CN114188469B - 显示模组的制备方法和显示面板 - Google Patents
显示模组的制备方法和显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114188469B CN114188469B CN202111466120.7A CN202111466120A CN114188469B CN 114188469 B CN114188469 B CN 114188469B CN 202111466120 A CN202111466120 A CN 202111466120A CN 114188469 B CN114188469 B CN 114188469B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- copper layer
- protective
- protective film
- array substrate
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 181
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 117
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 96
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 96
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 54
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 52
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 29
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 8
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000010147 laser engraving Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请提供了一种显示模组的制备方法和显示面板。其中，显示模组的制备方法应用于显示面板，显示面板包括显示区和邦定区，包括提供玻璃基板，玻璃基板包括对应显示区的第一区域和对应邦定区的第二区域，第一区域设有阵列基板，第二区域设有金属走线；分别在阵列基板和玻璃基板的外侧贴附第一保护膜和第二保护膜；在阵列基板、第一保护膜和第二保护膜靠近金属走线的一侧设置第一保护胶，第一保护胶包括VU胶和纳米金红石型二氧化钛粉末；在外侧设置铜层；对铜层进行激光切割，以使第一保护膜和第二保护膜分别与位于邦定区的铜层分离；将第二保护膜与阵列基板分离，将第一保护膜和玻璃基板分离。本申请实施例解决了去除保护膜时铜层断裂的问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示模组的制备方法和显示面板。
背景技术
目前，市场上的主流显示方式为液晶屏幕，人们对各种大尺寸和超大尺寸的显示屏的需求也越来越多，但因为生产液晶面板的机台及成本控制，目前市面上的主流液晶屏幕尺寸为65寸以下。为了实现更大尺寸的显示效果，市场上的主流方案为通过多个较小尺寸液晶屏幕的拼接，来实现一个大屏幕的显示效果。
而Mini/Micro LED无缝拼接所需窄边框工艺，其中，背面绑定工艺路线之一是利用PVD成膜的方式在玻璃基板的正面、侧面、背面形成一层1～3微米厚的铜层，利用激光雕刻的工艺，将铜层雕刻成与Bonding Lead相匹配的图案，实现正面与背面导线的连通，进行背面Bonding。
然而，在利用PVD成膜技术中，撕除保护膜后容易导致铜层翘曲或者断裂，影响线路正常导通。
发明内容
本申请实施例提供一种显示模组的制备方法和显示面板，解决了显示模组制备过程中，撕除保护膜后容易导致铜层翘曲或者断裂的问题。
本申请实施例提供一种显示模组的制备方法，应用于显示面板，所述显示面板包括显示区和邦定区，所述制备方法包括:
提供玻璃基板，所述玻璃基板包括对应所述显示区的第一区域和对应所述邦定区的第二区域，所述第一区域设有阵列基板，所述第二区域设有金属走线；
分别在所述阵列基板远离所述玻璃基板的一侧贴附第一保护膜，在所述玻璃基板远离所述阵列基板的一侧贴附第二保护膜；
在所述阵列基板、所述第一保护膜和所述第二保护膜靠近所述金属走线的一侧设置第一保护胶，所述第一保护胶包括VU胶和纳米金红石型二氧化钛粉末；
在所述阵列基板、所述第一保护膜和所述第二保护膜、所述第一保护胶和所述金属走线外侧设置铜层；
对所述铜层进行激光切割，以使所述第一保护膜和所述第二保护膜分别与位于所述邦定区的铜层分离；
将所述第二保护膜与所述阵列基板分离，将所述第一保护膜和所述玻璃基板分离。
可选的，所述对所述铜层进行激光切割，以使所述第一保护膜和所述第二保护膜分别与位于所述邦定区的铜层分离，包括：
在所述铜层上的目标位置对所述铜层进行激光切割，使所述铜层在所述目标位置处形成切口，通过所述切口以使位于所述显示区的第一铜层与位于所述邦定区的第二铜层相分离，其中，所述目标位置在所述玻璃基板上的正投影在所述第一保护胶内。
可选的，所述第一保护胶的宽度范围为30微米至50微米，所述切口的宽度小于所述第一保护胶的宽度。
可选的，在所述将所述第二保护膜与所述阵列基板分离，将所述第一保护膜和所述玻璃基板分离之前，所述制备方法还包括：
运用激光对位于所述邦定区的第二铜层进行雕刻，以使所述第二铜层的图案与所述金属走线相适配。
可选的，在所述运用激光对位于所述邦定区的第二铜层进行雕刻之后，所述制备方法还包括：
在所述第一保护胶、所述第二铜层和所述金属走线上设置第二保护胶，所述第二保护胶用于防止所述第二铜层氧化。
可选的，所述在所述阵列基板、所述第一保护膜、所述第二保护膜、、所述第一保护胶和所述金属走线外侧设置铜层之前，所述制备方法还包括：
对所述玻璃基板远离所述阵列基板的一端进行倒角处理，所述倒角的角度范围为44度至46度，所述倒角的倒边量的范围为28微米至35微米。
可选的，所述第一保护胶中所述二氧化钛粉末的质量百分比为20％-40％。
可选的，所述铜层的厚度范围为1微米至3微米。
本申请实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括显示区和邦定区，所述显示面板还包括：
玻璃基板，所述玻璃基板包括对应所述显示区的第一区域和对应所述邦定区的第二区域；
阵列基板，所述阵列基板设置于所述第一区域；
金属走线，所述金属走线设置于所述第二区域；
保护胶，所述保护胶设置于所述阵列基板靠近所述金属走线的一侧，所述保护胶包括VU胶和纳米金红石型二氧化钛粉末；
铜层，所述铜层设置于所述邦定区，且设置于所述金属走线和所述保护胶的外侧。
可选的，所述玻璃基板远离所述阵列基板的一端设置有倒角，所述倒角的角度范围为44度至46度，所述倒角的倒边量的范围为28微米至35微米。
本申请的有益效果在于：本申请实施例提供的显示模组的制备方法中通过在阵列基板、第一保护膜和第二保护膜靠近金属走线的一侧涂敷第一保护胶，其中第一保护胶包括VU胶和纳米金红石型二氧化钛粉末，具有二氧化钛粉末的第一保护胶有很好的紫外线屏蔽作用，且不导电。因此，在对铜层进行激光切割时，激光不会切割第一保护胶，从而可以使得第一保护膜和第二保护膜分别与位于邦定区的铜层分离，以使第一保护膜和阵列基板分离过程中以及第二保护膜在与玻璃基板分离过程中，不会带动位于邦定区的铜层，以此解决了当撕除保护膜时导致位于邦定区的铜层翘曲或者断裂的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对本领域技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
为了更完整地理解本申请及其有益效果，下面将结合附图来进行说明。其中，在下面的描述中相同的附图标号表示相同部分。
图1为本申请实施例提供的显示模组的制备方法的流程示意图；
图2为图1所示的制备方法所对应的显示面板的结构示意图；
图3为图1所示的制备方法中去除保护膜之前的流程示意图；
图4为图1所示的制备方法中铜层切割后的俯视图；
图5为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
Mini/Micro LED无缝拼接所需窄边框工艺，其中，背面绑定工艺路线之一是利用PVD成膜的方式在玻璃基板的正面、侧面、背面形成一层1～3微米厚的铜层，利用激光雕刻的工艺，将铜层雕刻成与Bonding Lead相匹配的图案，实现正面与背面导线的连通，进行背面Bonding。然而实际工艺操作中，运用激光切割后，撕除保护膜时容易导致铜层翘曲或者断裂，影响线路正常导通，也影响了产品的良率。
因此，为了解决上述问题，本申请提出了一种显示模组的制备方法和显示面板。下面结合附图和实施方式对本申请作进一步说明。
请参阅图1和图2，图1为本申请实施例提供的显示模组的制备方法的流程示意图，图2为图1所示的制备方法所对应的显示面板的结构示意图。本申请实施例提供一种显示模组的制备方法，应用于显示面板，显示面板包括显示区和邦定区。显示模组的制备方法的具体流程如下：
101、提供玻璃基板，玻璃基板包括对应显示区的第一区域和对应邦定区的第二区域，第一区域设有阵列基板，第二区域设有金属走线。
提供玻璃基板20、阵列基板10和金属走线30。其中，玻璃基板20包括对应显示区的第一区域和对应邦定区的第二区域。阵列基板10设置在第一区域，且阵列基板10与玻璃基板20层叠设置。金属走线30设置在第二区域。金属走线30和阵列基板10间隔设置。
102、分别在阵列基板远离玻璃基板的一侧贴附第一保护膜，在玻璃基板远离阵列基板的一侧贴附第二保护膜。
分别在阵列基板10远离玻璃基板20的一侧和在玻璃基板20远离阵列基板10的一侧贴附保护膜40。保护膜40包括第一保护膜410和第二保护膜420。具体的，在阵列基板10远离玻璃基板20的一侧贴附第一保护膜410，在玻璃基板20远离阵列基板10的一侧贴附第二保护膜420。其中，第一保护膜410和第二保护膜420的材料可以相同也可以不同，具体设计根据实际情况进行设置，在此不作具体的限定。
第一保护膜410的材料可以为PI保护膜或PET保护膜。第二保护膜420的材料可以为PI保护膜或PET保护膜。
保护膜40具有较高的硬度，以使保护膜40不容易被划伤，从而保护了玻璃基板20和阵列基板10，避免在制备显示模组过程中玻璃基板20和阵列基板10被划伤产生碎屑和异物，从而改善现有显示面板中的显示不良和寿命下降的问题。
在一些实施例中，在阵列基板10远离玻璃基板20的一侧贴附第一保护膜410，在玻璃基板20远离阵列基板10的一侧贴附第二保护膜420之后，该制备方法还包括对玻璃基板20远离阵列基板10的一端进行倒角处理。倒角的角度范围为44度至46度，倒角的倒边量的范围为28微米至35微米。通过将玻璃基板20远离阵列基板10的一端进行倒角处理，有利于提高后续镀铜时，玻璃基板20的侧面及倒角处铜膜的膜质和附着力。
103、在阵列基板、第一保护膜和第二保护膜靠近金属走线的一侧设置第一保护胶，第一保护胶包括VU胶和纳米金红石型二氧化钛粉末。
在阵列基板10、第一保护膜410和第二保护膜420靠近金属走线30的一侧设置第一保护胶50，也可以分别在阵列基板10与金属走线30之间和保护膜40与金属走线30之间设置第一保护胶50。
需要说明的是，在一些实施例中，通过针孔喷涂的方式在阵列基板10和保护膜40靠近金属走线30的一侧设置第一保护胶50并固化。
其中，第一保护胶50包括VU胶和纳米金红石型二氧化钛粉末510，其中金红石型二氧化钛粉末510有很好的紫外线屏蔽作用，且不导电。
在一些实施例中，第一保护胶50的宽度范围为30微米至50微米。
需要说明的是，第一保护胶50中二氧化钛粉末510的质量百分比为20％-40％。在一些实施例中，二氧化钛粉末510的质量百分比为30％。
104、在阵列基板、第一保护膜、第二保护膜、第一保护胶和金属走线外侧设置铜层。
利用PVD(Physical Vapor Deposition)溅射成膜的方式在阵列基板10、第一保护膜410、第二保护膜420、第一保护胶50和金属走线30的外侧镀一层铜膜，以形成铜层60。
其中，PVD是物理气相沉积指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。PVD基本方法一般是真空蒸发、溅射和离子镀，其中，离子镀方式包括空心阴极离子镀、热阴极离子镀、电弧离子镀、活性反应离子镀、射频离子镀和直流放电离子镀。
其中，铜层60的厚度范围为1微米至3微米，需要说明的是，铜层60的厚度可以根据实际应用进行调整，在此不作具体的限制。
105、对铜层进行激光切割，以使第一保护膜和第二保护膜分别与位于邦定区的铜层分离。
利用激光切割铜层60，以使第一保护膜410和第二保护膜420分别与位于邦定区的铜层60分离，以使第一保护膜410和玻璃基板20分离和在第二保护膜420与阵列基板10分离过程中，不会带动位于邦定区的铜层60，以此解决了当撕除第一保护膜410和第二保护膜420时导致位于邦定区的铜层60翘曲或者断裂的问题。
示例性的，在铜层60上的目标位置对铜层60进行激光切割，使铜层60在目标位置处形成切口，通过切口以使位于显示区的第一铜层610与位于邦定区的第二铜层620相分离。其中，目标位置在玻璃基板20上的正投影在第一保护胶50内。本申请实施例通过利用激光切割铜层60，因第一保护胶50具有纳米金红石型的二氧化钛粉末510，使得激光不能切割第一保护胶50，以使激光切割至第一保护胶50后截止，这样既能将位于显示区的第一铜层610与位于邦定区的第二铜层620相分离，也不会切割到金属走线30，避免了出现断线的风险。
需要说明的是，切口的宽度小于第一保护胶50的宽度，通过设置第一保护胶50的宽度大于切口的宽度，可以能有效避免激光切断金属走线30。示例性的，在一些实施例中，切口的宽度可以为5μm。
106、将第二保护膜与玻璃基板分离，将第一保护膜和阵列基板分离。
将贴附在玻璃基板20上的第二保护膜420去除，并将贴附在阵列基板10上的第一保护膜410去除，以使第二保护膜420与玻璃基板20分离，将第一保护膜410和阵列基板10分离。
可以理解的是，在去除第一保护膜410和第二保护膜420的过程中，设置在第一保护膜410和第二保护膜420上的第一铜层610随着第一保护膜410和第二保护膜420一起去除。需要说明的是，在将第一保护膜410和第二保护膜420分别与阵列基板10和玻璃基板20分离之前，该制备方法包括以下步骤，具体的流程示意图可见图3，图3为图1所示的制备方法中去除保护膜之前的流程示意图。具体流程如下：
201、运用激光对位于邦定区的第二铜层进行雕刻，以使第二铜层的图案与金属走线相适配。
运用飞秒激光方式对位于邦定区的第二铜层620进行雕刻，以使第二铜层620的图案与金属走线30相适配，示例性的，使第二铜层620的图案与邦定区的金属走线30一一对应。具体的结构可见图4，图4为图1所示的制备方法中铜层切割后的俯视图。
202、在第一保护胶、第二铜层和金属走线上设置第二保护胶，第二保护胶用于防止第二铜层氧化。
在第一保护胶50、第二铜层620和金属走线30上涂布第二保护胶70并固化，第二保护胶70用于防止第二铜层620氧化。
需要说明的是，第二保护胶70的材料和第一保护胶50的材料可以相同也可以不相同。第二保护胶70的材料的具体设计根据实际情况进行设置，在此不作具体的限制。
请继续参阅图5，图5为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。本申请实施例还提供一种显示面板，显示面板包括显示区和邦定区，显示面板还包括：玻璃基板20、阵列基板10、金属走线30、保护胶和铜层60。其中，玻璃基板20包括对应显示区的第一区域和对应邦定区的第二区域，阵列基板10设置于第一区域，金属走线30设置于第二区域。
保护胶设置于阵列基板10靠近金属走线30的一侧，保护胶包括VU胶和二氧化钛粉末510。第一保护胶50的宽度范围为30微米至50微米。需要说明的是，第一保护胶50中二氧化钛粉末510的质量百分比为20％-40％。示例性的，二氧化钛粉末510的质量百分比为30％。
铜层60设置于邦定区，且设置于金属走线30和保护胶的外侧。铜层60的厚度范围为1微米至3微米，需要说明的是，铜层60的厚度可以根据实际应用进行调整，在此不作具体的限制。
在一些实施例中，玻璃基板20远离阵列基板10的一端设置有倒角，倒角的角度范围为44度至46度，倒角的倒边量的范围为28微米至35微米。
在一些实施例中，显示面板还包括第二保护胶70，第二保护胶70设置在第一保护胶50、第二铜层620和金属走线30上，第二保护胶70用于防止第二铜层620氧化。
需要说明的是，第二保护胶70的材料和第一保护胶50的材料可以相同也可以不相同。第二保护胶70的材料的具体设计根据实际情况进行设置，在此不作具体的限制。
以上对本申请实施例提供的一种显示模组的制备方法和显示面板进行了详细介绍。本文中应用了具体条例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示模组的制备方法，应用于显示面板，所述显示面板包括显示区和邦定区，其特征在于，所述制备方法包括:
提供玻璃基板，所述玻璃基板包括对应所述显示区的第一区域和对应所述邦定区的第二区域，所述第一区域设有阵列基板，所述第二区域设有金属走线；
分别在所述阵列基板远离所述玻璃基板的一侧贴附第一保护膜，在所述玻璃基板远离所述阵列基板的一侧贴附第二保护膜；
在所述阵列基板、所述第一保护膜和所述第二保护膜靠近所述金属走线的一侧设置第一保护胶，所述第一保护胶与所述金属走线间隔设置，所述第一保护胶包括VU胶和纳米金红石型二氧化钛粉末；
在所述阵列基板、所述第一保护膜、所述第二保护膜、所述第一保护胶和所述金属走线外侧设置铜层；
对所述铜层进行激光切割，以使所述第一保护膜和所述第二保护膜分别与位于所述邦定区的第二铜层分离，位于所述第一保护胶与所述金属走线之间的所述第二铜层的厚度大于位于所述金属走线上方的所述第二铜层的厚度；
将所述第二保护膜与所述玻璃基板分离，将所述第一保护膜和所述阵列基板分离。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述铜层进行激光切割，以使所述第一保护膜和所述第二保护膜分别与位于所述邦定区的第二铜层分离，位于所述第一保护胶与所述金属走线之间的所述第二铜层的厚度大于位于所述金属走线上方的所述第二铜层的厚度，包括：
在所述铜层上的目标位置对所述铜层进行激光切割，使所述铜层在所述目标位置处形成切口，通过所述切口以使位于所述显示区的第一铜层与位于所述邦定区的所述第二铜层相分离，其中，所述目标位置在所述玻璃基板上的正投影在所述第一保护胶内。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一保护胶的宽度范围为30微米至50微米，所述切口的宽度小于所述第一保护胶的宽度。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述将所述第二保护膜与所述玻璃基板分离，将所述第一保护膜和所述阵列基板分离之前，所述制备方法还包括：
运用激光对位于所述邦定区的第二铜层进行雕刻，以使所述第二铜层的图案与所述金属走线相适配。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述运用激光对位于所述邦定区的第二铜层进行雕刻之后，所述制备方法还包括：
在所述第一保护胶、所述第二铜层和所述金属走线上设置第二保护胶，所述第二保护胶用于防止所述第二铜层氧化。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述阵列基板、所述第一保护膜、所述第二保护膜、所述第一保护胶和所述金属走线外侧设置铜层之前，所述制备方法还包括：
对所述玻璃基板远离所述阵列基板的一端进行倒角处理，所述倒角的角度范围为44度至46度，所述倒角的倒边量的范围为28微米至35微米。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一保护胶中所述二氧化钛粉末的质量百分比为20％-40％。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铜层的厚度范围为1微米至3微米。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区和邦定区，所述显示面板还包括：
玻璃基板，所述玻璃基板包括对应所述显示区的第一区域和对应所述邦定区的第二区域；
阵列基板，所述阵列基板设置于所述第一区域；
金属走线，所述金属走线设置于所述第二区域；
第一保护胶，所述第一保护胶设置于所述阵列基板靠近所述金属走线的一侧，且所述第一保护胶与所述金属走线间隔设置，所述第一保护胶包括VU胶和纳米金红石型二氧化钛粉末；
铜层，所述铜层设置于所述邦定区，且设置于所述金属走线和所述保护胶的外侧，位于所述第一保护胶与所述金属走线之间的所述铜层的厚度大于位于所述金属走线上方的所述铜层的厚度。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述玻璃基板远离所述阵列基板的一端设置有倒角，所述倒角的角度范围为44度至46度，所述倒角的倒边量的范围为28微米至35微米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111466120.7A CN114188469B (zh) | 2021-12-03 | 2021-12-03 | 显示模组的制备方法和显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111466120.7A CN114188469B (zh) | 2021-12-03 | 2021-12-03 | 显示模组的制备方法和显示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114188469A CN114188469A (zh) | 2022-03-15 |
| CN114188469B true CN114188469B (zh) | 2023-12-29 |
Family
ID=80542089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111466120.7A Active CN114188469B (zh) | 2021-12-03 | 2021-12-03 | 显示模组的制备方法和显示面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114188469B (zh) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238760A (ja) * | 2009-07-16 | 2009-10-15 | Casio Comput Co Ltd | 表示パネル |
| CN107346638A (zh) * | 2016-05-04 | 2017-11-14 | 三星显示有限公司 | 窗构件和包括该窗构件的显示设备 |
| CN108847133A (zh) * | 2018-06-07 | 2018-11-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示模组、电子装置 |
| CN109599427A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-04-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的制备方法、显示面板及显示装置 |
| CN112103377A (zh) * | 2019-06-18 | 2020-12-18 | 斯坦雷电气株式会社 | 发光装置 |
| CN112309270A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-02-02 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种显示模组及制备方法 |
| CN112599570A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-04-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN112599536A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-04-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、拼接显示面板 |
| CN113629067A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-11-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其侧面绑定方法 |
| CN113658911A (zh) * | 2021-09-13 | 2021-11-16 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板的制备方法和显示面板 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4945893B2 (ja) * | 2004-11-11 | 2012-06-06 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成用基板 |
| JP2012151191A (ja) * | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Ibiden Co Ltd | Ｌｅｄ用配線基板、発光モジュール、ｌｅｄ用配線基板の製造方法、及び発光モジュールの製造方法 |
-
2021
- 2021-12-03 CN CN202111466120.7A patent/CN114188469B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238760A (ja) * | 2009-07-16 | 2009-10-15 | Casio Comput Co Ltd | 表示パネル |
| CN107346638A (zh) * | 2016-05-04 | 2017-11-14 | 三星显示有限公司 | 窗构件和包括该窗构件的显示设备 |
| CN108847133A (zh) * | 2018-06-07 | 2018-11-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示模组、电子装置 |
| CN109599427A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-04-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的制备方法、显示面板及显示装置 |
| CN112103377A (zh) * | 2019-06-18 | 2020-12-18 | 斯坦雷电气株式会社 | 发光装置 |
| CN112309270A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-02-02 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种显示模组及制备方法 |
| CN112599570A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-04-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN112599536A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-04-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、拼接显示面板 |
| CN113629067A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-11-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其侧面绑定方法 |
| CN113658911A (zh) * | 2021-09-13 | 2021-11-16 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板的制备方法和显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114188469A (zh) | 2022-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1491309B1 (en) | Parting method for fragile material substrate and parting device using the method | |
| US20160343996A1 (en) | Mask, method of manufacturing a mask and method of manufacturing an oled panel | |
| JP6113299B2 (ja) | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 | |
| US10384417B2 (en) | Deposition mask and manufacturing method | |
| JP2005144858A (ja) | 透明導電性フィルムの製造方法 | |
| JP2004359502A (ja) | 脆性材料基板のスクライブ方法及びその装置 | |
| CN114188469B (zh) | 显示模组的制备方法和显示面板 | |
| CA2306636C (en) | Improvements in or relating to liquid crystal displays | |
| JP2022512609A (ja) | 埋込サイド電極を備えたディスプレイを形成するためのシステムおよび方法 | |
| JPWO2006129752A1 (ja) | フィルム切断剥離用刃物およびフィルム切断剥離装置 | |
| JP2011187718A (ja) | フレキシブルプリント配線板及びその製造方法 | |
| CN114171653B (zh) | 显示模组的制备方法和显示面板 | |
| US11081368B2 (en) | Method of dicing wiring substrate, and packaging substrate | |
| JP2008225398A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JP2000258745A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| TWI762618B (zh) | 導電性基板 | |
| CN113490761A (zh) | 蒸镀掩模 | |
| US20080187720A1 (en) | Wave-shaped coating structure | |
| JP2010287590A (ja) | 電磁波遮蔽材及びそのアース取り出し構造 | |
| CN1442737A (zh) | 液晶显示装置的制造方法 | |
| JP6155420B2 (ja) | 薄膜キャパシタシートの製造方法 | |
| CN117539091A (zh) | 一种lcos芯片的制作方法 | |
| JP2002350817A (ja) | 液晶表示素子の製造方法および製造装置 | |
| CN114284235A (zh) | 一种应用于制备显示装置的基板及显示装置的制备方法 | |
| JP2022031149A (ja) | 表示モジュール、表示パネル及び当該表示パネルの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |