CN114236436A - 一种amr磁阻结构 - Google Patents

Abstract

本发明揭示了一种AMR磁阻结构，所述AMR磁阻结构包括：第一路惠斯通电桥和第二路惠斯通电桥；所述第一路惠斯通电桥包括第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻、第四磁阻；所述第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻、第四磁阻依次连接，所述第四磁阻连接第一磁阻；所述第二路惠斯通电桥包括第五磁阻、第六磁阻、第七磁阻、第八磁阻；所述第五磁阻、第六磁阻、第七磁阻、第八磁阻依次连接，所述第八磁阻连接第五磁阻。本发明提出的AMR磁阻结构，可用于平面内任意磁场的角度计算，可用于平面内任意角度磁场强度的计算，同时可减小磁阻条之间的失配，减小磁阻传感器的offset。

Description

一种AMR磁阻结构

技术领域

本发明属于集成电路技术领域，涉及一种磁阻结构，尤其涉及一种AMR磁阻结构。

背景技术

各向异性磁阻元件(AnisotropicMagneto-Resistive,简称AMR)是用于检测磁场的重要磁性传感器元件。它被广泛应用在汽车，工业控制，家电，通讯设备中，用于检测速度、角度、位置等信息。与传统的霍尔效应元件相比，AMR具有功耗低、灵敏度高等优良特性。但是AMR结构上的失配会导致输出信号的失配，严重影响输出信号的绝对精度，限制了AMR传感器的应用。

图1显示了两组分别由4个AMR元件组成的惠斯通(Wheatstonebridge)电桥。它的工作原理是在加载了一定的电压VDD后，它的差分电压输出VCOS＝(COS+)-(COS-),VSIN＝(SIN+)-(SIN-)会随外加磁场的方向而变化；通过检测VCOSVSIN的大小，可以判断出外界磁场的方向。

有鉴于此，如今迫切需要设计一种新的AMR磁阻结构，以便克服现有AMR磁阻结构存在的上述至少部分缺陷。

发明内容

本发明提供一种AMR磁阻结构，可用于平面内任意磁场的角度计算，可用于平面内任意角度磁场强度的计算，同时可减小磁阻条之间的失配，减小磁阻传感器的offset。

为解决上述技术问题，根据本发明的一个方面，采用如下技术方案：

一种AMR磁阻结构，所述AMR磁阻结构包括：第一路惠斯通电桥和第二路惠斯通电桥；

所述第一路惠斯通电桥包括第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻、第四磁阻；所述第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻、第四磁阻依次连接，所述第四磁阻连接第一磁阻；

所述第一磁阻包括沿第二方向依次设置的若干第一磁阻条组，各第一磁阻条组包括若干第一磁阻条；各第一磁阻条的走向为沿第一方向，所述第一方向与第二方向垂直；各第一磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第二方向依次变小；

所述第二磁阻包括沿第一方向依次设置的若干第二磁阻条组，各第二磁阻条组包括若干第二磁阻条；各第二磁阻条的走向为沿第二方向；各第二磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第一方向依次变大；

所述第三磁阻包括沿第二方向依次设置的若干第三磁阻条组，各第三磁阻条组包括若干第三磁阻条；各第三磁阻条的走向为沿第一方向；各第三磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第二方向依次变大；

所述第四磁阻包括沿第一方向依次设置的若干第四磁阻条组，各第四磁阻条组包括若干第四磁阻条；各第四磁阻条的走向为沿第二方向；各第四磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第一方向依次变小；

所述第二路惠斯通电桥包括第五磁阻、第六磁阻、第七磁阻、第八磁阻；所述第五磁阻、第六磁阻、第七磁阻、第八磁阻依次连接，所述第八磁阻连接第五磁阻；

所述第五磁阻包括沿第四方向依次设置的若干第五磁阻条组，各第五磁阻条组包括若干第五磁阻条；各第五磁阻条的走向为沿第三方向，所述第三方向与第四方向垂直；各第五磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第四方向依次变小；

所述第六磁阻包括沿第三方向依次设置的若干第六磁阻条组，各第六磁阻条组包括若干第六磁阻条；各第六磁阻条的走向为沿第四方向；各第六磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第三方向依次变大；

所述第七磁阻包括沿第四方向依次设置的若干第七磁阻条组，各第七磁阻条组包括若干第七磁阻条；各第七磁阻条的走向为沿第三方向；各第七磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第四方向依次变大；

所述第八磁阻包括沿第三方向依次设置的若干第八磁阻条组，各第八磁阻条组包括若干第八磁阻条；各第八磁阻条的走向为沿第四方向；各第八磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第三方向依次变小。

作为本发明的一种实施方式，所述第三方向与第一方向所成夹角为45°。

作为本发明的一种实施方式，所述第一路惠斯通电桥为COS路惠斯通电桥，所述第二路惠斯通电桥为SIN路惠斯通电桥。

作为本发明的一种实施方式，所述第一磁阻及第三磁阻分别由若干横向磁阻条构成；所述第二磁阻及第四磁阻分别由若干纵向磁阻条构成；

所述第一磁阻的一端由右侧接入VDD,由12根长度递减的磁条串联至上方接COS+；

所述第二磁阻的一端由上方接入COS+,由12根长度递减的磁条串联至左侧连接第一激光修调机构R01至GND；

所述第四磁阻的一端由右侧接入VDD,由12根长度递增的磁条串联至下方接COS-；

所述第三磁阻的一端由下方接入COS-,由12根长度递增的磁条串联至左侧连接第二激光修调机构R02至GND；

所述第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻、第四磁阻在几何上是全等结构；所述第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻、第四磁阻中，后一磁阻为前一磁阻逆时针旋转90°得到，第一磁阻由第四磁阻逆时针旋转90°得到，以提高匹配效果，减小传感器的offset。

作为本发明的一种实施方式，所述第五磁阻及第七磁阻分别由135°方向磁阻条构成；所述第六磁阻及第八磁阻分别由45°方向磁阻条构成；

所述第五磁阻的一端由右侧接入VDD,由12根长度递减的磁条串联至上方接SIN+；

所述第六磁阻的一端由上方接入SIN+,由12根长度递增的磁条串联至左侧连接第三激光修调机构R03至GND；

所述第八磁阻的一端由右侧接入VDD,由12根长度递减的磁条串联至下方接SIN-；

所述第七磁阻的一端由下方接入SIN-,由12根长度递增的磁阻条串联至左侧连接第四激光修调机构R04至GND；

所述第五磁阻、第六磁阻、第七磁阻、第八磁阻在几何上是全等结构，后一磁阻为前一磁阻逆时针旋转90°得到，第五磁阻由第八磁阻逆时针旋转90°得到，以提高匹配效果，减小传感器的offset。

作为本发明的一种实施方式，所述第一路惠斯通电桥的四个磁阻设置于中间区域，能感应0°、90°方向的磁场而无法感应45°和135°方向的磁场；

所述第二路惠斯通电桥的四个磁阻设置于四个角，能感应45°、135°方向的磁场而无法感应0°和90°方向的磁场；

或者，所述第一路惠斯通电桥的四个磁阻设置于四个角，所述第二路惠斯通电桥的四个磁阻设置于中间区域。

作为本发明的一种实施方式，所述COS路惠斯通电桥的第一磁阻、第三磁阻呈中心对称,第二磁阻、第四磁阻呈中心对称。

作为本发明的一种实施方式，所述SIN路惠斯通电桥的第五磁阻、第七磁阻呈中心对称，第六磁阻、第八磁阻呈中心对称；第五磁阻、第六磁阻呈轴对称，第六磁阻、第七磁阻呈轴对称，第七磁阻、第八磁阻呈轴对称，第八磁阻、第五磁阻呈轴对称。

作为本发明的一种实施方式，所述AMR磁阻结构进一步包括四个激光修调机构，用于进一步校准COS路惠斯通电桥和SIN路惠斯通电桥的offset；

各激光修调机构均由4根宽度不同的磁阻条并联形成；在传感器测试环节加入激光修调步骤，烧断任意一根或若干根磁条，来改变电阻的阻值，从而调节AMR输出电压VCOS或VSIN，得到更优良的offset性能。

作为本发明的一种实施方式，所述COS路惠斯通电桥包括COS+电桥、COS-电桥；所述SIN路惠斯通电桥包括SIN+电桥、SIN-电桥；

所述第一激光修调机构、第二激光修调机构、第三激光修调机构、第四激光修调机构分别位于COS+电桥、COS-电桥、SIN+电桥、SIN-电桥与传感器的GND之间。

本发明的有益效果在于：本发明提出的AMR磁阻结构，可用于平面内任意磁场的角度计算，可用于平面内任意角度磁场强度的计算，同时可减小磁阻条之间的失配，减小磁阻传感器的offset。

(1)COS路和SIN路输出的组合能够对平行于磁阻所在平面的任意角度磁场产生响应，当磁场强于磁阻的饱和磁场时，可用于平面内任意磁场的角度计算。

(2)COS路和SIN路输出的组合能够对平行于磁阻所在平面的任意角度磁场产生响应，当磁场强于磁阻的线性响应区时，可用于平面内任意角度磁场强度的计算。

(3)通过磁阻材料的有规则，对称性布图，可减小磁阻条之间的失配，减小磁阻传感器的offset(未施加任何磁场时的传感器输出)。

(4)通过在磁阻条上串联入激光修调电阻，并结合测试环节的激光修调，可进一步减小磁阻传感器的offset。

本发明通过磁阻结构的设计，配合磁阻的饱和区特点，在实现平面内任意角度磁场方向检测的同时，提高磁阻的匹配性，同时结合激光修调电阻，进一步降低磁阻传感器的失配(mismatch)。

附图说明

图1为现有方案中由AMR元件组成的两组惠斯通电桥示意图。

图2为本发明一实施例中COS路惠斯通电桥的结构示意图。

图3为本发明一实施例中SIN路惠斯通电桥的结构示意图。

图4为本发明一实施例中激光修调机构的结构示意图。

图5为本发明一实施例中整个AMR角度传感器的版图。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。

为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。

该部分的描述只针对几个典型的实施例，本发明并不仅局限于实施例描述的范围。相同或相近的现有技术手段与实施例中的一些技术特征进行相互替换也在本发明描述和保护的范围内。

说明书中的“连接”既包含直接连接，也包含间接连接，如通过一些有源器件、无源器件或电传导媒介进行的连接；还可包括本领域技术人员公知的在可实现相同或相似功能目的的基础上通过其他有源器件或无源器件的连接，如通过开关、跟随电路等电路或部件的连接。

本发明揭示了一种AMR磁阻结构，所述AMR磁阻结构包括：第一路惠斯通电桥和第二路惠斯通电桥；在本发明的一实施例中，所述第一路惠斯通电桥为COS路惠斯通电桥，所述第二路惠斯通电桥为SIN路惠斯通电桥。

图2为本发明一实施例中COS路磁阻条结构示意图；请参阅图2，所述第一路惠斯通电桥包括第一磁阻R1、第二磁阻R2、第三磁阻R3、第四磁阻R4；所述第一磁阻R1、第二磁阻R2、第三磁阻R3、第四磁阻R4依次连接，所述第四磁阻R4连接第一磁阻R1。

所述第一磁阻R1包括沿第二方向依次设置的若干第一磁阻条组，各第一磁阻条组包括若干第一磁阻条；各第一磁阻条的走向为沿第一方向，所述第一方向与第二方向垂直；各第一磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第二方向依次变小。

所述第二磁阻R2包括沿第一方向依次设置的若干第二磁阻条组，各第二磁阻条组包括若干第二磁阻条；各第二磁阻条的走向为沿第二方向；各第二磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第一方向依次变大。

所述第三磁阻R3包括沿第二方向依次设置的若干第三磁阻条组，各第三磁阻条组包括若干第三磁阻条；各第三磁阻条的走向为沿第一方向；各第三磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第二方向依次变大。

所述第四磁阻R4包括沿第一方向依次设置的若干第四磁阻条组，各第四磁阻条组包括若干第四磁阻条；各第四磁阻条的走向为沿第二方向；各第四磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第一方向依次变小。

图3为本发明一实施例中SIN路磁阻条结构示意图；请参阅图3，所述第二路惠斯通电桥包括第五磁阻R5、第六磁阻R6、第七磁阻R7、第八磁阻R8；所述第五磁阻R5、第六磁阻R6、第七磁阻R7、第八磁阻R8依次连接，所述第八磁阻R8连接第五磁阻R5。

所述第五磁阻R5包括沿第四方向依次设置的若干第五磁阻条组，各第五磁阻条组包括若干第五磁阻条；各第五磁阻条的走向为沿第三方向，所述第三方向与第四方向垂直；各第五磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第四方向依次变小。在一实施例中，所述第三方向与第一方向所成夹角为45°。

所述第六磁阻R6包括沿第三方向依次设置的若干第六磁阻条组，各第六磁阻条组包括若干第六磁阻条；各第六磁阻条的走向为沿第四方向；各第六磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第三方向依次变大。

所述第七磁阻R7包括沿第四方向依次设置的若干第七磁阻条组，各第七磁阻条组包括若干第七磁阻条；各第七磁阻条的走向为沿第三方向；各第七磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第四方向依次变大。

所述第八磁阻R8包括沿第三方向依次设置的若干第八磁阻条组，各第八磁阻条组包括若干第八磁阻条；各第八磁阻条的走向为沿第四方向；各第八磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第三方向依次变小。

在本发明的一实施例中，所述第一磁阻R1及第三磁阻R3分别由若干横向磁阻条构成；所述第二磁阻R2及第四磁阻R4分别由若干纵向磁阻条构成；

所述第一磁阻R1的一端由右侧接入VDD,由12根长度递减的磁条串联至上方接COS+；

所述第二磁阻R2的一端由上方接入COS+,由12根长度递减的磁条串联至左侧连接第一激光修调机构R01至GND；

所述第四磁阻R4的一端由右侧接入VDD,由12根长度递增的磁条串联至下方接COS-；

所述第三磁阻R3的一端由下方接入COS-,由12根长度递增的磁条串联至左侧连接第二激光修调机构R02至GND；

所述第一磁阻R1、第二磁阻R2、第三磁阻R3、第四磁阻R4在几何上是全等结构；所述第一磁阻R1、第二磁阻R2、第三磁阻R3、第四磁阻R4中，后一磁阻为前一磁阻逆时针旋转90°得到，第一磁阻R1由第四磁阻R4逆时针旋转90°得到，以提高匹配效果，减小传感器的offset。

在本发明的一实施例中，所述第五磁阻R5及第七磁阻R7分别由135°方向磁阻条构成；所述第六磁阻R6及第八磁阻R8分别由45°方向磁阻条构成。

所述第五磁阻R5的一端由右侧接入VDD,由12根长度递减的磁条串联至上方接SIN+。

所述第六磁阻R6的一端由上方接入SIN+,由12根长度递增的磁条串联至左侧连接第三激光修调机构R03至GND。

所述第八磁阻R8的一端由右侧接入VDD,由12根长度递减的磁条串联至下方接SIN-。

所述第七磁阻R7的一端由下方接入SIN-,由12根长度递增的磁阻条串联至左侧连接第四激光修调机构R04至GND。

所述第五磁阻R5、第六磁阻R6、第七磁阻R7、第八磁阻R8在几何上是全等结构，后一磁阻为前一磁阻逆时针旋转90°得到，第五磁阻R5由第八磁阻R8逆时针旋转90°得到，以提高匹配效果，减小传感器的offset。

请参阅图5，在本发明的一实施例中，所述第一路惠斯通电桥的四个磁阻设置于中间区域，能感应0°、90°方向的磁场而无法感应45°和135°方向的磁场。所述第二路惠斯通电桥的四个磁阻设置于四个角，能感应45°、135°方向的磁场而无法感应0°和90°方向的磁场；最左侧是四路Trimming结构。当然，所述第一路惠斯通电桥的四个磁阻也可以设置于四个角，所述第二路惠斯通电桥的四个磁阻可以设置于中间区域。

图2至图5结构为特定的一个磁阻结构设计。COS路惠斯通电桥的R1R2R3R4和SIN路电桥的R5R6R7R8均由右上方开始逆时针顺序排列。COS路惠斯通电桥的R1、R3中心对称,R2、R4中心对称。SIN路惠斯通电桥的R5、R7中心对称，R6、R8中心对称；R5、R6轴对称，R6、R7轴对称，R7、R8轴对称，R8、R5轴对称。而与图5中不同的磁条根数，宽度、间距、旋转角度的变化，都在本发明保护范围之列；图4中trimming结构的不同电阻条长度、宽度、根数的组合也都在本发明保护范围之列。此外，将0°和90°方向的磁条放置于四角，将45°和135°方向的磁条放置于中间的结构，也在本发明保护范围之列。

在本发明的一实施例中，所述AMR磁阻结构进一步包括四个激光修调机构(RO1、RO2、RO3、RO4)，用于进一步校准COS路惠斯通电桥和SIN路惠斯通电桥的offset。各激光修调机构均由4根宽度不同的磁阻条并联形成；在传感器测试环节加入激光修调步骤，烧断任意一根或若干根磁条，来改变电阻的阻值，从而调节AMR输出电压VCOS或VSIN，得到更优良的offset性能。在一实施例中，所述COS路惠斯通电桥包括COS+电桥、COS-电桥；所述SIN路惠斯通电桥包括SIN+电桥、SIN-电桥。所述第一激光修调机构、第二激光修调机构、第三激光修调机构、第四激光修调机构分别位于COS+电桥、COS-电桥、SIN+电桥、SIN-电桥与传感器的GND之间。

综上所述，本发明提出的AMR磁阻结构，可用于平面内任意磁场的角度计算，可用于平面内任意角度磁场强度的计算，同时可减小磁阻条之间的失配，减小磁阻传感器的offset。

(1)COS路和SIN路输出的组合能够对平行于磁阻所在平面的任意角度磁场产生响应，当磁场强于磁阻的饱和磁场时，可用于平面内任意磁场的角度计算。

(2)COS路和SIN路输出的组合能够对平行于磁阻所在平面的任意角度磁场产生响应，当磁场强于磁阻的线性响应区时，可用于平面内任意角度磁场强度的计算。

(3)通过磁阻材料的有规则，对称性布图，可减小磁阻条之间的失配，减小磁阻传感器的offset(未施加任何磁场时的传感器输出)。

(4)通过在磁阻条上串联入激光修调电阻，并结合测试环节的激光修调，可进一步减小磁阻传感器的offset。

本发明通过磁阻结构的设计，配合磁阻的饱和区特点，在实现平面内任意角度磁场方向检测的同时，提高磁阻的匹配性，同时结合激光修调电阻，进一步降低磁阻传感器的失配(mismatch)。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例中。实施例中所涉及的效果或优点可因多种因素干扰而可能不能在实施例中体现，对于效果或优点的描述不用于对实施例进行限制。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本发明范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。

Claims (10)

1.一种AMR磁阻结构，其特征在于，所述AMR磁阻结构包括：第一路惠斯通电桥和第二路惠斯通电桥；

所述第一路惠斯通电桥包括第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻、第四磁阻；所述第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻、第四磁阻依次连接，所述第四磁阻连接第一磁阻；

所述第一磁阻包括沿第二方向依次设置的若干第一磁阻条组，各第一磁阻条组包括若干第一磁阻条；各第一磁阻条的走向为沿第一方向，所述第一方向与第二方向垂直；各第一磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第二方向依次变小；

所述第二磁阻包括沿第一方向依次设置的若干第二磁阻条组，各第二磁阻条组包括若干第二磁阻条；各第二磁阻条的走向为沿第二方向；各第二磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第一方向依次变大；

所述第三磁阻包括沿第二方向依次设置的若干第三磁阻条组，各第三磁阻条组包括若干第三磁阻条；各第三磁阻条的走向为沿第一方向；各第三磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第二方向依次变大；

所述第四磁阻包括沿第一方向依次设置的若干第四磁阻条组，各第四磁阻条组包括若干第四磁阻条；各第四磁阻条的走向为沿第二方向；各第四磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第一方向依次变小；

所述第二路惠斯通电桥包括第五磁阻、第六磁阻、第七磁阻、第八磁阻；所述第五磁阻、第六磁阻、第七磁阻、第八磁阻依次连接，所述第八磁阻连接第五磁阻；

所述第五磁阻包括沿第四方向依次设置的若干第五磁阻条组，各第五磁阻条组包括若干第五磁阻条；各第五磁阻条的走向为沿第三方向，所述第三方向与第四方向垂直；各第五磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第四方向依次变小；

所述第六磁阻包括沿第三方向依次设置的若干第六磁阻条组，各第六磁阻条组包括若干第六磁阻条；各第六磁阻条的走向为沿第四方向；各第六磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第三方向依次变大；

所述第七磁阻包括沿第四方向依次设置的若干第七磁阻条组，各第七磁阻条组包括若干第七磁阻条；各第七磁阻条的走向为沿第三方向；各第七磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第四方向依次变大；

所述第八磁阻包括沿第三方向依次设置的若干第八磁阻条组，各第八磁阻条组包括若干第八磁阻条；各第八磁阻条的走向为沿第四方向；各第八磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第三方向依次变小。

2.根据权利要求1所述的AMR磁阻结构，其特征在于：

所述第三方向与第一方向所成夹角为45°。

3.根据权利要求1所述的AMR磁阻结构，其特征在于：

所述第一路惠斯通电桥为COS路惠斯通电桥，所述第二路惠斯通电桥为SIN路惠斯通电桥。

4.根据权利要求1所述的AMR磁阻结构，其特征在于：

所述第一磁阻及第三磁阻分别由若干横向磁阻条构成；所述第二磁阻及第四磁阻分别由若干纵向磁阻条构成；

所述第一磁阻的一端由右侧接入VDD,由12根长度递减的磁条串联至上方接COS+；

所述第二磁阻的一端由上方接入COS+,由12根长度递减的磁条串联至左侧连接第一激光修调机构R01至GND；

所述第四磁阻的一端由右侧接入VDD,由12根长度递增的磁条串联至下方接COS-；

所述第三磁阻的一端由下方接入COS-,由12根长度递增的磁条串联至左侧连接第二激光修调机构R02至GND；

所述第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻、第四磁阻在几何上是全等结构；所述第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻、第四磁阻中，后一磁阻为前一磁阻逆时针旋转90°得到，第一磁阻由第四磁阻逆时针旋转90°得到，以提高匹配效果，减小传感器的offset。

5.根据权利要求1所述的AMR磁阻结构，其特征在于：

所述第五磁阻及第七磁阻分别由135°方向磁阻条构成；所述第六磁阻及第八磁阻分别由45°方向磁阻条构成；

所述第五磁阻的一端由右侧接入VDD,由12根长度递减的磁条串联至上方接SIN+；

所述第六磁阻的一端由上方接入SIN+,由12根长度递增的磁条串联至左侧连接第三激光修调机构R03至GND；

所述第八磁阻的一端由右侧接入VDD,由12根长度递减的磁条串联至下方接SIN-；

所述第七磁阻的一端由下方接入SIN-,由12根长度递增的磁阻条串联至左侧连接第四激光修调机构R04至GND；

所述第五磁阻、第六磁阻、第七磁阻、第八磁阻在几何上是全等结构，后一磁阻为前一磁阻逆时针旋转90°得到，第五磁阻由第八磁阻逆时针旋转90°得到，以提高匹配效果，减小传感器的offset。

6.根据权利要求1所述的AMR磁阻结构，其特征在于：

所述第一路惠斯通电桥的四个磁阻设置于中间区域，能感应0°、90°方向的磁场而无法感应45°和135°方向的磁场；

所述第二路惠斯通电桥的四个磁阻设置于四个角，能感应45°、135°方向的磁场而无法感应0°和90°方向的磁场；

或者，所述第一路惠斯通电桥的四个磁阻设置于四个角，所述第二路惠斯通电桥的四个磁阻设置于中间区域。

7.根据权利要求1所述的AMR磁阻结构，其特征在于：

所述COS路惠斯通电桥的第一磁阻、第三磁阻呈中心对称,第二磁阻、第四磁阻呈中心对称。

8.根据权利要求1所述的AMR磁阻结构，其特征在于：

所述SIN路惠斯通电桥的第五磁阻、第七磁阻呈中心对称，第六磁阻、第八磁阻呈中心对称；第五磁阻、第六磁阻呈轴对称，第六磁阻、第七磁阻呈轴对称，第七磁阻、第八磁阻呈轴对称，第八磁阻、第五磁阻呈轴对称。

9.根据权利要求1所述的AMR磁阻结构，其特征在于：

所述AMR磁阻结构进一步包括四个激光修调机构，用于进一步校准COS路惠斯通电桥和SIN路惠斯通电桥的offset；

各激光修调机构均由4根宽度不同的磁阻条并联形成；在传感器测试环节加入激光修调步骤，烧断任意一根或若干根磁条，来改变电阻的阻值，从而调节AMR输出电压VCOS或VSIN，得到更优良的offset性能。

10.根据权利要求9所述的AMR磁阻结构，其特征在于：

所述COS路惠斯通电桥包括COS+电桥、COS-电桥；所述SIN路惠斯通电桥包括SIN+电桥、SIN-电桥；

所述第一激光修调机构、第二激光修调机构、第三激光修调机构、第四激光修调机构分别位于COS+电桥、COS-电桥、SIN+电桥、SIN-电桥与传感器的GND之间。

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