CN114220725A - 一种电子显微镜 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电子显微镜,包括:电子源,用于产生电子束;第一束导管,用于加速所述电子束;第二束导管,用于加速所述电子束;第一探测器,设置于所述第一束导管和所述第二束导管之间,用于接收所述电子束作用于待测样品上产生的二次电子;控制电极,设置于所述第一探测器与所述电子束的光轴之间,用于改变所述电子束作用于待测样品上产生的背散射电子和二次电子的运动方向。本发明提供的一种电子显微镜,能够探测到纯的电子束作用于待测样品上产生的二次电子。

Description

一种电子显微镜
技术领域
本发明属于显微镜设备技术领域,具体地说,涉及一种电子显微镜。
背景技术
现有技术中,扫描电子显微镜是一种常用的显微分析仪器,通常电子束通过扫描电子显微镜的物镜汇聚到待测样品上,产生一个微小束斑,在该微区内电子束作用于待测样品上产生二次电子(SE),背散射电子(BSE)等信号电子,进而可通过探测器对待测样品表面的形貌进行观察以及对材料成分进行分析。
其中,二次电子能够表征待测样品的形貌特征,背散射电子与被观察材料的原子序数有关,更多的表征待测样品的材质信息,相对于待测样品表面小角度发射的背散射电子受到了待测样品表面起伏的影响,也会反映出待测样品表面形貌的信息。因此,不同类别的信号电子、不同角度出射的信号电子反映不同的待测样品信息。因此,通过分别探测纯的二次电子和背散射电子,能够形成具有更好衬度的反映表面形貌或材质信息的图像,有助于更精确的分析待测样品。
有鉴于此特提出本发明。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于克服现有技术的不足,提供一种电子显微镜,能够探测到纯的电子束作用于待测样品上产生的二次电子。
为解决上述技术问题,本发明采用技术方案的基本构思是:
一种电子显微镜,包括:
电子源,用于产生电子束;
第一束导管,用于加速所述电子束;
第二束导管,用于加速所述电子束;
第一探测器,设置于所述第一束导管和所述第二束导管之间,用于接收所述电子束作用于待测样品上产生的二次电子;
控制电极,设置于所述第一探测器与所述电子束的光轴之间,用于改变所述电子束作用于待测样品上产生的背散射电子和二次电子的运动方向。
进一步的,所述控制电极为多孔结构。
进一步的,所述控制电极为圆环形,所述圆环形的外侧壁开设凹槽,所述第一探测器设置于所述凹槽中。
进一步的,所述凹槽为环形凹槽。
进一步的,所述第一探测器为多个,多个所述第一探测器圆周间隔分布在所述环形凹槽中。
在一些可选的实施方式中,由上至下方向上,所述凹槽径向截面包括依次连接的第一段、第二段、第三段,所述第三段向下倾斜,与水平面呈第一夹角。
进一步的,所述第一夹角的角度范围为十五度至七十五度。
在一些可选的实施方式中,所述第三段为曲线。
在一些可选的实施方式中,所述第一段向上倾斜,与水平面呈第二夹角,所述第二夹角的角度范围为零度至九十度,所述第二段与水平面垂直设置。
在一些可选的实施方式中,还包括:
第二探测器,设置于所述第一束导管和所述控制电极之间,用于接收所述电子束作用于待测样品上产生的背散射电子。
采用上述技术方案后,本发明与现有技术相比具有以下有益效果。
本发明提供的一种电子显微镜,该电子显微镜在第一束导管和第二束导管之间设置第一探测器,第一探测器与电子束的光轴之间设置有控制电极,控制电极改变电子源产生的电子束作用于待测样品上产生的背散射电子和二次电子的运动方向,使得第一探测器能够接收到纯的电子束作用于待测样品上产生的二次电子。
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的描述。
附图说明
附图作为本发明的一部分,用来提供对本发明的进一步的理解,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,但不构成对本发明的不当限定。显然,下面描述中的附图仅仅是一些实施例,对于本领域普通技术人员来说,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他附图。在附图中:
图1是本发明提供的一种电子显微镜的一种实施方式整体结构示意图;
图2是本发明图1中控制电极结构示意图;
图3是本发明提供的一种电子显微镜的另一种实施方式整体结构示意图;
图4是本发明图2中控制电极结构示意图。
图中:1、电子源;2、电子加速结构;3、第一束导管;4、第一透镜装置;5第二探测器;6、控制电极;7、第一探测器;8、第二束导管;9、第一偏转器;10、第二偏转器;11、第二透镜装置;12、待测样品;13、样品台;14、第一段;15、第二段;16、第三段;17、光轴。
需要说明的是,这些附图和文字描述并不旨在以任何方式限制本发明的构思范围,而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
如图1至图4所示,本发明供的一种电子显微镜,该电子显微镜包括电子源1、第一束导管3、第二束导管8、第一探测器7、控制电极6。
电子源1用于产生电子束,第一束导管3用于加速电子束,第二束导管8用于加速电子束,第一探测器7设置于第一束导管3和第二束导管8之间,用于接收电子束作用于待测样品12上产生的二次电子,控制电极6设置于第一探测器7与电子束的光轴17之间,用于改变电子束作用于待测样品12上产生的背散射电子和二次电子的运动方向。
具体的,本发明提供的一种电子显微镜,沿着电子源1到待测样品12方向依次设置有电子源1、第一束导管3、第一探测器7、控制电极6、第二束导管8、样品台13。控制电极6设置于第一探测器7与电子束的光轴17之间。
电子源1产生的电子束,依次经过第一束导管3、控制电极6、第二束导管8,作用于放置在样品台13上的待测样品12。电子束作用于待测样品12上产生背散射电子和二次电子。控制电极6改变电子束作用于待测样品12上产生的背散射电子和二次电子的运动方向。第一探测器7接收电子束作用于待测样品12上产生的二次电子。
由于背散射电子和二次电子的能量相差较大,控制电极6对背散射电子和二次电子影响不同,从而对背散射电子和二次电子运动方向改变不同,通过对控制电极6的电压值控制,可以改变背散射电子和二次电子运动方向,从而将背散射电子和二次电子分离。二次电子运动方向改变被第一探测器7接收。第一探测器7能够接收到纯的二次电子。
本发明提供的一种电子显微镜,该电子显微镜在第一束导管3和第二束导管8之间设置第一探测器7,第一探测器7与电子束的光轴17之间设置有控制电极6,控制电极6改变电子源1产生的电子束作用于待测样品12上产生的背散射电子和二次电子的运动方向,使得第一探测器7能够接收到纯的电子束作用于待测样品12上产生的二次电子。
进一步的,如图1和图3所示,本发明提供的一种电子显微镜,控制电极6为多孔结构。
控制电极6设置于第一探测器7与电子束的光轴17之间。电子束作用于待测样品12上产生的背散射电子和二次电子,由于二次电子能量小,所以当背散射电子和二次电子穿过第二束导管8经过控制电极6时,二次电子受控制电极6与第二束导管8和第一束导管3之间的电场影响较大。二次电子运动方向发生改变,由于控制电极6为多孔结构,二次电子会穿过控制电极6上的孔,被第一探测器7接收。
进一步的,如图1至图4所示,本发明提供的一种电子显微镜,控制电极6为圆环形,圆环形的外侧壁开设凹槽,第一探测器7设置于凹槽中。
控制电极6为圆环形,圆环形的中心孔用于电子束、背散射电子以及二次电子穿过。沿着圆环形外周向中心孔方向上,在圆环形的外侧壁上开设凹槽,第一探测器7设置于凹槽中,由于控制电极6为多孔结构,设置于凹槽中的第一探测器7与光轴17的距离更近,接收二次电子的效率更高。
进一步的,如图1至图4所示,本发明提供的一种电子显微镜,凹槽为环形凹槽。
控制电极6为圆环形,圆环形的中心孔用于电子束、背散射电子以及二次电子穿过。沿着圆环形外周向中心孔方向上,在圆环形的外侧壁上开设凹槽,凹槽的形状为环形,在控制电极6的外侧壁上开设环形凹槽,便于第一探测器7可以安装在任意方向上的凹槽中。
进一步的,如图1和图3所示,本发明提供的一种电子显微镜,第一探测器7为多个,多个第一探测器7圆周间隔分布在环形凹槽中。
第一探测器7可以设置多个,多个第一探测器7可以沿着环形凹槽的圆周方向上,在环形凹槽中间隔分布,本领域技术人员可以根据实际情况,例如空间等,自行设置第一探测器7的具体位置。
由于控制电极6对第一探测器7的屏蔽作用,第一探测器7不会对电子束的运动轨迹进行干扰。所以第一探测器7可以设置在环形凹槽中的任一位置。
优选的,多个第一探测器7圆周均匀间隔分布在环形凹槽中。
更优选的,第一探测器7也可以是圆环形的探测器,探测效率更高。
在一些可选的实施方式中,如图1至图2所示,本发明提供的一种电子显微镜,由上至下方向上,凹槽径向截面包括依次连接的第一段14、第二段15、第三段16,第三段16向下倾斜,与水平面呈第一夹角。
具体的,由上至下方向上,即沿着电子束运动的方向,凹槽径向截面包括依次连接的第一段14、第二段15、第三段16。第三段16向下倾斜,与水平面呈第一夹角。
第三段16向下倾斜,在第三段16形成的端面与第二束导管8之间形成的电场可以对背散射电子和二次电子进行运动轨迹的改变,使得二次电子会穿过控制电极6上的孔,被第一探测器7接收。第一探测器7可以接收更多的二次电子,第一探测器7的接收效率更高。
进一步的,第一夹角的角度范围为十五度至七十五度。
第三段16向下倾斜,与水平面呈第一夹角。第一夹角的角度范围为十五度至七十五度。
当第三段16向下倾斜与水平面呈的第一夹角的角度值在十五度至七十五度范围时,在第三段16形成的端面与第二束导管8之间形成的电场,可以更好的对背散射电子和二次电子进行运动轨迹的改变,使得二次电子会穿过控制电极6上的孔,被第一探测器7接收。第一探测器7可以接收更多的二次电子,第一探测器7的接收效率更高。
优选的,第三段16向下倾斜,与水平面呈第一夹角。第一夹角的角度为四十度。
在一些可选的实施方式中,如图3至图4所示本发明提供的一种电子显微镜,第三段16为曲线。
为了形成需要的电场,更好的对背散射电子和二次电子进行运动轨迹的改变,第三段16可以为曲线。
当第三段16为曲线时,则第三段16对应的凹槽下侧面为曲面,曲面的弯曲角度可以改变控制电极6与第二束导管8之间形成的电场强度分布,本领域技术人员可以根据实际需要,设置需要的曲面弯曲角度,形成需要的电场强度分布,更好的对背散射电子和二次电子进行运动轨迹的改变,使得二次电子会穿过控制电极6上的孔,被第一探测器7接收。第一探测器7可以接收更多的二次电子,第一探测器7的接收效率更高。
在一些可选的实施方式中,如图1至图4所示,本发明提供的一种电子显微镜,第一段14向上倾斜,与水平面呈第二夹角,第二夹角的角度范围为零度至九十度,第二段15与水平面垂直设置。
具体的,第一段14向上倾斜,与水平面呈第二夹角,第二夹角的角度范围为零度至九十度,优选的,夹角的角度为四十度。
第二段15与水平面垂直设置。第二段15是垂直于水平面上的,第二段15的一端与第一段14连接,另一端与第三段16连接。第一段14向上倾斜,第三段16向下倾斜。如此第一段14和第二段15以及第三段16形成的凹槽,凹槽的槽口宽度大于槽底的宽度,不仅可以对背散射电子和二次电子进行运动轨迹的改变,还便于第一探测器7的安装,由于凹槽的槽口宽度大于槽底的宽度,凹槽有了更大的容纳空间,便于容纳第一探测器7。
在一些可选的实施方式中,如图1和图3所示,本发明提供的一种电子显微镜,还包括第二探测器5,第二探测器5,设置于第一束导管3和控制电极6之间,用于接收电子束作用于待测样品12上产生的背散射电子。
优选的,在一些可选的实施方式中,第二探测器5设置于第一束导管3下端。第二探测器5与第一束导管3下端连接。第二探测器5与第一束导管3处于同一电压值。用于接收电子束作用于待测样品12上产生的背散射电子。
如图1至图4所示,在一些可选的实施方式中,下面以一个具体实施例说明,具体的,电子源1用于产生电子束。电子源1分为场致发射源和热发射源,场致发射源又分为热场和冷场两种,热发射源分为钨丝、六硼化镧等。在本申请中电子源1可以是任意一种用于产生电子束的电子源1。本实施例提供的电子源1的电压值为-5kV。
电子加速结构2的电压值为-2kV。电子源1产生的电子束经电子加速结构2后,运动速度会增加。
第一束导管3的电压值为10kV。电子加速结构2与第一束导管3之间形成加速电场,经过加速结构的电子束,加速后进入第一束导管3。电子束在第一束导管3中保持高速运动。用于降低电子束中的空间电荷效应,第一透镜装置4设置于第一束导管3外周,第一透镜装置4可以为磁透镜,用于汇聚第一束导管3中高速运动的电子束。
电子束穿过第一束导管3,依次经过圆环形的第二探测器5的中心孔、圆环形的控制电极6的中心孔,进入第二束导管8,第二束导管8的电压值为10kV。电子束在第二束导管8中保持高速运动,用于降低电子束中的空间电荷效应。
第二透镜装置11设置于第二束导管8外周,第二透镜装置11为一个复合式的电磁透镜结构,由磁透镜和第二束导管8下端与样品台13之间形成的减速电透镜构成,样品台13电压值为0kV,电子束入射到待测样品12上的落点能量为5keV,在第二束导管8和第二透镜装置11之间设置有偏转装置,偏转装置用于改变入射到待测样品12前的电子束的运动方向,能够产生任意偏转方向的扫描场。
进一步的,偏转装置包括第一偏转器9和第二偏转器10,也可以有更多的偏转器参与进来进行电子的扫描。第一偏转器9可以是磁偏转器或电偏转器,第二偏转器10可以是磁偏转器或电偏转器。第一偏转器9和第二偏转器10配合作用改变入射到待测样品12前的电子束的运动方向。第二透镜装置11设置于第二束导管8外周,电子束穿过第二束导管8,经过第二透镜装置11的上极靴和下极靴,第二透镜装置11汇聚电子束作用于待测样品12上。
汇聚后的扫描电子束作用于待测样品12上产生的背散射电子和二次电子。二次电子能量低,小于50eV,背散射电子能量接近于5keV。产生的背散射电子和二次电子经过第二透镜装置11进入第二束导管8,背散射电子和二次电子运动轨迹会形成交叉点,由于二次电子能量小。二次电子的轨迹形成交叉点低于背散射电子的轨迹形成交叉点。
第一探测器7设置于第一束导管3和第二束导管8之间,用于接收电子束作用于待测样品12上产生的二次电子。控制电极6设置于第一探测器7与电子束的光轴17之间,第一探测器7电压值为10kV,控制电极6电压值为1kV。穿过第二束导管8的背散射电子和二次电子向控制电极6运动。
第一束导管3的电压值为10kV,第二束导管8的电压值为10kV,控制电极6的电压值为1kV,沿着背散射电子和二次电子运动方向,第二束导管8和控制电极6之间形成一个减速电场。控制电极6和第一束导管3之间形成一个加速电场。
由于二次电子能量小,在运动到第二束导管8和控制电极6之间形成的减速电场时,受减速电场的影响较大。二次电子的运动方向会发生改变,由于圆环形的控制电极6的中心孔的孔径小于第二束导管8的孔径,控制电极6为多孔结构。部分二次电子会直接穿过控制电极6,被第一探测器7接收。
进入控制电极6的中心孔的二次电子,受到第二束导管8和控制电极6之间形成的减速电场影响,二次电子运动速度降低,由于第一探测器7电压值为10kV,控制电极6电压值为1kV。所以被减速的二次电子会被第一探测器7吸引,从而被减速的二次电子穿过控制电极6的孔,被第一探测器7接收。
由于背散射电子能量大,背散射电子会穿过控制电极6的中心孔,被设置在第一束导管3下端的第二探测器5接收,第二探测器5与第一束导管3处于同一电压值,电压值为10kV。
本发明提供的一种电子显微镜,该电子显微镜在第一束导管3和第二束导管8之间设置控制电极6,控制电极6改变电子源1产生的电子束作用于待测样品12上产生的背散射电子和二次电子的运动方向,控制电极6与第一束导管3和第二束导管8之间的电场配合,可以将二次电子和背散射电子分开。使得第二探测器5能够接收到纯的电子束作用于待测样品12上产生的背散射电子。第一探测器7能够接收到纯的电子束作用于待测样品12上产生的二次电子。
如图1至图4所示,在一些可选的实施方式中,具体的,电子源1用于产生电子束。电子源1分为场致发射源和热发射源,场致发射源又分为热场和冷场两种,热发射源分为钨丝、六硼化镧等。在本申请中电子源1可以是任意一种用于产生电子束的电子源1。本实施例提供的电子源1的电压值V1可选0kV到-15kV之间任一值。
电子加速结构2的电压值V2可选3kV到-12kV之间任一值。电子源1产生的电子束经电子加速结构2后,运动速度会增加。
第一束导管3的电压值V3为10kV。电子加速结构2与第一束导管3之间形成加速电场,经过加速结构的电子束,加速后进入第一束导管3。电子束在第一束导管3中保持高速运动。用于降低电子束中的空间电荷效应,第一透镜装置4设置于第一束导管3外周,第一透镜装置4可以为磁透镜,用于汇聚第一束导管3中高速运动的电子束。
电子束穿过第一束导管3,依次经过圆环形的第二探测器5的中心孔、圆环形的控制电极6的中心孔,进入第二束导管8,第二束导管8的电压值V7为10kV。电子束在第二束导管8中保持高速运动,用于降低电子束中的空间电荷效应。
第二透镜装置11设置于第二束导管8外周,第二透镜装置11为一个复合式的电磁透镜结构,由磁透镜和第二束导管8下端与样品台13之间形成的减速电透镜构成,样品台13电压值V8为0kV,在第二束导管8和第二透镜装置11之间设置有偏转装置,偏转装置用于改变入射到待测样品12前的电子束的运动方向,能够产生任意偏转方向的扫描场。
进一步的,偏转装置包括第一偏转器9和第二偏转器10,也可以有更多的偏转器参与进来进行电子的扫描。第一偏转器9可以是磁偏转器或电偏转器,第二偏转器10可以是磁偏转器或电偏转器。第一偏转器9和第二偏转器10配合作用改变入射到待测样品12前的电子束的运动方向。第二透镜装置11设置于第二束导管8外周,电子束穿过第二束导管8,经过第二透镜装置11的上极靴和下极靴,第二透镜装置11汇聚电子束作用于待测样品12上。
汇聚后的扫描电子束作用于待测样品12上产生的背散射电子和二次电子。二次电子能量低,背散射电子能量高。产生的背散射电子和二次电子经过第二透镜装置11进入第二束导管8,背散射电子和二次电子运动轨迹会形成交叉点,由于二次电子能量小。二次电子的轨迹形成交叉点低于背散射电子的轨迹形成交叉点。
第一探测器7设置于第一束导管3和第二束导管8之间,用于接收电子束作用于待测样品12上产生的二次电子。控制电极6设置于第一探测器7与电子束的光轴17之间,第一探测器7电压值V6为10kV,控制电极6电压值V5可选0kV到10kV之间任一值。穿过第二束导管8的背散射电子和二次电子向控制电极6运动。
第一束导管3的电压值V3为10kV,第二束导管8的电压值V7为10kV,控制电极6的电压值为V5可选0kV到10kV之间任一值,沿着背散射电子和二次电子运动方向,第二束导管8和控制电极6之间形成一个减速电场。控制电极6和第一束导管3之间形成一个加速电场。
由于二次电子能量小,在运动到第二束导管8和控制电极6之间形成的减速电场时,受减速电场的影响较大。二次电子的运动方向会发生改变,由于圆环形的控制电极6的中心孔的孔径小于第二束导管8的孔径,控制电极6为多孔结构。部分二次电子会直接穿过控制电极6,被第一探测器7接收。
进入控制电极6的中心孔的二次电子,受到第二束导管8和控制电极6之间形成的减速电场影响,二次电子运动速度降低,由于第一探测器7电压值V4为10kV,控制电极6电压值为V5可选0kV到10kV之间任一值。所以被减速的二次电子会被第一探测器7吸引,从而被减速的二次电子穿过控制电极6的孔,被第一探测器7接收。
由于背散射电子能量大,背散射电子会穿过控制电极6的中心孔,被设置在第一束导管3下端的第二探测器5接收,第一探测器5电压值V4与第一束导管3电压值V3处于同一电压值,V4电压值为10kV,V3电压值为10kV。
本发明提供的一种电子显微镜,该电子显微镜在第一束导管3和第二束导管8之间设置控制电极6,控制电极6改变电子源1产生的电子束作用于待测样品12上产生的背散射电子和二次电子的运动方向,控制电极6与第一束导管3和第二束导管8之间的电场配合,可以将二次电子和背散射电子分开。使得第二探测器5能够接收到纯的电子束作用于待测样品12上产生的背散射电子。第一探测器7能够接收到纯的电子束作用于待测样品12上产生的二次电子。
需要说明的是,电子源1、电子加速结构2、第一束导管3、控制电极6、第一探测器7、第二束导管8、第二探测器5、样品台13等电压值不局限于上述实施例的优选值,本领域技术人员可以根据实际情况需要自行设定具体的电压值。
举例说明,当对第一束导管3、控制电极6、第二束导管8加载的电压值进行改变时,第二束导管8和控制电极6之间形成一个减速电场。由于第二束导管8和控制电极6加载的电压值改变,所以减速电场的强度也发生改变。控制电极6和第一束导管3之间形成一个加速电场。由于控制电极6和第一束导管3加载的电压值改变,所以加速电场的强度也发生改变。汇聚后的扫描电子束作用于待测样品12上产生的背散射电子和二次电子等电子统称信号电子,信号电子具有不同的能量,不同能量的信号电子反应不同的待测样品12信息。由于减速电场的强度和加速电场的强度均可以通过需要进行改变。所以不同能量的信号电子在进入减速电场和加速电场受到的电场力不同,所以不同能量的信号电子的运动轨迹会发生不同改变。第一探测器7和第二探测器5可以有选择性的探测不同能量的信号电子。本领域技术人员可以调节电子源1、电子加速结构2、第一束导管3、控制电极6、第一探测器7、第二束导管8、第二探测器5、样品台13等的电压值,来获取需要的相应能量的信号电子。
以上所述仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专利的技术人员在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述提示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明方案的范围内。

Claims (10)

1.一种电子显微镜,其特征在于:包括:
电子源,用于产生电子束;
第一束导管,用于加速所述电子束;
第二束导管,用于加速所述电子束;
第一探测器,设置于所述第一束导管和所述第二束导管之间,用于接收所述电子束作用于待测样品上产生的二次电子;
控制电极,设置于所述第一探测器与所述电子束的光轴之间,用于改变所述电子束作用于待测样品上产生的背散射电子和二次电子的运动方向。
2.根据权利要求1所述的电子显微镜,其特征在于:所述控制电极为多孔结构。
3.根据权利要求2所述的电子显微镜,其特征在于:所述控制电极为圆环形,所述圆环形的外侧壁开设凹槽,所述第一探测器设置于所述凹槽中。
4.根据权利要求3所述的电子显微镜,其特征在于:所述凹槽为环形凹槽。
5.根据权利要求4所述的电子显微镜,其特征在于:所述第一探测器为多个,多个所述第一探测器圆周间隔分布在所述环形凹槽中。
6.根据权利要求3所述的电子显微镜,其特征在于:由上至下方向上,所述凹槽径向截面包括依次连接的第一段、第二段、第三段,所述第三段向下倾斜,与水平面呈第一夹角。
7.根据权利要求6所述的电子显微镜,其特征在于:所述第一夹角的角度范围为十五度至七十五度。
8.根据权利要求6所述的电子显微镜,其特征在于:所述第三段为曲线。
9.根据权利要求6所述的电子显微镜,其特征在于:所述第一段向上倾斜,与水平面呈第二夹角,所述第二夹角的角度范围为零度至九十度,所述第二段与水平面垂直设置。
10.根据权利要求1-9任一项所述的电子显微镜,其特征在于:还包括:
第二探测器,设置于所述第一束导管和所述控制电极之间,用于接收所述电子束作用于待测样品上产生的背散射电子。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116631830A (zh) * 2023-07-20 2023-08-22 北京惠然肯来科技中心(有限合伙) 偏转探测系统、探测方法及扫描电子显微镜
CN117630073A (zh) * 2023-12-07 2024-03-01 屹东光学技术(苏州)有限公司 扫描电子显微镜镜筒内二次电子探测方法及系统
CN118098914A (zh) * 2024-04-23 2024-05-28 国仪量子技术(合肥)股份有限公司 电子探测装置和扫描电镜
WO2024152501A1 (zh) * 2023-01-18 2024-07-25 纳克微束(北京)有限公司 一种双内置复合结构的探测系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020148960A1 (en) * 1998-10-29 2002-10-17 Hitachi, Ltd. Scanning electron microscope
US20030127604A1 (en) * 1998-03-09 2003-07-10 Hideo Todokoro Scanning electron microscope
CN103733299A (zh) * 2011-09-07 2014-04-16 株式会社日立高新技术 扫描电子显微镜
CN207425790U (zh) * 2017-11-21 2018-05-29 聚束科技(北京)有限公司 一种低能扫描电子显微镜系统
CN108231511A (zh) * 2017-11-21 2018-06-29 聚束科技(北京)有限公司 一种扫描电子显微镜物镜系统及样品探测方法
CN110376229A (zh) * 2019-06-12 2019-10-25 聚束科技(北京)有限公司 具备复合式探测系统的扫描电子显微镜和样品探测方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3291880B2 (ja) * 1993-12-28 2002-06-17 株式会社日立製作所 走査形電子顕微鏡
JP3434165B2 (ja) * 1997-04-18 2003-08-04 株式会社日立製作所 走査電子顕微鏡
CN103890895B (zh) * 2011-09-27 2016-05-18 Snu精度株式会社 具备反射电子检测功能的扫描电子显微镜
CN110383414A (zh) * 2017-02-22 2019-10-25 株式会社日立高新技术 带电粒子束装置
CN114256043B (zh) * 2020-12-02 2024-04-05 聚束科技(北京)有限公司 一种电子束系统

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030127604A1 (en) * 1998-03-09 2003-07-10 Hideo Todokoro Scanning electron microscope
US20020148960A1 (en) * 1998-10-29 2002-10-17 Hitachi, Ltd. Scanning electron microscope
CN103733299A (zh) * 2011-09-07 2014-04-16 株式会社日立高新技术 扫描电子显微镜
CN207425790U (zh) * 2017-11-21 2018-05-29 聚束科技(北京)有限公司 一种低能扫描电子显微镜系统
CN108231511A (zh) * 2017-11-21 2018-06-29 聚束科技(北京)有限公司 一种扫描电子显微镜物镜系统及样品探测方法
CN110376229A (zh) * 2019-06-12 2019-10-25 聚束科技(北京)有限公司 具备复合式探测系统的扫描电子显微镜和样品探测方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024152501A1 (zh) * 2023-01-18 2024-07-25 纳克微束(北京)有限公司 一种双内置复合结构的探测系统
CN116631830A (zh) * 2023-07-20 2023-08-22 北京惠然肯来科技中心(有限合伙) 偏转探测系统、探测方法及扫描电子显微镜
CN116631830B (zh) * 2023-07-20 2023-10-27 北京惠然肯来科技中心(有限合伙) 偏转探测系统、探测方法及扫描电子显微镜
CN117630073A (zh) * 2023-12-07 2024-03-01 屹东光学技术(苏州)有限公司 扫描电子显微镜镜筒内二次电子探测方法及系统
CN118098914A (zh) * 2024-04-23 2024-05-28 国仪量子技术(合肥)股份有限公司 电子探测装置和扫描电镜

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