CN114141642A - 封装结构及有关封装结构的测量方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露涉及封装结构及有关封装结构的测量方法。本揭露提供一种测量方法，所述测量方法包含：提供基底、放置在所述基底上的装置以及放置在所述基底及所述装置之上的封盖；通过所述封盖的开口照射所述装置的顶部表面，以获得与所述装置的顶部表面相关联的第一焦平面；照射所述封盖的所述开口的下部端处，以在所述开口的所述下部端处获得与所述封盖相关联的第二焦平面；及基于所述第一焦平面的水平高度与所述第二焦平面的水平高度之间的差而导出所述装置的顶部表面与面向所述装置的所述顶部表面的所述封盖的内部表面之间的距离。本揭露也提供一种用于所述测量的封装结构。

Description

封装结构及有关封装结构的测量方法
技术领域
本发明实施例涉及封装结构及有关封装结构的测量方法。
背景技术
半导体装置通常使用模塑材料来进行封装，且接着可被安装在包含例如印刷电路板(PCB)的电路系统的基底上。在对半导体装置进行封装之后，模塑材料内部的有关半导体装置的一些参数难以确定。常规测量方法不能精确地获得参数，这是因为这些方法不可避免地积累封装结构中组件的偏差或容差。所导出参数通常不正确或不够精确。
因此，存在修改封装结构及用于确定封装结构内部的参数的测量方法的连续需求。
发明内容
本发明的实施例涉及一种测量方法，其包括：提供基底、放置在所述基底上的装置以及放置在所述基底及所述装置之上的封盖，其中所述封盖包含放置在所述装置上方且朝向所述装置渐缩的开口，且所述开口包含靠近所述装置的下部端；通过所述开口照射所述装置的顶部表面，以获得与所述装置的所述顶部表面相关联的第一焦平面；照射所述封盖的所述开口的所述下部端处，以在所述开口的所述下部端处获得与所述封盖相关联的第二焦平面；及基于所述第一焦平面的水平高度与所述第二焦平面的水平高度之间的差而导出所述装置的所述顶部表面与面向所述装置的所述顶部表面的所述封盖的内部表面之间的距离。
本发明的实施例涉及一种测量方法，其包括：将装置包封在封装结构内，所述封装结构包括：基底；封盖，其覆盖所述基底及所述装置；侧壁，其连接所述基底与所述封盖；第一电极对，其放置在所述装置的顶部表面与面向所述顶部表面的所述封盖的内部表面之间；通过所述第一电极对测量所述装置与所述封装结构之间的电容；及基于所述电容的所述测量而导出所述顶部表面与所述内部表面之间的距离。
本发明的实施例涉及一种封装结构，其包括：基底；装置，其放置在所述基底上；及封盖，其放置在所述基底及所述装置之上，其中所述封盖包含放置在所述装置上方且朝向所述装置渐缩的开口。
附图说明
当与随附图式一起阅读时，依据以下详细说明最佳地理解本揭露的各方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为论述清晰起见，可任意地增加或减小各种特征的尺寸。
图1是根据本揭露的一些实施例的展示封装结构的示意性横截面图。
图2及图3是根据本揭露的其它实施例的展示在图1中具有经不同塑形的开口的封装结构的示意性横截面图。
图4到图8是根据本揭露的一些实施例的展示在图1到图3中的任一者中具有各种额外组件的封装结构的示意性横截面图。
图9是根据本揭露的一些实施例的展示另一封装结构的示意性横截面图。
图10展示根据本揭露的一些实施例的呈各种形状的开口的俯视图。
图11到图14是根据本揭露的一些实施例的展示其它封装结构的示意性横截面图。
图15是根据本揭露的一些实施例的图解说明制造封装结构的方法的流程图。
图16A到图16K是根据本揭露的一些实施例的图解说明图11中的封装结构的顺序制作级的示意性横截面图。
图17是根据本揭露的一些实施例的图解说明制造封装结构的另一方法的流程图。
图18A到图18I是根据本揭露的一些实施例的图解说明图12中的封装结构的顺序制作级的示意性横截面图。
图19是根据本揭露的一些实施例的展示用于测量封装结构内的间隙宽度的方法的流程图。
图20A及图20B是根据本揭露的一些实施例的展示使用图19中的方法进行顺序操作的示意性横截面图。
图20C是根据本揭露的一些实施例的展示将图19中的方法应用于图9中的封装结构P20的示意性横截面图。
图21是根据本揭露的一些实施例的展示用于测量封装结构内的间隙宽度的另一方法的流程图。
具体实施方式
以下揭示内容提供用于实施所提供标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些实例仅为实例且并非打算为限制性的。举例来说，在以下描述中在第二特征之上或上形成第一特征可包含其中第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例，且也可包含其中可在第一特征与第二特征之间形成额外特征使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。在一些实施例中，本揭露可在各种实例中重复参考编号及/或字母。此重复是出于简单及清晰目的且并非以其本身来说指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
此外，为了便于描述，本文中可使用空间相对术语(例如，“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等等)来描述一个元件或特征与另一元件或特征的关系，如各图中所图解说明。在一些实施例中，所述空间相对术语打算囊括在使用或操作中装置的除各图中所描绘的定向之外的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或以其它定向)且可因此同样地解释本文中所使用的空间相对描述语。
尽管陈述本揭露的宽广范畴的数值范围及参数是近似值，但在特定实例中陈述的数值应尽可能精确地报告。然而，任何数值固有地含有必然由相应测试测量中存在的标准偏差所引起的特定误差。而且，如本文中所使用，术语“基本上”、“大约”或“约”一般意指在可由所属领域的技术人员所考虑的值或范围内。另一选择是，术语“基本上”、“大约”或“约”意指当由所属领域的技术人员考虑时在平均值的可接受标准误差内。所属领域的技术人员可理解，可接受标准误差可根据不同技术而发生变化。除在操作/工作实例中之外，或者除非另外明确规定，否则本文中所揭示的所有数值范围、量、值及百分比(例如用于材料数量、持续时间、温度、操作条件、量的比率等等的那些数值范围、量、值及百分比)应理解为在所有例子中都由术语“基本上”、“大约”或“约”修饰。因此，除非指示相反情形，否则在本揭露及所附权利要求书中所陈述的数值参数是可视需要而发生变化的近似值。在最低限度下，每一数值参数应至少鉴于所报告有效数字的数且通过应用一般舍入技术来解释。本文中可将范围表达为从一个端点到另一端点或介于两个端点之间。除非另外规定，否则本文中所揭示的所有范围都包含端点。
对于由模塑材料包封以形成封装结构的一些装置，存在在装置与模塑材料之间留下空间的需求。举例来说，包含透镜模块的光学装置需要间隙，以便容纳从透镜到例如CMOS图像传感器(CIS)或经电荷耦合装置(CCD)的图像传感器的适当焦距。
控制封装结构内部的间隙大小(例如，间隙宽度或间隙体积)是重要的。举例来说，在一些应用中，出于例如封装结构内部的装置的空气流动阻力或散热的考虑，需要精确控制间隙大小。在一些实施例中，当装置经受外部冲击或机械力时，间隙大小影响装置的灵活性。因此，间隙大小一般来说涉及封装结构内的装置的耐久性，尤其对于光学装置来说。特定来说，间隙大小对这些光学装置的性能至关重要。
然而，一旦装置被封装，就难以测量间隙大小。此外，精确控制间隙大小并不容易。对于将环氧树脂或陶瓷用作模塑材料的封装结构，间隙大小由装置及模塑材料的尺寸(例如，厚度或高度)控制。尽管间隙大小可通过观察装置的尺寸与模塑材料的一部分的尺寸之间的差来直接确定，但难以获得间隙大小的精度。
图1是根据本揭露的一些实施例的展示封装结构P10的示意性横截面图。封装结构P10包含模塑部件100及模塑部件100内部的装置120。在一些实施例中，模塑部件100包含：基底102；封盖104，其覆盖基底102；及侧壁106，其连接基底102与封盖104。在一些实施例中，装置120被放置在基底102上、由侧壁106环绕且由封盖104覆盖。在一些实施例中，装置120具有面向封盖104的顶部表面S1及面向基底102的底部表面B1。在一些实施例中，底部表面B1接触基底102。在一些实施例中，基底102、封盖104及侧壁106是可分隔开的。在其它实施例中，基底102、封盖104及侧壁106可为整体的，使得模塑部件100是包封装置120的单个结构。在一些实施例中，模塑部件100由举例来说但不限于环氧树脂或陶瓷(例如低温共烧(LTCC)陶瓷或高温共烧(HTCC)陶瓷)制成。在一些实施例中，装置120包含主动组件或被动组件，举例来说但不限于，互补金属氧化物半导体(CMOS)、微机电系统(MEMS)、CMOS及MEMS的堆栈、电阻器、电容器、电感器、图像传感器、运动传感器、麦克风、扬声器或运动稳定器。
仍参考图1，在一些实施例中，封盖104包含穿透封盖104的开口110。在一些实施例中，开口110位于装置120上方，使得模塑部件100中的装置120通过开口110而至少部分地被暴露。在一些实施例中，开口110具有截头锥形形状。在一些实施例中，开口110朝向装置120渐缩。在一些实施例中，开口110在远离装置120的开口110的上部端E1处具有第一宽度W1，且在靠近装置120的开口110的下部端E2处具有第二宽度W2。在一些实施例中，第一宽度W1介于50um与1000um之间且大于第二宽度W2。在一些实施例中，第一宽度与第二宽度之间的差介于约5微米(um)与约100um之间。
仍参考图1，在一些实施例中，间隙130在模塑部件100内部介于封盖104与装置120之间。在一些实施例中，侧壁106具有高度D1，装置120具有厚度D2且间隙130具有间隙宽度G1，其中间隙宽度G1被定义为装置120的顶部表面S1与面向装置120的封盖104的内部表面之间的距离。在一些实施例中，间隙宽度G1介于约5um与约500um之间。
在其它实施例中，开口110可具有不同形状。图2及图3是根据本揭露的其它实施例的展示在图1中具有经不同塑形的开口110的封装结构P10的示意性横截面图。参考图2，在一个实施例中，开口110具有如下的宽度：从第一宽度W1开始，直到开口110的中央部分都保持恒定，且接着朝向基底102渐缩到第二宽度W2。参考图3，在另一实施例中，开口110具有如下的宽度：从第一宽度W1开始、朝向开口110的中央部分增加且接着朝向基底102渐缩到第二宽度W2。在一些实施例中，第一宽度W1大于第二宽度W2。
图4到图8是根据本揭露的一些实施例的展示在图1到图3中任一者中具有各种额外组件的封装结构P10的示意性横截面图。参考图4，在一些实施例中，封盖104的开口110可填充有密封部件150。密封部件150可保护封装结构P10中的装置120免受颗粒或湿气污染。在一些实施例中，密封部件150由举例来说但不限于环氧树脂、聚硅氧、玻璃胶、塑料、玻璃、金属或陶瓷制成。在一些实施例中，密封部件150可为不透明或透明的。在一些实施例中，可从封装结构P10容易地移除密封部件150，且因此通过移除密封部件150来形成开口110。
参考图5，在一些实施例中，封盖104的开口110可由封盖部件160覆盖。封盖部件160可保护封装结构P10内的装置120免受颗粒或湿气污染。在一些实施例中，封盖部件160由举例来说但不限于塑料、玻璃、金属或陶瓷制成。在一些实施例中，封盖部件160的面积大于或小于封盖104的面积。在其它实施例中，封盖部件160的面积基本上等于封盖104的面积。
参考图6，在一些实施例中，封装结构P10可被密封在外壳部件170中。外壳部件170可保护封装结构P10中的装置120免受颗粒或湿气污染。在一些实施例中，外壳部件170由举例来说但不限于环氧树脂、聚硅氧、玻璃胶、塑料、玻璃、金属或陶瓷制成。在一些实施例中，外壳部件170可为不透明或透明的。
在一些实施例中，取决于实际需要，密封部件150、封盖部件160及外壳部件170中的任一者或其组合可放置在封装结构P10上。
举例来说，参考图7，在一些实施例中，封盖104的开口110填充有密封部件150且由封盖部件160覆盖。在这些实施例中，密封部件150可提供封盖部件160到封盖104的粘附。
参考图8，在一些实施例中，封盖104的开口110填充有密封部件150，且封装结构P10被包封在外壳部件170中。外壳部件170可与密封部件150进行接触。在这些实施例中，密封部件150可提供外壳部件170到封盖104的粘附。
图9是根据本揭露的一些实施例的展示封装结构P20的示意性横截面图。封装结构P20类似于封装结构P10，惟封装结构P20的封盖104包含具有不同厚度的多个部分。因此，可在装置120的顶部表面S1与面向装置120的封盖104的内部表面之间存在多个间隙宽度G2、G3及G4等等。在一些实施例中，开口110可放置在具有不同厚度的封盖104的每一位置中。因此，多个开口110可单独放置在封盖104中，且开口110暴露模塑部件100内部的装置120的部分。在一些实施例中，开口110中的每一者在远离装置120的上部端处具有较大宽度，且在靠近装置120的下部端处具有较小宽度。
在一些实施例中，并不限制开口110的形状。图10展示根据本揭露的一些实施例的呈各种形状的开口110的俯视图。装置120的部分通过开口110是可见的，而装置120的大部分被遮蔽在封盖104下方。在一些实施例中，来自俯视图的开口110的形状可为各种形状，例如圆形、三角形、矩形、正方形、L形等，只要开口110朝向装置120渐缩即可。
图11及图12是根据本揭露的一些实施例的展示封装结构P30及P40的示意性横截面图。封装结构P30及P40类似于封装结构P10，惟封装结构P30及P40进一步包含两个电极对。
参考图11，封装结构P30包含放置在装置120的顶部表面S1与面向顶部表面S1的封盖104的内部表面之间的第一电极对180及第二电极对190。
在一些实施例中，第一电极对180及第二电极对190由例如铝、铜、铁、银或金的导电材料制成。在一些实施例中，第一电极对180包含：第一电极180A，其附接到装置120的顶部表面S1；及第二电极180B，其附接到封盖104的内部表面，其中第一电极180A与第二电极180B对准。在一些实施例中，第二电极对190包含：第三电极190A，其附接到装置120的顶部表面S1；及第四电极190B，其附接到封盖104的内部表面，其中第三电极190A与第四电极190B对准。在一些实施例中，在装置120的顶部表面S1上形成突出部件120P。在这些实施例中，第三电极190A被放置在突出部件120P上且由突出部件120P支撑。在一些实施例中，突出部件120P经配置以确保第三电极190A与第四电极190B之间的接触。
参考图12，封装结构P40类似于图11中的封装结构P30，惟突出部件的位置除外。在一些实施例中，在封盖104的内部表面上形成突出部件104P。在这些实施例中，第四电极190B被放置在突出部件104P上且由突出部件104P支撑。在一些实施例中，突出部件104P经配置以确保第三电极190A与第四电极190B之间的接触。
图13及图14是根据本揭露的一些实施例的展示封装结构P50及P60的示意性横截面图。封装结构P50及P60分别类似于封装结构P30及P40，惟封装结构P50及P60的封盖104不具有任何开口。在这些实施例中，装置120被完全包封在模塑部件100中。
图15是根据本揭露的一些实施例的图解说明制造封装结构的方法200的流程图。图16A到图16K是根据本揭露的一些实施例的图解说明图11中的封装结构P30的顺序制作级的示意性横截面图。
在操作S201中，提供装置120A，如图16A中所展示。在一些实施例中，对装置120A执行光刻工艺，以在其上形成经图案化光致抗蚀剂192。
在操作S203中，移除装置120A的一部分，如图16B中所展示。在一些实施例中，对装置120A执行干式或湿式蚀刻工艺，以移除未受经图案化光致抗蚀剂192保护的装置120A的一部分。在移除经图案化光致抗蚀剂192之后，剩余装置是指如上文所描述或图1到图14中的任一者中所图解说明的装置120。在一些实施例中，在操作S203之后，在装置120的顶部表面S1上方形成突出部件120P。
在操作S205中，在装置120上形成金属层194A，如图16C中所展示。在一些实施例中，使用物理气相沉积(PVD)工艺或原子层沉积(ALD)工艺，在装置120及突出部件120P上保形地形成金属层194A。在一些实施例中，金属层194A由例如铝、铜、铁、银或金的导电材料制成。在一些实施例中，金属层194A的厚度是已知的且受到均匀控制。
在操作S207中，对金属层194A执行光刻工艺，如图16D中所展示。在操作S207之后，在金属层194A上形成经图案化光致抗蚀剂196。
