CN114188462A - 显示装置及其制备方法 - Google Patents

显示装置及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114188462A
CN114188462A CN202111473838.9A CN202111473838A CN114188462A CN 114188462 A CN114188462 A CN 114188462A CN 202111473838 A CN202111473838 A CN 202111473838A CN 114188462 A CN114188462 A CN 114188462A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
substrate
display device
inclined plane
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111473838.9A
Other languages
English (en)
Inventor
胡小波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202111473838.9A priority Critical patent/CN114188462A/zh
Publication of CN114188462A publication Critical patent/CN114188462A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/385—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations

Abstract

本申请公开了一种显示装置及其制备方法，所述显示装置包括：基板；邦定结构，设于所述基板一侧的表面；封装层，设于所述基板的一侧，且覆盖住所述邦定结构；其中，所述邦定结构包括：邦定层，其具有第一斜面；发光层，其具有第二斜面，所述第一斜面与所述第二斜面相对设置，且相互邦定连接。本申请的技术效果在于，双面发光的发光芯片的电极设置在斜面处实现与邦定层的电连接，不影响其上下双面出光，实现双面显示，降低成本且降低显示装置的屏幕厚度。

Description

显示装置及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示装置及其制备方法。
背景技术
Mini-LED发展成未来显示技术的热点之一，和目前的LCD以及OLED显示器件相比，具有反应快、高色域、低能耗等优势，但同时其具有技术难点多且技术复杂等问题。
Mini-LED显示应用于商业显示领域，部分场景需求双面显示，人们不仅可以从显示屏的正面观看显示的内容，还可以从显示屏的背面观看显示的内容，目前的常规的方案是将两个mini-LED屏幕贴合在一起，但此方案成本高，屏幕也笨重。
发明内容
本申请的目的在于，提供一种显示装置及其制备方法，可以解决现有的双面显示装置生产成本高且屏幕厚度较厚等技术问题。
为实现上述目的，本申请提供一种显示装置，包括：基板；邦定结构，设于所述基板一侧的表面；封装层，设于所述基板的一侧，且覆盖住所述邦定结构；其中，所述邦定结构包括：邦定层，其具有第一斜面；发光层，其具有第二斜面，所述第一斜面与所述第二斜面相对设置，且相互邦定连接。
进一步地，所述发光层为双面发光的LED芯片；所述LED芯片的电极设于所述第二斜面处。
进一步地，所述第一斜面的倾斜角度为30°～60°。
进一步地，所述邦定层的厚度为1～10微米。
进一步地，所述显示装置还包括驱动电路，设于所述基板一侧的表面，且与所述邦定结构位于同一侧面；所述驱动电路电连接至所述邦定层。
进一步地，除开所述发光层与所述基板的接触面与所述第二斜面外，所述发光层的外侧包裹一层隔水封装胶。
进一步地，所述发光层发出的光线穿过其下方的基板，所述发光层的下方无遮光层遮挡。
为实现上述目的，本申请还提供一种显示装置的制备方法，包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上制备出邦定结构；在所述邦定结构以及所述基板上覆盖一层封装层；其中，所述在所述基板上制备出邦定结构的步骤包括以下步骤：在所述基板上制备出带有第一斜面的邦定层；提供一具有第二斜面的发光层，将所述第二斜面邦定至所述第一斜面。
进一步地，除开所述发光层与所述基板的接触面与所述第二斜面外，在所述发光层的外侧包裹一层隔水封装胶。
进一步地，所述第一斜面与所述第二斜面相对设置，且所述第一斜面的倾斜角度与所述第二斜面的倾斜角度相同，均为30°～60°。
本申请的技术效果在于，双面发光的发光芯片的电极设置在斜面处实现与邦定层的电连接，不影响其上下双面出光，实现双面显示，降低成本且降低显示装置的屏幕厚度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的显示装置的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的显示装置的双面发光示意图；
图3是本申请实施例提供的显示装置的制备方法的流程图；
图4是本申请实施例提供的制备封装层后的结构示意图；
图5是本申请实施例提供的制备邦定结构后的结构示意图。
附图标记说明：
1、基板；2、邦定结构；3、封装层；4、驱动电路；5、隔水封装胶；
21、邦定层；22、发光层；23、邦定材料；
211、第一斜面；221、第二斜面。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种显示装置及其制备方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
如图1所示，本申请实施例提供一种显示装置，包括基板1、邦定结构2以及封装层3。本申请提供的显示装置为双面显示的显示装置，其中，所述邦定结构2包括邦定层21以及发光层22，所述邦定层具有第一斜面211，所述发光层22具有第二斜面221，所述第一斜面211与所述第二斜面221相对设置且相互邦定连接。
所述基板1一般为透明基板，透明的基板便于所述发光层22发出的光线能顺利穿透所述基板1，实现所述显示装置的向下发光。
所述邦定结构2设于所述基板1一侧的表面，在本实施例中，所述邦定结构2设于所述基板1的上表面，且位于所述基板1的边缘处，即邦定区内。
所述邦定层21的第一斜面211的倾斜角度为30°～60°，所述邦定层21的厚度为1～10微米，厚度定义为所述邦定层21的顶部到其底部的距离。
所述显示装置还包括驱动电路4，所述驱动电路4设于所述基板1一侧的表面，且与所述邦定结构2位于同一侧，在本实施例中，所述驱动电路4位于所述基板1的上表面。
所述发光层22为双面发光的LED芯片，所述LED芯片的电极设于所述第二斜面221处，用于邦定至所述邦定层21。所述第二斜面221的倾斜角度为30°～60°，所述发光层22的厚度为1～10微米。
除开所述第二斜面221以及所述发光层22与所述基板1的接触面，其余侧面的外围包裹一层隔水封装胶5。所述隔水封装胶5只对所述LED芯片进行局部封装，只将所述LED芯片覆盖住，其余区域没有所述隔水封装胶5，因为所述隔水封装胶5的致密性高、硬度高且不耐弯折，如全部封装会影响显示装置的弯折性能，故只对所述LED芯片进行局部封装，确保所述LED芯片阻隔外界水氧入侵。
所述第二斜面221邦定至所述第一斜面211，所述第一斜面211与所述第二斜面221之间的邦定材料23为锡，具有良好的导电性。
所述驱动电路4电连接至所述邦定结构2，具体地，所述驱动电路4电连接至所述邦定层21，因为所述邦定层21与所述发光层22电连接，进而所述驱动电路4与所述发光层22之间也形成电性连接，确保所述发光层22由所述驱动电路4控制实现发光。
所述封装层3覆盖于所述基板1的上表面，包覆于所述驱动电路4以及所述邦定结构2的表面。所述封装层3所用封装胶为耐弯折的封装胶材料，但其隔水性能较差，由于所述发光层22的外侧包裹了隔水封装胶5，所述封装层3包裹在所述隔水封装胶5的外侧，还是能实现对所述发光层22的隔水保护。
所述封装层3还能实现所述基板1的表面平坦化，确保后续的膜层贴合平整，避免出现气泡等状况。
所述发光层22的下方没有遮光层遮挡，且其下方的基板1为透明基板，所以所述发光层22向下发出的光线能无阻碍地穿过所述基板1，实现向下发光。如图2所示，因为所述发光层22所用光源为双面发光的LED芯片，所以其既能实现向上发光，也能实现向下发光，可以极大的降低成本，降低显示装置的厚度，提高产品品味。
本申请所述显示装置可适用于mini-LED、micro-LED、OLED、LED等显示装置。
本申请所述显示装置的技术效果在于，双面发光的发光芯片的电极设置在斜面处实现与邦定层的电连接，不影响其上下双面出光，实现双面显示，降低成本且降低显示装置的屏幕厚度。
如图3所示，本申请实施例还提供一种显示装置的制备方法，包括步骤S1～S3。
S1提供一基板1，所述基板1一般为透明基板，透明的基板便于所述发光层22发出的光线能顺利穿透所述基板1，实现所述显示装置的向下发光。
S2在所述基板1上制备出邦定结构2，具体地，包括以下步骤：
如图4所示，在所述基板1上制备出带有第一斜面211的邦定层21以及驱动电路4，所述邦定层21的第一斜面211的倾斜角度为30°～60°，所述邦定层21的厚度为1～10微米，厚度定义为所述邦定层21的顶部到其底部的距离。
如图5所示，提供一具有第二斜面221的发光层22，并将所述第二斜面221邦定至所述第一斜面211。所述发光层22为双面发光的LED芯片，所述LED芯片的电极设于所述第二斜面221处，用于邦定至所述邦定层21。所述第二斜面221的倾斜角度为30°～60°，所述发光层22的厚度为1～10微米。
除开所述第二斜面221以及所述发光层22与所述基板1的接触面，在所述发光层22的其余侧面的外围包裹一层隔水封装胶5。所述隔水封装胶5只对所述LED芯片进行局部封装，只将所述LED芯片覆盖住，其余区域没有所述隔水封装胶5，因为所述隔水封装胶5的致密性高、硬度高且不耐弯折，如全部封装会影响显示装置的弯折性能，故只对所述LED芯片进行局部封装，确保所述LED芯片阻隔外界水氧入侵。
所述第二斜面221邦定至所述第一斜面211所用的邦定材料23为锡，具有良好的导电性。
所述驱动电路4电连接至所述邦定结构2，具体地，所述驱动电路4电连接至所述邦定层21，因为所述邦定层21与所述发光层22电连接，进而所述驱动电路4与所述发光层22之间也形成电性连接，确保所述发光层22由所述驱动电路4控制实现发光。
S3在所述邦定结构2以及所述基板1上覆盖一层封装层3，具体地，所述封装层3覆盖于所述基板1的上表面，包覆于所述驱动电路4以及所述邦定结构2的表面。所述封装层3所用封装胶为耐弯折的封装胶材料，但其隔水性能较差，由于所述发光层22的外侧包裹了隔水封装胶5，所述封装层3包裹在所述隔水封装胶5的外侧，还是能实现对所述发光层22的隔水保护。同时，所述封装层3还能实现所述基板1的表面平坦化，确保后续的膜层贴合平整，避免出现气泡等状况。
所述发光层22的下方没有遮光层遮挡，且其下方的基板1为透明基板，所以所述发光层22向下发出的光线能无阻碍地穿过所述基板1，实现向下发光。如图2所示，因为所述发光层22所用光源为双面发光的LED芯片，所以其既能实现向上发光，也能实现向下发光，可以极大的降低成本，降低显示装置的厚度，提高产品品味。
本申请所述显示装置的制备方法的技术效果在于，双面发光的发光芯片的电极设置在斜面处实现与邦定层的电连接，不影响其上下双面出光，实现双面显示，降低成本且降低显示装置的屏幕厚度。
以上对本申请实施例所提供的一种显示装置及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板；
邦定结构，设于所述基板一侧的表面；
封装层，设于所述基板的一侧，且覆盖住所述邦定结构；
其中，所述邦定结构包括：
邦定层，其具有第一斜面；
发光层，其具有第二斜面，所述第一斜面与所述第二斜面相对设置，且相互邦定连接。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述发光层为双面发光的LED芯片；所述LED芯片的电极设于所述第二斜面处。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一斜面的倾斜角度为30°～60°。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述邦定层的厚度为1～10微米。
5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括
驱动电路，设于所述基板一侧的表面，且与所述邦定结构位于同一侧面；
所述驱动电路电连接至所述邦定层。
6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
除开所述发光层与所述基板的接触面与所述第二斜面外，所述发光层的外侧包裹一层隔水封装胶。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述发光层发出的光线穿过其下方的基板，所述发光层的下方无遮光层遮挡。
8.一种显示装置的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板；
在所述基板上制备出邦定结构；
在所述邦定结构以及所述基板上覆盖一层封装层；
其中，所述在所述基板上制备出邦定结构的步骤包括以下步骤：
在所述基板上制备出带有第一斜面的邦定层；
提供一具有第二斜面的发光层，将所述第二斜面邦定至所述第一斜面。
9.如权利要求8所述的显示装置的制备方法，其特征在于，
除开所述发光层与所述基板的接触面与所述第二斜面外，在所述发光层的外侧包裹一层隔水封装胶。
10.如权利要求8所述的显示装置的制备方法，其特征在于，
所述第一斜面与所述第二斜面相对设置，且所述第一斜面的倾斜角度与所述第二斜面的倾斜角度相同，均为30°～60°。
CN202111473838.9A 2021-11-30 2021-11-30 显示装置及其制备方法 Pending CN114188462A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111473838.9A CN114188462A (zh) 2021-11-30 2021-11-30 显示装置及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111473838.9A CN114188462A (zh) 2021-11-30 2021-11-30 显示装置及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114188462A true CN114188462A (zh) 2022-03-15

Family

ID=80542340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111473838.9A Pending CN114188462A (zh) 2021-11-30 2021-11-30 显示装置及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114188462A (zh)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1146016A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
US20150097195A1 (en) * 2013-10-07 2015-04-09 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light Emitting Device
CN105633240A (zh) * 2016-03-17 2016-06-01 厦门乾照光电股份有限公司 一种csp封装芯片结构及制作方法
CN108777264A (zh) * 2018-05-29 2018-11-09 北京敬科技有限公司 一种半导体二极管芯片封装结构及其制作方法
CN109949709A (zh) * 2017-11-23 2019-06-28 超微晶科技(深圳)有限公司 微型led显示面板
CN110277018A (zh) * 2019-06-24 2019-09-24 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN111415926A (zh) * 2020-02-28 2020-07-14 上海天马微电子有限公司 微发光二极管显示面板、其制作方法及显示装置
CN111613632A (zh) * 2020-05-22 2020-09-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN214043708U (zh) * 2021-01-07 2021-08-24 苏州清越光电科技股份有限公司 一种显示模组和显示装置
CN113555480A (zh) * 2021-08-18 2021-10-26 江西乾照光电有限公司 一种具有侧壁异形电极结构的led芯片
CN113690264A (zh) * 2020-05-19 2021-11-23 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板、显示装置和驱动背板的制作方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1146016A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
US20150097195A1 (en) * 2013-10-07 2015-04-09 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light Emitting Device
CN105633240A (zh) * 2016-03-17 2016-06-01 厦门乾照光电股份有限公司 一种csp封装芯片结构及制作方法
CN109949709A (zh) * 2017-11-23 2019-06-28 超微晶科技(深圳)有限公司 微型led显示面板
CN108777264A (zh) * 2018-05-29 2018-11-09 北京敬科技有限公司 一种半导体二极管芯片封装结构及其制作方法
CN110277018A (zh) * 2019-06-24 2019-09-24 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN111415926A (zh) * 2020-02-28 2020-07-14 上海天马微电子有限公司 微发光二极管显示面板、其制作方法及显示装置
CN113690264A (zh) * 2020-05-19 2021-11-23 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板、显示装置和驱动背板的制作方法
CN111613632A (zh) * 2020-05-22 2020-09-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN214043708U (zh) * 2021-01-07 2021-08-24 苏州清越光电科技股份有限公司 一种显示模组和显示装置
CN113555480A (zh) * 2021-08-18 2021-10-26 江西乾照光电有限公司 一种具有侧壁异形电极结构的led芯片

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8860045B2 (en) LED light sheet
JP2019531513A (ja) 光源モジュール、表示装置および光源モジュールの製造方法
CN207947017U (zh) 一种柔性透明显示屏
US20150144982A1 (en) Led package and manufacturing process of same
CN109148527A (zh) 一种显示面板及显示装置
CN105489634A (zh) 一种显示面板及其制造方法、以及显示装置
CN109903678A (zh) 显示装置和可卷曲显示系统
CN113130466A (zh) Led显示模组及其制作方法
CN103680340A (zh) 一种适合于超高显示密度的集成led显示封装模块
CN113570966A (zh) 一种显示装置及拼接屏
CN203433761U (zh) 一种led发光显示板
CN104075194A (zh) 一种背光光源组件、背光模组、液晶模组及制作方法
CN114220902B (zh) Led光源组件及其制作方法
CN208127231U (zh) 改善金属迁移的芯片结构、发光二极管显示屏和显示装置
JP2006196429A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の封止方法
CN213546315U (zh) 一种发光单元
CN114188462A (zh) 显示装置及其制备方法
US20220367776A1 (en) Display Panel, Display Backplane and Manufacturing Method of Display Backplane
WO2021027133A1 (zh) 显示面板
CN203433760U (zh) 一种柔性led发光显示板
CN113314042B (zh) 一种柔性透明led显示屏
CN114038869B (zh) 显示面板、显示背板及其制作方法
CN215527753U (zh) 一种led显示模组及led显示屏
CN210894927U (zh) 一种薄型直下式显示模组
CN212461695U (zh) 一种led显示面板及显示设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination