CN114225839A - 一种制备特定转角二维异质结材料的方法 - Google Patents

一种制备特定转角二维异质结材料的方法 Download PDF

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CN114225839A
CN114225839A CN202210010192.9A CN202210010192A CN114225839A CN 114225839 A CN114225839 A CN 114225839A CN 202210010192 A CN202210010192 A CN 202210010192A CN 114225839 A CN114225839 A CN 114225839A
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程皓玮
王世选
牛萌萌
于佳
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Abstract

本申请公开了一种制备特定转角二维异质结材料的方法，该方法采用了直接在金刚石压砧的砧面上对应的样品腔目标区域制样的思路，采取干法转移的方式以此将至少两个单层样品通过转移载体转移的方式形成垂直堆垛型异质结样品。该方法避免了传统制备方法中，金刚石压砧在湿法转移时操作繁琐的弊端，解决了机械剥离样品难以控制层数以及没有特定形貌的问题。另外，本方法在压机内能清晰观察样品并指认角度，能够解决无法得到特定角度异质结样品的问题。

Description

一种制备特定转角二维异质结材料的方法
技术领域
本申请涉及高压装置技术领域，特别涉及一种制备特定转角二维异质结材料的方法。
背景技术
目前制备特定转角二维异质结材料的方法包括：在普通衬底制备转角异质结以及将普通异质结转移金刚石衬底的技术方法。一方面目前在普通衬底制备转角异质结的方法，无法用于压机中，另一方面，当前压机转移技术也很难将特定角度的异质结无损转移至压机内。
因此，从成本，难度以及样品无损的角度考虑，目前还没有合适的关于在高压对顶砧中制备无损特定角度的异质结样品的技术。
发明内容
本申请的目的在于提供一种制备特定转角二维异质结材料的方法，其能够改善上述问题。
本申请的实施例是这样实现的：
本申请提供一种制备特定转角二维异质结材料的方法，其包括：
在基底上通过化学气相沉积方式制备目标结构的单层样品；
将所述单层样品从所述基底转移至具有粘附性的转移载体上；
切割所述转移载体，形成待转移样品；
通过样品转移系统依次将至少两个所述待转移样品中的所述单层样品转移至金刚石压砧砧面对应的样品腔目标区域，形成异质结样品。
可以理解，本申请公开了一种制备特定转角二维异质结材料的方法，该方法采用了直接在金刚石压砧的砧面上对应的样品腔目标区域制样的思路，采取干法转移的方式以此将至少两个单层样品通过转移载体转移的方式形成垂直堆垛型异质结样品。该方法避免了传统制备方法中，金刚石压砧在湿法转移时操作繁琐的弊端，解决了机械剥离样品难以控制层数以及没有特定形貌，无法得到特定角度异质结样品的问题。
在本申请可选的实施例中，将所述单层样品从所述基底转移至具有粘附性的转移载体上，包括：
在所述单层样品上贴附所述转移载体，使得所述单层样品嵌入所述转移载体的正面，使得所述转移载体的正面与所述基底表面贴合；通过湿法刻蚀的方式分离所述转移载体的正面与所述基底表面，使得所述单层样品转移至所述转移载体上。
可以理解上述步骤完成了单层样品从基底至转移载体的转移，有利于后续将单层样品无损地转移到金刚石压砧的样品腔中。避免了直接将带有基底的单层样品转移至金刚石压砧中，导致进行高压实验时，基底形变过大对样品材料产生很大的影响。
在本申请可选的实施例中，通过湿法刻蚀的方式分离所述转移载体的正面与所述基底表面，包括：
将贴合后的所述转移载体和所述基底浸泡于分离溶液，使得所述转移载体的正面连带样品与所述基底表面分离。
在本申请可选的实施例中，所述样品转移系统包括转移控制台、延展臂、转移头、载物台和光学显微镜；所述转移控制台通过所述延展臂与所述转移头连接，用于控制所述转移头的位移；所述转移头的底部设置有透明板用于粘附所述待转移样品，所述延展臂和/或所述转移头内设置有对应的通孔便于用户通过所述光学显微镜观察所述待转移样品。
可以理解，本申请公开了一种样品转移系统，使用时，可以将金刚石上砧或下砧放置于载物台，将光学显微镜调节至观察到载物台的位置，通过转移控制台控制粘附有待转移样品的转移头直至通过光学显微镜能够通过转移头内的通孔观察到待转移样品后，在通过转移控制台控制转移头朝载物台方向移动，以实现待转移样品的转移。
在本申请可选的实施例中，通过样品转移系统依次将至少两个所述待转移样品中的所述单层样品转移至金刚石压砧砧面对应的样品腔目标区域，包括：
将所述金刚石压砧的上砧和下砧分开，将所述上砧放置于所述载物台上；调节所述载物台位置使得所述光学显微镜的镜头在所述上砧的表面聚焦并定位金属垫片样品腔区域作为所述目标区域；依次将至少两个所述待转移样品中的所述单层样品通过所述转移头转移至所述上砧的表面上的所述目标区域。
在本申请可选的实施例中，依次将至少两个所述待转移样品中的所述单层样品通过所述转移头转移至所述上砧的表面上的所述目标区域，包括：
将当前待转移样品嵌有所述单层样品表面的相对面粘附于所述转移头底部的所述透明板上；调节所述转移控制台，使得所述转移头的通孔在所述上砧的表面的所述目标区域的正投影区域与所述当前待转移样品重合；调节所述转移控制台，使得所述当前待转移样品与所述上砧的表面紧密贴合；加热所述载物台，使得所述当前待转移样品中所述转移载体失去粘性，使的所述单层样品脱离所述转移载体且与所述上砧面结合；再次调节所述转移控制台，移走所述转移头且去除原先的所述转移载体后，将下一个所述待转移样品嵌有所述单层样品表面的相对面粘附于所述转移头底部的所述透明板上。
在本申请可选的实施例中，所述样品转移系统还包括图像获取设备和处理器；所述图像获取设备用于获取通过所述光学显微镜所观察到的观察画面；所述处理器分别与所述图像获取设备、所述转移控制台和所述载物台电连接。
可以理解，本申请还公开了一种样品转移系统，该系统还包括图像获取设备和处理器，图像获取设备用于获取通过所述光学显微镜所观察到的观察画面，处理器用于接收该观察画面进行图像识别，并通过图像识别的结果判断转移头上的待转移样品是否贴紧载物台上的上砧。
在本申请可选的实施例中，调节所述转移控制台，使得所述当前待转移样品与所述上砧的表面紧密贴合，包括：
通过所述处理器控制所述转移控制台使得所述当前待转移样品朝向所述所述上砧的表面移动；通过所述图像获取设备获取所述观察画面，在所述观察画面上出现彩色衍射条纹后，继续控制所述转移控制台使得所述当前待转移样品朝向所述所述上砧的表面移动，直到所述观察画面上的所述彩色衍射条纹消失为止，说明转移载体已经与砧面紧密贴合。
在本申请可选的实施例中，所述形成异质结样品之后，所述方法还包括：
在真空条件下对所述异质结样品进行退火，去除转移载体残留材料及杂质，得到目标异质结样品。
可以理解，传统的异质结样品制作中需要用有机溶剂对异质结样品中的转移载体残留材料进行去除，但该方式难以将转移载体残留材料除尽，同时引入有机分子的问题。本方法采用退火处理的方式可以保证转移载体残留材料的高效清除，提升样品清洁度，增强层间耦合。另外，同时由于转移载体材料的残留会极大影响层间耦合效应，因此需要必要的拉曼光谱低波数表征确认处理前后异质结的层间耦合效果。
在本申请可选的实施例中，所述得到目标异质结样品之后，所述方法还包括：
将所述金刚石下砧垫片的样品腔内加入用作压力标定的红宝石以及传压介质；合体带有所述目标异质结样品的所述上砧和所述下砧以及垫片，进行高压实验。
有益效果：
本申请公开了一种制备特定转角二维异质结材料的方法，该方法采用了直接在金刚石压砧的样品腔对应区域内制样的思路，采取干法转移的方式以此将至少两个单层样品通过转移载体转移的方式形成垂直堆垛型异质结样品。该方法避免了传统制备方法中，金刚石压砧在湿法转移时操作繁琐的弊端，解决了机械剥离样品难以控制层数以及没有特定形貌，无法得到特定角度异质结样品的问题。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举可选实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是本申请提供的一种制备特定转角二维异质结材料的方法的流程示意图；
图2是在基底上产生的单层样品的示意图；
图3是在单层样品贴附转移载体的示意图；
图4是切割转移载体的示意图；
图5是本申请提供的一种样品转移系统的结构示意图；
图6是金刚石压砧装置的剖面示意图；
图7是活塞型金刚石对顶砧的示意图；
图8是图5中的延展臂和转移头的放大示意图；
图9是图5中的转移头的放大示意图；
图10是通过光学显微镜观察到的洁净的上砧面；
图11是转移头位置对准上砧面后通过光学显微镜观察到单层MoS2；
图12是转移头刚与上砧面接触时出现的衍射条纹；
图13是通过转移头贴紧转移样品和载物台的上砧的示意图；
图14是转移头和转移样品分离的示意图；
图15是通过两次转移制备的0°与60°MoS2-WS2转角异质结；
图16是在退火前压机上砧目标区域的0°和60°的MoS2-WS2转角异质结的拉曼特征峰示意图；
图17是压机上砧目标区域的60°的MoS2-WS2转角异质结退火前后拉曼特征峰对比示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
如图1所示，本申请提供一种制备特定转角二维异质结材料的方法，其包括：
110、在基底上通过化学气相沉积方式制备目标结构的单层样品。
以制备过渡金属硫化物（TMDs）异质结为例。如图2所示，在面积大概为1*1cm的正方形的硅基底或二氧化硅基底21上，通过化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）方式合成制备具有三角形貌的TMDs单层样品22。
步骤110中的基底即为普通基底。
120、将单层样品从基底转移至具有粘附性的转移载体上。
在本申请可选的实施例中，步骤120包括：121、在单层样品上贴附转移载体，使得单层样品嵌入转移载体的正面，使得转移载体的正面与基底表面贴合。122、通过湿法刻蚀的方式分离转移载体的正面与基底表面，使得单层样品转移至转移载体上。
其中，转移载体可以是聚二甲基硅氧烷(PDMS)，如图3所示，准备一块面积略大于基底的聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为转移载体23，将该转移载体23与基底21贴合。
在本申请可选的实施例中，通过湿法刻蚀的方式分离转移载体的正面与基底表面，包括：将贴合后的转移载体和基底浸泡于分离溶液，使得转移载体的正面连带样品与基底表面分离。
其中，分离溶液可以是2mol/L的氢氧化钾溶液，浸泡两小时后，使PDMS与基底自然分离，将初始基底上的样品，无损转移至转移载体PDMS上，并在光学显微镜下确定样品的洁净度以及样品形貌的完整。
可以理解，上述步骤完成了单层样品从基底至转移载体的转移，有利于后续将单层样品无损地转移到金刚石压砧的样品腔中。避免了直接将带有基底的单层样品转移至金刚石压砧中，导致进行高压实验时，基底形变过大对样品材料产生很大的影响以及无法在样品腔内清晰分辨样品形貌的弊端。
130、切割转移载体，形成待转移样品。
如图4所示，将带有单层样品的转移载体PDMS分割成更合适的大小以方便粘贴在转移头上，并适合放入金刚石压机腔内。
140、通过样品转移系统依次将至少两个待转移样品中的单层样品转移至金刚石压砧砧面对应的样品腔目标区域，形成异质结样品。
可以理解，本申请公开了一种制备特定转角二维异质结材料的方法，该方法采用了直接在金刚石压砧的样品腔内上制样的思路，采取干法转移的方式以此将至少两个单层样品通过转移载体转移的方式形成垂直堆垛型异质结样品。该方法避免了传统制备方法中，金刚石压砧在湿法转移时操作繁琐的弊端，解决了机械剥离样品难以控制层数以及没有特定形貌，无法得到特定角度异质结样品的问题。
在本申请可选的实施例中，如图5所示，样品转移系统包括转移控制台51、延展臂52、转移头53、载物台54和光学显微镜55（图中只示出了光学显微镜的部分镜头）；转移控制台51通过延展臂52与转移头53连接，用于控制转移头53的位移；转移头53的底部设置有透明板56用于粘附待转移样品，延展臂52和/或转移头53内设置有对应的通孔便于用户通过光学显微镜观察待转移样品。
如图8和图9所示，转移头53包括圆环柱型的固定部件531和延长部件532。该固定部件531截面的圆心沿固定部件531的厚度方向延伸的轴线为第一轴线，该延长部件532截面的圆心沿延长部件532的厚度方向延伸的轴线为第二轴线，该第一轴线和第二轴线重合。固定部件531和延长部件532沿第一轴线和第二轴线分别开设有连通的第一通孔和第二通孔。延长部件532截面的外径大于第一通孔的直径且小于固定部件531截面的外径。该延长部件532背离固定部件531的一端设置有上述透明板56。延长臂52的末端亦设置有第三通孔，固定部件531通过螺钉固定于延长臂52上，使得第三通孔与上述第一通孔和第二通孔连通。
金刚石压砧(Diamond Anvil Cell，DAC)是获得高压的重要的装置之一。尤其活塞圆筒型金刚石压砧以其高稳定性受到更多研究人员的青睐。要探测不同层级二维层状半导体材料在高温高压下的物性特征，需将样品材料装入金刚石压砧的样品腔中。
如图5所示是金刚石压砧(Diamond Anvil Cell，DAC)装置的剖面示意图。如图6所示为活塞型金刚石对顶砧的实物示意图。金刚石压砧由上砧11、下砧12、样品腔13、金属垫片14构成，上砧11和下砧12是两颗金刚石，金属垫片13一般是T-301不锈钢材料的，在样品腔13中还放有一粒红宝石用来标定压力。
可以理解，本申请公开了一种样品转移系统，使用时，可以将金刚石上砧放置于载物台，将光学显微镜调节至观察到载物台的位置，通过转移控制台控制粘附有待转移样品的转移头直至通过光学显微镜能够通过转移头内的通孔观察到待转移样品后，在通过转移控制台控制转移头朝载物台方向移动，以实现待转移样品的转移。
在本申请可选的实施例中，步骤140包括：
141、将金刚石压砧的上砧和下砧分开，将上砧放置于载物台上，调节载物台位置使得光学显微镜的镜头在上砧的表面聚焦并定位金属垫片样品腔区域作为所述目标区域。
以制备过渡金属硫化物（TMDs）异质结为例。如图10所示是通过光学显微镜观察到的洁净的上砧面。
142、依次将至少两个待转移样品通过转移头转移至上砧的表面上的所述目标区域。
在本申请可选的实施例中，步骤142具体包括：
1421、将当前待转移样品嵌有单层样品表面的相对面粘附于转移头底部的透明板上。
如图13所示，将转移载体PDMS上无样品的表面与转移头的透明板处接触粘贴，带样品的表面与上砧面相对。
1422、调节转移控制台，使得转移头的通孔在上砧的表面的所述目标区域的正投影区域与当前待转移样品重合。
其中，转移头的通孔与上砧的表面在垂直于上砧面的方向上对齐，使得能够通过光学显微镜观察到转移头上的待转移样品，如图11所示。
1423、调节转移控制台，使得当前待转移样品与上砧的表面紧密贴合。
可以理解，当前待转移样品与上砧的表面紧密贴合，即当前待转移样品中的单层样品与上砧的表面紧密贴合，便于后续取出转移载体，将单层样品留在上砧上。
1424、加热载物台，使得当前待转移样品中转移载体失去粘性，使的所述单层样品脱离所述转移载体且与所述上砧面结合；。
如图14所示，加热在舞台升温至70℃并保持20min（根据不同PDMS粘性不同，需要不同温度以及加热时间），使PDMS失去粘性，待转移样品与砧面结合。缓慢上移延长臂使PDMS脱离待转移样品与上砧面，保证单层样品的无损以及形貌的清晰。
1425、再次调节转移控制台，移走转移头且去除原先的所述转移载体后，将下一个待转移样品嵌有单层样品表面的相对面粘附于转移头底部的透明板上。
在本申请可选的实施例中，样品转移系统还包括图像获取设备和处理器；图像获取设备用于获取通过光学显微镜所观察到的观察画面；处理器分别与图像获取设备、转移控制台和载物台电连接。
可以理解，本申请还公开了一种样品转移系统，该系统还包括图像获取设备和处理器，图像获取设备用于获取通过光学显微镜所观察到的观察画面，处理器用于接收该观察画面进行图像识别，并通过图像识别的结果判断转移头上的待转移样品是否贴紧载物台上的上砧。
在本申请可选的实施例中，步骤1423包括：
14231、通过处理器控制转移控制台使得当前待转移样品朝向上砧的表面移动。
14232、通过图像获取设备获取观察画面，在观察画面上出现彩色衍射条纹后，继续控制转移控制台使得当前待转移样品朝向上砧的表面移动，直到观察画面上的彩色衍射条纹消失为止。
举例说明，如图12所示为转移头刚与上砧面接触时出现的衍射条纹。
在本申请可选的实施例中，形成异质结样品之后，方法还包括：在真空条件下对异质结样品进行退火，去除转移载体残留材料及杂质，得到目标异质结样品。
其中，可以将带有转角异质结样品的上砧放入真空干燥箱在真空条件下200 ℃退火30min（根据不同的PDMS残留以及不同的样品性质，需要采用不同的退火温度及时间）。
可以理解，传统的异质结样品制作中需要用有机溶剂对异质结样品中的转移载体残留材料进行去除，但该方式难以将转移载体残留材料除尽，同时引入有机分子的问题。本方法采用退火处理的方式可以保证转移载体残留材料高效清除，提升样品清洁度，增强层间耦合。另外，同时由于转移载体材料的残留会极大影响层间耦合效应，因此需要必要的拉曼光谱低波数表征确认异质结处理前后的层间耦合效果。
如图15所示是按照本方法通过两次转移制备的0°与60°MoS2-WS2转角异质结。图16所示为在退火前0°和60°的MoS2-WS2转角异质结的拉曼特征峰示意图；图17是60°的MoS2-WS2转角异质结退火前后拉曼特征峰对比示意图。60°的MoS2-WS2转角异质结样品退火前后低波数拉曼信号差异明显，说明退火对于异质结的层间耦合，清除杂质有明显改善，确保了转移及制备样品的质量。
在本申请可选的实施例中，得到目标异质结样品之后，方法还包括：将处理好的带有样品腔的垫片放在下砧上；将金刚石压砧的下砧的样品腔内加入传压介质以及用作压力标定的红宝石；合体带有目标异质结样品的上砧和下砧，进行高压实验。
有益效果：
本申请公开了一种制备特定转角二维异质结材料的方法，该方法采用了直接在金刚石压砧的砧面对应的样品腔区域内上制样的思路，采取干法转移的方式以此将至少两个单层样品通过转移载体转移的方式形成垂直堆垛型异质结样品。该方法避免了传统制备方法中，金刚石压砧在湿法转移时操作繁琐的弊端，解决了机械剥离样品难以控制层数以及没有特定形貌，无法得到特定角度异质结样品的问题。
在本公开的各种实施方式中所使用的表述“第一”、“第二”、“所述第一”或“所述第二”可修饰各种部件而与顺序和/或重要性无关，但是这些表述不限制相应部件。以上表述仅配置为将元件与其它元件区分开的目的。例如，第一用户设备和第二用户设备表示不同的用户设备，虽然两者均是用户设备。例如，在不背离本公开的范围的前提下，第一元件可称作第二元件，类似地，第二元件可称作第一元件。
当一个元件(例如，第一元件)称为与另一元件(例如，第二元件)“(可操作地或可通信地)联接”或“(可操作地或可通信地)联接至”另一元件(例如，第二元件)或“连接至”另一元件(例如，第二元件)时，应理解为该一个元件直接连接至该另一元件或者该一个元件经由又一个元件(例如，第三元件)间接连接至该另一个元件。相反，可理解，当元件(例如，第一元件)称为“直接连接”或“直接联接”至另一元件(第二元件)时，则没有元件(例如，第三元件)插入在这两者之间。
以上描述仅为本申请的可选实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离上述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
以上所述仅为本申请的可选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种制备特定转角二维异质结材料的方法，其特征在于，包括：
在基底上通过化学气相沉积方式制备目标结构的单层样品；
将所述单层样品从所述基底转移至具有粘附性的转移载体上；
切割所述转移载体，形成待转移样品；
通过样品转移系统依次将至少两个所述待转移样品中的所述单层样品转移至金刚石压砧砧面对应的样品腔目标区域，形成异质结样品。
2.根据权利要求1所述的制备特定转角二维异质结材料的方法，其特征在于，
将所述单层样品从所述基底转移至具有粘附性的转移载体上，包括：
在所述单层样品上贴附所述转移载体，使得所述单层样品嵌入所述转移载体的正面，使得所述转移载体的正面与所述基底表面贴合；
通过湿法刻蚀的方式分离所述转移载体的正面与所述基底表面，使得所述单层样品转移至所述转移载体上。
3.根据权利要求2所述的制备特定转角二维异质结材料的方法，其特征在于，
通过湿法刻蚀的方式分离所述转移载体的正面与所述基底表面，包括：
将贴合后的所述转移载体和所述基底浸泡于分离溶液，使得所述转移载体的正面与所述基底表面分离。
4.根据权利要求1所述的制备特定转角二维异质结材料的方法，其特征在于，
所述样品转移系统包括转移控制台、延展臂、转移头、载物台和光学显微镜；所述转移控制台通过所述延展臂与所述转移头连接，用于控制所述转移头的位移；所述转移头的底部设置有透明板用于粘附所述待转移样品，所述延展臂和/或所述转移头内设置有对应的通孔便于用户通过所述光学显微镜观察所述待转移样品。
5.根据权利要求4所述的制备特定转角二维异质结材料的方法，其特征在于，
通过样品转移系统依次将至少两个所述待转移样品中的所述单层样品转移至金刚石压砧砧面对应的样品腔目标区域，包括：
将所述金刚石压砧的上砧和下砧分开，将所述上砧放置于所述载物台上；
调节所述载物台位置使得所述光学显微镜的镜头在所述上砧的表面聚焦并定位金属垫片样品腔区域作为所述目标区域；
依次将至少两个所述待转移样品中的所述单层样品通过所述转移头转移至所述上砧表面上的所述目标区域。
6.根据权利要求5所述的制备特定转角二维异质结材料的方法，其特征在于，
依次将至少两个所述待转移样品中的所述单层样品通过所述转移头转移至所述上砧表面上的所述目标区域，包括：
将当前待转移样品嵌有所述单层样品表面的相对面粘附于所述转移头底部的所述透明板上；
调节所述转移控制台，使得所述转移头的通孔在所述上砧表面的所述目标区域的正投影区域与所述当前待转移样品重合；
调节所述转移控制台，使得所述当前待转移样品与所述上砧的表面紧密贴合；
加热所述载物台，使得所述当前待转移样品中所述转移载体失去粘性，使的所述单层样品脱离所述转移载体且与所述上砧面结合；
再次调节所述转移控制台，移走所述转移头且去除原先的所述转移载体后，将下一个所述待转移样品嵌有所述单层样品表面的相对面粘附于所述转移头底部的所述透明板上。
7.根据权利要求6所述的制备特定转角二维异质结材料的方法，其特征在于，
所述样品转移系统还包括图像获取设备和处理器；所述图像获取设备用于获取通过所述光学显微镜所观察到的观察画面；所述处理器分别与所述图像获取设备、所述转移控制台和所述载物台电连接。
8.根据权利要求7所述的制备特定转角二维异质结材料的方法，其特征在于，
调节所述转移控制台，使得所述当前待转移样品与所述上砧的表面紧密贴合，包括：
通过所述处理器控制所述转移控制台使得所述当前待转移样品朝向所述上砧的表面移动；
通过所述图像获取设备获取所述观察画面，在所述观察画面上出现彩色衍射条纹后，继续控制所述转移控制台使得所述当前待转移样品朝向所述上砧的表面移动，直到所述观察画面上的所述彩色衍射条纹消失为止。
9.根据权利要求5所述的制备特定转角二维异质结材料的方法，其特征在于，
所述形成异质结样品之后，所述方法还包括：
在真空条件下对所述异质结样品进行退火，去除转移载体残留材料及杂质，得到目标异质结样品。
10.根据权利要求9所述的制备特定转角二维异质结材料的方法，其特征在于，
所述得到目标异质结样品之后，所述方法还包括：
将所述金刚石压砧的下砧的所述样品腔内加入用作压力标定的红宝石以及传压介质；
合体带有所述目标异质结样品的所述上砧和所述下砧，进行高压实验。
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