CN114199934A - 适用于热电堆的塞贝克系数测量结构及其制备方法 - Google Patents
适用于热电堆的塞贝克系数测量结构及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114199934A CN114199934A CN202111509666.6A CN202111509666A CN114199934A CN 114199934 A CN114199934 A CN 114199934A CN 202111509666 A CN202111509666 A CN 202111509666A CN 114199934 A CN114199934 A CN 114199934A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- thermocouple
- unit body
- seebeck coefficient
- substrate
- measured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 92
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 46
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 33
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
- G01N25/20—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating the development of heat, i.e. calorimetry, e.g. by measuring specific heat, by measuring thermal conductivity
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
本发明涉及一种适用于热电堆的塞贝克系数测量结构及其制备方法。其包括衬底以及塞贝克系数待测单元体，还包括测温单元体以及设置于衬底背面的背腔；测量时，利用测试热源对所述测温单元体以及塞贝克系数待测单元体同时进行所需的热激发，通过测温单元体测量得到表征塞贝克系数待测单元体热激发前后的测试温度差ΔT，测量所述塞贝克系数待测单元体在相应热激发状态下的输出电压V，则能确定所述塞贝克系数待测单元体的塞贝克系数。本发明能有效实现塞贝克系数的测量，测量效率高，与现有工艺兼容，安全可靠。
Description
技术领域
本发明涉及一种塞贝克系数测量结构及其制备方法，尤其是一种适用于热电堆的塞贝克系数测量结构及其制备方法。
背景技术
塞贝克系数是热电材料的固有性质，是体现热电材料性能的参数，对于基于热电材料制备而成的热电堆器件，塞贝克系数的大小将直接决定热电堆器件的性能。展开对塞贝克系数的测量有助于进一步分析热电堆红外传感器的热电转换效率分析和器件性能分析，但在实际应用过程中，一方面材料的参数会受加工工艺过程的影响发生变化，真实塞贝克系数难以确定；另一方面，微纳结构的塞贝克系数对测试系统的精度和复杂度都提出了高要求，这使得实际塞贝克系数的测量变得困难。
目前，塞贝克系数的测试方法或仪器比较复杂，有的对于测试样品的类别和大小有限制，例如只能测薄膜结构的塞贝克系数或者只能测量多晶硅材料的塞贝克系数；有的测试仪器需要冷却液装置和真空装置等，增加了测试系统的复杂度。特别是微纳尺度下塞贝克系数的测量，难以精确测量电压输出和温度，现有的测试方法往往误差较大，这也将进一步限制微纳尺度下的热电转换效率分析和红外热电堆传感器的器件性能分析。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种适用于热电堆的塞贝克系数测量结构及其制备方法，其能有效实现塞贝克系数的测量，测量效率高，与现有工艺兼容，安全可靠，并且可与对应热电偶器件集成，准确评估热电堆器件性能。
按照本发明提供的技术方案，所述塞贝克系数的测量结构，包括衬底以及设置于衬底正面上方的塞贝克系数待测单元体，还包括制备于衬底正面上方的测温单元体以及设置于衬底背面的背腔，其中，测温单元体以及塞贝克系数待测单元体均位于背腔的正上方，测温单元体邻近塞贝克系数待测单元体，且塞贝克系数待测单元体的一端位于背腔外以形成塞贝克系数待测单元体的冷端；
测量时，利用测试热源对所述测温单元体以及塞贝克系数待测单元体同时进行所需的热激发，通过测温单元体测量得到表征塞贝克系数待测单元体热激发前后的测试温度差ΔT，测量所述塞贝克系数待测单元体在相应热激发状态下的输出电压V，则所述塞贝克系数待测单元体的塞贝克系数α为
所述测温单元体为热敏电阻时，测温单元体在受到测试热源激发时，测试温度差ΔT为
其中，R1为测温单元体受热激发后的电阻值，R2为测温单元体受热激发前的电阻值，ε为所述测温单元体的电阻温度系数。
所述测试热源包括黑体或激光，所述塞贝克系数待测单元体包括一根热电偶或一对热偶。
还包括用于增强热吸收的热吸收结构体，热吸收结构体位于衬底上方，且热吸收结构体与测温单元以及塞贝克系数待测单元的热端相接触。
所述热吸收结构体包括热吸收层和/或微纳米结构。
一种塞贝克系数的测量结构的制备方法，提供衬底，在所述衬底的正面上方制备有塞贝克系数待测单元体以及邻近所述塞贝克系数待测单元体的测温单元体，在衬底的背面制备有背腔，测温单元体以及塞贝克系数待测单元体均位于背腔的正上方，塞贝克系数待测单元体的一端位于背腔外以形成塞贝克系数待测单元体的冷端。
所述塞贝克系数待测单元体包括一根热电偶或一对热偶，还包括用于热吸收结构体，热吸收结构体位于衬底上方，且热吸收结构体与测温单元以及塞贝克系数待测单元的热端相接触。
所述塞贝克系数待测单元体为一热电偶时，所述制备方法包括如下步骤：
步骤1、提供衬底以及设置于所述衬底正面的衬底保护支撑层，将热电偶制备于衬底保护支撑层上；
步骤2、在上述衬底上方制备热电偶绝缘导热层，所述热电偶绝缘导热层覆盖在热电偶并支撑在所述衬底保护支撑层上；
步骤3、选择性地掩蔽和刻蚀热电偶绝缘导热层，以制备得贯通热电偶绝缘导热层的热电偶引出孔，通过热电偶引出孔以能使得热电偶的端部露出；
步骤4、制备与热电偶电连接的热电偶电极以及邻近所述热电偶的测温单元体，其中，热电偶电极包括分别填充于热电偶引出孔内的热电偶第一电极以及热电偶第二电极，热电偶第一电极体、热电偶第二电极分别与热电偶相应的端部电连接，测温单元体位于热电偶绝缘导热层上；
步骤5、在衬底的背面制备所需的背腔，热电偶的一端位于背腔外以形成塞贝克系数待测单元体的冷端。
所述塞贝克系数待测单元体为一对热偶时，所述制备方法包括如下步骤：
步骤A、提供衬底以及设置于所述衬底正面的衬底保护支撑层；
步骤B、在上述衬底保护支撑层上制备热偶对以及邻近所述热偶对的测温单元体，其中，所述热偶对包括第一热偶条以及与所述第一热偶条适配连接的第二热偶条；
步骤C、在衬底的背面制备所需的背腔，第一热偶条以及第二热偶条相应的端部位于背腔外以形成塞贝克系数待测单元体的冷端。
所述热吸收结构体包括热吸收层和/或微纳米结构。
本发明的优点：测温单元体以及塞贝克系数待测单元体均位于背腔的正上方，测温单元体邻近塞贝克系数待测单元体，且塞贝克系数待测单元体的一端位于背腔外以形成塞贝克系数待测单元体的冷端；
在利用测试热源对测温单元体以及塞贝克系数待测单元体同时进行所需的热激发时，根据测试热源的特性，可认为测温单元体与塞贝克系数待测单元体的受热为相同的，从而可以利用测温单元体测量的测试温度差ΔT表征塞贝克系数待测单元体热激发前后的温度差，从而在测量所述塞贝克系数待测单元体在相应热激发状态下的输出电压V后，可以直接确定塞贝克系数待测单元体的塞贝克系数，可适应多种塞贝克系数待测单元体的类型，即能提高塞贝克系数的测量时的便捷性，降低测量成本。
附图说明
图1为本发明测量热电偶塞贝克系数的示意图。
图2～图8为本发明为图1中测量结构的具体工艺步骤剖视图，其中
图2为本发明制备得到衬底保护支撑层后的剖视图。
图3为本发明制备得到热电偶后的剖视图。
图4为本发明制备得到热电偶绝缘导热层后的剖视图。
图5为本发明制备得到热电偶引出孔后的剖视图。
图6为本发明制备得到测温单元体后的剖视图。
图7为本发明制备得到热电偶热吸收结构体后的剖视图。
图8为本发明制备得到背腔后的示意图。
图9为本发明测量热偶对塞贝克系数的示意图。
图10～图18为图9中测量结构的具体制备工艺步骤剖视图，其中
图10为本发明制备得到衬底保护支撑层后的剖视图。
图11为本发明制备得到第一热偶条后的剖视图。
图12为本发明制备得到热偶条间绝缘导热层后的示意图。
图13为本发明制备得到第二热偶条后的剖视图。
图14为本发明制备得到热偶对上绝缘导热层后的示意图。
图15为本发明制备得到热偶对引出连接孔后的示意图。
图16为本发明制备得到测温单元体后的示意图。
图17为本发明制备得到热偶对热吸收结构体后的剖视图。
图18为本发明制备得到背腔后的示意图。
附图标记说明：1-热电偶、2-热电偶第一电极、3-热电偶第二电极、4-测温单元体、5-测温单元体引出第一电极、6-测温单元体引出第二电极、7-衬底、8-衬底保护支撑层、9-热电偶绝缘导热层、10-热电偶引出孔、11-热电偶热吸收结构体、12-热电偶测温单元保护填充体、13-背腔、14-第一热偶条、15-第二热偶条、16-热偶对第一电极、17-热偶对第二电极、18-热偶条连接体、19-热偶条间绝缘导热层、20-热偶对上绝缘导热层、21-热偶对第一连接孔、22-热偶对第二连接孔以及23-热偶对第三连接孔、24-热偶对测温单元保护填充体、25-热电偶对热吸收结构体。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
为了能有效实现塞贝克系数的测量，本发明包括衬底7以及设置于衬底7正面上方的塞贝克系数待测单元体，还包括制备于衬底7正面上方的测温单元体4以及设置于衬底7背面的背腔13，其中，测温单元体4以及塞贝克系数待测单元体均位于背腔13的正上方，测温单元体4邻近塞贝克系数待测单元体，且塞贝克系数待测单元体的一端位于背腔13外以形成塞贝克系数待测单元体的冷端；
测量时，利用测试热源对所述测温单元体4以及塞贝克系数待测单元体同时进行所需的热激发，通过测温单元体4测量得到表征塞贝克系数待测单元体热激发前后的测试温度差ΔT，测量所述塞贝克系数待测单元体在相应热激发状态下的输出电压V，则所述塞贝克系数待测单元体的塞贝克系数α为
具体地，衬底7具体可以采用现有常用的形式，如采用硅衬底等，具体可以根据需要选择，此处不再赘述。在衬底7上方采用本技术领域常用的技术手段制备塞贝克系数待测单元体，塞贝克系数待测单元体的具体情况以实际需要测量塞贝克系数的情况为准。
本发明实施例中，在衬底7上方还设置测温单元体4，测温单元体4一般设置在衬底7的周围，即邻近塞贝克系数待测单元体。为了能提高测量的准确性，在衬底1的背面还设置背腔13，其中，测温单元体4与背腔13正对应，而对于塞贝克系数待测单元体，所述塞贝克系数待测单元体的一端需要位于背腔13外，以形成塞贝克系数待测单元体的冷端，从而能满足塞贝克系数的测试条件。当然，塞贝克系数待测单元体位于背腔13内的一端形成塞贝克系数待测单元体的热端。
