CN114126244B - 一种基于激光直写曝光的pcb生产方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种基于激光直写曝光的PCB生产方法，步骤为：S1.真空压合；S2.水平沉铜；S3.VCP电镀；S4.自贴干膜；S5.激光直写曝光；S6.干膜显影；S7.酸性蚀刻；S8.阻焊印刷。本发明将VCP电镀与激光直写曝光相结合的方式进行PCB板的生产，通过脉冲电流VCP电镀，镀铜深度能力达到100％，镀层孔铜与面铜厚度为1:1，显著提高产品品质，通过激光直写曝光不需要制作线路菲林、不存在线路底片涨缩导致的线路曝偏问题、不会出现能量不足导致的曝光不足或曝光过度问题，曝光速度快，效率高，VCP电镀显著改善PCB板最终产品品质，有利于降低生产成本，提高经济效益，具有市场应用前景和市场推广价值。

Description

一种基于激光直写曝光的PCB生产方法
技术领域
本发明涉及PCB板生产制备技术领域，具体涉及一种基于激光直写曝光的PCB生产方法。
背景技术
印制电路板(PCB)又称印刷电路板、印刷线路板，简称印制板，通常以绝缘板为基材，其上至少附有一个导电图形，并布有如元件孔、紧固孔、金属化孔等孔结构，其用来替代传统电子元器件的底盘，并实现电子元器件的相互连接。随着智能电子产品的迅猛发展和普及，且不断向轻薄化及高密化方向发展，对PCB的产量和质量要求也越来越高，PCB布线越来越密集，从而使得对PCB板的外观要求不断提高，由于印制电路板在生产过程中，受生产方法、电路板运输环境等因素影响，可能会出现印制线断裂、开路损坏异常等问题，导致PCB无法正常工作，因此在印制电路板生产过程中尤其是阻焊显影工序后，需对PCB板外观进行检查，如有异常则及时返修，以提高产品质量，降低不良率。
目前，广泛应用的PCB(Printed circuit board，印刷电路板)板材是覆铜/环氧玻璃布基材或酚醛树脂玻璃布基材，另外，还有少量使用的纸基覆铜板材。
这些基材虽然具有优良的电气性能和加工性能，但散热性相对较差，因此，PCB板上高发热的元器件的散热途径，一般情况下，很难由PCB板本身树脂来传导热量，而是主要从元器件的表面向周围空气中散热。
但随着电子产品已进入到部件小型化、高密度安装、高发热化组装时代，若只靠表面积十分小的元器件表面来散热是非常不够的，散热效果差，特别是QFP、BGA等表面安装元器件的大量使用，元器件产生的热量也会大量地传给PCB板，而在长时间的高温环境下工作，容易导致PCB板使用寿命减损，给设备带来损失。
现有的PCB板主要是通过焊接将散热块安装在PCB板上或是增加按PCB板上发热器件的位置和高低而定制的专用散热器或是在一个大的平板散热器上抠出不同的元件高低位置。将散热罩整体扣在元件面上，与每个元件接触而散热。这种技术手段成本高，而且散热效果较差。
发明内容
本发明为了解决上述的技术问题，提供一种基于激光直写曝光的PCB生产方法，将VCP电镀与激光直写曝光相结合的方式进行PCB板的生产，通过脉冲电流VCP电镀，镀铜深度能力达到100％，镀层孔铜与面铜厚度为1:1，显著提高产品品质，通过激光直写曝光不需要制作线路菲林、不存在线路底片涨缩导致的线路曝偏问题、不会出现能量不足导致的曝光不足或曝光过度问题，同时曝光速度快，效率高。
为实现上述技术目的，本发明的技术方案是这样实现的：
一种基于激光直写曝光的PCB生产方法，具体包括有以下步骤：
S1.真空压合：将PCB板的各层按照顺序进行堆叠，将堆叠后的板层置于真空压合机下进行真空压合，控制真空压合温度≤20℃，真空度为-0.1MPa，对堆叠板层反复压合至板厚不再变化，并对压合板进行开料、圆角、刨边和钻孔处理；
S2.水平沉铜：将压合后的覆铜板的开孔除毛刺，并浸泡在去油液中清除油污，去油时保证去油液回流循环浓度均一，清洗后再在钻孔处基材上用粗化液开设微型凹坑，将覆铜板水平置于沉铜槽中，通过胶体钯化学钻孔预镀铜和二次电化学水平镀铜，在钻孔处绝缘基材表面沉积上铜，实现层间电性连接；
S3.VCP电镀：将进行水平沉铜之后的覆铜板置于VCP电镀槽中，加入专用镀铜光亮剂、镀铜承载剂和铜溶液的混合电镀铜溶液，用脉冲波形电流进行VCP电镀，通过控制正反电流比例和正反电流时间以及控制VCP电镀温度和电镀液回流比，对覆铜板表面和层孔进行电镀铜；
S4.自贴干膜：将VCP电镀后的覆铜板进行平整化，将裁剪后大小合适的干膜自动覆盖在覆铜板的两面，并用压膜器对干膜进行挤压，通过抽真空将干膜中残留气泡排除，使得干膜与覆铜板无缝贴合，将干膜与覆铜板进行二次挤压，使干膜牢固贴合；
S5.激光直写曝光：将贴干膜后的覆铜板至于激光直写曝光机下，采用定位用的专用摄像机与照相机与实物覆铜板上的定位孔进行精准自动对位控制，启动激光光源进行多光源扫描式累积直写曝光；
S6.干膜显影：将激光直写曝光后的覆铜板置于添加有显影液的显影机中进行干膜显影，显影时显影液回流循环，控制显影温度不超过30℃，在低压低氧下进行显影，避免显影液产生气泡；
S7.酸性蚀刻：将干膜显影后的覆铜板置于添加有蚀刻液的蚀刻机中进行蚀刻，蚀刻时蚀刻液回流循环，控制蚀刻温度不超过30℃，在低压低氧下进行蚀刻，避免蚀刻液产生气泡，蚀刻之后放掉蚀刻液，清洗烘干后焊接元件并进行AIO中检，整个AIO中检过程保持惰性气体环境或抽真空处理；
S8.阻焊印刷：将配置好的阻焊油墨采用丝网印刷的方式在覆铜板的表面涂覆一层阻焊，对阻焊进行激光直写曝光和显影后进行二次丝网印刷和二次曝光与显影，文字印刷烤板、表面处理、逻边成型、电测和检验后即可。
作为优选的，生产方法步骤2中电化学镀铜的镀铜液为：硫酸铜20-50g/L、硫酸5-10g/L、聚二硫二丙烷磺酸钠2-5g/L、酒石酸钠10-15g/L、甲醛3-8g/L、柠檬酸钠5-10g/L、人造血浆15-25g/L、溴化铵5-10g/L和去离子水的混合液。
作为优选的，生产方法步骤3中VCP电镀的铜溶液为：硫酸铜30-45g/L、磷酸二氢钾10-20g/L、磷酸氢二钾10-15g/L、人造血浆15-25g/L、溴化铵5-10g/L和去离子水的混合液。
作为优选的，生产方法步骤3中VCP电镀的专用镀铜光亮剂为：硫酸铜2.5-4.5g/L、硫酸锌50-90g/L、硫酸50-100g/L、糖精1.5-2.5g/L、柠檬酸2-5g/L、双胺兰0.005-0.015g/L、十二烷基磺酸钠2-4g/L、十二烷基硫酸钠2-5g/L和去离子水的混合液。
作为优选的，生产方法步骤3中VCP电镀的正反电流比例为1:1、正反电流时间1:1、控制VCP电镀温度≤20℃、电镀液回流比为1:3。
作为优选的，生产方法步骤5中激光直写曝光的曝光速度10-20s，多光源扫描式累积直写曝光的次数≥3次。
作为优选的，生产方法步骤4中干膜显影的显影液为：氢氧化钠10-15g/L、二甘醇胺5-12g/L、磷酸氢二钾5-9g/L、磷酸二氢钾5-7g/L、柠檬酸2-5g/L、十二烷基苯磺酸钠3-6g/L、月桂基硫酸钠2-4g/L和去离子水的混合液。
作为优选的，生产方法步骤7中酸性蚀刻的蚀刻液为：过硫酸铵20-40g/L、硫酸铜15-30g/L、硫酸10-15g/L、磷酸氢二钾10-15g/L、磷酸二氢钾15-25g/L、十二烷基苯磺酸钠5-10g/L、月桂基硫酸钠5-8g/L、多元醇4-9g/L、焦磷酸钠15-20g/L、1,5五亚甲基四唑5-15g/L和去离子水的混合液。
作为优选的，生产方法步骤8中阻焊印刷的阻焊油墨为：β-丙烯酸羟乙酯改性三聚氰胺甲醛树脂40-70g/L、端基为羧基的线性聚酯30-60g/L、超支化树脂20-40g/L、活性稀释剂10-15g/L、光引发剂15-20g/L、颜料8-15g/L、FeTiO3 MgTiO3 10-20g/L、溶剂20-50g/L、增韧剂5-8g/L、固化剂4-7g/L和分散剂3-6g/L。
本发明的有益效果：本发明基于激光直写曝光的PCB生产方法将VCP电镀与激光直写曝光相结合的方式进行PCB板的生产，通过脉冲电流VCP电镀，镀铜深度能力达到100％，镀层孔铜与面铜厚度为1:1，显著提高产品品质，通过激光直写曝光不需要制作线路菲林、不存在线路底片涨缩导致的线路曝偏问题、不会出现能量不足导致的曝光不足或曝光过度问题，同时曝光速度快，效率高，通过二次电镀显著改善PCB板最终产品品质，本发明设计科学合理，采用最先进的方式进行生产，提高产品品质的同时，有利于降低生产成本，提高经济效益，具有良好的市场应用前景和市场推广价值。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种基于激光直写曝光的PCB生产方法，具体包括有以下步骤：
S1.真空压合：将PCB板的各层按照顺序进行堆叠，将堆叠后的板层置于真空压合机下进行真空压合，控制真空压合温度≤20℃，真空度为-0.1MPa，对堆叠板层反复压合至板厚不再变化，并对压合板进行开料、圆角、刨边和钻孔处理；
S2.水平沉铜：将压合后的覆铜板的开孔除毛刺，并浸泡在去油液中清除油污，去油时保证去油液回流循环浓度均一，清洗后再在钻孔处基材上用粗化液开设微型凹坑，将覆铜板水平置于沉铜槽中，通过胶体钯化学钻孔预镀铜和二次电化学水平镀铜，在钻孔处绝缘基材表面沉积上铜，实现层间电性连接；
S3.VCP电镀：将进行水平沉铜之后的覆铜板置于VCP电镀槽中，加入专用镀铜光亮剂、镀铜承载剂和铜溶液的混合电镀铜溶液，用脉冲波形电流进行VCP电镀，通过控制正反电流比例和正反电流时间以及控制VCP电镀温度和电镀液回流比，对覆铜板表面和层孔进行电镀铜；
S4.自贴干膜：将VCP电镀后的覆铜板进行平整化，将裁剪后大小合适的干膜自动覆盖在覆铜板的两面，并用压膜器对干膜进行挤压，通过抽真空将干膜中残留气泡排除，使得干膜与覆铜板无缝贴合，将干膜与覆铜板进行二次挤压，使干膜牢固贴合；
S5.激光直写曝光：将贴干膜后的覆铜板至于激光直写曝光机下，采用定位用的专用摄像机与照相机与实物覆铜板上的定位孔进行精准自动对位控制，启动激光光源进行多光源扫描式累积直写曝光；
S6.干膜显影：将激光直写曝光后的覆铜板置于添加有显影液的显影机中进行干膜显影，显影时显影液回流循环，控制显影温度不超过30℃，在低压低氧下进行显影，避免显影液产生气泡；
S7.酸性蚀刻：将干膜显影后的覆铜板置于添加有蚀刻液的蚀刻机中进行蚀刻，蚀刻时蚀刻液回流循环，控制蚀刻温度不超过30℃，在低压低氧下进行蚀刻，避免蚀刻液产生气泡，蚀刻之后放掉蚀刻液，清洗烘干后焊接元件并进行AIO中检，整个AIO中检过程保持惰性气体环境或抽真空处理；
