CN114141791B - 显示面板、移动终端 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了显示面板、移动终端，显示面板包括阵列基板、位于阵列基板上且位于非显示区内的挡墙结构、位于阵列基板上且位于显示区内的有机层组、位于有机层组远离阵列基板的一侧且位于显示区内的发光层，挡墙结构中的多个挡墙层包括位于阵列基板上的第一挡墙层和位于第一挡墙层上的第二挡墙层；其中，在显示面板的横截面中，本发明将第二挡墙层的宽度小于或者等于第一挡墙层的宽度，且有机层组的厚度与挡墙结构的厚度的差值的绝对值小于或等于第一预设阈值，降低了在制作过程中用于形成第二挡墙层的薄膜向用于形成第一挡墙层的薄膜流溢的风险，从而降低了第二挡墙层的厚度较低的风险，提高了挡墙结构工作的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及显示器件的制造，具体涉及显示面板及其制作方法、移动终端。
背景技术
随着对高屏占比产品需求的提升，CUP(Camera under Panel，屏下摄像头)技术应运而生。
其中，CUP产品中屏下摄像头区域中需要采用不同于其它区域中的金属材料的透明导电材料以保障摄像头的拍摄效果与摄像头区域正常的显示效果，与此同时，需要增设用于分隔有机膜层和其它膜层的有机膜层。随着有机膜层的数目的增加，由于有机膜层材料的流动性较强，加之多层有机膜层形成挡墙结构的宽度较小，有机膜层材料会向四周流溢，导致最终实际形成的挡墙结构的厚度远低于设计值，降低了挡墙结构工作的可靠性。
因此，现有的CUP产品中存在挡墙结构厚度过低的问题，急需改进。
发明内容
本发明的目的在于提供显示面板、移动终端，以解决现有的因挡墙结构中的上层的有机膜层向下层的有机膜层流溢而造成的厚度损失，从而导致的挡墙结构工作的可靠性较低的技术问题。
本发明实施例提供显示面板，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述显示面板包括：
阵列基板；
挡墙结构，所述挡墙结构位于所述阵列基板上且位于所述非显示区内，所述挡墙结构包括叠层设置的多个挡墙层，多个所述挡墙层包括位于所述阵列基板上的第一挡墙层和位于所述第一挡墙层上的第二挡墙层，在所述显示面板的横截面中，所述第二挡墙层的宽度小于或者等于所述第一挡墙层的宽度；
有机层组，位于所述阵列基板上且位于所述显示区内，所述有机层组的厚度与所述挡墙结构的厚度的差值的绝对值小于或等于第一预设阈值；
发光层，位于所述有机层组远离所述阵列基板的一侧且位于所述显示区内。
在一实施例中，所述预设第一阈值小于或者等于2微米。
在一实施例中，在所述显示面板的俯视视角中，所述第二挡墙层的边缘重叠于所述第一挡墙层的边缘，或者所述第二挡墙层的边缘位于所述第一挡墙层内。
在一实施例中，在所述显示面板的横截面中，所述第二挡墙层的侧边与所述第一挡墙层的侧边的间距小于或等于第二预设阈值。
在一实施例中，在每相邻两所述挡墙层中，较远离所述阵列基板的所述挡墙层的宽度小于较靠近所述阵列基板的所述挡墙层的宽度。
在一实施例中，所述阵列基板包括无机层组和位于所述无机层组内的薄膜晶体管层，所述有机层组包括：
平坦层，位于所述无机层组靠近所述发光层的一侧；
像素定义层，位于所述平坦层靠近所述发光层的一侧；
支撑层，位于所述像素定义层靠近所述发光层的一侧；
其中，所述阵列基板远离所述支撑层的一侧至所述支撑层远离所述阵列基板的一侧的间距、所述阵列基板远离所述挡墙结构的一侧至所述挡墙结构远离所述阵列基板的一侧的间距，两者的差值小于或等于所述第一预设阈值。
在一实施例中，所述平坦层、所述像素定义层、所述支撑层三者中的至少一者所在层中设有至少一所述挡墙层，且每一所述挡墙层的组成材料和同层设置的所述平坦层、所述像素定义层或者所述支撑层的组成材料相同。
在一实施例中，所述平坦层包括：
第一平坦层，位于所述无机层组靠近所述发光层的一侧，所述第一平坦层上设有导电层；
第二平坦层，位于所述第一平坦层和所述导电层靠近所述发光层的一侧。
在一实施例中，在所述显示面板的横截面中，所述挡墙结构远离所述阵列基板的一侧的宽度大于或等于6微米。
在一实施例中，所述第一挡墙层内设有凹槽，所述第二挡墙层位于所述凹槽内。
在一实施例中，位于所述第二挡墙层上的多个所述挡墙层也位于所述凹槽内。
在一实施例中，位于所述第一挡墙层上的多个所述挡墙层中，至少一所述挡墙层内设有凹槽，且所述凹槽中设有至少一所述挡墙层。
在一实施例中，所述挡墙结构还包括：
至少一流溢层，至少一组相邻设置的两所述挡墙层中，所述流溢层自远离所述阵列基板的所述挡墙层的侧部至少延伸至靠近所述阵列基板的所述挡墙层的侧部。
本发明实施例提供移动终端，所述移动终端包括终端主体部和如上文任一所述的显示面板，所述终端主体部和所述显示面板组合为一体。
本发明提供了显示面板、移动终端，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述显示面板包括：阵列基板；挡墙结构，所述挡墙结构位于所述阵列基板上且位于所述非显示区内，所述挡墙结构包括叠层设置的多个挡墙层，多个所述挡墙层包括位于所述阵列基板上的第一挡墙层和位于所述第一挡墙层上的第二挡墙层，在所述显示面板的横截面中，所述第二挡墙层的宽度小于或者等于所述第一挡墙层的宽度；有机层组，位于所述阵列基板上且位于所述显示区内，所述有机层组的厚度与所述挡墙结构的厚度的差值的绝对值小于或等于第一预设阈值；发光层，位于所述有机层组远离所述阵列基板的一侧且位于所述显示区内。本发明通过将所述第二挡墙层的宽度设置为小于或者等于所述第一挡墙层的宽度，加之以所述有机层组的厚度与所述挡墙结构的厚度的差值的绝对值小于或等于第一预设阈值作为限定，即可以降低在制作过程中用于形成所述第二挡墙层的薄膜向用于形成所述第一挡墙层的薄膜流溢的风险，从而降低了所述第二挡墙层的厚度较低的风险，提高了所述挡墙结构工作的可靠性。
附图说明
下面通过附图来对本发明进行进一步说明。需要说明的是，下面描述中的附图仅仅是用于解释说明本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的第一种显示面板的截面示意图。
图2为本发明实施例提供的第二种显示面板的截面示意图。
图3为本发明实施例提供的第三种显示面板的截面示意图。
图4为本发明实施例提供的第四种显示面板的截面示意图。
图5为本发明实施例提供的第五种显示面板的截面示意图。
图6为本发明实施例提供的第六种显示面板的截面示意图。
图7为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“远离”、“靠近”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，例如，“上”只是表面在物体上方，具体指代正上方、斜上方、上表面都可以，只要居于物体水平之上即可，以上方位或位置关系仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
另外，还需要说明的是，附图提供的仅仅是和本发明关系比较密切的结构和步骤，省略了一些与发明关系不大的细节，目的在于简化附图，使发明点一目了然，而不是表明实际中装置和方法就是和附图一模一样，不作为实际中装置和方法的限制。
本发明提供显示面板，所述显示面板包括但不限于以下实施例以及以下实施例之间的组合。
在一实施例中，如图1至图6所示，所述显示面板100包括显示区01和围绕所述显示区01的非显示区02，所述显示面板100包括：阵列基板10；挡墙结构20，所述挡墙结构20位于所述阵列基板10上且位于所述非显示区02内，所述挡墙结构20包括叠层设置的多个挡墙层，多个所述挡墙层包括位于所述阵列基板10上的第一挡墙层201和位于所述第一挡墙层201上的第二挡墙层202，在所述显示面板100的横截面中，所述第二挡墙层202的宽度小于或者等于所述第一挡墙层201的宽度；有机层组30，位于所述阵列基板10上且位于所述显示区01内，所述有机层组30的厚度与所述挡墙结构20的厚度的差值的绝对值小于或等于第一预设阈值；发光层40，位于所述有机层组30远离所述阵列基板10的一侧且位于所述显示区01内。
其中，所述非显示区02可以围绕所述显示区01的至少一侧设置，位于所述非显示区02的所述挡墙结构20可以沿着所述非显示区02包围所述显示区01的路径而设置，即位于所述显示区01的有机层组被所述挡墙结构20所围绕。具体的，如图6所示，所述阵列基板10包括无机层组101和至少位于所述无机层组101内的薄膜晶体管层102，所述薄膜晶体管层102包括有源层1021、位于所述有源层1021上的栅极层1022、位于所述栅极层1022上的源极1023和漏极1024，源极1023可以通过位于所述无机层组101内的过孔电性连接至所述有源层1021的一侧，漏极1024可以通过位于所述无机层组101内的过孔电性连接至所述有源层1021的另一侧，所述无机层组101包括位于有源层1021和栅极层1022之间的第一无机层1011、位于栅极层1022和源极1023、漏极1024之间的第二无机层1012，发光层40中的阳极层可以通过位于所述有机层组30内的过孔电性连接至所述漏极1024。进一步的，阵列基板10还可以包括用于承载无机层组101的衬底103，衬底103可以为柔性衬底或者刚性衬底。
具体的，所述挡墙结构20靠近所述阵列基板10的一侧和所述有机层组30靠近所述阵列基板10的一侧可以位于同一水平面，可以理解的，本实施例中通过将所述第二挡墙层202的宽度设置为小于或者等于所述第一挡墙层201的宽度，确保在制作过程中所述第二挡墙层202的组成材料不会向靠近所述第一挡墙层201的方向溢出以损失所述第二挡墙层202的厚度。
在一实施例中，如图1至图6所示，在所述显示面板100的俯视视角中，所述第二挡墙层202的边缘重叠于所述第一挡墙层201的边缘，或者所述第二挡墙层202的边缘位于所述第一挡墙层201内。可以理解的，本实施例中通过将所述第二挡墙层202的侧部设置为不超出所述第一挡墙层201的侧部，即在平行于所述阵列基板10的任意方向上，所述第二挡墙层202的尺寸均小于所述第一挡墙层201的尺寸，可以进一步确保在制作过程中所述第二挡墙层202的组成材料不会向靠近所述第一挡墙层201的方向溢出以损失所述第二挡墙层202的厚度。
在一实施例中，本发明中的所述预设第一阈值可以小于或者等于2微米，即本实施例中通过上述实施例可以实现并且也限定所述有机层组30的厚度与所述挡墙结构20的厚度的差值的绝对值可以小于或者等于2微米，使得两者的差异足够小，甚至接近相等。可以理解的，一方面，所述挡墙结构20可以阻挡外界水汽直接进入所述显示区01内，以及阻挡所述显示区01内的有机封装材料等流溢至所述非显示区02内，提高了所述显示面板100封装的可靠性；另一方面，所述挡墙结构20还可以支撑光罩以进行蒸镀制程，避免光罩接触于所述显示区01的多个所述有机层组30，导致刮伤多个所述有机层组30。
在一实施例中，如图1至图6所示，在所述显示面板100的横截面中，所述第二挡墙层202的侧边与所述第一挡墙层201的侧边的间距小于或等于第二预设阈值。需要走注意的是，结合上文论述，当所述第二挡墙层202的侧边与所述第一挡墙层201的侧边的间距过大，会导致所述第二挡墙层202以及位于所述第二挡墙层202上的挡墙层的宽度过小以无法支撑光罩，因此，本实施例中在所述第二挡墙层202的宽度小于或者等于所述第一挡墙层201的宽度的基础上，进一步限定两者的宽度差异可以较小，以确保所述第二挡墙层202以及位于所述第二挡墙层202上的挡墙层的宽度足以支撑光罩。
具体的，每一所述有机层组30和对应的所述挡墙层同层设置，即每一所述有机层组30和对应的所述挡墙层可以通过同一制程同时制作，需要注意的是，由于位于所述显示区01的多层所述膜层在所述阵列基板10上投影的尺寸远大于所述挡墙结构在所述阵列基板10上投影的尺寸，导致所述挡墙结构在制备的过程中材料流溢造成的厚度损失较为明显。
具体的，在所述阵列基板10至所述挡墙结构20的方向上，所述第一挡墙层201和所述第二挡墙层202可以为多个所述挡墙层中相邻设置的两所述挡墙层。特别的，本实施例中的所述第二挡墙层202的侧部不超出所述第一挡墙层201的侧部，即所述第二挡墙层202在所述阵列基板10上的投影位于所述第一挡墙层201在所述阵列基板10上的投影之内，并且，在此基础上还满足多个所述挡墙层的总尺寸大于或者等于多个所述膜层的总尺寸。
在一实施例中，如图1至图6所示，在每相邻两所述挡墙层中，较远离所述阵列基板10的所述挡墙层的宽度小于较靠近所述阵列基板10的所述挡墙层的宽度。结合上文论述可知，由于在平行于所述阵列基板10的任意方向上，所述第二挡墙层202的尺寸均小于所述第一挡墙层201的尺寸，并且多个所述挡墙层的总尺寸大于或者等于多个所述膜层的总尺寸，可以降低所述第二挡墙层202的厚度较低的风险。进一步的，本实施例中在所述阵列基板10至所述挡墙结构20的方向上，多个所述挡墙层在平行于所述阵列基板10的任意方向上的尺寸依次减小，也即在每相邻两所述挡墙层中，远离所述阵列基板10的所述挡墙层在所述阵列基板10上的投影位于靠近所述阵列基板10的所述挡墙层在所述阵列基板10上的投影之内；可以理解的，本实施例中对多个所述挡墙层的尺寸做出进一步限定，同理，进一步降低了所述第二挡墙层202以及位于所述第二挡墙层202上的多个所挡墙层的厚度较低的风险，进一步提高了所述挡墙结构20工作的可靠性。
在一实施例中，如图1至图6所示，所述有机层组30包括：平坦层301，位于所述无机层组101靠近所述发光层40的一侧；像素定义层，位于所述平坦层301靠近所述发光层40的一侧；支撑层，位于所述像素定义层302靠近所述发光层40的一侧；其中，所述阵列基板10远离所述支撑层的一侧至所述支撑层远离所述阵列基板10的一侧的间距、所述阵列基板10远离所述挡墙结构20的一侧至所述挡墙结构20远离所述阵列基板10的一侧的间距，两者的差值小于或等于所述第一预设阈值。
具体的，结合图1至图6所示，所述平坦层301可以位于所述源极1023、所述漏极1024和所述无机层组101靠近所述发光层的一侧，所述像素定义层包括多个像素定义部3051，相邻两所述像素定义部之间设有一所述发光层40，所述发光层40中的阳极层可以通过位于所述平坦层301内的过孔电性连接至所述漏极1024，所述支撑层可以包括与多个所述像素定义部3051一一对应的多个支撑部，每一所述支撑部位于对应的所述像素定义部3051远离所述阵列基板10的一侧。
可以理解的，相比较上文中的“所述有机层组30的厚度与所述挡墙结构20的厚度的差值的绝对值小于或等于第一预设阈值”，本实施例对所述有机层组30的具体结构进行了细化，并且对阵列基板10的厚度也进行了考虑，限定为所述阵列基板10远离所述支撑层的一侧至所述支撑层远离所述阵列基板10的一侧的间距、所述阵列基板10远离所述挡墙结构20的一侧至所述挡墙结构20远离所述阵列基板10的一侧的间距，两者的差值小于或等于所述第一预设阈值，进一步确保了所述支撑层的上表面和所述挡墙结构20的上表面处于同一水平面，进一步提高了所述挡墙结构20工作的可靠性。
在一实施例中，如图6所示，所述平坦层301、所述像素定义层、所述支撑层三者中的至少一者所在层中设有至少一所述挡墙层，且每一所述挡墙层的组成材料和同层设置的所述平坦层301、所述像素定义层或者所述支撑层的组成材料相同。具体的，所述第一挡墙层201和所述第二挡墙层202作为一整体，可以和所述平坦层301同层设置，且三者的组成材料可以相同；多个所述像素定义部3051构成的所述像素定义层可以和位于所述第二挡墙层202上的第五挡墙层205同层设置，且两者的组成材料可以相同；多个所述支撑部构成的所述支撑层也可以和位于所述第五挡墙层205上的挡墙层同层设置，且两者的组成材料可以相同。
在一实施例中，如图6所示，所述平坦层301包括：第一平坦层3011，位于所述无机层组101靠近所述发光层40的一侧，所述第一平坦层3011上设有导电层50；第二平坦层3012，位于所述第一平坦层3011和所述导电层50靠近所述发光层的一侧。具体的，所述导电层50可以通过为位于所述第一平坦层3011内的过孔电性连接至所述漏极1024，所述发光层40中的阳极层可以通过位于所述第二平坦层3012内的过孔电性连接至所述导电层，其中，所述导电层50的组成材料和所述漏极1024的组成材料不同，即第二平坦层3012可以用于分割所述导电层50和所述漏极1024所在层。
具体的，所述第一挡墙层201可以和所述第一平坦层3011同层设置且采用相同的材料制作，所述第二挡墙层202可以和所述第二平坦层3012同层设置且采用相同的材料制作。进一步的，如图1至图6所示，所述有机层组30还可以包括位于所述平坦层301和多个所述像素定义部3051构成的所述像素定义层之间的第三有机层303、第四有机层304，进一步的，所述挡墙结构20还可以包括堆叠于所述第二挡墙层202和所述第五挡墙层205之间的第三挡墙层203、第四挡墙层204，其中，所述第三有机层303和所述第三挡墙层203可以同层设置且采用相同的材料制作，所述第四有机层304和所述第四挡墙层204可以同层设置且采用相同的材料制作。再进一步的，所述有机层组30中的多个膜层可以和所述挡墙结构20中的多个所述挡墙层一一对应，且所述有机层组30中的每一膜层和对应的所述挡墙层同层设置。
在一实施例中，如图2和图3所示，所述第一挡墙层201内设有凹槽，所述第二挡墙层202位于所述凹槽内。具体的，所述第一挡墙层201内可以设有第一凹槽401，所述第二挡墙层202位于所述第一凹槽401内，即所述第一凹槽401至少可以容纳所述第二挡墙层202，进一步的，在所述阵列基板10至所述挡墙结构20的方向上，所述第一凹槽401的尺寸可以大于或者等于所述第二挡墙层202的尺寸。
可以理解的，在所述第二挡墙层202的侧部不超出所述第一挡墙层201的侧部的基础上，本实施例中将所述第二挡墙层202设于所述第一凹槽401内，即所述第一挡墙层201的侧部可以包围所述第二挡墙层202，且结合“在所述阵列基板10至所述挡墙结构20的方向上，所述第一凹槽401的尺寸可以大于或者等于所述第二挡墙层202的尺寸”以及“在所述阵列基板10至所述挡墙结构20的方向上，多个所述挡墙层的总尺寸大于或者等于多个所述膜层的总尺寸”可知，在形成所述第二挡墙层202的过程中可以降低用于形成所述第二挡墙层202的薄膜流溢至所述第一凹槽401之外的风险，从而降低了用于形成所述第二挡墙层202的薄膜降低的风险，降低了所述第二挡墙层202的厚度较低的风险，提高了所述挡墙结构20工作的可靠性。其中，此处对所述第一凹槽401的形状不作限制，需要满足在制作过程中避免用于形成所述第二挡墙层202的薄膜流溢至所述第一凹槽401之外即可。
需要注意的是，如图2所示，当所述第二挡墙层202上还设有至少一所述挡墙层时，在所述阵列基板10至所述挡墙结构20的方向上，所述第一凹槽401的尺寸可以等于所述第二挡墙层202的尺寸，同理，进一步的，在位于所述第二挡墙层202上的每相邻两所述挡墙层中，远离所述阵列基板10的所述挡墙层的侧部可以不超出靠近所述阵列基板10的所述挡墙层的侧部；当所述第二挡墙层202上设有采用流动性较差的材料制作的层别时，所述第一凹槽401还可以容纳采用流动性较差的材料制作的层别的部分。进一步的，结合“在所述阵列基板10至所述挡墙结构20的方向上，多个所述挡墙层的总尺寸大于或者等于多个所述膜层的总尺寸”可知，本实施例中在所述阵列基板10至所述挡墙结构20的方向上，所述第一挡墙层201靠近所述阵列基板10的一侧与所述第一凹槽401底部的距离可以大于或者等于与所述第一挡墙层201对应的所述膜层的尺寸，避免在所述阵列基板10至所述挡墙结构20的方向上，所述第二挡墙层202与对应的所述膜层的距离过大，以避免多个所述挡墙层的上表面和多个所述膜层的上表面之间的距离过大。
在一实施例中，如图3所示，位于所述第二挡墙层202上的多个所述挡墙层也位于所述凹槽内。具体的，结合上文论述可知，本实施例中的所述第一凹槽401的侧部可以包围所述第二挡墙层202以及位于所述第二挡墙层202上的多个所述挡墙层，即在所述阵列基板10至所述挡墙结构20的方向上，所述第一凹槽401的尺寸可以大于或者等于所述第二挡墙层202和位于所述第二挡墙层202上的多个所述挡墙层的总尺寸。
同理，在所述第二挡墙层202的侧部不超出所述第一挡墙层201的侧部的基础上，本实施例中将所述第二挡墙层202以及位于所述第二挡墙层202上的多个所述挡墙层设于所述第一凹槽401内，结合上文论述可知，在形成所述第二挡墙层202以及位于所述第二挡墙层202上的多个所述挡墙层的过程中可以降低用于形成所述第二挡墙层202的薄膜以及位于所述第二挡墙层202上的多个所述挡墙层的多个膜层流溢至所述第一凹槽401之外的风险，从而降低了用于形成所述第二挡墙层202以及位于所述第二挡墙层202上的多个所述挡墙层的膜层降低的风险，降低了所述第二挡墙层202的厚度较低的风险以及降低了位于所述第二挡墙层202上的多个所述挡墙层的厚度较低的风险，提高了所述挡墙结构20工作的可靠性。同样，此处对所述第一凹槽401的形状不作限制，需要满足在制作过程中避免用于形成所述第二挡墙层202的薄膜以及位于所述第二挡墙层202上的多个所述挡墙层的膜层流溢至所述第一凹槽401之外即可。
在一实施例中，如图4所示，位于所述第一挡墙层201上的多个所述挡墙层中，至少一所述挡墙层内设有凹槽，且所述凹槽中设有至少一所述挡墙层。具体的，位于所述第一挡墙层201上的多个所述挡墙层中，至少一所述挡墙层内设有第二凹槽402，且所述第二凹槽402中设有至少一所述挡墙层，即所述第二凹槽402可以开设于除了所述第一挡墙层201和位于顶层的所述挡墙层之外的任一所述挡墙层内。
同理，此处对所述第二凹槽402的形状也不作限制，需要满足在制作过程中避免用于形成位于所述第二凹槽402内的所述挡墙层的薄膜流溢至所述第二凹槽402之外即可。同理，本实施例中在所述阵列基板10至所述挡墙结构20的方向上，开设有所述第二凹槽402的所述挡墙层靠近所述阵列基板10的一侧与所述第二凹槽402底部的距离可以大于或者等于与开设有所述第二凹槽402的所述挡墙层对应的所述膜层的尺寸，避免在所述阵列基板10至所述挡墙结构20的方向上，位于所述第二凹槽402内的所述挡墙层与对应的所述膜层的距离过大，以避免多个所述挡墙层的上表面和多个所述膜层的上表面之间的距离过大。同理，当所述第二凹槽402内设有部分所述挡墙层时，位于所述第二凹槽402上的所述挡墙层可以延伸至所述第二凹槽402内，但位于所述第二凹槽402上的所述挡墙层的侧部可以不超出所述第二凹槽402的侧部，以避免用于形成位于所述第二凹槽402上的所述挡墙层的薄膜向所述第二凹槽402的侧部溢出。
可以理解的，本实施例相比较图3所示的实施例而言，除了所述第一凹槽401外，还在位于所述第一挡墙层201上的至少一所述挡墙层内设有所述第二凹槽402，即在将多层所述挡墙层均设于所述第一凹槽401和所述第二凹槽402的前提下，本实施例中由于所述第二凹槽402的存在，在所述阵列基板10至所述挡墙结构20的方向上，所述第一凹槽401的尺寸可以设置的较小，可以避免花费更多的时间以刻蚀较多的材料形成所述如图3所示的第一凹槽401，提高了所述显示面板100的制作效率。
在一实施例中，在所述显示面板100的横截面中，所述挡墙结构20远离所述阵列基板10的一侧的宽度大于或等于6微米。结合上文论述，如图1至图4所示，相邻两所述像素定义部3051之间可以设有一所述发光层40，当通过蒸镀形成所述发光层40的过程中，所述挡墙结构20和位于多个所述像素定义部3051上的多个支撑部可以支撑光罩，以使发光材料经由光罩中内的过孔沉积于多个所述像素定义部3051限定的多个区域内。
可以理解的，以所述第二挡墙层202的宽度小于或者等于所述第一挡墙层201的宽度为基础，本实施例中通过将所述挡墙结构20的上表面在所述显示区01至所述非显示区02的方向上的尺寸设置为大于或等于6微米，可以使得所述挡墙结构20的上表面的尺寸足够大，以较好地制程光罩，进一步降低了光罩在所述非显示区02下榻而刮伤所述阵列基板10的风险。当然，此处所述挡墙结构20的上表面在所述显示区01至所述非显示区02的方向上的尺寸的最小值也可以结合多个所述膜层的上表面的尺寸进行设置。
进一步的，多个所述挡墙层的组成材料和所述有机层组30的组成材料相同。具体的，所述显示区01包括透光区，所述透光区内设有光学器件和多个透明导电层，相邻两个所述透明导电层之间设有一包含于所述有机层组30中的膜层，所述有机层组30的组成材料包括绝缘材料，所述有机层组30中的膜层用于绝缘对应的两所述透明导电层；结合上文论述可知，由于位于所述显示区01内的多个膜层间隔至少一制程形成，相应的，位于所述非显示区02内的多个所述挡墙层也间隔至少一制程形成，每一所述挡墙层可以和对应的膜层同时制备。可以理解的，这样可以在形成所述有机层组30的同时也形成多个所述挡墙层，提高了所述显示面板100的制作效率。
进一步的，多个所述挡墙层的组成材料和所述有机层组30的组成材料可以为有机材料。可以理解的，由于有机材料的流动性强，在形成多个所述挡墙层和所述有机层组30的过程中，有机材料会由中心向侧部流溢，故至少一所述挡墙层的侧部与靠近所述阵列基板10的底部之间的夹角可能呈现为锐角，同理，至少一膜层的侧部与靠近所述阵列基板10的底部之间的夹角可能呈现为锐角。需要注意的是，这是由有机材料的特性决定的，并不作为本实施例的初衷，相反的，至少一所述挡墙层的侧部与靠近所述阵列基板10的底部之间的夹角呈现为锐角会导致所述挡墙层的侧部的面积增加，在形成所述挡墙层的过程中，会促进由于形成所述挡墙层的薄膜向靠近所述底部10的方向流溢，其实不利于本发明中相关实施例的制作。
在一实施例中，如图5所示，所述挡墙结构20还包括：至少一流溢层206，至少一组相邻设置的两所述挡墙层中，所述流溢层206自远离所述阵列基板10的所述挡墙层的侧部至少延伸至靠近所述阵列基板10的所述挡墙层的侧部。结合上文论述可知，有机材料的流动性强，故相邻的两所述挡墙层的侧部中可能形成所述流溢层206。需要注意的是，这是由有机材料的特性以及制程精度等因素决定的，并不作为本实施例的初衷，相反的，所述流溢层206的存在会造成对应的挡墙层在所述阵列基板10至所述挡墙结构20的方向上的尺寸有所减小，实际上不利于本发明中相关实施例的实施。可以理解的，在此申明，由上述不可控的原因造成的包含上述流溢层206的上述挡墙结构20也属于本发明的保护范围。
需要注意的是，对于相邻设置的两所述挡墙层而言，若在制作过程中位于上方的挡墙层的侧部和位于下方的挡墙层的侧部距离较近，则用于形成位于上方的挡墙层的薄膜会向位于下方的挡墙层流溢以至于形成所述流溢层206；即使在制作过程中位于上方的挡墙层的侧部和位于下方的挡墙层的侧部距离较远，此处两者之间的距离可以不小于1.5微米，但是由于制程精度或者其它外界干扰，也会导致所述流溢层206的存在。具体的，此处以所述流溢层206自所述第二挡墙层202的侧部延伸至所述第一挡墙层201的侧部为例进行说明，根据上文论述可知，所述流溢层206的组成材料和所述第二挡墙层202的组成材料可以相同。
本发明提供显示面板的制作方法，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，如图7所示，所述显示面板的制作方法包括但不限于以下步骤以及以下步骤之间的组合。
S1，提供一阵列基板。
其中，所述阵列基板可以包括但不限于一个层别，所述阵列基板可以包括电路层，所述电路层的组成材料可以包括金属材料。
S2，在所述阵列基板上且位于所述非显示区内形成第一挡墙层，以及在所述阵列基板上且位于所述显示区内形成与所述第一挡墙层同层的第一膜层。
其中，所述显示区包括透光区，所述透光区内设有光学器件和透明导电层，所述第一膜层可以位于所述透明导电层上，所述第一膜层的组成材料包括绝缘材料，所述第一膜层用于绝缘所述透明导电层和其它的导电的膜层。具体的，所述第一挡墙层可以和所述第一膜层可以通过图案化同时制备，所述第一挡墙层的组成材料可以和所述第一膜层的组成材料可以相同。可以理解的，这样可以在形成所述第一膜层的同时也形成所述第一挡墙层，提高了所述显示面板的制作效率。
S3，在所述第一挡墙层上形成第二挡墙膜，以及在所述第一膜层上形成与所述第二挡墙层同层的第二膜，所述第二挡墙膜的侧部和所述第一挡墙层的侧部的间距大于或者等于1.5微米。
同理，所述第二挡墙膜可以和所述第二膜可以通过图案化同时制备，所述第二挡墙膜的组成材料可以和所述第二膜的组成材料可以相同。需要注意的是，此处将所述第二挡墙膜的侧部和所述第一挡墙层的侧部的间距设置为大于或者等于1.5微米，可以使得所述第二挡墙膜的侧部和所述第一挡墙层的侧部的间距较大，降低了所述第二挡墙膜流溢至所述第一挡墙层的风险。
S4，处理所述第二挡墙膜以形成第二挡墙层，以及处理所述第二膜以形成第二膜层，所述第二挡墙层的侧部不超出所述第一挡墙层的侧部。
其中，可以自然干燥或者人为干燥所述第二挡墙膜和所述第二膜，以形成所述第二挡墙层和所述第二膜层，使得所述第二挡墙层的侧部不超出所述第一挡墙层的侧部。同理，结合上文论述可知，由于制程精度或者其它外界干扰，可能形成流溢层，所述流溢层自所述第二挡墙层的侧部延伸至所述第一挡墙层的侧部，所述流溢层的组成材料和所述第二挡墙层的组成材料可以相同。
本发明提供移动终端，所述移动终端包括终端主体部和如上文任一所述的显示面板，所述终端主体部和所述显示面板组合为一体。
本发明提供了显示面板、移动终端，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述显示面板包括：阵列基板；挡墙结构，所述挡墙结构位于所述阵列基板上且位于所述非显示区内，所述挡墙结构包括叠层设置的多个挡墙层，多个所述挡墙层包括位于所述阵列基板上的第一挡墙层和位于所述第一挡墙层上的第二挡墙层，在所述显示面板的横截面中，所述第二挡墙层的宽度小于或者等于所述第一挡墙层的宽度；有机层组，位于所述阵列基板上且位于所述显示区内，所述有机层组的厚度与所述挡墙结构的厚度的差值的绝对值小于或等于第一预设阈值；发光层，位于所述有机层组远离所述阵列基板的一侧且位于所述显示区内。本发明通过将所述第二挡墙层的宽度设置为小于或者等于所述第一挡墙层的宽度，加之以所述有机层组的厚度与所述挡墙结构的厚度的差值的绝对值小于或等于第一预设阈值作为限定，即可以降低在制作过程中用于形成所述第二挡墙层的薄膜向用于形成所述第一挡墙层的薄膜流溢的风险，从而降低了所述第二挡墙层的厚度较低的风险，提高了所述挡墙结构工作的可靠性。
以上对本发明实施例所提供的显示面板、移动终端进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (13)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述显示面板包括：
阵列基板；
挡墙结构，所述挡墙结构位于所述阵列基板上且位于所述非显示区内，所述挡墙结构包括叠层设置的多个挡墙层，多个所述挡墙层包括位于所述阵列基板上的第一挡墙层和位于所述第一挡墙层上的第二挡墙层，在所述显示面板的横截面中，所述第二挡墙层的宽度小于或者等于所述第一挡墙层的宽度；
有机层组，位于所述阵列基板上且位于所述显示区内，所述有机层组的厚度与所述挡墙结构的厚度的差值的绝对值小于或等于第一预设阈值；
发光层，位于所述有机层组远离所述阵列基板的一侧且位于所述显示区内；
其中，在所述显示面板的俯视视角中，所述第二挡墙层的边缘位于所述第一挡墙层内。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述预设第一阈值小于或者等于2微米。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述显示面板的横截面中，所述第二挡墙层的侧边与所述第一挡墙层的侧边的间距小于或等于第二预设阈值。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在每相邻两所述挡墙层中，较远离所述阵列基板的所述挡墙层的宽度小于较靠近所述阵列基板的所述挡墙层的宽度。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括无机层组和至少位于所述无机层组内的薄膜晶体管层，所述有机层组包括：
平坦层，位于所述无机层组靠近所述发光层的一侧；
像素定义层，位于所述平坦层靠近所述发光层的一侧；
支撑层，位于所述像素定义层靠近所述发光层的一侧；
其中，所述阵列基板远离所述支撑层的一侧至所述支撑层远离所述阵列基板的一侧的间距、所述阵列基板远离所述挡墙结构的一侧至所述挡墙结构远离所述阵列基板的一侧的间距，两者的差值小于或等于所述第一预设阈值。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述平坦层、所述像素定义层、所述支撑层三者中的至少一者所在层中设有至少一所述挡墙层，且每一所述挡墙层的组成材料和同层设置的所述平坦层、所述像素定义层或者所述支撑层的组成材料相同。
7.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述平坦层包括：
第一平坦层，位于所述无机层组靠近所述发光层的一侧，所述第一平坦层上设有导电层；
第二平坦层，位于所述第一平坦层和所述导电层靠近所述发光层的一侧。
8.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述显示面板的横截面中，所述挡墙结构远离所述阵列基板的一侧的宽度大于或等于6微米。
9.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一挡墙层内设有凹槽，所述第二挡墙层位于所述凹槽内。
10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，位于所述第二挡墙层上的多个所述挡墙层也位于所述凹槽内。
11.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，位于所述第一挡墙层上的多个所述挡墙层中，至少一所述挡墙层内设有凹槽，且所述凹槽中设有至少一所述挡墙层。
12.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述挡墙结构还包括：
至少一流溢层，至少一组相邻设置的两所述挡墙层中，所述流溢层自远离所述阵列基板的所述挡墙层的侧部至少延伸至靠近所述阵列基板的所述挡墙层的侧部。
13.一种移动终端，其特征在于，所述移动终端包括终端主体部和如权利要求1至12任一所述的显示面板，所述终端主体部和所述显示面板组合为一体。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005267917A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Kanazawa Inst Of Technology | フィールドエミッション型表示装置、ワイヤー型カソードの製造方法及びワイヤー型カソード印加電圧の変調方法 |
| CN108962947A (zh) * | 2018-07-04 | 2018-12-07 | 上海天马微电子有限公司 | 一种柔性显示面板和显示装置 |
| CN109728194A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-05-07 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6761276B2 (ja) * | 2015-05-28 | 2020-09-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法、および電子機器の作製方法 |
| CN110224006B (zh) * | 2019-05-13 | 2021-06-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
| CN112216599A (zh) * | 2019-06-24 | 2021-01-12 | 培英半导体有限公司 | 多次光固化一次蚀刻形成光学挡墙的方法及光学挡墙结构 |
| CN111063820A (zh) * | 2019-12-02 | 2020-04-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置及显示装置的制作方法 |
| CN111162194B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-12-09 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置 |
| CN111653589B (zh) * | 2020-04-29 | 2021-12-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005267917A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Kanazawa Inst Of Technology | フィールドエミッション型表示装置、ワイヤー型カソードの製造方法及びワイヤー型カソード印加電圧の変調方法 |
| CN108962947A (zh) * | 2018-07-04 | 2018-12-07 | 上海天马微电子有限公司 | 一种柔性显示面板和显示装置 |
| CN109728194A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-05-07 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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