CN114207193A - 使用硼酸为掺杂物的单晶硅锭的制造方法及使用固相掺杂物的拉锭器设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开用于制造硅晶硅锭的方法。所述锭使用固相硼酸作为硼源用硼进行掺杂。硼酸可在锭生长期间用于反向掺杂所述锭。还公开使用固相掺杂物的拉锭器设备。所述固相掺杂物可经安置在经移动而更靠近熔融物的表面的容器中，或蒸发单元可用于从所述固相掺杂物制造掺杂物气体。

Description

使用硼酸为掺杂物的单晶硅锭的制造方法及使用固相掺杂物 的拉锭器设备

相关申请案的交叉参考

本申请案主张2019年6月28日申请的第62/868,573号美国临时专利申请案的权利，所述申请案以全文引用方式并入本文中。

技术领域

本公开的领域涉及用于制造单晶硅锭的方法，其中锭使用固相硼酸作为硼源用硼进行掺杂。本公开的领域还涉及使用固相掺杂物的拉锭器。

背景技术

在高电阻率硅晶片应用中，从其切割晶片的单晶硅锭的电阻率可通过将各种掺杂物加入到熔融物来控制。掺杂物可用于补偿用于形成从其抽出的硅锭的熔融物的多晶硅源中的各种杂质(例如，硼或磷)。

当一或多种掺杂物经加入以在锭中实现目标电阻率时，特定掺杂物及/或杂质可由于化合物的分离系数的差异而累积在熔融物中。例如，硼具有约0.8的分离系数，这允许硼很容易被生长锭吸收。磷具有约0.35的分离系数，这致使磷相对于更容易吸收的硼累积在熔融物中。据此，随着锭生长及熔融物耗尽，磷累积在熔融物中从而更改生长锭的电阻率。这可致使电阻率降低且不符合客户规格及/或在锭中发生类型变化。

需要用于在锭生长期间反向掺杂硅熔融物以增加仍在客户要求内的锭的长度的方法。需要用于允许使用容易得到及/或相对廉价且允许熔融物相对容易地掺杂的掺杂物源材料的掺杂方法。需要允许将固相掺杂物用作掺杂物源的拉锭器设备。

这段旨在向读者介绍可能与下文描述及/或主张的本公开的各个方面有关的各个技术方面。据信，此论述有助于向读者提供背景信息以促进本公开的各个方面的更好的理解。据此，应理解，鉴于此阅读这些陈述，且它们并不作为现有技术的承认。

发明内容

本公开的一个方面涉及一种用于从固持在坩埚内的硅熔融物制造单晶硅锭的方法。将多晶硅加入到所述坩埚。所述坩埚经安置在拉锭器内腔室内。加热所述多晶硅以致使硅熔融物在所述坩埚中形成。从所述硅熔融物抽取单晶硅锭。提供固相硼酸源。从所述固相硼酸制造含硼气体。使所述含硼气体接触所述熔融物的表面以致使硼作为掺杂物进入所述熔融物同时从所述熔融物抽取所述单晶硅锭。

本公开的又另一方面涉及一种用于制造经掺杂单晶硅锭的拉锭器设备。所述拉锭器设备包含拉锭器外壳体及形成在所述拉锭器外壳体内的拉锭器内腔室。坩埚经安置在所述拉锭器内腔室内。外馈送管经至少部分安置在所述拉锭器外壳体外部。所述外馈送管界定外馈送管腔室。所述外馈送管具有远端、近端及延伸穿过所述远端及所述近端的外馈送管轴线。细长构件可在所述外馈送管腔室内沿着所述外馈送管轴线移动。掺杂物容器经耦合到所述细长构件。所述掺杂物容器可在装载位置(其中所述掺杂物容器经安置在所述拉锭器外壳体外部)与馈送位置(其中所述掺杂物容器经安置在所述拉锭器内腔室内)之间可移动。

本公开的又另一方面涉及一种用于制造经掺杂单晶硅锭的拉锭器设备。所述拉锭器设备包含拉锭器外壳体及形成在所述拉锭器外壳体内的拉锭器内腔室。坩埚经安置在所述拉锭器内腔室内。具有气体入口的掺杂物导管安置在所述拉锭器内腔室外部且气体出口安置在所述拉锭器内腔室中。掺杂物蒸发单元经安置在所述拉锭器内腔室外部。所述掺杂物蒸发单元包含用于固持固相掺杂物的掺杂物腔室。所述掺杂物蒸发单元包含加热装置，其用于加热所述固相掺杂物且制造掺杂物气体。所述掺杂物蒸发单元包含出口，所述掺杂物气体穿过所述出口。所述出口与所述掺杂物导管流体连通。

存在关于本公开的上文提及的方面所述的特征的各种改进。进一步特征同样也可经并入于本公开的上文提及的方面中。这些改进及额外特征可个别地或以任一组合存在。例如，下文关于本公开说明的实施例中的任一者论述的各种特征可单独或以任一组合经并入到本公开的上述方面中的任一者中。

附图说明

图1是用于用硼酸作为掺杂物源生长硅锭的实例方法的示意图；

图2是具有处于掺杂物装载位置中的掺杂物容器的拉锭器设备的实施例的部分横截面侧视图；

图3是具有处于掺杂物馈送位置中的掺杂物容器的拉锭器设备的部分横截面侧视图；

图4是具有处于掺杂物馈送位置中的掺杂物容器的拉锭器设备的详细横截面侧视图；

图5是包含用于固持固相掺杂物的掺杂物容器的细长构件及用于移动所述细长构件的平移单元的侧视图；

图6是平移单元的侧视图；

图7是细长构件与平移单元之间的接合点的横截面侧视图；

图8是外管内的细长构件的横截面透视图，其中容器处于掺杂物装载位置中；

图9是容器的横截面侧视图；

图10是拉锭器设备的另一实施例的横截面侧视图；

图11是拉锭器设备的蒸发单元的横截面侧视图；

图12是蒸发单元的透视图；及

图13是蒸发单元的详细横截面侧视图。

对应参考字符指示贯穿图式的对应部件。

具体实施方式

本公开的提供涉及用于掺杂硅熔融物(例如，反向掺杂)的涉及硼酸的方法。额外提供涉及经配置以掺杂硅熔融物且特定来说使用固相掺杂物(例如硼酸)进行掺杂的拉锭器设备。

用于使用硼酸进行掺杂的方法

本公开的实例方法在图1中展示。方法可通过使用经配置以从固相硼酸制造含硼气体的拉锭器设备实行。可根据用于用硼酸进行掺杂的方法使用的实例拉锭器设备在图2到13中展示。虽然所述方法可参考图2到9中展示的拉锭器设备100或图10到13中展示的拉锭器400描述以简化所述方法，但所述方法不应受限于拉锭器设备100、400，除非另外声明。

参考图2，根据用于制备硅锭的方法的实施例，硅熔融物经制备在安置在拉锭器设备100的内腔室102内的坩埚104中。坩埚104可由承座(未展示)支撑。拉锭器设备100可经配置以旋转坩埚104及/或在拉锭器设备100内垂直地移动坩埚104。

为制备硅熔融物，将多晶硅加入到坩埚104。将多晶硅加热到高于硅熔化温度(约1414℃)以致使多晶硅液化成硅熔融物108。加热系统经操作以熔化掉多晶硅。例如，坩埚104下方或其侧的一或多个加热器经操作以熔化掉硅。

在熔融物108经制造之前或之后，所述熔融物可经掺杂有掺杂物，通常是n型掺杂物，以补偿所述熔融物中的p型杂质(例如，硼)。n型掺杂物可在锭112开始生长之前加入。通过补偿熔融物，所得锭112的电阻率可增加。例如，锭的晶种端(即，锭中最接近锭冠的部分)可具有至少约1,500Ω-cm的电阻率，或如在其它实施例中，至少约2,000Ω-cm、至少约4,000Ω-cm、至少约6,000Ω-cm、至少约8,000Ω-cm、至少约10,000Ω-cm或从约1,500Ω-cm到约50,000ohm-cm或从约8,000Ω-cm到约50,000Ω-cm。合适n型掺杂物包含磷及砷。

一旦熔融物108经制备，那么从熔融物108抽取单晶硅锭112。晶种118经固定到晶种卡盘114。降低晶种卡盘114及晶体118直到晶种118接触硅熔融物108的表面。一旦晶种118开始熔化，那么拉动机构将晶种118缓慢地向上提升以生长单晶锭112。

致使工艺气体(例如，氩气)循环通过拉锭器设备100的内腔室102。所述工艺气体在腔室102内创建气体氛围。

如图1中展示，本公开的方法的实施例包含提供固相硼酸源(H₃BO₃)。硼酸可相对较纯，例如约99％纯度或更大、99.9％纯度或更大或99.99％纯度或更大。在一些实施例中，硼酸可为相对同位素纯的(即，硼-11)。例如，硼酸可经提供在拉锭器100的内腔室102内(即，在壳体116内)，例如在图2到9的拉锭器设备100的容器156中(图4)。替代地，固相硼酸可经安置在拉锭器外壳体416外部，例如在图10到13的拉锭器设备400的蒸发单元414的掺杂物腔室424内。

含硼气体从固相硼酸制造。所制造的气体大体上呈硼酸(H₃BO₃)或其衍生物(B_xO_yH_z ⁺复合物)而非其它化合物(例如，乙硼烷(B₂H₆)或二氢化硼(BH₂)的形式。然而，应理解，其它硼化合物可加入到含硼气体。

可将固相硼酸加热到高于其熔化温度(约171℃)以液化固相硼酸及制造硼酸液。接着，将硼酸液加热到高于其蒸发温度(约300℃)以制造含硼气体。例如，固相硼酸可通过从图2到9的拉锭器设备中的硅熔融物108辐射的热量加热或通过图10到13的拉锭器设备的蒸发单元414的加热装置428(图12)加热。

一旦含硼气体经制造，含硼气体便接触熔融物108的表面以允许硼扩散到熔融物中。例如，含硼气体在出射管168(图4)中的流动路径可经约束使得含硼气体尽可移动通过管出口170，如在图2到9的拉锭器设备100中，或含硼气体可由工艺气体载送，如在图10到13的拉锭器设备400中。

一旦硼进入熔融物，硼便补偿由于磷的相对较小分离系数已集中于熔融物中的磷，借此增加在拉锭器设备中形成的锭112的剩余部分的电阻率。

用于通过使用固体掺杂物进行掺杂的拉锭器设备

实例拉锭器设备100大体上在图2到9中展示，且另一实例拉锭器设备400在图10到13中展示。图2到9的设备及图10到13的设备400可用于使用固相硼酸用硼掺杂锭，如在上文描述的方法中，或可结合可以原生形式或水合形式或以不会污染晶体生长工艺的化合物(例如，具有与SiO₂相互混合的相对较高浓度的B₂O₃的经掺杂玻璃或重掺杂Si-B合金)形式在硅熔点(约1414℃)之下蒸发的其它固相掺杂物使用。

现参考图2，拉锭器设备100包含拉锭器外壳体116，其界定壳体116内的拉锭器内腔室102。坩埚104经安置在拉锭器内腔室102内。坩埚104含有从其抽取硅锭112的硅熔融物108。锭112由热屏蔽120罩护。

拉锭器设备100包含掺杂物馈送系统126。掺杂物馈送系统126包含外馈送管130，其至少部分安置在拉锭器壳体116外部。外馈送管130界定其中的外馈送管腔室136。外管130具有距外壳体116最远的远端140及最接近壳体116的近端144。外馈送管轴线A₁₃₀延伸穿过外馈送管130的远端140及近端144。外馈送管130可由不锈钢或其它合适材料制成。

细长构件150在外馈送管130内沿着外馈送管轴线A₁₃₀可移动。细长构件150可经降低到拉锭器内腔室102中，如图4中展示。在所说明的实施例中，细长构件150是管。在其它实施例中，可使用杆或轴件。细长构件150可由经受拉锭器腔室102内的环境的任一材料(例如石英)制成。

掺杂物容器156经耦合到细长构件150(图4)(例如，巢封于其内)。如图8中展示，容器156可毗邻细长构件150的凸缘160。容器156可包含坐于凸缘160上的肩部162(图9)。通过移动细长构件150，掺杂物容器156在提升位置(图2，其也可称为“掺杂物装载位置”)(其中掺杂物容器156经安置在拉锭器外壳体116外部)与降低位置(图3及4，其也可称为“掺杂物馈送位置”)(其中容器156经安置在接近熔融物108的表面的拉锭器内腔室102内)之间移动。热屏蔽120可包含形成在其中以向细长构件150及耦合到它的掺杂物容器156提供接近熔融物108通路的通道124(图2)。

容器156可与细长构件150分离。细长构件150包含使能接达容器156的缺口164(图5)。在装载位置中(图2)，容器156可从细长构件150移除以用掺杂物装载容器156。当容器156处于装载位置中以允许接达容器156时，缺口164与接达端口166对准。容器156可由容器156的连接回路172抓持以拉动容器156通过缺口164及接达端口166。在其它配置中，当容器156经安置在细长构件150中时，可将掺杂物加入到容器156。

