CN114150235B - 非晶纳米晶母合金及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供的一种非晶纳米晶母合金,其成分包括有Fe100‑a‑b‑c‑x‑y‑zSiaBbCcMnxCryXZ,式中X为P、Cu、Mo、Ni中的任意一种,其中8≤a≤15,6≤b≤12,0.2≤c≤3.0,0.1≤x≤3.5,0.5≤y≤2.5,0≤Z≤4.0;本发明的非晶纳米晶母合金通过合金成分的设计优化,改变常规应用的非晶纳米晶合金内部原子排布,使其具有非晶形成能力强的特点;该母合金可以用于制备非晶纳米晶粉末、带材,进一步可以获得非晶纳米晶磁芯、磁粉芯或电感器件等产品,以使其制备的产品具有低损耗、高饱和磁感应强度及高直流偏置能力的特点。

Description

非晶纳米晶母合金及其制备方法
技术领域
本发明涉及软磁合金冶金技术领域,具体涉及一种非晶纳米晶母合金及其制备方法。
背景技术
非晶材料具有高的饱和磁感、高磁导率、低矫顽力和低的高频损耗、良好的强硬度、耐磨性及耐腐蚀性、良好的温度及环境稳定性等,其优异的综合性能,代替坡莫合金、硅钢和铁氧体,在电力电子技术中应用,显示出体积小、效率高、节能等特点,在所有的金属软磁材料中具有最佳的性能价格比。
现有技术中,主要以羰基铁粉及铁硅铬粉以作一体成型电感的制备原料,但以上两种粉末具有更大的磁滞损耗,并且粉末体电阻率较低造成产品应用过程更大的涡流损耗,该类产品应用中具有较高的损耗,引起产品发热、能效降低等问题。
“非晶纳米晶”,于本领域而言可视为是对非晶、纳米晶两者的并列概念约定俗成称谓,而本领域中,基于合金的处理阶段不同,于非晶至纳米晶的转化过程中,或存在有非晶态、非晶态与纳米晶共存的形态及纳米晶态的三者形态,故该“非晶纳米晶”的限定描述,可视为是对非晶态、非晶且纳米晶态、纳米晶态三种的合金形态的上位概括概念。
发明内容
本发明的目的在于为克服现有技术的不足而提供一种非晶纳米晶母合金及其制备方法。
非晶纳米晶母合金,其成分包括有Fe100-a-b-c-x-y-zSiaBbCcMnxCryXZ,式中X为P、Cu、Mo、Ni中的任意一种,其中8≤a≤15,6≤b≤12,0.2≤c≤3.0,0.1≤x≤3.5,0.5≤y≤2.5,0≤Z≤4.0。
进一步地,其中6≤b≤9,0.3≤y≤2.5。
进一步地,其成分包括有Fe75Si11B9C2.5Cr2.3Mn0.2
进一步地,其成分包括有Fe74.8Si11B9C1.5Cr2.5Mn0.2P1或Fe74.8Si11B9C0.5Cr1.5Mn0.2P2或Fe73.8Si11B9C1.5Cr1.5Mn0.2P2或Fe79Si11B7C0.5Cr0.3Mn0.2P2或Fe79Si9B6.2C0.5Cr0.3Mn1P4
进一步地,其成分包括有Fe74.8Si11B9C1.5Cr2.5Mn0.2Mo1或Fe76.8Si11B9C0.5Cr1.5Mn0.2Mo1或Fe73.8Si11B9C1.5Cr1.5Mn1.2Mo1或Fe78Si11B7C0.5Cr0.5Mn1Mo2
进一步地,其成分包括有Fe74.8Si11B9C1.5Cr2.5Mn0.2Ni1或Fe74.8Si11B9C0.5Cr1.5Mn0.2Ni2或Fe74.8Si11B7C1.5Cr1.5Mn0.2Ni3或Fe76.8Si11B7C0.5Cr0.5Mn0.2Ni4
该非晶纳米晶母合金的制备方法,其包括以下步骤:
S1、基于预设的成分式,以选取有对应元素成分中的金属原料置入冶炼炉进行冶炼;
S2、待冶炼上述金属原料至完全融化后,选取有对应元素成分中的合金原料或非金属原料进行二次冶炼;
S3、待二次冶炼上述材料均完全融化后,将所得合金熔液浇注入模具,而后冷却成型;以得到有非晶纳米晶母合金。
本发明的有益效果在于:
本发明的非晶纳米晶母合金通过合金成分的设计优化,改变常规应用的非晶纳米晶合金内部原子排布,使其具有非晶形成能力强的特点;该母合金可以用于制备非晶纳米晶粉末、带材,进一步可以获得非晶纳米晶磁芯、磁粉芯或电感器件等产品,以使其制备的产品具有低损耗、高饱和磁感应强度及高直流偏置能力的特点。
具体实施方式
为了使本发明的技术方案、目的及其优点更清楚明白,以下实施例,对本发明进行进一步的解释说明。
本发明中的电感器制备方法,其具体涉及有以下步骤:
S1、将原料按预设的成分配方进行调配及冶炼,以制备得到有母合金;
S2、以现有技术中常规的制带破碎制粉方法或雾化制粉方法将所得母合金进行粉末的制备,以制备得到有非晶纳米晶粉末,其中,该以制带破碎制粉方法所得的粉末将呈不规则的片状;该雾化制粉方法所制得粉末将呈类球型状;
S3、将所得非晶纳米晶粉末进行绝缘包覆处理,以得到有包覆粉末;
S4、对所得包覆粉末进行成型处理,令相应粉末成粒状,以得到有非晶纳米晶绝缘成品粉末;
其中,该成型处理过程包括使包覆粉末加入粘结剂以二次包覆处理,而得到有半成品粉末;而后,再对该半成品粉末加入有润滑剂并进行搅拌混合,令相应粉末成粒状,即可得到有绝缘成品粉末;
S5、将所得绝缘成品粉末进行进行压制成型并烘烤固化,后续处理以得到有所述电感器。
实施例1:
而基于步骤S1的应用中,本发明所预设的成分配方,其用于制备的合金成分包括有Fe100-a-b-c-x-y-zSiaBbCcMnxCryXZ,,式中X为P、Cu、Mo、Ni中的任意一种,其中8≤a≤15,6≤b≤12,0.2≤c≤3.0,0.1≤x≤3.5,0.5≤y≤2.5,0≤Z≤4.0。优选地,6≤b≤9,0.3≤y≤2.5。
该母合金的合金成分设置,将可使其后续制备的粉末具有较高非晶形成能力,强的耐腐蚀能力,高的饱和磁感应强度,低的矫顽力,其应用将具有着良好的应用前景。
上述合金成分方案优选应用为Fe74.8Si11B9C1.5Cr2.5Mn0.2P1或Fe74.8Si11B9C0.5Cr1.5Mn0.2P2或Fe73.8Si11B9C1.5Cr1.5Mn0.2P2或Fe79Si11B7C0.5Cr0.3Mn0.2P2或Fe79Si9B6.2C0.5Cr0.3Mn1P4
具体而言,该母合金的冶炼过程如下:
S1-1、选取有工业纯铁、球铁及电解铬、金属锰等金属原料,置入冶炼炉进行冶炼,冶炼温度为1350~1550摄氏度,冶炼时间为1.5~3.5h;
S1-2、待冶炼上述材料至完全融化后,依次加入硼铁、磷铁及工业硅等合金原料及非金属原料进行二次冶炼;
S1-3、待二次冶炼上述材料均完全融化后,保温10min;
S1-4、待融化后的金属熔液降温至1350摄氏度后,开启冶炼炉,并作去除合金熔液的表面杂质处理;
S1-5、将去除表面杂质后的合金熔液以浇注入钢锭模具,而后冷却成型,以得到有所述母合金。
其中,所采用冶炼炉优选为真空冶炼炉,其装炉量为15~35kg。
而基于步骤S2的应用中,以该具有特定合金成分的母合金,可制备有相应的非晶纳米晶带材产品、呈片状的非晶纳米晶破碎粉末产品及呈类球状的非晶纳米晶雾化粉末产品。
则如附表1所示,以该母合金所制带材,其将具有以下性能特点。
附表1(不同成分非晶纳米晶带材试验性能)
Figure GDA0004184021720000031
而如附表2所示,以该母合金所制带材破碎成粉,通过现有技术的磁粉芯制备方式,其所制得的磁粉芯,将具有以下性能特点。
附表2(不同成分非晶纳米晶破碎粉末所制备磁粉芯试验性能)
Figure GDA0004184021720000032
Figure GDA0004184021720000041
而如附表3所示,基于现有技术的气雾化或水雾化或水气雾化联合方法,以该母合金所制雾化粉末,其性能将通过压环方式作评估,其性能评估结果将具有以下性能特点。
附表3(非晶纳米晶雾化粉末与常规粉末压环试验性能对比)
Figure GDA0004184021720000042
而如附表4所示,基于该合金成分的应用,则其中不同成分所制得的雾化粉末,其性能评估结果将具有以下性能特点。
附表4(不同成分非晶纳米晶雾化粉末压环试验性能对比)
Figure GDA0004184021720000043
实施例2:
本实施例与上述实施例1的区别在于,其合金成分方案优选应用为Fe74.8Si11B9C1.5Cr2.5Mn0.2Mo1或Fe76.8Si11B9C0.5Cr1.5Mn0.2Mo1或Fe73.8Si11B9C1.5Cr1.5Mn1.2Mo1或Fe78Si11B7C0.5Cr0.5Mn1Mo2
具体而言,该母合金的冶炼过程如下:
S1-1、选取有工业纯铁、球铁及电解铬、金属锰、电解钼等金属原料,置入冶炼炉进行冶炼,冶炼温度为1350~1550摄氏度,冶炼时间为1.5~3.5h;
S1-2、待冶炼上述材料至完全融化后,依次加入硼铁及工业硅等合金原料及非金属原料进行二次冶炼;
S1-3、待二次冶炼上述材料均完全融化后,保温10min;
S1-4、待融化后的金属熔液降温至1350摄氏度后,开启冶炼炉,并作去除合金熔液的表面杂质处理;
S1-5、将去除表面杂质后的合金熔液以浇注入钢锭模具,而后冷却成型,以得到有所述母合金。
其中,所采用冶炼炉优选为真空冶炼炉,其装炉量为15~35kg。
而基于步骤S2的应用中,以该具有特定合金成分的母合金,可制备有相应的非晶纳米晶带材产品、呈片状的非晶纳米晶破碎粉末产品及呈类球状的非晶纳米晶雾化粉末产品。
则如附表5所示,以该母合金所制带材,其将具有以下性能特点。
附表5(不同成分非晶纳米晶带材试验性能)
Figure GDA0004184021720000051
而如附表6所示,以该母合金所制带材破碎成粉,通过现有技术的磁粉芯制备方式,其所制得的磁粉芯,将具有以下性能特点。
附表6(不同成分非晶纳米晶破碎粉末所制备磁粉芯试验性能)
Figure GDA0004184021720000052
而如附表7所示,基于现有技术的气雾化或水雾化或水气雾化联合方法,以该母合金所制雾化粉末,其性能将通过压环方式作评估,其性能评估结果将具有以下性能特点。
附表7(非晶纳米晶雾化粉末与常规粉末压环试验性能对比)
Figure GDA0004184021720000061
而如附表8所示,基于该合金成分的应用,则其中不同成分所制得的雾化粉末,按照一体成型电感评估方式进行评估,其性能评估结果将具有以下性能特点。
附表8(不同成分非晶纳米晶雾化粉末按照一体电感评估方式的性能对比)
Figure GDA0004184021720000062
实施例3:
本实施例与上述实施例1的区别在于,其合金成分方案优选应用为:Fe74.8Si11B9C1.5Cr2.5Mn0.2Ni1或Fe75.8Si11B9C0.5Cr1.5Mn0.2Ni2或Fe75.8Si11B7C1.5Cr1.5Mn0.2Ni3或Fe76.8Si11B7C0.5Cr0.5Mn0.2Ni4
具体而言,该母合金的冶炼过程如下:
S1-1、选取有工业纯铁、球铁及电解铬、金属锰、电解镍等金属原料,置入冶炼炉进行冶炼,冶炼温度为1350~1550摄氏度,冶炼时间为1.5~3.5h;
S1-2、待冶炼上述材料至完全融化后,依次加入硼铁及工业硅等合金原料及非金属原料进行二次冶炼;
S1-3、待二次冶炼上述材料均完全融化后,保温10min;
S1-4、待融化后的金属熔液降温至1350摄氏度后,开启冶炼炉,并作去除合金熔液的表面杂质处理;
S1-5、将去除表面杂质后的合金熔液以浇注入钢锭模具,而后冷却成型,以得到有所述母合金。
其中,所采用冶炼炉优选为真空冶炼炉,其装炉量为15~35kg。
而基于步骤S2的应用中,以该具有特定合金成分的母合金,可制备有相应的非晶纳米晶带材产品、呈片状的非晶纳米晶破碎粉末产品及呈类球状的非晶纳米晶雾化粉末产品。
则如附表9所示,以该母合金所制带材,其将具有以下性能特点。
附表9(不同成分非晶纳米晶带材试验性能)
Figure GDA0004184021720000071
而如附表10所示,以该母合金所制带材破碎成粉,通过现有技术的磁粉芯制备方式,其所制得的磁粉芯,将具有以下性能特点。
附表10(不同成分非晶纳米晶破碎粉末所制备磁粉芯试验性能)
Figure GDA0004184021720000072
而如附表11所示,基于现有技术的气雾化或水雾化或水气雾化联合方法,以该母合金所制雾化粉末,其性能将通过压环方式作评估,其性能评估结果将具有以下性能特点。
附表11(非晶纳米晶雾化粉末与常规粉末压环试验性能对比)
Figure GDA0004184021720000073
Figure GDA0004184021720000081
而如附表12所示,基于该合金成分的应用,则其中不同成分所制得的雾化粉末,按照一体成型电感评估方式进行评估,其性能评估结果将具有以下性能特点。
附表12(不同成分非晶纳米晶雾化粉末按照一体电感评估方式的性能对比)
Figure GDA0004184021720000082
实施例4:
基于上述实施例1至3的应用情况下,为了对粉末流动性及松装密度的优化,则于该步骤S2所制备的的雾化粉末,我们可对其进行干燥、分级处理,以将其分设为不同目数级别进行应用。而作为优选的实施方式,将使该雾化粉末分设有-800目、-500目及-325目这三个级别;所采用粉末配比优选-800:-500:-325=1:3:6;粉末混合配制优选超声分散的混合方式;粉末松装密度范围为3.2~4.5g/cm3。
下述附表13中,按照一体成型电感评估方式进行评估,将列明有不同粉末配比的性能区别效果。
附表13(不同粉末配比压环试验性能对比)
Figure GDA0004184021720000083
而基于本发明中的雾化粉末制备应用下,因该雾化粉末其形状呈类球型状,则于其粉末于粉末之间,或将存在有较多的间隙情况;则以此直接进行电感器产品生产,则其产品性能仍将存在有局限。
则本实施例中,于步骤S3应用,将使所得非晶纳米晶的雾化粉末进行绝缘包覆处理前,添加有填充粉末以充分搅拌混合;该填充粉末选择应用为铁硅铬和/或羰基铁粉,而令该非晶纳米晶的雾化粉末之间间隙形成填充,以混合形成有一种非晶纳米晶混合粉末,从而有效增加其中粉粒之间的结合强度,以有效地提升其后续产品的密度,达到改善产品性能的效果。
在非晶纳米晶混合粉末的应用情况下,则其所采用的雾化粉末的粒度范围将为-325~+500目,而该填充粉末的粒度范围为-600~800目,该填充粉末相对于非晶纳米晶混合粉末整体的添加比例为2~15%。
则下述附表14及附表15中,将列明有不同非晶纳米晶粉末与铁硅铬粉、羰基铁粉等不同配比情况下的压环试验性能对比结果。
附表14(非晶纳米晶粉末与铁硅铬粉末配比压环试验性能对比)
Figure GDA0004184021720000091
附表15(非晶纳米晶粉末与羰基铁粉配比压环试验性能对比)
Figure GDA0004184021720000092
Figure GDA0004184021720000101
实施例5:
而基于步骤S3的应用中,本发明将进一步提供有一种绝缘包覆处理方法,以满足包覆粉末的制备需求,其具体的过程步骤如下:
A1、将所得非晶纳米晶粉末与硝酸溶液及丙酮溶液进行混合,所得混合物置于密闭容器中,以水浴恒温加热并作保温处理;其水浴恒温加热的加热的温度优选为45摄氏度;其保温处理时间优选为30min。
A2、对密闭容器内的混合物作搅拌处理,以使其内混合物之间作充分反应;其搅拌处理方式可选择为以磁力搅拌子对所述密闭容器中的混合物进行充分搅拌或以超声波对该密闭容器内部输出,令其中混合物作超声分散混合;则基于硝酸溶液作为钝化剂的应用,使该非晶纳米晶粉末表面将产生有一层均匀的氧化膜,形成有包覆粉末。
A3、充分反应后,开启密闭容器,令其中的丙酮向外挥发;取出其中的包覆粉末即可。
其中,作为优选实施方式,以所述非晶纳米晶粉末质量为基准,所述硝酸溶液其占所述非晶纳米晶粉末的质量比为1.2~2.4wt%,该硝酸溶液可选为浓度68%的浓硝酸;所述丙酮溶液其占所述非晶纳米晶粉末的质量比为30~40wt%。此过程中并未有产生相应的硝酸反应废液,并未造成环境污染。
上述流程中,其所应用的粘结剂材料选用为有机硅树脂、环氧树脂及固化剂混合组成,以质量份数而言,其配比为有机硅树脂:环氧树脂:固化剂=14.5:3:1。该粘结剂材料占所述非晶纳米晶粉末的质量比为1.0-5wt%。
上述流程中,其所选用的润滑剂为硬脂酸锌。
上述流程中,其压制成型压力控制在500-800Mpa。
实施例6:
于所述包覆粉末获得后,本发明将进行有一种预退火处理方式应用,以有效地促进粉末的绝缘包覆效果,并能够有效去除粉末制备过程及绝缘搅拌等工序过程所产生应力,同时挥发掉绝缘包覆过程引入的有害物质等。
则对所得包覆粉末进行有预退火处理,使该预退火处理的退火温度范围为Tx-100至Tx+80摄氏度,Tx为非晶纳米晶的晶化温度。
对于纳米晶类粉末,能够实现粉末的超微晶的形成,实现晶化处理,所选用的预退火温度为420-570℃,退火时间为30~80min。
如附表16至18所示,基于相应合金成分的应用,则其中不同成分所制得的包覆粉末,通过不同温度预退火处理,所制备粉末性能评估结果将具有以下性能特点。
注:所述样品的损耗测试条件为100kHz,100mT,测试结果单位为kw/m3。
附表16(不同成分包覆粉末不同预退火温度压环试验性能对比)
Figure GDA0004184021720000111
附表17(不同成分包覆粉末不同预退火温度压环试验性能对比)
Figure GDA0004184021720000112
附表18(不同成分包覆粉末不同预退火温度压环试验性能对比)
Figure GDA0004184021720000113
预退火处理后的包覆粉末,将继续作成型处理以作绝缘成品粉末的获取;具体而言,则在其二次包覆处理过程中,所采用粘结剂为环氧树脂、硅树脂、无机硅等,稀释剂可选择丙酮、乙醇、纯净水等;粘结剂的比例为0.5~5.0%,稀释剂的比例为0.5~10%,优选粘结剂的比例为1.2~3.0%,稀释剂的比例为3~10%。均匀混合过程,可采用常温及加热状态混合,加热温度优选50~120℃。
润滑剂可选择石蜡、硬脂酸锌、硬脂酸镁等,添加比例为0.2~1.5%,混合均匀后得到所述绝缘成品粉末。
实施例7:
对于步骤S5的应用过程中,为了精简电感器的压制成型流程,本发明针对有一体成型电感器结构形式以作出了其中的压制成型处理改进。
具体而言,对所得非晶纳米晶绝缘成品粉末进行加热处理并作进一步的搅拌混合,以令所得非晶纳米晶绝缘成品粉末的分离均匀受热;使该非晶纳米晶绝缘成品粉末整体加热至100~250摄氏度后,而后保温备用。
准备好对应的成型模腔,则对电感器设计有预制的线圈,将该预制的线圈放入成型模腔内,并填入有加热处理的非晶纳米晶绝缘成品粉末,以常规的冷压设备对成型模腔进行电感器的压制成型,以得到有一体电感胚料。该压制成型过程中,压力范围为400~800Mpa。
则下述附表19中,展示有不同加热温度情况下的非晶纳米晶绝缘成品粉末以冷压设备进行冷压的性能区别情况。
附表19(不同粉末温度压环试验性能对比)
Figure GDA0004184021720000121
之后,对所得一体电感胚料以150~220摄氏度的温度范围进行烘烤处理,烘烤处理时间1~2.5h;再因应具体产品的设计需要而对该电感器其中的线脚部分进行折弯处理,即可得到有所述电感器。
而进一步地为了提升产品磁导率,降低线圈变形情况,可选择采用分步成型组合的方式以进行电感器的制备。
例如,对一种采用T型预制磁体与U型预制磁体组合设置的电感器产品,则可因应结构特征,设置有相应的T形状成型模腔与U形状成型模腔;则使加热后的非晶纳米晶绝缘成品粉末粉料填入至相应成型模腔内,以先制取有该T型预制磁体与U型预制磁体。而后,将线圈放入该T型预制磁体与U型预制磁体间隙,进一步地通过填充粉料以进行二次压制,而获取有相应的电感器产品。
而另一方面,线圈放入该T型预制磁体与U型预制磁体间隙后,或可采用磁胶将两者接触边界粘结并以此填充产品内间隙,得到所需电感器产品。
基于“非晶纳米晶”的概念定义情况,上述相关非晶纳米晶合金产品,可认为是选择相应的非晶态合金产品、非晶态且纳米晶态合金产品或纳米晶态合金产品进行的应用。
以上所述仅为本发明的优选实施方式,对于本技术领域的技术人员,在不脱离本发明的实施原理前提下,依然可以对所述实施例进行修改,而相应修改方案也应视为本发明的保护范围。

Claims (2)

1.非晶纳米晶母合金,其特征在于,其成分包括:
Fe75Si11B9C2.5Cr2.3Mn0.2,以其所制备的非晶纳米晶雾化粉末进行压环处理,得到磁环的性能情况是:XRD为非晶态,D50为21um,在100kHz,100mT条件下的损耗为1058kw/m3,磁导率为20.1;
或,Fe74.8Si11B9C1.5Cr2.5Mn0.2P1,以其所制备的非晶纳米晶带材性能情况是:饱和磁感应强度为1.45T,在20kHz,500mT条件下的损耗为42W/kg,在100K,0.3V的条件下磁导率为13800;和/或,以其加工所得非晶纳米晶破碎粉末所制备磁粉芯,得到磁粉芯的性能情况是:磁导率为60,在50kHz,100mT条件下的损耗为232kw/m3,在100Oe的条件下的直流偏置能力为62%;和/或,以其加工所得非晶纳米晶雾化粉末进行压环处理,得到磁环的性能情况是:非晶态粉末粒度为52um,在100kHz,100mT条件下的损耗为985kw/m3,磁导率为19.4;
或,Fe74.8Si11B9C0.5Cr1.5Mn0.2P2,以其所制备的非晶纳米晶带材性能情况是:饱和磁感应强度为1.42T,在20kHz,500mT条件下的损耗为35W/kg,在100K,0.3V的条件下磁导率为13400;和/或,以其加工所得非晶纳米晶破碎粉末所制备磁粉芯,得到磁粉芯的性能情况是:磁导率为60,在50kHz,100mT条件下的损耗为196kw/m3,在100Oe的条件下的直流偏置能力为60%;和/或,以其加工所得非晶纳米晶雾化粉末进行压环处理,得到磁环的性能情况是:非晶态粉末粒度为58um,在100kHz,100mT条件下的损耗为920kw/m3,磁导率为21.8;
或,Fe73.8Si11B9C1.5Cr1.5Mn0.2P2,以其所制备的非晶纳米晶带材性能情况是:饱和磁感应强度为1.36T,在20kHz,500mT条件下的损耗为27W/kg,在100K,0.3V的条件下磁导率为16500;和/或,以其加工所得非晶纳米晶破碎粉末所制备磁粉芯,得到磁粉芯的性能情况是:磁导率为60,在50kHz,100mT条件下的损耗为188kw/m3,在100Oe的条件下的直流偏置能力为58%;和/或,以其加工所得非晶纳米晶雾化粉末进行压环处理,得到磁环的性能情况是:非晶态粉末粒度为65um,在100kHz,100mT条件下的损耗为895kw/m3,磁导率为23.6;
或,Fe79Si9B6.2C0.5Cr0.3Mn1P4,以其所制备的非晶纳米晶带材性能情况是:饱和磁感应强度为1.57T,在20kHz,500mT条件下的损耗为39W/kg,在100K,0.3V的条件下磁导率为13200;和/或,以其加工所得非晶纳米晶破碎粉末所制备磁粉芯,得到磁粉芯的性能情况是:磁导率为60,在50kHz,100mT条件下的损耗为203kw/m3,在100Oe的条件下的直流偏置能力为65%;和/或,以其加工所得非晶纳米晶雾化粉末进行压环处理,得到磁环的性能情况是:非晶态粉末粒度为68um,在100kHz,100mT条件下的损耗为862kw/m3,磁导率为22.3;
或,Fe74.8Si11B9C1.5Cr2.5Mn0.2Mo1,以其所制备的非晶纳米晶带材性能情况是:饱和磁感应强度为1.42T,在20kHz,500mT条件下的损耗为46W/kg,在100K,0.3V的条件下磁导率为12500;和/或,以其加工所得非晶纳米晶破碎粉末所制备磁粉芯,得到磁粉芯的性能情况是:磁导率为60,在50kHz,100mT条件下的损耗为218kw/m3,在100Oe的条件下的直流偏置能力为61%;和/或,以其加工所得非晶纳米晶雾化粉末进行一体电感制作,得到一体电感的性能情况是:非晶态粉末粒度为47um,在100kHz,100mT条件下的损耗为921kw/m3,磁导率为21.2;
或,Fe76.8Si11B9C0.5Cr1.5Mn0.2Mo1,以其所制备的非晶纳米晶带材性能情况是:饱和磁感应强度为1.47T,在20kHz,500mT条件下的损耗为55W/kg,在100K,0.3V的条件下磁导率为13400;和/或,以其加工所得非晶纳米晶破碎粉末所制备磁粉芯,得到磁粉芯的性能情况是:磁导率为60,在50kHz,100mT条件下的损耗为234kw/m3,在100Oe的条件下的直流偏置能力为63%;和/或,以其加工所得非晶纳米晶雾化粉末进行一体电感制作,得到一体电感的性能情况:非晶态粉末粒度为35um,在100kHz,100mT条件下的损耗为965kw/m3,磁导率为20.4;
或,Fe73.8Si11B9C1.5Cr1.5Mn1.2Mo1,以其所制备的非晶纳米晶带材性能情况是:饱和磁感应强度为1.31T,在20kHz,500mT条件下的损耗为43W/kg,在100K,0.3V的条件下磁导率为17200;和/或,以其加工所得非晶纳米晶破碎粉末所制备磁粉芯,得到磁粉芯的性能情况是:磁导率为60,在50kHz,100mT条件下的损耗为197kw/m3,在100Oe的条件下的直流偏置能力为58%;和/或,以其加工所得非晶纳米晶雾化粉末进行一体电感制作,得到一体电感的性能情况:非晶态粉末粒度为52um,在100kHz,100mT条件下的损耗为873kw/m3,磁导率为21.5;
或,Fe78Si11B7C0.5Cr0.5Mn1Mo2,以其所制备的非晶纳米晶带材性能情况是:饱和磁感应强度为1.52T,在20kHz,500mT条件下的损耗为41W/kg,在100K,0.3V的条件下磁导率为14500;和/或,以其加工所得非晶纳米晶破碎粉末所制备磁粉芯,得到磁粉芯的性能情况是:磁导率为60,在50kHz,100mT条件下的损耗为182kw/m3,在100Oe的条件下的直流偏置能力为65%;和/或,以其加工所得非晶纳米晶雾化粉末进行一体电感制作,得到一体电感的性能情况:非晶态粉末粒度为65um,在100kHz,100mT条件下的损耗为748kw/m3,磁导率为21.8;
或,Fe74.8Si11B9C1.5Cr2.5Mn0.2Ni1,以其所制备的非晶纳米晶带材性能情况是:饱和磁感应强度为1.41T,在20kHz,500mT条件下的损耗为44W/kg,在100K,0.3V的条件下磁导率为18200;和/或,以其加工所得非晶纳米晶破碎粉末所制备磁粉芯,得到磁粉芯的性能情况是:磁导率为60,在50kHz,100mT条件下的损耗为186kw/m3,在100Oe的条件下的直流偏置能力为60%;和/或,以其加工所得非晶纳米晶雾化粉末进行一体电感制作,得到一体电感的性能情况:非晶态粉末粒度为53um,在100kHz,100mT条件下的损耗为765kw/m3,磁导率为21.1;
或,Fe75.8Si11B9C0.5Cr1.5Mn0.2Ni2,以其所制备的非晶纳米晶带材性能情况是:饱和磁感应强度为1.47T,在20kHz,500mT条件下的损耗为51W/kg,在100K,0.3V的条件下磁导率为16800;和/或,以其加工所得非晶纳米晶破碎粉末所制备磁粉芯,得到磁粉芯的性能情况是:磁导率为60,在50kHz,100mT条件下的损耗为223kw/m3,在100Oe的条件下的直流偏置能力为61%;和/或,以其加工所得非晶纳米晶雾化粉末进行一体电感制作,得到一体电感的性能情况:非晶态粉末粒度为46um,在100kHz,100mT条件下的损耗为886kw/m3,磁导率为20.9;
或,Fe75.8Si11B7C1.5Cr1.5Mn0.2Ni3,以其所制备的非晶纳米晶带材性能情况是:饱和磁感应强度为1.52T,在20kHz,500mT条件下的损耗为37W/kg,在100K,0.3V的条件下磁导率为15200;和/或,以其加工所得非晶纳米晶破碎粉末所制备磁粉芯,得到磁粉芯的性能情况是:磁导率为60,在50kHz,100mT条件下的损耗为242kw/m3,在100Oe的条件下的直流偏置能力为65%;和/或,以其加工所得非晶纳米晶雾化粉末进行一体电感制作,得到一体电感的性能情况:非晶态粉末粒度为66um,在100kHz,100mT条件下的损耗为995kw/m3,磁导率为21.8;
或,Fe76.8Si11B7C0.5Cr0.5Mn0.2Ni4,以其所制备的非晶纳米晶带材性能情况是:饱和磁感应强度为1.61T,在20kHz,500mT条件下的损耗为41W/kg,在100K,0.3V的条件下磁导率为11300;和/或,以其加工所得非晶纳米晶破碎粉末所制备磁粉芯,得到磁粉芯的性能情况是:磁导率为60,在50kHz,100mT条件下的损耗为206kw/m3,在100Oe的条件下的直流偏置能力为68%;和/或,以其加工所得非晶纳米晶雾化粉末进行一体电感制作,得到一体电感的性能情况:非晶态粉末粒度为52um,在100kHz,100mT条件下的损耗为835kw/m3,磁导率为21.4。
2.如权利要求1所述的非晶纳米晶母合金的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、基于预设的成分式,以选取有对应元素成分中的金属原料置入冶炼炉进行冶炼;
S2、待冶炼上述金属原料至完全融化后,选取有对应元素成分中的合金原料或非金属原料进行二次冶炼;
S3、待二次冶炼上述材料均完全融化后,将所得合金熔液浇注入模具,而后冷却成型;以得到有非晶纳米晶母合金。
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