CN114200781A - 一种无掩膜光刻校准方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种无掩膜光刻校准方法。该方法的具体步骤为：控制系统生成掩膜图案并输出给光刻显微光路中的数字微镜器件，数字微镜器件在样品表面投射出掩膜图案，利用CMOS传感器对样品的表面状态进行实时拍摄，并将采集到的样品曝光场图案传输至控制系统；控制系统将掩膜图案和样品曝光场图案叠加得到干涉摩尔条纹，然后基于摩尔条纹的图形学计算测量原曝光场的位置信息，根据所述位置信息进行曝光位置的校准。本发明的方法引入了光栅测量技术用于无掩膜光刻曝光位置的校准，具有极高的图形的对准和拼接精度，能有力提升精密光刻加工性能。
Description
技术领域
本发明属于光刻的技术领域，更具体地，涉及一种基于摩尔条纹的投影式无掩膜光刻校准方法。
背景技术
光刻技术是微纳制造的关键工艺技术。它作为半导体及其相关产业的关键技术之一，在过去的几十年间极大地促进了集成电路(IC)的发展。而随着工业化脚步的不断向前，各类精密元件的高性能需求也在对光刻技术提出更多的挑战。其中曝光是最为关键步骤之一，直接决定着光刻性能的优劣。
近年来，无掩膜投影光刻技术广泛兴盛。在该项技术最为关键的曝光环节中，DMD芯片取代了掩模版作为光刻工艺中的核心器件，它是一种新型、全数字化的平面显示器件，掩膜图案可通过从计算机输入数字图片来得到。在传统的有掩膜光刻中，掩模版必须针对特定的图案进行定制，重用率低的同时，对工艺精度的要求亦极高，因而成本高昂。相较而言，DMD具有成本低、可重复使用、易于自动化操控的显著优点，它可以根据图像的颜色范围进行整面的光刻，也可以根据图像的像素大小进行分块曝光。寿命试验表明，按照通常的使用方式，DMD器件可以使用10万小时，高复用性极大地降低了光刻工艺的成本，推动着以芯片产业为代表的高科技精密制造领域向前迅猛发展。
要提高无掩膜光刻工艺的加工精度，必须解决DMD掩膜图形的精准定位与对齐问题，这涉及到光刻投影位置的校准。现有的无掩膜光刻机普遍缺乏有效的校准功能，其投影定位大多依赖于硬件装置的机械传动，难以测量微小的旋转角度，轴向的精确度也很难达到20μm以下。因此，该领域正亟需一种高精度、高稳定性和高自动化水平的测量与校准方法，以响应蓬勃发展的市场之需求。
在科学研究和工程技术领域，摩尔条纹是一种常见的精密测量手段。它由两个周期性结构图案重叠所产生，对直线位移和角位移的静态和动态测量具有高敏感性，可以产生尺度上的放大效应，又因其操作便捷且非接触无损，因而在精密测量与定位、超精密加工、纳米材料制备、振动监测等领域均有广泛的应用，但其在无掩膜光刻技术上的应用仍是一片空白。如果采用基于摩尔条纹的算法来实现校准，能极大地提升光刻的位置精度，改善光刻机的加工性能。
发明内容
鉴于以上现有技术的情况，本发明的目的在于提供一种基于虚拟摩尔条纹的无掩膜光刻校准方法，以解决现有无掩膜投影光刻系统存在的问题。该校准方法能提高无掩膜光刻工艺的加工精度，以实现高效的光刻曝光流程，套刻精度高，图形质量好，自动化程度高。
本发明采用的技术方案如下：
一种无掩膜光刻校准方法，其装置包括光刻显微光路和控制系统，所述校准方法具体为：控制系统生成掩膜图案并输出给光刻显微光路中的数字微镜器件，数字微镜器件在样品表面投射出掩膜图案，利用CMOS传感器对样品的表面状态进行实时拍摄，并将采集到的样品曝光场图案传输至控制系统；所述控制系统将所述掩膜图案和样品曝光场图案叠加得到干涉摩尔条纹，然后基于摩尔条纹的图形学计算测量原曝光场的位置信息，根据所述位置信息进行曝光位置的校准。
进一步地，所述控制系统利用特征算法计算摩尔条纹的特征结构，得到摩尔条纹的特征响应值，特征响应值代表了掩膜图案与样品曝光场图案的相对位置参数，控制系统依据所述相对位置参数调整掩膜图案的位置和样品的位置重合，完成校准。
进一步地，所述掩膜图案为线形光栅，所述相对位置信息为掩膜图案与样品曝光场图案的相对旋转角度。
进一步地，所述掩膜图案为圆形光栅，所述相对位置信息为掩膜图案与样品曝光场图案的相对横向位移。
进一步地，所述光刻显微光路包括光源、数字微镜器件、显微透镜、第一透镜、第二透镜、半透半反镜片、CMOS传感器和样品台；光源产生的激光经数字微镜器件反射后，再经显微透镜、半透半反镜片和第一透镜聚焦并投影到样品表面进行曝光，曝光参数由控制系统向光源输入信号进行控制；经所述半透半反镜片反射的光经第二透镜进入CMOS传感器；所述CMOS传感器用于拍摄样品的曝光场图案。
进一步地，所述数字微镜器件的阵列坐标与CMOS传感器之间的像素坐标存在对应关系。
进一步地，所述掩膜图案和样品曝光场图案叠加的比例为1:1。
本发明与现有技术相比，其优势在于：
(1)引入了光栅测量技术用于无掩膜光刻曝光位置的校准，具有极高的图形的对准和拼接精度，有力提升精密光刻加工性能。
(2)摩尔条纹已广泛用于科学研究和工程技术之中，其算法性能稳定，本发明的方法将填补国内投影光刻机图形算法校准的空白。
(3)本发明的校准方法无需引入其他器件，易于与任何投影曝光系统集成，成本低廉，且可以达到超高的工业自动化水准。
附图说明
图1为本发明实现无掩膜光刻校准方法的装置结构示意图。
图2为线形光栅产生摩尔条纹的示意图，两光栅夹角为θ。
图3为圆形光栅产生摩尔条纹的示意图，箭头指示两光栅圆心相对位移。
图4为本发明实施例中产生的线形光栅摩尔条纹对图像算法的响应值。
图5为本发明实施例中产生的圆形光栅摩尔条纹对图像算法的响应值。
图中，1-紫外曝光光源，2-数字微镜器件，3-显微透镜，4-半透半反片，5-第一透镜，6-第二透镜，7-CMOS传感器，8-样品表面照片，9-计算机，10-摩尔条纹图案，11-样品台。
具体实施方式
为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。
如图1所示，本实施例采用的无掩膜光刻装置，包括光刻显微光路和用于控制的计算机9，其中光路结构包括：光源1、数字微镜器件2(充当数字掩膜)、显微透镜3、第一透镜5、第二透镜6、半透半反镜片4、用于采集图像的CMOS传感器7和用于放置光刻样品的XYZ三轴样品台11。计算机9生成掩膜图片并控制数字微镜器件2产生具有明暗分布的周期性光栅图案，包括线形光栅与圆形光栅，光源1所产生的紫外激光经数字微镜器件2反射，再经显微透镜3、半透半反镜片4和第一透镜5聚焦并投影到样品表面进行曝光，曝光参数通过计算机9向光源1输入信号进行控制。
在光刻的过程中，样品的表面状态将通过位于样品台11上方的CMOS传感器7进行实时的拍摄。CMOS传感器7可以捕获到光源1在样品表面投影照明所呈现的样品表面照片8，并将该样品表面照片8传输回计算机9。计算机将样品表面照片8与其生成的数字掩膜图片进行合成，得到虚拟摩尔条纹图案10。样品表面照片8与数字掩膜图片合成比例一般可以设置为1:1，特殊光刻系统可根据光路成像单元的设计适当调节比例。
计算机9依据图形学算法(如采用数字图片的像素矩阵计算图形的轮廓边缘结构与频率信息，包括但不限于Harris角点方法、傅里叶变换方法等)计算其内存中虚拟摩尔条纹图案10的特征结构，并得到摩尔条纹图案10的特征响应值，特征响应值将指示计算机9生成的数字掩膜图片与实际曝光的样品表面照片8的相对旋转角度和位移，依据该相对位置调整数字掩膜图片的位置参数和样品台11当前坐标，完成校准，可以使预期曝光位置与实际曝光位置重合，实现在既有图形之上极高的对准和拼接精度。
本发明实施例的光刻校准方法具体步骤如下：
步骤S1：在曝光机已处于良好聚焦的可用状态下，由计算机生成周期性的黑白光栅图案，包括线形光栅、圆形光栅或其他具有周期性的结构，图片大小与数字微镜器件(Digital Micromirror Devices,DMD)的最大分辨率保持一致。
步骤S2：将生成的数字图片输入DMD器件充当投影掩膜，打开紫外光源，工作光束经DMD芯片逐像素点反射，在样品表面先后投射出光栅图案。
步骤S3：相机采集得到样品表面光栅图案的成像照片，并将其传输回计算机；
步骤S4：计算机将内存中已有图案与相机拍摄所得照片按一定比例进行复合，由于两者位置并未完全重合，复合将产生相干的摩尔条纹图案。
步骤S5：计算机基于其内存中生成的虚拟摩尔条纹进行图像分析，线形图案将反映两者发生交错的角度信息，而圆形光栅图案将反映横向的位置信息，由于莫尔现象对细微位移、转动和形变极其敏感，旋转角度的测量将具有极高的精度，位移的测量更是能达到单像素点的量级。
步骤S6：将测量所得到的角度信息输入光刻系统，可以手动输入，也可以设计计算机自动化输入的程序，完成设备校准，亦可通过多次反复校准进一步提高设备精度。
如图2和图3所示，两幅线性光栅不完全重合所产生的摩尔条纹图案，将指示两者之间发生交错的角度θ，而两幅圆形光栅不完全重合所产生的摩尔条纹图案，将指示两者之间发生交错的位移。
图4给出了本实施例可实现的角度测量精度。图中角度变量为离散值，摩尔条纹的特征值随角度变化呈现出明显的谷值，指示当前曝光图案的旋转角度。本实施例所采用的线性光栅图片，其大小为1920*1080像素，光栅宽度为5个像素点，光栅间距为50个像素点，经分辨率为5472*3648的CMOS传感器成像，如图4所示，可以看到该装置的角度分辨率可以达到0.05°以下，所采用周期尺寸更小的光栅，其角度测量精度甚至预期可以达到0.01°。
图5给出了本实施例可实现的位移测量精度。图中位移变量为离散值，摩尔条纹的特征值随像素点位置的变化呈现出明显的谷值，指示当前曝光图案的中心位置点。本实施例所采用的圆形光栅图片，其大小为1920*1080像素，光栅宽度为5个像素点，光栅间距为40个像素点，经分辨率为5472*3648的CMOS传感器成像，如图5所示，白色框内为图形颜色最深的区域，指示摩尔条纹随位置变化的响应谷值，白色点标识为圆形光栅图片投影位置的中心点，可以看到该装置的位置测量精度可以达到单个像素点的量级，对应本实施例所采用的索尼IMX183传感器，其像素点尺寸为2.4μm，像素点对应曝光场尺寸可以达到1μm。基于以上极其精确的定位测量值，本实施例的无掩膜光刻装置可以完成高精度的自动校准，并可实现在光刻样品已有结构上准确的图形对准与拼接功能。
本发明在无掩膜光刻机中引入基于摩尔条纹的图形学算法用于测量与校准，测量精度将小于所使用的虚拟光栅的周期尺度，预期可以分辨0.01°的曝光场转角，其横向定位的精准度可达到1μm，对该类型光刻工艺加工精度的提升意义重大。以上所述仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种无掩膜光刻校准方法，其装置包括光刻显微光路和控制系统，其特征在于，所述校准方法具体为：控制系统生成掩膜图案并输出给光刻显微光路中的数字微镜器件，数字微镜器件在样品表面投射出掩膜图案，利用CMOS传感器对样品的表面状态进行实时拍摄，并将采集到的样品曝光场图案传输至控制系统；所述控制系统将所述掩膜图案和样品曝光场图案叠加得到干涉摩尔条纹，然后基于摩尔条纹的图形学计算测量原曝光场的位置信息，根据所述位置信息进行曝光位置的校准。
2.根据权利要求1所述的一种无掩膜光刻校准方法，其特征在于，所述控制系统利用特征算法计算摩尔条纹的特征结构，得到摩尔条纹的特征响应值，特征响应值代表了掩膜图案与样品曝光场图案的相对位置参数，控制系统依据所述相对位置参数调整掩膜图案的位置和样品的位置重合，完成校准。
3.根据权利要求2所述的一种无掩膜光刻校准方法，其特征在于，所述掩膜图案为线形光栅，所述相对位置信息为掩膜图案与样品曝光场图案的相对旋转角度。
4.根据权利要求2所述的一种无掩膜光刻校准方法，其特征在于，所述掩膜图案为圆形光栅，所述相对位置信息为掩膜图案与样品曝光场图案的相对横向位移。
5.根据权利要求1所述的一种无掩膜光刻校准方法，其特征在于，所述光刻显微光路包括光源、数字微镜器件、显微透镜、第一透镜、第二透镜、半透半反镜片、CMOS传感器和样品台；光源产生的激光经数字微镜器件反射后，再经显微透镜、半透半反镜片和第一透镜聚焦并投影到样品表面进行曝光，曝光参数由控制系统向光源输入信号进行控制；经所述半透半反镜片反射的光经第二透镜进入CMOS传感器；所述CMOS传感器用于拍摄样品的曝光场图案。
6.根据权利要求5所述的一种无掩膜光刻校准方法，其特征在于，所述数字微镜器件的阵列坐标与CMOS传感器之间的像素坐标存在对应关系。
7.根据权利要求1所述的一种无掩膜光刻校准方法，其特征在于，所述掩膜图案和样品曝光场图案叠加的比例为1:1。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116893585A (zh) * | 2023-07-17 | 2023-10-17 | 南京航空航天大学 | 一种基于莫尔条纹放大的高精度对准装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101790775A (zh) * | 2007-07-10 | 2010-07-28 | Lg电子株式会社 | 无掩模曝光方法 |
| CN102193339A (zh) * | 2011-06-13 | 2011-09-21 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种无掩模光刻对准系统 |
| CN102566340A (zh) * | 2012-02-07 | 2012-07-11 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种基于相移莫尔条纹的数字无掩模光刻对准装置 |
| CN105137720A (zh) * | 2015-09-18 | 2015-12-09 | 中国科学院光电技术研究所 | 基于数字微镜阵列制作不同深度的多台阶光栅的无掩模光刻机 |
-
2021
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101790775A (zh) * | 2007-07-10 | 2010-07-28 | Lg电子株式会社 | 无掩模曝光方法 |
| US20100208229A1 (en) * | 2007-07-10 | 2010-08-19 | Lg Electronics Inc | Maskless exposure method |
| CN102193339A (zh) * | 2011-06-13 | 2011-09-21 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种无掩模光刻对准系统 |
| CN102566340A (zh) * | 2012-02-07 | 2012-07-11 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种基于相移莫尔条纹的数字无掩模光刻对准装置 |
| CN105137720A (zh) * | 2015-09-18 | 2015-12-09 | 中国科学院光电技术研究所 | 基于数字微镜阵列制作不同深度的多台阶光栅的无掩模光刻机 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116893585A (zh) * | 2023-07-17 | 2023-10-17 | 南京航空航天大学 | 一种基于莫尔条纹放大的高精度对准装置 |
| CN116893585B (zh) * | 2023-07-17 | 2024-04-02 | 南京航空航天大学 | 一种基于莫尔条纹放大的高精度对准装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114200781B (zh) | 2023-01-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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