在容器的馈送位置中(图3及4)，从固相掺杂物制造掺杂物气体。掺杂物气体向下行进到出射管168且通过出口170，其中其经引导到熔融物108的表面。

在所说明的实施例中，容器156是固持固相掺杂物的囊室158(图9)。囊室158包含外囊室壳体180。堰182经安置在外囊室壳体180内。堰182在其中形成通道184。堰182具有各自为开放的上端188及下端190使得气体可穿过通道184。环形腔室194经安置在堰182与外囊室壳体180之间。固体掺杂物174(例如，硼酸)经安置在环形腔室194内且巢封于囊室底板上。当容器156处于其降低位置中时(图3及4)，固相掺杂物174加热，此致使掺杂物升华或熔化及蒸发。掺杂物气体在环形腔室194中升起且通过堰182的上端188进入堰通道184。气体继续向下传递穿过通道184且通过堰182的开放下端190离开。掺杂物气体继续前进通过出射管168(图4)、通过管出口170且朝向熔融物的表面。

细长构件150包含防止气体向上流回细长构件150的气体障壁240(图8)。替代地，细长构件可为不包含用于气体回流的通路的杆或轴件。

现参考图4，拉锭器设备100包含外馈送管130内的隔离阀200。当细长构件150从拉锭器内腔室102抽出时，隔离阀200密封拉锭器内腔室102。这在端口166与内腔室102隔离时允许通过接达端口166接达掺杂物容器156。当细长构件150降低时，接达端口166可经关闭或连接到工艺气体源(例如，氩气)。隔离阀200经连接到致动阀200的阀控制器202。

拉锭器设备100包含用于在掺杂物装载位置(图2)与掺杂物馈送位置(图3及4)之间移动掺杂物容器156的平移装置208(图2)。平移装置208将细长构件150及掺杂物容器156移入及移出拉锭器设备100的内腔室102且在外馈送管腔室136内移动(即，沿着外馈送管轴线A₁₃₀)。一般来说，可使用允许容器156在容器156的掺杂物装载位置与掺杂物馈送位置之间移动的任一平移装置208，除非另外声明。

在所说明的实施例中，平移装置208是磁耦合穿壁平移单元。平移装置208包含外管212及在外管212内移动的内构件214。内构件214经磁耦合到平移装置手柄216。外管212可由不锈钢(非磁性)或其它合适材料制成。平移装置手柄216及内构件214可具有嵌入于其中以实现手柄216与内构件214之间的磁耦合的磁体。

内构件214在接合点220处还经连接到细长构件150(图7)。实例接合点220包含螺纹构件224，螺纹构件224啮合环绕且经铰接到内构件214的下部的套筒218上的螺纹。接合点220包含第一o形环228及第二o形环232及安置在o形环228、232之间的衬套236。螺纹构件224压缩o形环228、232，从而致使其径向向外移动以促进平移装置内构件214与细长构件150之间的摩擦连接。

平移装置208的手柄216可沿着轴线A₁₃₀向上及向下移动(图2)。随着手柄216移动，内构件214在外管212内移动。因为内构件214经耦合到细长构件150，所以致使细长构件150及容器256移入及移出拉锭器设备100的内腔室102。在一些实施例中，当容器156处于用于馈送掺杂物的降低位置中时，容器156与熔融物108之间的距离可经改变(例如，由操作者)以改变施加于容器156及其中的固相掺杂物的热量以控制制造掺杂物气体的速率。在其它实施例中，容器156可通过致动器而非手动地在其装载位置(图2)与掺杂物馈送位置(图3及4)之间移动。

如上所述，平移装置208可具有其它配置。其它实例平移装置可包含波纹管系统或外部操作的线性平移装置(例如，附接到外部隔离的线性轨或气动缸的杆)。任一外部致动器应与内腔室102内部的热量及真空隔离。

另一实例拉锭器设备400在图10到11中展示。拉锭器设备400可类似于上文描述的拉锭器设备100般操作，且设备100的操作应被认为可适用于设备400(即，在与固相掺杂物的使用不相关的方面中)。例如，拉锭器设备400包含在壳体416内形成内腔室402的外壳体416。用于固持其中的硅熔融物408的坩埚404经安置在腔室402中。设备400包含罩护从熔融物抽取的锭的热屏蔽(未展示)。

拉锭器设备400包含将经掺杂气体馈送到掺杂物导管430的掺杂物蒸发单元414。经掺杂气体穿过掺杂物导管430以接触熔融物408以致使熔融物408被掺杂。掺杂物导管430包含安置在拉锭器腔室402外部的气体入口422(图11)及安置在拉锭器腔室402中且经定位成相对接近熔融物408的表面的气体出口426。

掺杂物蒸发单元414经安置在拉锭器内腔室402外部。掺杂物蒸发单元414包含用于固持固相掺杂物(例如，上述方法中所论述的硼酸)的掺杂物腔室424(图13)。工艺气体(例如，氩气)可通过第一工艺气体入口436及第二工艺气体入口440循环通过蒸发单元414。蒸发单元414的经掺杂气体出口452与掺杂物导管430(图11)流体连通以将经掺杂气体移动到熔融物408的表面。

环绕掺杂物腔室424的是加热腔室472(图13)。加热装置428(例如，电阻加热元件)加热在蒸发单元414中循环的气体。经加热气体接触掺杂物腔室242中的固相掺杂物，从而致使制造掺杂物气体(例如，通过升华或通过固相掺杂物的液化及蒸发)。掺杂物气体由工艺气体挑选以制造通过经掺杂气体出口452释放且释放到掺杂物导管430(图11)的经掺杂工艺气体。蒸发单元414包含减少通过加热腔室472的壁的热损失的热屏蔽476。热腔室472可由石英制成以减少污染。

隔离阀460是在加热腔室472及掺杂物腔室424下游的工艺气体通路内。隔离阀460隔离蒸发单元414与拉锭器设备400的内腔室402以在掺杂物未经加入到熔融物408时密封腔室402。阀控制器464可用于致动阀460。

蒸发单元414包含测量加热腔室472(图13)的温度的温度传感器448(图12)。温度传感器448可将信号发送到控制单元以基于经感测温度改变加热装置428的输出。蒸发单元414包含真空端口456以进行抽气、泄漏测试且用于在打开隔离阀460进行掺杂之前平衡压力与拉锭器设备内腔室402。

与用于从硅熔融物制造单晶硅锭的常规方法相比，本公开的实施例的方法具有若干优点。在其中熔融物是通过使用硼酸反向掺杂的实施例中，锭的较大部分可为在客户规格(例如，高电阻率)内，及/或可防止锭中的类型变化。固相硼酸具有相对较低熔化及蒸发温度，这允许相对容易地制造掺杂物气体。

与常规拉锭器设备相比，本公开的实施例的拉锭器设备具有若干优点。在其中掺杂物容器用于固持固体掺杂物的实施例中，容器可经置放成相对接近熔融物表面，此允许加热熔融物以熔化及蒸发掺杂物。将容器定位成靠近熔融物还减少或防止导致失去晶体结构或完整性的元素硼或硼化合物的沉淀或凝结的形成。使用包含堰的掺杂物容器允许掺杂物颗粒在容器内移动而无需从容器推出且推进到熔融物中。掺杂物颗粒直接进入熔融物中可致使失去锭中的零位错。使用隔离阀允许拉锭器的内腔室与固相掺杂物系统隔离，这防止对熔融物的污染且实现固相掺杂物的再装载。使用磁耦合穿壁平移单元会简化密封且允许系统更稳健(例如，无单独密封件)以维持气密性环境。

在其中固相掺杂物是通过拉锭器壳体外部的蒸发单元转换成气体的实施例中，加热装置可用于加热掺杂物，这允许改进对将掺杂物加入到熔融物的速率的控制。工艺气体经循环通过蒸发单元的速率也可用于控制掺杂熔融物的速率。在其中馈送管或导管可在拉锭器设备内移动的实施例中，可控制距熔融物的距离，这允许控制将掺杂物加入到熔融物的速率。

如本文中使用，术语“约”、“基本上”、“大体上”及“大约”在连同尺寸、浓度、温度或其它物理或化学性质或特性的范围使用时意味着涵盖可存在于性质或特性的范围的上限及/或下限中的变动，包含(例如)由舍入、测量方法论或其它统计变动引起的变动。

当介绍本公开或其(若干)实施例的元件时，冠词“一(a/an)”、“所述(the)”及“所述(said)”旨在意味着存在所述元件的一或多者。术语“包括”、“包含”、“含有”及“具有”旨在为包含性的且意味着除所列元件外可存在额外元件。指示特定定向(例如，“顶部”、“底部”、“侧”等)的术语的使用是为了方面描述且并不要求所描述项的任一特定定向。

因为可在上述构造及方法中作出各种改变而不会背离本公开的范围，因此旨在上文描述中所含及(若干)附图中展示的所有目标应被解译为说明性的而非限制意义。

Claims (19)

1.一种用于从固持在坩埚内的硅熔融物制造单晶硅锭的方法，所述方法包括：

将多晶硅加入到所述坩埚，所述坩埚经安置在拉锭器内腔室内；

加热所述多晶硅以致使硅熔融物在所述坩埚中形成；

从所述硅熔融物抽取单晶硅锭；

提供固相硼酸源；

从所述固相硼酸制造含硼气体；及

使所述含硼气体接触所述熔融物的表面以致使硼作为掺杂物进入所述熔融物同时从所述熔融物抽取所述单晶硅锭。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括在从所述熔融物抽取所述单晶硅锭之前将n型掺杂物加入到所述坩埚。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述n型掺杂物为磷。

4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其中所述含硼气体通过以下操作制造：

液化所述固相硼酸以制造硼酸液；及

蒸发所述硼酸液以制造所述含硼气体。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述固相硼酸经安置在所述拉锭器内腔室内。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述固相硼酸经安置在囊室内。

7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述固相硼酸经安置在拉锭器壳体外部。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述固相硼酸是在蒸发单元的腔室内。

9.一种用于制造经掺杂单晶硅锭的拉锭器设备，所述拉锭器设备包括：

拉锭器外壳体；

拉锭器内腔室，其形成在所述拉锭器外壳体内；

坩埚，其安置在所述拉锭器内腔室内；

外馈送管，其至少部分安置在所述拉锭器外壳体外部，所述外馈送管界定外馈送管腔室且具有远端、近端及延伸穿过所述远端及所述近端的外馈送管轴线；

细长构件，其能够在所述外馈送管腔室内沿着所述外馈送管轴线移动；及

掺杂物容器，其耦合到所述细长构件，所述掺杂物容器能够在装载位置与馈送位置之间移动，在所述装载位置中所述掺杂物容器经安置在所述拉锭器外壳体外部，在所述馈送位置中所述掺杂物容器经安置在所述拉锭器内腔室内。

10.根据权利要求9所述的拉锭器设备，其中所述掺杂物容器是能够与所述细长构件分离的囊室。

11.根据权利要求10所述的拉锭器，其中所述囊室包括：

外囊室壳体；及

堰，其安置在所述外囊室壳体内，所述堰形成供掺杂物气体通过的通道，所述堰具有上端及下端，所述上端及下端是开放的，环形腔室安置在所述堰与所述拉锭器外壳体之间以用于固持固相掺杂物。

12.根据权利要求9到11中任一权利要求所述的拉锭器设备，其包括安置在所述掺杂物容器下方以将掺杂物气体引导到熔融物的表面的管。

13.根据权利要求9到12中任一权利要求所述的拉锭器设备，其中所述细长构件是管。

14.根据权利要求9到13中任一权利要求所述的拉锭器设备，其进一步包括用于在从所述拉锭器内腔室抽出所述细长构件时密封所述拉锭器内腔室的阀。

15.根据权利要求9到14中任一权利要求所述的拉锭器设备，其包括用于在所述装载位置与所述馈送位置之间移动所述掺杂物容器的平移装置。

16.根据权利要求15所述的拉锭器设备，其中所述平移装置是磁耦合穿壁平移单元。

17.根据权利要求15所述的拉锭器设备，其中所述平移装置是波纹管系统。

18.一种用于制造经掺杂单晶硅锭的拉锭器设备，所述拉锭器设备包括：

拉锭器外壳体；

拉锭器内腔室，其形成在所述拉锭器外壳体内；

坩埚，其安置在所述拉锭器内腔室内；

掺杂物导管，其具有安置在所述拉锭器内腔室外部的气体入口及安置在所述拉锭器内腔室中的气体出口；及

掺杂物蒸发单元，其安置在所述拉锭器腔室外部且包括：

掺杂物腔室，其用于固持固相掺杂物；

加热装置，其用于加热所述固相掺杂物且制造掺杂物气体；及

出口，所述掺杂物气体穿过所述出口，所述出口与所述掺杂物导管流体连通。

19.根据权利要求18所述的拉锭器设备，其进一步包括入口，所述入口用于引入工艺气体，所述入口与所述掺杂物腔室流体连通，所述工艺气体穿过所述掺杂物腔室且穿过所述出口。

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