底1上形成的功率单元2包括功率晶体管结构21和保护环22，保护环22绕着功率晶体管结构21设置。
更详细地，如图2-图5所示，功率单元2包括至少一个功率晶体管结构21。其中，功率晶体管结构21的详细结构及原理可参见现有技术，在此不再赘述。其中，功率晶体管结构21包括(但不限于)MOS管、IGBT管等常规大功率晶体管，能用作开关管。
可选地，如图4所示，在10x10μm的功率单元2中，仅有一个功率晶体管结构21；其中，功率单元2具有相对设置的正面和背面，在功率晶体管结构21中，功率晶体管结构21的栅极21G与发射极21E设置在功率单元2的正面，且功率晶体管结构21的栅极21G与发射极21E并排呈矩形设置，功率晶体管结构21的集电极(图中未示出)设置在功率单元2的背面。
可选地，如图4所示，功率晶体管结构21的栅极21G与发射极21E上形成有凸块阵列，凸块阵列包括多个呈阵列设置的凸块21a，凸块21a用于功率单元2(或者功率芯片单元2')的封装连接。其中，凸块21a可以采用铜等导电金属材质。
可选地，如图5所示，在10x20μm的功率单元2中，有两个并列设置的功率晶体管结构21，且两个功率晶体管结构21相互独立。同时，两个功率晶体管结构21的集电极连在一起(设置在功率单元2的背面，图中未示出)。
可以理解的是，针对尺寸较大(如10x30μm、20x20μm、50x50μm等)的功率单元2，其内可以包括多个功率晶体管结构21；当功率单元2包括多个功率晶体管结构21时，如图3或图5所示，多个功率晶体管结构21呈阵列设置，且多个功率晶体管结构21的集电极连在一起；多个功率晶体管结构21的发射极21E和栅极21G，各自在封装时连在一起。
其中，若衬底1为SiC衬底、GaN衬底等缺陷密度较高的衬底，出于产品的良率考虑，在每个功率单元2内的功率晶体管结构21的数目越少越好。
详细地，如图2-5所示，在步骤S2中，在衬底1上形成的功率单元2还包括保护环22(如P阱保护环)，保护环22绕着一个或多个功率晶体管结构21设置，对功率晶体管结构21进行物理隔绝；而保护环22的具体结构可参见现有技术，在此不再赘述。
详细地，如图4所示，当功率单元2上仅包括一个功率晶体管结构21时，保护环22绕着功率晶体管结构21的四周设置；如图5所示，当功率单元2包括两个功率晶体管结构21时，保护环22绕着两个功率晶体管结构21的整体边缘设置，将两个功率晶体管结构21圈起来。
可以理解的是，当功率单元2包括三个或更多的功率晶体管结构21时，保护环22绕着三个或更多的呈阵列分布的功率晶体管结构21的阵列边缘设置，将所有功率晶体管结构21圈起来，进行物理隔绝保护。
其中，保护环22的个数不做限定，可以是一个或者多个。可选地，为进一步强化保护环22的物理隔绝作用，提高功率晶体管结构21的结构稳定性，在功率单元2中形成有多个保护环22，且多个保护环22同心设置。如图4-图5所示，每个功率单元2中同时形成有两个保护环22，且两个保护环22'同心设置。
详细地，在步骤S3中，对衬底1上形成的若干功率单元2进行性能测试，如测试功率单元2中功率晶体管结构21的正向导通压降、反向漏电流等。
详细地，在步骤S4中，对衬底1上测试合格的若干功率芯片单元2进行切割，切割下来的一个功率单元2构成一个功率芯片单元2'，得到若干相互独立的功率芯片单元2'。
可选地，在步骤S4中，对如图2所示的若干功率单元2进行切割，得到如图6所示的多个功率芯片单元2'；可选地，在步骤S4中，对如图3所示的若干功率单元2进行切割，得到如图7所示的多个功率芯片单元2'。
更详细地，如图8-图9所示，从衬底1上切割下来的一个功率单元2及对应的衬底1的部分区域构成一个功率芯片单元2'，即功率芯片单元2'包括衬底1(的一小块)及其上形成的功率单元2。
可选地，将如图4所示的功率单元2及对应的衬底1的部分区域切割下来，得到如图8所示的功率芯片单元2'；将如图5所示的功率单元2及对应的衬底1的部分区域切割下来，得到如图9所示的功率芯片单元2'。
此外，基于上述功率芯片单元的制造方法制备得到的功率芯片单元2'，本发明还提供一种功率封装模块的制造方法，将驱动控制芯片及若干功率芯片单元2'集成封装在封装腔体内，且若干功率芯片单元2'在封装腔体内并行连接，得到功率封装模块。
最终，通过上述功率封装模块的制造方法得到如图10所示的功率封装模块4，功率封装模块4包括集成封装在封装腔体(图中未示出)内的驱动控制芯片(图中未示出)和若干功率芯片单元2'，若干功率芯片单元2'在封装腔体内并行连接，且驱动控制芯片分别与若干功率芯片单元2'连接。其中，若干功率芯片单元2'具有至少一种尺寸，每个功率芯片单元2'包括至少一个功率晶体管结构21和保护环22，保护环22绕着功率晶体管结构21设置。
详细地，如图10所示，功率封装模块4中的若干功率芯片单元2'具有至少两种尺寸，在封装腔体(图中未示出)内，若干功率芯片单元2'设置在封装衬底3上且若干功率芯片单元2'之间并行连接。其中，封装衬底3可采用陶瓷基板或者覆铜板等，可视情况灵活选择。
其中，功率芯片单元2'与驱动控制芯片等在封装衬底3上的封装连接可以是基于凸块阵列的引线键合或者纳米银烧结和瞬时液相键合(TLPB)等技术，若干功率芯片单元2'的封装设置可以是基于插入件或者桥结构的三维堆栈封装；可以理解的是，若干功率芯片单元2'之间不仅限于并行连接，还可以是串行连接，可按照不同的功能需求进行选择设计。
可选地，如图10所示，并行连接的若干功率芯片单元2'，尤其是并行连接的SiC基(衬底)功率芯片单元或者GaN基(衬底)功率芯片单元，能快速实现大电流的开关控制，适用于电力电子系统的开关控制或者射频高频应用，且对应产品良率较高，生产效率较高。
此外，功率封装模块4也可以是由若干Si基(衬底)功率芯片单元封装结合而成，同样适用于大电流的开关控制，且对应功率封装模块5的体积尺寸较大。
在本实施例中，在衬底1上以“化整为零”的方式形成若干功率单元2，并切割得到若干独立的功率芯片单元2'，然后功率芯片单元2'以“化零为整”的方式封装组合成功率封装模块4，形成的小尺寸并带有保护环22的功率芯片单元2'的良率较高，进而有效提高了功率芯片单元2'组合成的功率封装模块4的产品良率，并降低了生产成本；同时，基于功率芯片单元2'的“化零为整”，可按照功能需求用不同尺寸规格和数量的功率芯片单元2'进行集成封装，得到多种大电流、电压规格的大功率封装模块，避免了不同规格的功率芯片和模块的特定制造封装，有效提升了功率芯片和模块的制造效率。
实施例二
在实施例一中，主要是针对电力电子系统中的功率封装模块，功率芯片单元2'中形成的功率晶体管结构21仅限于MOS管、IGBT管等大功率晶体管；而功率芯片单元2'中的功率晶体管结构21还可以被其它晶体管结构所代替，如用于光电转换的光电二极管等结构，基于此，本实施例将介绍一种光电转换模块。
本实施例提供一种光电转换模块，所述光电转换模块包括读出控制芯片和若干光电转换单元，若干光电转换单元(像素点)呈阵列设置，读出控制芯片分别与若干光电转换单元连接，以控制每个光电转换单元采集信号的读出；每个光电转换单元包括若干呈阵列设置的光电转换结构，若干光电转换结构并行连接，每个光电转换结构包括至少一个光电二极管。
其中，每个光电转换单元(像素点)的制造方法与实施例一中功率芯片单元的制造方法类似，先化整为零，在一个大的衬底上形成若干小的光电转换结构，每个光电转换结构包括一个或少数个小尺寸的光电二极管，而后，对若干光电转换结构进行切割，得到若干独立的、产品良率较高的、小尺寸小面积的光电转换结构；再化零为整，由若干小的呈阵列设置的光电转换结构组成一个完整的光电转换单元(像素点)。相较于直接设置在一整块衬底上的大面积的光电转换单元(像素点)，由若干小面积的光电转换结构组合成的光电转换单元(像素点)的稳定性较好，产品良率较高。
同样地，光电二极管包括：Si基光电二极管、SiC基光电二极管、GaN基光电二极管。
其中，SiC基光电二极管、GaN基光电二极管对紫外光的探测转换比较灵敏，因此，上述光电转换模块特别适用于SiC基或者GaN基的紫外探测器，能有效提高SiC基或者GaN基的紫外探测器的产品良率和生产效率。
综上所述，在本发明所提供的功率芯片单元的制造方法、功率封装模块的制造方法及功率封装模块中，在衬底上以“化整为零”的方式形成若干功率单元后，切割得到若干独立的功率芯片单元，然后功率芯片单元以“化零为整”的方式封装组合成功率封装模块，形成的小尺寸并带有保护环的功率芯片单元的良率较高，进而有效提高了功率芯片单元组合成的功率封装模块的产品良率，并降低了生产成本；同时，基于功率芯片单元的“化零为整”，可按照功能需求用不同尺寸规格和数量的功率芯片单元进行集成封装，得到多种大电流、电压规格的大功率封装模块，避免了不同规格的功率芯片和模块的特定制造封装，有效提升了功率芯片和模块的制造效率；此外，基于衬底上“化整为零”形成的功率芯片单元，再“化零为整”封装组合成功率封装模块的思想，不但适用于硅基芯片，更适用于在晶体缺陷较多的SiC和GaN衬底上制造的功率芯片或高频射频芯片，有效提升了大功率封装模块的良率。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (14)
1.一种功率芯片单元的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，对所述衬底进行缺陷密度测量；
根据所述衬底的缺陷密度，利用预先设置的掩膜版在所述衬底上形成若干固定尺寸的功率单元，所述功率单元包括功率晶体管结构和保护环，所述保护环绕着所述功率晶体管结构设置，所述功率单元的尺寸由所述衬底的缺陷密度决定：当所述衬底的缺陷密度为0~1/(100μm)2时，所述功率单元的基本边长为100μm；当所述衬底的缺陷密度为1/(100μm)2~1/(10μm)2时，所述功率单元的基本边长为10μm；
对若干所述功率单元进行测试；
对所述衬底上的所述功率单元进行切割，得到若干测试合格相互独立的所述功率芯片单元。
2.根据权利要求1所述的功率芯片单元的制造方法，其特征在于，所述衬底包括：Si衬底、SiC衬底、GaN衬底。
3.根据权利要求1或2所述的功率芯片单元的制造方法，其特征在于，所述功率单元的外形包括正方形和长方形，且若干所述功率单元具有至少一种尺寸，所述功率单元的尺寸与所使用的掩膜版相关。
4.根据权利要求3所述的功率芯片单元的制造方法，其特征在于，所述功率单元的尺寸包括：5x5um、5x10um、5x20um、10x10μm、10x20μm、10x30μm、20x20μm、20x40μm、20x60μm、50x50μm、50x100μm、100x100μm、1000x1000μm。
5.根据权利要求1所述的功率芯片单元的制造方法，其特征在于，所述功率单元包括至少一个所述功率晶体管结构。
6.根据权利要求5所述的功率芯片单元的制造方法，其特征在于，所述功率晶体管结构包括：MOS管、IGBT管。
7.根据权利要求6所述的功率芯片单元的制造方法，其特征在于，所述功率单元具有相对设置的正面和背面，在每个所述功率晶体管结构中，所述功率晶体管结构的栅极与发射极设置在所述功率单元的正面，且所述功率晶体管结构的栅极与发射极并排呈矩形设置，所述功率晶体管结构的集电极设置在所述功率单元的背面。
8.根据权利要求7所述的功率芯片单元的制造方法，其特征在于，所述功率晶体管结构的栅极与发射极上形成有凸块阵列，用于所述功率芯片单元在封装时连接。
9.根据权利要求8所述的功率芯片单元的制造方法，其特征在于，当所述功率单元包括多个所述功率晶体管结构时，多个所述功率晶体管结构呈阵列设置，且多个所述功率晶体管结构的集电极连在一起；多个所述功率晶体管结构的发射极和栅极，各自在封装时会连在一起。
10.根据权利要求1所述的功率芯片单元的制造方法，其特征在于，所述功率单元包括多个所述保护环，多个所述保护环同心设置。
11.一种功率封装模块的制造方法，其特征在于，将驱动控制芯片及若干功率芯片单元集成封装在封装腔体内，且若干所述功率芯片单元在所述封装腔体内并行连接，得到所述功率封装模块；其中，所述功率芯片单元根据权利要求1~10中任意一项所述的功率芯片单元的制造方法制备得到。
12.一种功率封装模块，其特征在于，所述功率封装模块包括集成封装在封装腔体内的驱动控制芯片和若干功率芯片单元，若干所述功率芯片单元在所述封装腔体内并行连接，且所述驱动控制芯片分别与若干所述功率芯片单元连接；若干所述功率芯片单元具有至少一种尺寸，每个所述功率芯片单元包括至少一个功率晶体管结构和保护环，所述保护环绕着所述功率晶体管结构设置，所述功率芯片单元根据权利要求1~10中任意一项所述的功率芯片单元的制造方法制备得到。
13.根据权利要求12所述的功率封装模块，其特征在于，所述功率芯片单元包括：Si基功率芯片单元、SiC基功率芯片单元、GaN基功率芯片单元。
14.根据权利要求13所述的功率封装模块，其特征在于，所述功率芯片单元中的功率晶体管结构包括：MOS管、IGBT管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110616300.2A CN114267636B (zh) | 2021-06-02 | 2021-06-02 | 功率芯片单元的制造方法、功率封装模块的制造方法及功率封装模块 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114267636A CN114267636A (zh) | 2022-04-01 |
| CN114267636B true CN114267636B (zh) | 2023-10-10 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202110616300.2A Active CN114267636B (zh) | 2021-06-02 | 2021-06-02 | 功率芯片单元的制造方法、功率封装模块的制造方法及功率封装模块 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114267636B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103503581A (zh) * | 2011-03-23 | 2014-01-08 | 同和金属技术有限公司 | 金属-陶瓷接合基板及其制造方法 |
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| CN111933597A (zh) * | 2020-07-16 | 2020-11-13 | 杰群电子科技（东莞）有限公司 | Dbc基板及其制造方法、功率模块及功率模块散热系统 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4656410B2 (ja) * | 2005-09-05 | 2011-03-23 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体デバイスの製造方法 |
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-
2021
- 2021-06-02 CN CN202110616300.2A patent/CN114267636B/zh active Active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114267636A (zh) | 2022-04-01 |
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