具体实施时，测量塞贝克系数待测单元体的塞贝克系数时，需要利用测试热源对所述测温单元体4以及塞贝克系数待测单元体同时进行所需的热激发，其中，测试热源可为黑体或者激光等可与环境温度有温差的设备，测试热源的尺寸一般为cm级或以上，由于塞贝克系数待测单元体以及测温单元体一般为μm级或mm级，因此，塞贝克系数待测单元体为均匀受热，且测温单元体4位于背腔13的正上方，即可认为测温单元体4与塞贝克系数待测单元体的受热为相同的，从而可以利用测温单元体4测量的测试温度差ΔT表征塞贝克系数待测单元体热激发前后的温度差。
本发明实施例中，利用本技术领域常用的技术手段能方便直接测量得到测量所述塞贝克系数待测单元体在相应热激发状态下的输出电压V，同时，利用测温单元体4能测量得到表征塞贝克系数待测单元体热激发前后的测试温度差ΔT，因此，可以根据塞贝克系数的定义，直接得到所述塞贝克系数待测单元体的塞贝克系数α为
具体地，测温单元体4可以采用现有工艺制备在塞贝克系数待测单元体的周围或邻近所述塞贝克系数待测单元体即可，在对塞贝克系数测量时，可适应多种塞贝克系数待测单元体的类型，即能提高塞贝克系数的测量时的便捷性，降低测量成本。
进一步地，所述测温单元体4为热敏电阻时，测温单元体4在受到测试热源激发时，测试温度差ΔT为
其中，R1为测温单元体4受热激发后的电阻值，R2为温单元体4受热激发前的电阻值，ε为所述测温单元体4的电阻温度系数。
本发明实施例中，测温单元体4可以为热敏电阻，当然，也可以采用其他的形式。当测温单元体4为热敏电阻时，根据热敏电阻的特性可知，为了能得到测试温度差ΔT，可以直接测量测温单元体4在收到测试热源激发前后的电阻值即可。当测温单元体4为其他类型时，具体得到测试温度差ΔT的情况与测温单元体4所采用的类型相关，具体为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。测温单元体4的电阻温度系数ε与测温单元体4所采用的材料相关，可采用本技术领域常用的技术手段确定测温单元体4的电阻温度系数ε，具体确定测温单元体4的电阻温度系数ε的方式以及过程可根据需要选择，为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。
具体实施时，还包括用于增强热吸收的热吸收结构体，热吸收结构体位于衬底7上方，且热吸收结构体与测温单元体4以及塞贝克系数待测单元的热端相接触。
本发明实施例中，通过将热吸收结构体覆盖在测温单元体4以及塞贝克系数待测单元的热端，以提升热吸收效率，从而能提高通过测温单元体4测量得到测试温度差ΔT的可靠性。具体地，所述热吸收结构体包括热吸收层和/或微纳米结构。当热吸收结构体采用热吸收层或微纳米结构时，则热吸收结构体直接覆盖于测温单元体4上，并与塞贝克系数待测单元的热端相接触；微纳米结构可以采用现有常用的形式，可根据实际需要选择，此处不再赘述。当热吸收结构体同时包括热吸收层以及微纳米结构时，则微纳米结构设置于热吸收层上。热吸收层可以采用现有常用的材料制成，如采用氮化硅等，微纳米结构具体可以采用现有常用的工艺制备得到，具体为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。
进一步地，所述塞贝克系数待测单元体包括一热电偶1或一对热偶。具体地，热电偶1采用任意热电材料制成的材料，如N型掺杂多晶硅或P型掺杂多晶硅；一对热偶一般为由两个热偶条形成，具体情况与现有相一致，为本技术领域人员所熟知。
图1中示出了塞贝克系数待测单元体为热电偶1的情况，图1中，所述热电偶1的两端还设置热电偶第一电极2以及热电偶第二电极3，利用热电偶第一电极2以及热电偶第二电极3分别与热电偶1的两端电连接，通过热电偶第一电极2以及热电偶第二电极3能方便测量热电偶1在收到热激发后输出的电压V。对于测温单元体4，所述测温单元体4的两端设置测温单元体引出电极5，利用测温单元体引出第一电极5和测温单元体引出第二电极6能方便获取通过测温单元体4得到的测试温度差ΔT。
图9中示出了塞贝克系数待测单元体为一对热偶的情况，其中，一对热偶包括第一热偶条14以及第二热偶条15。第一热偶条14的第一端通过热偶条连接体18与第二热偶条15的第一端电连接，在第一热偶条14的第二端设置热偶对第二电极17，在第二热偶条15的第二端设置热偶对第一电极16，即通过热偶对第一电极16以及热偶对第二电极17能分别将热偶对引出，在受到热激发后，通过热偶对第一电极16以及热偶对第二电极17能测量输出电压V。图9中，测温单元体4的具体情况可与图1中的情况相一致。当塞贝克系数待测单元体为其他情况是，具体可以参考图1、图9以及相应的说明，此处不再赘述。
具体实施时，上述的塞贝克系数待测单元体以及测温单元体4可以与热电堆红外传感器集成，即在制备热电堆红外传感器时，同时能制备测温单元体4以及塞贝克系数待测单元体。本技术领域周知，对于热电堆红外传感器，其包括若干对热偶，多个热偶内的热偶条依次串接，以能实现对红外的感应。塞贝克系数待测单元体为一根热电偶1或一对热偶时，热电偶1或一对热偶可与热电堆红外探测器内的多个热偶采用同一工艺制备得到。当一根热电偶1或一对热偶与热电堆红外探测器内采用相同材料以及工艺制备时，对热电偶1或一对热偶的塞贝克系数的测量，以能表征热电堆红外探测器内相应热电偶1或相应热偶的塞贝克系数。
此外，由上述说明可知，测温单元体4以及塞贝克待测单元体必须要保证不影响热电堆红外探测器的具体工作过程，即要保证塞贝克系数待测单元体的一端与背腔13对应形成热端，又不影响热电堆红外探测器内的热偶；当然，测温单元体4依然要邻近所述塞贝克系数待测单元体。
综上，可到一种塞贝克系数的测量结构的制备方法，具体地，提供衬底7，在所述衬底7的正面上方制备有塞贝克系数待测单元体以及邻近所述塞贝克系数待测单元体的测温单元体，在衬底7的背面制备有背腔13，测温单元体4以及塞贝克系数待测单元体均位于背腔13的正上方，塞贝克系数待测单元体的一端位于背腔13外以形成塞贝克系数待测单元体的冷端。
具体地，塞贝克系数待测单元体、测温单元体4、背腔13与衬底7的具体对应关系，可以参考上述说明，此处不再赘述。具体实施时，所述塞贝克系数待测单元体包括一根热电偶1或一对热偶，还包括用于提高测温单元体4热吸收效率的热吸收结构体，所述热吸收结构体位于衬底7正面的上方且所述热吸收层与测温单元体4接触。
如图2～图8所示，当塞贝克系数待测单元体为一热电偶1时，所述制备方法包括如下步骤：
步骤1、提供衬底7以及设置于所述衬底7正面的衬底保护支撑层8，将热电偶1制备于衬底保护支撑层8上；
具体地，衬底7的材料可为单晶硅、多晶硅或SOI片；衬底保护支撑层8的材料可为氧化硅、氧化硅、氮化硅或者硅氧氮等具有良好热绝缘性的膜叠结构，厚度为1000A-10000A。衬底保护支撑层8可以采用热氧化、化学气相沉积等方式制备在衬底7的正面，如图2所示。
热电偶1的材料为任意热电材料，包括但不限于N型/P型掺杂多晶硅、N型/P型掺杂硅(Si)、N型/P型掺杂锗硅或者金属材料，所述金属材料如铋(Bi)、锑(Sb)、铬(Cr)、铁(Fe)、钼(Mo)、金(Au)、铜(Cu)、铟(In)、银(Ag)、钨(W)、铅(Pb)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钴(Co)等。热电偶1的材料可以采用本技术领域常用的技术手段制备在衬底保护支撑层8上，如图3所示，具体制备工艺等为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。
步骤2、在上述衬底7上方制备热电偶绝缘导热层9，所述热电偶绝缘导热层9覆盖在热电偶1并支撑在所述衬底保护支撑层8上；
具体地，热电偶绝缘导热层9的材料可以为氧化硅或氮化硅或氮氧化硅，或其复合绝缘层结构，厚度为1000A-10000A，热电偶绝缘导热层9采用沉积方法制备，其中，沉积方法可以为热氧化、化学气相沉积等。制备得到热电偶绝缘导热层9后，所述热电偶绝缘导热层9覆盖在热电偶1并支撑在所述衬底保护支撑层8上，如图4所示。
步骤3、选择性地掩蔽和刻蚀热电偶绝缘导热层9，以制备得贯通热电偶绝缘导热层9的热电偶引出孔10，通过热电偶引出孔10以能使得热电偶1的端部露出；
具体地，采用本技术领域常用的技术手段对热电偶绝缘导热层9刻蚀，以能得到两个热电偶引出孔10，通过热电偶引出孔10以能使得热电偶1的端部露出，如图5所示。
步骤4、制备与热电偶1电连接的热电偶电极以及邻近所述热电偶1的测温单元体4，其中，热电偶电极包括分别填充于热电偶引出孔10内的热电偶第一电极2以及热电偶第二电极3热电偶第一电极体2、热电偶第二电极3分别与热电偶1相应的端部电连接，测温单元体4位于热电偶绝缘导热层9上；
具体地，采用本技术领域常用的技术后端制备得到热电偶第一电极2以及热电偶第二电极3，其中，热电偶第一电极2以及热电偶第二电极3填充在热电偶引出孔10内，以形成图1所示与热电偶1间的连接状态。
热电偶第一电极2以及热电偶第二电极3可以与测温单元体4采用同一工艺步骤形成，此时，热电偶第一电极2以及第二热电偶第二电极3需要采用与测温单元体4兼容的金属材料，具体材料类型可以根据需要选择。测温单元体4的两端具有测温单元体引出第一电极5和测温单元体引出第二电极6，由于热电偶2被热电偶绝缘导热层9包覆，测温单元体4在热电偶绝缘导热层9上，并邻近所述热电偶1，如图6所示。
当需要提高测温单元体4的热吸收效率时，在制备得到测温单元体4后，还需要制备热吸收结构体，图7中示出了热吸收结构体为热电偶热吸收结构体11，所述热电偶热吸收结构体11呈平面层，热电偶热吸收结构体11可采用氮化硅、碳、石墨烯等材料制成，具体材料类型可以根据需要选择，此处不再赘述。当然，为了确保热电偶热吸收结构体11的可靠性，在制备热电偶热吸收结构体11前，还需要制备热电偶测温单元保护填充体12，利用热电偶测温单元保护填充体12能将测温单元体4包围，热电偶测温单元保护填充体12可以采用现有常用的介质材料制成，通过热电偶测温单元保护填充体12填充在测温单元体4的外圈，以方便能对热电偶热吸收结构体11的支撑。
步骤5、在衬底7的背面制备所需的背腔13，热电偶1的一端位于背腔13外以形成塞贝克系数待测单元体的冷端。
具体地，对衬底7的背面进行刻蚀，以能得到背腔13，背腔13贯通衬底7，即对衬底7的刻蚀到衬底保护支撑层8为止，具体对衬底7刻蚀得到背腔13的工艺条件以及过程等可以根据实际需要选择，为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。在刻蚀得到背腔13时，需要使得热电偶1远离测温单元体4的一端位于背腔13外，以形成热电偶1的冷端。
具体实施时，当与热电堆红外传感器集成时，上述工艺需要与热电堆红外传感器的具体工艺兼容，当然，热电偶1的具备制备方式以及过程可以与现有热电堆红外传感器内对应热电偶的制备采用同一工艺步骤形成，具体工艺过程可以根据实际需要选择，以制备得到热电偶1不影响热电堆红外传感器的具体结构以及功能为准，具体为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。
如图10～图18所示，当塞贝克系数待测单元体为一对热偶时，具所述制备方法包括如下步骤：
步骤A、提供衬底7以及设置于所述衬底7正面的衬底保护支撑层8；
如图10所示，衬底7以及衬底保护支撑层8的具体情况与上述相一致，可以参考上述说明，此处不再赘述。
步骤B、在上述衬底保护支撑层8上制备热偶对以及邻近所述热偶对的测温单元体4，其中，所述热偶对包括第一热偶条14以及与所述第一热偶条14适配连接的第二热偶条15；
由上述说明可知，热偶对包括第一热偶条14以及第二热偶条15，第一热偶条14与第二热偶条15串接，当第一热偶条14与第二热偶条15采用上下分布的形式时，具体工艺过程包括：
在衬底保护支撑层8上设置第一热偶条14，如图11所示，具体制备第一热偶条14的过程以及方式均为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。
如图12所示，采用本技术领域常用的技术手段制备热偶条间绝缘导热层19，所述热偶条间绝缘导热层19覆盖在第一热偶条14上且支撑在衬底保护支撑层8上，具体可以参考上热电偶绝缘导热层9的说明，此处不再赘述。
如图13所示，采用本技术领域常用的技术手段制备第二热偶条15，第二热偶条15位于第一热偶条14的正上方，第二热偶条15支撑在热偶条间绝缘导热层19上。
如图14所示，采用本技术领域常用的技术手段制备得到热偶对上绝缘导热层20，热偶对上绝缘导热层20包覆第二热偶条15，其余部分覆盖在热偶条间绝缘导热层19上，热偶对上绝缘导热层20、热偶条间绝缘导热层19可以采用相同的材料制成，具体工艺过程等可以根据需要选择，此处不再赘述。
如图15所示，采用本技术领域常用的刻蚀技术，对热偶对上绝缘导热层20、热偶条间绝缘导热层19进行刻蚀，以能得到热偶对第一连接孔21、热偶对第二连接孔22以及热偶对第三连接孔23。如图16所示，在制备得到热偶对第一连接孔21、热偶对第二连接孔22以及热偶对第三连接孔23后，进行金属淀积，以能得到热偶对第一电极16、热偶对第二电极17、热偶条连接体17，其中，热偶对第一淀积16填充在热偶对第二连接孔22内，热偶对第二电极17填充在热偶对第三连接孔23内，热偶条连接体18填充在热偶对第一连接孔21，热偶对第一电极16、热偶对第二电极17、热偶条连接体18与第一热偶条14、第二热偶条15间的具体配合关系可以参考图9说明，此处不再赘述。
此外，在热偶对上绝缘导热层19上还制备得到测温单元体4，测温单元体4位于第一热偶条14、第二热偶条15的外侧，测温单元体4可以与热偶对第一电极16、热偶对第二电极17、热偶条连接体17采用同一工艺步骤形成，具体通过材料等工艺确定，为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。
如图17所示，还可以制备热偶对测温单元保护填充体24以及热偶对热吸收结构体25，热偶对测温单元保护填充体24、热偶对热吸收结构体25的具体情况可以参考上述热电偶测温单元保护填充体12、热电偶热吸收结构体11的具体说明，此处不再赘述。
步骤C、在衬底7的背面制备所需的背腔13，第一热偶条14以及第二热偶条15相应的端部位于背腔13外以形成塞贝克系数待测单元体的冷端。
具体地，采用本技术领域常用的技术手段制备得到背腔13，背腔13贯通衬底7，第一热偶条14以及第二热偶条15相应的端部位于背腔13外，以形成热偶对的冷端，具体制备背腔13的工艺情况可以参考上述说明，此处不再赘述。
具体实施时，当与热电堆红外传感器集成时，上述工艺需要与热电堆红外传感器的具体工艺兼容，当然，由第一热偶条14以及第二热偶条15形成的一对热偶具备制备方式以及过程可以与现有热电堆红外探测器内热偶对的制备采用同一工艺步骤形成，具体工艺过程可以根据实际需要选择，以制备得到一对热偶不影响热电堆红外探测器的具体结构以及功能为准，具体为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。
当塞贝克系数待测单元体采用其他的情况时，具体可以参考上述工艺步骤说明，具体可以根据实际情况确定，此处不再一一列举说明。
Claims (10)
1.一种适用于热电堆的塞贝克系数测量结构，包括衬底(7)以及设置于衬底(7)正面上方的塞贝克系数待测单元体，其特征是：还包括制备于衬底(7)正面上方的测温单元体(4)以及设置于衬底(7)背面的背腔(13)，其中，测温单元体(4)以及塞贝克系数待测单元体均位于背腔(13)的正上方，测温单元体(4)邻近塞贝克系数待测单元体，且塞贝克系数待测单元体的一端位于背腔(13)外以形成塞贝克系数待测单元体的冷端；
测量时，利用测试热源对所述测温单元体(4)以及塞贝克系数待测单元体同时进行所需的热激发，通过测温单元体(4)测量得到表征塞贝克系数待测单元体热激发前后的测试温度差ΔT，测量所述塞贝克系数待测单元体在相应热激发状态下的输出电压V，则所述塞贝克系数待测单元体的塞贝克系数α为
2.根据权利要求1所述的适用于热电堆的塞贝克系数测量结构，其特征是：所述测温单元体(4)为热敏电阻时，测温单元体(4)在受到测试热源激发时，测试温度差ΔT为
其中，R1为测温单元体(4)受热激发后的电阻值，R2为测温单元体(4)受热激发前的电阻值，ε为所述测温单元体(4)的电阻温度系数。
3.根据权利要求1或2所述的适用于热电堆的塞贝克系数测量结构，其特征是：所述测试热源包括黑体或激光，所述塞贝克系数待测单元体包括一根热电偶(1)或一对热偶。
4.根据权利要求2所述适用于热电堆的塞贝克系数的测量结构，其特征是：还包括用于增强热吸收的热吸收结构体，热吸收结构体位于衬底(7)上方，且热吸收结构体与测温单元(4)以及塞贝克系数待测单元的热端相接触。
5.根据权利要求4所述的适用于热电堆的塞贝克系数测量结构，其特征是：所述热吸收结构体包括热吸收层和/或微纳米结构。
6.一种适用于热电堆的塞贝克系数测量结构的制备方法，其特征是：提供衬底(7)，在所述衬底(7)的正面上方制备有塞贝克系数待测单元体以及邻近所述塞贝克系数待测单元体的测温单元体，在衬底(7)的背面制备有背腔(13)，测温单元体(4)以及塞贝克系数待测单元体均位于背腔(13)的正上方，塞贝克系数待测单元体的一端位于背腔(13)外以形成塞贝克系数待测单元体的冷端。
7.根据权利要求6所述适用于热电堆的塞贝克系数测量结构的制备方法，其特征是：所述塞贝克系数待测单元体包括一根热电偶(1)或一对热偶，还包括用于热吸收结构体，热吸收结构体位于衬底(7)上方，且热吸收结构体与测温单元(4)以及塞贝克系数待测单元的热端相接触。
8.根据权利要求7所述的适用于热电堆的塞贝克系数测量结构的制备方法，其特征是：所述塞贝克系数待测单元体为一热电偶(1)时，所述制备方法包括如下步骤：
步骤1、提供衬底(7)以及设置于所述衬底(7)正面的衬底保护支撑层(8)，将热电偶(1)制备于衬底保护支撑层(8)上；
步骤2、在上述衬底(7)上方制备热电偶绝缘导热层(9)，所述热电偶绝缘导热层(9)覆盖在热电偶(1)并支撑在所述衬底保护支撑层(8)上；
步骤3、选择性地掩蔽和刻蚀热电偶绝缘导热层(9)，以制备得贯通热电偶绝缘导热层(9)的热电偶引出孔(10)，通过热电偶引出孔(10)以能使得热电偶(1)的端部露出；
步骤4、制备与热电偶(1)电连接的热电偶电极以及邻近所述热电偶(1)的测温单元体(4)，其中，热电偶电极包括分别填充于热电偶引出孔(9)内的热电偶第一电极(2)以及热电偶第二电极(3)，热电偶第一电极体(2)、热电偶第二电极(3)分别与热电偶(1)相应的端部电连接，测温单元体(4)位于热电偶绝缘导热层(9)上；
步骤5、在衬底(7)的背面制备所需的背腔(13)，热电偶(1)的一端位于背腔(13)外以形成塞贝克系数待测单元体的冷端。
9.根据权利要求7所述的适用于热电堆的塞贝克系数测量结构的制备方法，其特征是：所述塞贝克系数待测单元体为一对热偶时，所述制备方法包括如下步骤：
步骤A、提供衬底(7)以及设置于所述衬底(7)正面的衬底保护支撑层(8)；
步骤B、在上述衬底保护支撑层(8)上制备热偶对以及邻近所述热偶对的测温单元体(4)，其中，所述热偶对包括第一热偶条(14)以及与所述第一热偶条(14)适配连接的第二热偶条(15)；
步骤C、在衬底(7)的背面制备所需的背腔(13)，第一热偶条(14)以及第二热偶条(15)相应的端部位于背腔(13)外以形成塞贝克系数待测单元体的冷端。
10.根据权利要求8或9所述的适用于热电堆的塞贝克系数测量结构的制备方法，其特征是：所述热吸收结构体包括热吸收层和/或微纳米结构。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111509666.6A CN114199934A (zh) | 2021-12-10 | 2021-12-10 | 适用于热电堆的塞贝克系数测量结构及其制备方法 |
| PCT/CN2022/089119 WO2023103259A1 (zh) | 2021-12-10 | 2022-04-25 | 适用于热电堆的塞贝克系数测量结构及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111509666.6A CN114199934A (zh) | 2021-12-10 | 2021-12-10 | 适用于热电堆的塞贝克系数测量结构及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114199934A true CN114199934A (zh) | 2022-03-18 |
Family
ID=80652356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111509666.6A Pending CN114199934A (zh) | 2021-12-10 | 2021-12-10 | 适用于热电堆的塞贝克系数测量结构及其制备方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114199934A (zh) |
| WO (1) | WO2023103259A1 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115077648A (zh) * | 2022-08-19 | 2022-09-20 | 无锡芯感智半导体有限公司 | 一种mems质量流量传感器及制备方法 |
| CN115420769A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-12-02 | 无锡物联网创新中心有限公司 | 红外热电堆传感器的塞贝克系数测试方法 |
| WO2023103259A1 (zh) * | 2021-12-10 | 2023-06-15 | 佛山市川东磁电股份有限公司 | 适用于热电堆的塞贝克系数测量结构及其制备方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102494782A (zh) * | 2011-11-28 | 2012-06-13 | 中国科学院半导体研究所 | 一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法 |
| CN103048350A (zh) * | 2013-01-05 | 2013-04-17 | 江苏物联网研究发展中心 | 微纳尺度材料赛贝克系数的测量机构及其制备方法 |
| CN103245421A (zh) * | 2013-05-16 | 2013-08-14 | 江苏物联网研究发展中心 | 致热型mems热电堆红外探测器结构及其制备方法 |
| CN103267775A (zh) * | 2013-05-07 | 2013-08-28 | 江苏物联网研究发展中心 | 微纳米尺度材料塞贝克系数的在线测量方法 |
| CN104111267A (zh) * | 2013-04-17 | 2014-10-22 | 北京市太阳能研究所集团有限公司 | 一种薄膜材料塞贝克系数测量仪 |
| JP2020134237A (ja) * | 2019-02-15 | 2020-08-31 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ゼーベック係数測定装置及びその測定方法 |
| CN112551479A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-03-26 | 江苏创芯海微科技有限公司 | 高性能mems红外传感器及其制备方法 |
| CN112903117A (zh) * | 2021-01-21 | 2021-06-04 | 江苏创芯海微科技有限公司 | 一种mems热电堆红外探测器 |
| CN113428833A (zh) * | 2021-07-19 | 2021-09-24 | 瑶芯微电子科技(上海)有限公司 | Mems热电堆红外传感器及制备方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050081905A1 (en) * | 2003-10-17 | 2005-04-21 | Lan Alex H. | Thermopile IR detector package structure |
| JP2010107299A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 赤外線検知素子及びセンサ並びに赤外線検知素子の製造方法 |
| WO2014018688A2 (en) * | 2012-07-24 | 2014-01-30 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Mems-based isothermal titration calorimetry |
| CN102608153B (zh) * | 2012-01-10 | 2013-10-09 | 东南大学 | 多晶硅-金属热电偶塞贝克系数的在线测试结构 |
| CN104900557B (zh) * | 2015-05-07 | 2018-11-06 | 中国科学院微电子研究所 | 赛贝克系数测量结构、测量结构制备方法及测量方法 |
| CN111426400A (zh) * | 2020-03-28 | 2020-07-17 | 无锡豪帮高科股份有限公司 | 一种基于热电堆的无线温度传感器 |
| CN112034002B (zh) * | 2020-09-04 | 2023-07-21 | 中国计量科学研究院 | 一种热电材料塞贝克系数的测量装置和方法 |
| CN112729567A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-30 | 上海格斐特传感技术有限公司 | 一种新型红外热电堆传感器芯片及制备方法 |
| CN114199934A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-03-18 | 佛山市川东磁电股份有限公司 | 适用于热电堆的塞贝克系数测量结构及其制备方法 |
-
2021
- 2021-12-10 CN CN202111509666.6A patent/CN114199934A/zh active Pending
-
2022
- 2022-04-25 WO PCT/CN2022/089119 patent/WO2023103259A1/zh unknown
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102494782A (zh) * | 2011-11-28 | 2012-06-13 | 中国科学院半导体研究所 | 一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法 |
| CN103048350A (zh) * | 2013-01-05 | 2013-04-17 | 江苏物联网研究发展中心 | 微纳尺度材料赛贝克系数的测量机构及其制备方法 |
| CN104111267A (zh) * | 2013-04-17 | 2014-10-22 | 北京市太阳能研究所集团有限公司 | 一种薄膜材料塞贝克系数测量仪 |
| CN103267775A (zh) * | 2013-05-07 | 2013-08-28 | 江苏物联网研究发展中心 | 微纳米尺度材料塞贝克系数的在线测量方法 |
| CN103245421A (zh) * | 2013-05-16 | 2013-08-14 | 江苏物联网研究发展中心 | 致热型mems热电堆红外探测器结构及其制备方法 |
| JP2020134237A (ja) * | 2019-02-15 | 2020-08-31 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ゼーベック係数測定装置及びその測定方法 |
| CN112551479A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-03-26 | 江苏创芯海微科技有限公司 | 高性能mems红外传感器及其制备方法 |
| CN112903117A (zh) * | 2021-01-21 | 2021-06-04 | 江苏创芯海微科技有限公司 | 一种mems热电堆红外探测器 |
| CN113428833A (zh) * | 2021-07-19 | 2021-09-24 | 瑶芯微电子科技(上海)有限公司 | Mems热电堆红外传感器及制备方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023103259A1 (zh) * | 2021-12-10 | 2023-06-15 | 佛山市川东磁电股份有限公司 | 适用于热电堆的塞贝克系数测量结构及其制备方法 |
| CN115077648A (zh) * | 2022-08-19 | 2022-09-20 | 无锡芯感智半导体有限公司 | 一种mems质量流量传感器及制备方法 |
| CN115420769A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-12-02 | 无锡物联网创新中心有限公司 | 红外热电堆传感器的塞贝克系数测试方法 |
| CN115420769B (zh) * | 2022-08-31 | 2024-02-02 | 无锡物联网创新中心有限公司 | 红外热电堆传感器的塞贝克系数测试方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023103259A1 (zh) | 2023-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN114199934A (zh) | 适用于热电堆的塞贝克系数测量结构及其制备方法 | |
| US6487515B1 (en) | Method and apparatus for measuring thermal and electrical properties of thermoelectric materials | |
| US6467951B1 (en) | Probe apparatus and method for measuring thermoelectric properties of materials | |
| US6290388B1 (en) | Multi-purpose integrated intensive variable sensor | |
| Klonz et al. | Development of thin-film multijunction thermal converters at PTB/IPHT | |
| US5589688A (en) | Infrared radiation sensor | |
| US20140036953A1 (en) | Temperature sensor device and radiation thermometer using this device, production method of temperature sensor device, multi-layered thin film thermopile using photo-resist film and radiation thermometer using this thermopile, and production method of multi-layered thin film thermopile | |
| Allison et al. | A bulk micromachined silicon thermopile with high sensitivity | |
| CN115077648B (zh) | 一种mems质量流量传感器及制备方法 | |
| US6518597B1 (en) | IR sensor and method for fabricating the same | |
| JPS6328045A (ja) | 半導体ウエファの温度を測定する装置および方法 | |
| EP0515695A1 (en) | Sensing system for measuring characteristic value of member to be measured by utilizing changes in thermal resistance | |
| CN102608153B (zh) | 多晶硅-金属热电偶塞贝克系数的在线测试结构 | |
| CN101620192A (zh) | 一种用于测量薄膜导热率的测试结构 | |
| EP4102216A1 (en) | Multi-dimensional multi-parameter gas sensor and manufacturing method therefor, and gas detection method | |
| US11972988B2 (en) | Solar cell and photovoltaic module | |
| CN112903117A (zh) | 一种mems热电堆红外探测器 | |
| CN112250031A (zh) | 自带线性热电阻校正的热电堆红外传感器及其制备方法 | |
| JP4374597B2 (ja) | 温度差の検出方法、温度センサおよびこれを用いた赤外線センサ | |
| US20190107502A1 (en) | Pixel for Thermal Transport and Electrical Impedance Sensing | |
| CN202403836U (zh) | 多晶硅-金属热电偶塞贝克系数的在线测试结构 | |
| JP2001165731A (ja) | フローセンサおよびこれを用いた流量計 | |
| CN113176293B (zh) | 一种采用点阵接触方式测量异质结界面热导率的结构及方法 | |
| CN111239479B (zh) | 集成化自校准辐射功率传感芯片及辐射功率测量方法 | |
| JP2000131147A (ja) | 赤外線センサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |