CN114188467B - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114188467B CN114188467B CN202111454210.4A CN202111454210A CN114188467B CN 114188467 B CN114188467 B CN 114188467B CN 202111454210 A CN202111454210 A CN 202111454210A CN 114188467 B CN114188467 B CN 114188467B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- conductive layer
- splice
- display device
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 81
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 22
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 176
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 6
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Abstract
本申请公开了一种显示装置，包括：至少两个子显示面板以及拼接件；所述拼接件设于相邻两个所述子显示面板之间，所述拼接件包括屏蔽层，所述屏蔽层用于屏蔽相邻两个所述子显示面板间的干扰信号。本申请提供的显示装置通过设置拼接件，可以解决子显示面板之间的缝隙过大影响显示品质的问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示装置。
背景技术
Mini LED和Micro LED是目前显示行业重点发展的一种新型显示技术。其具有反应快、高色域、高PPI、低能耗等优势；且Mini-LED和Micro-LED具有高对比度、高显色性能等可与有机发光二极管显示器相媲美的特点，成本稍高于液晶显示器，但仅为有机发光二极管显示器的六成左右，所以Mini LED和Micro LED成为各大面板厂商布局热点。
Mini LED和Micro LED由于功耗的问题，尺寸无法做大，为了实现大屏化，MiniLED和Micro LED都需要使用拼接技术，即用多块小尺寸的显示面板进行拼装以形成大尺寸显示面板。传统的拼接显示面板进行拼接的位置也即绑定区设置在电极接出或导入处，且由于柔性电路板等设计的影响，使得绑定区需求距离比较大，而拼接显示面板之间的缝隙过大会影响显示品质。
发明内容
本申请实施例提供一种显示装置，通过设置拼接件，以将绑定区设置在子显示面板的侧表面上，可以解决子显示面板之间的缝隙过大影响显示品质的问题。
本申请实施例提供一种显示装置，包括：至少两个子显示面板和拼接件；所述拼接件设于相邻两个所述子显示面板之间，所述拼接件包括屏蔽层，所述屏蔽层用于屏蔽相邻两个所述子显示面板间的干扰信号。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述拼接件还包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层分别与相邻两个所述子显示面板电性连接，所述屏蔽层设于所述第一导电层和所述第二导电层之间。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述拼接件还包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层设于所述第一导电层与所述屏蔽层之间，所述第二绝缘层设于所述第二导电层与所述屏蔽层之间。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述拼接件还包括至少两个第一绑定端，至少两个所述第一绑定端分别与所述第一导电层和所述第二导电层电性连接。
可选地，在本申请的一些实施例中，至少两个所述第一绑定端分别设置于所述拼接件的两侧。
可选地，在本申请的一些实施例中，至少两个所述第一绑定端均设置于所述拼接件的一侧。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述显示装置还包括连接器和多条连接走线，所述连接器上设有多个第二绑定端，所述第二绑定端通过所述连接走线与所述第一绑定端一一对应连接。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述显示装置还包括驱动芯片40，所述驱动芯片40设于所述拼接件上。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述子显示面板上设有第一封装层，所述拼接件的一端设置有对应的第二封装层，所述第一封装层与所述第二封装层粘合。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述屏蔽层包括电磁吸收材料。
本申请实施例提供了一种显示装置，包括：至少两个子显示面板以及拼接件；所述拼接件设于相邻两个所述子显示面板之间，所述拼接件包括屏蔽层，所述屏蔽层用于屏蔽相邻两个所述子显示面板间的干扰信号。本申请提供的显示装置通过设置拼接件，以将绑定区设置于子显示面板的侧表面上，有利于降低显示装置绑定区的宽度进而实现显示装置的窄边框设计，可以解决子显示面板之间的缝隙过大影响显示品质的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的第一种显示装置的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的拼接件的布局示意图之一；
图3是本申请实施例提供的拼接件的布局示意图之二；
图4是图1所示的显示装置中拼接件连接方式的示意图；
图5是本申请实施例提供的第二种显示装置的结构示意图。
其中：
100/200、显示装置，10、子显示面板/第一基板，11、衬底基板，12、显示单元，13、第一封装层，14、信号线，20、拼接件，21、屏蔽层，22、第一导电层，221、导电条，23、第二导电层，24、第一绝缘层，25、第二绝缘层，26、第一保护层，27、第二保护层，28、第二封装层，30、第一绑定端子，40、驱动芯片40，50、连接器，51、第二绑定端子，60、连接走线。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供一种显示装置，通过设置拼接件，以将绑定区设置在子显示面板的侧表面上，可以解决子显示面板之间的缝隙过大影响显示品质的问题。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。术语“第一”、“第二”、“第三”等仅仅作为标示使用，其用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
请参阅图1至图5，图1是本申请实施例提供的第一种显示装置的结构示意图；如图1所示，本申请实施例提供一种显示装置100，包括：至少两个子显示面板10和拼接件20；拼接件20设于相邻两个子显示面板10之间，拼接件20包括屏蔽层21，屏蔽层21用于屏蔽相邻两个子显示面板10间的干扰信号。
在本申请实施例中，子显示面板10包括第一基板10和第二基板(图中未示出)。其中，第一基板10包括衬底基板11，该衬底基板11具有显示区和非显示区，显示区设置有多个显示单元12，拼接件20设置于衬底基板11的侧表面处的绑定区。由于拼接件20设置在衬底基板11的侧表面，因而不需要在衬底基板11上的非显示区进行绑定操作，因而可以减小基板的边框区域也即衬底基板11的非显示区的宽度，以便于实现子显示面板10的窄边框设计。其中，第一基板10和第二基板可以是柔性基板或硬质基板，可以为玻璃基板或塑料基板；显示单元12可以为Mini LED或/和Micro LED。
需要说明的是，多个子显示面板10的结构均相同，拼接件20的屏蔽层21两侧的结构和制备材料均相同。
在本申请实施例中，对第一基板10和第二基板的类型不做限制。例如，第一基板10和第二基板中的一方可以为阵列基板，另一方可以为彩膜基板；或者，第一基板10和第二基板中的一方可以为阵列基板，另一方可以为封装盖板。
请参阅图2和图3，图2是本申请实施例提供的拼接件20的布局示意图之一，图3是本申请实施例提供的拼接件20的布局示意图之二，如图2所示，拼接件20的宽度与子显示面板10的侧边宽度不同，其中子显示面板10的宽度大于拼接件20的宽度，子显示面板10的侧边可以设置一个或多个拼接件20。如图3所示，拼接件20的宽度与子显示面板10的宽度基本相同，子显示面板10的侧边仅可设置一个拼接件20。本申请实施例对拼接件20的宽度不做限制，可以与第一基板10的侧边同宽，也可以仅为第一基板10的侧边的几分之一宽。对应的，在第一基板10侧表面上设置的绑定区的数量也即拼接件20的数量不做限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。
在本申请实施例中，拼接件20均设置在衬底基板11侧表面的绑定区，绑定区至少设置有两个。具体地，多个绑定区可以设置在衬底基板11的同一个侧表面处，也可以设置在衬底基板11的不同侧表面上，拼接件20的设置数量和设置位置可以根据第一基板10中的布线情况进行设置。
在本申请实施例中，拼接件20可以通过异方性导电胶绑定在子显示面板10的侧面，也可以通过分子间的范德瓦尔斯力直接压合于子显示面板10的侧面。
在本申请实施例中，衬底基板11上设置有信号线14。信号线14可以为扫描线、数据线、公共电极线、电源线、信号控制线、接地线以及复位线等中的一种或其组合。本申请实施例对信号线14的类型不做限制。具体地，信号线14可以延伸至衬底基板11的边缘，有利于使得拼接件20与信号线14电性连接。
在本申请实施例中，对衬底基板11的非显示区的宽度不做限制，在满足信号线14可以延伸至衬底基板11的边缘处的情况下，可以尽量缩小非显示区域的宽度。
在本申请实施例中，拼接件20还包括第一导电层22和第二导电层23，第一导电层22和第二导电层23分别与相邻两个子显示面板10电性连接，屏蔽层21设于第一导电层22和第二导电层23之间。具体地，第一导电层22和第二导电层23起到电路转接的作用，使得信号线14可以与拼接件20实现电性连接。
请参阅图4，图4是图1所示的显示装置中拼接件20连接方式的示意图，如图4所示，第一导电层22和第二导电层23包括彼此间隔的导电条221，导电条221与衬底基板11上的信号线14一一对应连接。导电条221的制备材料可以为掺杂有导电粒子，例如金、银、铜、铝、锌、铁、镍的粉末、石墨和一些导电化合物等中的一种或组合的可固化材料，例如树脂。具体地，第一导电层22和第二导电层23可以为银胶层，也即掺杂有银颗粒的光固化材料。进一步地，可以通过转印技术等将银胶层材料形成在拼接件20表面后，通过紫外线(UV光)或者激光灯照射处理，银胶层材料固化后形成包括多个导电条221的第一导电层22和第二导电层23，本申请实施例对第一导电层22和第二导电层23的制备材料以及形成方式不做限制。
在本申请实施例中，屏蔽层21包括电磁吸收材料。具体地，屏蔽层21用于避免相邻两个子显示面板10之间出现的高频信号干扰的问题。该电磁吸收材料包括导电材料和绝缘材料，不会使低频信号的电磁波衰减，但能够使比较高频率的信号的电磁波衰减。
在本申请实施例中，拼接件20还包括第一绝缘层24和第二绝缘层25，第一绝缘层24设于第一导电层22与屏蔽层21之间，第二绝缘层25设于第二导电层23与屏蔽层21之间。第一绝缘层24和第二绝缘层25用于绝缘隔离，拼接件20通过屏蔽层21与第一绝缘层24和第二绝缘层25配合，以解决第一导电层22和第二导电层23间电磁信号干扰问题，有利于提高拼接件20的使用性能。其中，第一绝缘层24和第二绝缘层25的制备材料可以包括绝缘的基质材料，还可以包括胶质材料，方便粘结。
在本申请实施例中，拼接件20还可以包括第一保护层26和第二保护层27，第一保护层26设于第一导电层22远离屏蔽层21的一侧，第二保护层27设于第二导电层23远离屏蔽层21的一侧。设置第一保护层26和第二保护层27的制备材料包括塑料、氮化硅、氧化硅等有机不导电材料，起到保护拼接件20中的第一导电层22和第二导电层23，防刮伤的作用，有利于提升产品的使用性能，保证信号传输的稳定性。
在本申请实施例中，子显示面板10上设有第一封装层13，拼接件20的一端设置有对应的第二封装层28，第一封装层13与第二封装层28粘合。具体地，第一封装层13和第二封装层28的材料相同，高度相同，以使第一封装层13和第二封装层28更好的粘合，且粘合后远离衬底基板11的上表面齐平。其中，第一封装层13和第二封装层28的材料均可以为亚克力胶。
在本申请实施例中，显示装置还包括驱动芯片40，驱动芯片40设于拼接件20上。具体地，驱动芯片40与第一导电层22，和/或第二导电层23电性连接，并通过第一导电层22，和/或第二导电层23与衬底基板11上的信号线14电性连接。将驱动芯片40设置于拼接件20上有利于减少显示装置中驱动板的数量或者减小驱动板的面积，以节约成本；同时，将驱动芯片40设置于拼接件20上有利于提高信号传输的准确性和稳定性，进而提升显示效果。
在本申请实施例中，拼接件20还包括至少两个第一绑定端子30，至少两个第一绑定端子30分别与第一导电层22和第二导电层23电性连接。
在本申请实施例中，至少两个第一绑定端子30分别设置于拼接件20的两侧。其中一个第一绑定端子30与第一导电层22电性连接，显示装置提供的信号源通过拼接件20一侧的第一绑定端子30传输至拼接件20的第一导电层22，通过第一导电层22传输至子显示面板10的信号线14，对应的，通过拼接件20另一侧的第一绑定端子30传输至拼接件20的第二导电层23，通过第二导电层23传输至另一个子显示面板10的信号线14。
在本申请实施例中，显示装置还包括连接器50和多条连接走线60，连接器50上设有多个第二绑定端子51，第二绑定端子51通过连接走线60与第一绑定端子30一一对应连接。连接器50用于接收和发送显示装置信号源。
本申请实施例提供的显示装置通过设置拼接件20，以将绑定区设置于子显示面板10的侧表面上，有利于降低显示装置绑定区的宽度进而实现显示装置的窄边框设计，解决了子显示面板10之间的缝隙过大影响显示品质的问题。
作为本申请的一个具体实施方式，请参阅图5，图5是本申请实施例提供的第二种显示装置的结构示意图；如图5所示，本申请实施例提供显示装置200，显示装置200与显示装置100的区别在于：至少两个第一绑定端子30均设置于拼接件20的一侧。图5中以两个第一绑定端子30作为示意。
在本申请实施例中，显示装置200还包括：至少两个子显示面板10和拼接件20；拼接件20设于相邻两个子显示面板10之间，拼接件20包括屏蔽层21，屏蔽层21用于屏蔽相邻两个子显示面板10间的干扰信号。需要说明的是，子显示面板10的结构均相同，拼接件20的屏蔽层21两侧的结构和制备材料均相同。
在本申请实施例中，子显示面板10包括第一基板10和第二基板(图中未示出)。其中，第一基板10包括衬底基板11，该衬底基板11具有显示区和非显示区，显示区设置有多个显示单元12，拼接件20设置于衬底基板11的侧表面处的绑定区。由于拼接件20设置在衬底基板11的侧表面，因而不需要在衬底基板11上的非显示区进行绑定操作，因而可以减小基板的边框区域也即衬底基板11的非显示区的宽度，以便于实现子显示面板10的窄边框设计。其中，第一基板10和第二基板可以是柔性基板或硬质基板，也可以为玻璃基板或塑料基板；显示单元12可以为Mini LED或/和Micro LED。
如图2所示，拼接件20的宽度与子显示面板10的侧边宽度不同，其中子显示面板10的宽度大于拼接件20的宽度，子显示面板10的侧边可以设置一个或多个拼接件20。如图3所示，拼接件20的宽度与子显示面板10的宽度基本相同，子显示面板10的侧边仅可设置一个拼接件20。本申请实施例对拼接件20的宽度不做限制，可以与第一基板10的侧边同宽，也可以仅为第一基板10的侧边的几分之一宽。对应的，在第一基板10侧表面上设置的绑定区的数量也即拼接件20的数量不做限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。
在本申请实施例中，拼接件20均设置在衬底基板11侧表面的绑定区，绑定区至少设置有两个。具体地，多个绑定区可以设置在衬底基板11的同一个侧表面处，也可以设置在衬底基板11的不同侧表面上，拼接件20的设置数量和设置位置可以根据第一基板10中的布线情况进行设置。
在本申请实施例中，拼接件20可以通过异方性导电胶绑定在子显示面板10的侧面，也可以通过分子间的范德瓦尔斯力直接压合于子显示面板10的侧面。
在本申请实施例中，衬底基板11上设置有信号线14。信号线14可以为扫描线、数据线、公共电极线、电源线、信号控制线、接地线以及复位线等中的一种或其组合。本申请实施例对信号线14的类型不做限制。具体地，信号线14可以延伸至衬底基板11的边缘，有利于使得拼接件20与信号线14电性连接。
在本申请实施例中，对衬底基板11的非显示区的宽度不做限制，在满足信号线14可以延伸至衬底基板11的边缘处的情况下，可以尽量缩小非显示区域的宽度。
在本申请实施例中，拼接件20还包括第一导电层22和第二导电层23，第一导电层22和第二导电层23分别与相邻两个子显示面板10电性连接，屏蔽层21设于第一导电层22和第二导电层23之间。具体地，第一导电层22和第二导电层23起到电路转接的作用，使得信号线14可以与拼接件20实现电性连接。
在本申请实施例中，第一导电层22和第二导电层23包括彼此间隔的导电条221，导电条221与衬底基板11上的信号线14一一对应连接。导电条221的制备材料可以为掺杂有导电粒子，例如金、银、铜、铝、锌、铁、镍的粉末、石墨和一些导电化合物等中的一种或组合的可固化材料，例如树脂。具体地，第一导电层22和第二导电层23可以为银胶层，也即掺杂有银颗粒的光固化材料。进一步地，可以通过转印技术等将银胶层材料形成在拼接件20表面后，通过紫外线(UV光)或者激光灯照射处理，银胶层材料固化后形成包括多个导电条221的第一导电层22和第二导电层23，本申请实施例对第一导电层22和第二导电层23的制备材料以及形成方式不做限制。
在本申请实施例中，屏蔽层21包括电磁吸收材料。具体地，屏蔽层21用于避免相邻两个子显示面板10之间出现的高频信号干扰的问题。该电磁吸收材料包括导电材料和绝缘材料，不会使低频信号的电磁波衰减，但能够使比较高频率的信号的电磁波衰减。
在本申请实施例中，拼接件20还包括第一绝缘层24和第二绝缘层25，第一绝缘层24设于第一导电层22与屏蔽层21之间，第二绝缘层25设于第二导电层23与屏蔽层21之间。第一绝缘层24和第二绝缘层25用于绝缘隔离，拼接件20通过屏蔽层21与第一绝缘层24和第二绝缘层25配合，以解决第一导电层22和第二导电层23间电磁信号干扰问题，有利于提高拼接件20的使用性能。其中，第一绝缘层24和第二绝缘层25的制备材料可以包括绝缘的基质材料，还可以包括胶质材料，方便粘结。
在本申请实施例中，拼接件20还可以包括第一保护层26和第二保护层27，第一保护层26设于第一导电层22远离屏蔽层21的一侧，第二保护层27设于第二导电层23远离屏蔽层21的一侧。设置第一保护层26和第二保护层27的制备材料包括塑料、氮化硅、氧化硅等有机不导电材料，起到保护拼接件20中的第一导电层22和第二导电层23，防刮伤的作用，有利于提升产品的使用性能，保证信号传输的稳定性。
在本申请实施例中，子显示面板10上设有第一封装层13，拼接件20的一端设置有对应的第二封装层28，第一封装层13与第二封装层28粘合。具体地，第一封装层13和第二封装层28的材料相同，高度相同，以使第一封装层13和第二封装层28更好的粘合，且粘合后远离衬底基板11的上表面齐平。其中，第一封装层13和第二封装层28的材料均可以为亚克力胶。
在本申请实施例中，显示装置还包括驱动芯片40，驱动芯片40设于拼接件20上。具体地，驱动芯片40与第一导电层22，和/或第二导电层23电性连接，并通过第一导电层22，和/或第二导电层23与衬底基板11上的信号线14电性连接。将驱动芯片40设置于拼接件20上有利于减少显示装置中驱动板的数量或者减小驱动板的面积，以节约成本；同时，将驱动芯片40设置于拼接件20上有利于提高信号传输的准确性和稳定性，进而提升显示效果。
在本申请实施例中，对第一基板10和第二基板的类型不做限制。例如，第一基板10和第二基板中的一方可以为阵列基板，另一方可以为彩膜基板；或者，第一基板10和第二基板中的一方可以为阵列基板，另一方可以为封装盖板。
在本申请实施例中，拼接件20还包括至少两个第一绑定端子30，至少两个第一绑定端子30分别与第一导电层22和第二导电层23电性连接。
在本申请实施例中，图5以两个第一绑定端子30为示意，两个第一绑定端子30均设置于拼接件20的一侧。其中，屏蔽层21、第一绝缘层24以及第一导电层22均分别包括向第二导电层23延伸的垂直于第二导电层23的延伸段，以使得两个第一绑定端子30位于拼接件20的同一侧，将第一绑定端子30设置于拼接件20的同一侧有利于连接走线60的排布，减少连接走线60的传输距离，提高信号传输的稳定性和准确性，也方便拼接件20的制作，减少制作工序。
在本申请实施例中，一个第一绑定端子30与第一导电层22电性连接，显示装置提供的信号源通过位于拼接件20同一侧的第一绑定端子30传输至拼接件20的第一导电层22，通过第一导电层22传输至子显示面板10的信号线14，对应的，通过拼接件20同一侧的另一个第一绑定端子30传输至拼接件20的第二导电层23，通过第二导电层23传输至另一个子显示面板10的信号线14。
在本申请实施例中，显示装置还包括连接器50和多条连接走线60，连接器50上设有多个第二绑定端子51，第二绑定端子51通过连接走线60与第一绑定端子30一一对应连接。连接器50用于接收和发送显示装置信号源。
本申请提供的显示装置通过设置拼接件20，以将绑定区设置于子显示面板10的侧表面上，有利于降低显示装置绑定区的宽度进而实现显示装置的窄边框设计，解决了子显示面板10之间的缝隙过大影响显示品质的问题。
以上对本申请实施例所提供的一种装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (9)
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
至少两个子显示面板，任一所述子显示面板包括衬底基板，所述衬底基板上设置有信号线，所述信号线延伸至所述子显示面板的边缘；
拼接件，所述拼接件设于相邻两个所述子显示面板之间且设置于所述衬底基板的侧表面处的绑定区，所述拼接件包括屏蔽层、第一导电层以及第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层分别与相邻两个所述子显示面板中的所述信号线电性连接，所述屏蔽层设于所述第一导电层和所述第二导电层之间，所述屏蔽层用于屏蔽相邻两个所述子显示面板间的干扰信号。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述拼接件还包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层设于所述第一导电层与所述屏蔽层之间，所述第二绝缘层设于所述第二导电层与所述屏蔽层之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述拼接件还包括至少两个第一绑定端，至少两个所述第一绑定端分别与所述第一导电层和所述第二导电层电性连接。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，至少两个所述第一绑定端分别设置于所述拼接件的两侧。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，至少两个所述第一绑定端均设置于所述拼接件的一侧。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括连接器和多条连接走线，所述连接器上设有多个第二绑定端，所述第二绑定端通过所述连接走线与所述第一绑定端一一对应连接。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括驱动芯片，所述驱动芯片设于所述拼接件上。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述子显示面板上设有第一封装层，所述拼接件的一端设置有对应的第二封装层，所述第一封装层与所述第二封装层粘合。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述屏蔽层包括电磁吸收材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111454210.4A CN114188467B (zh) | 2021-12-01 | 2021-12-01 | 显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111454210.4A CN114188467B (zh) | 2021-12-01 | 2021-12-01 | 显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114188467A CN114188467A (zh) | 2022-03-15 |
| CN114188467B true CN114188467B (zh) | 2024-01-09 |
Family
ID=80541917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111454210.4A Active CN114188467B (zh) | 2021-12-01 | 2021-12-01 | 显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114188467B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114842758A (zh) * | 2022-04-19 | 2022-08-02 | Tcl华星光电技术有限公司 | 拼接显示面板的制作方法及拼接显示面板 |
| CN117581153A (zh) * | 2022-06-02 | 2024-02-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置，显示设备和显示装置用复合胶带 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102237014A (zh) * | 2010-04-26 | 2011-11-09 | Lg电子株式会社 | 多显示器设备 |
| CN109426018A (zh) * | 2017-08-22 | 2019-03-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其制造方法、显示面板、拼接屏 |
| CN111200914A (zh) * | 2018-11-20 | 2020-05-26 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置及具有该电子装置的拼接电子系统 |
| CN111403447A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-07-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板、其制备方法以及显示装置 |
-
2021
- 2021-12-01 CN CN202111454210.4A patent/CN114188467B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102237014A (zh) * | 2010-04-26 | 2011-11-09 | Lg电子株式会社 | 多显示器设备 |
| CN109426018A (zh) * | 2017-08-22 | 2019-03-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其制造方法、显示面板、拼接屏 |
| CN111200914A (zh) * | 2018-11-20 | 2020-05-26 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置及具有该电子装置的拼接电子系统 |
| CN111403447A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-07-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板、其制备方法以及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114188467A (zh) | 2022-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN114188467B (zh) | 显示装置 | |
| CN110579917B (zh) | 显示模组及显示装置 | |
| US6693384B1 (en) | Interconnect structure for electronic devices | |
| TWI329757B (en) | Flat display panel and assembly process thereof | |
| CN101435939B (zh) | 液晶显示装置 | |
| CN110416264B (zh) | 显示装置的绑定方法及显示装置 | |
| CN205581451U (zh) | 显示装置 | |
| CN207008252U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN107422553A (zh) | 一种阵列基板及显示面板 | |
| CN113946077B (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
| CN203365865U (zh) | 一种阵列基板、覆晶薄膜和显示装置 | |
| JP2006163408A (ja) | 両面ディスプレイおよびその製造方法 | |
| CN109509776A (zh) | 一种oled显示器 | |
| CN101252105A (zh) | 电路板结构、覆晶电路和驱动电路的布线结构 | |
| WO2022233071A1 (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN105572985A (zh) | 一种cof基板、以及与该cof基板连接的液晶显示面板 | |
| US10191313B2 (en) | Liquid crystal panel and thin film transistor array substrate thereof | |
| TW491957B (en) | Mounting structure of multiple chips, electro-optic device, and electronic equipment | |
| CN112992879A (zh) | 阵列基板、背光模组及显示面板 | |
| CN201259597Y (zh) | 可挠式显示面板 | |
| CN207281421U (zh) | 显示面板及电子设备 | |
| CN107283989B (zh) | 压合装置及在显示面板上压合胶体的方法 | |
| CN105549284A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| KR101707323B1 (ko) | 고분자 분산형 액정표시장치의 전원공급단자 및 그 제조방법 | |
| US10663782B2 (en) | Liquid crystal panel and thin film transistor array substrate thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |