CN114175132A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

实现抑制电源电压的IR降的显示装置。显示装置(101)的主电源电压干布线(8)的电位与辅助电源电压干布线(9)的电位不同，设置在第二边框区域(12)的主电源电压干布线(8)与设置在第二边框区域(12)的辅助电源电压干布线(9)经由设置在第二边框区域(12)的开关晶体管(14)电连接。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
若OLED(Organic Light Emitting Diode：有机发光二极管)显示装置的电源电压产生IR降，则在显示区域的面内产生电源电压的偏差，伴随于此，在显示区域的面内产生亮度的偏差，因此OLED显示装置的显示品质降低。
以往，在OLED显示装置中，研究了通过对像素电路的方式下工夫等来抑制电源电压的IR降对显示品质造成不良影响的情况。但是，仅抑制OLED显示装置的电源电压的IR降对显示品质产生不良影响是不完全的，期待实现抑制IR降本身的技术。
在专利文献1中公开了形成相互不同电位的电源线，一方的电源线补偿另一方的电源线中的电压降的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本公开专利公报“特开2006-18277号(2006年1月19日公开)”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在OLED显示装置中，经常使用从端子部向电极和/或电源电压线供给电源电压的构成，本申请发明人发现，在远离端子部的位置，能够显著地产生上述的IR降。在专利文献1中，没有发现该情况，没有表示针对该情况的对策。
本发明的一个方式的目的在于实现抑制电源电压的IR降的显示装置。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一方式的显示装置，其具备显示区域以及边框区域，所述边框区域配置于所述显示区域的周围，所述边框区域在其一部分具有端子部，所述显示区域具有进行显示的显示元件、驱动所述显示元件的像素电路、以及向所述显示元件施加第一电位的电源电压的多条电源电压线，所述显示元件具有第一电极和功能层，所述显示区域具有第二电极，所述第二电极与多个所述功能层共用，向所述显示元件施加第二电位的电源电压，所述第二电位与所述第一电位不同，在所述边框区域具备用于向所述显示元件施加所述第一电位或所述第二电位中的任一者的电源电压的主电源电压干布线和辅助电源电压干布线，所述边框区域具有：第一边框区域，其具有所述端子部；以及第二边框区域，其以所述显示区域为基准，并配置在所述第一边框区域的相反侧，所述主电源电压干布线的电位与所述辅助电源电压干布线的电位不同，设置于所述边框区域中的所述第二边框区域的所述主电源电压干布线、和设置于所述边框区域中的所述第二边框区域的所述辅助电源电压干布线经由设置于所述第二边框区域的开关晶体管电连接。
有益效果
根据本发明的一个方式，能够实现抑制电源电压的IR降的显示装置。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的显示装置的一部分的概略构成的俯视图。
图2是表示本发明的第一实施方式的显示装置的电路构成例的图。
图3是表示本发明的第一实施方式的显示装置的像素的电路构成例的图。
图4是表示本发明的第一实施方式的显示装置的一部分的概略构成的截面图。
图5是表示本发明的第一实施方式的第一变形例的显示装置的一部分的概略构成的俯视图。
图6是表示本发明的第一实施方式的第二变形例的显示装置的一部分的概略构成的俯视图。
图7是表示本发明的第一实施方式的第三变形例的显示装置的一部分的概略构成的俯视图。
图8是表示本发明的第二实施方式的显示装置的一部分的概略构成的俯视图。
图9是表示本发明的第四实施方式的显示装置的一部分的概略构成的俯视图。
图10为图9的A-A截面图。
图11是图10的变形例的截面图。
具体实施方式
以下说明用于实施本发明的方式。另外，为了便于说明，关于具有与之前说明的构件相同功能的构件，有时标记相同的附图标记而不重复其说明。
〔第一实施方式〕
图1是表示本发明的第一实施方式的显示装置101的一部分的概略构成的俯视图。图2是表示显示装置101的电路构成例的图。图3是表示显示装置101的像素PX的电路构成例的图。图4是表示显示装置101的一部分的概略构成的截面图。
显示装置101具备显示区域AA和配置在显示区域AA的周围的边框区域NA。
边框区域NA在其一部分具有端子部1。具体而言，端子部1设置在构成四边形的框状的边框区域NA的四边中的一边。
显示区域AA具有多个像素PX。多个像素PX分别具有进行显示的显示元件2和驱动显示元件2的像素电路3。此外，显示区域AA具有对多个像素PX的显示元件2施加第一电位的电源电压的多个电源电压线4。即，显示区域AA具有显示元件2、像素电路3和多个电源电压线4。
显示元件2具有第一电极5和功能层6。在显示元件2为OLED显示元件的情况下，功能层6是OLED发光元件。在显示元件2是QLED(Quantum dot Light Emitting Diode：量子点发光二极管)显示元件的情况下，功能层6是QLED发光元件。第一电极5是用于使该功能层6发挥功能的阳极。
显示区域AA具有在多个显示元件2的功能层6上共用的第二电极7。第二电极7对多个显示元件2施加与第一电位不同的第二电位的电源电压。在第一电极5是针对多个显示元件2的每个功能层6而设置的、与显示元件2的个数相同数量的阳极的情况下，第二电极7是在多个显示元件2的功能层6上共用地设置的、数量比阳极少(例如，一个)的阴极。
显示装置101具备主电源电压干布线8以及辅助电源电压干布线9。主电源电压干布线8和辅助电源电压干布线9均是为了对多个像素PX的显示元件2施加第二电位的电源电压而对第二电极7施加电压的、成为1条布线或捆的多条布线，并与端子部1电连接。主电源电压干布线8和辅助电源电压干布线9均以包围显示区域AA的方式设置于边框区域NA，并且，辅助电源电压干布线9以包围主电源电压干布线8的方式设置。换言之，主电源电压干布线8形成在显示区域AA的周边，辅助电源电压干布线9以包围显示区域AA以及主电源电压干布线8的方式形成。主电源电压干布线8例如是后述的第一低电平的电源线ELVSS1，辅助电源电压干布线9例如是后述的第二低电平的电源线ELVSS2。此外，主电源电压干布线8的电位和辅助电源电压干布线9的电位不同。如显示装置101那样，在第一电极5为阳极、第二电极7为阴极的情况下，辅助电源电压干布线9的电位低于主电源电压干布线8的电位。
边框区域NA具有第二电极触点10。第二电极触点10以包围显示区域AA的方式设置有多个。第二电极触点10是设置在第二电极7与主电源电压干布线8之间，且与第二电极7及主电源电压干布线8接触的导体。第二电极7与主电源电压干布线8经由第二电极触点10电连接。
在此，在图1中，通过以图1所示的虚线为边界对边框区域NA进行分割，来规定第一边框区域11、第二边框区域12以及第三边框区域13。第一边框区域11是边框区域NA中的具有端子部1的区域。第二边框区域12是边框区域NA中的、以显示区域AA为基准配置于第一边框区域11的相反侧的区域。第三边框区域13是边框区域NA中的被夹在第一边框区域11与第二边框区域12之间的区域。即，边框区域NA具有从显示区域AA观察作为端子部1侧的边的第一边框区域11、与第一边框区域11的对边相对的第二边框区域12、以及以显示区域AA为基准相对于第一边框区域11以及第二边框区域12排列的方向(纸面上下方向)在垂直方向(纸面左右方向)上配置的第三边框区域13。
第二边框区域12具有多个开关晶体管14。并且，设置在第二边框区域12的主电源电压干布线8和设置在第二边框区域12的辅助电源电压干布线9经由设置在第二边框区域12的多个开关晶体管14电连接。开关晶体管14在关闭(接通)状态下将主电源电压干布线8与辅助电源电压干布线9电连接，在打开(断开)状态下不将主电源电压干布线8与辅助电源电压干布线9电连接。开关晶体管14只要是基于TFT(薄膜晶体管)、MEMS(Micro ElectroMechanical Systems)、或IC(集成电路)芯片等的信号来切换开关的晶体管即可。开关晶体管14的导通电阻优选尽可能低。
边框区域NA具有被供给控制开关晶体管14的开闭的信号的控制布线15。控制布线15与开关晶体管14的控制电极16电连接，由此，根据该信号来控制该开关晶体管14的开闭。在显示装置101中，由于共用的控制布线15连接到多个开关晶体管14各自的控制电极16，所以多个开关晶体管14的每一个原则上在相互相同的时间点开闭。
在远离端子部1的位置，可以显著地产生电源电压的IR降。根据要显示的图像，IR降的程度不同。在显示装置101中，在产生了该IR降的位置产生了电源电压的电位的上升。根据上述的构成，在该IR降的程度较大的情况下，通过将开关晶体管14设为关闭状态，从而电位比主电源电压干布线8低的辅助电源电压干布线9承担电源供给。因此，能够在离端子部1最远的显示区域AA的第二边框区域12附近，抑制该电源电压的电位的上升。结果，可以实现抑制了IR降的显示装置101。
另外，在显示装置101中，也可以是，第一电极5为阴极，第二电极7为阳极。在该情况下，只要辅助电源电压干布线9的电位比主电源电压干布线8的电位高即可。即，在这种情况下，在显示装置101中，产生了电源电压的IR降的位置产生了电源电压的电位的下降。根据上述的构成，通过将开关晶体管14设为关闭状态，从而电位比主电源电压干布线8高的辅助电源电压干布线9承担电源供给，所以在距离端子部1最远的显示区域AA中的第二边框区域12附近，能够抑制该电源电压的电位下降。结果，可以实现抑制了IR降的显示装置101。
辅助电源电压干布线9的电位可以是可变的。由此，根据电源电压的IR降的程度，能够更适当地抑制该IR降。
此外，显示装置101具有控制电路17。控制电路17与端子部1电连接，向控制布线15提供控制开关晶体管14的开闭的信号。控制电路17例如通过下述(1)或(2)的方式来控制开关晶体管14的开闭。根据前述任何一项，能够根据电源电压的IR降的发生容易度和/或程度，更适当地抑制该IR降。具体而言，控制关闭开关晶体管14的个数和/或关闭多个开关晶体管14中的哪一个。例如，在显示区域AA的左侧集中有高亮度的显示的情况下，仅关闭左侧的开关晶体管14。在显示装置101中，控制电路17设置于边框区域NA的外，但也可以设置于边框区域NA内。
(1)基于根据显示装置101的显示图像(其中例如构成显示图像的图像数据的灰度值)，计算显示装置101的电源电压的IR降量的结果，控制开关晶体管14的开闭。
(2)根据检测主电源电压干布线8的节点和端子部1之间的电位的结果，控制开关晶体管14的开闭。另外，主电源电压干布线8的节点是指从端子部1引出的主电源电压干布线8在显示区域AA周边至少向2个方向分支的分支点，或者是所述分支点与端子部1之间的任意一种。此时，也可以在显示装置101所具有的IC(未图示)内设置检测该电位的检测部(未图示)。
另外，第三边框区域13与第一边框区域11以及第二边框区域12同样地，包括主电源电压干布线8以及辅助电源电压干布线9，但显示装置101在第三边框区域13的主电源电压干布线8与辅助电源电压干布线9之间还具有开关晶体管14。由此，根据与第二边框区域12的开关晶体管14相同的原理，能够在显示区域AA的第三边框区域13附近抑制该电源电压的电位的变动。在第三边框区域13也存在不具有开关晶体管14的情况。关于后述的开关晶体管20也是同样的。
另一方面，开关晶体管14的个数并不限定于多个，也可以是一个。
如图2所示，显示装置101由像素PX、扫描线驱动部201以及数据线驱动部202构成。像素PX以矩阵状配置在扫描线S0～Sn及发光控制线EM1～EMn与数据线D1～Dm的交叉部。从未图示的外部电源对高电平的电源线ELVDD施加高电平的电压和对低电平的电源线ELVSS施加低电平的电压。电源线ELVSS包含第一低电平的电源线ELVSS1和第二低电平的电源线ELVSS2。电源线ELVSS1与电源线ELVSS2经由开关晶体管14连接。开关晶体管14由控制布线15控制。
扫描线驱动部201根据从外部输入的扫描线驱动信号驱动扫描线S0～Sn。此外，扫描线驱动部201通过发光驱动信号驱动发光控制线EM1～EMn。
数据线驱动部202根据从外部输入的数据生成数据信号，经由数据线D1～Dm对像素PX进行写入。
如图3所示，像素电路3具备晶体管T1～T7和电容器Cs。
初始化电压线Vini经由晶体管T1以及电容器Cs连接于电源线ELVDD。晶体管T2连接于晶体管T1与电容器Cs之间、以及晶体管T4与晶体管T6之间。第y条数据线Dy经由晶体管T3及晶体管T5与电源线ELVDD连接。晶体管T3和晶体管T5的节点经由晶体管T4、晶体管T6以及显示元件2连接于电源线ELVSS。初始化电压线Vini经由晶体管T7而连接在显示元件2的阳极与晶体管T6之间。
在晶体管T1的栅极连接有第x-1条扫描线S(x-1)。在晶体管T2的栅极、晶体管T3的栅极以及晶体管T7的栅极连接有第x条扫描线Sx。晶体管T4的栅极连接在晶体管T1与电容器Cs之间。晶体管T5的栅极和晶体管T6的栅极与第x条发光控制线EMx连接。
另外，在图3中表示了像素电路3由p沟道型晶体管构成的例子，但像素电路3也可以由n沟道型晶体管构成。在像素PX的驱动晶体管(即与晶体管T4对应)是以低电平的电源电位为基准的n沟道型的情况下，显示装置101的构成是有效的。特别是，在该驱动晶体管的栅极-源极电压成为低电平的电源线ELVSS的电位与保持电容(即，对应于电容器Cs)的电位差的结构的情况下是有效的。
根据图4，显示装置101为向上方发光的顶部发光型，从下侧依次具有基材310、树脂层312、阻挡层303、TFT层304、显示元件2、密封层306、粘接层338以及功能膜339。
作为基材310的材料，例如可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。作为树脂层312的材料，例如可列举聚酰亚胺、环氧、聚酰胺等。
阻挡层303是防止使用显示器件时水分、杂质到达TFT层304、显示元件2的层。阻挡层303例如可以由通过CVD形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜、或者它们的层叠膜构成。
TFT层304从下层起依次层叠包括半导体膜315、无机绝缘膜316、栅极G、无机绝缘膜318、无机绝缘膜320、源极S及漏极D、以及平坦化膜321。
以包含半导体膜315、无机绝缘膜316(栅极绝缘膜)、栅极G的方式构成薄膜晶体管(发光控制晶体管Td)。源极S与半导体膜315的源极区域连接，漏极D与半导体膜315的漏极区域连接。
半导体膜315例如由低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体构成。另外，以半导体膜315为沟道的TFT既可以是顶栅结构，也可以是底栅结构(例如，TFT的沟道为氧化物半导体的情况)。
无机绝缘膜316、318、320例如可以由通过CVD法形成的氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜或它们的层叠膜构成。
平坦化膜(层间绝缘膜)321例如可以由聚酰亚胺、丙烯酸等能够涂布的感光性有机材料构成。
栅极G、源极S及漏极D例如包含铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)中的至少一种。此外，栅极G、源极S及漏极D由金属的单层膜或层叠膜构成。
显示元件2(例如，有机发光二极管层)包括：形成在平坦化膜321上的第一电极5、比第一电极5靠上层的覆盖膜323、比覆盖膜323靠上层的功能层6。此外，在功能层6的上层形成有第二电极7。此外，以包含第一电极5、功能层6、以及第二电极7的方式构成发光元件(例如，有机发光二极管：OLED)。覆盖膜323是聚酰亚胺、环氧、丙烯酸等能够涂布的感光性有机绝缘膜，以覆盖第一电极5的边缘的方式被图案化。
功能层6通过蒸镀法或喷墨法形成为与覆盖膜323的开口部重叠，覆盖膜323的开口部(第一电极5的露出面)和功能层6的重叠区域成为子像素的发光区域。即，某一子像素中的露出第一电极5的覆盖膜323的开口部的面积成为该子像素的发光区域。在显示元件2是有机发光二极管(OLED)层的情况下，在第一电极5的露出面上层叠有例如空穴注入层、空穴输送层、功能层6、电子输送层、电子注入层，在此，仅表示功能层6。
第一电极5例如由ITO(IndiumTin Oxide)和含Ag的合金的层积构成，具有光反射性。第二电极7可以由MgAg合金(极薄膜)、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium ZincOxide)等透光性的导电材料构成。
在显示元件2是OLED层的情况下，通过第一电极5和第二电极7间的驱动电流，空穴和电子在功能层6内重组，由此产生的激子落到基底状态，从而射出光。第二电极7为透光性，第一电极5为光反射性，因此从功能层6射出的光朝向上方，成为顶部发光。
显示元件2不限于构成OLED元件的情况，也可以构成无机发光二极管或者量子点发光二极管。
密封层306具有透光性，并包括：覆盖第二电极7的无机密封膜326；形成比无机密封膜326靠上层的有机密封膜327；以及覆盖有机密封膜327的无机密封膜328。无机密封膜326、328例如可以由通过使用了掩模的CVD形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜、或者它们的层叠膜构成。有机密封膜327比无机密封膜326、328厚，是透光性有机膜，能够由丙烯酸等能够涂布的有机材料构成。例如，将包含这样的有机材料的墨喷墨涂布在无机密封膜326上后，通过UV照射使其固化。密封层306覆盖显示元件2，防止水、氧等异物渗透到显示元件2。
功能薄膜339例如具有光学补偿功能、触摸传感器功能、保护功能等。
图5是表示本发明的第一实施方式的第一变形例的显示装置102的一部分的概略构成的俯视图。在下述方面，显示装置102的构成与显示装置101的构成不同。
在显示装置102中，以显示区域AA为基准，在与第一边框区域11以及第二边框区域12排列的方向垂直的方向、即与显示装置101的第三边框区域13相当的区域，未设置主电源电压干布线8和第二电极触点10。即，在显示装置102中，主电源电压干布线8被分割为第一边框区域11和第二边框区域12而设置。
显示装置102与显示装置101相比，主电源电压干布线8的面积小，因此在窄边框化中是有利的。
图6是表示本发明的第一实施方式的第二变形例的显示装置103的一部分的概略构成的俯视图。在下述方面，显示装置103的构成与显示装置101的构成不同。
在显示装置103中，具有多条控制布线15，多条控制布线15分别与对应的多个开关晶体管14中的一个控制电极16电连接。换言之，在每个开关晶体管14连接有不同的控制布线15，进行不同的开闭控制。由此，能单独地进行多个开关晶体管14的开闭控制。
根据显示装置103，通过根据显示图像针对每个开关晶体管14控制主电源电压干布线8和辅助电源电压干布线9的导通和非导通，能够根据该显示图像更适当地抑制电源电压的IR降。例如，当高亮度的显示集中于显示区域AA的特定部分时，可以考虑只将位于其附近的开关晶体管14设为关闭状态。
在显示装置103中，多条控制布线15的至少一条可以与对应的多个开关晶体管14中的两个以上的控制电极16电连接。
图7是表示本发明的第一实施方式的第三变形例的显示装置104的一部分的概略构成的俯视图。在下述方面，显示装置104的构成与显示装置103的构成不同。
在显示装置104中，多条控制布线15分别与对应的多个开关晶体管14中的两个控制电极16电连接。具体而言，多个开关晶体管14根据与沿着对应的控制布线15的端子部1的间隔距离而分为多个组G1以及G2。构成组G2的各开关晶体管14中的该间隔距离比构成组G1的各开关晶体管14中的该间隔距离大。多条控制布线15中共用的控制布线15与多个开关晶体管14中属于相同组的开关晶体管14的控制电极16电连接。
根据显示装置104，能够根据IR降的发生容易度和程度更适当地抑制IR降。
在显示装置104中，多条控制布线15的至少一条可以与对应的多个开关晶体管14中的1个或3个以上的控制电极16电连接。
〔第二实施方式〕
图8是表示本发明的第二实施方式的显示装置105的一部分的概略构成的俯视图。显示装置105与显示装置101同样地具备显示区域AA、边框区域NA、端子部1、像素PX(具有第一电极5和功能层6的显示元件2以及像素电路3)、多条电源电压线4、第二电极7、主电源电压干布线8、第二电极触点10、第一边框区域11、第二边框区域12以及第三边框区域13。但是，在图8中，为了简化图示，省略像素PX、第二电极7、主电源电压干布线8以及第二电极触点10的图示，并且用比图1精细图表示多条电源电压线4。在显示装置105中，第一电极5为阳极，第二电极7为阴极。
显示装置105具有主电源电压干布线18和辅助电源电压干布线19。主电源电压干布线18和辅助电源电压干布线19均是为了对多个像素PX的显示元件2施加第一电位的电源电压而对多个电源电压线4施加电压的、成为1条布线或捆的多条布线，并与端子部1电连接。主电源电压干布线18和辅助电源电压干布线19均以包围显示区域AA的方式设置于边框区域NA，并且，辅助电源电压干布线19以包围主电源电压干布线18的方式设置。主电源电压干布线18例如是电位比第一以及第二低电平高的第一高电平的电源线ELVDD1，辅助电源电压干布线19例如是电位比第一以及第二低电平高的第二高电平的电源线ELVDD2。此外，主电源电压干布线18的电位与辅助电源电压干布线19的电位不同。如显示装置105那样，在第一电极5为阳极、第二电极7为阴极的情况下，辅助电源电压干布线19的电位比主电源电压干布线18的电位高。多条电源电压线4与主电源电压干布线18电连接。
第二边框区域12具有多个开关晶体管20。并且，主电源电压干布线18和辅助电源电压干布线19经由设置于第二边框区域12的多个开关晶体管20电连接。开关晶体管20在关闭状态下将主电源电压干布线18和辅助电源电压干布线19电连接，在打开状态下不将主电源电压干布线18和辅助电源电压干布线19电连接。开关晶体管20只要是基于TFT、MEMS或者IC芯片等的信号来切换开关的晶体管即可。开关晶体管20的导通电阻优选尽可能低。
边框区域NA具有控制布线21，该控制布线21被供给控制开关晶体管20的开闭的信号。控制布线21与开关晶体管20的控制电极22电连接，由此，根据该信号来控制该开关晶体管20的开闭。在显示装置105中，由于共用的控制布线21与多个开关晶体管20各自的控制电极22电连接，因此，多个开关晶体管20的每一个原则上在相互相同的时间点开闭。
在远离端子部1的位置，可以显著地产生电源电压的IR降。在显示装置105中，在产生了该IR降的位置产生了电源电压的电位的下降。根据上述的构成，通过使开关晶体管20成为关闭状态，从而电位比主电源电压干布线18高的辅助电源电压干布线19承担电源供给，所以在距离端子部1最远的显示区域AA中的第二边框区域12附近，能够抑制该电源电压的电位下降。结果，能够实现抑制了IR降的显示装置105。
另外，在显示装置105中，也可以是，第一电极5为阴极，第二电极7为阳极。在该情况下，只要辅助电源电压干线19的电位比主电源电压干线18的电位低即可。即，在该情况下，在显示装置105中，在产生了电源电压的IR降的位置产生了电源电压的电位的上升。根据上述的构成，通过使开关晶体管20成为关闭状态，从而电位比主电源电压干布线18低的辅助电源电压干布线19承担电源供给，所以在距离端子部1最远的显示区域AA中的第二边框区域12附近，能够抑制该电源电压的电位的上升。结果，能够实现抑制了IR降的显示装置105。
辅助电源电压干线19的电位也可以是可变的。由此，根据电源电压的IR降的程度，能够更适当地抑制该IR降。
此外，显示装置105具有控制电路23。控制电路23是与端子部1电连接，向控制布线21供给控制开关晶体管20的开闭的信号的电路。控制电路23例如通过下述(3)或(4)的方式控制开关晶体管20的开闭。根据前述任何一项，能够根据电源电压的IR降的发生容易度和/或程度，更适当地抑制该IR降。具体而言，控制关闭开关晶体管20的个数和/或关闭多个开关晶体管20中的哪一个。例如，在显示区域AA的左侧集中有高亮度的显示的情况下，仅关闭左侧的开关晶体管20。在显示装置105中，控制电路23设置于边框区域NA外，但也可以设置于边框区域NA内。
(3)根据显示装置105的显示图像(其中例如构成显示图像的图像数据的灰度值)，根据计算显示装置105的电源电压的IR降低量的结果，控制开关晶体管20的开闭。
(4)根据检测主电源电压干布线18的节点与端子部1之间的电位的结果，控制开关晶体管20的开闭。另外，主电源电压干布线18的节点是从端子部1引出的主电源电压干布线18在显示区域AA周边至少向2个方向分支的分支点，或者是所述分支点与端子部1之间的任一个。此时，也可以在显示装置105所具有的IC(未图示)内设置检测该电位的检测部(未图示)。
另外，第三边框区域13与第一边框区域11以及第二边框区域12同样地，包括主电源电压干布线18以及辅助电源电压干布线19，但显示装置105也可以在第三边框区域13的主电源电压干布线18与辅助电源电压干布线19之间还具有开关晶体管20。由此，根据与第二边框区域12的开关晶体管20相同的原理，能够在显示区域AA的第三边框区域13附近抑制该电源电压的电位的变动。
另一方面，开关晶体管20的个数并不限定于多个，也可以是一个。
在像素PX的驱动晶体管是以高电平的电源电位为基准的p沟道型的情况下，显示装置105的构成是有效的。特别是，在该驱动晶体管的栅极-源极电压为高电平的电源线ELVDD的电位和保持电容的电位差的结构的情况下是有效的。
能够将基于上述的第一实施方式的各变形例的构成与显示装置105组合。即，根据显示装置102，也可以将显示装置105构成为不在与显示装置105的第三边框区域13相当的区域设置主电源电压干布线18。此外，也可以采用基于显示装置103使显示装置105具有多条控制布线21、多条控制布线21分别与对应的多个开关晶体管20中的一个控制电极22电连接的构成。而且，也可构成为，基于显示装置104，显示装置105根据与端子部1的间隔距离将多个开关晶体管20分成多个组，将多条控制布线21中的共用的控制布线21与多个开关晶体管20中的属于相同组的开关晶体管20的控制电极22电连接。
〔第三实施方式〕
一个显示装置也可以兼具显示装置101～104(参照图1～图7)的特征性构成和显示装置105(参照图8)的特征性构成。在该情况下，能够解释为该显示装置具备以下。
·与多条电源电压线4电连接的主电源电压干布线(第一主电源电压干布线)18。
·经由开关晶体管(第一开关晶体管)20与主电源电压干布线18电连接的辅助电源电压干布线(第一辅助电源电压干布线)19。
·与第二电极7电连接的主电源电压干布线(第二主电源电压干布线)8。
·经由开关晶体管(第二开关晶体管)14与主电源电压干布线8电连接的辅助电源电压干布线(第二辅助电源电压干布线)9。
在这样的显示装置中，在第一电极5为阳极，第二电极7为阴极的情况下，辅助电源电压干布线19的电位比主电源电压干布线18的电位高，辅助电源电压干布线9的电位比主电源电压干布线8的电位低。
此外，在这样的显示装置中，在第一电极5为阴极，第二电极7为阳极的情况下，辅助电源电压干布线19的电位比主电源电压干布线18的电位低，辅助电源电压干布线9的电位比主电源电压干布线8的电位高。
〔第四实施方式〕
图9是表示本发明的第四实施方式的显示装置106的一部分的概略构成的俯视图。图10为图9的A-A截面图。显示装置106为显示装置101的构成的一个具体例。
另外，在图10中，对与图3或图4所示的构件相同的构件标注与图3或图4相同的附图标记，并省略其说明。此外，在图10中，作为树脂层312，采用聚酰亚胺膜312a、无机绝缘膜312b以及聚酰亚胺膜312c的3层构成。
显示装置106具有基板24、引绕布线25、第一堤栏26、第二堤栏27、导电膜28、GDM29和密封膜30。此外，在显示装置106上形成有沟槽31、以及接触孔33及34。另外，图9中的符号35的构件是柔性基板。第一堤栏26、第二堤栏27及沟槽31设置于边框区域NA，密封膜30从显示区域AA横跨边框区域NA设置。如图9所示，基板24也可以具有能够折弯的折弯部32。GDM29是形成于沟槽31的两侧的TFT。
沟槽31以包围显示区域AA的方式形成。第一堤栏26以包围沟槽31的方式设置。第二堤栏27以包围第一堤栏26的方式设置。
导电膜28由与第一电极5(参照图1)相同层且相同材料构成。主电源电压干布线8和第二电极7经由该导电膜28电连接。此外，在沟槽31中，第二电极7与导电膜28接触。
主电源电压干布线8设置在第一堤栏26与显示区域AA之间，辅助电源电压干布线9设置在第二堤栏27与第一堤栏26之间。
根据图9以及图10，显示装置106具有下述构成。在边框区域NA电连接主电源电压干布线8和第二电极7。此外，在主电源电压干布线8的外侧形成有辅助电源电压干布线9。此外，主电源电压干布线8和辅助电源电压干布线9分别经由接触孔33和34与开关晶体管14连接。
图11是图10的变形例的截面图。如图11所示，主电源电压干布线8被设置为在沟槽31中与导电膜28相接，辅助电源电压干布线9也可以设置在第二堤栏27与沟槽31之间。
不限于显示装置101，在具有主电源电压干布线8以及辅助电源电压干布线9的本发明的第三实施方式的显示装置中，也能够采用作为显示装置106说明的构造。
上述的各实施方式的显示装置所具备的电光元件(通过电流控制亮度、透过率的电光元件)没有特别限定。各实施方式的显示装置例如可以具备OLED作为电光元件。因此，各实施方式的显示装置例如也可以是具备OLED的有机EL(Electro Luminescence：电致发光)显示器。此外，各实施方式的显示装置也可以是具备无机发光二极管作为电光元件的无机EL显示器。此外，各实施方式的显示装置也可以是具备QLED作为电光学元件的QLED显示器。
〔总结〕
本发明的方式1的显示装置，其具备显示区域以及边框区域，所述边框区域配置于所述显示区域的周围，所述边框区域在其一部分具有端子部，所述显示区域具有进行显示的显示元件、驱动所述显示元件的像素电路、以及向所述显示元件施加第一电位的电源电压的多条电源电压线，所述显示元件具有第一电极和功能层，所述显示区域具有第二电极，所述第二电极与多个所述功能层共用，向所述显示元件施加第二电位的电源电压，所述第二电位与所述第一电位不同，在所述边框区域具备用于向所述显示元件施加所述第一电位或所述第二电位中的任一者的电源电压的主电源电压干布线和辅助电源电压干布线，所述边框区域具有：第一边框区域，其具有所述端子部；以及第二边框区域，其以所述显示区域为基准，配置在所述第一边框区域的相反侧，所述主电源电压干布线的电位与所述辅助电源电压干布线的电位不同，设置于所述边框区域中的所述第二边框区域的所述主电源电压干布线、和设置于所述边框区域中的所述第二边框区域的所述辅助电源电压干布线经由设置于所述第二边框区域的开关晶体管电连接。
在远离端子部的位置，可以显著地产生电源电压的IR降。根据显示的图像，该IR降的程度不同。根据上述构成，在该IR降的程度大的情况下，通过使开关晶体管处于关闭状态，与主电源电压干布线不同的电位的辅助电源电压干布线承担电源供给。因此，在距端子部最远的显示区域中的第二边框区域附近，能够抑制该电源电压的电位的变动。其结果，能够实现该IR降被抑制了的显示装置。
本发明的方式2的显示装置在上述方式1中，所述主电源电压干布线与所述第二电极电连接。
本发明的方式3的显示装置在上述方式2中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述辅助电源电压干布线的电位低于所述主电源电压干布线的电位。
本发明的方式4的显示装置在上述方式2中，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极，所述辅助电源电压干布线的电位高于所述主电源电压干布线的电位。
本发明的方式5的显示装置在上述方式1中，所述主电源电压干布线与所述多条电源电压线电连接。
本发明的方式6的显示装置在上述方式5中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述辅助电源电压干布线的电位高于所述主电源电压干布线的电位。
本发明的方式7的显示装置在上述方式5中，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极，所述辅助电源电压干布线的电位低于所述主电源电压干布线的电位。
本发明的方式8的显示装置在上述方式1中，其具备：第一主电源电压干布线，其与所述多条电源电压线电连接；第一辅助电源电压干布线，其经由第一开关晶体管与所述第一主电源电压干布线电连接；第二主电源电压干布线，其与所述第二电极电连接；以及第二辅助电源电压干布线，其经由第二开关晶体管与所述第二主电源电压干布线电连接。
本发明的方式9的显示装置在上述方式8中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述第一辅助电源电压干布线的电位高于所述第一主电源电压干布线的电位，所述第二辅助电源电压干布线的电位低于所述第二主电源电压干布线的电位。
本发明的方式10的显示装置在上述方式8中，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极，所述第一辅助电源电压干布线的电位低于所述第一主电源电压干布线的电位，所述第二辅助电源电压干布线的电位高于所述第二主电源电压干布线的电位。
本发明的方式11的显示装置在上述方式2～4、8～10中任一方式中，所述边框区域具有：沟槽，其以包围所述显示区域的方式形成；第一堤栏，其以包围所述沟槽的方式设置；第二堤栏，其以包围所述第一堤栏的方式设置；以及密封膜，所述主电源电压干布线与所述第二电极经由导电膜电连接，所述导电膜与所述第一电极是相同层且由相同材料构成，所述第二电极和所述导电膜在所述沟槽处接触。
本发明的方式12的显示装置在上述方式11中，所述主电源电压干布线设置为在所述沟槽与所述导电膜接触，所述辅助电源电压干布线设置在所述第二堤栏与所述沟槽之间。
本发明的方式13的显示装置在上述方式11中，所述主电源电压干布线设置在所述第一堤栏与所述显示区域之间，所述辅助电源电压干布线设置在所述第二堤栏与所述第一堤栏之间。
本发明的方式14的显示装置在上述方式1～13中任一方式中，所述辅助电源电压干布线的电位是可变的。
根据上述构成，根据电源电压的IR降的程度，能够更好地抑制该IR降。
本发明的方式15的显示装置在上述方式1～14中任一方式中，所述第二边框区域具有多个所述开关晶体管。
本发明的方式16的显示装置在上述方式15中，共同的控制布线电连接至所述多个开关晶体管各自的控制电极。
本发明的方式17的显示装置在上述方式15中，还具有多条控制布线，所述多个控制布线分别与对应的所述多个开关晶体管中的至少1个控制电极电连接。
本发明的方式18的显示装置在上述方式17中，所述多个开关晶体管根据与沿着对应的所述控制布线的所述端子部的间隔距离被分为多个组，所述多条控制布线中共用的控制布线电连接至所述多个开关晶体管中属于相同组的开关晶体管的控制电极。
根据上述构成，根据IR降的发生容易度和程度，能够更好地抑制IR降。
本发明的方式19的显示装置在上述方式1～18中任一方式中，具有第三边框区域，其被夹在所述第一边框区域与所述第二边框区域之间，所述第三边框区域包括所述主电源电压干布线和所述辅助电源电压干布线，在所述第三边框区域的所述主电源电压干布线和所述辅助电源电压干布线之间还具有所述开关晶体管。
根据上述构成，根据与第二边框区域的开关晶体管相同的原理，能够在显示区域的第三边框区域附近抑制该电源电压的电位的变动。
本发明的方式20的显示装置在上述方式1～19中任一方式中，具有控制电路，其基于根据所述显示装置的显示图像计算所述显示装置的电源电压的IR降量的结果来控制所述开关晶体管的开闭。
根据上述构成，根据电源电压的IR降的发生容易度和/或程度，可以更适当地抑制该IR降。
本发明的方式21的显示装置在上述方式1～19中任一方式中，具有控制电路，其根据检测出所述主电源电压干布线的节点与所述端子部之间的电位的结果来控制所述开关晶体管的开闭。
根据上述构成，根据电源电压的IR降的发生容易度和/或程度，可以更适当地抑制该IR降。
本发明的方式22的显示装置在上述方式1～21中任一方式中，在所述显示区域的周边形成有所述主电源电压干布线，以包围所述显示区域和所述主电源电压干布线的方式形成有所述辅助电源电压干布线。
本发明不限于上述的各实施方式，能够在权利要求所示的范围内进行各种变更，对于适当组合在不同的实施方式中分别公开的技术手段而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围内。而且，通过组合各实施方式分别公开的技术手段，能够形成新的技术特征。
附图标记说明
AA：显示区域
Cs：电容器
D：漏极
D1～Dm、Dy：数据线
ELVDD：高电平的电源线
ELVDD1：第一高电平电源线
ELVDD2：第二高电平的电源线
ELVSS：低电平的电源线
ELVSS1：第一低电平电源线
ELVSS2：第二低电平的电源线
EM1～EMn、EMx：发光控制线
G：栅极
G1、G2：组
NA：边框区域
PX：像素
S：源极
S0～Sn、S(x-1)、Sx：扫描线
Td：发光控制晶体管
T1-T7：晶体管
Vini：初始化电压线
1：端子部
2：显示元件
3：像素电路
4：电源电压线
5：第一电极
6：功能层
7：第二电极
8、18：主电源电压干布线
9、19：辅助电源电压干布线
10：第二电极触点
11：第一边框区域
12：第二边框区域
13：第三边框区域
14、20：开关晶体管
15、21：控制布线
16、22：控制电极
17、23：控制电路
24：基板
25：引绕布线
26：第一堤栏
27：第二堤栏
28：导电膜
29：GDM
30：密封膜
31：沟槽
32：折弯部
33、34：接触孔
35：柔性基板
101～106：显示装置
201：扫描线驱动部
202：数据线驱动部
303：阻挡层
304：TFT层
306：密封层
310：基材
312：树脂层
312a、312c：聚酰亚胺膜
312b、316、318、320：无机绝缘膜
315：半导体膜
321：平坦化膜
323：覆盖膜
326、328：无机密封膜
327：有机密封膜
338：粘接层
339：功能膜

Claims (22)

1.一种显示装置，其具备显示区域以及边框区域，所述边框区域配置于所述显示区域的周围，
所述边框区域在其一部分具有端子部，
所述显示区域具有进行显示的显示元件、驱动所述显示元件的像素电路、以及向所述显示元件施加第一电位的电源电压的多条电源电压线，
所述显示元件具有第一电极和功能层，
所述显示区域具有第二电极，所述第二电极与多个所述功能层共用，向所述显示元件施加第二电位的电源电压，所述第二电位与所述第一电位不同，所述显示装置的特征在于，
在所述边框区域具备用于向所述显示元件施加所述第一电位或所述第二电位中的任一者的电源电压的主电源电压干布线和辅助电源电压干布线，
所述边框区域具有：第一边框区域，其具有所述端子部；以及第二边框区域，其以所述显示区域为基准，配置在所述第一边框区域的相反侧，
所述主电源电压干布线的电位与所述辅助电源电压干布线的电位不同，
设置于所述边框区域中的所述第二边框区域的所述主电源电压干布线、和设置于所述边框区域中的所述第二边框区域的所述辅助电源电压干布线经由设置于所述第二边框区域的开关晶体管电连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述主电源电压干布线与所述第二电极电连接。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，
所述辅助电源电压干布线的电位低于所述主电源电压干布线的电位。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极，
所述辅助电源电压干布线的电位高于所述主电源电压干布线的电位。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述主电源电压干布线与所述多条电源电压线电连接。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，
所述辅助电源电压干布线的电位高于所述主电源电压干布线的电位。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极，
所述辅助电源电压干布线的电位低于所述主电源电压干布线的电位。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，其具备：
第一主电源电压干布线，其与所述多条电源电压线电连接；
第一辅助电源电压干布线，其经由第一开关晶体管与所述第一主电源电压干布线电连接；
第二主电源电压干布线，其与所述第二电极电连接；以及
第二辅助电源电压干布线，其经由第二开关晶体管与所述第二主电源电压干布线电连接。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，
所述第一辅助电源电压干布线的电位高于所述第一主电源电压干布线的电位，
所述第二辅助电源电压干布线的电位低于所述第二主电源电压干布线的电位。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极，
所述第一辅助电源电压干布线的电位低于所述第一主电源电压干布线的电位，
所述第二辅助电源电压干布线的电位高于所述第二主电源电压干布线的电位。
11.根据权利要求2～4、8～10中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述边框区域具有：沟槽，其以包围所述显示区域的方式形成；第一堤栏，其以包围所述沟槽的方式设置；第二堤栏，其以包围所述第一堤栏的方式设置；以及密封膜，
所述主电源电压干布线与所述第二电极经由导电膜电连接，所述导电膜与所述第一电极是相同层且由相同材料构成，
所述第二电极和所述导电膜在所述沟槽处接触。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
所述主电源电压干布线设置为在所述沟槽与所述导电膜接触，
所述辅助电源电压干布线设置在所述第二堤栏与所述沟槽之间。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
所述主电源电压干布线设置在所述第一堤栏与所述显示区域之间，
所述辅助电源电压干布线设置在所述第二堤栏与所述第一堤栏之间。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述辅助电源电压干布线的电位是可变的。
15.根据权利要求1～14中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第二边框区域具有多个所述开关晶体管。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，
共同的控制布线电连接至所述多个开关晶体管各自的控制电极。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，
还具有多条控制布线，
所述多个控制布线分别与对应的所述多个开关晶体管中的至少1个控制电极电连接。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其特征在于，
所述多个开关晶体管根据与沿着对应的所述控制布线的所述端子部的间隔距离被分为多个组，
所述多条控制布线中共用的控制布线电连接至所述多个开关晶体管中属于相同组的开关晶体管的控制电极。
19.根据权利要求1～18中任一项所述的显示装置，其特征在于，
具有第三边框区域，其被夹在所述第一边框区域与所述第二边框区域之间，
所述第三边框区域包括所述主电源电压干布线和所述辅助电源电压干布线，
在所述第三边框区域的所述主电源电压干布线和所述辅助电源电压干布线之间还具有所述开关晶体管。
20.根据权利要求1～19中任一项所述的显示装置，其特征在于，
具有控制电路，其基于根据所述显示装置的显示图像计算所述显示装置的电源电压的IR降量的结果来控制所述开关晶体管的开闭。
21.根据权利要求1～19中任一项所述的显示装置，其特征在于，
具有控制电路，其根据检测出所述主电源电压干布线的节点与所述端子部之间的电位的结果来控制所述开关晶体管的开闭。
22.根据权利要求1～21中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述显示区域的周边形成有所述主电源电压干布线，以包围所述显示区域和所述主电源电压干布线的方式形成有所述辅助电源电压干布线。
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