CN114236922A - 反射式阵列基板及制作方法、反射式显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种反射式阵列基板及制作方法、反射式显示面板，反射式阵列基板包括：衬底；设于衬底上的栅极；覆盖第一金属层的栅极绝缘层；设于栅极绝缘层的源极、漏极以及有源层；设于栅极绝缘层上侧的第一绝缘层，源极、漏极以及有源层设于栅极绝缘层与第一绝缘层之间；设于第一绝缘层上的隔垫块，隔垫块和漏极在衬底上的投影完全错开；覆盖隔垫块的反射金属层；设于反射金属层上的像素电极，像素电极与漏极导电连接；设于透明电极层上侧的平坦层。通过将像素电极设于平坦层的下侧，从而无需在漏极处对平坦层进行开口，避免对平坦层进行烘烤固化时析出的不明物质氧化和腐蚀漏极，减小像素电极的爬坡高度差，避免像素电极出现断裂，导通性更好。

Description

反射式阵列基板及制作方法、反射式显示面板
技术领域
本发明涉及显示器技术领域，特别是涉及一种反射式阵列基板及制作方法、反射式显示面板。
背景技术
显示面板具有轻薄、耐用及符合节能环保的低耗电等优点，电子纸显示器成为符合大众需求的一种显示器，电子纸显示器可利用外界的光源来显示影像，不像液晶显示器需要背光源，所以在户外阳光强烈的环境下，仍然可清楚地看到电子纸上的资讯，而无视角的问题，且电子纸显示器因其省电、高反射率和对比率等优点，现已广泛运用于电子阅读器(如电子书、电子报纸)或其它电子元件(如价格标签)。
现有产品中，电子纸显示器的阵列基板上通常设有反射层，通过反射层反射环境光来实现画面显示，为了实现较好的反射效果，通过将反射层做成凹凸不平的结构，以实现漫反射。现有技术中先在反射层的下侧制作凹凸不平的隔垫块，隔垫块通常采用与平坦层相同的材质，厚度较厚。由于阵列基板还需要在反射层的上方设置像素电极，因此还需要设置一层平坦层，由于具有多层平坦层，会导致接触孔的深度太深，像素电极在接触孔处容易出现断裂，导致像素电极和漏极不能导通或者导通不良。而且，平坦层在开孔并加热固化时，会析出一种不明物质，由于此时没有绝缘层(PV)保护，不明物质落在接触孔处漏极表面，使漏极被氧化、腐蚀，导致像素电极和漏极不能导通或者导通不良。
发明内容
为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本发明的目的在于提供一种反射式阵列基板及制作方法、反射式显示面板，以解决现有技术中反射式显示面板存在像素电极和漏极不能导通或者导通不良的问题。
本发明的目的通过下述技术方案实现：
本发明提供一种反射式阵列基板，包括：
衬底；
设于所述衬底上表面的第一金属层，所述第一金属层包括扫描线和栅极，所述栅极与所述扫描线导电连接；
覆盖所述第一金属层的栅极绝缘层；
设于所述栅极绝缘层上侧的半导体层和第二金属层，所述第二金属层包括数据线、源极和漏极，所述源极与所述数据线导电连接，所述半导体层包括连接所述源极和所述漏极的有源层；
设于所述栅极绝缘层上侧的第一绝缘层，所述半导体层和所述第二金属层设于所述栅极绝缘层与所述第一绝缘层之间；
设于所述第一绝缘层上表面的隔垫层，所述隔垫层包括隔垫块，所述隔垫块和所述漏极在所述衬底上的投影完全错开，所述隔垫块远离所述第一绝缘层的表面为凹凸不平的结构；
覆盖所述隔垫块的反射金属层，所述反射金属层包括反射块，所述反射块为凹凸不平的结构；
设于所述反射金属层上侧的透明电极层，所述透明电极层包括像素电极，所述像素电极与所述漏极导电连接；
设于所述透明电极层上侧的平坦层。
进一步地，所述第一金属层还包括第一电容极板，所述第二金属层还包括与所述第一电容极板配合的第二电容极板，所述第二电容极板与所述漏极导电连接，所述第一电容极板与所述第二电容极板共同形成存储电容。
进一步地，所述反射金属层和所述透明电极层之间设有第二绝缘层，所述第二绝缘层将所述反射块和所述像素电极间隔开，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层设有第一接触孔，所述第一接触孔贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，所述第一接触孔与所述漏极相对应，所述像素电极通过所述第一接触孔与所述漏极导电接触。
进一步地，所述第二金属层还包括位于非显示区的外围走线，所述透明电极层还包括与所述外围走线对应的桥接电极，所述桥接电极与所述外围走线导电连接。
进一步地，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层设有第二接触孔，所述第二接触孔均贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层与所述外围走线相对应，所述桥接电极通过所述第二接触孔与所述外围走线导电接触；所述平坦层设有第三接触孔，所述第三接触孔与所述桥接电极相对应，所述桥接电极从所述第三接触孔处露出。
本发明还提供一种反射式阵列基板的制作方法，所述制作方法用于制作如上所述的反射式阵列基板，所述制作方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成第一金属层，对所述第一金属层进行蚀刻并形成图案化的扫描线和栅极，所述栅极与所述扫描线导电连接；
在所述衬底上形成覆盖所述第一金属层的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层的上侧形成半导体层和第二金属层，对所述第二金属层进行蚀刻并形成图案化的数据线、源极和漏极，所述源极与所述数据线导电连接，对所述半导体层进行蚀刻并形成图案化的有源层，所述有源层连接所述源极和所述漏极；
在所述栅极绝缘层的上侧形成第一绝缘层，所述半导体层和所述第二金属层设于所述栅极绝缘层与所述第一绝缘层之间；
在所述第一绝缘层上形成隔垫层，对所述隔垫层进行蚀刻并形成图案化的隔垫块，所述隔垫块和所述漏极在所述衬底上的投影完全错开，所述隔垫块远离所述第一绝缘层的表面为凹凸不平的结构；
在所述隔垫块上形成反射金属层，对所述反射金属层进行蚀刻并形成图案化的反射块，所述反射块为凹凸不平的结构；
对所述第一绝缘层进行蚀刻并形成对应所述漏极的第一接触孔，所述漏极从所述第一接触孔处露出；
在所述反射金属层的上侧形成透明电极层，对所述透明电极层进行蚀刻并形成图案化的像素电极，所述像素电极通过所述第一接触孔与所述漏极导电连接；
在所述透明电极层的上侧形成平坦层。
进一步地，对所述第一金属层进行蚀刻时，还形成第一电容极板，对所述第二金属层进行蚀刻时，还形成与所述第一电容极板配合的第二电容极板，所述第二电容极板与所述漏极导电连接，所述第一电容极板与所述第二电容极板共同形成存储电容。
进一步地，对所述第二金属层进行蚀刻时，还形成位于非显示区的外围走线，对所述透明电极层进行蚀刻时，还形成与所述外围走线对应的桥接电极，所述桥接电极与所述外围走线导电连接。
进一步地，对所述第一绝缘层进行蚀刻前，所述制作方法还包括：
在所述反射金属层上形成第二绝缘层；
再对所述第一绝缘层和所述第二绝缘层进行蚀刻并形成所述第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔和所述第二接触孔均贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，所述第二接触孔与所述外围走线相对应，所述桥接电极通过所述第二接触孔与所述外围走线导电连接；
对平坦层进行蚀刻并形成与所述桥接电极对应的第三接触孔，所述桥接电极从所述第三接触孔处露出。
本发明还提供一种反射式显示面板，包括如上所述的反射式阵列基板。
本发明有益效果在于：通过将像素电极设于平坦层的下侧，从而无需在漏极处对平坦层进行开口，避免对平坦层进行烘烤固化时析出的不明物质掉落在漏极表面上，导致漏极表面被氧化和腐蚀，使得像素电极与漏极之间不能导通或者导通不良；将像素电极设于平坦层的下侧，还可减小像素电极与漏极在连接处的爬坡高度差，避免像素电极出现断裂，使像素电极与漏极连接更平滑，导通性更好；而且反射式阵列基板上表面的平整性更好，便于液晶分子的配向。另外，将隔垫块和漏极完全错开，避免对隔垫块烘烤固化时析出的不明物质掉落在漏极表面上，而导致漏极表面被氧化和腐蚀，从而进一步增加像素电极和漏极的导通性。
附图说明
图1是本发明中反射式阵列基板的截面示意图；
图2a-2g是本发明中反射式阵列基板的制作方法的制作流程示意图；
图3是本发明中显示面板的截面结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的反射式阵列基板及制作方法、反射式显示面板的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如下：
图1是本发明中反射式阵列基板的截面示意图，图2a-2g是本发明中反射式阵列基板的制作方法的制作流程示意图，图3是本发明中显示面板的截面结构示意图。
如图1所示，本发明提供的一种反射式阵列基板，包括：
衬底10，衬底10可以由玻璃、石英、丙烯酸或聚碳酸酯等材料制成。
设于衬底10上表面的第一金属层11(图2a)，第一金属层11包括扫描线(图未示)和栅极111，栅极111与扫描线导电连接。其中，第一金属层11可以采用铜和钼铌(Cu/MoNb)，或铜和钼(Cu/Mo)，或铜和铝(Cu/Al)等制成。
覆盖第一金属层11的栅极绝缘层101，栅极绝缘层101整面的设置在衬底10上并覆盖栅极111与扫描线，栅极绝缘层101可以采用氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiONx)等制成。
设于栅极绝缘层101上侧的半导体层12(图2b)和第二金属层13(图2c)，第二金属层13包括数据线131、源极132和漏极133，源极132与数据线131导电连接，源极132和漏极133之间相互断开并形成沟道，半导体层12包括连接源极132和漏极133的有源层121。其中，扫描线和数据线131相互绝缘交叉并限定形成多个像素单元。半导体层12采用金属氧化物制成，例如铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)、LnIZO或ITZO等，当然，半导体层12也可采用非晶硅(a-Si)和多晶硅(p-Si)制成。第二金属层13可以采用铜和钼铌(Cu/MoNb)，或铜和钼(Cu/Mo)，或铜和铝(Cu/Al)等制成。本实施例中，半导体层12覆盖于栅极绝缘层101的上表面，第二金属层13覆盖于半导体层12的上表面。当然，在其他实施例中，也可以是第二金属层13覆盖于栅极绝缘层101的上表面，半导体层12覆盖于第二金属层13的上表面。
设于栅极绝缘层101上侧的第一绝缘层102，半导体层12和第二金属层13设于栅极绝缘层101与第一绝缘层102之间。本实施例中，第一绝缘层102覆盖住数据线131、源极132和漏极133。第一绝缘层102可以采用氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiONx)等制成。
设于第一绝缘层102上表面的隔垫层14(图2d)，隔垫层14包括隔垫块141，隔垫块141和漏极133在衬底10上的投影完全错开，隔垫块141远离第一绝缘层102的表面为凹凸不平的结构。本实施例中，隔垫块141具有多个，每个隔垫块141对应一个像素单元。隔垫块141上设有多个凸起结构141a，从而使得隔垫块141远离第一绝缘层102的表面为凹凸不平，凸起结构141a的截面可以为半圆形、三角形以及梯形等。当然，在其他实施例中，隔垫块141也可对应多个像素单元。进一步地，隔垫块141上可设有多个凹槽结构，从而使得隔垫块141远离第一绝缘层102的表面为凹凸不平，凹槽结构的截面可以为半圆形、三角形以及倒梯形等。
覆盖隔垫块141的反射金属层15(图2e)，反射金属层15包括反射块151，反射块151为凹凸不平的结构，通过隔垫块141来给反射块151进行定型，从而使得反射块151为凹凸不平的结构，以实现漫反射。反射块151具有多个，反射块151与隔垫块141一一对应。其中，反射金属层15可以采用反射率较高的Al、Ag等材料制成。
设于反射金属层15上侧的透明电极层16(图2f)，透明电极层16包括像素电极161，像素电极161与像素单元一一对应，像素电极161与漏极133导电连接。透明电极层16可以采用氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等透明金属氧化物制成。
设于透明电极层16上侧的平坦层104。平坦层104与隔垫层14采用相同的材质制成，例如为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiONx)等制成。
本发明通过将像素电极161设于平坦层104的下侧，从而无需在漏极133处对平坦层104进行开口，避免对平坦层104进行烘烤固化时析出的不明物质掉落在漏极133表面上，导致漏极133表面被氧化和腐蚀，使得像素电极161与漏极133之间不能导通或者导通不良。将像素电极161设于平坦层104的下侧，还可减小像素电极161在与漏极133的连接处的爬坡高度差，避免像素电极161出现断裂，使像素电极161与漏极133连接更平滑，导通性更好。而且还可以使得反射式阵列基板上表面的平整性更好，便于液晶分子的配向。另外，将隔垫块141和漏极133完全错开，避免对隔垫块141烘烤固化时析出的不明物质掉落在漏极133表面上，而导致漏极133表面被氧化和腐蚀，从而进一步增加像素电极161和漏极133的导通性。
进一步地，第一金属层11还包括第一电容极板112，第二金属层13还包括与第一电容极板112配合的第二电容极板134，第二电容极板134与漏极133导电连接，第一电容极板112与第二电容极板134共同形成存储电容。从而增加像素电极161的存储电容，像素电极161在充电和保持电压时更稳定。本实施例中，第一电容极板112和第二电容极板134均为覆盖一个像素单元的块状电极。当然，在其他实施例中，第一电容极板112也可以为条状并沿扫描线方向延伸，第一电容极板112可以覆盖一整行像素单元。第一电容极板112类似于公共电极，第二电容极板134作为像素电极161的扩展电极。当然，第一电容极板112也可以为“口”字形并对应于第二电容极板134的外周，在实际应用中，可以根据需要的存储电容大小来调整第一电容极板112与第二电容极板134重叠区域。
进一步地，反射金属层15和透明电极层16之间设有第二绝缘层103，第二绝缘层103将反射块151和像素电极161间隔开，此时相互间隔开的反射块151和隔垫块141可以分别对应多个像素单元。若反射块151和像素电极161相互接触，当反射块151对应两个像素单元时，这两个像素单元的灰阶电压会被干扰，所以没有设置第二绝缘层103时，反射块151需要与像素电极161一一对应。第一绝缘层102和第二绝缘层103设有第一接触孔105，第一接触孔105贯穿第一绝缘层102和第二绝缘层103，第一接触孔105与漏极133相对应，像素电极161通过第一接触孔105与漏极133导电接触。其中，第二绝缘层103可以采用氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiONx)等制成。由于第一绝缘层102和第二绝缘层103较薄，不需要对其加热固化，从而不会析出的不明物质，这样可以避免现有技术中在平坦层进行开孔时出现的影响导通性的问题。而平坦层104与隔垫层14通常较厚，为了加快制成工艺，需要通过加热来加快平坦层104与隔垫层14的固化，平坦层104与隔垫层14在加热固化过程中，会析出的不明物质，不明物质掉落在漏极133上时，会导致漏极133的表面被氧化和腐蚀，影响像素电极161和漏极133的导通性。
进一步地，第二金属层13还包括位于非显示区的外围走线135，透明电极层16还包括与外围走线135对应的桥接电极162，桥接电极162与外围走线135导电连接。外围走线135例如可以为绑定区的一些金属导线(信号输入线)。
进一步地，第一绝缘层102和第二绝缘层103设有第二接触孔106，第二接触孔106均贯穿第一绝缘层102和第二绝缘层103，第二接触孔106与外围走线135相对应，桥接电极162通过第二接触孔106与外围走线135导电接触；平坦层104设有第三接触孔107，第三接触孔107与桥接电极162相对应，桥接电极162从第三接触孔107处露出。通过桥接电极162将第二接触孔106内的外围走线135覆盖住，在对平坦层104加热固化时，避免平坦层104析出的不明物质掉落在外围走线135的表面，而导致外围走线135的表面被氧化和腐蚀，影响绑定效果。由于桥接电极162由透明电极层16制成，不会被平坦层104析出的不明物质氧化和腐蚀。
本实施例中还提供一种反射式阵列基板的制作方法，该制作方法用于制作如上所述的反射式阵列基板。如图2a-2g所示，该制作方法包括：
如图2a所示，提供衬底10，衬底10可以由玻璃、石英、丙烯酸或聚碳酸酯等材料制成。
在衬底10上形成第一金属层11，对第一金属层11进行蚀刻并形成图案化的扫描线(图未示)和栅极111，栅极111与扫描线导电连接。其中，第一金属层11可以采用铜和钼铌(Cu/MoNb)，或铜和钼(Cu/Mo)，或铜和铝(Cu/Al)等制成。
在衬底10上形成覆盖第一金属层11的栅极绝缘层101，栅极绝缘层101整面的设置在衬底10上并覆盖栅极111与扫描线，栅极绝缘层101可以采用氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiONx)等制成。
在栅极绝缘层101的上侧形成半导体层12和第二金属层13，对第二金属层13进行蚀刻并形成图案化的数据线131、源极132和漏极133，源极132与数据线131导电连接，源极132和漏极133之间相互断开并形成沟道，对半导体层12进行蚀刻并形成图案化的有源层121，有源层121连接源极132和漏极133。其中，扫描线和数据线131相互绝缘交叉并限定形成多个像素单元。半导体层12采用金属氧化物制成，例如铟镓锌氧化物(Indium GalliumZinc Oxide，IGZO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)、LnIZO或ITZO等，当然，半导体层12也可采用非晶硅(a-Si)和多晶硅(p-Si)制成。第二金属层13可以采用铜和钼铌(Cu/MoNb)，或铜和钼(Cu/Mo)，或铜和铝(Cu/Al)等制成。
本实施例中，如图2b所示，先在栅极绝缘层101的上表面形成半导体层12，对半导体层12进行蚀刻并形成图案化的有源层121；如图2c所示，再在栅极绝缘层101的上表面形成第二金属层13，第二金属层13覆盖有源层121，对第二金属层13进行蚀刻并形成图案化的数据线131、源极132和漏极133，源极132与数据线131导电连接，源极132和漏极133通过有源层121导电连接。当然，在其他实施例中，也可以先在栅极绝缘层101的上表面形成第二金属层13，对第二金属层13进行蚀刻并形成图案化的数据线131、源极132和漏极133，源极132与数据线131导电连接；再在栅极绝缘层101的上表面形成半导体层12，半导体层12覆盖数据线131、源极132和漏极133，对半导体层12进行蚀刻并形成图案化的有源层121，有源层121连接源极132和漏极133，即可以将有源层121设于源极132和漏极133的上侧。
如图2c所示，在栅极绝缘层101的上侧形成第一绝缘层102，半导体层12和第二金属层13设于栅极绝缘层101与第一绝缘层102之间。本实施例中，第一绝缘层102覆盖住数据线131、源极132和漏极133。第一绝缘层102可以采用氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiONx)等制成。
如图2d所示，在第一绝缘层102上形成隔垫层14，对隔垫层14进行蚀刻并形成图案化的隔垫块141，隔垫块141和漏极133在衬底10上的投影完全错开，隔垫块141远离第一绝缘层102的表面为凹凸不平的结构。本实施例中，隔垫块141具有多个，每个隔垫块141对应一个像素单元。隔垫块141上设有多个凸起结构141a，从而使得隔垫块141远离第一绝缘层102的表面为凹凸不平，凸起结构141a的截面可以为半圆形、三角形以及梯形等。当然，在其他实施例中，隔垫块141也可对应多个像素单元。进一步地，隔垫块141上可设有多个凹槽结构，从而使得隔垫块141远离第一绝缘层102的表面为凹凸不平，凹槽结构的截面可以为半圆形、三角形以及倒梯形等。
如图2e所示，在隔垫块141上形成反射金属层15，对反射金属层15进行蚀刻并形成图案化的反射块151，反射块151为凹凸不平的结构，通过隔垫块141来给反射块151进行定型，从而使得反射块151为凹凸不平的结构，以实现漫反射。反射块151具有多个，反射块151与隔垫块141一一对应。其中，反射金属层15可以采用反射率较高的Al、Ag等材料制成。
如图2e所示，对第一绝缘层102进行蚀刻并形成对应漏极133的第一接触孔105，漏极133从第一接触孔105处露出。
如图2f所示，在反射金属层15的上侧形成透明电极层16，对透明电极层16进行蚀刻并形成图案化的像素电极161，像素电极161与像素单元一一对应，像素电极161通过第一接触孔105与漏极133导电连接。透明电极层16可以采用氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等透明金属氧化物制成。
如图2g所示，在透明电极层16的上侧形成平坦层104。平坦层104与隔垫层14采用相同的材质制成，例如为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiONx)等制成。
进一步地，如图2b和2c所示，对第一金属层11进行蚀刻时，还形成第一电容极板112，对第二金属层13进行蚀刻时，还形成与第一电容极板112配合的第二电容极板134，第二电容极板134与漏极133导电连接，第一电容极板112与第二电容极板134共同形成存储电容。从而增加像素电极161的存储电容，使像素电极161在充电和保持电压时更稳定。本实施例中，第一电容极板112和第二电容极板134均为覆盖一个像素单元的块状电极。当然，在其他实施例中，第一电容极板112也可以为条状并沿扫描线方向延伸，第一电容极板112可以覆盖一整行像素单元。第一电容极板112类似于公共电极，第二电容极板134作为像素电极161的扩展电极。当然，第一电容极板112也可以为“口”字形并对应于第二电容极板134的外周，在实际应用中，可以根据需要的存储电容大小来调整第一电容极板112与第二电容极板134重叠区域。
进一步地，如图2c和2f所示，对第二金属层13进行蚀刻时，还形成位于非显示区的外围走线135，对透明电极层16进行蚀刻时，还形成与外围走线135对应的桥接电极162，桥接电极162与外围走线135导电连接。外围走线135例如可以为绑定区的一些金属导线(信号输入线)。
进一步地，对第一绝缘层102进行蚀刻前，制作方法还包括：
如图2e所示，在反射金属层15上形成第二绝缘层103，第二绝缘层103将反射块151和像素电极161间隔开，从而使得反射块151和隔垫块141可以对应多个像素单元。
对第一绝缘层102和第二绝缘层103进行蚀刻并形成第一接触孔105和第二接触孔106，第一接触孔105和第二接触孔106均贯穿第一绝缘层102和第二绝缘层103，第二接触孔106与外围走线135相对应，桥接电极162通过第二接触孔106与外围走线135导电连接。其中，第二绝缘层103可以采用氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiONx)等制成。由于第一绝缘层102和第二绝缘层103较薄，不需要对其加热固化，从而不会析出的不明物质，这样可以避免现有技术中在平坦层进行开孔时出现的影响导通性的问题。而平坦层104与隔垫层14通常较厚，为了加快制成工艺，需要通过加热来加快平坦层104与隔垫层14的固化，平坦层104与隔垫层14在加热固化过程中，会析出的不明物质，不明物质掉落在漏极133上时，会导致漏极133的表面被氧化和腐蚀，影响像素电极161和漏极133的导通性。
如图2g所示，对平坦层104进行蚀刻并形成与桥接电极162对应的第三接触孔107，桥接电极162从第三接触孔107处露出。通过桥接电极162将第二接触孔106内的外围走线135覆盖住，在对平坦层104加热固化时，避免平坦层104析出的不明物质掉落在外围走线135的表面，而导致外围走线135的表面被氧化和腐蚀，影响绑定效果。由于桥接电极162由透明电极层16制成，不会被平坦层104析出的不明物质氧化和腐蚀。
本实施例中还提供一种反射式显示面板，包括如上所述的反射式阵列基板。反射式显示面板还包括与反射式阵列基板相对设置的对置基板20以及设于反射式阵列基板和对置基板20之间的液晶层30，对置基板20设于反射式阵列基板的上侧。对置基板20上设有上偏光片41，反射式阵列基板上设有下偏光片42，上偏光片41的透光轴与下偏光片42的透光轴相互垂直。
本实施例中，对置基板20上还设有与像素电极161配合的公共电极22，液晶层30中的液晶分子采用正性液晶分子(介电各向异性为正的液晶分子)，在初始状态时，正性液晶分子处于平躺姿态，靠近对置基板20的正性液晶分子的配向方向与靠近反射式阵列基板的正性液晶分子的配向方向相垂直，从而使得反射式显示面板形成TN型显示装置。可以理解地是，反射式阵列基板和对置基板20在朝向液晶层30的一层还设有配向层，从而对液晶层30中的正性液晶分子进行配向。当然，在其他实施例中，公共电极22也可设于反射式阵列基板上，靠近对置基板20的正性液晶分子的配向方向与靠近反射式阵列基板的正性液晶分子的配向方向相平行，从而形成边缘场开关模式(Fringe Field Switching，FFS)或面内切换模式(In-Plane Switching，IPS)。
对置基板20上还设有黑矩阵21，黑矩阵21与扫描线111、数据线131、薄膜晶体管以及外围非显示区相对应。本实施例中，对置基板20上对应像素单元的区域为透明状态，即对置基板20对应像素单元的区域通过平坦层填充，从而使反射式显示面板实现黑白显示，以充当电子纸使用。当然，在其他实施例中，对置基板20上也可设置色阻层，黑矩阵21将多个色阻层间隔开，色阻层包括红(R)、绿(G)、蓝(B)三色的色阻材料，并对应形成红(R)、绿(G)、蓝(B)三色的子像素。
在本文中，所涉及的上、下、左、右、前、后等方位词是以附图中的结构位于图中的位置以及结构相互之间的位置来定义的，只是为了表达技术方案的清楚及方便。应当理解，所述方位词的使用不应限制本申请请求保护的范围。还应当理解，本文中使用的术语“第一”和“第二”等，仅用于名称上的区分，并不用于限制数量和顺序。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限定，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰，为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种反射式阵列基板，其特征在于，包括：
衬底(10)；
设于所述衬底(10)上表面的第一金属层(11)，所述第一金属层(11)包括扫描线和栅极(111)，所述栅极(111)与所述扫描线导电连接；
覆盖所述第一金属层(11)的栅极绝缘层(101)；
设于所述栅极绝缘层(101)上侧的半导体层(12)和第二金属层(13)，所述第二金属层(13)包括数据线(131)、源极(132)和漏极(133)，所述源极(132)与所述数据线(131)导电连接，所述半导体层(12)包括连接所述源极(132)和所述漏极(133)的有源层(121)；
设于所述栅极绝缘层(101)上侧的第一绝缘层(102)，所述半导体层(12)和所述第二金属层(13)设于所述栅极绝缘层(101)与所述第一绝缘层(102)之间；
设于所述第一绝缘层(102)上表面的隔垫层(14)，所述隔垫层(14)包括隔垫块(141)，所述隔垫块(141)和所述漏极(133)在所述衬底(10)上的投影完全错开，所述隔垫块(141)远离所述第一绝缘层(102)的表面为凹凸不平的结构；
覆盖所述隔垫块(141)的反射金属层(15)，所述反射金属层(15)包括反射块(151)，所述反射块(151)为凹凸不平的结构；
设于所述反射金属层(15)上侧的透明电极层(16)，所述透明电极层(16)包括像素电极(161)，所述像素电极(161)与所述漏极(133)导电连接；
设于所述透明电极层(16)上侧的平坦层(104)。
2.根据权利要求1所述的反射式阵列基板，其特征在于，所述第一金属层(11)还包括第一电容极板(112)，所述第二金属层(13)还包括与所述第一电容极板(112)配合的第二电容极板(134)，所述第二电容极板(134)与所述漏极(133)导电连接，所述第一电容极板(112)与所述第二电容极板(134)共同形成存储电容。
3.根据权利要求1所述的反射式阵列基板，其特征在于，所述反射金属层(15)和所述透明电极层(16)之间设有第二绝缘层(103)，所述第二绝缘层(103)将所述反射块(151)和所述像素电极(161)间隔开，所述第一绝缘层(102)和所述第二绝缘层(103)设有第一接触孔(105)，所述第一接触孔(105)贯穿所述第一绝缘层(102)和所述第二绝缘层(103)，所述第一接触孔(105)与所述漏极(133)相对应，所述像素电极(161)通过所述第一接触孔(105)与所述漏极(133)导电接触。
4.根据权利要求3所述的反射式阵列基板，其特征在于，所述第二金属层(13)还包括位于非显示区的外围走线(135)，所述透明电极层(16)还包括与所述外围走线(135)对应的桥接电极(162)，所述桥接电极(162)与所述外围走线(135)导电连接。
5.根据权利要求4所述的反射式阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层(102)和所述第二绝缘层(103)设有第二接触孔(106)，所述第二接触孔(106)均贯穿所述第一绝缘层(102)和所述第二绝缘层(103)，所述第二接触孔(106)与所述外围走线(135)相对应，所述桥接电极(162)通过所述第二接触孔(106)与所述外围走线(135)导电接触；所述平坦层(104)设有第三接触孔(107)，所述第三接触孔(107)与所述桥接电极(162)相对应，所述桥接电极(162)从所述第三接触孔(107)处露出。
6.一种反射式阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法用于制作如权利要求1-5任一项所述的反射式阵列基板，所述制作方法包括：
提供衬底(10)；
在所述衬底(10)上形成第一金属层(11)，对所述第一金属层(11)进行蚀刻并形成图案化的扫描线和栅极(111)，所述栅极(111)与所述扫描线导电连接；
在所述衬底(10)上形成覆盖所述第一金属层(11)的栅极绝缘层(101)；
在所述栅极绝缘层(101)的上侧形成半导体层(12)和第二金属层(13)，对所述第二金属层(13)进行蚀刻并形成图案化的数据线(131)、源极(132)和漏极(133)，所述源极(132)与所述数据线(131)导电连接，对所述半导体层(12)进行蚀刻并形成图案化的有源层(121)，所述有源层(121)连接所述源极(132)和所述漏极(133)；
在所述栅极绝缘层(101)的上侧形成第一绝缘层(102)，所述半导体层(12)和所述第二金属层(13)设于所述栅极绝缘层(101)与所述第一绝缘层(102)之间；
在所述第一绝缘层(102)上形成隔垫层(14)，对所述隔垫层(14)进行蚀刻并形成图案化的隔垫块(141)，所述隔垫块(141)和所述漏极(133)在所述衬底(10)上的投影完全错开，所述隔垫块(141)远离所述第一绝缘层(102)的表面为凹凸不平的结构；
在所述隔垫块(141)上形成反射金属层(15)，对所述反射金属层(15)进行蚀刻并形成图案化的反射块(151)，所述反射块(151)为凹凸不平的结构；
对所述第一绝缘层(102)进行蚀刻并形成对应所述漏极(133)的第一接触孔(105)，所述漏极(133)从所述第一接触孔(105)处露出；
在所述反射金属层(15)的上侧形成透明电极层(16)，对所述透明电极层(16)进行蚀刻并形成图案化的像素电极(161)，所述像素电极(161)通过所述第一接触孔(105)与所述漏极(133)导电连接；
在所述透明电极层(16)的上侧形成平坦层(104)。
7.根据权利要求6所述的反射式阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述第一金属层(11)进行蚀刻时，还形成第一电容极板(112)，对所述第二金属层(13)进行蚀刻时，还形成与所述第一电容极板(112)配合的第二电容极板(134)，所述第二电容极板(134)与所述漏极(133)导电连接，所述第一电容极板(112)与所述第二电容极板(134)共同形成存储电容。
8.根据权利要求6所述的反射式阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述第二金属层(13)进行蚀刻时，还形成位于非显示区的外围走线(135)，对所述透明电极层(16)进行蚀刻时，还形成与所述外围走线(135)对应的桥接电极(162)，所述桥接电极(162)与所述外围走线(135)导电连接。
9.根据权利要求8所述的反射式阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述第一绝缘层(102)进行蚀刻前，所述制作方法还包括：
在所述反射金属层(15)上形成第二绝缘层(103)；
再对所述第一绝缘层(102)和所述第二绝缘层(103)进行蚀刻并形成所述第一接触孔(105)和第二接触孔(106)，所述第一接触孔(105)和所述第二接触孔(106)均贯穿所述第一绝缘层(102)和所述第二绝缘层(103)，所述第二接触孔(106)与所述外围走线(135)相对应，所述桥接电极(162)通过所述第二接触孔(106)与所述外围走线(135)导电连接；
对平坦层(104)进行蚀刻并形成与所述桥接电极(162)对应的第三接触孔(107)，所述桥接电极(162)从所述第三接触孔(107)处露出。
10.一种反射式显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的反射式阵列基板。
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