CN1141728C - 等离子显示器的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种等离子显示器的制造方法，包括在前板上形成电极，电极包括位于像素区域的像素部辅助电极与位于接合区域的接合部辅助电极。在前板上涂布介电层以覆盖像素区域及接合区域，然后进行第一热制作工艺，以烧结所形成的该介电层，并提供后板且用封装材料将后板与前板封装粘合，然后进行第二热制作工艺，以烧结该封装材料，封装后的后板覆盖像素区域，并显露出接合区域，以酸溶液湿蚀刻反应去除接合区域上介电层以露出接合部电极。该前板结构有介电层，设置在前板上两接合部电极间，邻接两接合部电极，介电层底面与两接合部电极底面切齐。

Description

等离子显示器的制造方法

技术领域

本发明涉及一种等离子显示器(plasma display panel；PDP)的制造方法及等离子显示器的前板(front panel)结构，特别是涉及一种能够防止接合区域(bonding pad area)的电极表面氧化的前板结构及等离子显示器的制造方法。

背景技术

近年来各种平面显示器(flat panel display；FPD)，例如液晶显示器(liquidcrystal display；LCD)、等离子显示器的设计开发，渐渐地取代了传统的阴极射线管(cathode ray tube；CRT)。其中，等离子显示器是一种通过气体放电来产生发光的平面显示器，其最大的特色是轻、薄、易大型化且无视角问题。

请参照图1，该图显示一种现有等离子显示器的部分立体图。通常，等离子显示器是由前板(front panel)10与后板(rear panel)12封装组合而成，上述前板包括一前玻璃基板(glass substrate)14、多条扫描电极16、一透明介电层18、氧化镁构成的保护层20。每一扫描电极16包括一维持电极22与辅助电极24。在每相邻的两条维持电极22间施加电压可产生等离子，由于必须使透明的光线能够穿透，所以通常使用例如铟锡合金氧化物(Indium TinOxide；ITO)或二氧化锡(SnO₂)所构成的维持电极。然而，维持电极22的电阻值过高，因此在每一维持电极22的上方并联由金属构成的辅助电极24来促进导电能力。

后板12包括有一后玻璃基板30，多个数据(data)电极23、一介电层33、多个阻隔壁34以及多个萤光层36。后板12的排列方式与前板的排列方式互相垂直。两阻隔壁34之间与两条扫描电极16交叉下所形成的空间是作为一个等离子生成处，并称为一像素。数据电极32用以控制等离子生成与否，两条扫描电极16施加电压用以维持等离子存在。萤光层36用以吸收UV光，并依照本身材料的不同而发出不同的可见光，可能是红、绿、蓝光之一。阻隔壁34是避免等离子所发出的UV光照射至邻近的萤光层而产生混色。

请参照图2A～图2C，上述各图显示现有技术的等离子显示器的制作过程俯视图。

首先，请参照图2A，等离子显示器的前玻璃基板300上定义有一像素区域(pixel area)及一接合区域(bonding pad area)，在前玻璃基板上形成一辅助电极(bus electrode)，区分为位于上述像素区域的像素部辅助电极312a及位于上述接合区域的接合部辅助电极312b。上述辅助电极312a、312b是由铬金属(Cr)层/铜金属(Cu)层/铬金属(Cr)层所构成。一维持电极311形成于像素区域的像素部辅助电极312a与前玻璃基板之间。

接着，请参照图2B，在上述图2A所示的前玻璃基板300表面涂布一氧化物，然后在500～600℃的高温下进行热烧结制作工艺，以形成热烧结氧化物构成介电层313，上述介电层313仅覆盖像素区域，不覆盖接合区域而使上述接合区域的辅助电极312b暴露出来。

然后，请参照图2C，一后板320与包括介电层313的等离子显示器前玻璃基板300进行封装(sealing)步骤，即在欲封装处先形成一封装材料(sealing material)318，再以大约400～450℃的高温热处理，将后板320与玻璃基板300封装在一起。后续利用导线将接合区域的辅助电极312b与外部驱动电路连接在一起。

然而，在上述介电层313的高温烧结制作工艺或是封装材料318的热处理中，很容易造成曝露在外的接合部辅助电极312b表面氧化，使得接合区域电极与驱动电路连接效果不佳，而严重影响等离子显示器的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种等离子显示器的制造方法，以及用于制造该面板的前板构造，其能够防止接合区域电极因高温而氧化，从而有效地改善上述现有技术连接效果不佳的问题。

本发明的目的是这样实现的，即提供一种等离子显示器的制造方法，包括下列步骤：

(a)提供一前板，该前板上定义有一像素区域及一接合区域；

(b)在该前板上形成一电极，该电极包括位于该像素区域的一像素部辅助电极与位于该接合区域的一接合部辅助电极；

(c)在该像素区域与该接合区域上形成一介电层，以同时覆盖该像素部电极与该接合部电极，然后进行一第一热制作工艺，用以烧结所形成的该介电层；

(d)提供一后板并通过一封装材料将该后板与该前板封装粘合，封装后的后板覆盖该像素区域，并显露出该接合区域，然后进行一第二热制作工艺，以烧结该封装材料；以及

(e)以蚀刻法去除该接合区域上该介电层部分以露出该接合部电极。

其中该步骤(e)中的蚀刻法是指一酸溶液湿蚀刻法。

其次，上述等离子显示器的制造方法中，去除该接合区域上该介电层部分的步骤可以采用含有盐酸或硝酸的酸溶液进行湿蚀刻。

再者，上述等离子显示器的制造方法中，该接合部电极至少由铜/铬构成。该介电层最好是由二氧化硅、氧化铅、氧化硼材料组成。而该第一热制作工艺的温度可以介于500～600℃之间。

再者，上述等离子显示器的制造方法中，该封装材料可由二氧化硅、氧化铅、氧化硼材料组成。且封装该后板的步骤，其该第二热制作工艺是在温度介于400～450℃之间，热处理该封装材料。

附图说明

下面结合附图，详细说明本发明的实施例，其中：

图1为现有等离子显示器的部分立体图；

图2A～图2C为现有技术的等离子显示器的制作工艺俯视图；

图3A、图4A及图5A为本发明第一实施例的等离子显示器制作工艺俯视图；

图3B为图3A的CD线剖视图；

图4B为图4A的EF线剖视图；

图5B为图5A的GH线剖视图；

图6A为本发明第二实施例的等离子显示器的制作过程俯视图；

图6B为图6A的MN线剖视图。

具体实施内容

以下利用俯视图的图3A、图4A及图5A以及对应的图3B、图4B及图5B，以说明第一实施例。

首先，请参照图3A，等离子显示器的前玻璃基板100上定义有一像素区域(pixel area)及一接合区域(bonding pad area)，在前玻璃基板上形成一电极，此电极为一辅助电极(bus electrode)，其包括位于上述像素区域的像素部辅助电极120a及位于上述接合区域的接合部辅助电极120b。在像素区域中，前玻璃基板100与像素部辅助电极120a之间还包括一维持电极110。如图3B所示，辅助电极120a、120b是由铬金属(Cr)层112/铜金属(Cu)层114/铬金属(Cr)层116所构成。铜金属层114为主导电材料，也可以铝金属代替。

接着，请参照图4A，在前玻璃基板100表面涂布一氧化物，用以同时覆盖该像素部辅助电极120a与该接合部辅助电极120b。氧化物的组成包括二氧化硅(SiO₂)、氧化铅(PbO)以及氧化硼(B₂O₃)等材料。接着，进行一第一热制作工艺，其在500～600℃高温下进行热烧结制作工艺，以形成热烧结介电层130，如图4B所示。像素区域的介电层130a覆盖像素区域的像素部辅助电极120a。同时，接合区域的介电层130b覆盖接合区域的接合部辅助电极120b，以便防止铬金属层116在热烧结制作工艺中被氧化。接着，在介电层上更形成一保护层(图中未显示)。

请参照图5A，提供一后板200以覆盖前玻璃基板100的像素区域，并显露出前玻璃基板100的接合区域。接着，在前玻璃基板100与后板200的特定位置涂布一封装材料180，用以将后板200与前玻璃基板100封装粘合。即在欲封装处形成一由二氧化硅(SiO₂)、氧化铅(PbO)以及氧化硼(B₂O₃)所构成的封装材料(sealing material)180，接着再以一第二热制作工艺，其约400～450℃的高温处理，将后板200与前玻璃基板100粘合。因为有接合区域的介电层130b覆盖住接合区域的接合部辅助电极120b，使得接合部辅助电极120b不易在介电层烧结制作工艺与前后板封装制作工艺等高温热反应中被氧化。接着，以一酸溶液湿蚀刻法，去除接合区域上部分介电层以露出接合部辅助电极120b。即使用含有盐酸的蚀刻液去除接合区域的部分介电层，由于含有盐酸的蚀刻液能够去除介电层与铬金属，且铜金属与铬金属的颜色不同，本第一实施例的蚀刻终点可容易地控制在露出铜金属层114表面时。最后，接合部辅助电极120b是由铜金属层114及铬金属层112构成，如图5B所示。蚀刻后存留的接合区域介电层部分130b介于两相邻接合部辅助电极之间，并邻接两相邻接合部辅助电极，介电层130b底面与两相邻接合部辅助电极底面切齐。

如图6A所示，第二实施例的前玻璃板上电极的制作方法与第一实施例相同，在此不再描述。唯一的差别在于，当前玻璃基板100与后板200封装制作工艺完成后，以一酸溶液湿蚀刻法去除接合区域上部分介电层时，并不使用含盐酸的蚀刻液。此时，改用含有硝酸的酸蚀刻液，来去除接合区域的部分介电层。由于含有硝酸的蚀刻液仅蚀刻介电层而不蚀刻铬金属层，本第二实施例的蚀刻终点可容易地控制在露出铬金属层114表面的时。最后，接合部辅助电极120b是由铬金属层112/铜金属层114/铬金属层112三层构造所构成，如图6B所示。蚀刻后存留的接合区域介电层部分130b′介于两相邻接合部辅助电极120b之间，并邻接两相邻接合部辅助电极，介电层130b′的底面与两相邻接合部辅助电极的底面切齐。

本发明提供一种等离子显示器的制造方法，先在前玻璃基板上前全面性涂布介电层以覆盖前玻璃基板的像素区域及接合区域，然后经过介电层热烧结及与后板高温封装之后，再以酸溶液湿蚀刻接合区域的介电层，以露出接合区域的电极。与现有技术不同的是，在高温制作工艺时介电层仍覆盖接合区域的电极，一直到封装制作工艺完成后，才以蚀刻方法去除接合部电极上方的介电层。如此一来，接合部电极便不易在高温制作工艺中氧化，并发生因电极剥离而无法与外部驱动电路连接的问题。如此一来，可以提高等离子显示器的质量。

再者，本发明提供一种等离子显示器的前板结构，该前板上定义一像素区域及一接合区域，该前板结构包括两电极，平行地设置在该前板上，该两电极包括位于该像素区域的两像素部电极与位于该接合区域的两接合部电极。该前板结构另包括一介电层，设置在该两接合部电极间，并邻接该两接合部电极，且该介电层底面与该两接合部电极底面切齐。

根据本发明的等离子显示器的前板结构以及等离子显示器的制造方法，能够防止接合部电极高温氧化，而有效地改善上述现有技术中接合区域电极与外部驱动电路连接效果不佳的问题。

虽然结合以上较佳实施例揭露了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可作更动与润饰，因此本发明的保护范围应以所附的权利要求所界定的为准。

Claims (6)

1.一种等离子显示器的制造方法，包括下列步骤：

(a)提供一前板，该前板上定义有一像素区域及一接合区域；

(b)在该前板上形成一电极，该电极包括位于该像素区域的一像素部辅助电极与位于该接合区域的一接合部辅助电极；

(c)在该像素区域与该接合区域上形成一介电层，以同时覆盖该像素部辅助电极与该接合部辅助电极，然后进行一第一热制作工艺，用以烧结所形成的该介电层；

(d)提供一后板并通过一封装材料将该后板与该前板封装粘合，封装后的后板覆盖该像素区域，并显露出该接合区域，然后进行一第二热制作工艺，以烧结该封装材料；以及

(e)以蚀刻法去除该接合区域上该介电层部分以露出该接合部辅助电极。

2.如权利要求1所述的等离子显示器的制造方法，其中该步骤(e)中的蚀刻法是指一酸溶液湿蚀刻法。

3.如权利要求2所述的等离子显示器的制造方法，其中上述酸溶液选自硝酸或盐酸任一种。

4.如权利要求1所述的等离子显示器的制造方法，其中该接合部辅助电极至少包括铜/铬两层金属层。

5.如权利要求1所述的等离子显示器的制造方法，其中该第一热制作工艺的温度介于500～600℃之间。

6.如权利要求1所述的等离子显示器的制造方法，其中该第二热制作工艺的温度介于400～450℃之间。

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