JP2022552751A - 標本を検査する方法および荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
標本を検査する方法および荷電粒子ビーム装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022552751A JP2022552751A JP2022523470A JP2022523470A JP2022552751A JP 2022552751 A JP2022552751 A JP 2022552751A JP 2022523470 A JP2022523470 A JP 2022523470A JP 2022523470 A JP2022523470 A JP 2022523470A JP 2022552751 A JP2022552751 A JP 2022552751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- primary
- beamlets
- charged particle
- particle beam
- aperture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 362
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 64
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 116
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 35
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 30
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 8
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 26
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 25
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 22
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 17
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 15
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 15
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 9
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 235000019557 luminance Nutrition 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 206010073261 Ovarian theca cell tumour Diseases 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 208000001644 thecoma Diseases 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/12—Lenses electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
- H01J37/1474—Scanning means
- H01J37/1475—Scanning means magnetic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
- H01J37/1474—Scanning means
- H01J37/1477—Scanning means electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
- H01J2237/0451—Diaphragms with fixed aperture
- H01J2237/0453—Diaphragms with fixed aperture multiple apertures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24592—Inspection and quality control of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
本明細書に記載する他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、荷電粒子ビーム源110(ボックス210も参照)は、エミッタ111を含むことができる。特に、単一のエミッタ、たとえば高輝度エミッタを設けることができる。エミッタは、ショットキー型、または冷電界エミッタ(CFE)などの電界エミッタ型とすることができる。
マルチビーム生成器は、2つ以上の電極および開孔レンズアレイを含む。図3Aは、4つの電極124と、開孔レンズアレイ、すなわち多開孔レンズ板122とを示す。本明細書に記載する他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、2~6つの電極、特に静電電極と、多開孔レンズ板とを設けることができる。多開孔レンズ板は、複数の開孔を含む。開孔レンズアレイ(ALA)または多開孔板は、1つの開孔につき1つの1次ビームレットを生成する。
本明細書に記載する他の実施形態と組み合わせることができる本開示の実施形態によれば、コリメータ130および付随する構成要素を、ALAの下流に設けることができる。コリメータ130は、ビームレットをコリメートする。それに応じて、1次ビームレットの発散するパターンまたはアレイが、コリメータ130によって再誘導される。たとえば、1次ビームレットは、コリメータの後に平行または本質的に平行とすることができる。本明細書に記載する他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、コリメータ130は、図3Aに示す平面222内または平面222付近に設けることができる。平面付近とは、ALAの焦点距離の20%の範囲内にコリメータ130を有することであると理解されたい。平面222、すなわちALAの焦点平面を、コリメータ内またはコリメータ付近に配置することによって、偏向の収差による個々の電子ビームの歪みを低減させることができる。
図2のボックス250を参照して、ビーム分離ユニット160および検出ユニット150について、以下でさらに詳細に説明する。ビーム分離ユニット160は、1次ビームレットを1つまたは複数の信号ビームレットから分離する。信号ビームレットは、検出ユニット150によって検出される。図12は標本80を示す。1次ビームレット103は、標本80に衝突する。1次ビームレット103が衝突するとき、信号ビームレット105が生成される。1次ビームレット103および信号ビームレット105は、ビーム分離ユニットによって分離される。
図20Aは、対物レンズユニット170を示す。対物レンズユニットの様々な態様、詳細、特徴、および修正例について、図20A~図20Dに関して説明する。対応する実施形態は、他の本明細書に記載する実施形態、特に本明細書に記載する荷電粒子ビームカラムの様々な部分に関して説明した実施形態と組み合わせることができる。
図21は、本開示の実施形態による荷電粒子ビーム装置100内に設けることができるステージ180を示す。ステージ180は、運動アセンブリ182を含む。運動アセンブリ182は、標本80を少なくともx方向、y方向、およびz方向に動かすためのドライバを含む。それに応じて、対物レンズユニット170の光軸に対して標本80を動かすことができ、標本80と対物レンズユニット170との間の距離を適合させることができる。ステージ180は、絶縁層184および導電層186を含む。導電層186は、標本を受け取る面を提供する。導電層は、標本80と絶縁層184との間に設けられる。図20Aに示すように、導電層186を電源288に接続することができる。それに応じて、ウエハをバイアスすることができる。
Claims (48)
- 1次ビームレットのアレイによって標本を照射または検査する荷電粒子ビーム装置であって、
1次荷電粒子ビームを生成するための荷電粒子ビーム源と、
前記1次荷電粒子ビームから4つ以上の1次ビームレットを形成するための複数の開孔を有する多開孔レンズ板と、
前記1次荷電粒子ビームまたは前記4つ以上の1次ビームレットのための1つの開口部を有する2つ以上の電極であり、前記2つ以上の電極および前記多開孔レンズ板をバイアスして集束作用を提供することができる、2つ以上の電極と、
前記4つ以上の1次ビームレットのうちの第1の1次ビームレット、第2の1次ビームレット、第3の1次ビームレット、および第4の1次ビームレットを互いに対して偏向させるためのコリメータと、
前記4つ以上の1次ビームレットを4つ以上の信号ビームレットから分離するためのビーム分離ユニットと、
検出面を有する検出ユニットであり、1つまたは複数の検出面が前記4つ以上の1次ビームレットのビーム経路間に配置される、検出ユニットと、
前記標本の表面にわたって前記4つ以上の1次ビームレットを走査するための走査偏向器アセンブリと、
3つ以上の電極を有する対物レンズユニットであり、各電極が前記4つ以上の1次ビームレットのための開口部を有し、前記開口部が開口距離をあけて隔置され、前記対物レンズユニットが、前記4つ以上の1次ビームレットを前記標本上に集束させ、前記4つ以上の信号ビームレットを前記検出面上に集束させるように構成される、対物レンズユニットと、
前記標本を支持するためのステージとを備える荷電粒子ビーム装置。 - 前記開口距離が、200μm以上、特に400μm以上である、請求項1に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記対物レンズユニットが、前記検出面上の前記4つ以上の信号ビームレットのスポットサイズを調整するために4つ以上の電極を備える、請求項1または2に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記4つ以上の信号ビームレットの前記スポットサイズが、検出距離、特に前記開口距離に類似した検出距離に適合される、請求項3に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記ビーム分離ユニットが、
第1の静電偏向器と、
第2の静電偏向器と、
前記第1の静電偏向器と前記第2の静電偏向器との間に設けられた磁気偏向器とを備える、請求項1~4のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記第1の静電偏向器、前記第2の静電偏向器、および前記磁気偏向器が、磁気回路を形成する、請求項5に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記第1の静電偏向器および前記第2の静電偏向器が各々、前記4つ以上の1次ビームレットの行間に少なくとも2つの細長い電極を含む、請求項5または6に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記多開孔レンズ板の前記複数の開孔が、開孔アレイを形成し、前記開孔アレイ内の開孔の数が、前記標本に衝突する1次ビームレットの数より大きい、請求項1~7のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記多開孔レンズ板の前記複数の開孔が、正方形の形状または本質的に正方形の形状を有し、前記本質的に正方形の形状が、丸い角を有する正方形の形状である、請求項1~8のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記多開孔レンズ板を加熱するためのヒータ
をさらに備える、請求項1~9のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記多開孔レンズ板と前記コリメータとの間に設けられた位置合わせシステム
をさらに備える、請求項1~10のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記位置合わせシステムが、前記4つ以上の1次ビームレット間のピッチを適合させるために少なくとも1つの四重極を含む、請求項11に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記多開孔レンズ板と前記対物レンズユニットとの間に1つまたは複数の開孔アレイをさらに備え、前記1つまたは複数の開孔アレイが各々、前記4つ以上の1次ビームレットのための複数の開孔を有する、
請求項12に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記コリメータが、前記1つまたは複数の開孔アレイのうちの第1の開孔アレイと、前記1つまたは複数の開孔アレイのうちの第2の開孔アレイとの間に設けられる、請求項13に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記1つまたは複数の開孔アレイのうちの少なくとも1つの開孔アレイ上の1つまたは複数の導電面に取り付けられた流速計
をさらに備える、請求項13または14に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記位置合わせシステムが、前記多開孔レンズ板と前記少なくとも1つの開孔アレイとの間に設けられる、請求項15に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記1つまたは複数の開孔アレイのうちの少なくとも1つのための開孔アレイホルダをさらに備え、前記開孔アレイホルダが、第1の真空区画を第2の真空区画から分離する、
請求項13または14に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記コリメータが、
1行の前記4つ以上の1次ビームレットを第1の方向に沿って偏向させるための2つ以上の第1の細長い電極と、1行の前記4つ以上の1次ビームレットを前記第1の方向とは異なる第2の方向に沿って偏向させるための2つ以上の第2の細長い電極とを備える、請求項1~17のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記コリメータが、前記コリメータから互いに平行に現れるように、前記4つ以上の1次ビームレットのうちの前記第1の1次ビームレット、前記第2の1次ビームレット、前記第3の1次ビームレット、および前記第4の1次ビームレットを偏向させるように構成される、請求項1~18のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記対物レンズユニットが、
前記3つ以上の電極のうちの2つの電極間に設けられた1つまたは複数の絶縁板を備え、前記1つまたは複数の絶縁板が、前記4つ以上の1次ビームレットを前記絶縁板の1つの開口部に通すための1つの開口部を有する、請求項1~19のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記1つまたは複数の絶縁板が、標本の方へ進む前記1次ビームレットを減速させるための減速場を可能にするように構成され、最後から2つ目の電極と最後の電極との間の減速場が、少なくとも5kV/mmである、請求項20に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記対物レンズユニットの前記3つ以上の電極のうちの少なくとも1つが、1つの1次ビームレットにつき4つ以上の偏向電極、特に1つの1次ビームレットにつき8つ以上の偏向電極を備える、請求項1~21のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記4つ以上の偏向電極の各々が、前記偏向電極の個々のバイアスを可能にするように、絶縁ワイアによって接続される、請求項22に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記絶縁ワイアが、前記4つ以上の1次ビームレットによって形成されたアレイの側でコネクタに接続される、請求項23に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記標本を支持するための前記ステージが、
前記標本をバイアスすることを可能にするように構成された絶縁層を備える、請求項1~24のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 請求項1~25のいずれか1項に記載の第1の荷電粒子ビーム装置と、
1次ビームレットのアレイによって標本を照射または検査するための第2の荷電粒子ビーム装置とを備え、前記第2の荷電粒子ビーム装置が、
1次荷電粒子ビームを生成するための荷電粒子ビーム源と、
前記1次荷電粒子ビームから4つ以上の1次ビームレットを形成するための複数の開孔を有する多開孔レンズ板と、
前記1次荷電粒子ビームまたは前記4つ以上の1次ビームレットのための1つの開口部を有する2つ以上の電極であり、前記2つ以上の電極および前記多開孔レンズ板をバイアスして集束作用を提供することができる、2つ以上の電極と、
前記4つ以上の1次ビームレットのうちの第1の1次ビームレット、第2の1次ビームレット、第3の1次ビームレット、および第4の1次ビームレットを互いに対して偏向させるためのコリメータと、
前記4つ以上の1次ビームレットを4つ以上の信号ビームレットから分離するためのビーム分離ユニットと、
検出面を有する検出ユニットであり、1つまたは複数の検出面が前記4つ以上の1次ビームレットのビーム経路間に配置される、検出ユニットと、
前記標本の表面にわたって前記4つ以上の1次ビームレットを走査するための走査偏向器アセンブリと、
3つ以上の電極を有する対物レンズユニットであり、各電極が前記4つ以上の1次ビームレットのための開口部を有し、前記開口部が開口距離をあけて隔置され、前記対物レンズユニットが、前記4つ以上の1次ビームレットを前記標本上に集束させ、前記4つ以上の信号ビームレットを前記検出面上に集束させるように構成される、対物レンズユニットとを備える、
荷電粒子ビーム装置アセンブリ。 - 前記第1の荷電粒子ビーム装置および前記第2の荷電粒子ビーム装置が、前記標本の表面の異なる部分を同時に照射または検査するように、前記標本の上に互いに隣接して配置される、請求項26に記載の荷電粒子ビーム装置アセンブリ。
- 4つ以上の1次ビームレットによって標本を検査する方法であって、
荷電粒子源によって、1次荷電粒子ビームを生成することと、
多開孔レンズ板および2つ以上の電極によって、前記4つ以上の1次ビームレットを生成することと、
コリメータによって、前記4つ以上の1次ビームレットのうちの第1の1次ビームレット、第2の1次ビームレット、第3の1次ビームレット、および第4の1次ビームレットを互いに対して偏向させることと、
走査偏向器アセンブリによって、前記標本の表面にわたって前記4つ以上の1次ビームレットを走査することと、
対物レンズユニットによって、前記4つ以上の1次ビームレットを前記標本上に集束させて、4つ以上の信号ビームレットを生成することであり、前記対物レンズユニットの各電極が、前記4つ以上の1次ビームレットのための開口部を有し、前記開口部が開口距離をあけて隔置される、生成することと、
前記4つ以上の信号ビームレットを検出面上に集束させることであり、1つまたは複数の検出面が、前記4つ以上の1次ビームレットのそれぞれの1次ビームレット間に配置される、集束させることと、
ビーム分離ユニットによって、前記4つ以上の信号ビームレットを前記4つ以上の1次ビームレットから分離して、前記4つ以上の信号ビームレットを前記検出面へ案内することとを含む方法。 - 前記開口距離が、200μm以上、特に400μm以上である、請求項28に記載の方法。
- 前記検出面内の前記4つ以上の信号ビームレットのスポットサイズを調整することをさらに含み、特に検出距離が、前記検出面上の前記4つ以上の信号ビームレットの前記スポットサイズより大きい、
請求項28または29に記載の方法。 - ヒータによって、前記多開孔レンズ板を加熱することをさらに含む、
請求項28~30のいずれか1項に記載の方法。 - 測定される電流を最小にし、または信号ビームレットからの信号を最大にするように、コリメータの上流で位置合わせシステムを制御すること
をさらに含む、請求項28~31のいずれか1項に記載の方法。 - 前記4つ以上の1次ビームレットのうちの前記第1の1次ビームレット、前記第2の1次ビームレット、前記第3の1次ビームレット、および前記第4の1次ビームレットを互いに対して平行になるように偏向させること
をさらに含む、請求項28~32のいずれか1項に記載の方法。 - 前記対物レンズユニットが、3つ以上の電極を備え、前記方法が、
前記3つ以上の電極のうちの最後から2つ目の電極と最後の電極との間の前記4つ以上の1次ビームレットを減速させることをさらに含み、偏向場が少なくとも5kV/mmである、請求項28~33のいずれか1項に記載の方法。 - 1つの1次ビームレットにつき4つ以上の偏向電極によって、前記対物レンズユニット内の前記1次ビームレットを偏向および/または補正すること
をさらに含む、請求項28~34のいずれか1項に記載の方法。 - 前記標本を支持するステージ上の前記標本をバイアスすることをさらに含み、前記ステージが絶縁層を有する、
請求項28~35のいずれか1項に記載の方法。 - 抽出器によって、前記1次荷電粒子ビームを前記荷電粒子ビーム源から抽出することと、
抽出器の後に、前記1次荷電粒子ビームを加速させることと、
前記2つ以上の電極によって、前記1次荷電粒子ビームを前記多開孔レンズ板の方へ減速させることとをさらに含み、前記多開孔レンズ板の上流に位置する前記2つ以上の電極のうちの最後の電極と前記多開孔レンズ板との間の第1の静電界が、前記2つ以上の電極のうちの最後から2つ目の電極と最後の電極との間の第2の静電界より小さい、
請求項28~36のいずれか1項に記載の方法。 - 前記減速させることが、前記多開孔レンズ板および前記2つ以上の電極によって形成されるレンズのCsおよびCcが最小になり、前記コリメータにおける前記4つ以上の1次ビームレットのピッチが前記コリメータのコリメータピッチに整合されるように提供される、請求項37に記載の方法。
- 前記減速させることが、前記コリメータにおける前記開孔の像面湾曲が0になるように提供される、請求項37または38に記載の方法。
- 4つ以上の1次ビームレットのアレイを位置合わせする方法であって、
荷電粒子源によって、1次荷電粒子ビームを生成することと、
多開孔レンズ板および2つ以上の電極によって、前記4つ以上の1次ビームレットを生成することと、
コリメータによって、前記4つ以上の1次ビームレットのうちの第1の1次ビームレット、第2の1次ビームレット、第3の1次ビームレット、および第4の1次ビームレットを互いに対して偏向させることと、
開孔アレイ内の開口部にわたって前記4つ以上の1次ビームレットを走査するように、前記コリメータの上流で位置合わせシステムを制御することと、
前記開孔アレイ上の1つまたは複数の導電面で電流を測定することとを含む方法。 - 前記位置合わせシステムが、前記1つまたは複数の導電面における電流を最小にするように制御される、請求項40に記載の方法。
- 前記1つまたは複数の導電面が、前記開孔アレイ内の前記開口部間に設けられる、請求項41に記載の方法。
- 前記位置合わせシステムが、信号ビームレットからの信号を増大させるように制御される、請求項40~42のいずれか1項に記載の方法。
- 前記位置合わせシステムが、前記1つまたは複数の導電面における電流を最大にするように制御される、請求項40~43のいずれか1項に記載の方法。
- 前記1つまたは複数の導電面が、前記開孔アレイ内の前記開口部によって形成された開口部アレイの外側に設けられる、請求項41に記載の方法。
- 前記位置合わせシステムを制御することが、
a)前記開孔板の平面内で少なくとも第1の方向において、偏向場、特に1つの偏向場によって前記4つ以上の1次ビームレットを走査することと、
b)前記開孔板の前記平面内で前記第1の方向に直交する第2の方向において、前記4つ以上の1次ビームレットを走査することと、
c)前記開孔板の平面内で少なくとも第3の方向において、四重極場によって前記4つ以上の1次ビームレット間のピッチを適合させることと、
d)前記開孔板の平面内で少なくとも第4の方向において、四重極場によって前記4つ以上の1次ビームレット間のピッチを適合させることと、
e)前記開孔板の前記平面内で前記4つ以上の1次ビームレットによって形成されたアレイを回転させることとを含む制御手順のうちの1つまたは複数を含む、請求項40~45のいずれか1項に記載の方法。 - 制御手順a)および/またはb)、制御手順c)および/またはd)、ならびに制御手順e)が順次実行される、請求項46に記載の方法。
- 制御手順a)および/またはb)、制御手順c)および/またはd)、ならびに制御手順e)が反復的に順次実行される、請求項46または47に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2019/078504 WO2021078352A1 (en) | 2019-10-21 | 2019-10-21 | Method for inspecting a specimen and charged particle beam device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022552751A true JP2022552751A (ja) | 2022-12-19 |
Family
ID=68318877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022523470A Pending JP2022552751A (ja) | 2019-10-21 | 2019-10-21 | 標本を検査する方法および荷電粒子ビーム装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220392735A1 (ja) |
EP (1) | EP4049301A1 (ja) |
JP (1) | JP2022552751A (ja) |
KR (1) | KR20220083798A (ja) |
CN (1) | CN114830286A (ja) |
TW (2) | TW202318467A (ja) |
WO (1) | WO2021078352A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4089712A1 (en) * | 2021-05-12 | 2022-11-16 | ASML Netherlands B.V. | Assessment system, method of assessing |
KR20240007649A (ko) * | 2021-05-12 | 2024-01-16 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 평가 시스템, 평가 방법 |
EP4095881A1 (en) * | 2021-05-25 | 2022-11-30 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle device |
EP4352773A1 (en) * | 2021-06-08 | 2024-04-17 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle apparatus and method |
DE102021118561B4 (de) * | 2021-07-19 | 2023-03-30 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenmikroskopes mit schneller Strahlstromregelung, Computerprogrammprodukt und Vielstrahl-Teilchenmikroskop |
US11651934B2 (en) | 2021-09-30 | 2023-05-16 | Kla Corporation | Systems and methods of creating multiple electron beams |
EP4199027A1 (en) * | 2021-12-17 | 2023-06-21 | ASML Netherlands B.V. | Charged-particle apparatus, multi-device apparatus, method of using charged-particle apparatus and control method |
EP4280252A1 (en) | 2022-05-16 | 2023-11-22 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle optical device and method |
WO2023202819A1 (en) | 2022-04-18 | 2023-10-26 | Asml Netherlands B.V. | Charged particle optical device and method |
EP4343812A1 (en) | 2022-09-26 | 2024-03-27 | ASML Netherlands B.V. | Data processing device and method, charged particle assessment system and method |
WO2023227424A1 (en) | 2022-05-27 | 2023-11-30 | Asml Netherlands B.V. | Data processing device and method, charged particle assessment system and method |
WO2024017737A1 (en) | 2022-07-21 | 2024-01-25 | Asml Netherlands B.V. | Charged particle assessment system and method |
EP4333019A1 (en) | 2022-09-02 | 2024-03-06 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle assessment system and method |
EP4376049A1 (en) | 2022-11-28 | 2024-05-29 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle assessment method and system |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009507352A (ja) * | 2005-09-06 | 2009-02-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 荷電粒子検査方法及び荷電粒子システム |
US9922796B1 (en) * | 2016-12-01 | 2018-03-20 | Applied Materials Israel Ltd. | Method for inspecting a specimen and charged particle multi-beam device |
US20190013176A1 (en) * | 2017-07-05 | 2019-01-10 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Aberration-corrected multibeam source, charged particle beam device and method of imaging or illuminating a specimen with an array of primary charged particle beamlets |
US20190259570A1 (en) * | 2018-02-20 | 2019-08-22 | Technische Universiteit Delft | Apparatus and method for inspecting a surface of a sample, using a multi-beam charged particle column |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10121635B2 (en) * | 2013-09-30 | 2018-11-06 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Charged particle beam system and method of operating the same |
US9754759B2 (en) * | 2015-11-20 | 2017-09-05 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, and method of manufacturing an electrostatic multipole device |
WO2017193061A1 (en) * | 2016-05-06 | 2017-11-09 | Weiwei Xu | Miniature electron beam lens array use as common platform ebeam wafer metrology, imaging and material analysis system |
-
2019
- 2019-10-21 KR KR1020227016728A patent/KR20220083798A/ko unknown
- 2019-10-21 CN CN201980101525.5A patent/CN114830286A/zh active Pending
- 2019-10-21 WO PCT/EP2019/078504 patent/WO2021078352A1/en unknown
- 2019-10-21 EP EP19791223.1A patent/EP4049301A1/en active Pending
- 2019-10-21 US US17/770,576 patent/US20220392735A1/en active Pending
- 2019-10-21 JP JP2022523470A patent/JP2022552751A/ja active Pending
-
2020
- 2020-10-20 TW TW111149162A patent/TW202318467A/zh unknown
- 2020-10-20 TW TW109136230A patent/TWI790489B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009507352A (ja) * | 2005-09-06 | 2009-02-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 荷電粒子検査方法及び荷電粒子システム |
US9922796B1 (en) * | 2016-12-01 | 2018-03-20 | Applied Materials Israel Ltd. | Method for inspecting a specimen and charged particle multi-beam device |
US20190013176A1 (en) * | 2017-07-05 | 2019-01-10 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Aberration-corrected multibeam source, charged particle beam device and method of imaging or illuminating a specimen with an array of primary charged particle beamlets |
US20190259570A1 (en) * | 2018-02-20 | 2019-08-22 | Technische Universiteit Delft | Apparatus and method for inspecting a surface of a sample, using a multi-beam charged particle column |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202117784A (zh) | 2021-05-01 |
US20220392735A1 (en) | 2022-12-08 |
EP4049301A1 (en) | 2022-08-31 |
TW202318467A (zh) | 2023-05-01 |
KR20220083798A (ko) | 2022-06-20 |
CN114830286A (zh) | 2022-07-29 |
WO2021078352A1 (en) | 2021-04-29 |
TWI790489B (zh) | 2023-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI790489B (zh) | 用於檢測樣本的方法及帶電粒子束裝置 | |
KR102179897B1 (ko) | 시료를 검사하기 위한 방법 및 하전 입자 다중-빔 디바이스 | |
KR102295389B1 (ko) | 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용하여 시료를 검사하기 위한 방법, 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용한 시료의 검사를 위한 하전 입자 빔 디바이스, 및 시료의 검사를 위한 다중-컬럼 현미경 | |
TWI650550B (zh) | 用於高產量電子束檢測(ebi)的多射束裝置 | |
US10236156B2 (en) | Apparatus of plural charged-particle beams | |
EP3457426A1 (en) | Charged particle beam device, aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device | |
JP6099113B2 (ja) | ツインビーム荷電粒子ビームコラム及びその作動方法 | |
US9305740B2 (en) | Charged particle beam system and method of operating thereof | |
US10103004B2 (en) | System and method for imaging a secondary charged particle beam with adaptive secondary charged particle optics | |
US8723117B2 (en) | Switchable multi perspective detector, optics therefor and method of operating thereof | |
US8963083B2 (en) | Switchable multi perspective detector, optics therefore and method of operating thereof | |
CN115223831B (zh) | 带电粒子束设备、多子束组件和检查样本的方法 | |
TW202307899A (zh) | 帶電粒子評估系統及方法 | |
KR20230113319A (ko) | 하전 입자 도구, 캘리브레이션 방법, 검사 방법 | |
TW202309965A (zh) | 帶電粒子光學裝置、帶電粒子設備及方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220425 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230105 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230405 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230605 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230705 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230824 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20231117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20231117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240129 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20240430 |