CN114171702B - Oled封装结构与oled封装方法 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种OLED封装结构与OLED封装方法。本申请实施例提供的OLED封装结构，通过在第一无机层和有机层之间设置第一粘接层，以及在第二无机层和有机层之间设置第二粘接层，能够增强第一无机层和有机层之间的连接效果以及第二无机层和有机层之间的连接效果，从而能够使薄膜封装层中的各膜层结合的更加紧密，提高薄膜封装层的阻隔水氧能力，进而延长OLED器件的使用寿命。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种OLED封装结构与OLED封装方法。
背景技术
近年来，随着OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示技术的突飞猛进，OLED产品由于具备轻薄、响应快、广视角、高对比度、可弯折等优点，受到了越来越多的关注和应用，其主要应用在手机、平板、电视等显示领域。
薄膜封装(Thin Film Encapsulation，TFE)是利用超薄的薄膜实现对OLED材料的密封，以保护OLED材料不受外部水分、氧气的侵蚀的一种封装方式。现有的薄膜封装结构通常为无机层、有机层、无机层依次层叠设置的结构，然而，该薄膜封装结构的阻隔水氧能力较弱，无法对OLED器件形成有效保护。
发明内容
本申请实施例提供一种OLED封装结构与OLED封装方法，其中的薄膜封装层具有较强的阻隔水氧能力，能够对OLED器件形成有效保护，从而延长OLED器件的使用寿命。
第一方面，本申请实施例提供一种OLED封装结构，包括：
驱动基板；
OLED器件，设于所述驱动基板上；
薄膜封装层，用于封装所述OLED器件，所述薄膜封装层包括在所述OLED器件和所述驱动基板上依次层叠设置的第一无机层、第一粘接层、有机层、第二粘接层和第二无机层，其中，所述第一粘接层起到粘接所述第一无机层和所述有机层的作用，所述第二粘接层起到粘接所述第二无机层和所述有机层的作用。
在一些实施例中，所述第一粘接层的材料和所述第二粘接层的材料均包括环氧树脂和亚克力树脂中的至少一种；和/或
所述第一粘接层的厚度和所述第二粘接层的厚度均为0.5μm～1.5μm。
在一些实施例中，所述有机层的材料包括聚二甲基硅氧烷；和/或
所述有机层的厚度为5μm～15μm。
在一些实施例中，所述第一无机层包括层叠设置的第一本体和第一过渡层，其中，所述第一本体朝向所述OLED器件和所述驱动基板设置，所述第一过渡层朝向所述第一粘接层设置，所述第一本体的材料和所述第一过渡层的材料均为氮氧化硅，其中，所述第一过渡层中的氮氧化硅的氧含量高于所述第一本体中的氮氧化硅的氧含量，所述第一本体中的氮氧化硅的氮含量高于所述第一过渡层中的氮氧化硅的氮含量。
在一些实施例中，所述第一本体的厚度为500nm-2μm，所述第一过渡层的厚度为50nm～500nm。
在一些实施例中，所述第二无机层包括层叠设置的第二过渡层和第二本体，其中，所述第二过渡层朝向所述第二粘接层设置，所述第二本体的材料和所述第二过渡层的材料均为氮氧化硅，其中，所述第二过渡层中的氮氧化硅的氧含量高于所述第二本体中的氮氧化硅的氧含量，所述第二本体中的氮氧化硅的氮含量高于所述第二过渡层中的氮氧化硅的氮含量。
在一些实施例中，所述第二本体的厚度为500nm-2μm，所述第二过渡层的厚度为50nm～500nm。
在一些实施例中，所述第二过渡层包括相连的第一主体和第一侧部，所述第一主体包覆所述第一粘接层远离所述有机层的一侧，所述第一侧部包覆所述第一粘接层、所述有机层以及所述第二粘接层的侧面，并且，所述第一侧部远离所述第一主体的一端与所述第一过渡层连接；
所述第二本体包括相连的第二主体和第二侧部，所述第二主体包覆所述第二过渡层远离所述第一粘接层的一侧，所述第二侧部包覆所述第一侧部的外表面，并且，所述第二侧部远离所述第二主体的一端与所述第一本体连接。
第二方面，本申请实施例提供一种OLED封装方法，包括：
提供驱动基板，在所述驱动基板上制备OLED器件；
在所述OLED器件和所述驱动基板上制备薄膜封装层，所述薄膜封装层用于封装所述OLED器件，所述薄膜封装层包括在所述OLED器件和所述驱动基板上依次层叠设置的第一无机层、第一粘接层、有机层、第二粘接层和第二无机层，其中，所述第一粘接层起到粘接所述第一无机层和所述有机层的作用，所述第二粘接层起到粘接所述第二无机层和所述有机层的作用。
在一些实施例中，所述制备薄膜封装层包括：
采用化学气相沉积的方式制备所述第一无机层；
采用涂布的方式在所述第一无机层上形成第一湿膜层，对所述第一湿膜层进行固化后，得到所述第一粘接层；
采用涂布的方式在所述第一粘接层上形成第二湿膜层，对所述第二湿膜层进行固化后，得到所述有机层；
采用涂布的方式在所述有机层上形成第三湿膜层，对所述第三湿膜层进行固化后，得到所述第二粘接层；
采用化学气相沉积的方式制备所述第二无机层。
本申请实施例提供的OLED封装结构，通过在第一无机层和有机层之间设置第一粘接层，以及在第二无机层和有机层之间设置第二粘接层，能够增强第一无机层和有机层之间的连接效果以及第二无机层和有机层之间的连接效果，从而能够使薄膜封装层中的各膜层结合的更加紧密，提高薄膜封装层的阻隔水氧能力，进而延长OLED器件的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的OLED封装结构的剖视示意图。
图2为本申请实施例提供的OLED封装方法的流程图。
图3为本申请实施例提供的制备OLED器件的示意图。
图4为本申请实施例提供的制备第一无机层的第一本体的示意图。
图5为本申请实施例提供的制备第一无机层的第一过渡层的示意图。
图6为本申请实施例提供的制备第一粘接层的示意图。
图7为本申请实施例提供的制备有机层的示意图。
图8为本申请实施例提供的制备第二粘接层的示意图。
图9为本申请实施例提供的制备第二无机层的第二过渡层的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的OLED封装结构的剖视示意图。本申请实施例提供一种OLED封装结构100，包括驱动基板10、OLED器件20以及薄膜封装层30，OLED器件20设于驱动基板10上，薄膜封装层30用于封装OLED器件20，薄膜封装层30包括在OLED器件20和驱动基板10上依次层叠设置的第一无机层31、第一粘接层32、有机层33、第二粘接层34和第二无机层35，其中，第一粘接层32起到粘接第一无机层31和有机层33的作用，第二粘接层34起到粘接第二无机层35和有机层33的作用。
本申请实施例提供的OLED封装结构，通过在第一无机层31和有机层33之间设置第一粘接层32，以及在第二无机层35和有机层33之间设置第二粘接层34，能够增强第一无机层31和有机层33之间的连接效果以及第二无机层35和有机层33之间的连接效果，从而能够使薄膜封装层30中的各膜层结合的更加紧密，提高薄膜封装层30的阻隔水氧能力，进而延长OLED器件20的使用寿命。
示例性地，第一粘接层32的材料和第二粘接层34的材料可以均包括环氧树脂和亚克力树脂中的至少一种。
示例性地，第一粘接层32的厚度和第二粘接层34的厚度可以均为0.5μm～1.5μm(例如0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、0.1μm、0.11μm、0.12μm、0.13μm、0.14μm、0.15μm等)。
示例性地，有机层33的材料可以包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)。相关技术中，薄膜封装层30中的有机层33的材料通常为环氧树脂或亚克力树脂，由于环氧树脂和亚克力树脂的阻隔水氧能力较弱，导致薄膜封装层30的阻隔水氧能力较弱，本申请实施例通过将有机层33的材料设置为聚二甲基硅氧烷，相对于环氧树脂和亚克力树脂来说，聚二甲基硅氧烷作为一种疏水有机材料，具有更强的阻隔水氧能力，因此能够提升整个薄膜封装层30的阻隔水氧能力。
示例性地，有机层33的厚度可以为5μm～15μm(例如5μm、6μm、7μm、8μm、9μm、10μm、11μm、12μm、13μm、14μm、15μm等)。
示例性地，第一无机层31包括第一本体311和第一过渡层312，其中，第一本体311朝向OLED器件20和驱动基板10设置，第一过渡层312朝向第一粘接层32设置，第一本体311的材料和第一过渡层312的材料均为氮氧化硅(SiOxNx)，其中，第一过渡层312中的氮氧化硅的氧含量高于第一本体311中的氮氧化硅的氧含量，第一本体311中的氮氧化硅的氮含量可以高于第一过渡层312中的氮氧化硅的氮含量。需要说明的是，氮氧化硅中的氧含量指的是氮氧化硅中的氧元素的质量百分百比，氮氧化硅中的氮含量指的是氮氧化硅中的氮元素的质量百分百比，已知氮氧化硅中的氧含量越高，其粘接能力越强，而氮氧化硅中的氮含量越高，其折射率越高，也即是说，第一本体311的折射率大于第一过渡层312的折射率，第一过渡层312的粘着力大于第一本体311的粘着力，因此，第一过渡层312能够起到增强第一本体311和第一粘接层32之间的粘接力的作用。
示例性地，第一本体311的厚度可以为500nm-2μm(例如500nm、800nm、1μm、1.2μm、1.5μm、1.7μm、2μm等)，第一过渡层312的厚度可以为50nm～500nm(例如50nm、100nm、200nm、300nm、400nm、500nm等)。
示例性地，第二无机层35包括层叠设置的第二过渡层351和第二本体352，其中，第二过渡层351朝向第二粘接层34设置，第二本体352的材料和第二过渡层351的材料均为氮氧化硅(SiOxNx)，其中，第二过渡层351中的氮氧化硅的氧含量可以高于第二本体352中的氮氧化硅的氧含量，第二本体352中的氮氧化硅的氮含量高于第二过渡层351中的氮氧化硅的氮含量。已知氮氧化硅中的氧含量越高，其粘接能力越强，而氮氧化硅中的氮含量越高，其折射率越高，也即是说，第二本体352的折射率大于第二过渡层351的折射率，第二过渡层351的粘着力大于第二本体352的粘着力，因此，第二过渡层351能够起到增强第二本体352和第二粘接层34之间的粘接力的作用，并且，由于第二本体352的折射率大于第二过渡层351的折射率，因此可以起到聚集光线，提高OLED器件20的出光亮度的作用。
在一些实施例中，第一过渡层312的材料和第二过渡层351的材料相同，第一本体311的材料和第二本体352的材料相同。
示例性地，第二本体352的厚度可以为500nm-2μm(例如500nm、1μm、1.5μm、2μm等)，第二过渡层351的厚度可以为50nm～500nm(例如50nm、100nm、200nm、300nm、400nm、500nm等)。
请结合图1，第二过渡层351可以包括相连的第一主体401和第一侧部402，第一主体401包覆第一粘接层32远离有机层33的一侧，第一侧部402包覆第一粘接层32、有机层33以及第二粘接层34的侧面，并且，第一侧部402远离第一主体401的一端与第一过渡层312连接。需要说明的是，通过设置第二过渡层351和第一过渡层312相连，能够对第一粘接层32、有机层33以及第二粘接层34的侧面起到包覆作用，进一步增强薄膜封装层30的水氧阻隔能力。
请结合图1，第二本体352可以包括相连的第二主体501和第二侧部502，第二主体501包覆第二过渡层351远离第一粘接层32的一侧，第二侧部502包覆第一侧部402的外表面，并且，第二侧部502远离第二主体501的一端与第一本体311连接。需要说明的是，通过设置第二本体352和第一本体311相连，能够在第二过渡层351包覆第一粘接层32、有机层33以及第二粘接层34的侧面的基础上，进一步增加一包覆层，从而进一步增强薄膜封装层30的水氧阻隔能力。
请结合图1，驱动基板10可以包括依次层叠设置的衬底11、TFT器件层1212和像素定义层13，像素定义层13上设有开口14，OLED器件20的至少部分结构设于开口14内。示例性地，衬底11可以为柔性衬底。
请结合图1，OLED器件20可以包括在驱动基板10上依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极和光提取层(CPL)，可以理解的是，光提取层可以提高OLED器件20的光取出效率，其中，阴极可以整面覆盖于电子注入层和像素定义层13上，即阴极的部分区域位于开口14内，其它区域位于开口14周围的像素定义层13上，光提取层可以整面覆盖于阴极上。示例性地，阳极的材料可以为氧化铟锡(ITO)，阴极的材料可以为银(Ag)。
请参阅图2，图2为本申请实施例提供的OLED封装方法的流程图。本申请实施例还提供一种OLED封装方法，该OLED封装方法可以用于制备上述任一实施例中的OLED封装结构100，该OLED封装方法可以包括：
100，提供驱动基板，在驱动基板上制备OLED器件。
请结合图3，图3为本申请实施例提供的制备OLED器件20的示意图。在驱动基板10上制备OLED器件20为本领域的常规技术，具体工艺过程此处不做赘述。
200，在OLED器件和驱动基板上制备薄膜封装层，薄膜封装层用于封装OLED器件，薄膜封装层包括在OLED器件和驱动基板上依次层叠设置的第一无机层、第一粘接层、有机层、第二粘接层和第二无机层，其中，第一粘接层起到粘接第一无机层和有机层的作用，第二粘接层起到粘接第二无机层和有机层的作用。
示例性地，“制备薄膜封装层”具体可以包括：
210，采用化学气相沉积的方式制备第一无机层。
请参阅图4和图5，图4为本申请实施例提供的制备第一无机层的第一本体的示意图，图5为本申请实施例提供的制备第一无机层的第一过渡层的示意图。“采用化学气相沉积的方式制备第一无机层31”具体可以包括：采用化学气相沉积的方式在OLED器件20和驱动基板10上形成第一本体311，之后采用化学气相沉积的方式在第一本体311上形成第一过渡层312。示例性地，第一本体311和第一过渡层312均可以采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)进行制备。
220，采用涂布的方式在第一无机层上形成第一湿膜层，对第一湿膜层进行固化后，得到第一粘接层。
请参阅图6，图6为本申请实施例提供的制备第一粘接层的示意图。采用涂布(例如滴涂)的方式在第一无机层31上形成第一湿膜层，待流平后，采用UV照射固化的方式对第一湿膜层进行固化，固化后得到第一粘接层32。UV照射固化的时间可以为30s-2min(例如30s、50s、1min、1.2min、1.5min、1.8min、2min等)。
230，采用涂布的方式在第一粘接层上形成第二湿膜层，对第二湿膜层进行固化后，得到有机层。
请结合图7，图7为本申请实施例提供的制备有机层的示意图。采用涂布(例如滴涂)的方式在第一粘接层32上形成第二湿膜层，待流平后，采用UV照射固化的方式对第二湿膜层进行固化，固化后得到有机层33。UV照射固化的时间可以为30s-2min(例如30s、50s、1min、1.2min、1.5min、1.8min、2min等)。
240，采用涂布的方式在有机层上形成第三湿膜层，对第三湿膜层进行固化后，得到第二粘接层。
请结合图8，图8为本申请实施例提供的制备第二粘接层的示意图。采用涂布(例如滴涂)的方式在有机层33上形成第三湿膜层，待流平后，采用UV照射固化的方式对第三湿膜层进行固化，固化后得到第二粘接层34。UV照射固化的时间可以为30s-2min(例如30s、50s、1min、1.2min、1.5min、1.8min、2min等)。
250，采用化学气相沉积的方式制备第二无机层。
请结合图9和图1，图9为本申请实施例提供的制备第二无机层的第二过渡层的示意图。“采用化学气相沉积的方式制备第二无机层”具体可以包括：采用化学气相沉积的方式在第二粘接层34上形成第二过渡层351，之后采用化学气相沉积的方式在第二过渡层351上形成第二本体352。示例性地，第二本体352和第二过渡层351均可以采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)进行制备。
以上对本申请实施例提供的OLED封装结构与OLED封装方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (7)
1.一种OLED封装结构，其特征在于，包括：
驱动基板；
OLED器件，设于所述驱动基板上；
薄膜封装层，用于封装所述OLED器件，所述薄膜封装层包括在所述OLED器件和所述驱动基板上依次层叠设置的第一无机层、第一粘接层、有机层、第二粘接层和第二无机层，其中，所述第一粘接层起到粘接所述第一无机层和所述有机层的作用，所述第二粘接层起到粘接所述第二无机层和所述有机层的作用；
所述第一无机层包括层叠设置的第一本体和第一过渡层，其中，所述第一本体朝向所述OLED器件和所述驱动基板设置，所述第一过渡层朝向所述第一粘接层设置，所述第一本体的材料和所述第一过渡层的材料均为氮氧化硅，其中，所述第一过渡层中的氮氧化硅的氧含量高于所述第一本体中的氮氧化硅的氧含量，所述第一本体中的氮氧化硅的氮含量高于所述第一过渡层中的氮氧化硅的氮含量；
所述第二无机层包括层叠设置的第二过渡层和第二本体，其中，所述第二过渡层朝向所述第二粘接层设置，所述第二本体的材料和所述第二过渡层的材料均为氮氧化硅，其中，所述第二过渡层中的氮氧化硅的氧含量高于所述第二本体中的氮氧化硅的氧含量，所述第二本体中的氮氧化硅的氮含量高于所述第二过渡层中的氮氧化硅的氮含量；
所述第二过渡层包括相连的第一主体和第一侧部，所述第一主体包覆所述第一粘接层远离所述有机层的一侧，所述第一侧部包覆所述第一粘接层、所述有机层以及所述第二粘接层的侧面，并且，所述第一侧部远离所述第一主体的一端与所述第一过渡层连接；
所述第二本体包括相连的第二主体和第二侧部，所述第二主体包覆所述第二过渡层远离所述第一粘接层的一侧，所述第二侧部包覆所述第一侧部的外表面，并且，所述第二侧部远离所述第二主体的一端与所述第一本体连接。
2.根据权利要求1所述的OLED封装结构，其特征在于，所述第一粘接层的材料和所述第二粘接层的材料均包括环氧树脂和亚克力树脂中的至少一种；和/或
所述第一粘接层的厚度和所述第二粘接层的厚度均为0.5μm～1.5μm。
3.根据权利要求1所述的OLED封装结构，其特征在于，所述有机层的材料包括聚二甲基硅氧烷；和/或
所述有机层的厚度为5μm～15μm。
4.根据权利要求1所述的OLED封装结构，其特征在于，所述第一本体的厚度为500nm-2μm，所述第一过渡层的厚度为50nm～500nm。
5.根据权利要求1所述的OLED封装结构，其特征在于，所述第二本体的厚度为500nm-2μm，所述第二过渡层的厚度为50nm～500nm。
6.一种OLED封装方法，其特征在于，包括：
提供驱动基板，在所述驱动基板上制备OLED器件；
在所述OLED器件和所述驱动基板上制备薄膜封装层，所述薄膜封装层用于封装所述OLED器件，所述薄膜封装层包括在所述OLED器件和所述驱动基板上依次层叠设置的第一无机层、第一粘接层、有机层、第二粘接层和第二无机层，其中，所述第一粘接层起到粘接所述第一无机层和所述有机层的作用，所述第二粘接层起到粘接所述第二无机层和所述有机层的作用；
所述第一无机层包括层叠设置的第一本体和第一过渡层，其中，所述第一本体朝向所述OLED器件和所述驱动基板设置，所述第一过渡层朝向所述第一粘接层设置，所述第一本体的材料和所述第一过渡层的材料均为氮氧化硅，其中，所述第一过渡层中的氮氧化硅的氧含量高于所述第一本体中的氮氧化硅的氧含量，所述第一本体中的氮氧化硅的氮含量高于所述第一过渡层中的氮氧化硅的氮含量；
所述第二无机层包括层叠设置的第二过渡层和第二本体，其中，所述第二过渡层朝向所述第二粘接层设置，所述第二本体的材料和所述第二过渡层的材料均为氮氧化硅，其中，所述第二过渡层中的氮氧化硅的氧含量高于所述第二本体中的氮氧化硅的氧含量，所述第二本体中的氮氧化硅的氮含量高于所述第二过渡层中的氮氧化硅的氮含量；
所述第二过渡层包括相连的第一主体和第一侧部，所述第一主体包覆所述第一粘接层远离所述有机层的一侧，所述第一侧部包覆所述第一粘接层、所述有机层以及所述第二粘接层的侧面，并且，所述第一侧部远离所述第一主体的一端与所述第一过渡层连接；
所述第二本体包括相连的第二主体和第二侧部，所述第二主体包覆所述第二过渡层远离所述第一粘接层的一侧，所述第二侧部包覆所述第一侧部的外表面，并且，所述第二侧部远离所述第二主体的一端与所述第一本体连接。
7.根据权利要求6所述的OLED封装方法，其特征在于，所述制备薄膜封装层包括：
采用化学气相沉积的方式制备所述第一无机层；
采用涂布的方式在所述第一无机层上形成第一湿膜层，对所述第一湿膜层进行固化后，得到所述第一粘接层；
采用涂布的方式在所述第一粘接层上形成第二湿膜层，对所述第二湿膜层进行固化后，得到所述有机层；
采用涂布的方式在所述有机层上形成第三湿膜层，对所述第三湿膜层进行固化后，得到所述第二粘接层；
采用化学气相沉积的方式制备所述第二无机层。
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