CN114256301A - 显示面板 - Google Patents

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CN114256301A
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gate
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白承汉
梁维哲
朴成雨
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LG Display Co Ltd
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Abstract

本公开提供了一种显示面板。该显示面板可以包括第一基板，在所述第一基板上设置有主显示区域；至少一个第二基板，在所述至少一个第二基板上设置有小于所述主显示区域的辅显示区域；以及有机膜，所述有机膜连接所述第一基板和所述第二基板，其中，所述至少一个第二基板包括彼此间隔开的多个块基板，其中，所述多个块基板通过所述有机膜连接，并且其中，所述多个块基板中的每一个包括所述辅显示区域的像素。

Description

显示面板
技术领域
本公开涉及一种显示面板。更具体地，本公开涉及一种显示面板，其中侧表面和拐角中的一些或全部被实现为显示区域。
背景技术
根据发光层的材料，电致发光显示装置大致分为无机发光显示装置和有机发光显示装置。有源矩阵型的有机发光显示装置包括自身发光的有机发光二极管(下文中称为“OLED”)，其优点在于响应速度快、发光效率和亮度好，并且视角宽。在有机发光显示装置中，在每个像素中形成有机发光二极管(OLED)。有机发光显示装置具有快速的响应速度，在发光效率、亮度和视角方面是优异的，并且提供优异的对比度和颜色再现性，因为有机发光显示装置可以以完全黑色表现黑色灰度。
近来，存在使用一些侧表面和拐角作为显示区域的移动终端。该相关技术的问题在于，侧显示区域的分辨率变差，并且前显示区域与侧显示区域和角显示区域之间的色感不同。
发明内容
本公开的目的是提供一种在侧显示区域和角显示区域中具有改善的图像质量和色感的显示面板，以及包括该显示面板的显示装置。
本发明的另一目的是提供一种无边框显示面板和包括该无边框显示面板的显示装置。
在实施方式中要解决的问题不限于此，并且还可以包括可以从以下描述的问题的解决方案或实施形式中识别的目的和效果。
在根据本公开的实施方式的显示面板中，显示面板包括：第一基板，在所述第一基板上设置有主显示区域；至少一个第二基板，在所述至少一个第二基板上设置有小于所述主显示区域的辅显示区域；以及有机膜，所述有机膜连接所述第一基板和所述第二基板，其中，所述至少一个第二基板包括彼此间隔开的多个块基板，其中，所述多个块基板通过所述有机膜连接，并且其中，所述多个块基板中的每一个包括所述辅显示区域的像素。
所述至少一个第二基板可以包括：第一子基板，所述第一子基板通过所述有机膜连接到所述第一基板的长边；第二子基板，所述第二子基板通过所述有机膜连接到所述第一基板的短边；以及第三子基板，所述第三子基板与所述第一基板的长边和短边相接的角部连接。第一子基板可以包括在远离第一基板的方向上间隔开的多个第一块基板。第二子基板可以包括在远离第一基板的方向上间隔开的多个第二块基板。第三子基板可以包括以具有同一中心的环的形状间隔开的多个第三块基板。
多个第三块基板可以径向形式间隔开。
有机膜可连接多个第一块基板、多个第二块基板和多个第三块基板。
显示面板还可以包括设置在第一基板上的第一像素和设置在至少一个第二基板上的第二像素。第一像素的像素密度可以高于第二像素的像素密度。
第一基板的每英寸像素(PPI)可以高于至少一个第二基板的每英寸像素(PPI)。
当第一基板和多个第三块基板在同一平面上时，多个第三块基板的尺寸可随着距第一基板的距离的增加而增加。
当第一基板和多个第三块基板在同一平面上时，彼此相邻的第三块基板之间的间隙可随着距第一基板的距离增加而增加。
设置在多个第三块基板上的像素的数量可以随着距第一基板的距离的增加而增加。
所述显示面板还可以包括驱动基板；以及设置在所述驱动基板上的选通驱动电路。驱动基板可以邻近第一子基板和第三子基板设置，并且通过有机膜连接。
驱动基板可以包括与第一子基板相邻的第一驱动基板和与第三子基板相邻的第二驱动基板；第一驱动基板和第二驱动基板可以通过有机膜连接。
第二驱动基板可以以径向形式间隔开。
在根据本公开的另一实施方式的显示面板中，所述显示面板包括第一基板，所述第一基板包括第一区域和第二区域，在所述第一区域中设置有主显示区域，在所述第二区域中设置有第一辅显示区域，并且所述第一辅显示区域分别从所述第一区域的侧面突出；设置在彼此相邻的第二区域之间并且其上设置有第二辅显示区域的第二基板；以及连接第一基板和第二基板的有机膜。第二基板可以包括彼此间隔开的多个块基板。多个块基板可以通过有机膜连接。多个块基板中的每一个可以包括第二辅显示区域的像素。
第一基板的边缘侧壁可以包括楔形的锥形表面，并且第一基板的边缘侧壁随着朝向侧壁的端部而变得更薄。
锥形表面可以相对于所述第一基板的厚度中心对称。
锥形表面的长度可以与第一基板的厚度成反比。
多个块基板可以以具有同一中心的环的形状间隔开。
多个块基板可以径向形式间隔开。
所述显示面板还可以包括驱动基板；以及设置在所述驱动基板上的选通驱动电路。驱动基板可以包括与第一基板的第一辅显示区域相邻设置的第一驱动基板；以及第二驱动基板，其与所述第二基板的所述第二辅显示区域相邻设置。
第一基板的每英寸像素(PPI)高于第二基板的PPI。
一个实施方式可以提供一种在侧面和角落显示区域中具有改善的图像质量和色感的显示面板，以及包括该显示面板的显示装置。
一个实施方式可以提供一种无边框显示面板和包括该无边框显示面板的显示装置。
本公开的各种有益的优点和效果不限于以上描述，并且在描述本公开的具体实施方式的过程中将更容易理解。
附图说明
通过参考附图详细描述本公开的示例性实施方式，本公开的上述和其他目的，特征和优点对于本领域普通技术人员将变得更加明显，其中：
图1是示出根据本公开的实施方式的显示装置的示图；
图2是示出根据本公开的实施方式的显示面板的示图；
图3是图2中区域A的放大图；
图4是沿图3中的切割线I-I'截取的截面图；
图5是示出根据本公开的实施方式的显示面板的主显示区域中的像素的示图；
图6是示出根据本公开的实施方式的显示面板的辅显示区域中的像素的示图；
图7是示出根据本公开的实施方式的显示面板的另一辅显示区域中的像素的示图；
图8A至图8C是示出根据本公开的实施方式的显示装置的制造工艺的一部分的视图；
图9是示出根据本公开的另一实施方式的显示面板的示图；
图10是根据本公开的另一实施方式的显示装置的截面图；
图11是根据本公开的另一实施方式的显示面板的截面图；
图12是图11所示的楔形基板侧壁部分C的放大图；
图13是显示玻璃基板的楔形侧壁的各种实例的图；
图14是显示玻璃基板的楔形侧壁的各种实例的视图；
图15是显示玻璃基板的楔形侧壁的各种实例的图；
图16是显示制造玻璃基板的楔形侧壁的工艺的图；
图17是示出根据本公开的实施方式的显示面板的示例的框图；
图18是示出根据本公开的另一实施方式的显示面板的示例的框图；
图19是示出驱动IC的配置的示意性框图；
图20是示出像素电路的示例的电路图；
图21是示出驱动图20所示的像素电路的定时的图；以及
图22是详细示出根据本公开的实施方式的显示面板的截面的截面图。
具体实施方式
实施方式可以以其他形式修改，或者各种实施方式可以彼此组合，并且本公开的范围不限于下面描述的每个实施方式。
尽管在特定实施方式中描述的特征没有在另一实施方式中描述，但可以理解为与另一实施方式相关的描述，除非它们与另一实施方式中的特征相反或矛盾。
例如，如果描述了特定实施方式中的配置A的特征并且描述了另一实施方式中的配置B的特征，尽管没有明确描述组合配置A和配置B的实施方式，但是应当理解为属于本公开的范围，除非存在矛盾的描述。
在实施方式的描述中，在一个元件被描述为形成在另一元件的“在……之上或之下”的情况下，在……之上或之下包括两个元件，其中两个元件彼此直接接触或者一个或多个其它元件间接地设置在两个元件之间。此外，当表述为“在……之上或之下”时，其可以不仅包括基于一个元素的向上方向而且包括基于一个元素的向下方向的含义。
在下文中，将参照附图详细描述各种实施方式。
图1是示出根据本公开的实施方式的显示装置的示图。
参照图1，根据实施方式的显示装置1可包括主显示区域110a和辅显示区域110b。主显示区域110a是在其上显示主要信息的区域，并且可以是在其上显示要由用户观看的主画面的主显示器。主显示区域110a可以位于显示装置1的中心。主显示区域110a可以大于辅显示区域110b，并且与辅显示区域110b相比可以包括更多的像素。
辅显示区域110b是在其上显示补充信息的区域，并且可以是子显示器。辅显示区域110b可以沿着主显示区域110a的侧部和角部设置。辅显示区域110b可以小于主显示区域110a，并且与主显示区域110a相比可以包括更少的像素。
主显示区域110a可以是平面显示器。辅显示区域110b可以是其中整个或部分区域被弯曲的弯曲显示器。即，整个辅显示区域110b可以是弯曲显示器，或者其一部分可以是平面显示器，而其剩余部分可以是弯曲显示器。
图2是示出根据本公开的实施方式的显示面板的示图。
参照图2，根据本公开的实施方式的显示面板100可包括玻璃基板10。玻璃基板10可以由板状无碱或无碱玻璃制成。玻璃基板10可以包括第一基板11a和第二基板11b。主显示区域110a可以形成在第一基板11a上，辅显示区域110b可以形成在第二基板11b上。第一基板11a可以位于显示面板10的中央，并且第二基板11b可以沿着第一基板11a的外围设置。即，第二基板11b可以设置在第一基板11a的侧部和角部处。第一基板11a和第二基板11b间隔开预定距离。如稍后将描述的，间隔开的第一基板11a和第二基板11b可以通过设置在第一基板11a和第二基板11b上的有机膜连接。
数据驱动器110d可以设置在玻璃基板10的一侧。数据驱动器110d可以以驱动ICD-IC的形式实现，但不限于此。
图3是图2中区域A的放大图。
参照图3，第一基板11a可包括长边、短边和长边与短边相交的角部。第二基板11b可以包括第二-第一基板11b-1，第二-第二基板11b-2和第二-第三基板11b-3。第二-第一基板11b-1可以与第一基板11a的长边相邻地设置。第二-第二基板11b-2可以与第一基板11a的短边相邻地设置。第二-第三基板11b-3可以与第一基板11a的角部相邻地设置。
第二-第一基板11b-1可包括第二-第一块基板11b-1-b。第二-第一块基板11b-1-b可以是彼此间隔开的块基板。更具体地，第二-第一块基板11b-1-b可以是在远离第一基板11a的方向上间隔开的块基板。彼此间隔开的第二-第一块基板11b-1-b可以通过设置在第二-第一块基板11b-1-b上的有机膜连接，如下所述。
像素可以设置在第二-第一块基板11b-1-b上。设置在第二-第一块基板11b-1-b上的像素密度可以低于设置在第一基板11a上的像素密度。
第二基板11b-2可包括第二块基板11b-2-b。第二-第二块基板11b-2-b可以是彼此间隔开的块基板。更具体地，第二-第二块基板11b-1-b可以是在远离第一基板11a的方向上间隔开的块基板。彼此间隔开的第二-第二块基板11b-2-b可以通过设置在第二-第二块基板11b-2-b上的有机膜连接，如下所述。
像素可以设置在第二-第二块基板11b-2-b上。设置在第二-第二块基板11b-2-b上的像素密度可以低于设置在第一基板11a上的像素密度。
第二-第三基板11b-3可包括第二-第三块基板11b-3-b。第二-第三块基板11b-3b可以是彼此间隔开的块基板。第二-第三块基板11b-3-b可以是在远离第一基板11a的方向上间隔开的块基板。更详细地，第二-第三块基板11b-3b可以以具有同一中心O的环形相互间隔开。此外，以环形间隔开的第二-第三块基板11b-3b可以以径向形状间隔开。第二-第三块基板11b-3-b的面积可以与到第一基板11a的距离成比例。更具体地，当第一基板11a和第二-第三块基板11b-3-b在同一平面上时，第二-第三块基板11b-3-b的尺寸可随着距第一基板11a的距离的增加而增加。彼此间隔开的第二-第三块基板11b-3-b可以通过设置在第二-第三块基板11b-3-b上的有机膜连接，如下所述。
像素可以设置在第二-第三块基板11b-3-b上。设置在第二-第三块基板11b-3b上的像素的密度可以低于设置在第一基板11a上的像素的密度。
玻璃基板10还可以包括设置在第二基板11b的外边缘区域中的选通基板11g。选通基板11g可以与第二基板11b间隔开，并且可以通过稍后描述的有机膜连接。选通基板11g可以与与第二-第三基板11b-3相邻的区域径向间隔开。包括选通驱动电路的选通驱动器110g可以设置在选通基板11g上。
图4是沿图3中的切割线I-I'截取的截面图。
接下来，为了便于描述，将描述第二-第三基板11b-3和第二-第三块基板11b-3-b以用于说明，但是该描述也可以应用于第二-第一基板11b-1和第二-第一块基板11b-1-b，以及第二-第二基板11b-2和第二-第二块基板11b-2-b。
参考图4，有机膜12可以设置在第一基板11a，第二-第三块基板11b-3b和选通基板11g上。有机膜12可以连接彼此间隔开的基板，例如第一基板11a、第二-第三块基板11b-3b和选通基板11g。尽管未在图4中示出，但有机膜12可连接第二-第一块基板11b-1-b、第二-第二块基板11b-2-b和第一基板11a。有机膜12可以是包括选自聚酰亚胺聚合物、聚酯聚合物、硅酮聚合物、丙烯酸聚合物、聚烯烃聚合物及其共聚物中的一种的膜。由于聚酰亚胺具有耐酸性和耐热性，因此其可应用于电路层14和发光元件层16的高温处理。
电路层14和选通驱动电路G可以设置在有机膜12上。电路层14可以包括连接到数据线、选通线和电源线的像素电路。选通驱动电路G可以通过选通线连接到像素电路。像素电路和选通驱动电路G可以包括诸如薄膜晶体管(TFT)和电容器的电路元件。
发光元件层16可以形成在电路层14上。发光元件层16可以包括由像素电路的驱动元件驱动的OLED。OLED包括在阳极和阴极之间形成的有机化合物层。有机化合物层可包括但不限于空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。当向OLED的阳极和阴极施加电压时，穿过空穴传输层(HTL)的空穴和穿过电子传输层(ETL)的电子移动到发光层(EML)以形成激子，使得从发光层(EML)发射可见光。发光元件层16还可包括选择性透射红，绿和蓝波长的滤色器阵列。
如图4所示，设置在第一基板11a上的像素的密度可以高于设置在第二基板11b(即，第二-第一基板至第二-第三基板11b-1、11b-2和11b-3)上的像素的密度。
此外，像素可以不设置在分离的(或间隔开的)基板之间的区域中。这是因为该区域是在通过使显示面板100弯曲来形成弯曲显示器的工艺中使有机层12收缩的区域。更具体地，当像素设置在收缩的有机层12的区域中时，相应区域可被用户视觉识别。因此，为了防止这种情况，像素不形成在收缩区域中，并且像素仅形成在不发生收缩的区域上，即，包括第一基板11a和第二基板11b的玻璃基板10上。
发光元件层16、电路层14和选通驱动电路G可被封装层18和图中省略的钝化层覆盖。钝化层和封装层18可以由基于玻璃、金属、氧化铝(alox)或硅(Si)的材料制成的无机膜构成，或者可以具有其中有机膜和无机膜交替堆叠的结构。无机膜阻挡水分或氧气的渗透。有机膜使无机膜的表面平坦化。当有机膜和无机膜以多层堆叠时，与单层相比，湿气或氧气的移动路径变得更长，使得可以有效地阻挡影响发光元件层16的湿气/氧气的渗透。
偏振片24可以设置在封装层18上。偏振片24可以用粘合剂19粘附到封装层18上。偏振片24改善了显示装置的室外可见性。偏振片24减少从显示面板100的表面反射的光并阻挡从电路层的金属反射的光，从而提高像素的亮度。偏振片24可以实施为其中接合了线性偏振片和相位延迟膜的偏振片或圆偏振片。
透明覆盖窗口22可以设置在偏振片24上。
尽管在图中省略，但是触摸传感器的线路可以设置在封装层18和偏振片24之间。
接下来，参照图5至图7给出根据本公开的实施方式的显示面板100的像素密度的描述。
图5是示出根据本公开的实施方式的显示面板的一些像素(即，主显示区域110a的像素)的示图。
图6是示出根据本公开的实施方式的显示面板的一些像素(即，辅显示区域110b的像素)的示图。
参考图5和图6，主显示区域110a中的像素P的数量可以大于辅显示区域110b中的像素P的数量。即，主显示区域110a的每英寸像素(PPI)可以大于辅显示区域110b的PPI。这是因为辅显示区域110b可以是弯曲的显示器。换言之，假设用户从前方看显示装置，则以一定角度看到弯曲显示器，即，辅显示区域110b。在这种情况下，原因在于，如果将相同的PPI值分配给主显示区域110a和辅显示区域110b，则在辅显示区域110b中用户感知的每单位面积的像素数P变得更大。
图7是示出根据本公开的实施方式的作为显示面板的像素的辅显示区域110b的像素的另一示图。
参照图7，与图6不同，辅显示区域110b的像素P可以以重复像素P排列在一列中而不排列在下一列中的图案的方式排列。这是为了更好地理解的说明，并且辅显示区域110b中的像素P的布置不限于图6和图7中所示的那些。
接下来，参考图8A至8C给出根据本公开的实施方式的显示装置的制造工艺的描述。
图8A是示出玻璃基板的蚀刻工艺的图，并且是沿图3中的线I-I'截取的截面图。
参照图8A，有机层12形成在尚未被分离成第一基板11a和第二基板11b的玻璃基板10上。如上所述，电路层14形成在有机层12上，发光元件层16形成在电路层14上。如图所示，设置在发光元件层16中的发光元件的密度在作为第一基板11a的区域中可以高于在作为第二基板11b的区域中。封装层18形成在发光元件层上，偏振片24形成在封装层18上。这里，偏振片24可以是但不限于通过涂布法形成的涂布偏振片，也可以是薄膜型偏振片。粘合剂19可以应用于偏振片24和封装层18之间。
可以在玻璃基板10的背面上形成掩模150。掩模150也可以形成在显示面板100的前面上。这是为了防止在玻璃基板10的蚀刻过程中可能发生的对各层的损坏。掩模150可以暴露玻璃基板10的一部分。更具体地，掩模150可以包括开孔OH，其暴露玻璃基板10将在其中分离的区域，即，第一基板11a和第二基板11b间隔开的区域；第二基板11b的第二-第一基板至第二-第三基板11b-1、11b-2和11b-3间隔开的区域；以及第二-第一块基板至第二-第三块基板11b-1-b、11b-2-b和11b-3-b间隔开的区域。
可以通过将蚀刻剂供应到在玻璃基板10的背面上形成的掩模150中形成的开孔OH中来湿蚀刻玻璃基板10。设置在玻璃基板10上的有机膜12防止蚀刻剂渗入电路层14。即，有机膜12可以用作蚀刻阻止层。氢氟酸基蚀刻剂可用作蚀刻剂，但不限于此。
图8B是示出去除掩模的过程的图。
参考图8B，在玻璃基板10被蚀刻并分离成多个子基板之后，可以从玻璃基板10去除掩模150。然后，当在偏振片24上形成覆盖窗22时，可以完成显示面板100。即，可以完成显示面板100，其包括在其上形成主显示区域110a的第一基板11a、在其上形成辅显示区域110b的块基板11b-3-b以及在其上形成选通驱动器110g的选通基板11g。
图8C是示出弯曲显示面板的过程的图。
当完成掩模150的去除时，可以通过将显示面板100弯曲而将其加工成所需的形状。显示面板100的弯曲区域可以构成辅显示区域110b。
根据本公开的实施方式的显示面板的玻璃基板10被分割或分离成多个子基板的原因是为了便于弯曲。在弯曲区域中去除一些对弯曲相对不利的由玻璃制成的基板，并且通过使用对弯曲相对有利的有机膜12来执行弯曲。然而，这种结构对于所有的弯曲区域不是必需的。如在稍后描述的实施方式中，玻璃基板本身可以在侧部的弯曲区域中弯曲，并且上述结构可以用于角部的弯曲区域中。
接下来，给出根据本公开的另一实施方式的显示面板的描述。与上述实施方式基本相同的部件由相同的附图标记表示，并且将主要描述不同之处。
图9是示出根据本公开的另一实施方式的显示面板的示图。
参照图9，根据本公开的另一实施方式的显示面板100可包括玻璃基板20。玻璃基板20可以由板状无碱或无碱玻璃制成。玻璃基板20可以包括第一基板21a和第二基板21b。主显示区域110a和一些辅显示区域110b可以形成在第一基板21a上，并且辅显示区域110b可以形成在第二基板21b上。
第一基板21a可以包括主体部分21a-1和突出部分21a-2，主显示区域110a设置在主体部分21a-1中，辅显示区域110b设置在突出部分21a-2中。突出部21a-2是从主体部21a-1的侧表面突出的区域。换言之，第一基板21a可以具有从显示面板20的中央向侧面突出的构造，例如十字形。与上述实施方式的不同之处在于，第一基板21a还可以包括突出部21a-2，并且辅显示区域110b可以形成在第一基板21a上，更具体地，形成在第一基板21a的突出部21a-2上。
第二基板21b可以形成在第一基板21a的彼此相邻的突出部21a-2之间的角部处。第二基板21b可以是与第一基板21a间隔开的基板。间隔开的第一基板21a和第二基板21b可以通过设置在第一基板21a和第二基板21b上的有机膜连接，如下所述。
第二基板21b的结构与参考图3描述的实施方式中的第二-第三基板11b-3的结构基本相同。即，第二基板21b可以包括彼此间隔开的多个块基板。更具体地，块基板可以以具有相同中心的环的形状间隔开。此外，以环的形状间隔开的块基板可以以径向形状分隔开。如上所述，彼此间隔开的块基板可以通过设置在第二基板21b上的有机膜连接。
像素可以设置在块基板上。设置在块基板上的像素的密度可以低于设置在第一基板21a上的像素的密度。此外，对于设置在第一基板21a上的像素，主显示区域110a中的像素数量可以大于辅显示区域110b中的像素数量，但不限于此。
数据驱动器110d可以设置在玻璃基板20的一侧上。数据驱动器110d可以以驱动ICD-IC的形式实现，但不限于此。
图10是根据本公开的另一实施方式的显示装置的截面图。
参照图10，与根据上述实施方式的显示装置不同，在显示装置1的侧部的弯曲中，玻璃基板20，即第一基板21a本身可以弯曲以形成辅显示区域110b。如果使玻璃基板20足够薄，则可以弯曲由玻璃制成的基板。此外，为了使施加到玻璃基板20上的应力最小，可以将玻璃基板20的边缘加工成锥形表面。这将参照图11至图14详细描述。
图11是沿图9中的线II-II'截取的截面图，并且是根据本公开的另一实施方式的显示面板的截面图。
图12是图11所示的楔形基板侧壁部分C的放大图。
参照图11和图12，显示面板100包括玻璃基板20、堆叠在玻璃基板20上的有机膜12以及设置在有机膜12上的电路层14和发光元件层16。玻璃基板20可以包括第一基板21a和第二基板21b。显示面板100还可以包括覆盖电路层14和发光元件层16的封装层18、偏振片24和覆盖窗口22。显示面板100还可以包括设置在封装层18和偏振片24之间的触摸传感器层13。可以在触摸传感器层13上形成触摸传感器和将触摸传感器连接到触摸传感器驱动器的触摸传感器线。
优选地，玻璃基板20具有薄的厚度，例如200μm或更小，使得其可以柔性弯曲。
可以将玻璃基板20的边缘侧壁加工成楔形。玻璃基板20中的两侧相遇的角部的侧壁也可以被加工成楔形。当从玻璃基板20的边缘截面观察时，楔形可以意味着：如图12所示，玻璃基板20的上半厚度部分和下半厚度部分的锥形表面相对于玻璃基板20的厚度中心REF对称，但不限于此，锥形表面可以具有如图13所示的不对称形状。因此，由于上/下对称锥形表面10w，玻璃基板20随着从边缘到侧壁而厚度可以逐渐减小。玻璃基板20的锥形部分突出到电路层14之外，并且玻璃基板20随着朝向玻璃基板20的侧壁的端部而厚度可以减小。
图13到图15是显示玻璃基板的楔形侧壁的各种实例的图。
参考图13，玻璃基板20的侧壁可以包括锥形表面。换句话说，根据实施方式的玻璃基板20的边缘侧壁的厚度在基板的边缘处可以小于在基板的中心处。即，玻璃基板20的边缘的厚度可以与距中心的距离成反比。基板的边缘侧壁的形状可以以如图13所示的实施方式中的各种方式出现。图13所示的实施方式具有相对于玻璃基板20的厚度中心的上下非对称锥形表面。不限于此，锥形表面的形状可以相对于玻璃基板20的厚度中心垂直对称，如图14和图15所示。
参考图14和图15，玻璃基板20的楔形侧壁由相对于玻璃基板20的厚度中心REF垂直对称的锥形表面10w形成。如图15的照片所示，随着玻璃基板20的厚度减小，锥形表面10w的长度L可能增加。换句话说，锥形表面10w的长度L可以与玻璃基板20的厚度成反比。
接下来，给出在玻璃基板上形成锥形表面的工艺的详细描述。
图16是示出玻璃基板的蚀刻工艺的图，并且是从被翻转的玻璃基板的背面观察的图。
参照图16，掩模150可设置在玻璃基板20的一个表面上，用作蚀刻阻止层的有机膜12可设置在玻璃基板20的另一表面上。电路层、有机发光层等设置在有机膜12上，但是为了便于描述，省略了它们。掩模150可以包括将玻璃暴露于蚀刻剂的开孔OH。玻璃图案的形状、厚度和间距可以根据开孔OH的形状和间距以及蚀刻工艺时间来确定。可在蚀刻工艺之后移除掩模150。
在一个实施方式中，可以通过将蚀刻剂喷射到结合有掩模150的玻璃基板20上，或者通过用浸渍方法将玻璃基板20放入包含蚀刻剂的水箱中来蚀刻玻璃基板20。
玻璃蚀刻剂通过掩模150的开孔OH供应到玻璃基板20。暴露于掩模150的开孔OH的玻璃基板20开始响应于玻璃蚀刻剂而被蚀刻，如图16的部分(a)所示。对暴露于蚀刻剂的玻璃进行蚀刻，并且如图16的部分(b)所示，在玻璃基板20中开始形成凹槽，并且随着蚀刻工艺的时间流逝，如图16的部分(c)所示，凹槽的深度增加。如图16的部分(d)和(e)所示，当在蚀刻工艺中进一步经过蚀刻工艺时间时，蚀刻剂可以渗透到玻璃基板20和有机膜12之间以及玻璃基板20和掩模150之间，从而在玻璃基板20的侧壁处形成锥形表面。
随着蚀刻工艺时间的增加，在暴露于蚀刻剂的玻璃基板20的边缘处开始形成锥形表面，并且随着工艺时间的进一步增加，锥形表面变得更长。在蚀刻工艺中，当玻璃基板20的下表面暴露于蚀刻剂时，玻璃基板10的厚度减小且锥形表面变长。当玻璃基板厚度和截面的楔形达到设计值时，停止蚀刻过程。
图17是示出根据本公开的实施方式的显示面板的示例的框图。
该实施方式可以包括主显示区域110a和小于主显示区域110a的辅显示区域110b。主显示区域110a和辅显示区域110b包括在其上再现图像的屏幕的像素阵列。选通驱动器110g包括用于向选通线提供选通脉冲的选通驱动电路G。数据驱动器110d包括用于向数据线提供数据脉冲的数据驱动电路D。主显示区域110a可以是在其上显示主要信息的主显示器，而辅显示区域110b可以是在其上显示辅助信息的子显示器。主显示区域110a可以是位于前中央的显示器，而辅显示区域110b是位于侧表面的显示器，并且可以设置在主显示区域110a的侧面上。辅显示区域110b可以包括弯曲显示器。此外，辅显示区域110b可以是位于主显示区域110b的边缘(即角)处的子显示器。在这种情况下，辅显示区域110b可以包括弯曲的显示器，并且可以是被弯曲以适合显示装置的边缘的形状的显示区域。
主显示区域110a可以形成在位于显示面板100中央的第一基板11a上。辅显示区域110b可以形成在第二基板11b上，第二基板11b设置在第一基板11a的外围并包括多个子基板。更具体地，第二基板11b可以包括作为彼此间隔开的子基板的第二-第一基板至第二-第三基板11b-1、11b-2和11b-3，第二-第一基板至第二-第三基板11b-1、11b-2和11b-3可以各自包括第二-第一块基板至第二-第三块基板11b-1-b、11b-2-b和11b-3-b，并且辅显示区域110b可以形成在这些子基板上。
其上将要形成选通驱动器110g的选通基板11g可以设置在第二基板11b的一个侧表面上。选通驱动电路G可以形成在选通基板11g上。
数据驱动器110d可以形成在第二基板11b的另一侧表面上。数据驱动器110d可以包括数据驱动电路，并且可以以驱动IC D-IC的形式实现，但不限于此。
显示面板100的像素阵列可以包括数据线DL、与数据线DL交叉的选通线GL以及以由数据线DL和选通线GL限定的矩阵形式排列的子像素SP。子像素SP可以通过数据线DL连接到数据驱动器110d，并且可以通过选通线GL连接到选通驱动器110g。显示面板100的这种结构包括上述实施方式，电路层和发光元件层堆叠在玻璃基板上。发光元件层包括像素电路的发光元件。
图18是示出根据本公开的另一实施方式的显示面板的示例的框图。在这点上，主要描述与上述实施方式相比的差别。
如上所述，根据本公开的另一实施方式的显示面板100可以包括第一基板21a和第二基板21b，主显示区域110a和一些辅显示区域110b设置在第一基板21a上，角部的辅显示区域110b设置在第二基板21b上。与上述实施方式不同，由于形成在第一基板21a上的辅显示区域110b通过弯曲玻璃基板20本身来实现，因此不需要具有其上形成主显示区域110a的基板和其上形成辅显示区域110b的基板间隔开的结构。
形成在第二基板21b上的辅显示区域110b可以包括多个分离的块基板21b-b，其被弯曲以实现弯曲显示。块基板21b-b的形状和设置在块基板21b-b上的像素图案与图3中的第二-第三块基板11b-3-b的形状和像素图案基本相同。
其上将要形成选通驱动器110g的选通基板11g可以设置在第一基板21a和第二基板21b一侧的外部区域中。选通驱动电路G可以形成在选通基板11g上。
数据驱动器110d可以形成在第一基板21a的另一侧上的外部区域中。数据驱动器110d可以包括数据驱动电路，并且可以以驱动IC D-IC的形式实现，但不限于此。
显示面板100的像素阵列可以包括数据线DL、与数据线DL交叉的选通线GL以及以由数据线DL和选通线GL限定的矩阵形式排列的子像素SP。子像素SP可以通过数据线DL连接到数据驱动器110d，并且可以通过选通线GL连接到选通驱动器110g。
每个像素P包括具有不同颜色的子像素以实现颜色。子像素包括红色子像素(以下称为“R子像素”)、绿色子像素(以下称为“G子像素”)和蓝色子像素(以下称为“B子像素”)。尽管未示出，但是每个像素P还可以包括白色子像素。在以下描述中，除非另外定义，否则术语“像素”可被解释为“子像素”。每个子像素可以包括像素电路。
像素电路可以包括发光元件、向发光元件提供电流的驱动元件、用于对驱动元件的导通状态进行编程并切换驱动元件和发光元件之间的电流路径的多个开关元件以及保持驱动元件的选通电压的电容器。
显示面板驱动器将输入图像的像素数据写入像素P。显示面板驱动器包括向数据线DL提供像素数据的数据电压的数据驱动器110d，以及向选通线GL顺序提供选通脉冲的选通驱动器110g。数据驱动器110d可以集成在驱动IC D-IC中。
图19是示出驱动IC的配置的示意性框图。
驱动IC D-IC可以粘附到显示面板100。驱动IC D-IC从主机系统200接收输入图像的像素数据和定时信号，将像素数据的数据电压提供给像素，并使数据驱动器110d和选通驱动器110g同步。
驱动IC D-IC通过数据输出通道连接到数据线DL1到DL6，并向数据线提供数据信号的电压。驱动IC D-IC可以通过选通定时信号输出通道输出用于控制选通驱动器110g的选通定时信号。从定时控制器303产生的选通定时信号可以包括启动脉冲(选通启动脉冲，VST)、移位时钟(选通移位时钟，CLK)等。启动脉冲VST和移位时钟CLK在选通导通电压VGL和选通截止电压VGH之间摆动。从电平移位器307输出的选通定时信号(VST，CLK)被施加到选通驱动器110g，并控制选通驱动器110g的移位操作。
选通驱动器110g可以包括与像素阵列一起形成在显示面板100的电路层上的移位寄存器。选通驱动器110g的移位寄存器在定时控制器30的控制下依次向选通线GL提供选通信号。选通信号可以包括发光信号的扫描脉冲和EM脉冲。移位寄存器可以包括输出扫描脉冲的扫描驱动器和输出EM脉冲的EM驱动器。在图19中，GVST和GCLK是输入到扫描驱动器的选通定时信号。EVST和ECLK是输入到EM驱动器的选通定时信号。
驱动IC D-IC可以连接到主机系统200、第一存储器301和显示面板100。驱动IC D-IC可以包括数据接收和计算单元308、定时控制器303、数据驱动器306、伽马补偿电压发生器305、电源304、第二存储器302等。
数据接收和计算单元308包括用于从主机系统200接收作为数字信号输入的像素数据的接收单元，以及处理通过接收单元输入的像素数据以提高图像质量的数据操作单元。数据操作单元可以包括：数据恢复单元，对压缩的像素数据进行解码和恢复；以及光学补偿单元，将预设光学补偿值添加到像素数据。光学补偿值可以被设置为用于基于相对于在制造工艺中捕获的相机图像的屏幕的测量亮度来校正每个像素数据的亮度的值。
定时控制器303将从主机系统200接收的输入图像的像素数据提供给数据驱动器306。定时控制器303生成用于控制选通驱动器110g的选通定时信号和用于控制数据驱动器306的源定时信号，从而控制选通驱动器110g和数据驱动器306的操作定时。
数据驱动器306通过数模转换器(以下称为“DAC”)将从定时控制器303接收的像素数据(数字信号)转换为伽马补偿电压，以输出数据信号DATA1至DATA6的电压(以下称为“数据电压”)。从数据驱动器306输出的数据电压通过连接到驱动IC D-IC的数据通道的输出缓冲器(源AMP)提供给像素阵列的数据线DL1到DL6。
伽马补偿电压发生器305通过分压器电路对来自电源304的伽马参考电压进行分压，以生成用于每个灰度级的伽马补偿电压。伽马补偿电压是模拟电压，其中为像素数据的每个灰度级设置电压。从伽马补偿电压发生器305输出的伽马补偿电压被提供给数据驱动器306。
电源304通过使用DC-DC转换器产生驱动显示面板100的像素阵列、选通驱动器110g和驱动IC D-IC所需的电力。DC-DC转换器可以包括电荷泵、调节器、降压转换器、升压转换器等。电源304可以调整来自主机系统200的DC输入电压以产生DC功率，例如伽马参考电压、选通导通电压VGL、选通截止电压VGH、像素驱动电压ELVDD、低电位功率电压ELVSS或初始化电压Vini。将伽马参考电压提供给伽马补偿电压发生器305。选通导通电压VGL和选通截止电压VGH被提供给电平移动器307和选通驱动器110g。诸如像素驱动电压ELVDD、低电位电源电压ELVSS或初始化电压Vini的像素电源共同提供给像素P。初始化电压Vini被设置为低于像素驱动电压ELVDD并且低于发光元件OLED的阈值电压的DC电压，抑制发光元件OLED的发光。
第二存储器302存储当向驱动IC D-IC供电时从第一存储器301接收的补偿值、寄存器设置数据等。补偿值可以应用于各种算法已改善图像质量。补偿值可以包括光学补偿值。寄存器设置数据限定数据驱动器306、定时控制器303、伽马补偿电压发生器305等的操作。第一存储器301可以包括闪存。第二存储器302可以包括静态RAM(SRAM)。
主机系统200可以用应用处理器(AP)来实现。主机系统200可以通过移动工业处理器接口(MIPI)将输入图像的像素数据发送到驱动IC D-IC。主机系统200可以通过例如柔性印刷电路(FPC)连接到驱动IC D-IC。
在根据本公开的显示装置中，像素电路和选通驱动器可以包括多个晶体管。晶体管可以用包括氧化物半导体的氧化物薄膜晶体管(氧化物TFT)和包括LTPS的低温多晶硅(LTPS)TFT来实现。每个晶体管可以用p沟道TFT或n沟道TFT实现。在该实施方式中，像素电路的晶体管主要被描述为用p沟道TFT实现，但本公开不限于此。
晶体管是包括栅极、源极和漏极的三电极元件。源极是向晶体管提供载流子的电极。在晶体管内，载流子从源极开始流动。漏极是载流子通过其从晶体管离开的电极。在晶体管中，载流子从源极流到漏极。在n沟道晶体管的情况下，当载流子是电子时，源极电压具有低于漏极电压的电压，使得电子可以从源极流到漏极。在n沟道晶体管中，电流在从漏极到源极的方向上流动。在p沟道晶体管(PMOS)的情况下，当载流子是空穴时，源极电压高于漏极电压，使得空穴可以从源极流到漏极。在p沟道晶体管中，当空穴从源极流到漏极时，电流从源极流到漏极。应当注意，晶体管的源极和漏极不是固定的。例如，可以根据施加的电压改变源极和漏极。因此，本发明不限制晶体管的源极和漏极。在下面的描述中，晶体管的源极和漏极将被称为第一电极和第二电极。
选通脉冲在选通导通电压和选通截止电压之间摆动。选通导通电压被设置为高于晶体管的阈值电压的电压，选通截止电压被设置为低于晶体管的阈值电压的电压。晶体管响应于选通导通电压而导通，但是它响应于选通截止电压而截止。在n沟道晶体管的情况下，选通导通电压可以是选通高电压VGH，选通截止电压可以是选通低电压VGL。在p沟道晶体管的情况下，选通导通电压可以是选通低电压VGL，选通截止电压可以是选通高电压VGH。
每个像素中的驱动元件可以用晶体管实现。驱动元件应该在所有像素之间具有均匀的电特性，但是由于工艺变化和元件特性的变化，像素之间可能存在差异，并且可能根据显示驱动时间的流逝而改变。为了补偿驱动元件的电特性的变化，显示装置可以包括内部补偿电路和外部补偿电路。内部补偿电路被添加到每个子像素处的像素电路，并且对根据驱动元件的电特性而变化的阈值电压Vth和/或驱动元件的迁移率μ进行采样，并且实时地补偿该变化。外部补偿电路将通过连接到每个子像素的读出线读出的驱动元件的阈值电压和/或迁移率传送到外部补偿单元。外部补偿电路的补偿单元通过考虑感测结果调制输入图像的像素数据来补偿驱动元件的电特性的变化。外部补偿电路感测根据驱动元件的电特性而变化的像素的电压，并基于所感测的电压来调制外部电路中的输入图像的数据，从而补偿像素之间的驱动元件的电特性的变化。
图20是示出像素电路的示例的电路图。图21是示出驱动图20所示的像素电路的方法的图。适用于本公开的像素电路不限于图20和图21。
参照图20和图21，像素电路包括发光元件OLED、用于向发光元件OLED提供电流的驱动元件DT以及内部补偿电路，该内部补偿电路通过使用多个开关元件M1至M6对驱动元件DT的阈值电压Vth进行采样，并补偿与驱动元件DT的阈值电压Vth相等的驱动元件DT的选通电压。驱动元件DT和开关元件M1至M6中的每一个可以用p沟道TFT来实现。
可以将使用内部补偿电路的像素电路的驱动周期划分为初始化周期Tin1、采样周期Tsam、数据写入周期(Twr)和发光周期Tem。
在初始化周期Tini期间，第N-1扫描信号SCAN(N-1)被生成为选通导通电压VGL的脉冲，并且第N扫描信号SCAN(N)和发光信号EM(N)中的每一个的电压是选通截止电压VGH。在采样周期Tsam期间，第N扫描信号SCAN(N)被生成为选通导通电压VGL的脉冲，并且第N-1扫描信号SCAN(N-1)和发光信号EM(N)的电压是选通截止电压VGH。在数据写入周期Twr期间，第N-1扫描信号SCAN(N-1)、第N扫描信号SCAN(N)和发光信号EM(N)中的每一个的电压是选通截止电压VGH。在发光周期Tem的至少一些期间，发光信号EM(N)被生成为选通导通电压VGL，并且第N-1扫描信号SCAN(N-1)和第N扫描信号SCAN(N)中的每一个的电压被生成为选通截止电压VGH。
在初始化周期Tini期间，根据第N-1扫描信号SCAN(N-1)的选通导通电压VGL导通第五开关元件M5和第六开关元件M6，初始化像素电路。在采样周期Tsam期间，第一开关元件M1和第二开关元件M2根据第N扫描信号SCAN(N)的选通导通电压VGL导通，并且驱动元件DT的阈值电压被采样并存储在电容器Cst中。在数据写入周期Twr期间，第一开关元件M1至第六开关元件M6保持在截止状态。在发光周期Tem期间，第三开关元件M3和第四开关元件M4导通，并且发光元件OLED发光。在发光周期Tem期间，为了用发光信号EM(N)的占空比精确地表示低灰度的亮度，发光信号EM(N)在选通导通低电压VGL和选通截止电压VGH之间以预定占空比摆动，使得第三开关元件M3和第四开关元件M4可以反复地导通和截止。发光元件OLED可以用有机发光二极管或无机发光二极管来实现。在下文中，给出了其中发光元件OLED用有机发光二极管实现的实例的描述。
发光元件OLED可以包括在阳极和阴极之间形成的有机化合物层。有机化合物层可包括但不限于空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。当向OLED的阳极和阴极施加电压时，穿过空穴传输层(HTL)的空穴和穿过电子传输层(ETL)的电子移动到发光层(EML)以形成激子，使得从发光层(EML)发射可见光。
发光元件OLED的阳极连接到第四开关元件M4和第六开关元件M6之间的第四节点n4。第四节点n4连接到发光元件OLED的阳极、第四开关元件M4的第二电极和第六开关元件M6的第二电极。发光元件OLED的阴极连接到VSS电极PL3，低电位电源电压VSS施加到VSS电极PL3。发光元件OLED发射具有根据驱动元件DT的栅极-源极电压Vgs流动的电流Ids的光。发光元件OLED的电流路径由第三开关元件M3和第四开关元件M4切换。
存储电容器Cst连接在VDD线PL1和第一节点n1之间。补偿了驱动元件DT的阈值电压Vth的数据电压Vdata在存储电容器Cst中被充电。由于在每个子像素处补偿与驱动元件DT的阈值电压Vth相等的数据电压Vdata，所以在子像素处补偿了驱动元件DT的特性变化。
第一开关元件M1响应于第N扫描脉冲SCAN(N)的选通导通电压VGL而导通，从而连接第二节点n2和第三节点n3。第二节点n2连接到驱动元件DT的栅极、存储电容器Cst的第一电极和第一开关元件M1的第一电极。第三节点n3连接到驱动元件DT的第二电极、第一开关元件M1的第二电极和第四开关元件M4的第一电极。第一开关元件M1的栅极连接到第一选通线GL1以接收第N扫描脉冲SCAN(N)。第一开关元件M1的第一电极连接到第二节点n2，第一开关元件M1的第二电极连接到第三节点n3。
第二开关元件M2响应于第N扫描脉冲SCAN(N)的选通导通电压VGL而导通，从而向第一节点n1提供数据电压Vdata。第二开关元件M2的栅极连接到第一选通线GL1以接收第N扫描脉冲SCAN(N)。第二开关元件M2的第一电极连接到第一节点n1。第二开关元件M2的第二电极连接到施加数据电压Vdata的数据线DL。第一节点n1连接到第二开关元件M2的第一电极、第三开关元件M3的第二电极和驱动元件DT的第一电极。
第三开关元件M3响应于发光信号EM(N)的选通导通电压VGL而导通，从而将VDD线PL1连接到第一节点n1。第三开关元件M3的栅极连接到第三选通线GL3以接收发光信号EM(N)。第三开关元件M3的第一电极连接到VDD线PL1。第三开关元件M3的第二电极连接到第一节点n1。
第四开关元件M4响应于发光信号EM(N)的选通导通电压VGL而导通，从而将第三节点n3连接到发光元件OLED的阳极。第四开关元件M4的栅极连接到第三选通线GL3以接收发光信号EM(N)。第四开关元件M4的第一电极连接到第三节点n3，第二电极连接到第四节点n4。
第五开关元件M5响应于第N-1扫描脉冲SCAN(N-1)的选通导通电压VGL而导通，从而将第二节点n2连接到Vini线PL2。第五开关元件M5的栅极连接到第二选通线GL2以接收第N-1扫描脉冲SCAN(N-1)。第五开关元件M5的第一电极连接到第二节点n2，并且第二电极连接到Vini线PL2。
第六开关元件M6响应于第N-1扫描脉冲SCAN(N-1)的选通导通电压VGL而导通，从而将Vini线PL2连接到第四节点n4。第六开关元件M6的栅极连接到第二选通线GL2以接收第N-1个扫描脉冲SCAN(N-1)。第六开关元件M6的第一电极连接到Vini线PL2，第二电极连接到第四节点n4。
驱动元件DT通过根据栅极-源极电压Vgs调节流过发光元件OLED的电流来驱动发光元件OLED。驱动元件DT包括连接到第二节点n2的栅极、连接到第一节点n1的第一电极以及连接到第三节点n3的第二电极。
在初始化周期Tini期间，产生第N-1扫描脉冲SCAN(N-1)作为选通导通电压VGL。第N扫描脉冲SCAN(N)和发光信号EM(N)在初始化周期Tini期间保持选通截止电压VGH。因此，第五开关元件M5和第六开关元件M6在初始化周期Tini期间导通，使得第二节点n2和第四节点n4被初始化为Vini。保持周期Th可以被配置在初始化周期Tin1和采样周期Tsam之间。在保持周期Th中，选通脉冲SCAN(N-1)、SCAN(N)和EM(N)保持先前的状态。
在采样周期Tsam期间，生成第N扫描脉冲SCAN(N)作为选通导通电压VGL。第N扫描脉冲SCAN(N)的脉冲与第N像素线的数据电压Vdata同步。第N-1扫描脉冲SCAN(N-1)和发光信号EM(N)在采样周期Tsam期间保持选通截止电压VGH。因此，第一开关元件M1和第二开关元件M2在采样周期Tsam期间导通。
在采样周期Tsam期间，驱动元件DT的栅极电压DTG由流过第一开关元件M1和第二开关元件M2的电流增加。由于当第一开关元件M1截止时驱动元件DT截止，所以栅极节点电压DTG为Vdata-|Vth|。此时，第一节点n的电压也是Vdata-|Vth|。在采样周期Tsam期间，驱动元件DT的栅极-源极电压Vgs为：|Vgs|＝Vdata-(Vdata-|Vth|)＝|Vth|。
在数据写入周期Twr期间，第N扫描脉冲SCAN(N)被反转为选通截止电压VGH。第N-1扫描脉冲SCAN(N-1)和发光信号EM(N)在数据写入周期Twr期间保持选通截止电压VGH。因此，在数据写入周期Twr期间，所有开关元件M1至M6保持在截止状态。
在发光周期Tem期间，可以生成发光信号EM(N)作为选通截止电压VGH。在发光周期Tem期间，为了改善低灰度表现，发光信号EM(N)可以以预置占空比接通和断开，并且在选通接通电压VGL和选通截止电压VGH之间摆动。因此，发光信号EM(N)可以在至少某发光周期Tem期间生成为选通导通电压VGL。
当发光信号EM(N)处于选通导通电压VGL时，电流在ELVDD和发光元件OLED之间流动，使得发光元件OLED可以发光。在发光周期Tem期间，第N-1扫描脉冲SCAN(N-1)和第N扫描脉冲SCAN(N)维持选通截止电压VGH。在发光周期Tem期间，根据发光信号EM的电压反复地导通和截止第三开关元件M3和第四开关元件M4。当发光信号EM(N)处于选通导通电压VGL时，第三开关元件M3和第四开关元件M4导通，使得电流流过发光元件OLED。在此，驱动元件DT的Vgs为：|Vgs|＝ELVDD-(Vdata-|Vth|)，并且流过发光元件OLED的电流为K(ELVDD-Vdata)2，其中，K是根据驱动元件DT的电荷迁移率、寄生电容和沟道容量确定的常数值。
图22是详细示出根据本公开的实施方式的显示面板的截面的截面图。应当注意，图22所示的显示面板100的横截面结构仅是示例性的，并且本发明不限于此。
参照图22，电路层、发光元件层、封装层等可如上所述堆叠在玻璃基板GLS上。
第一缓冲层BUF1可以形成在玻璃基板GLS上。第一金属层LC可以形成在第一缓冲层BUF1上，第二缓冲层BUF2可以形成在第一金属层LS上。第一缓冲层BUF1和第二缓冲层BUF2中的每一个可以由无机绝缘材料制成，并且可以由一个或多个绝缘层组成。第一金属层LS设置在TFT之下，并且可以包括阻挡照射到TFT的半导体沟道层的光的金属图案。
可以在第一缓冲层BUF2上形成有源层ACT。有源层ACT包括用于像素电路的每个TFT和选通驱动器的TFT的半导体图案。当利用氧化物TFT实现TFT时，半导体图案可以包括氧化铟镓锌(IGZO)。
可以在有源层ACT上形成栅极绝缘膜GI。栅极绝缘膜G1是由无机绝缘材料制成的绝缘层。可以在栅极绝缘膜G1上形成第二金属层GATE。第二金属层GATE可以包括TFT的栅极和连接到栅极的选通线。
第一层间绝缘膜ILD1可以覆盖第二金属层GATE。第三金属层TM可以形成在第一层间绝缘膜ILD1上，第二层间绝缘膜ILD2可以覆盖第三金属层TM。像素电路的电容器Cst可以形成在第二金属层GATE、第一层间绝缘膜ILD1和第三金属层TM交叠的部分。第一层间绝缘膜ILD1和第二层间绝缘膜ILD2可以包括无机绝缘材料。
第四金属层SD1可以形成在第二层间绝缘膜ILD2上，并且第一无机绝缘膜PAS1和第一平坦化层PLN1可以堆叠在其上。第五金属层SD2可以形成在第一平坦化层PLN1上。第二平坦化层PLN2可以堆叠在第一平坦化层PLN1上以覆盖第五金属层SD2。第五金属层SD2可以通过穿透第一平坦化层PLN1和第一无机绝缘膜PAS1的接触孔连接到第四金属层SD1。第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2由使表面平坦化的有机绝缘材料制成。
第四金属层SD1可以包括通过穿透第二层间绝缘膜ILD2的接触孔连接到TFT的半导体图案的TFT的第一电极和第二电极。数据线DL和电源线PL1和PL2可以通过图案化第四金属层SD1或第五金属层SD2来实现。
发光元件OLED的阳极AND可以形成在第二平坦化层PLN2上。阳极AND可以通过穿透第二平坦化层PLN2的接触孔连接到用作开关元件或驱动元件的TFT的电极。阳极AND可以由透明或半透明的电极材料制成。
像素限定膜BNK可以覆盖发光元件OLED的阳极电极AND。像素限定膜BNK形成为限定发光区域(或开口区域)的图案，光通过该发光区域(或开口区域)从每个像素传到外部。可以在像素限定膜BNK上形成间隔物SPC。像素限定膜BNK和间隔物SPC可以与相同的有机绝缘材料集成。隔离物SPC确保精细金属掩模(FMM)和阳极电极AND之间的间隙，使得FMM在有机化合物EL的沉积过程中不接触阳极电极AND。
在由像素限定膜BNK限定的每个像素的发光区域中形成有机化合物EL。发光元件OLED的阴极CAT形成在显示面板100的整个表面上，以便覆盖像素限定膜BNK、间隔物SPC和有机化合物EL。阴极CAT可以连接到由任何一个下金属层形成的VSS电极PL3。覆盖层CPL可以覆盖阴极CAT。覆盖层CPL由无机绝缘材料形成，并且通过阻挡空气的渗透和应用于覆盖层CPL上的有机绝缘材料的放气来保护阴极电极CAT。第二无机绝缘膜PAS2可以覆盖覆盖层CPL，并且平坦化层PCL可以形成在第二无机绝缘膜PAS2上。平坦化层PCL可以包括有机绝缘材料。可以在平坦化层PCL上形成第三无机绝缘膜PAS3。
应当注意，本公开的实施方式可以独立地或组合地应用。
由于说明书中描述为要解决的问题、问题解决方案和效果的内容，没有具体指定权利要求的基本特征，因此权利要求的范围不受说明书内容中描述的事项的限制。

Claims (20)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：
第一基板，在所述第一基板上设置有主显示区域；
至少一个第二基板，在所述至少一个第二基板上设置有小于所述主显示区域的辅显示区域；以及
有机膜，所述有机膜连接所述第一基板和所述第二基板，
其中，所述至少一个第二基板包括彼此间隔开的多个块基板，
其中，所述多个块基板通过所述有机膜连接，并且
其中，所述多个块基板中的每一个包括所述辅显示区域的像素。
2.根据权利要求1的所述显示面板，其中，
所述至少一个第二基板包括：
第一子基板，所述第一子基板通过所述有机膜连接到所述第一基板的长边；
第二子基板，所述第二子基板通过所述有机膜连接到所述第一基板的短边；以及
第三子基板，所述第三子基板与所述第一基板的长边和短边相接的角部连接，并且
其中，所述第一子基板包括在远离所述第一基板的方向上间隔开的多个第一块基板，
其中，所述第二子基板包括在远离所述第一基板的方向上间隔开的多个第二块基板，并且
其中，所述第三子基板包括以具有同一中心的环的形状间隔开的多个第三块基板。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述多个第三块基板以径向形式间隔开。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述有机膜连接所述多个第一块基板、所述多个第二块基板和所述多个第三块基板。
5.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括设置在所述第一基板上的第一像素和设置在所述至少一个第二基板上的第二像素，并且其中，所述第一像素的像素密度高于所述第二像素的像素密度。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述第一基板的每英寸像素PPI高于所述至少一个第二基板的PPI。
7.根据权利要求3所述的显示面板，其中，当所述第一基板和所述多个第三块基板位于同一平面上时，所述多个第三块基板的尺寸随着距所述第一基板的距离的增加而增加。
8.根据权利要求3所述的显示面板，其中，当所述第一基板和所述多个第三块基板位于同一平面上时，彼此相邻的第三块基板之间的间隙随着距所述第一基板的距离的增加而增加。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其中，随着距所述第一基板的距离增加，设置在所述多个第三块基板上的像素的数量增加。
10.根据权利要求2所述的显示面板，所述显示面板还包括：
驱动基板；以及
设置在所述驱动基板上的选通驱动电路，
其中，所述驱动基板与所述第一子基板和所述第三子基板相邻设置，并通过所述有机膜连接至所述第一子基板和所述第三子基板。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其中，
所述驱动基板包括与所述第一子基板相邻的第一驱动基板和与所述第三子基板相邻的第二驱动基板；以及
所述第一驱动基板和所述第二驱动基板通过有机膜连接。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述第二驱动基板以径向形式间隔开。
13.一种显示面板，所述显示面板包括：
第一基板，所述第一基板包括第一区域和第二区域，在所述第一区域中设置有主显示区域，在所述第二区域中设置有第一辅显示区域，并且所述第一基板分别从所述第一区域的侧面突出；
第二基板，所述第二基板设置在彼此相邻的第二区域之间并且在所述第二基板上设置有第二辅显示区域；以及
有机膜，所述有机膜连接所述第一基板和所述第二基板，
其中，所述第二基板包括彼此间隔开的多个块基板，
其中，所述多个块基板通过所述有机膜连接，
其中，所述多个块基板中的每一个包括所述第二辅显示区域的像素。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述第一基板的边缘侧壁包括楔形的锥形表面，并且所述第一基板的边缘侧壁随着朝向所述边缘侧壁的端部而变得更薄。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述锥形表面相对于所述第一基板的厚度中心对称。
16.根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述锥形表面的长度与所述第一基板的厚度成反比。
17.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述多个块基板以具有同一中心的环的形状间隔开。
18.根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述多个块基板以径向形式间隔开。
19.根据权利要求13所述的显示面板，所述显示面板包括：
驱动基板；以及
设置在所述驱动基板上的选通驱动电路，
其中，所述驱动基板包括：
第一驱动基板，所述第一驱动基板与所述第一基板的所述第一辅显示区域相邻设置；以及
第二驱动基板，所述第二驱动基板与所述第二基板的所述第二辅显示区域相邻设置。
20.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述第一基板的每英寸像素PPI高于所述第二基板的PPI。
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