CN114174433A - 树脂组合物、预浸料、带树脂的膜、带树脂的金属箔、覆金属箔层压板以及布线板 - Google Patents
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- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 229
- -1 prepreg Substances 0.000 title claims description 93
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 76
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 76
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 71
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 71
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims description 63
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 200
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 claims abstract description 134
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 111
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 67
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 67
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 claims abstract description 49
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 45
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 125000004054 acenaphthylenyl group Chemical group C1(=CC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 claims description 15
- HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N acetnaphthylene Natural products C1=CC(C=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 10
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 9
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 8
- 125000005439 maleimidyl group Chemical group C1(C=CC(N1*)=O)=O 0.000 claims description 7
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical group OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 5
- 229910000897 Babbitt (metal) Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000003011 styrenyl group Chemical class [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 claims 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 93
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 68
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 65
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 64
- 239000010408 film Substances 0.000 description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 description 46
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 42
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 38
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 30
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 27
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 24
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 23
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 23
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 21
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 20
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 19
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 18
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 18
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 14
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 12
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 11
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 11
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 10
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 10
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000005090 alkenylcarbonyl group Chemical group 0.000 description 9
- 125000004448 alkyl carbonyl group Chemical group 0.000 description 9
- 125000005087 alkynylcarbonyl group Chemical group 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- KOMNUTZXSVSERR-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(prop-2-enyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound C=CCN1C(=O)N(CC=C)C(=O)N(CC=C)C1=O KOMNUTZXSVSERR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 description 8
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 8
- 239000003444 phase transfer catalyst Substances 0.000 description 8
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 150000003923 2,5-pyrrolediones Chemical class 0.000 description 6
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 5
- CWJHMZONBMHMEI-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butylperoxy-3-propan-2-ylbenzene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC(OOC(C)(C)C)=C1 CWJHMZONBMHMEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005004 MAS NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 4
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 4
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920013636 polyphenyl ether polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 4
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 4
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- RGYRCSKRQNNKOE-UHFFFAOYSA-N 1-phenylacenaphthylene Chemical group C=12C3=CC=CC2=CC=CC=1C=C3C1=CC=CC=C1 RGYRCSKRQNNKOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IWTYTFSSTWXZFU-UHFFFAOYSA-N 3-chloroprop-1-enylbenzene Chemical compound ClCC=CC1=CC=CC=C1 IWTYTFSSTWXZFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 3
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- IPZJQDSFZGZEOY-UHFFFAOYSA-N dimethylmethylene Chemical group C[C]C IPZJQDSFZGZEOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 3
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 3
- JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HMDQPBSDHHTRNI-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-3-ethenylbenzene Chemical compound ClCC1=CC=CC(C=C)=C1 HMDQPBSDHHTRNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZRZHXNCATOYMJH-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-4-ethenylbenzene Chemical compound ClCC1=CC=C(C=C)C=C1 ZRZHXNCATOYMJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NXXYKOUNUYWIHA-UHFFFAOYSA-N 2,6-Dimethylphenol Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1O NXXYKOUNUYWIHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001494 2-propynyl group Chemical group [H]C#CC([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000005133 29Si NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M acrylate group Chemical group C(C=C)(=O)[O-] NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 2
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M methacrylate group Chemical group C(C(=C)C)(=O)[O-] CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)phosphinimyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)P(=N)(N(C)C)N(C)C GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 2
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- LTQBNYCMVZQRSD-UHFFFAOYSA-N (4-ethenylphenyl)-trimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C(C=C)C=C1 LTQBNYCMVZQRSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBRWPVTUQDJKCC-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(2-tert-butylperoxypropan-2-yl)benzene Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC(C(C)(C)OOC(C)(C)C)=C1 UBRWPVTUQDJKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEFYWTSOECIYBZ-UHFFFAOYSA-N 1-bromoacenaphthylene Chemical group C1=CC(C(Br)=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 QEFYWTSOECIYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUOZUYUGGOKLEA-UHFFFAOYSA-N 1-chloroacenaphthylene Chemical group C1=CC(C(Cl)=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 IUOZUYUGGOKLEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODJRITACLOVRQV-UHFFFAOYSA-N 1-ethylacenaphthylene Chemical group C1=CC(C(CC)=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 ODJRITACLOVRQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QALUZRZBRMSBPM-UHFFFAOYSA-N 1-methylacenaphthylene Chemical group C1=CC(C(C)=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 QALUZRZBRMSBPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- CYLVUSZHVURAOY-UHFFFAOYSA-N 2,2-dibromoethenylbenzene Chemical compound BrC(Br)=CC1=CC=CC=C1 CYLVUSZHVURAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQTCQNIPQMJNTI-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropan-1-one Chemical group CC(C)(C)[C]=O YQTCQNIPQMJNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODBCKCWTWALFKM-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis(tert-butylperoxy)-2,5-dimethylhex-3-yne Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C#CC(C)(C)OOC(C)(C)C ODBCKCWTWALFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVLZQVREHWQBJN-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethyl-7-oxabicyclo[2.2.1]hepta-1,3,5-triene Chemical compound CC1=C(O2)C(C)=CC2=C1 GVLZQVREHWQBJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUFBVQOUUNXQIO-UHFFFAOYSA-N 3-bromoacenaphthylene Chemical group C1=CC=C2C=CC3=C2C1=CC=C3Br CUFBVQOUUNXQIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004975 3-butenyl group Chemical group C(CC=C)* 0.000 description 1
- KKPSNHYXALQUBD-UHFFFAOYSA-N 3-chloroacenaphthylene Chemical group C1=CC=C2C=CC3=C2C1=CC=C3Cl KKPSNHYXALQUBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBOHCDFAAIZEQZ-UHFFFAOYSA-N 3-ethylacenaphthylene Chemical group C1=CC=C2C=CC3=C2C1=CC=C3CC XBOHCDFAAIZEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNPPYSNUWVGIGZ-UHFFFAOYSA-N 3-methylacenaphthylene Chemical group C1=CC=C2C=CC3=C2C1=CC=C3C DNPPYSNUWVGIGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNVVZLZOLHTXSL-UHFFFAOYSA-N 3-phenylacenaphthylene Chemical group C1=CC(C2=3)=CC=CC=3C=CC2=C1C1=CC=CC=C1 ZNVVZLZOLHTXSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDQWJFXZTAWJST-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C=C XDQWJFXZTAWJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODJUOZPKKHIEOZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)propan-2-yl]-2,6-dimethylphenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC(C(C)(C)C=2C=C(C)C(O)=C(C)C=2)=C1 ODJUOZPKKHIEOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLKWRPNSYYDOKD-UHFFFAOYSA-N 4-bromoacenaphthylene Chemical group C1=CC2=CC(Br)=CC(C=C3)=C2C3=C1 SLKWRPNSYYDOKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAGATIMEWIKWMN-UHFFFAOYSA-N 4-chloroacenaphthylene Chemical group C1=CC2=CC(Cl)=CC(C=C3)=C2C3=C1 DAGATIMEWIKWMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYYVMLCJGXKTAE-UHFFFAOYSA-N 4-ethylacenaphthylene Chemical group C1=CC2=CC(CC)=CC(C=C3)=C2C3=C1 AYYVMLCJGXKTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXVCPNMXBPKQDH-UHFFFAOYSA-N 4-methylacenaphthylene Chemical group C1=CC2=CC(C)=CC(C=C3)=C2C3=C1 GXVCPNMXBPKQDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSBAENYXNNUKBN-UHFFFAOYSA-N 4-phenylacenaphthylene Chemical group C=1C(C2=3)=CC=CC=3C=CC2=CC=1C1=CC=CC=C1 VSBAENYXNNUKBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 5-(2,4-dioxooxolan-3-yl)-7-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C(C(OC2=O)=O)C2C(C)=CC1C1C(=O)COC1=O FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSRUTZHGMSPRPZ-UHFFFAOYSA-N 5-bromoacenaphthylene Chemical group C1=CC2=CC=CC3=C2C1=CC=C3Br PSRUTZHGMSPRPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTEHXZOGYXPKKC-UHFFFAOYSA-N 5-chloroacenaphthylene Chemical group C1=CC2=CC=CC3=C2C1=CC=C3Cl VTEHXZOGYXPKKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEJCZQAOCVRCQO-UHFFFAOYSA-N 5-ethylacenaphthylene Chemical group C1=CC2=CC=CC3=C2C1=CC=C3CC BEJCZQAOCVRCQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQKTVYCWAAZXTJ-UHFFFAOYSA-N 5-methylacenaphthylene Chemical group C1=CC2=CC=CC3=C2C1=CC=C3C CQKTVYCWAAZXTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJPYKVVOFZQFBK-UHFFFAOYSA-N 5-phenylacenaphthylene Chemical group C=12C3=CC=CC=1C=CC2=CC=C3C1=CC=CC=C1 NJPYKVVOFZQFBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- HQLAGUDDYLICCN-UHFFFAOYSA-N C(=C)[Si](N[Si](N[Si](C=C)(C)C)(C)C)(C)C Chemical compound C(=C)[Si](N[Si](N[Si](C=C)(C)C)(C)C)(C)C HQLAGUDDYLICCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGFVRELEBBVNRX-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCCCCCC)C1=C(C=CC=C1)OCC1=CC=CC=C1 Chemical compound C(CCCCCCCCCCCCC)C1=C(C=CC=C1)OCC1=CC=CC=C1 ZGFVRELEBBVNRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABUDZQYCVWHZIQ-UHFFFAOYSA-N C=C.BrC1=C(C=CC=C1)Br Chemical compound C=C.BrC1=C(C=CC=C1)Br ABUDZQYCVWHZIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGIORJARZBKBHP-UHFFFAOYSA-N CC(C)OC(OOOC(C)(C)COC1=C(C(C)(C)C)C=C(C(C)(C)C)C=C1C(C)(C)C)=O Chemical compound CC(C)OC(OOOC(C)(C)COC1=C(C(C)(C)C)C=C(C(C)(C)C)C=C1C(C)(C)C)=O DGIORJARZBKBHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001134276 Homo sapiens S-methyl-5'-thioadenosine phosphorylase Proteins 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDBCAARATDAEFZ-UHFFFAOYSA-N N-methylsilyl-N-trimethylsilylmethanamine Chemical compound C[SiH2]N(C)[Si](C)(C)C NDBCAARATDAEFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 102100022050 Protein canopy homolog 2 Human genes 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N [(dimethyl-$l^{3}-silanyl)amino]-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)N[Si](C)C GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMOONIIMQBGTDU-VOTSOKGWSA-N [(e)-2-bromoethenyl]benzene Chemical compound Br\C=C\C1=CC=CC=C1 YMOONIIMQBGTDU-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- NCLNPSIKIBQDBM-UHFFFAOYSA-N [[[bis(ethenyl)-methylsilyl]amino]-ethenyl-methylsilyl]ethene Chemical compound C=C[Si](C=C)(C)N[Si](C)(C=C)C=C NCLNPSIKIBQDBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHOWCIXIMZMPAY-UHFFFAOYSA-N [[[dimethyl-(trimethylsilylamino)silyl]amino]-dimethylsilyl]methane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C NHOWCIXIMZMPAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYUIWUCVZCRTRH-UHFFFAOYSA-N [[[ethenyl(dimethyl)silyl]amino]-dimethylsilyl]ethene Chemical compound C=C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C=C WYUIWUCVZCRTRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWMFJACZEUJGTQ-UHFFFAOYSA-N [dimethyl-(trimethylsilylamino)silyl]ethene Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C=C OWMFJACZEUJGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEBCLRKUSAGCDF-UHFFFAOYSA-N ac1mi23b Chemical compound C1C2C3C(COC(=O)C=C)CCC3C1C(COC(=O)C=C)C2 VEBCLRKUSAGCDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004063 butyryl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001951 carbamoylamino group Chemical group C(N)(=O)N* 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 125000006639 cyclohexyl carbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- WHHGLZMJPXIBIX-UHFFFAOYSA-N decabromodiphenyl ether Chemical compound BrC1=C(Br)C(Br)=C(Br)C(Br)=C1OC1=C(Br)C(Br)=C(Br)C(Br)=C1Br WHHGLZMJPXIBIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005695 dehalogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006704 dehydrohalogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011033 desalting Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N deuterated chloroform Substances [2H]C(Cl)(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- KDBYJAXRGTUGSC-UHFFFAOYSA-N diphenoxyphosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1OPOC1=CC=CC=C1 KDBYJAXRGTUGSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- JHXRVOAOESLJHL-UHFFFAOYSA-N ethene;1,2,3,4,5-pentabromobenzene Chemical compound C=C.BrC1=CC(Br)=C(Br)C(Br)=C1Br.BrC1=CC(Br)=C(Br)C(Br)=C1Br JHXRVOAOESLJHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000012760 heat stabilizer Substances 0.000 description 1
- 125000003104 hexanoyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001208 nuclear magnetic resonance pulse sequence Methods 0.000 description 1
- OTLDLKLSNZMTTA-UHFFFAOYSA-N octahydro-1h-4,7-methanoindene-1,5-diyldimethanol Chemical compound C1C2C3C(CO)CCC3C1C(CO)C2 OTLDLKLSNZMTTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002801 octanoyl group Chemical group C(CCCCCCC)(=O)* 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical class O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005538 phosphinite group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 125000001501 propionyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCOC(=O)C(C)=C NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNXMTCDJUBJHQJ-UHFFFAOYSA-N propyl prop-2-enoate Chemical compound CCCOC(=O)C=C PNXMTCDJUBJHQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004819 silanols Chemical class 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002115 silicon-29 solid-state nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003856 thermoforming Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N triethoxy(hexyl)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OCC)(OCC)OCC NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDUKMRHNZZLJRB-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OCC)(OCC)OCC)CCC2OC21 UDUKMRHNZZLJRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
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Abstract
本发明一个方面是一种树脂组合物，其含有：末端被具有碳‑碳不饱和双键的取代基进行了改性的改性聚苯醚化合物；以及无机填充材料，其中，所述无机填充材料包含二氧化硅，在该二氧化硅中，硅烷醇基中所含的Si原子数相对于全部Si原子数的比率为3％以下。
Description
技术领域
本发明涉及树脂组合物、预浸料、带树脂的膜、带树脂的金属箔、覆金属箔层压板以及布线板。
背景技术
对于各种电子设备而言，随着信息处理量的增大，所搭载的半导体器件的高集成化、布线的高密度化、以及多层化等的安装技术日趋发展。此外，作为各种电子设备中所用的布线板，寻求例如车载用途中的毫米波雷达基板等应对高频的布线板。对于在各种电子设备中所用的布线板而言，为了提高信号的传输速度，要求减少信号传输时的损失；对于应对高频的布线板而言，尤其需要满足上述要求。为了满足该要求，对于用以构成各种电子设备中所用的布线板的基材的基板材料，要求介电常数及介电损耗因数低。
另一方面，对于基板材料等的成形材料，不仅要求低介电特性优异，还要求耐热性等也优异。因此，可以考虑：通过对于包含在基板材料中的树脂以其能够与固化剂等一起聚合的方式进行改性，例如导入乙烯基等，来提高耐热性。
作为该基板材料，可列举例如专利文献1中记载的组合物等。专利文献1中记载了一种固化性组合物，其包含：在分子内具有不饱和键的自由基聚合性化合物；指定量的含有金属氧化物的无机填充材料；以及指定量的具有酸性基团和碱性基团的分散剂，其中，相对于所述无机填充材料100质量份，所述金属氧化物的含量为80质量份以上且100质量份以下。根据专利文献1，公开了可以获得能够良好地制造介电特性及耐热性优异并且热膨胀率小的固化物的固化性组合物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利公开公报特开2016-56367号
发明内容
本发明的目的在于提供能够获得介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的树脂组合物。此外，本发明的目的在于提供一种使用所述树脂组合物制得的预浸料、带树脂的膜、带树脂的金属箔、覆金属箔层压板及布线板。
本发明一个方面是一种树脂组合物，其含有：末端被具有碳-碳不饱和双键的取代基进行了改性的改性聚苯醚化合物；以及无机填充材料，其中，所述无机填充材料包含二氧化硅，在该二氧化硅中，硅烷醇基中所含的Si原子数相对于全部Si原子数的比率为3％以下。
本发明另一个方面是一种树脂组合物，其含有：末端被具有碳-碳不饱和双键的取代基进行了改性的改性聚苯醚化合物；以及包含二氧化硅的无机填充材料，其中，从所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物提取的所述无机填充材料中，硅烷醇基中所含的Si原子数相对于全部Si原子数的比率为3％以下。
附图说明
图1是表示二氧化硅的固态29Si-NMR光谱的一例的图。
图2是表示本发明的实施方式涉及的预浸料的一例的示意性剖面图。
图3是表示本发明的实施方式涉及的覆金属箔层压板的一例的示意性剖面图。
图4是表示本发明的实施方式涉及的布线板的一例的示意性剖面图。
图5是表示本发明的实施方式涉及的带树脂的金属箔的一例的示意性剖面图。
图6是表示本发明的实施方式涉及的带树脂的膜的一例的示意性剖面图。
具体实施方式
本发明人们认为如专利文献1中记载的使用介电常数及介电损耗因数等介电特性低的树脂组合物而得的布线板可以降低信号传输时的损失，并着眼于此点。并且着眼于：对于布线板，要求进一步提高布线板中信号的传输速度；而且要求布线板难以受到外部环境变化等的影响。例如，对于用以构成布线板基材的基板材料，要求可以得到耐热性优异的固化物，使得即使在温度高的环境下也可以使用布线板。此外，对于布线板的基材，还要求即使吸水也可以维持其低介电特性，使得即使在湿度高的环境下也可以使用布线板。因此，对于用以构成布线板基材的基板材料，要求可以得到充分抑制了因吸水导致的介电常数及介电损耗因数等上升的固化物、即可以得到即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物。
本发明人们进行了各种研究，结果发现：通过以下的本发明可以实现上述目的，即提供能够获得介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的树脂组合物。
为了使所得到的固化物介电特性低、并且即使在吸水处理后也维持其低介电特性，本发明人们着眼于树脂组合物所含的成分并进行了研究。根据本发明人们的研究，发现：该低介电特性维持等受到作为树脂组合物中所含的无机填充材料的二氧化硅中存在的硅烷醇基量的影响。于是，本发明人们进行了各种研究，其结果着眼于作为无机填充材料而使用的二氧化硅中存在的硅烷醇基的量，从而发现了如后所述的本发明。
以下对于本发明涉及的实施方式进行说明，但本发明不限定于这些实施方式。
[树脂组合物]
本发明的实施方式涉及树脂组合物，其含有：末端被具有碳-碳不饱和双键的取代基进行了改性的改性聚苯醚化合物；以及无机填充材料，其中，所述无机填充材料包含二氧化硅，在该二氧化硅中，硅烷醇基中所含的Si原子数相对于全部Si原子数的比率为3％以下。
如上所述，所述二氧化硅中，硅烷醇基中所含的Si原子数相对于全部Si原子数的比率为3％以下。即，构成所述二氧化硅中所含的硅烷醇基的Si原子在所述二氧化硅中所含的全部Si原子中占3％以下。通过使包含所述改性聚苯醚化合物的树脂组合物含有该硅烷醇基少的二氧化硅来作为无机填充材料，从而可以获得能够得到介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的树脂组合物。认为这是基于如下理由。
首先，认为：将包含所述改性聚苯醚化合物的树脂组合物固化而得到的固化物发挥聚苯醚所具有的优异的低介电特性并可以提高耐热性。因此，认为：将包含所述改性聚苯醚化合物的树脂组合物固化而得到的固化物的耐热性及低介电特性优异。此外，认为：通过使用包含所述二氧化硅的无机填充材料来作为所述树脂组合物中所含的无机填充材料，从而所述树脂组合物的固化物介电特性低、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持其低介电特性。据此，认为：所述树脂组合物是能够获得介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的树脂组合物。
(改性聚苯醚化合物)
所述改性聚苯醚化合物只要是末端被具有碳-碳不饱和双键的取代基进行了改性的改性聚苯醚化合物，则没有特别限定。
作为所述具有碳-碳不饱和双键的取代基，没有特别限定。作为所述取代基，可列举例如由下述式(1)表示的取代基以及由下述式(2)表示的取代基等。
式(1)中，p表示0～10的整数。此外，Z表示亚芳基。此外，R1～R3分别独立。即，R1～R3分别可以为相同的基团，也可以为不同的基团。此外，R1～R3表示氢原子或烷基。
需要说明的是，式(1)中，在p为0的情况下，表示Z与聚苯醚的末端直接键合。
该亚芳基没有特别限定。作为该亚芳基，例如可列举：亚苯基等单环芳族基；芳族并非单环而是萘环等多环芳族的多环芳族基等。此外，该亚芳基还包含键合于芳环的氢原子被烯基、炔基、甲酰基、烷基羰基、烯基羰基或者炔基羰基等官能团取代而成的衍生物。此外，所述烷基没有特别限定，例如，优选为碳数1～18的烷基，更优选为碳数1～10的烷基。具体而言，可列举例如甲基、乙基、丙基、己基及癸基等。
式(2)中，R4表示氢原子或烷基。所述烷基并没有特别限定，例如优选为碳数1～18的烷基，更优选为碳数1～10的烷基。具体而言，可列举例如甲基、乙基、丙基、己基及癸基等。
作为由所述式(1)表示的取代基的优选的具体例，可列举例如包含乙烯基苄基的取代基等。作为包含所述乙烯基苄基的取代基，可列举例如由下述式(3)表示的取代基等。此外，作为所述式(2)所示的取代基，可列举例如丙烯酸酯基以及甲基丙烯酸酯基等。
作为所述取代基，更具体而言，可列举例如：乙烯基苄基(乙烯苄基)、乙烯基苯基、丙烯酸酯基及甲基丙烯酸酯基等。此外，作为所述乙烯基苄基，可以是邻乙烯苄基、间乙烯苄基及对乙烯苄基中的任意一种，也可以是两种以上。
所述改性聚苯醚化合物在分子内具有聚苯醚链，例如优选在分子内具有下述式(4)所示的重复单元。
式(4)中，t表示1～50。此外，R5～R8分别独立。即，R5～R8分别可以为相同的基团，也可以为不同的基团。此外，R5～R8表示氢原子、烷基、烯基、炔基、甲酰基、烷基羰基、烯基羰基或炔基羰基。其中，优选为氢原子及烷基。
R5～R8中，作为所列举的各官能团，具体而言可列举如下的基团。
烷基没有特别限定，例如优选为碳数1～18的烷基，更优选为碳数1～10的烷基。具体而言，可列举例如：甲基、乙基、丙基、己基及癸基等。
烯基没有特别限定，例如优选为碳数2～18的烯基，更优选为碳数2～10的烯基。具体而言，可列举例如：乙烯基、烯丙基及3-丁烯基等。
炔基没有特别限定，例如优选为碳数2～18的炔基，更优选为碳数2～10的炔基。具体而言，可列举例如：乙炔基及丙-2-炔-1-基(炔丙基)等。
烷基羰基只要是被烷基取代的羰基，则没有特别限定，例如优选为碳数2～18的烷基羰基，更优选为碳数2～10的烷基羰基。具体而言，可列举例如：乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、新戊酰基、己酰基、辛酰基及环己基羰基等。
烯基羰基只要是被烯基取代的羰基，则没有特别限定，例如优选为碳数3～18的烯基羰基，更优选为碳数3～10的烯基羰基。具体而言，可列举例如丙烯酰基、甲基丙烯酰基及巴豆酰基等。
炔基羰基只要是被炔基取代的羰基，则没有特别限定，例如优选为碳数3～18的炔基羰基，更优选为碳数3～10的炔基羰基。具体而言，可列举例如丙炔酰基等。
所述改性聚苯醚化合物的重均分子量(Mw)没有特别限定。具体而言，优选为500～5000，更优选为800～4000，进一步优选为1000～3000。需要说明的是，此处，重均分子量只要是以通常的分子量测定方法进行测定而得的值即可，具体而言，可列举使用凝胶渗透色谱法(GPC)测得的值等。此外，改性聚苯醚化合物在分子内具有所述式(4)所示的重复单元的情况下，t优选为使得改性聚苯醚化合物的重均分子量处于上述范围内的数值。具体而言，t优选为1～50。
如果所述改性聚苯醚化合物的重均分子量处于上述范围内，则改性聚苯醚化合物不仅具有聚苯醚所具有的优异的低介电特性，固化物的耐热性更优异，而且成形性也优异。认为其原因如下。在通常的聚苯醚中，如果其重均分子量处于上述范围内，则分子量比较低，因此有固化物的耐热性降低的倾向。关于这一点，认为：由于本实施方式所涉及的改性聚苯醚化合物在末端具有1个以上的不饱和双键，因此固化物可以获得足够高的耐热性。此外，认为：如果改性聚苯醚化合物的重均分子量处于上述范围内，则因为分子量较低，所以成形性也优异。因此，认为：该改性聚苯醚化合物可以获得不仅固化物的耐热性更为优异，而且成形性也优异的效果。
所述改性聚苯醚化合物中的每一分子改性聚苯醚化合物在分子末端所具有的所述取代基的平均个数(末端官能团数)，没有特别限定。具体而言，所述末端官能团数优选为1～5个，更优选为1～3个，进一步优选为1.5～3个。如果该末端官能团数过少，则存在难以获得具有充分耐热性的固化物的倾向。此外，如果末端官能团数过多，则反应性变得过高，存在可能会发生例如树脂组合物的保存性降低、或者树脂组合物的流动性降低等不良状况之虞。即，如果使用该改性聚苯醚化合物，则因流动性不足等而可能会产生成形性的问题，例如，在多层成形时产生形成空洞等成形缺陷，难以获得可靠性高的印刷布线板。
需要说明的是，改性聚苯醚化合物的末端官能团数可列举：表示存在于1摩尔改性聚苯醚化合物中的所有改性聚苯醚化合物的每一分子的所述取代基的平均值的数值等。该末端官能团数例如可以通过测定所得改性聚苯醚化合物中残存的羟基数并算出与改性前的聚苯醚的羟基数相比的减少量来测定。该与改性前的聚苯醚的羟基数相比的减少量即为末端官能团数。并且，改性聚苯醚化合物中残存的羟基数的测定方法，可以通过在改性聚苯醚化合物的溶液中添加与羟基缔合的季铵盐(氢氧化四乙铵)，并测定该混合溶液的UV吸光度而求出。
所述改性聚苯醚化合物的特性粘数没有特别限定。具体而言，只要为0.03～0.12dl/g即可，但优选为0.04～0.11dl/g，更优选为0.06～0.095dl/g。如果该特性粘数过低，则有分子量低的倾向，且有难以获得低介电常数及低介电损耗因数等低介电性的倾向。此外，如果特性粘数过高，则有粘度高，难以获得充分的流动性，固化物的成形性降低的倾向。因此，只要改性聚苯醚化合物的特性粘数在上述范围内，就可以实现优异的固化物的耐热性及成形性。
需要说明的是，此处的特性粘数是指在25℃的二氯甲烷中测定的特性粘数，更具体而言，例如是用粘度计测定0.18g/45ml的二氯甲烷溶液(液温25℃)所得的值等。作为该粘度计，例如可列举肖特(Schott)公司制造的AVS500 Visco System等。
作为所述改性聚苯醚化合物，可列举例如下述式(5)所示的改性聚苯醚化合物、以及下述式(6)所示的改性聚苯醚化合物等。此外，作为所述改性聚苯醚化合物，可以单独使用这些改性聚苯醚化合物，也可以将这两种改性聚苯醚化合物组合使用。
式(5)及式(6)中，R9～R16以及R17～R24各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、炔基、甲酰基、烷基羰基、烯基羰基、或炔基羰基。X1及X2各自独立地表示具有碳-碳不饱和双键的取代基。A及B分别表示下述式(7)及下述式(8)所示的重复单元。此外，式(6)中，Y表示碳数20以下的直链状、支链状、或环状的烃。
式(7)及式(8)中，m及n分别表示0～20。R25～R28以及R29～R32分别独立地表示氢原子、烷基、烯基、炔基、甲酰基、烷基羰基、烯基羰基或炔基羰基。
所述式(5)所示的改性聚苯醚化合物以及所述式(6)所示的改性聚苯醚化合物只要是满足上述构成的化合物，则没有特别限定。具体而言，所述式(5)及所述式(6)中，如上所述，R9～R16以及R17～R24分别独立。即，R9～R16以及R17～R24分别可以为相同的基团，也可以为不同的基团。此外，R9～R16以及R17～R24表示氢原子、烷基、烯基、炔基、甲酰基、烷基羰基、烯基羰基或炔基羰基。其中，优选为氢原子及烷基。
式(7)及式(8)中，m及n分别如上所述优选表示0～20。此外，对于m及n而言，m与n的合计值优选表示为1～30的数值。因此，更优选的是，m表示0～20，n表示0～20，m与n的合计表示1～30。此外，R25～R28以及R29～R32分别独立。即，R25～R28以及R29～R32分别可以为相同的基团，也可以为不同的基团。此外，R25～R28以及R29～R32表示氢原子、烷基、烯基、炔基、甲酰基、烷基羰基、烯基羰基或炔基羰基。其中，优选为氢原子及烷基。
R9～R32与上述式(4)中的R5～R8相同。
所述式(6)中，如上所述地Y为碳数20以下的直链状、支链状或环状的烃。作为Y，可列举例如下述式(9)所示的基团等。
所述式(9)中，R33及R34分别独立地表示氢原子或烷基。作为所述烷基，可列举例如甲基等。此外，作为式(9)所示基团，可列举例如亚甲基、甲基亚甲基及二甲基亚甲基等，其中，优选二甲基亚甲基。
所述式(5)及所述式(6)中，X1及X2分别独立地表示具有碳-碳不饱和双键的取代基。作为该取代基X1及X2，只要是具有碳-碳不饱和双键的取代基，则没有特别限定。作为所述取代基X1及X2，可列举例如由上述式(1)表示的取代基以及由上述式(2)表示的取代基等。需要说明的是，在所述式(5)所示的改性聚苯醚化合物及所述式(6)所示的改性聚苯醚化合物中，X1及X2可以分别为相同的取代基，也可以分别为不同的取代基。
作为所述式(5)所示的改性聚苯醚化合物的更具体的示例，可列举例如下述式(10)所示的改性聚苯醚化合物等。
作为所述式(6)所示的改性聚苯醚化合物的更具体的示例，可列举例如下述式(11)所示的改性聚苯醚化合物以及下述式(12)所示的改性聚苯醚化合物等。
上述式(10)～式(12)中，m及n与上述式(7)及上述式(8)中的m及n相同。此外，上述式(10)及上述式(11)中，R1～R3、p及Z与上述式(1)中的R1～R3、p及Z相同。此外，上述式(11)及上述式(12)中，Y与上述式(6)中的Y相同。此外，所述式(12)中，R4与所述式(2)中的R4相同。
本实施方式中所用的改性聚苯醚化合物的合成方法，只要可以合成利用具有碳-碳不饱和双键的取代基进行了末端改性的改性聚苯醚化合物，则没有特别限定。具体而言，可列举：使聚苯醚与键合有具有碳-碳不饱和双键的取代基及卤素原子的化合物进行反应的方法等。
作为键合有具有碳-碳不饱和双键的取代基及卤素原子的化合物，可列举：例如键合有所述式(1)～(3)所示的取代基及卤素原子的化合物等。作为所述卤素原子，具体而言，可列举氯原子、溴原子、碘原子及氟原子，其中优选为氯原子。作为键合有具有碳-碳不饱和双键的取代基及卤素原子的化合物，更具体而言，可列举：对氯甲基苯乙烯、间氯甲基苯乙烯等。
作为原料的聚苯醚，只要是最终能够合成指定的改性聚苯醚化合物的聚苯醚，则没有特别限定。具体而言，可列举：以包含“2，6-二甲基苯酚”及“双官能酚和三官能酚中的至少任一者”的聚苯醚、或者聚(2，6-二甲基-1，4-苯醚)等聚苯醚为主要成分的化合物等。此外，所谓双官能酚是在分子内具有两个酚式羟基的酚化合物，例如可列举四甲基双酚A等。此外，所谓三官能酚是在分子内具有三个酚式羟基的酚化合物。
改性聚苯醚化合物的合成方法可列举上述的方法。具体而言，使如上所述的聚苯醚与键合有具有碳-碳不饱和双键的取代基及卤素原子的化合物溶解于溶剂中并进行搅拌。由此，聚苯醚与键合有具有碳-碳不饱和双键的取代基及卤素原子的化合物反应，得到本实施方式中所用的改性聚苯醚化合物。
在所述反应之际，优选在碱金属氢氧化物的存在下进行。认为如此能够使该反应良好地进行。认为其原因在于：碱金属氢氧化物作为脱卤化氢剂，具体而言，作为脱盐酸剂发挥作用。即，认为：碱金属氢氧化物使卤化氢从聚苯醚的酚基与键合有具有碳-碳不饱和双键的取代基及卤素原子的化合物中脱离，由此，具有碳-碳不饱和双键的取代基代替聚苯醚的酚基的氢原子而键合于酚基的氧原子。
碱金属氢氧化物只要能够作为脱卤化剂发挥作用，则没有特别限定，例如可列举氢氧化钠等。此外，碱金属氢氧化物通常以水溶液的状态使用，具体而言，作为氢氧化钠水溶液使用。
反应时间或反应温度等反应条件根据键合有具有碳-碳不饱和双键的取代基及卤素原子的化合物等而不同，只要是可以使上述反应良好地进行的条件，则没有特别限定。具体而言，反应温度优选为室温～100℃，更优选为30～100℃。此外，反应时间优选为0.5～20小时，更优选为0.5～10小时。
反应时所用的溶剂只要能够使聚苯醚与键合有具有碳-碳不饱和双键的取代基及卤素原子的化合物溶解，且不会阻碍聚苯醚与键合有具有碳-碳不饱和双键的取代基及卤素原子的化合物的反应，则没有特别限定。具体而言可列举甲苯等。
优选将上述反应在不仅存在碱金属氢氧化物，而且也存在相转移催化剂的状态下进行。即，优选将上述反应在碱金属氢氧化物及相转移催化剂的存在下进行。认为如此能够使上述反应更好地进行。认为这是基于如下理由。认为：这是因为相转移催化剂是如下的催化剂，即，具有引入碱金属氢氧化物的功能，可溶于水之类的极性溶剂相及有机溶剂之类的非极性溶剂相这两相，并能够在这些相之间移动。具体而言，认为：当使用氢氧化钠水溶液作为碱金属氢氧化物，并使用与水不相容的甲苯等有机溶剂作为溶剂时，即使将氢氧化钠水溶液滴加到供反应的溶剂中，溶剂与氢氧化钠水溶液也会分离，氢氧化钠难以迁移到溶剂中。于是，认为：作为碱金属氢氧化物而添加的氢氧化钠水溶液难以有助于促进反应。与此相对，认为：若在碱金属氢氧化物及相转移催化剂的存在下进行反应，则碱金属氢氧化物会在被导入相转移催化剂的状态下迁移到溶剂中，氢氧化钠水溶液变得容易有助于促进反应。因此，认为：若在碱金属氢氧化物及相转移催化剂的存在下进行反应，则上述反应将更好地进行。
相转移催化剂没有特别限定，例如可列举四正丁基溴化铵等季铵盐等。
本实施方式中所用的树脂组合物优选包含：如上所述获得的改性聚苯醚化合物，作为所述改性聚苯醚化合物。
(固化剂)
作为所述固化剂，只要是能够与所述改性聚苯醚化合物反应并且使含有所述改性聚苯醚化合物的树脂组合物固化的固化剂，则没有特别限定。关于所述固化剂，可列举在分子内具有至少1个以上的有助于与所述改性聚苯醚化合物的反应的官能团的固化剂等。作为所述固化剂，可列举例如苯乙烯、苯乙烯衍生物、在分子内具有丙烯酰基的化合物、在分子内具有甲基丙烯酰基的化合物、在分子内具有乙烯基的化合物、在分子内具有烯丙基的化合物、在分子内具有马来酰亚胺基的化合物、在分子内具有苊烯结构的化合物、以及在分子内具有异氰脲酸酯基的异氰脲酸酯化合物等。
作为所述苯乙烯衍生物，可列举例如：溴苯乙烯及二溴苯乙烯等。
所述在分子内具有丙烯酰基的化合物是丙烯酸酯化合物。作为所述丙烯酸酯化合物，可列举：在分子内具有1个丙烯酰基的单官能丙烯酸酯化合物、以及在分子内具有2个以上的丙烯酰基的多官能丙烯酸酯化合物。作为所述单官能丙烯酸酯化合物，可列举例如：丙烯酸甲基酯、丙烯酸乙基酯、丙烯酸丙基酯、及丙烯酸丁基酯等。作为所述多官能丙烯酸酯化合物，可列举例如三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯等。
所述在分子内具有甲基丙烯酰基的化合物是甲基丙烯酸酯化合物。作为所述甲基丙烯酸酯化合物，可列举：在分子内具有1个甲基丙烯酰基的单官能甲基丙烯酸酯化合物、以及在分子内具有2个以上的甲基丙烯酰基的多官能甲基丙烯酸酯化合物。作为所述单官能甲基丙烯酸酯化合物，可列举例如：甲基丙烯酸甲基酯、甲基丙烯酸乙基酯、甲基丙烯酸丙基酯、及甲基丙烯酸丁基酯等。作为所述多官能甲基丙烯酸酯化合物，可列举例如三环癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯等。
所述在分子内具有乙烯基的化合物是乙烯基化合物。作为所述乙烯基化合物，可列举：在分子内具有1个乙烯基的单官能乙烯基化合物(单乙烯基化合物)、以及在分子内具有2个以上的乙烯基的多官能乙烯基化合物。作为所述多官能乙烯基化合物，可列举例如：二乙烯基苯及聚丁二烯等。
所述在分子内具有烯丙基的化合物是烯丙基化合物。作为所述烯丙基化合物，可列举：在分子内具有1个烯丙基的单官能烯丙基化合物、以及在分子内具有2个以上的烯丙基的多官能烯丙基化合物。作为所述多官能烯丙基化合物，可列举例如邻苯二甲酸二烯丙酯(DAP)等。
所述在分子内具有马来酰亚胺基的化合物是马来酰亚胺化合物。作为所述马来酰亚胺化合物，可列举：在分子内具有1个马来酰亚胺基的单官能马来酰亚胺化合物、在分子内具有2个以上的马来酰亚胺基的多官能马来酰亚胺化合物、以及改性马来酰亚胺化合物等。作为所述改性马来酰亚胺化合物，可列举例如：分子内的一部分被胺化合物改性的改性马来酰亚胺化合物、分子内的一部分被有机硅化合物改性的改性马来酰亚胺化合物、以及、分子内的一部分被胺化合物及有机硅化合物改性的改性马来酰亚胺化合物等。
所述在分子内具有苊烯结构的化合物是苊烯化合物。作为所述苊烯化合物，可列举例如：苊烯、烷基苊烯类、卤代苊烯类、及苯基苊烯类等。作为所述烷基苊烯类，可列举例如：1-甲基苊烯、3-甲基苊烯、4-甲基苊烯、5-甲基苊烯、1-乙基苊烯、3-乙基苊烯、4-乙基苊烯、5-乙基苊烯等。作为所述卤代苊烯类，可列举例如：1-氯苊烯、3-氯苊烯、4-氯苊烯、5-氯苊烯、1-溴苊烯、3-溴苊烯、4-溴苊烯、5-溴苊烯等。作为所述苯基苊烯类，可列举例如：1-苯基苊烯、3-苯基苊烯、4-苯基苊烯、5-苯基苊烯等。作为所述苊烯化合物，可以是如上所述那样的在分子内具有1个苊烯结构的单官能苊烯化合物，也可以是在分子内具有2个以上的苊烯结构的多官能苊烯化合物。
所述在分子内具有异氰脲酸酯基的化合物是异氰脲酸酯化合物。作为所述异氰脲酸酯化合物，可列举在分子内进一步具有烯基的化合物(烯基异氰脲酸酯化合物)等，可列举例如三烯丙基异氰脲酸酯(TAIC)等的三烯基异氰脲酸酯化合物等。
关于所述固化剂而言，在上述之中，优选例如：在分子内具有2个以上的丙烯酰基的多官能丙烯酸酯化合物、在分子内具有2个以上的甲基丙烯酰基的多官能甲基丙烯酸酯化合物、在分子内具有2个以上的乙烯基的多官能乙烯基化合物、苯乙烯衍生物、在分子内具有烯丙基的烯丙基化合物、在分子内具有马来酰亚胺基的马来酰亚胺化合物、在分子内具有苊烯结构的苊烯化合物、以及在分子内具有异氰脲酸酯基的异氰脲酸酯化合物。
关于所述固化剂而言，可以单独使用上述固化剂，也可以将两种以上组合使用。
所述固化剂的重均分子量优选为100～5000，更优选为100～4000，进一步优选为100～3000。如果所述固化剂的重均分子量过低，则存在所述固化剂有可能容易从树脂组合物的配合成分体系挥发之虞。此外，如果所述固化剂的重均分子量过高，则存在树脂组合物的清漆的粘度、或者加热成形时的熔体粘度变得过高之虞。因此，如果所述固化剂的重均分子量在该范围内，则可以得到固化物的耐热性更优异的树脂组合物。认为其理由在于：通过与所述改性聚苯醚化合物的反应，可以使含有所述改性聚苯醚化合物的树脂组合物良好地固化。需要说明的是，此处，重均分子量只要是以通常的分子量测定方法进行测定而得的值即可，具体而言，可列举使用凝胶渗透色谱法(GPC)测得的值等。
关于所述固化剂而言，每一分子所述固化剂中的有助于与所述改性聚苯醚化合物的反应的官能团的平均个数(官能团数)，根据所述固化剂的重均分子量而不同，例如优选为1～20个，更优选为2～18个。如果该官能团数过少，则存在难以获得具有充分耐热性的固化物的倾向。此外，如果官能团数过多，则反应性变得过高，存在可能会产生例如树脂组合物的保存性降低、或树脂组合物的流动性降低等不良状况之虞。
(无机填充材料)
如上所述，所述无机填充材料包含硅烷醇基中所含的Si原子数相对于全部Si原子数的比率为3％以下的二氧化硅。相对于所述无机填充材料总量，所述二氧化硅的含量优选为50～100质量％，更优选为70～100质量％。此外，所述无机填充材料可以含有所述二氧化硅以外的无机填充材料，但优选仅包含所述二氧化硅。即，相对于所述无机填充材料总量，所述二氧化硅的含量优选为100质量％。
关于所述二氧化硅而言，硅烷醇基中所含的Si原子数相对于全部Si原子数的比率为3％以下，优选为2.5％以下，更优选为2％以下。此外，该比率越低越好，但实际上极限是0.1％左右。因此，所述比率优选为0.1～3％。
二氧化硅中的硅烷醇基中所含的Si原子数相对于全部Si原子数的比率只要可以测定二氧化硅所包含的硅烷醇基(Si-OH)中所含的Si原子数相对于二氧化硅所包含的Si原子数的比率，则没有特别限定。具体而言，可以如下地测定。
首先，二氧化硅可以具有3个OH基与Si原子键合的Q1结构、2个OH基与Si原子键合的Q2结构、1个OH基与Si原子键合的Q3结构、以及OH基不与Si原子键合的Q4结构。需要说明的是，所述Q1结构为下述式(13)所示结构，所述Q2结构为下述式(14)所示结构，所述Q3结构为下述式(15)所示结构，所述Q4结构为下述式(16)所示结构。
在上述结构中，具有硅烷醇基的结构是所述Q1结构、所述Q2结构和所述Q3结构。通过测定求出的硅烷醇基中所含的Si原子数是指至少有1个OH基被键合的Si原子数，即、所述Q1结构、所述Q2结构及所述Q3结构的合计数。需要说明的是，作为硅烷醇基的量，可以以硅烷醇基中所含的Si原子相对于全部Si原子数的比例进行评价，也可以以硅烷醇基中所含的Si原子相对于所述Q4结构数的比例进行评价。此外，实际上，由于二氧化硅中几乎不存在所述Q1结构，所以所述硅烷醇基中所含的Si原子数与所述Q2结构和所述Q3结构的合计数含义相同，也可以说全部Si原子数与所述Q2结构、所述Q3结构和所述Q4结构的合计数含义相同。基于这些理由，在本实施方式中，作为硅烷醇基的量，以所述Q2结构和所述Q3结构的合计数相对于所述Q2结构、所述Q3结构及所述Q4结构的合计数的数的比例来进行评价。即，在本实施方式中，硅烷醇基中所含的Si原子数相对于全部Si原子数的比率为所述Q2结构和所述Q3结构的合计数相对于所述Q2结构、所述Q3结构及所述Q4结构的合计数的数的比例。
首先，通过偶极去耦(Dipolar Decoupling：DD)法进行固态29Si-NMR测定，如图1所示，获得二氧化硅的光谱。需要说明的是，图1是表示二氧化硅的固态29Si-NMR光谱101的一例的图。在二氧化硅的固态29Si-NMR光谱中，得到来源于所述Q2结构、所述Q3结构及所述Q4结构各自所含的硅的峰102、103及104重叠的光谱。需要说明的是，该所得到的二氧化硅的固态29Si-NMR光谱101是二氧化硅的固态29Si-NMR光谱的一例，虽然各峰的大小因二氧化硅而异，但可以得到所述峰102、103及104(或者所述峰103及104)重叠的光谱。
接着，由于所得到的光谱101如上所述是作为所述峰102、103及104(或者所述峰103及104)重叠的光谱而获得的，因此对其进行波形分离。由此，如图1所示，得到所述峰102、103及104。即，根据所述得到的光谱的属性，峰顶在-90ppm附近且在-85～-95ppm附近具有宽的峰102的表示所述Q2结构，峰顶在-100ppm附近且在-96～-105ppm附近具有宽的峰103的表示所述Q3结构，峰顶在-110ppm附近且在-106～-115ppm附近具有宽的峰104的表示所述Q4结构。需要说明的是，如上所述，所述Q1结构几乎不存在。
然后，根据所得到的各峰，求出各峰面积(积分面积)。需要说明的是，各峰面积例如通过以下方法求出。作为所述Q2结构的峰面积，得到峰顶在-90ppm附近的峰的面积(积分值)。即，作为所述Q2结构的峰面积，求出被峰102包围的面积(例如，被峰102和基线或X轴包围的面积)。此外，作为所述Q3结构的峰面积，求出峰顶为-100ppm的峰的面积(积分值)。即，作为所述Q3结构的峰面积，求出被峰103包围的面积(例如，被峰103和基线或X轴包围的面积)。此外，作为所述Q4结构的峰面积，求出峰顶为-110ppm的峰的面积(积分值)。即，作为所述Q4结构的峰面积，求出被峰104包围的面积(例如，被峰104和基线或X轴包围的面积)。然后，将所述Q2结构、所述Q3结构及所述Q4结构的峰面积(积分面积)分别设为SQ2、SQ3及SQ4，算出所述Q2结构和所述Q3结构的合计数相对于所述Q2结构、所述Q3结构及所述Q4结构的合计数的数的比例(＝(SQ2+SQ3)/(SQ2+SQ3+SQ4)×100(％))，作为硅烷醇基数相对于Si原子数的比率。
根据这些情况，关于所述二氧化硅而言，通过偶极去耦(Dipolar Decoupling：DD)法进行固态29Si-NMR测定而得到所述二氧化硅的光谱，并对所得到的光谱进行波形分离，将所述Q2结构、所述Q3结构及所述Q4结构各自的峰面积(积分面积)计算为SQ2、SQ3及SQ4的硅烷醇基量(＝(SQ2+SQ3)/(SQ2+SQ3+SQ4)×100(％))为3％以下。需要说明的是，此处，所述Q2结构、所述Q3结构及所述Q4结构各自的峰面积如上所述可列举例如：通过求出峰顶为-90ppm的峰的面积(积分值)、峰顶为-100ppm的峰的面积(积分值)、以及峰顶为-110ppm的峰的面积(积分值)而求出的值等。
所述二氧化硅的体积平均粒径没有特别限定，例如优选为0.1～5μm，更优选为0.3～1μm。如果所述二氧化硅的体积平均粒径在上述范围内，则含有所述二氧化硅的树脂组合物可以获得介电特性低且耐热性更高、并且即使在吸水处理后也可以更好地维持低介电特性的固化物。需要说明的是，此处的体积平均粒径可以根据通过动态光散射法等公知的方法测定的粒径分布计算出来。例如，可以使用粒度计(贝克曼库尔特株式会社制造的Multisizer3)等进行测定。
所述二氧化硅只要所述硅烷醇基量为3％以下就没有特别限定，可列举例如球状二氧化硅及无定形二氧化硅等。作为所述二氧化硅，例如优选球状无定形二氧化硅。此外，所述二氧化硅可列举例如通过以下方法制造的二氧化硅等。
作为所述二氧化硅，可列举实施了减少存在于表面上的OH基的表面处理的二氧化硅等。作为所述表面处理，可列举使所述硅烷醇基量成为3％以下的处理，可列举例如利用硅烷偶联剂和有机硅氮烷等进行的处理等。作为所述二氧化硅的一例，具体而言，可列举用在分子内具有有机官能团和烷氧基的硅烷偶联剂(第一硅烷偶联剂)对二氧化硅进行处理后，用有机硅氮烷进行处理(有机硅氮烷处理)的二氧化硅等。此外，作为所述二氧化硅的其它一例，具体而言，可列举在所述有机硅氮烷处理中，替换为在分子内具有烷基和烷氧基的硅烷偶联剂(第二硅烷偶联剂)而进行处理，然后，另外用有机硅氮烷进行处理而得到的二氧化硅等。即，当用在分子内具有有机官能团和烷氧基的硅烷偶联剂(第一硅烷偶联剂)对二氧化硅进行处理后，用有机硅氮烷进行处理时，将有机硅氮烷的一部分替换为在分子内具有烷基和烷氧基的硅烷偶联剂(第二硅烷偶联剂)，用所述有机硅氮烷和所述第二硅烷偶联剂进行处理，然后用有机硅氮烷进行处理的二氧化硅等。所述二氧化硅并不限定于所述两种二氧化硅，但优选这些所述两种二氧化硅，尤其在所述两种二氧化硅中，更优选使用第二硅烷偶联获得的二氧化硅。
所述第一硅烷偶联剂只要是在分子内具有有机官能团和烷氧基的硅烷偶联剂，则没有特别限定。作为所述第一硅烷偶联剂，可列举例如在分子内具有1个有机官能团和3个烷氧基的硅烷偶联剂等。作为所述有机官能团，可列举与有机材料进行化学键合的反应基团等，可列举例如苯基、乙烯基、环氧基、甲基丙烯酰基、氨基、脲基、巯基、异氰酸酯基及丙烯酰基等。作为所述第一硅烷偶联剂，可列举例如苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、2-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、2-(3，4-环氧环己基)乙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油丙氧基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油丙氧基三乙氧基硅烷、对苯乙烯基三甲氧基硅烷、对苯乙烯基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷及N-苯基-3-氨基丙基三乙氧基硅烷等。作为所述第一硅烷偶联剂，可以单独使用上述硅烷偶联剂，也可以将两种以上组合使用。
所述有机硅氮烷没有特别限定，可以使用公知的有机硅氮烷。作为所述有机硅氮烷，可列举例如：四甲基二硅氮烷、六甲基二硅氮烷、五甲基二硅氮烷、1-乙烯基五甲基二硅氮烷、1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氮烷、及1，3-二甲基-1，1，3，3-四乙烯基二硅氮烷等有机二硅氮烷；和八甲基三硅氮烷及1，5-二乙烯基六甲基三硅氮烷等有机三硅氮烷等。其中，优选有机二硅氮烷。作为所述有机硅氮烷，可以单独使用上述有机硅氮烷，也可以将两种以上组合使用。
作为所述第二硅烷偶联剂，只要是在分子内具有烷基和烷氧基的硅烷偶联剂，则没有特别限定。作为所述第二硅烷偶联剂，可列举例如在分子内具有1个烷能基和3个烷氧基的硅烷偶联剂等。作为所述第二硅烷偶联剂，可列举例如甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、正丙基三乙氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、及己基三乙氧基硅烷等。作为所述第二硅烷偶联剂，可以单独使用上述硅烷偶联剂，也可以将两种以上组合使用。
作为实施所述表面处理的二氧化硅(未处理的二氧化硅)，只要所述表面处理后的二氧化硅是所述硅烷醇基量为3％以下的二氧化硅，则没有特别限定。作为得到所述二氧化硅的方法，可列举爆炸法(Vaporized Metal Combustion Method：VMC法)以及形成硅溶胶的方法等。构成硅溶胶的二氧化硅与通过VMC法得到的二氧化硅相比粒径小，因此优选。需要说明的是，VMC法是在含氧气氛中用燃烧器形成化学火焰，在该化学火焰中投入形成粉尘云的程度的量的金属硅粉来引起燃烧，由此获得球状氧化物粒子的方法。
作为形成硅溶胶的方法，例如具备：将含硅物溶解于碱性溶液中来制造碱性硅酸盐溶液的碱性硅酸盐溶液制造步骤；和由所得到的碱性硅酸盐溶液形成水性硅溶胶的水性硅溶胶形成步骤。
作为所述碱性硅酸盐溶液制造步骤中的含硅物质，可列举例如金属硅及硅化合物等。作为所述碱性溶液，可列举例如溶解有氨的溶液等。
所述水性硅溶胶形成步骤可列举例如：通过对在所述碱性硅酸盐溶液制造步骤中获得的碱性硅酸盐溶液添加酸，从而形成水性硅溶胶的步骤等。
作为形成所述硅溶胶的方法，也可以在所述碱性硅酸盐溶液制造步骤和所述水性硅溶胶形成步骤中的任一方具备使所述碱性硅酸溶液含有铵盐的铵盐含有步骤。如果含有所述铵盐，则之后粒径变大的反应容易进行。
在所述无机填充材料包含除所述二氧化硅以外的无机填充材料的情况下，作为除该二氧化硅以外的无机填充材料，可列举：氧化铝、氧化钛及云母等金属氧化物、氢氧化铝、氢氧化镁等金属氢氧化物、滑石、硼酸铝、硫酸钡及碳酸钙等。
(含量)
相对于所述树脂组合物中的除所述无机填充材料以外的成分100质量份，所述二氧化硅的含量优选为10～400质量份，更优选为20～300质量份，进一步优选为40～200质量份。如果所述二氧化硅的含量在上述范围内，则可以得到能够获得介电特性低且耐热性更高、并且即使在吸水处理后也可以更好地维持低介电特性的固化物的树脂组合物。
相对于所述树脂组合物中的除所述无机填充材料以外的成分100质量份，所述改性聚苯醚化合物的含量优选为10～95质量份，更优选为15～90质量份，进一步优选为20～90质量份。即，相对于所述树脂组合物中的除所述无机填充材料以外的成分，所述改性聚苯醚化合物的含有率优选为10～95质量％。
可以使所述树脂组合物中含有所述固化剂。在所述树脂组合物中含有所述固化剂的情况下，例如：相对于所述树脂组合物中的除所述无机填充材料以外的成分100质量份，所述固化剂的含量优选为5～50质量份，更优选为10～50质量份。此外，相对于所述改性聚苯醚化合物和所述固化剂的合计100质量份，所述固化剂的含量优选为5～50质量份，更优选为10～50质量份。
如果所述改性聚苯醚化合物及所述固化剂的各含量是上述范围内的含量，则可以成为固化物的耐热性更优异的树脂组合物。认为其理由在于：所述改性聚苯醚化合物与所述固化剂的固化反应良好地进行。
如果所述改性聚苯醚化合物及所述固化剂的含量在上述范围内，则可以得到能够获得介电特性更低且耐热性更高、并且即使在吸水处理后也可以更好地维持低介电特性的固化物的树脂组合物。
(其它成分)
本实施方式涉及的树脂组合物在不损害本发明效果的范围内根据需要还可以含有除所述改性聚苯醚化合物、所述固化剂及所述无机填充材料以外的成分(其它成分)。作为本实施方式涉及的树脂组合物所含的其它成分，例如可以进一步含有苯乙烯系弹性体、硅烷偶联剂、阻燃剂、引发剂、消泡剂、抗氧化剂、热稳定剂、防静电剂、紫外线吸收剂、染料或颜料、润滑剂、及分散剂等添加剂。此外，所述树脂组合物中，除了含有所述改性聚苯醚化合物及所述固化剂以外，还可以含有聚苯醚、环氧树脂等热固性树脂。
如上所述，本实施方式涉及的树脂组合物可以含有阻燃剂。通过含有阻燃剂，可以提高树脂组合物的固化物的阻燃性。所述阻燃剂没有特别限定。具体而言，在使用溴系阻燃剂等卤素系阻燃剂的领域中，优选例如：熔点为300℃以上的乙撑双五溴苯(ethylenedipentabromobenzene)、乙撑双四溴酰亚胺(ethylenebistetrabromoimide)、十溴二苯醚、及十四溴二苯氧基苯。认为：通过使用卤素系阻燃剂，可以抑制高温下的卤素脱离，可以抑制耐热性的降低。此外，在要求无卤素的领域中，可列举：磷酸酯系阻燃剂(phosphate ester-based flame retardant)、磷腈系阻燃剂(phosphazene-based flameretardant)、双二苯基氧膦系阻燃剂(bisdiphenylphosphine-based flame retardant)、及次磷酸盐系阻燃剂(phosphinate-based flame retardant)。作为磷酸酯系阻燃剂的具体例，可列举双二甲苯基磷酸酯的缩合磷酸酯。作为磷腈系阻燃剂的具体例，可列举苯氧基磷腈。作为双二苯基氧膦系阻燃剂的具体例，可列举亚二甲苯双(二苯基氧膦)。作为次磷酸盐系阻燃剂的具体例，例如可列举二烷基次磷酸铝盐的次磷酸金属盐。作为所述阻燃剂，可以单独使用例示的各阻燃剂，也可以将两种以上组合使用。
如上所述，本实施方式涉及的树脂组合物可以含有引发剂(反应引发剂)。所述树脂组合物即使是由所述改性聚苯醚化合物和所述固化剂形成，也能够进行固化反应。此外，仅仅是所述改性聚苯醚化合物，也能够进行固化反应。然而，根据工艺条件，有时难以升高温度直至固化进行，因此可以添加反应引发剂。所述反应引发剂只要可以促进所述改性聚苯醚化合物和所述固化剂的固化反应，则没有特别限定。具体而言，可列举例如：α，α’-双(叔丁基过氧间异丙基)苯、2，5-二甲基-2，5-二(叔丁基过氧)-3-己炔、过氧化苯甲酰、3，3’，5，5’-四甲基-1，4-二苯酚合苯醌、氯醌、2，4，6-三叔丁基苯氧基、叔丁基过氧异丙基单碳酸酯、偶氮二异丁腈等氧化剂。此外，根据需要可以并用羧酸金属盐等。据此，可以进一步促进固化反应。其中，优选使用α，α’-双(叔丁基过氧间异丙基)苯。α，α’-双(叔丁基过氧间异丙基)苯由于反应开始温度比较高，因此在预浸料干燥时等不需要固化的时刻能够抑制固化反应的促进，可以抑制聚苯醚树脂组合物的保存性降低。而且，α，α’-双(叔丁基过氧间异丙基)苯由于挥发性低，因此在预浸料干燥时、以及保存时不会挥发，稳定性良好。此外，反应引发剂可以单独使用，也可以将两种以上组合使用。
所述引发剂的含量没有特别限定，例如相对于所述固化剂和所述改性聚苯醚化合物的合计质量100质量份，优选为0.1～1.8质量份，更优选为0.1～1.5质量份，进一步优选为0.3～1.5质量份。如果所述引发剂的含量过少，则有所述改性聚苯醚化合物与所述固化剂的固化反应不能良好地开始的倾向。此外，如果所述引发剂的含量过多，则所得的预浸料的固化物的介电损耗因数变大，有难以发挥优异的低介电特性的倾向。因此，如果所述引发剂的含量在上述范围内，则可以得到具有优异的低介电特性的预浸料的固化物。
(制造方法)
作为制造所述树脂组合物的方法，没有特别限定，可列举例如：将所述改性聚苯醚化合物和所述固化剂以成为指定含量的条件进行混合的方法等。具体而言，在得到包含有机溶剂的清漆状组合物的情况下，可列举后述的方法等。
作为本实施方式涉及的树脂组合物，除了所述树脂组合物(第一树脂组合物)以外，可列举下述第二树脂组合物。所述第二树脂组合物是含有末端被具有碳-碳不饱和双键的取代基进行了改性的改性聚苯醚化合物和包含二氧化硅的无机填充材料的树脂组合物，是从所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物提取的所述无机填充材料中硅烷醇基数相对于Si原子数的比率为3％以下的树脂组合物。
所述第二树脂组合物除了所述无机填充材料以外与所述第一树脂组合物相同。关于所述无机填充材料，只要是包含二氧化硅的无机填充材料、且从所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物提取的所述无机填充材料中硅烷醇基数相对于Si原子数的比率为3％以下，则没有特别限定。作为所述第二树脂组合物中所含的所述无机填充材料，可列举例如与所述第一树脂组合物中所含的所述无机填充材料相同的无机填充材料等。此外，从所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物提取所述无机填充材料的方法可列举例如：对所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物进行超声波洗涤，将所得的洗涤液过滤，并将所得到(过滤分离后)的固体成分干燥的方法等。
如上所述，该第二树脂组合物的所述无机填充材料包含二氧化硅，而且从所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物提取的所述无机填充材料中硅烷醇基数相对于Si原子数的比率为3％以下。基于此情况，所述第二树脂组合物与所述第一树脂组合物(亦即所述无机填充材料包含硅烷醇基数相对于Si原子数的比率为3％以下的二氧化硅)同样，也可以获得能够得到介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的树脂组合物。
此外，通过使用本实施方式涉及的树脂组合物，如下述那样可以得到预浸料、覆金属箔层压板、布线板、带树脂的金属箔、及带树脂的膜。
[预浸料]
图2是表示本发明实施方式涉及的预浸料1的一例的示意性剖面图。
如图2所示，本实施方式涉及的预浸料1具备：所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物2；以及纤维质基材3。该预浸料1具备：所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物2；以及存在于所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物2中的纤维质基材3。
需要说明的是，本实施方式中，所谓半固化物是将树脂组合物固化至中途成为还能进一步固化的程度的状态的物质。即，半固化物是将树脂组合物半固化的状态(乙阶化)的物质。例如，如果对树脂组合物进行加热，则最初粘度缓慢降低，然后开始固化，粘度缓慢上升。在这种情况下，作为半固化，可列举从粘度开始上升起至完全固化前的期间的状态等。
此外，作为使用本实施方式涉及的树脂组合物而得的预浸料，如上所述可以是具备所述树脂组合物的半固化物的预浸料，此外，也可以是具备未固化的所述树脂组合物的预浸料。即，可以是具备所述树脂组合物的半固化物(乙阶的所述树脂组合物)及纤维质基材的预浸料，也可以是具备固化前的所述树脂组合物(甲阶的所述树脂组合物)及纤维质基材的预浸料。此外，作为所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物，可以是将所述树脂组合物干燥或加热干燥而得的物质。
在制造预浸料时，为了浸透至用于形成预浸料的基材即纤维质基材3中，树脂组合物2大多调制成清漆状来使用。即，树脂组合物2通常大多为调制成清漆状的树脂清漆。该清漆状的树脂组合物(树脂清漆)例如可以按照以下方式调制。
首先，将可溶解于有机溶剂的各成分投入有机溶剂中并使其溶解。此时，根据需要可以进行加热。然后，添加根据需要使用的不溶于有机溶剂的成分，使用球磨机、珠磨机、行星混合机、辊磨机等，使其分散至成为指定的分散状态，由此可以调制清漆状的树脂组合物。作为此处使用的有机溶剂，只要是能够使所述改性聚苯醚化合物和所述固化剂等溶解且不会阻碍固化反应的有机溶剂，则没有特别限定。具体而言，可列举例如甲苯、甲基乙基酮(MEK)等。
所述预浸料的制造方法只要可以制造所述预浸料，则没有特别限定。具体而言，在制造预浸料时，上述的本实施方式所用的树脂组合物如上所述大多调制成清漆状而作为树脂清漆来使用。
作为所述纤维质基材，具体地可列举例如玻璃布、芳纶布、聚酯布、玻璃无纺布、芳纶无纺布、聚酯无纺布、浆纸及棉绒纸等。需要说明的是，如果使用玻璃布，则可以得到机械强度优异的层压板，尤其优选经扁平处理加工的玻璃布。作为扁平处理加工，具体而言，可列举例如用压辊以适当压力对玻璃布连续加压而将纱线压缩成扁平的方法。需要说明的是，通常使用的纤维质基材的厚度例如为0.01mm以上且0.3mm以下。
所述预浸料的制造方法只要可以制造所述预浸料，则没有特别限定。具体而言，在制造预浸料时，上述的本实施方式涉及的树脂组合物如上所述大多调制成清漆状而作为树脂清漆来使用。
作为制造预浸料1的方法，可列举例如：将树脂组合物2(例如被调制成清漆状的树脂组合物2)浸透至纤维质基材3后进行干燥的方法。树脂组合物2向纤维质基材3中的浸透通过浸渍及涂布等进行。根据需要也可以反复多次进行浸透。而且，此时也可以通过使用组成或浓度不同的多种树脂组合物反复浸透而调节成最终期望的组成及浸透量。
浸透有树脂组合物(树脂清漆)2的纤维质基材3在所需的加热条件(例如，以80℃以上且180℃以下加热1分钟以上且10分钟以下)之下进行。通过加热，可以得到固化前(甲阶)或半固化状态(乙阶)的预浸料1。需要说明的是，通过所述加热，使有机溶剂从所述树脂清漆挥发，可以减少或除去有机溶剂。
本实施方式涉及的树脂组合物是可以合适地获得介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的树脂组合物。因此，具备该树脂组合物或该树脂组合物的半固化物的预浸料，是可以合适地获得介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的预浸料。此外，该预浸料是可以制造具备介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的绝缘层的布线板的预浸料。
[覆金属箔层压板]
图3是表示本发明的实施方式涉及的覆金属箔层压板11的一例的示意性剖面图。
如图3所示，覆金属箔层压板11具备：包含如图2所示的预浸料1的固化物的绝缘层12；以及与绝缘层12一起层叠的金属箔13。即，覆金属箔层压板11具备：包含树脂组合物的固化物的绝缘层12；以及设置于绝缘层12上的金属箔13。此外，绝缘层12可以由所述树脂组合物的固化物形成，也可以由所述预浸料的固化物形成。此外，所述金属箔13的厚度根据最终得到的布线板所要求的性能等而不同，没有特别限定。金属箔13的厚度可以根据所要求的目的而适当设定，例如优选为0.2～70μm。此外，作为所述金属箔13，可列举例如铜箔及铝箔等，在所述金属箔较薄的情况下，为了提高处理性，可以是具备剥离层及载体的带载体的铜箔。
作为制造所述覆金属箔层压板11的方法，只要可以制造所述覆金属箔层压板11，则没有特别限定。具体地可列举使用预浸料1来制作覆金属箔层压板11的方法。作为该方法，可列举：取一片预浸料1或重叠数片预浸料1，进而在其上下两侧表面或单侧表面重叠铜箔等金属箔13，将金属箔13和预浸料1加热加压成形而层叠一体化，由此制作两侧表面覆金属箔或单侧表面覆金属箔的层压板11的方法等。即，覆金属箔层压板11是在预浸料1上层叠金属箔13并进行加热加压成形而得到。此外，加热加压条件可以根据所制造的覆金属箔层压板11的厚度或预浸料1的组合物的种类等而适当设定。例如，可以将温度设为170～210℃，将压力设为3.5～4MPa，将时间设为60～150分钟。此外，所述覆金属箔层压板也可以不使用预浸料而制造。例如可列举：将清漆状的树脂组合物涂布于金属箔上，在金属箔上形成包含树脂组合物的层之后，进行加热加压的方法等。
本实施方式涉及的树脂组合物是可以合适地获得介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的树脂组合物。因此，具备包含该树脂组合物的固化物的绝缘层的覆金属箔层压板是具备介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的绝缘层的覆金属箔层压板。此外，该覆金属箔层压板是可以制造具备介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的绝缘层的布线板的覆金属箔层压板。
[布线板]
图4是表示本发明的实施方式涉及的布线板21的一例的示意性剖面图。
如图4所示，本实施方式涉及的布线板21具备：将图2所示预浸料1固化而使用的绝缘层12；以及与绝缘层12一起层叠且将一部分金属箔13除去而形成的布线14。即，所述布线板21具备：包含树脂组合物的固化物的绝缘层12；以及设置于绝缘层12上的布线14。此外，绝缘层12可以由所述树脂组合物的固化物形成，也可以由所述预浸料的固化物形成。
制造所述布线板21的方法只要可以制造所述布线板21，则没有特别限定。具体而言，可列举使用所述预浸料1来制作布线板21的方法等。作为该方法，可列举例如：通过对如上所述地制作的覆金属箔层压板11的表面的金属箔13进行蚀刻加工等而形成布线，由此制作在绝缘层12的表面设有布线作为电路的布线板21的方法等。即，布线板21是通过将覆金属箔层压板11表面的金属箔13局部除去从而形成电路而获得的。此外，作为形成电路的方法，除了上述的方法以外，可列举例如通过半加成法(SAP：Semi Additive Process)或改良型半加成法(MSAP：Modified Semi Additive Process)形成电路的方法等。布线板21具有介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的绝缘层12。
该布线板是具备介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的绝缘层的布线板。
[带树脂的金属箔]
图5是表示本实施方式涉及的带树脂的金属箔31的一例的示意性剖面图。
如图5所示，本实施方式涉及的带树脂的金属箔31具备：包含所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物的树脂层32；以及金属箔13。该带树脂的金属箔31在所述树脂层32的表面上具有金属箔13。即，该带树脂的金属箔31具备：所述树脂层32；以及与所述树脂层32一起层叠的金属箔13。此外，所述带树脂的金属箔31还可以在所述树脂层32与所述金属箔13之间具备其它层。
此外，作为所述树脂层32，可以包含如上所述的所述树脂组合物的半固化物，此外也可以包含未固化的所述树脂组合物。即，所述带树脂的金属箔31可以是具备：包含所述树脂组合物的半固化物(乙阶的所述树脂组合物)的树脂层；以及金属箔的带树脂的金属箔，也可以是具备：包含固化前的所述树脂组合物(甲阶的所述树脂组合物)的树脂层；以及金属箔的带树脂的金属箔。此外，作为所述树脂层，只要包含所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物即可，可以包含或不包含纤维质基材。此外，作为所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物，可以是将所述树脂组合物干燥或加热干燥而得的物质。此外，纤维质基材可以使用与预浸料的纤维质基材相同的材料。
此外，作为金属箔，可以不作限制地使用覆金属箔层压板中所用的金属箔。作为金属箔，例如可列举铜箔及铝箔等。
所述带树脂的金属箔31及所述带树脂的膜41可以根据需要具备覆盖膜等。通过具备覆盖膜，可以防止异物的混入等。作为所述覆盖膜，没有特别限定，可列举例如聚烯烃膜、聚酯膜、聚甲基戊烯膜、及在这些膜上设置脱模剂层而形成的膜等。
制造所述带树脂的金属箔31的方法只要可以制造所述带树脂的金属箔31，则没有特别限定。作为所述带树脂的金属箔31的制造方法，可列举将上述清漆状的树脂组合物(树脂清漆)涂布于金属箔13上并进行加热来制造的方法等。例如通过使用刮涂机而将清漆状的树脂组合物涂布于金属箔13上。所涂布的树脂组合物例如在80℃以上且180℃以下、1分钟以上且10分钟以下的条件下进行加热。经加热的树脂组合物作为未固化的树脂层32形成于金属箔13上。需要说明的是，通过所述加热，使有机溶剂从所述树脂清漆挥发，可以减少或除去有机溶剂。
本实施方式涉及的树脂组合物是可以合适地获得介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的树脂组合物。因此，具备包含该树脂组合物或该树脂组合物的半固化物的树脂层的带树脂的金属箔，是可以合适地获得介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的带树脂的金属箔。此外，该带树脂的金属箔可以在制造具备介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的绝缘层的布线板时使用。例如可以通过层叠于布线板上来制造多层布线板。作为使用该带树脂的金属箔得到的布线板，可以获得具备介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的绝缘层的布线板。
[带树脂的膜]
图6是表示本实施方式涉及的带树脂的膜41的一例的示意性剖面图。
如图6所示，本实施方式涉及的带树脂的膜41具备：包含所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物的树脂层42；以及支承膜43。该带树脂的膜41具备：所述树脂层42；以及与所述树脂层42一起层叠的支承膜43。此外，所述带树脂的膜41还可以在所述树脂层42与所述支承膜43之间具备其它层。
此外，作为所述树脂层42，可以包含如上所述的所述树脂组合物的半固化物，此外也可以包含未固化的所述树脂组合物。即，所述带树脂的膜41可以是具备：包含所述树脂组合物的半固化物(乙阶的所述树脂组合物)的树脂层；以及支承膜的带树脂的膜，也可以是具备：包含固化前的所述树脂组合物(甲阶的所述树脂组合物)的树脂层；以及支承膜的带树脂的膜。此外，作为所述树脂层，只要包含所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物即可，可以包含或不包含纤维质基材。此外，作为所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物，可以是将所述树脂组合物干燥或加热干燥而得的物质。此外，纤维质基材可以使用与预浸料的纤维质基材相同的材料。
此外，作为支承膜43，可以不作限制地使用带树脂的膜中所用的支承膜。作为所述支承膜，可列举例如聚酯膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、聚酰亚胺膜、聚乙二酰脲膜、聚醚醚酮膜、聚苯硫醚膜、聚酰胺膜、聚碳酸酯膜及聚芳酯膜等电绝缘性膜等。
所述带树脂的膜41可以根据需要具备覆盖膜等。通过具备覆盖膜，可以防止异物的混入等。作为所述覆盖膜，则没有特别限定，可列举例如聚烯烃膜、聚酯膜及聚甲基戊烯膜等。
作为所述支承膜及覆盖膜，可以是根据需要实施了消光处理、电晕处理、脱模处理及粗糙化处理等表面处理的膜。
制造所述带树脂的膜41的方法只要可以制造所述带树脂的膜41，则没有特别限定。所述带树脂的膜41的制造方法可列举例如将上述清漆状的树脂组合物(树脂清漆)涂布于支承膜43上并进行加热来制造的方法等。例如通过使用刮涂机而将清漆状的树脂组合物涂布于支承膜43上。所涂布的树脂组合物例如在80℃以上且180℃以下、1分钟以上且10分钟以下的条件下进行加热。经加热的树脂组合物作为未固化的树脂层42形成于支承膜43上。需要说明的是，通过所述加热，使有机溶剂从所述树脂清漆挥发，可以减少或除去有机溶剂。
本实施方式涉及的树脂组合物是可以合适地获得介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的树脂组合物。因此，具备包含该树脂组合物或该树脂组合物的半固化物的树脂层的带树脂的膜，是可以合适地获得介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的带树脂的膜。此外，该带树脂的膜可以在制造具备介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的绝缘层的布线板时使用。例如，可以通过层叠于布线板上后剥离支承膜，或者，剥离支承膜后层叠于布线板上，来制造多层布线板。作为使用该带树脂的膜而得到的布线板，可以获得具备介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的绝缘层的布线板。
本说明书如上所述地公开了各种实施方式的技术，将其中的主要的技术概括如下。
本发明一个方面是一种树脂组合物，其含有：末端被具有碳-碳不饱和双键的取代基进行了改性的改性聚苯醚化合物；以及无机填充材料，其中，所述无机填充材料包含二氧化硅，在该二氧化硅中，硅烷醇基中所含的Si原子数相对于全部Si原子数的比率为3％以下。
根据该构成，可以提供能够获得介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的树脂组合物。
此外，在所述树脂组合物中，优选：相对于所述树脂组合物中的除所述无机填充材料以外的成分100质量份，所述二氧化硅的含量为10～400质量份。
根据该构成，可以得到能够获得介电特性低且耐热性更高、并且即使在吸水处理后也可以更好地维持低介电特性的固化物的树脂组合物。
此外，本发明另一个方面是一种树脂组合物，其含有：末端被具有碳-碳不饱和双键的取代基进行了改性的改性聚苯醚化合物；以及包含二氧化硅的无机填充材料，其中，从所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物提取的所述无机填充材料中，硅烷醇基中所含的Si原子数相对于全部Si原子数的比率为3％以下。
根据该构成，可以提供能够获得介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的树脂组合物。
此外，在所述树脂组合物中，优选：相对于所述树脂组合物中的除所述无机填充材料以外的成分100质量份，所述改性聚苯醚化合物的含量为10～95质量份。
根据该构成，可以得到能够获得介电特性更低且耐热性更高、并且即使在吸水处理后也可以更好地维持低介电特性的固化物的树脂组合物。
此外，在所述树脂组合物中，优选还含有固化剂，其中，所述固化剂包含选自由在分子内具有2个以上的丙烯酰基的多官能丙烯酸酯化合物、在分子内具有2个以上的甲基丙烯酰基的多官能甲基丙烯酸酯化合物、在分子内具有2个以上的乙烯基的多官能乙烯基化合物、苯乙烯衍生物、在分子内具有烯丙基的烯丙基化合物、在分子内具有马来酰亚胺基的马来酰亚胺化合物、在分子内具有苊烯结构的苊烯化合物、以及在分子内具有异氰脲酸酯基的异氰脲酸酯化合物构成的组中的至少一种。
根据该构成，可以获得介电特性低且耐热性更高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物。
此外，在所述树脂组合物中，优选：相对于所述树脂组合物中的除所述无机填充材料以外的成分100质量份，所述固化剂的含量为5～50质量份。
根据该构成，可以获得介电特性低且耐热性更高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物。
此外，本发明另一个方面涉及一种预浸料，其包括：所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物；以及纤维质基材。
根据该构成，可以提供能够良好地获得介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的预浸料。
此外，本发明另一个方面涉及一种带树脂的膜，其包括：包含所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物的树脂层；以及支承膜。
根据该构成，可以提供能够良好地获得介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的带树脂的膜。
此外，本发明另一个方面涉及一种带树脂的金属箔，其包括：包含所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物的树脂层；以及金属箔。
根据该构成，可以提供能够良好地获得介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的带树脂的金属箔。
此外，本发明另一个方面涉及一种覆金属箔层压板，其包括：包含所述树脂组合物的固化物或所述预浸料的固化物的绝缘层；以及金属箔。
根据该构成，可以提供具备介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的绝缘层的覆金属箔层压板。
此外，本发明另一个方面涉及一种布线板，其包括：包含所述树脂组合物的固化物或所述预浸料的固化物的绝缘层；以及布线。
根据该构成，可以提供具备介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的绝缘层的布线板。
根据本发明，可以提供能够获得介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的树脂组合物。此外，根据本发明，可以提供使用所述树脂组合物而得的预浸料、带树脂的膜、带树脂的金属箔、覆金属箔层压板、及布线板。
以下，通过实施例对本发明进一步进行具体说明，但是，本发明的范围并不受这些实施例的限定。
实施例
[实施例1～8及比较例1～6]
对于在本实施例中制备树脂组合物时所用的各成分进行说明。
(PPE成分)
改性PPE1：将聚苯醚的末端羟基用甲基丙烯酰基进行了改性的改性聚苯醚(以上述式(12)表示，并且式(12)中的Y为二甲基亚甲基(以式(9)表示且式(9)中的R33及R34为甲基的基团)的改性聚苯醚化合物，沙伯基础创新塑料公司制造的SA9000，重均分子量Mw2000，末端官能团数2个)
改性PPE2：使聚苯醚与氯甲基苯乙烯反应而得的改性聚苯醚。具体而言是如下进行反应而得到的改性聚苯醚。
首先，向具备温度调节器、搅拌装置、冷却设备及滴液漏斗的1升三口烧瓶中装入聚苯醚(沙伯基础创新塑料公司制造的SA90，末端羟基数2个，重均分子量Mw1700)200g、对氯甲基苯乙烯与间氯甲基苯乙烯的质量比为50∶50的混合物(东京化成工业株式会社制造的氯甲基苯乙烯：CMS)30g、作为相转移催化剂的四正丁基溴化铵1.227g、及甲苯400g，并进行了搅拌。然后，进行了搅拌直至聚苯醚、氯甲基苯乙烯及四正丁基溴化铵溶解于甲苯。此时，缓慢进行了加热，并最终加热至液温达到75℃为止。然后，向该溶液中历时20分钟滴加了作为碱金属氢氧化物的氢氧化钠水溶液(氢氧化钠20g/水20g)。随后，进一步在75℃下搅拌了4小时。接着，用10质量％的盐酸中和烧瓶的内容物后，投入了大量的甲醇。由此使烧瓶内的液体产生了沉淀物。即，使烧瓶内的反应液中所含的产物再沉淀了。然后，通过过滤取出该沉淀物，用甲醇与水的质量比为80∶20的混合液洗涤三次后，在减压下以80℃干燥了3小时。
用1H-NMR(400MHz、CDCl3、TMS)分析了所得的固体。测定了NMR，结果在5～7ppm时确认到来源于乙烯基苄基(乙烯苄基)的峰。由此确认到所得的固体是于分子中在分子末端具有作为所述取代基的乙烯基苄基(乙烯苄基)的改性聚苯醚化合物。具体而言，确认到所得的固体是经乙烯苄基化的聚苯醚。该所得的改性聚苯醚化合物是由上述式(11)表示且Y为二甲基亚甲基(由式(9)表示且式(9)中的R33及R34为甲基的基团)且Z为亚苯基且R1～R3为氢原子且n为1的改性聚苯醚化合物。
此外，以如下方式测定了改性聚苯醚的末端官能团数。
首先，准确称量了改性聚苯醚。将此时的重量设为X(mg)。然后，使该称量的改性聚苯醚溶解于25mL的二氯甲烷中，向该溶液中添加10质量％的氢氧化四乙铵(TEAH)的乙醇溶液(TEAH∶乙醇(体积比)＝15∶85)100μL后，使用UV分光光度计(株式会社岛津制作所制造的UV-1600)测定了318nm的吸光度(Abs)。然后，根据该测定结果，使用下式算出了改性聚苯醚的末端羟基数。
残存OH量(μmol/g)＝[(25×Abs)/(ε×OPL×X)]×106
在此，ε表示吸光系数，为4700L/mol·cm。此外，OPL是单元光路长度，为1cm。
此外，该算出的改性聚苯醚的残存OH量(末端羟基数)几乎为零，因此可知：改性前的聚苯醚的羟基几乎都被改性。由此，可知：与改性前的聚苯醚的末端羟基数相比的减少量是改性前的聚苯醚的末端羟基数。即，可知：改性前的聚苯醚的末端羟基数为改性聚苯醚的末端官能团数。也就是说，末端官能团数为2个。
此外，测定了改性聚苯醚在25℃的二氯甲烷中的特性粘数(IV)。具体而言，利用粘度计(肖特公司制造的AVS500 Visco System)对改性聚苯醚的0.18g/45ml的二氯甲烷溶液(液温25℃)测定了改性聚苯醚的特性粘数(IV)。其结果是，改性聚苯醚的特性粘数(IV)为0.086dl/g。
此外，使用GPC测定了改性聚苯醚的分子量分布。然后，根据该所得的分子量分布算出了重均分子量(Mw)。其结果是，Mw为2300。
未改性PPE：聚苯醚(沙伯基础创新塑料公司制造的SA90，特性粘数(IV)0.083dl/g，末端羟基数2个，重均分子量Mw1700)
(固化剂)
苊烯：JFE化工株式会社制造的苊烯
TAIC：三烯丙基异氰脲酸酯(日本化成株式会社制造的TAIC)
(环氧树脂)
环氧树脂：二环戊二烯型环氧树脂(DIC株式会社制造的EPICLON HP7200)
(引发剂)
PBP：1，3-双(叔丁基过氧异丙基)苯(日油株式会社制造的PERBUTYL P)
(催化剂)
2E4MZ：2-乙基-4-甲基咪唑(咪唑催化剂，四国化成工业株式会社制造的2E4MZ)
(无机填充材料)
二氧化硅1：所述硅烷醇基量为1.0％的二氧化硅(株式会社雅都玛(AdmatechsCompany Limited)制造的5SV-C5，低介电损耗因数处理二氧化硅，体积平均粒径0.5μm)
二氧化硅2：所述硅烷醇基量为1.4％的二氧化硅(株式会社雅都玛制造的10SV-C5，低介电损耗因数处理二氧化硅，体积平均粒径1.0μm)
二氧化硅3：所述硅烷醇基量为1.3％的二氧化硅(株式会社雅都玛制造的3SV-C3，低介电损耗因数处理二氧化硅，体积平均粒径0.3μm)
二氧化硅4：所述硅烷醇基量为1.5％的二氧化硅(低介电损耗因数处理二氧化硅，体积平均粒径0.6μm)
二氧化硅5：所述硅烷醇基量为4.0％的二氧化硅(株式会社雅都玛制造的SC2300-SVJ，体积平均粒径0.5μm)
二氧化硅6：所述硅烷醇基量为3.9％的二氧化硅(株式会社雅都玛制造的10SV-C4，体积平均粒径1.0μm)
如下地测定了二氧化硅1～6的所述硅烷醇基量(硅烷醇基中所含的Si原子数相对于全部Si原子数的比率)。
首先，使用Chemagnetics公司制造的CMX300，通过DD法对各二氧化硅进行固态29Si-NMR测定，得到了各二氧化硅的光谱。需要说明的是，作为此时的测定条件，采用DD/MAS(Dipolar Decoupling-Magic Angle Spinning：偶极去耦/魔角旋转)法，设脉冲序列为DD/MAS，共振频率为59.6MHz(29Si)，MAS速度为7000HZ，积算次数为360次，延迟时间为300秒，以此进行了测定。使用株式会社堀场制作所制造的LabSpec，将得到的光谱近似为洛伦兹线型、高斯线型以及它们的混合波形，进行峰分离衍射，求出了所述Q2结构的峰面积(SQ2)、所述Q3结构的峰面积(SQ3)以及所述Q4结构的峰面积(SQ4)。具体而言，求出峰顶为-90ppm的峰的面积(积分值)、峰顶为-100ppm的峰的面积(积分值)、以及峰顶为-110ppm的峰的面积(积分值)作为SQ2、SQ3及SQ4。根据这些峰面积，计算出了SQ2和SQ3的合计相对于SQ2、SQ3和SQ4的合计的比率(＝(SQ2+SQ3)/(SQ2+SQ3+SQ4)×100(％))。该比率是所述Q2结构和所述Q3结构的合计数相对于所述Q2结构、所述Q3结构和所述Q4结构的合计数的数的比率，将其作为所述硅烷醇基量。
(制备方法)
首先，将除无机填充材料以外的上述各成分以表1中记载的组成(质量份)添加至甲苯并进行了混合，以使固体成分浓度成为55质量％。将该混合物搅拌了60分钟。然后，向所得的液体中添加了无机填充材料，并且用珠磨机使填充材料分散了。由此得到了清漆状的树脂组合物(清漆)。
接着，如下地获得了评价基板(预浸料的固化物)。
使所得的清漆浸透至纤维质基材(玻璃布：旭化成株式会社制造的GC2116，#2116型，L玻璃)后，在110℃下加热干燥3分钟，由此制作了预浸料。此时，以使通过固化反应来构成树脂的成分相对于预浸料的含量(树脂含量)成为56质量％的方式进行了调整。然后，将6片所得到的各预浸料重叠，在200℃的温度、3MPa的压力条件下加热加压2小时，由此得到了评价基板(预浸料的固化物)。
接着，如下地获得了评价基板(覆金属箔层压板)。
使所述清漆浸透至纤维质基材(玻璃布：旭化成株式会社制造的GC1078L，#1078型，L玻璃)后，在110℃下加热干燥2分钟，由此制作了预浸料。此时，以使通过固化反应来构成树脂的成分相对于预浸料的含量(树脂含量)成为67质量％的方式进行了调整。
将所得的各预浸料重叠2片，并在其两侧配置铜箔(古河电气工业株式会社的FV-WS，厚度18μm)作为被加压体，在200℃的温度、3MPa的压力条件下加热加压2小时，制作了在两侧表面粘合了铜箔的评价基板(覆金属箔层压板)亦即覆铜箔层压板。
通过以下所示的方法对如上所述地制备的评价基板(预浸料的固化物以及覆金属箔层压板)进行了评价。
[吸水处理前的介电损耗因数]
采用谐振腔微扰法测定了10GHz时的评价基板(预浸料的固化物)的介电损耗因数。具体而言，使用网络分析仪(是德科技(Keysight Technologies)公司制造的N5230A)，测定了10GHz时的评价基板的介电损耗因数。
[吸水处理后的介电损耗因数]
参考JIS C 6481(1996年)，针对在所述吸水处理前的介电损耗因数的测定中使用的评价基板进行了吸水处理，并且对于该吸水处理后的评价基板的介电损耗因数(吸湿后的介电损耗因数)采用与所述吸水处理前的介电损耗因数的测定相同的方法进行了测定。需要说明的是，作为所述吸水处理实施了如下处理：即，将所述评价基板在恒温空气(50℃)中处理24小时，接着在恒温水(23℃)中处理24小时，然后，使用干燥且洁净的布来充分擦掉了评价基板上的水分。
[介电损耗因数的变化量(吸水处理后-吸水处理前)]
计算了吸水处理后的介电损耗因数与吸水处理前的介电损耗因数之差(吸水处理后的介电损耗因数-吸水处理前的介电损耗因数)。
[吸湿焊料耐热性]
在制作所述评价基板时，通过将预浸料重叠的片数设为6片，从而得到了在两侧表面粘接有厚度35μm的铜箔的厚度约0.8mm的覆铜箔层压板(覆金属箔层压板)。将该形成的覆铜箔层压板切割成50mm×50mm，并且蚀刻而除去了两侧表面铜箔。将由此得到的评价用层压体在温度121℃且相对湿度100％的条件下保持了6小时。然后，将该评价用层压体浸渍于288℃的焊料槽中10秒钟。然后，目视观察了浸渍后的层压体中有无产生白点(measling)或膨胀等。如果没有确认到产生白点或膨胀等，则评价为“○”。如果确认到产生白点或膨胀等，则评价为“×”。
[玻璃化转变温度(DMA)(Tg)]
使用精工电子株式会社(Seiko Instruments Inc.)制造的粘弹性分光计“DMS6100”，测定了预浸料的Tg。此时，用弯曲模块将频率设为10Hz进行了动态粘弹性测定(DMA)，将以升温速度5℃/分钟的条件从室温升温至320℃时的tanδ呈现出极大的温度设为Tg。
[传输损耗]
对评价基板(覆金属箔层压板)的处于一侧的金属箔(铜箔)进行加工，形成了10根线宽100～300μm、线长1000mm、线距20mm的布线。在形成有该布线的基板的形成有布线一侧的表面上二次层压(secondarily laminate)2片预浸料以及金属箔(铜箔)，由此制作了三层板。需要说明的是，调节了布线的线宽，以使制作三层板后的电路的特性阻抗成为50Ω。
使用网络分析仪(是德科技有限责任公司制造的N5230A)，测定了所得三层板中形成的布线的在20GHz下的传输损耗(透过损失)(dB/m)。
将上述各评价的结果示于表1。
从表1可知：在包含所述改性聚苯醚化合物和所述硅烷醇基量为3％以下的二氧化硅的情况下(实施例1～8)，玻璃化转变温度高，吸湿焊料耐热性也高，并且介电损耗因数低。而且，实施例1～8涉及的树脂组合物的固化物即使在吸水处理后也充分抑制了因吸水导致的介电损耗因数的上升。由此，可知：这些树脂组合物是能够获得介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的树脂组合物。此外，在包含所述改性聚苯醚化合物和所述硅烷醇基量为3％以下的二氧化硅的情况下，不管使用乙苊烯(acetonaphthylene)(实施例1等)作为固化剂，还是使用TAIC(实施例8)作为固化剂，都可以得到玻璃化转变温度高、吸湿焊料耐热性也高、并且介电损耗因数低的树脂组合物，而且得到了即使在吸水处理后也充分抑制了因吸水导致的介电损耗因数的上升的固化物。由此，可知：可以使用乙苊烯作为固化剂，也可以使用TAIC作为固化剂，不受所使用的固化剂的限定。
相对于此，在包含所述硅烷醇基量超过3％的二氧化硅的情况下(比较例1～5)，与实施例1～8相比，介电损耗因数高，而且因吸水导致的介电损耗因数的变化量也大。
在不含有所述改性聚苯醚化合物而含有未改性的聚苯醚的情况下(比较例6)，与实施例1～8相比，玻璃化转变温度低，吸湿焊料耐热性也低。
接着，如下地得到了带树脂的膜。
将实施例1和比较例1涉及的清漆状树脂组合物(清漆)分别涂布在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上，并在110℃下加热干燥3分钟，由此制作了带树脂的膜。需要说明的是，该带树脂的膜中层叠在PET膜上的树脂层为所述树脂组合物。该树脂组合物是固化前的树脂组合物，即使固化也是所述树脂组合物的半固化物。
将该带树脂的膜浸渍于氯仿中，并在频率28kHz的条件下利用超声波洗涤了30分钟。通过该超声波洗涤，所述树脂层(所述树脂组合物)中所含的无机填充材料从所述树脂膜的树脂层被提取到氯仿中。然后，从该提取了无机填充材料后的氯仿中过滤分离出所述无机填充材料并进行了干燥。通过如此操作，从实施例1和比较例1涉及的树脂组合物提取了无机填充材料。
通过上述方法测定了从实施例1涉及的树脂组合物提取的无机填充材料的硅烷醇基量。其结果是1.3％。
通过上述方法测定了从比较例1涉及的树脂组合物提取的无机填充材料的硅烷醇基量。其结果是4.2％。
由此，关于包含所述改性聚苯醚化合物和所述无机填充材料的树脂组合物而言，在所述无机填充材料包含二氧化硅且从所述树脂组合物提取的无机填充材料的硅烷醇基量为3％以下的情况(实施例1)与所述提取的无机填充材料的硅烷醇基量超过3％的情况(比较例1)相比，得到了介电损耗因数低、并且即使在吸水处理后也抑制了因吸水导致的介电损耗因数的上升的固化物。
本申请以2019年8月7日申请的日本国发明专利申请特愿2019-145499号为基础，其内容包含在本申请中。
为了表述本发明，上文中通过实施方式对本发明进行了适当且充分的说明，但应认识到本领域技术人员能够容易地对上述实施方式进行变更和/或改良。因此，本领域技术人员实施的变更实施方式或改良实施方式，只要是没有脱离权利要求书记载的权利要求的保护范围的水平，则该变更实施方式或该改良实施方式可解释为被包含在该权利要求的保护范围内。
产业上的可利用性
根据本发明，可以提供能够获得介电特性低且耐热性高、并且即使在吸水处理后也可以良好地维持低介电特性的固化物的树脂组合物。此外，根据本发明，可以提供使用所述树脂组合物得到的预浸料、带树脂的膜、带树脂的金属箔、覆金属箔层压板及布线板。
Claims (11)
1.一种树脂组合物，其特征在于含有：
末端被具有碳-碳不饱和双键的取代基进行了改性的改性聚苯醚化合物；以及
无机填充材料，其中，
所述无机填充材料包含二氧化硅，在该二氧化硅中，硅烷醇基中所含的Si原子数相对于全部Si原子数的比率为3％以下。
2.根据权利要求1所述的树脂组合物，其特征在于，
相对于所述树脂组合物中的除所述无机填充材料以外的成分100质量份，所述二氧化硅的含量为10～400质量份。
3.一种树脂组合物，其特征在于含有：
末端被具有碳-碳不饱和双键的取代基进行了改性的改性聚苯醚化合物；以及
包含二氧化硅的无机填充材料，其中，
从所述树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物提取的所述无机填充材料中，硅烷醇基中所含的Si原子数相对于全部Si原子数的比率为3％以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的树脂组合物，其特征在于，
相对于所述树脂组合物中的除所述无机填充材料以外的成分100质量份，所述改性聚苯醚化合物的含量为10～95质量份。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的树脂组合物，其特征在于还含有：
固化剂，其中，
所述固化剂包含选自由在分子内具有2个以上的丙烯酰基的多官能丙烯酸酯化合物、在分子内具有2个以上的甲基丙烯酰基的多官能甲基丙烯酸酯化合物、在分子内具有2个以上的乙烯基的多官能乙烯基化合物、苯乙烯衍生物、在分子内具有烯丙基的烯丙基化合物、在分子内具有马来酰亚胺基的马来酰亚胺化合物、在分子内具有苊烯结构的苊烯化合物、以及在分子内具有异氰脲酸酯基的异氰脲酸酯化合物构成的组中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的树脂组合物，其特征在于，
相对于所述树脂组合物中的除所述无机填充材料以外的成分100质量份，所述固化剂的含量为5～50质量份。
7.一种预浸料，其特征在于包括：
权利要求1～6中任一项所述的树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物；以及
纤维质基材。
8.一种带树脂的膜，其特征在于包括：
包含权利要求1～6中任一项所述的树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物的树脂层；以及
支承膜。
9.一种带树脂的金属箔，其特征在于包括：
包含权利要求1～6中任一项所述的树脂组合物或所述树脂组合物的半固化物的树脂层；以及
金属箔。
10.一种覆金属箔层压板，其特征在于包括：
包含权利要求1～6中任一项所述的树脂组合物的固化物或权利要求7所述的预浸料的固化物的绝缘层；以及
金属箔。
11.一种布线板，其特征在于包括：
包含权利要求1～6中任一项所述的树脂组合物的固化物或权利要求7所述的预浸料的固化物的绝缘层；以及
布线。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019145499 | 2019-08-07 | ||
| JP2019-145499 | 2019-08-07 | ||
| PCT/JP2020/029364 WO2021024924A1 (ja) | 2019-08-07 | 2020-07-30 | 樹脂組成物、プリプレグ、樹脂付きフィルム、樹脂付き金属箔、金属張積層板、及び配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114174433A true CN114174433A (zh) | 2022-03-11 |
Family
ID=74504099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202080053394.0A Pending CN114174433A (zh) | 2019-08-07 | 2020-07-30 | 树脂组合物、预浸料、带树脂的膜、带树脂的金属箔、覆金属箔层压板以及布线板 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220289969A1 (zh) |
| JP (1) | JPWO2021024924A1 (zh) |
| CN (1) | CN114174433A (zh) |
| WO (1) | WO2021024924A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021024923A1 (ja) * | 2019-08-07 | 2021-02-11 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ、樹脂付きフィルム、樹脂付き金属箔、金属張積層板、及び配線板 |
| CN113527818B (zh) * | 2021-08-12 | 2022-11-29 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种树脂组合物及其应用 |
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| WO2018186025A1 (ja) * | 2017-04-07 | 2018-10-11 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 金属張積層板、樹脂付き金属部材、及び配線板 |
-
2020
- 2020-07-30 JP JP2021537280A patent/JPWO2021024924A1/ja active Pending
- 2020-07-30 US US17/632,721 patent/US20220289969A1/en active Pending
- 2020-07-30 CN CN202080053394.0A patent/CN114174433A/zh active Pending
- 2020-07-30 WO PCT/JP2020/029364 patent/WO2021024924A1/ja active Application Filing
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| WO2018186025A1 (ja) * | 2017-04-07 | 2018-10-11 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 金属張積層板、樹脂付き金属部材、及び配線板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2021024924A1 (ja) | 2021-02-11 |
| US20220289969A1 (en) | 2022-09-15 |
| JPWO2021024924A1 (zh) | 2021-02-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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