CN114256395B - 一种led外延片、外延生长方法及led芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，LED外延片包括P型层，P型层包括电子阻挡层、过渡层和接触层，过渡层包括第一子层和依次沉积在第一子层上的第二子层和第三子层，第一子层为P‑Al1‑xScxN层，第二子层为GaN层，第三子层为N‑Al1‑yScyN层。本发明中第一子层和第三子层分别与第二子层形成异质结界面，且在异质结界面处产生了正负性相反的压电极化电荷密度，而这会引起大量非平衡空穴注入到第一子层中，进而注入到有源区与电子发生辐射复合，缓解了由于P型层高受主激活能导致的较少空穴产生的情况，解决了紫外发光二极管发光效率低的问题。
Description
技术领域
本发明涉及LED技术领域，特别涉及一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件，由于其体积小、亮度高、能耗低等特点，吸引了越来越多研究者的注意，其中，紫外LED光源在高效节能，体积小，安全耐用，无汞环保，低工作电压低功耗等优点，目前被广泛应用于饮用水的消毒、医疗器械和家用电器的消毒、废水处理、植物照明等领域。
目前紫外LED外延片通常包括衬底和在衬底上的AlN缓冲层、三维岛状AlN生长层、二维恢复AlN生长层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层。紫外LED通电后，载流子(包括n型AlGaN层的电子和p型层的空穴)会向发光层迁移，并在发光层中复合发光。
采用上述紫外LED外延片制备的发光二极管通常发光效率较低，主要是因为紫外LED外延片中的P型层具有较高的受主激活能，使得空穴注入效率降低，从而导致LED的发光效率降低。
发明内容
基于此，本发明的目的是提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，旨在解决现有紫外发光二极管发光效率低的问题。
根据本发明实施例当中的一种LED外延片，包括P型层，所述P型层包括电子阻挡层、过渡层和接触层，且所述过渡层和所述接触层依次沉积于所述电子阻挡层上，所述过渡层包括第一子层和依次沉积在所述第一子层上的第二子层和第三子层，所述第一子层为P-Al1-xScxN层，所述第二子层为GaN层，所述第三子层为N-Al1-yScyN层；
其中，所述第一子层中的Sc组分从所述电子阻挡层一端向所述第二子层一端渐变增加，所述第一子层中的Al组分从所述电子阻挡层一端向所述第二子层一端渐变减少，所述第三子层中的Sc组分从所述第二子层一端向所述接触层一端渐变减小，所述第三子层中的Al组分从所述第二子层一端向所述接触层一端渐变增加。
优选地，所述LED外延片还包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、三维岛状AlN生长层、二维恢复AlN生长层、n型AlGaN层、多量子阱层；
所述AlN缓冲层、所述三维岛状AlN生长层、所述二维恢复AlN生长层、所述n型AlGaN层、所述多量子阱层和所述P型层依次外延生长在所述蓝宝石衬底上。
优选地，所述AlN缓冲层的厚度为10nm～15nm，所述三维岛状AlN生长层的厚度为500nm～600nm，所述二维恢复AlN生长层的厚度为1500nm～2000nm，所述n型AlGaN层的厚度为1.5μm～2.5μm，所述多量子阱层的厚度为11nm～16nm，所述P型层的厚度为175nm～280nm，所述电子阻挡层的厚度为100nm～150nm，所述接触层的厚度为50nm～80nm，所述第一子层的厚度为10nm～20nm，所述第二子层的厚度为5nm～10nm，所述第三子层的厚度为10nm～20nm。
优选地，所述多量子阱层为AlaGa1-aN阱层和AlbGa1-bN垒层交替生长而成的周期性结构，其中，0.3≤a≤0.5，0.5≤b≤0.8，所述AlaGa1-aN阱层的厚度为1nm～3nm，所述AlbGa1- bN垒层的厚度为10nm～13nm。
根据本发明实施例当中的一种LED外延片的外延生长方法，用于制备上述的LED外延片，所述外延生长方法包括：
依次生长过渡层中的第一子层、第二子层以及第三子层，其中，控制第一子层中的Sc组分的通入量渐变增加，控制第一子层中的Al组分的通入量渐变减少，控制第三子层中的Sc组分的通入量渐变减小，控制第三子层中的Al组分的通入量渐变增加。
优选地，所述外延生长方法还包括：
提供一生长所需的蓝宝石衬底；
在所述蓝宝石衬底上依次外延生长AlN缓冲层、三维岛状AlN生长层、二维恢复AlN生长层、n型AlGaN层、多量子阱层和P型层；
其中，所述P型层包括电子阻挡层、过渡层和接触层，且所述过渡层和所述接触层依次沉积于所述电子阻挡层上，所述第一子层为P-Al1-xScxN层，所述第二子层为GaN层，所述第三子层为N-Al1-yScyN层。
优选地，所述依次生长过渡层中的第一子层、第二子层以及第三子层，其中，控制第一子层中的Sc组分的通入量渐变增加，控制第一子层中的Al组分的通入量渐变减少，控制第三子层中的Sc组分的通入量渐变减小，控制第三子层中的Al组分的通入量渐变增加的步骤包括：
在生长过渡层时，控制Sc组分的通入流量由第一流量渐变增加至第二流量，控制Al组分的通入流量由第三流量渐变减少至第四流量，生长得到第一子层，在所述第一子层的基础上生长完第二子层后，再控制Sc组分的通入流量由第二流量渐变减小至第一流量，控制Al组分的通入流量由第四流量渐变增加至第三流量，生长得到第三子层。
优选地，所述P-Al1-xScxN层中，X为0＜x≤0.2，所述N-Al1-yScyN层中，Y为0＜y≤0.2。
优选地，所述第一子层的生长温度为1000℃～1100℃，所述第二子层的生长温度为900℃～1000℃，所述第三子层生长温度为1000℃～1100℃，所述第一子层、第二子层以及第三子层的生长压力为100torr～250torr。
根据本发明实施例当中的一种LED芯片，包括上述的LED外延片。
与现有技术相比：通过生长P型层中的过渡层，使得第一子层P-Al1-xScxN层和第三子层N-Al1-yScyN层分别与第二子层GaN层形成异质结界面，且在异质结界面处产生了正负性相反的压电极化电荷密度，而这会引起大量非平衡空穴注入到第一子层中，进而注入到有源区与电子发生辐射复合，缓解了由于P型层高受主激活能导致的较少空穴产生的情况，解决了紫外发光二极管发光效率低的问题。此外，本发明采用通入渐变Sc源和渐变Al源生长第一子层和第三子层的方法，避免了AlScN/GaN之间异质结界面大量缺陷的产生，减少了缺陷能级对非平衡空穴的俘获，同时，还增强了Sc和Al金属吸附原子的表面迁移率，进而形成更清晰陡峭的AlScN/GaN异质结界面，避免了AlScN和GaN层之间，Sc原子和Al原子的解析，以及金属间相的形成，使得发光二极管的发光效率更为稳定。
附图说明
图1为本发明实施例一当中的LED外延片的结构示意图；
图2为本发明实施例一当中的LED外延片中过渡层的结构示意图；
图3为本发明实施例二当中的LED外延片的外延生长方法的流程图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的若干实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
实施例一
请参阅图1和图2，所示为本发明实施例一中的LED外延片，包括蓝宝石衬底1、以及在蓝宝石衬底1上依次外延生长的AlN缓冲层2、三维岛状AlN生长层3、二维恢复AlN生长层4、n型AlGaN层5、多量子阱层6和P型层7。
在本实施例当中，P型层7是由电子阻挡层71、过渡层72和接触层73依次生长而成的结构，其中，过渡层72为在电子阻挡层71上依次生长第一子层721、第二子层722以及第三子层723而成的结构，需要说明的是，第一子层721为P-Al1-xScxN层，第二子层722为GaN层，第三子层723为N-Al1-yScyN层，由于外延层的生长过程一般都是从衬底一侧向相对的另一侧逐渐生长，因此可以控制第一子层721中的Sc组分的通入量从电子阻挡层一端向第二子层722一端渐变增加，同时控制第一子层721中的Al组分的通入量从电子阻挡层一端向第二子层722一端渐变减少，继而制备得到Sc组分从一端向相对的另一端逐渐增加，Al组分从一端向相对的另一端逐渐减少的第一子层721，即这种第一子层721中的Sc和Al组分呈现一边低一边高的情况。
另外，在生长第三子层723的过程中，控制第三子层723中的Sc组分的通入量从第二子层722一端向接触层73一端渐变减小，同时控制第三子层723中的Al组分的通入量从第二子层722一端向接触层73一端渐变增加，继而制备得到Sc组分从一端向相对的另一端逐渐减小，Al组分从一端向相对的另一端逐渐增加的第三子层723，即这种第三子层723中的Sc和Al组分呈现一边低一边高的情况。
示例而非限定，在本实施例一些较佳实施例当中，AlN缓冲层2的厚度为10nm～15nm，例如为10 nm、11 nm、12 nm等；三维岛状AlN生长层3的厚度为500nm～600nm，例如为500nm、510nm、520 nm等；二维恢复AlN生长层4的厚度为1500nm～2000nm，例如为1500nm、1700nm、1900 nm等；n型AlGaN层5的厚度为1.5μm～2.5μm，例如为1.5μm、1.8μm、2.1μm等；多量子阱层6的厚度为11nm～16nm，例如为11nm、12nm、13 nm等；P型层7的厚度为175nm～280nm，例如为200nm、210nm、220nm等；电子阻挡层71的厚度为100nm～150nm，例如为100nm、110nm、120nm等；接触层73的厚度为50nm～80nm，例如为50nm、60nm、70 nm等；第一子层721的厚度为10nm～20nm，例如为10nm、12nm、14 nm等；第二子层722的厚度为5nm～10nm，例如为6nm、7nm、8nm等；第三子层723的厚度为10nm～20nm，例如为12nm、14nm、16nm等。多量子阱层6为AlaGa1-aN阱层和AlbGa1-bN垒层交替生长而成的周期性结构，交替周期为4～6个，例如为5个，即多量子阱层共生长5层，其中，0.3≤a≤0.5，0.5≤b≤0.8，所述AlaGa1-aN阱层的厚度为1nm～3nm，所述AlbGa1-bN垒层的厚度为10nm～13nm。
实施例二
请参阅图3，所示为本发明实施例二提出的一种LED外延片的外延生长方法，用于制备上述实施例一当中的LED外延片，所述方法具体包括步骤S201至步骤S207，其中：
步骤S201，提供一生长所需的蓝宝石衬底。
在本实施例当中，衬底为图形化蓝宝石衬底，其具有技术成熟，成本低等优点，示例而非限定，在本实施例一些较佳实施例当中，衬底还可以为Si衬底或SiC衬底。
另外，在进行生长工艺之前，需要将衬底的表面进行清洁，避免杂质掺入外延片中，有利于提高外延片的生长质量，清洁的具体过程为，将衬底传入MOCVD反应腔内，在氢气气氛中退火1min～10min，然后对衬底进行氮化处理，氮化处理时的温度控制在1000℃～1200℃，在本实施例当中，图形化蓝宝石衬底在在氢气气氛中退火5min，氮化处理时的温度为1100℃。
其中，衬底进行退火处理的方式取决于AlN缓冲层的生长方式。
当采用PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)方法沉积AlN缓冲层时，对衬底进行退火处理包括：将衬底放置到PVD设备的反应腔内，并对反应腔进行抽真空，抽真空的同时开始对衬底进行加热升温。当反应腔内的压力抽至低于1×10 -7 torr时，将加热温度稳定在350℃～750℃，对衬底进行烘烤，烘烤时间为2min～12min。
当采用MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)方法沉积AlN缓冲层时，对衬底进行退火处理包括：将衬底放置到MOCVD设备的反应腔内，然后在氢气气氛中退火处理10分钟，清洁衬底表面，退火温度在1000℃至1100℃之间，压力为200torr～500torr。
步骤S202，生长AlN缓冲层，其生长厚度为10nm～15nm。
在本实施例当中，采用MOCVD方法沉积AlN缓冲层，可以理解的，生长AlN缓冲层的厚度不同，最终形成的外延层的质量也会不同，若AlN缓冲层的厚度过薄，则会导致AlN缓冲层的表面较为疏松和粗糙，不能为后续结构的生长提供一个好的模板，随着AlN缓冲层厚度的增加，AlN缓冲层的表面逐渐变得较为致密和平整，有利于后续结构的生长，但是若AlN缓冲层的厚度过厚，则会导致AlN缓冲层的表面过于致密，同样不利于后续结构的生长，无法减少外延层中的晶格缺陷。
步骤S203，生长三维岛状AlN生长层，其生长厚度为500nm～600nm。
其中，若三维岛状AlN层生长的太薄，将无法形成后续AlN生长的晶种，而三维岛状AlN层生长的太厚，则会延长生长周期，增加制造成本，在本实施例当中，三维岛状AlN生长层的厚度为550nm。
需要说明的是，在高温低压环境下，有利于三维岛状AlN生长层生长，具体的，三维岛状AlN生长层的生长温度为1100℃～1150℃，生长压力为50torr～150torr，生长时间为20min～40min。在本实施例当中，三维岛状AlN生长层的生长温度为1130℃，生长压力为100torr。
步骤S204，生长二维恢复AlN生长层，其生长厚度为1500nm～2000nm。
具体的，通过生长二维恢复AlN生长层，可以继续填平图形化蓝宝石衬底，利于后续结构的生长，在本实施例当中，二维恢复AlN生长层的厚度为1800nm。
需要说明的是，二维恢复AlN生长层的生长温度可以为1300℃～1400℃，生长压力为50torr～150torr，生长时间为60min～120min。在本实施例当中，二维恢复AlN生长层的生长温度为1350℃，生长压力为100torr。
步骤S205，生长n型AlGaN层，其生长厚度为1.5μm～2.5μm。
其中，n型AlGaN层50的生长温度为1150℃～1250℃，生长压力可以为50torr～150torr，n型AlGaN层中的Si的掺杂浓度为1×10 18cm -3～1×10 19 cm -3，n型AlGaN中Al组分为50%～70%，示例而非限定，在本实施例一些较佳实施例当中，n型AlGaN层中的掺杂物还可以为Ge等。
在本实施例当中，n型AlGaN层的厚度为2μm，n型AlGaN中Al组分为60%，n型AlGaN层的生长温度为1200℃，生长压力为100torr。
步骤S206，生长多量子阱层，其生长厚度为11nm～16nm。
需要说明的是，多量子阱层为AlaGa1-aN阱层和AlbGa1-bN垒层交替生长而成的周期性结构，其中，0.3≤a≤0.5，0.5≤b≤0.8，AlaGa1-aN阱层的厚度为1nm～3nm，AlbGa1-bN垒层的厚度为10nm～13nm，在本实施例当中，AlaGa1-aN阱层的厚度为2nm，AlbGa1-bN层的厚度为12nm。
具体的，AlaGa1-aN阱层的生长温度为1100℃～1150℃，生长压力为100torr～200torr，AlbGa1-bN垒层的生长温度为1150℃～1200℃，生长压力为100torr～200torr，在本实施例当中，AlaGa1-aN阱层的生长温度为1130℃，AlbGa1-bN垒层的生长温度为1170℃，AlaGa1-aN阱层和AlbGa1-bN垒层的生长压力均为150torr。
步骤S207，生长P型层，其生长厚度为175nm～280nm。
具体的，P型层包括电子阻挡层、过渡层和接触层，可以理解，电子阻挡层、过渡层和接触层依次生长在多量子阱层上，其中，过渡层包括依次生长的第一子层、第二子层和第三子层，第一子层为P-Al1-xScxN层，0＜x≤0.2，生长温度为1000℃～1100℃，同时在第一子层中掺杂有Be，Be的掺杂浓度为1×1019 cm -3～1×1020 cm -3，第二子层为GaN层，生长温度为900℃～1000℃，第三子层为N-Al1-yScyN层，0＜y≤0.2，生长温度为1000℃～1100℃，同时在第三子层中掺杂有Si，Si的掺杂浓度为1×1018 cm -3～1×1019 cm -3。
更具体的，在生长过渡层时，控制Sc组分的通入流量由第一流量渐变增加至第二流量，控制Al组分的通入流量由第三流量渐变减少至第四流量，生长得到第一子层，在第一子层的基础上生长完第二子层后，再控制Sc组分的通入流量由第二流量渐变减小至第一流量，控制Al组分的通入流量由第四流量渐变增加至第三流量，生长得到第三子层。
需要说明的是，第一子层的生长压力沿着第二子层生长方向渐变升高，从压力100torr渐变至250torr，第三子层的生长压力沿着远离第二子层生长方向渐变降低，从压力250torr渐变至100torr。
另外，过渡层中的第一子层和第三子层采用脉冲方式进行外延生长，其中，脉冲方式具体为H2作为载气，通入一定量的Al源和Sc源的前驱体，通入时间为5s；随后暂停通入Al、Sc源前驱体，保持在H2气氛中清洁2s；然后通入一定量的NH3，通入时间为 3s，最后暂停通入NH3，并保持在H2气氛中清洁2s；周期循环10次。
在完成接触层的生长后，在氮气气氛中进行退火处理，退火温度为750℃～800℃，退火处理时间为20min～30min。
综上，本发明实施例当中的LED外延片及其外延生长方法，通过生长P型层中的过渡层，使得第一子层P-Al1-xScxN层和第三子层N-Al1-yScyN层分别与第二子层GaN层形成异质结界面，且在异质结界面处产生了正负性相反的压电极化电荷密度，而这会引起大量非平衡空穴注入到第一子层中，进而注入到有源区与电子发生辐射复合，缓解了由于P型层高受主激活能导致的较少空穴产生的情况，解决了紫外发光二极管发光效率低的问题。此外，本发明采用通入渐变Sc源和渐变Al源生长第一子层和第三子层的方法，避免了AlScN/GaN之间异质结界面大量缺陷的产生，减少了缺陷能级对非平衡空穴的俘获，同时，还增强了Sc和Al金属吸附原子的表面迁移率，进而形成更清晰陡峭的AlScN/GaN异质结界面，避免了AlScN和GaN层之间，Sc原子和Al原子的解析，以及金属间相的形成，使得发光二极管的发光效率更为稳定。
实施例三
本发明实施例三提供一种LED芯片，包括上述实施例一当中的LED外延片，所述LED外延片可由上述实施例二当中的LED外延片的外延生长方法外延生长得到。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种LED外延片，其特征在于，包括P型层，所述P型层包括电子阻挡层、过渡层和接触层，且所述过渡层和所述接触层依次沉积于所述电子阻挡层上，所述过渡层包括第一子层和依次沉积在所述第一子层上的第二子层和第三子层，所述第一子层为P-Al1-xScxN层，所述第二子层为GaN层，所述第三子层为N-Al1-yScyN层，所述P-Al1-xScxN层中，X为0＜x≤0.2，所述N-Al1-yScyN层中，Y为0＜y≤0.2；
其中，在第一子层中掺杂有Be，Be的掺杂浓度为1×1019 cm -3～1×1020 cm -3，所述第一子层中的Sc组分从所述电子阻挡层一端向所述第二子层一端渐变增加，所述第一子层中的Al组分从所述电子阻挡层一端向所述第二子层一端渐变减少，在第三子层中掺杂有Si，Si的掺杂浓度为1×1018 cm -3～1×1019 cm -3，所述第三子层中的Sc组分从所述第二子层一端向所述接触层一端渐变减小，所述第三子层中的Al组分从所述第二子层一端向所述接触层一端渐变增加。
2.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述LED外延片还包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、三维岛状AlN生长层、二维恢复AlN生长层、n型AlGaN层、多量子阱层；
所述AlN缓冲层、所述三维岛状AlN生长层、所述二维恢复AlN生长层、所述n型AlGaN层、所述多量子阱层和所述P型层依次外延生长在所述蓝宝石衬底上。
3.根据权利要求2所述的LED外延片，其特征在于，所述AlN缓冲层的厚度为10nm～15nm，所述三维岛状AlN生长层的厚度为500nm～600nm，所述二维恢复AlN生长层的厚度为1500nm～2000nm，所述n型AlGaN层的厚度为1.5μm～2.5μm，所述多量子阱层的厚度为11nm～16nm，所述P型层的厚度为175nm～280nm，所述电子阻挡层的厚度为100nm～150nm，所述接触层的厚度为50nm～80nm，所述第一子层的厚度为10nm～20nm，所述第二子层的厚度为5nm～10nm，所述第三子层的厚度为10nm～20nm。
4.根据权利要求2所述的LED外延片，其特征在于，所述多量子阱层为AlaGa1-aN阱层和AlbGa1-bN垒层交替生长而成的周期性结构，其中，0.3≤a≤0.5，0.5≤b≤0.8，所述AlaGa1-aN阱层的厚度为1nm～3nm，所述AlbGa1-bN垒层的厚度为10nm～13nm。
5.一种LED外延片的外延生长方法，其特征在于，用于制备权利要求1-4任一项所述的LED外延片，所述外延生长方法包括：
依次生长过渡层中的第一子层、第二子层以及第三子层，其中，控制第一子层中的Sc组分的通入量渐变增加，控制第一子层中的Al组分的通入量渐变减少，控制第三子层中的Sc组分的通入量渐变减小，控制第三子层中的Al组分的通入量渐变增加。
6.根据权利要求5所述的LED外延片的外延生长方法，其特征在于，所述外延生长方法还包括：
提供一生长所需的蓝宝石衬底；
在所述蓝宝石衬底上依次外延生长AlN缓冲层、三维岛状AlN生长层、二维恢复AlN生长层、n型AlGaN层、多量子阱层和P型层；
其中，所述P型层包括电子阻挡层、过渡层和接触层，且所述过渡层和所述接触层依次沉积于所述电子阻挡层上，所述第一子层为P-Al1-xScxN层，所述第二子层为GaN层，所述第三子层为N-Al1-yScyN层。
7.根据权利要求5所述的LED外延片的外延生长方法，其特征在于，所述依次生长过渡层中的第一子层、第二子层以及第三子层，其中，控制第一子层中的Sc组分的通入量渐变增加，控制第一子层中的Al组分的通入量渐变减少，控制第三子层中的Sc组分的通入量渐变减小，控制第三子层中的Al组分的通入量渐变增加的步骤包括：
在生长过渡层时，控制Sc组分的通入流量由第一流量渐变增加至第二流量，控制Al组分的通入流量由第三流量渐变减少至第四流量，生长得到第一子层，在所述第一子层的基础上生长完第二子层后，再控制Sc组分的通入流量由第二流量渐变减小至第一流量，控制Al组分的通入流量由第四流量渐变增加至第三流量，生长得到第三子层。
8.根据权利要求6所述的LED外延片的外延生长方法，其特征在于，所述P-Al1-xScxN层中，X为0＜x≤0.2，所述N-Al1-yScyN层中，Y为0＜y≤0.2。
9.根据权利要求5所述的LED外延片的外延生长方法，其特征在于，所述第一子层的生长温度为1000℃～1100℃，所述第二子层的生长温度为900℃～1000℃，所述第三子层生长温度为1000℃～1100℃，所述第一子层、第二子层以及第三子层的生长压力为100torr～250torr。
10.一种LED芯片，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的LED外延片。
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