CN114141844A - Oled显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种OLED显示面板和显示装置，OLED显示面板中底电极设置在驱动电路层一侧，像素定义层设置在底电极远离驱动电路层的一侧，包括多个开口区，发光功能层设置在底电极远离驱动电路层的一侧，且位于多个开口区内，形成多个子像素，顶电极设置在发光功能层和像素定义层远离底电极的一侧，辅助电极设置在顶电极远离发光功能层的一侧，与顶电极电连接，有机缓冲层设置在顶电极和辅助电极之间，且覆盖至少部分发光功能层。本申请通过在顶电极上设置覆盖至少部分发光功能层的有机缓冲层，当辅助电极成膜过程中产生二次电子时，二次电子极易被损耗在有机缓冲层中或能量被大大降低，从而减少了其对下方发光功能层的损伤。

Description

OLED显示面板和显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其是涉及一种OLED显示面板和显示装置。

背景技术

上出光的OLED显示面板中阴极为透明材料，为降低阴极的电阻，往往会在透明阴极上增加辅助电极，然而，辅助电极材料通常为透明导电氧化物，通过磁控溅射方式制作在阴极上，制作过程中会有一定量的二次电子释放出来，由于阴极为导体，二次电子极容易流入到发光功能层上，对OLED显示面板产生一定的损伤，因此容易出现OLED显示面板可靠性和寿命下降的情况。

所以，现有的OLED显示面板存在辅助电极制程会损伤发光功能层的技术问题，需要改进。

发明内容

本申请实施例提供一种OLED显示面板和显示装置，用以缓解现有OLED显示面板中辅助电极制程会损伤发光功能层的技术问题。

本申请实施例提供一种OLED显示面板，包括：

驱动电路层；

底电极，设置在所述驱动电路层一侧；

像素定义层，设置在所述底电极远离所述驱动电路层的一侧，所述像素定义层包括多个开口区；

发光功能层，设置在所述底电极远离所述驱动电路层的一侧，且位于所述多个开口区内，形成多个子像素；

顶电极，设置在所述发光功能层和所述像素定义层远离所述底电极的一侧；

辅助电极，设置在所述顶电极远离所述发光功能层的一侧，与所述顶电极电连接；

有机缓冲层，设置在所述顶电极和所述辅助电极之间，且覆盖至少部分所述发光功能层。

在一种实施例中，所述有机缓冲层包括阵列排布的多个有机缓冲部，各有机缓冲部分别对应各子像素设置。

在一种实施例中，所述有机缓冲层包括沿第一方向间隔排列的多个有机缓冲部，各有机缓冲部均为沿第二方向延伸的条状结构，且分别覆盖沿所述第二方向排列的至少一列子像素，所述第一方向与所述第二方向垂直。

在一种实施例中，所述OLED显示面板包括阵列排布的多个像素和各像素之间的第一像素定义层，所述像素包括至少三个不同颜色的子像素和各子像素之间的第二像素定义层，所述有机缓冲层包括多个有机缓冲部，各有机缓冲部分别对应各像素设置。

在一种实施例中，所述OLED显示面板包括阵列排布的多个像素和各像素之间的第一像素定义层，所述像素包括至少三个不同颜色的子像素和各子像素之间的第二像素定义层，所述有机缓冲层包括沿第一方向间隔排布的多个有机缓冲部，各有机缓冲部均为沿第二方向延伸的条状结构，且分别覆盖沿所述第二方向排列的至少一列像素，所述第一方向与所述第二方向垂直。

在一种实施例中，所述有机缓冲层为整层设置，所述顶电极和所述辅助电极在所述OLED显示面板的侧面电连接。

在一种实施例中，所述辅助电极整层覆盖所述顶电极和所述有机缓冲层。

在一种实施例中，所述有机缓冲层的材料为联苯胺、苯胺、氟化物、金属螯合物和氟化碱金属中的至少一种。

在一种实施例中，所述有机缓冲层的厚度为0.5至200纳米。

本申请实施例还提供一种显示装置，包括上述任一项所述的OLED显示面板。

有益效果：本申请提供一种OLED显示面板和显示装置，OLED显示面板包括驱动电路层、底电极、像素定义层、发光功能层、顶电极、辅助电极和有机缓冲层，底电极设置在驱动电路层一侧，像素定义层设置在底电极远离驱动电路层的一侧，包括多个开口区，发光功能层设置在底电极远离驱动电路层的一侧，且位于多个开口区内，形成多个子像素，顶电极设置在发光功能层和像素定义层远离底电极的一侧，辅助电极设置在顶电极远离发光功能层的一侧，与顶电极电连接，有机缓冲层设置在顶电极和辅助电极之间，且覆盖至少部分发光功能层。本申请通过在顶电极上设置覆盖至少部分发光功能层的有机缓冲层，当辅助电极成膜过程中产生二次电子时，这些能量较低且不可控的二次电子极易被损耗在有机缓冲层中，或者能量被大大降低，从而减少了其对下方发光功能层的损伤。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请实施例提供的OLED显示面板的第一种膜层结构示意图。

图2为本申请实施例提供的OLED显示面板的第二种膜层结构示意图。

图3为图1中OLED显示面板中部分膜层的平面结构示意图。

图4为图1中OLED显示面板的有机缓冲层的第一种设置示意图。

图5为图1中OLED显示面板的有机缓冲层的第二种设置示意图。

图6为本申请实施例提供的OLED显示面板的第二种膜层结构示意图。

图7为图6中OLED显示面板的有机缓冲层的第一种设置示意图。

图8为图6中OLED显示面板的有机缓冲层的第一种设置示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

本申请实施例提供一种OLED显示面板和显示装置，用以缓解现有OLED显示面板中辅助电极制程会损伤发光功能层的技术问题。

如图1所示，为本申请实施例提供的OLED显示面板的第一种膜层结构示意图，OLED显示面板包括驱动电路层11、底电极12、像素定义层14、发光功能层、顶电极15、辅助电极17和有机缓冲层16。底电极12设置在驱动电路层11一侧，像素定义层14设置在底电极12远离驱动电路层11的一侧，包括多个开口区，发光功能层设置在底电极12远离驱动电路层11的一侧，且位于多个开口区内，形成多个子像素，顶电极15设置在发光功能层和像素定义层14远离底电极12的一侧，辅助电极17设置在顶电极15远离发光功能层的一侧，与顶电极15电连接，有机缓冲层16设置在顶电极15和辅助电极17之间，且覆盖至少部分发光功能层。

驱动电路层11包括多个薄膜晶体管，以底栅型薄膜晶体管为例，驱动电路层自下而上依次包括衬底、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层和平坦化层。当然，驱动电路层的结构不以此为限，还可以包括顶栅型薄膜晶体管，本申请对驱动电路层11中薄膜晶体管的类型不做限制。

在驱动电路层11上设置有多个底电极12，各底电极12分别与驱动电路层11中对应薄膜晶体管的漏极连接，本发明的OLED显示面板为上出光结构，则底电极12为阳极，底电极12一般为非透明且具有高反特性的材料，如可以为单一Ag层或者ITO/Ag/ITO的叠层。

像素定义层14设置在底电极12上，像素定义层14也为多个，相邻像素定义层14之间形成开口区，且开口区与底电极12所在位置对应。发光功能层与像素定义层14同层设置，且位于像素定义层14的开口区内，即发光功能层形成在底电极12远离驱动电路层11的一侧。发光功能层各开口区内形成多个子像素，多个子像素可以包括至少三类颜色不同的子像素，本申请以三类子像素为例，包括红色子像素131、绿色子像素132和蓝色子像素133，但不以此为限，还可以包括其他不同颜色的子像素。

如图2所示，在底电极12上，发光功能层依次包括层叠设置的空穴注入层21、空穴传输层22、发光层23、电子传输层24和电子注入层25，其中电子传输层24也可以不设置。空穴注入层21、空穴传输层22和发光层23采用蒸镀工艺或喷墨打印工艺形成在底电极12上，电子传输层24和电子注入层25采用蒸镀工艺形成。根据发光层23材料的不同，使得各开口区内的发光功能层显示不同的颜色，形成各类型的子像素。

结合图1和图2，顶电极15设置在发光功能层和像素定义层14上，且为整层设置，在上出光结构的OLED显示面板中，顶电极15为阴极，材料通常为Mg、Ag或其他透明金属，厚度在30nm以下，通过热蒸镀方式制作。

辅助电极17设置在顶电极15上，且与顶电极15电连接，辅助电极17一般通过磁控溅射方式镀膜，材料可以是ITO、IZO等导电金属氧化物，主要作用是降低顶电极15的电阻和调节器件光学特性。

有机缓冲层16形成在顶电极15和辅助电极17之间，其至少覆盖部分发光功能层。在辅助电极17通过磁控溅射方式制作在顶电极15上时，制作过程中会有一定量的二次电子释放出来，由于顶电极15为导体，二次电子极容易流入到顶电极15下方的发光功能层上，对OLED显示面板产生一定的损伤。而在本申请中，由于设置了有机缓冲层16，释放的二次电子会被有机缓冲层16阻挡，被损耗在有机缓冲层16中或者能量被大大降低，而不会流入顶电极15中，更不会进入发光功能层中，因此本申请的OLED显示面板可以缓解辅助电极制程对下方发光功能层的损伤，同时辅助电极17仍然与顶电极15电连接，可以降低顶电极15的电阻，综合提高了OLED显示面板的性能。

在一种实施例中，有机缓冲层16为透明有机材料，则设置在顶电极15上时不会影响OLED显示面板的上出光效果。有机缓冲层16的材料可以为联苯胺、苯胺、氟化物、金属螯合物和氟化碱金属中的至少一种，其中氟化物可以是LiF，金属螯合物可以是Liq，厚度为0.5至200纳米。

在一种实施例中，有机缓冲层16包括多个有机缓冲部，各有机缓冲部分别对应各子像素设置。如图1所示，像素定义层14形成多个开口区，各发光功能层设置在开口区内且形成对应的子像素，因此开口区也为子像素区100，相邻子像素之间通过像素定义层14隔开，因此像素定义层14所在的区域也为非子像素区200。如图3所示，为图1中OLED显示面板中部分膜层的平面结构示意图，OLED显示面板包括阵列排布的多个子像素，包括红色子像素131、绿色子像素132和蓝色子像素133，各子像素之间通过像素定义层14分隔。如图4所示，为图1中OLED显示面板的有机缓冲层的第一种设置示意图，有机缓冲层16包括多个有机缓冲部，各有机缓冲部之间相互隔离，且每个有机缓冲部对应一个子像素设置，即每个有机缓冲部均形成在一个发光功能层上，为便于表示，图4中仅示出了部分子像素上设置有机缓冲部的情况，但本申请可以选择在部分或全部子像素上均设置有机缓冲部。当某个子像素上设置了有机缓冲部时，其上方的辅助电极17产生的二次电子就不会进入该子像素中，当所有子像素上均设置有机缓冲部时，阻挡二次电子的效果最佳。

在一种实施例中，至少一个有机缓冲部在发光功能层的正投影覆盖对应的子像素。当有机缓冲部在发光功能层的正投影覆盖对应的子像素时，有机缓冲部的面积可以与子像素区100的面积相等，即仅覆盖在子像素区100内，也可以大于子像素区100的面积，即不仅完全覆盖子像素区100，还延伸覆盖子像素区100相邻的非子像素区200，此种设置对上方辅助电极17产生的二次电子的阻挡效果最好，可以使下方的子像素得到全面保护。

在一种实施例中，辅助电极17整层覆盖顶电极15和有机缓冲层16，当有机缓冲层16的所有有机缓冲部均对应子像素设置时，辅助电极17在各非像素区200内与顶电极15实现电连接，以降低顶电极15的电阻。

通过上述内容可知，本申请实施例通过设置对应各子像素设置的网格化的有机缓冲部，可降低辅助电极17成膜过程中产生的二次电子对发光功能层的损伤，同时辅助电极17可以在非像素区200内与顶电极15电连接，降低了顶电极15的电阻。

如图5所示，为图1中OLED显示面板的有机缓冲层的第二种设置示意图。与图4中不同之处在于，有机缓冲层16包括沿第一方向X间隔排列的多个有机缓冲部，各有机缓冲部均为沿第二方向Y延伸的条状结构，且分别覆盖沿第二方向Y排列的至少一列子像素，第一方向X与第二方向Y垂直。为便于表示，图5中仅示出了其中几列子像素上设置有机缓冲部的情况，但本申请可以选择在部分列或全部列子像素上均设置有机缓冲部。当某列子像素上设置了有机缓冲部时，其上方的辅助电极17产生的二次电子就不会进入该列子像素中，当所有列子像素上均设置有机缓冲部时，阻挡二次电子的效果最佳。

辅助电极17整层覆盖顶电极15和有机缓冲层16，此种设置方式下，各有机缓冲部可以保护下方的一列或多列子像素不被二次电子损坏，且辅助电极17在各有机缓冲部之间的非像素区200内与顶电极15实现电连接，以降低顶电极15的电阻。

如图6所示，为本申请实施例提供的OLED显示面板的第二种膜层结构示意图，如图7所示，为图6中OLED显示面板的有机缓冲层的第一种设置示意图。结合图6和图7所示，在本申请实施例中，OLED显示面板包括阵列排布的多个像素13和各像素13之间的第一像素定义层141，像素13包括至少三个不同颜色的子像素和各子像素之间的第二像素定义层142，有机缓冲层16包括多个有机缓冲部，各有机缓冲部分别对应各像素13设置。本申请以子像素包括红色子像素131、绿色子像素132和蓝色子像素133为例，则每个像素13包括一个红色子像素131、一个绿色子像素132和一个蓝色子像素133，像素定义层14包括第一像素定义层141和第二像素定义层142，其中红色子像素131和绿色子像素132之间的像素定义层、以及绿色子像素132与蓝色子像素之间的像素定义层为第二像素定义层142，红色子像素131、绿色子像素132、蓝色子像素133以及两个第二像素定义层142共同构成一个像素13，相邻像素13之间的像素定义层为第一像素定义层141。

各有机缓冲部相互隔离，且每个有机缓冲部对应一个像素13设置，为便于表示，图7中仅示出了部分像素13上设置有机缓冲部的情况，但本申请可以选择在部分或全部像素13上均设置有机缓冲部。当某个像素13上设置了有机缓冲部时，其上方的辅助电极17产生的二次电子就不会进入该像素13中，当所有像素13上均设置有机缓冲部时，阻挡二次电子的效果最佳。

在一种实施例中，至少一个有机缓冲部在发光功能层的正投影覆盖对应的像素。如图6所示，每个像素13对应一个像素区300，每个像素区300包括三个子像素区100和两个非子像素区200，相邻像素区300之间间隔一个非子像素区200。当有机缓冲部在发光功能层的正投影覆盖对应的像素时，有机缓冲部的面积可以与像素区300的面积相等，即仅覆盖在像素区300内，也可以大于像素区300的面积，即不仅完全覆盖像素区300，还延伸覆盖与像素区300相邻的非子像素区200，此种设置对上方辅助电极17产生的二次电子的阻挡效果最好，可以使下方的像素13得到全面保护。

在一种实施例中，辅助电极17整层覆盖顶电极15和有机缓冲层16，当有机缓冲层16的所有有机缓冲部均对应像素13设置时，辅助电极17在各像素区300之间的非像素区200内与顶电极15实现电连接，以降低顶电极15的电阻。

通过上述内容可知，本申请实施例通过设置对应各像素设置的网格化的有机缓冲部，可降低辅助电极17成膜过程中产生的二次电子对发光功能层的损伤，同时辅助电极17可以在非像素区200内与顶电极15电连接，降低了顶电极15的电阻。

需要说明的是，上述实施例中每个有机缓冲部对应一个像素13设置，但本申请不以此为限，每个有机缓冲部也可以对应两个或多个像素13设置。

如图8所示，为图6中OLED显示面板的有机缓冲层的第二种设置示意图。与图7中结构不同之处在于，图8中有机缓冲层16包括沿第一方向X间隔排布的多个有机缓冲部，各有机缓冲部均为沿第二方向Y延伸的条状结构，且分别覆盖沿第二方向Y排列的至少一列像素13，第一方向X与第二方向Y垂直。有机缓冲层14为多个条状结构，每个有机缓冲部覆盖一列或多列像素，其中每列像素包括沿第二方向Y排列的多个像素13和位于相邻像素13之间的非子像素区200。为便于表示，图8中仅示出了其中几列像素上设置有机缓冲部的情况，但本申请可以选择在部分列或全部列像素上均设置有机缓冲部。当某列像素上设置了有机缓冲部时，其上方的辅助电极17产生的二次电子就不会进入该列像素中，当所有列像素上均设置有机缓冲部时，阻挡二次电子的效果最佳

辅助电极17整层覆盖顶电极15和有机缓冲层16，此种设置方式下，各有机缓冲部可以保护下方的一列或多列像素不被二次电子损坏，且辅助电极17在各有机缓冲部之间的非像素区200内与顶电极15实现电连接，以降低顶电极15的电阻。

在一种实施例中，有机缓冲层16为整层设置，顶电极15和辅助电极17在OLED显示面板的侧面电连接。通过此种设置方式，可以保护所有的子像素均不会被二次电子损坏，同时可以降低顶电极15的电阻。

本申请实施例还提供一种显示装置，包括上述任一实施例所述的OLED显示面板。显示装置可以是智能手表、平板电脑、笔记本电脑、个人计算机(PC，Personal Computer)、微型处理盒子等具有显示功能的设备，可以缓解辅助电极制程对下方发光功能层的损伤。

根据上述实施例可知：

本申请提供一种OLED显示面板和显示装置，OLED显示面板包括驱动电路层、底电极、像素定义层、发光功能层、顶电极、辅助电极和有机缓冲层，底电极设置在驱动电路层一侧，像素定义层设置在底电极远离驱动电路层的一侧，包括多个开口区，发光功能层设置在底电极远离驱动电路层的一侧，且位于多个开口区内，形成多个子像素，顶电极设置在发光功能层和像素定义层远离底电极的一侧，辅助电极设置在顶电极远离发光功能层的一侧，与顶电极电连接，有机缓冲层设置在顶电极和辅助电极之间，且覆盖至少部分发光功能层。本申请通过在顶电极上设置覆盖至少部分发光功能层的有机缓冲层，当辅助电极成膜过程中产生二次电子时，这些能量较低且不可控的二次电子极易被损耗在有机缓冲层中，或者能量被大大降低，从而减少了其对下方发光功能层的损伤。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种OLED显示面板和显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：

驱动电路层；

底电极，设置在所述驱动电路层一侧；

像素定义层，设置在所述底电极远离所述驱动电路层的一侧，所述像素定义层包括多个开口区；

发光功能层，设置在所述底电极远离所述驱动电路层的一侧，且位于所述多个开口区内，形成多个子像素；

顶电极，设置在所述发光功能层和所述像素定义层远离所述底电极的一侧；

辅助电极，设置在所述顶电极远离所述发光功能层的一侧，与所述顶电极电连接；

有机缓冲层，设置在所述顶电极和所述辅助电极之间，且覆盖至少部分所述发光功能层。

2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述有机缓冲层包括阵列排布的多个有机缓冲部，各有机缓冲部分别对应各子像素设置。

3.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述有机缓冲层包括沿第一方向间隔排列的多个有机缓冲部，各有机缓冲部均为沿第二方向延伸的条状结构，且分别覆盖沿所述第二方向排列的至少一列子像素，所述第一方向与所述第二方向垂直。

4.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板包括阵列排布的多个像素和各像素之间的第一像素定义层，所述像素包括至少三个不同颜色的子像素和各子像素之间的第二像素定义层，所述有机缓冲层包括多个有机缓冲部，各有机缓冲部分别对应各像素设置。

5.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板包括阵列排布的多个像素和各像素之间的第一像素定义层，所述像素包括至少三个不同颜色的子像素和各子像素之间的第二像素定义层，所述有机缓冲层包括沿第一方向间隔排布的多个有机缓冲部，各有机缓冲部均为沿第二方向延伸的条状结构，且分别覆盖沿所述第二方向排列的至少一列像素，所述第一方向与所述第二方向垂直。

6.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述有机缓冲层为整层设置，所述顶电极和所述辅助电极在所述OLED显示面板的侧面电连接。

7.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述辅助电极整层覆盖所述顶电极和所述有机缓冲层。

8.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述有机缓冲层的材料为联苯胺、苯胺、氟化物、金属螯合物和氟化碱金属中的至少一种。

9.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述有机缓冲层的厚度为0.5至200纳米。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的OLED显示面板。

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