在操作S209中，部分地移除金属层194A，如图16E中所展示。在一些实施例中，对金属层194A执行干式或湿式蚀刻工艺，以移除未受经图案化光致抗蚀剂196保护的金属层194A的部分。在移除经图案化光致抗蚀剂196之后，剩余金属层194A在装置120上形成第一电极180A，且在装置120之上的突出部件120P上形成第三电极190A。
在操作S211中，提供底部固持器108，如图16F中所展示。在一些实施例中，底部固持器108包含基底102及连接到基底102的侧壁106。在一些实施例中，底部固持器108由环氧树脂或陶瓷制成且包含引线框架(未展示)。
在操作S213中，将装置120接合到底部固持器108，如图16G中所展示。在一些实施例中，使用线接合过程将具有第一电极180A及第三电极190A的装置120附接到基底102。放置在基底102上的装置120由侧壁106环绕。在一些实施例中，将裸片附接膜(DAF，未展示)放置在装置120与基底102之间以增加其间的粘附。
在操作S215中，提供封盖104A，如图16H中所展示。在一些实施例中，封盖104A由与底部固持器108相同的材料制成。封盖104A具有外部表面S2及与外部表面S2相对的内部表面S3。在一些实施例中，在内部表面S3处形成孔110A。使用钻孔工艺或蚀刻工艺，可通过移除封盖104A的一部分来形成孔110A。在一些实施例中，孔110A具有朝向内部表面S3渐缩的截头锥形形状。
在操作S217中，在封盖104A上形成电极，如图16I中所展示。在一些实施例中，在外部表面S2上形成第二电极180B及第四电极190B。第二电极180B及第四电极190B的形成至少包含对封盖104A执行沉积工艺、光刻工艺及蚀刻工艺。在一些实施例中，封盖104A上第二电极180B与第四电极190B之间的水平距离与装置120上第一电极180A与第三电极190A之间的水平距离基本上相同。
在操作S219中，对封盖104A执行钻孔工艺，如图16J中所展示。在一些实施例中，封盖104在孔110A内部的一部分进一步经钻凿以形成开口110，使得开口110穿透封盖104。开口110连接外部表面S2与内部表面S3。在一些实施例中，开口110具有朝向内部表面S3渐缩的截头锥形形状。
在操作S221中，将封盖104附接到底部固持器108，如图16K中所展示。在一些实施例中，封盖104到底部固持器108的附接呈外部表面S2面对装置120的方式。此时，第二电极180B与第一电极180A对准，且第四电极190B与第三电极190A对准。在一些实施例中，第三电极190A由突出部件120P支撑以确保第三电极190A与第四电极190B之间的接触。在一些实施例中，在将封盖104放置在基底102及装置120之上之前形成开口110。在其它实施例中，可同时形成基底102、封盖104及侧壁106，且包含基底102、封盖104及侧壁106的模塑部件100可为包封装置120的单个结构。在这些实施例中，可在包封装置120之后形成开口110。在一些实施例中，将密封胶(未展示)放置在封盖104与底部固持器108之间以增加其间的粘附。因此，一般来说形成图11中的封装结构P30。
图17是根据本揭露的一些实施例的图解说明制造封装结构的方法300的流程图。图18A到图18I是根据本揭露的一些实施例的图解说明图12中的封装结构P40的顺序制作级的示意性横截面图。
在操作S301中，提供装置120且在装置120上形成金属层194B，如图18A中所展示。在一些实施例中，使用PVD工艺或ALD工艺来形成金属层194B。在一些实施例中，金属层194B由例如铝、铜、铁、银或金的导电材料制成。在一些实施例中，金属层194B的厚度是已知的且受到均匀控制。
在操作S303中，对金属层194B执行光刻工艺，如图18B中所展示。在操作S303之后，因此在金属层194B上形成经图案化光致抗蚀剂198。
在操作S305中，部分地移除金属层194B，如图18C中所展示。在一些实施例中，对金属层194B执行干式或湿式蚀刻工艺，以移除未受经图案化光致抗蚀剂198保护的金属层194B的部分。在移除经图案化光致抗蚀剂198之后，剩余金属层194B在装置120上形成第一电极180A及第三电极190A。
在操作S307中，提供底部固持器108，如图18D中所展示。在一些实施例中，底部固持器108包含基底102及连接到基底102的侧壁106。在一些实施例中，底部固持器108由环氧树脂或陶瓷制成且包含引线框架(未展示)。
在操作S309中，将装置120接合到底部固持器108，如图18E中所展示。在一些实施例中，使用线接合工艺将具有第一电极180A及第三电极190A的装置120附接到基底102。放置在基底102上的装置120由侧壁106环绕。在一些实施例中，将裸片附接膜(DAF，未展示)放置在装置120与基底102之间以增加其间的粘附。
在操作S311中，提供封盖104A，如图18F中所展示。在一些实施例中，封盖104A由与底部固持器108相同的材料制成。封盖104A具有外部表面S2及与外部表面S2相对的内部表面S3。在一些实施例中，在外部表面S2上形成突出部件104P。突出部件104P的形成至少包含对封盖104A执行沉积工艺、光刻工艺及蚀刻工艺。在一些实施例中，使用与底部固持器108相同的材料来形成突出部件104P。在一些实施例中，在内部表面S3处形成孔110A。使用钻孔工艺或蚀刻工艺，可通过移除封盖104A的一部分来形成孔110A。在一些实施例中，孔110A具有朝向内部表面S3渐缩的截头锥形形状。
在操作S313中，在封盖104A上形成第二电极180B及第四电极190B，如图18G中所展示。在一些实施例中，在封盖104A之外部表面S2上形成第二电极180B，且在突出部件104P上形成第四电极190B。第二电极180B及第四电极190B的形成至少包含对封盖104A执行沉积工艺、光刻工艺及蚀刻工艺。在一些实施例中，封盖104A上第二电极180B与第四电极190B之间的水平距离与装置120上第一电极180A与第三电极190A之间的水平距离基本上相同。
在操作S315中，对封盖104A执行钻孔工艺，如图18H中所展示。在一些实施例中，封盖104在孔110A内部的一部分进一步经钻凿以形成开口110，使得开口110穿透封盖104。开口110连接外部表面S2与内部表面S3。在一些实施例中，开口110具有朝向内部表面S3渐缩的截头锥形形状。
在操作S317中，将封盖104附接到底部固持器108，如图18I中所展示。在一些实施例中，封盖104到底部固持器108的附接呈外部表面S2面对装置120的方式。此时，第二电极180B与第一电极180A对准，且第四电极190B与第三电极190A对准。在一些实施例中，第四电极190B由突出部件104P支撑以确保第三电极190A与第四电极190B之间的接触。在一些实施例中，将密封胶(未展示)放置在封盖104与底部固持器108之间以增加其间的粘附。因此，一般来说形成图12中的封装结构P40。
图19是根据本揭露的一些实施例的展示用于测量封装结构内的间隙宽度的方法400的流程图。在一些实施例中，方法400是光学测量。在一些实施例中，在封装结构形成之后，可对图1到图3中的任一者中的封装结构P10执行方法400。图20A及图20B是根据本揭露的一些实施例的展示使用图19中的方法400进行顺序操作的示意性横截面图。
在一些实施例中，方法400以根据图19中的操作S401提供封装结构P10开始。
参考图20A，在一些实施例中，根据图19中的操作S403照射装置120的顶部表面S1。在一些实施例中，使用光源140。在一些实施例中，光源140经配置以发射例如白色光的可见光。在一些实施例中，光源140经配置以发射例如X射线、红外线(IR)或紫外线(UV)的不可见光。在一些实施例中，光源140可发射辐射以照射封装结构P10的一部分。在一些实施例中，照射可通过马达(未展示)来调整，使得辐射可聚焦在封装结构P10的所期望部分(例如装置120的顶部表面S1或开口110的下部端E2处的封盖104)上。在一些实施例中，开口110充当用于辐射穿过的光学窗。
仍参考图20A，光源140发射其穿过开口110且聚焦在装置120的顶部表面S1上的第一辐射hv1。在一些实施例中，装置120的顶部表面S1是通过第一辐射hv1照射的，以获得与装置120的顶部表面S1相关联的第一焦平面F1。在一些实施例中，第一焦平面F1是指其中装置120的顶部表面S1的图像最清晰的平面。第一焦平面F1与装置120的顶部表面S1基本上共面。
参考图20B，在一些实施例中，根据图19中的操作S405，照射封盖104的开口110的下部端E2处。在一些实施例中，在发射第一辐射hv1之后，光源140发射穿过开口110且聚焦在封盖104上开口110的下部端E2处的第二辐射hv2。在一些实施例中，封盖104的开口110的下部端E2处是通过第二辐射hv2照射的，以在开口110的下部端E2处获得与封盖104相关联的第二焦平面F2。在一些实施例中，第二焦平面F2是指其中图像在封盖104的开口110的下部端E2处最清晰的平面。第二焦平面F2与面向装置120的顶部表面S1的封盖104的内部表面基本上共面，且第二焦平面F2基本上平行于第一焦平面F1。在一些实施例中，开口110朝向装置120渐缩，使得第一辐射hv1及第二辐射hv2可未被封盖104的一部分阻挡。
参考图20A及图20B，在一些实施例中，根据图19中的操作S407，基于第一焦平面F1及第二焦平面F2而导出间隙宽度G1。在一些实施例中，可基于第一焦平面F1及第二焦平面F2而导出装置120的顶部表面S1与面向装置120的顶部表面S1的封盖104的内部表面之间的距离。通过计算第一焦平面F1及第二焦平面F2的水平高度之间的差，因此可获得基本上等于封装结构P10内的间隙宽度G1的距离。
在一些实施例中，从方法400导出的间隙宽度G1比从侧壁106的高度D1纯粹减去装置120的厚度D2更精确。尽管不同的模塑部件100及不同的装置120具有相同的产品或装置规格，但其在其高度或厚度当中不可避免地具有容差。因此，当根据模塑部件100及装置120的尺寸导出间隙宽度G1时，伴随模塑部件100的高度及装置120的厚度的容差将也纳入考虑，而此会使得更不精确。
在一些实施例中，采用光学测量的方法400不考虑与模塑部件100及装置120的尺寸有关的容差；而是，方法400计算焦平面的两个水平高度之间的差。因此，可以更大精度获得间隙宽度G1。另一方面，对于其中间隙需要精确大小控制的封装结构，方法400有利于改善封装结构内部的装置的性能及可靠性。
在一些实施例中，方法400也可经执行以获得图9中的封装结构P20的多个间隙宽度G2、G3及G4。图20C是根据本揭露的一些实施例的展示应用于封装结构P20的方法400的示意性横截面图。根据图19中的操作S401，提供图9中所描述的封装结构P20。根据图19中的操作S403，照射封装结构P20内部的装置120的顶部表面S1，以获得第一焦平面F1。根据图19中的操作S405，分别照射靠近装置120的每一开口110的每一下部端E2，以获得第二焦平面F3、F4及F5。根据图19中的操作S407，可通过计算第一焦平面F1及第二焦平面F3的水平高度之间的差、第一焦平面F1及第二焦平面F4的水平高度之间的差以及第一焦平面F1及第二焦平面F5的水平高度之间的差来分别导出间隙宽度G2、G3及G4。
图21是根据本揭露的一些实施例的展示用于测量封装结构内的间隙宽度的方法500的流程图。在一些实施例中，方法500是电测量。在一些实施例中，可对使用图15中的方法200形成的图11中的封装结构P30或使用图17中的方法300形成的图12中的封装结构P40执行方法500。
在一些实施例中，方法500以根据图21的操作S501提供图11中的封装结构P30或图12中的封装结构P40开始。在一些实施例中，两个电极对180及190的厚度是已知的。
根据图21中的操作S503，通过第一电极对180来测量装置120与封装结构P30或P40之间的电容。在一些实施例中，在第一电极180A与第二电极180B之间执行电容测量。
根据图21中的操作S505，基于电容测量而导出间隙宽度G1。在一些实施例中，所获得电容可用以导出装置120的顶部表面S1与封盖104的内部表面之间的距离d(未展示)。在一些实施例中，距离d的导出包含导出第一电极180A与第二电极180B之间的间隔。在一些实施例中，导出是根据用于平行板电容器的电容的方程式：
C＝ε0×A/d，其中
C是电容，以法拉(F)为单位；
ε0是电气常数，即，8.854×10-12F/m；且
A是第一电极对180中的每一者的面积，以平方米(m2)为单位。
因此，可通过对第一电极对180的厚度及距离d进行求和来导出间隙宽度G1。在一些实施例中，可将基于电容测量而获得的间隙宽度G1与基于光学测量而获得的间隙宽度G1进行比较，以验证电容测量的精度。在一些实施例中，这些结果可彼此相关。
在一些实施例中，出于精度考虑目的，第二电极对190可用于测量装置120与封装结构P30或P40之间的电阻。在一些实施例中，在第三电极190A与第四电极190B之间执行电阻测量。在一些实施例中，当建立第三电极190A与第四电极190B之间的接触时，电阻将是有限值(即，并非极高的)，此展示电路并非是断开的。在一些实施例中，所获得电阻指示是否适当定位模塑部件100及装置120。第一电极180A与第二电极180B的对准对电容测量至关重要。在一些实施例中，所获得电阻可指示第三电极190A与第四电极190B是否适当对准，所获得电阻进一步指示第一电极180A与第二电极180B是否适当对准。在一些实施例中，电测量可采用一个电极对或两个电极对来实现间隙宽度导出。
在一些实施例中，通过电测量获得的间隙宽度可与通过光学测量获得的间隙宽度相关。在一些实施例中，在于光学测量与电测量之间形成相关性且其结果彼此匹配之后，需要仅在模塑部件内部用于电容及/或电阻测量的电极对且可省略光学测量。在一些实施例中，不包含任何开口的封装结构(例如图13中的P50及图14中的P60)也可用以获得间隙宽度，因此提供用于制作封装结构的工艺足够稳定。
本揭露是针对使得能够使用光学测量及/或电测量来获得封装结构内的精确间隙宽度的测量方法。
对于光学测量，封装结构在包封装置的模塑部件的封盖中包含至少一个开口。可通过开口来暴露装置的一部分。光源用以发射穿过所述开口以照射所述装置之第一辐射且获得第一焦平面。在一些实施例中，光源发射穿过开口以照射封盖的开口的下部端处的第二辐射且获得第二焦平面。可基于第一焦平面的水平高度与第二焦平面的水平高度之间的差而导出间隙宽度。开口朝向装置渐缩，使得辐射可避免被封盖的部分阻挡。在一些实施例中，在光学测量之后，开口可填充有密封部件以防止封装结构中的装置受颗粒及湿气污染。封盖部件可被放置在填充有密封部件的开口上以提供对装置的进一步保护。
对于电测量，封装结构包含至少一对电极。电极中的一者被附接到装置，且另一电极被附接到面向装置的封盖的内部表面。所述对电极可用以测量模塑部件与装置之间的电容。所获得电容可用以根据用于平行板电容器的电容的方程式而导出所述对电极之间的间隔。由于电极的厚度是已知的，因此可通过对所述对电极的厚度与间隔进行求和来导出间隙宽度。在一些实施例中，额外对电极可用于电阻测量。类似于用于电容测量的电极，电极中的一者被附接到装置，且另一电极被附接到封盖的内部表面。然而，由于电阻测量需要两个电极彼此进行接触，因此在装置上或在封盖的内部表面上放置突出部件，以支撑电极中的一者来确保两个电极之间的适当接触。电阻测量可确保是否适当定位模塑部件及装置或者用于电容测量的所述对电极是否适当对准，使得可精确地导出间隔。
根据由本揭露提供的光学测量及电测量，不必考虑与模塑部件及装置的尺寸有关的容差。因此，可以大得多的精度测量封装结构内部的间隙宽度。而且，分别通过光学测量且通过电测量来获得的间隙宽度可彼此相关。因此，在无需用于光学测量的开口的情况下，仅在模塑部件内部包含电极对的封装结构可用于测量电容及/或电阻。
本揭露的一个方面提供一种测量方法。所述测量方法包含：提供基底、放置在所述基底上的装置以及放置在所述基底及所述装置之上的封盖，其中所述封盖包含放置在所述装置上方且朝向所述装置渐缩的开口，且所述开口包含靠近所述装置的下部端；通过所述开口照射所述装置的顶部表面，以获得与所述装置的所述顶部表面相关联的第一焦平面；照射所述封盖的所述开口的所述下部端处，以在所述开口的所述下部端处获得与所述封盖相关联的第二焦平面；及基于所述第一焦平面的水平高度与所述第二焦平面的水平高度之间的差而导出所述装置的所述顶部表面与面向所述装置的所述顶部表面的所述封盖的内部表面之间的距离。
在一些实施例中，所述装置的所述顶部表面及所述封盖的所述开口的所述下部端处是通过X射线、红外线(IR)、紫外线(UV)或可见光照射的。
在一些实施例中，所述照射包含调整所述装置的所述顶部表面上或所述封盖上所述开口的所述下部端处的焦点。
在一些实施例中，所述第一焦平面与所述装置的所述顶部表面基本上共面，且所述第二焦平面与面向所述装置的所述顶部表面的所述封盖的所述内部表面基本上共面。
在一些实施例中，所述第一焦平面基本上平行于所述第二焦平面。
在一些实施例中，所述测量方法进一步包含在所述距离的所述导出之后密封所述开口。
在一些实施例中，所述开口是通过移除所述封盖的一部分来形成的。
在一些实施例中，所述开口是在将所述封盖放置在所述基底及所述装置之上之前形成的。
本揭露的另一方面提供另一种测量方法。所述测量方法包含：将装置包封在封装结构中，所述封装结构包括：基底；封盖，其覆盖所述基底及所述装置；侧壁，其连接所述基底与所述封盖；第一电极对，其放置在所述装置的顶部表面与面向所述顶部表面的所述封盖的内部表面之间；通过所述第一电极对测量所述装置与所述封装结构之间的电容；及基于所述电容的所述测量而导出所述顶部表面与所述内部表面之间的距离。
在一些实施例中，所述第一电极对包括：第一电极，其放置在所述装置的所述顶部表面上；及第二电极，其放置在所述封盖的所述内部表面上，且所述第一电极与所述第二电极对准。
在一些实施例中，所述距离的所述导出包含导出所述第一电极与所述第二电极之间的间隔。
在一些实施例中，所述测量方法进一步包含：通过第二电极对测量所述装置与所述封装结构之间的电阻，所述第二电极对被放置在所述顶部表面与所述内部表面之间且包括：第三电极，其放置在所述装置的所述顶部表面上；及第四电极，其放置在所述封盖的所述内部表面上。
在一些实施例中，所述第三电极与所述第四电极对准。
在一些实施例中，所述测量方法进一步包含：在所述装置的所述顶部表面上形成突出部件；及将所述第三电极放置在所述突出部件上。
在一些实施例中，所述测量方法进一步包含：在所述封盖的所述内部表面上形成突出部件；及将所述第四电极放置在所述突出部件上。
本揭露的另一方面提供一种封装结构。所述封装结构包含：基底；装置，其放置在所述基底上；封盖，其放置在所述基底及所述装置之上，其中所述封盖包含放置在所述装置上方且朝向所述装置渐缩的开口。
在一些实施例中，所述装置的顶部表面与面向所述装置的所述顶部表面的所述封盖的内部表面之间的距离介于约5um与约500um之间。
在一些实施例中，所述开口具有第一宽度及第二宽度，所述第二宽度位于所述第一宽度上方且基本上大于所述第一宽度。
在一些实施例中，所述第一宽度与所述第二宽度之间的差介于约5um与约100um之间。
在一些实施例中，所述封装结构进一步包含填充或覆盖所述开口的密封部件。
前述内容概述数个实施例的特征，使得所属领域的技术人员可较佳地理解本揭露的各方面。所属领域的技术人员应了解，其可容易地使用本揭露作为设计或修改用于实施与本文中所介绍的实施例相同的目的及/或实现与所述实施例相同的优点的其它操作及结构的基础。所属领域的技术人员还应认识到，这些等效构造并不脱离本揭露的精神及范畴，且其可在不脱离本揭露的精神及范畴的情况下在本文中做出各种改变、替换及更改。
而且，本申请案的范畴并不打算限于本说明书中所描述的工艺、机器、制造、物质组成、方式、方法及步骤的特定实施例。如所属领域的技术人员依据本揭露的揭示内容将易于了解，可根据本揭露利用当前存在或稍后将研发的执行与本文所描述的对应实施例基本上相同的功能或实现基本上相同的结果的工艺、机器、制造、物质组成、方式、方法或步骤。因此，所附权利要求书打算在其范畴内包含这些工艺、机器、制造、物质组成、方式、方法及步骤。
【符号说明】
100:模塑部件
102:基底
104:封盖
104A:封盖
104P:突出部件
106:侧壁
108:底部固持器
110:开口
110A:孔
120:装置
120A:装置
120P:突出部件
130:间隙
140:光源
150:密封部件
160:封盖部件
170:外壳部件
180:第一电极对/电极对
180A:第一电极
180B:第二电极
190:第二电极对/电极对
190A:第三电极
190B:第四电极
192:经图案化光致抗蚀剂
194A:金属层
194B:金属层
196:经图案化光致抗蚀剂
198:经图案化光致抗蚀剂
200:方法
300:方法
400:方法
500:方法
B1:底部表面
D1:高度
D2:厚度
E1:上部端
E2:下部端
F1:第一焦平面
F2:第二焦平面
F3:第二焦平面
F4:第二焦平面
F5:第二焦平面
G1:间隙宽度
G2:间隙宽度
G3:间隙宽度
G4:间隙宽度
hv1:第一辐射
hv2:第二辐射
P10:封装结构
P20:封装结构
P30:封装结构
P40:封装结构
P50:封装结构
P60:封装结构
S1:顶部表面
S2:外部表面
S3:内部表面
S201:操作
S203:操作
S205:操作
S207:操作
S209:操作
S211:操作
S213:操作
S215:操作
S217:操作
S219:操作
S221:操作
S301:操作
S303:操作
S305:操作
S307:操作
S309:操作
S311:操作
S313:操作
S315:操作
S317:操作
S401:操作
S403:操作
S405:操作
S407:操作
S501:操作
S503:操作
S505:操作
W1:第一宽度
W2:第二宽度。

Claims (10)

1.一种测量方法，其包括：
提供基底、放置在所述基底上的装置以及放置在所述基底及所述装置之上的封盖，其中所述封盖包含放置在所述装置上方且朝向所述装置渐缩的开口，且所述开口包含靠近所述装置的下部端；
通过所述开口照射所述装置的顶部表面，以获得与所述装置的所述顶部表面相关联的第一焦平面；
照射所述封盖的所述开口的所述下部端处，以在所述开口的所述下部端处获得与所述封盖相关联的第二焦平面；及
基于所述第一焦平面的水平高度与所述第二焦平面的水平高度之间的差而导出所述装置的所述顶部表面与面向所述装置的所述顶部表面的所述封盖的内部表面之间的距离。
2.根据权利要求1所述的测量方法，其中所述照射包含调整所述装置的所述顶部表面上或所述封盖的所述开口的所述下部端处的焦点。
3.根据权利要求1所述的测量方法，其中所述第一焦平面与所述装置的所述顶部表面基本上共面，且所述第二焦平面与面向所述装置的所述顶部表面的所述封盖的所述内部表面基本上共面。
4.根据权利要求1所述的测量方法，其中所述开口是在将所述封盖放置在所述基底及所述装置之上之前形成的。
5.一种测量方法，其包括：
将装置包封在封装结构内，所述封装结构包括：基底；封盖，其覆盖所述基底及所述装置；侧壁，其连接所述基底与所述封盖；第一电极对，其放置在所述装置的顶部表面与面向所述顶部表面的所述封盖的内部表面之间；
通过所述第一电极对测量所述装置与所述封装结构之间的电容；及
基于所述电容的所述测量而导出所述顶部表面与所述内部表面之间的距离。
6.根据权利要求5所述的测量方法，其中所述第一电极对包括：第一电极，其放置在所述装置的所述顶部表面上；及第二电极，其放置在所述封盖的所述内部表面上，且所述第一电极与所述第二电极对准。
7.根据权利要求6所述的测量方法，其中所述距离的所述导出包含导出所述第一电极与所述第二电极之间的间隔。
8.根据权利要求5所述的测量方法，其进一步包括：通过第二电极对测量所述装置与所述封装结构之间的电阻，所述第二电极对放置在所述顶部表面与所述内部表面之间且包括：第三电极，其放置在所述装置的所述顶部表面上；及第四电极，其放置在所述封盖的所述内部表面上。
9.一种封装结构，其包括：
基底；
装置，其放置在所述基底上；及
封盖，其放置在所述基底及所述装置之上，
其中所述封盖包含放置在所述装置上方且朝向所述装置渐缩的开口。
10.根据权利要求9所述的封装结构，其中所述开口具有第一宽度及第二宽度，所述第二宽度位于所述第一宽度上方且基本上大于所述第一宽度。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2325018A1 (fr) * 1975-06-23 1977-04-15 Ibm Dispositif de mesure d'intervalle pour definir la distance entre deux faces ou plus
US4165178A (en) * 1978-06-29 1979-08-21 International Business Machines Corporation Gap measurement tool
US6531335B1 (en) * 2000-04-28 2003-03-11 Micron Technology, Inc. Interposers including upwardly protruding dams, semiconductor device assemblies including the interposers, and methods
JP2003124279A (ja) * 2001-10-16 2003-04-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置のトレンチ深さ測定方法
JP2004129222A (ja) 2002-07-31 2004-04-22 Murata Mfg Co Ltd 圧電部品およびその製造方法
KR100945448B1 (ko) * 2008-05-06 2010-03-05 삼성전기주식회사 웨이퍼 레벨 카메라 모듈의 디포커스 보정방법
JPWO2011132603A1 (ja) 2010-04-20 2013-07-18 旭硝子株式会社 半導体デバイス貫通電極形成用のガラス基板
KR101186464B1 (ko) * 2011-04-13 2012-09-27 에스엔유 프리시젼 주식회사 Ｔｓｖ 측정용 간섭계 및 이를 이용한 측정방법
TWI467125B (zh) * 2012-09-24 2015-01-01 Ind Tech Res Inst 量測系統與量測方法
TWI600876B (zh) * 2015-11-23 2017-10-01 財團法人工業技術研究院 量測系統
US10157457B2 (en) * 2016-08-10 2018-12-18 Kla-Tencor Corporation Optical measurement of opening dimensions in a wafer
TWI641806B (zh) * 2017-11-29 2018-11-21 勝麗國際股份有限公司 感測器封裝結構的檢測方法、與檢測設備及其對焦式擷取器
US10498948B1 (en) * 2018-06-05 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for absolute and relative depth measurements using camera focus distance
TWI672764B (zh) * 2018-11-07 2019-09-21 國立成功大學 晶片封裝裝置及其對位壓合方法
CN111430334A (zh) 2020-04-28 2020-07-17 罕王微电子（辽宁）有限公司 一种mems 5g通讯射频天线及制作工艺

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