S8.阻焊印刷：将配置好的阻焊油墨采用丝网印刷的方式在覆铜板的表面涂覆一层阻焊，对阻焊进行激光直写曝光和显影后进行二次丝网印刷和二次曝光与显影，文字印刷烤板、表面处理、逻边成型、电测和检验后即可。
其中，电化学镀铜的镀铜液为：硫酸铜50g/L、硫酸10g/L、聚二硫二丙烷磺酸钠5g/L、酒石酸钠15g/L、甲醛8g/L、柠檬酸钠10g/L、人造血浆25g/L、溴化铵10g/L和去离子水的混合液。
其中，VCP电镀的铜溶液为：硫酸铜35g/L、磷酸二氢钾15g/L、磷酸氢二钾10g/L、人造血浆20g/L、溴化铵8g/L和去离子水的混合液。
其中，VCP电镀的专用镀铜光亮剂为：硫酸铜3.5g/L、硫酸锌70g/L、硫酸80g/L、糖精2.0g/L、柠檬酸4g/L、双胺兰0.01g/L、十二烷基磺酸钠3g/L、十二烷基硫酸钠3g/L和去离子水的混合液。
其中，VCP电镀的正反电流比例为1:1、正反电流时间1:1、控制VCP电镀温度为5℃、电镀液回流比为1:3。
其中，激光直写曝光的曝光速度10s，多光源扫描式累积直写曝光的次数为5次。
其中，干膜显影的显影液为：氢氧化钠12g/L、二甘醇胺8g/L、磷酸氢二钾7g/L、磷酸二氢钾6g/L、柠檬酸4g/L、十二烷基苯磺酸钠4g/L、月桂基硫酸钠3g/L和去离子水的混合液。
其中，酸性蚀刻的蚀刻液为：过硫酸铵40g/L、硫酸铜15g/L、硫酸15g/L、磷酸氢二钾10g/L、磷酸二氢钾25g/L、十二烷基苯磺酸钠5g/L、月桂基硫酸钠8g/L、多元醇4g/L、焦磷酸钠20g/L、1,5五亚甲基四唑5g/L和去离子水的混合液。
其中，阻焊印刷的阻焊油墨为：β-丙烯酸羟乙酯改性三聚氰胺甲醛树脂50g/L、端基为羧基的线性聚酯50g/L、超支化树脂30g/L、活性稀释剂11g/L、光引发剂16g/L、颜料9g/L、FeTiO3 MgTiO3 14g/L、溶剂40g/L、增韧剂6g/L、固化剂6g/L和分散剂3g/L。
实施例2
本实施例与实施例1的不同之处在于：
电化学镀铜的镀铜液为：硫酸铜20g/L、硫酸5g/L、聚二硫二丙烷磺酸钠2g/L、酒石酸钠10g/L、甲醛3g/L、柠檬酸钠10g/L、人造血浆25g/L、溴化铵10g/L和去离子水的混合液。
VCP电镀的铜溶液为：硫酸铜45g/L、磷酸二氢钾20g/L、磷酸氢二钾15g/L、人造血浆25g/L、溴化铵10g/L和去离子水的混合液。
VCP电镀的专用镀铜光亮剂为：硫酸铜4.5g/L、硫酸锌50g/L、硫酸50g/L、糖精1.5g/L、柠檬酸5g/L、双胺兰0.015g/L、十二烷基磺酸钠4g/L、十二烷基硫酸钠2g/L和去离子水的混合液。
VCP电镀的正反电流比例为1:1、正反电流时间1:1、控制VCP电镀温度为10℃、电镀液回流比为1:3。
激光直写曝光的曝光速度15s，多光源扫描式累积直写曝光的次数为5次。
干膜显影的显影液为：氢氧化钠15g/L、二甘醇胺5g/L、磷酸氢二钾5g/L、磷酸二氢钾5g/L、柠檬酸5g/L、十二烷基苯磺酸钠6g/L、月桂基硫酸钠2g/L和去离子水的混合液。
酸性蚀刻的蚀刻液为：过硫酸铵20g/L、硫酸铜15g/L、硫酸10g/L、磷酸氢二钾10g/L、磷酸二氢钾15g/L、十二烷基苯磺酸钠5g/L、月桂基硫酸钠5g/L、多元醇4g/L、焦磷酸钠15g/L、1,5五亚甲基四唑5g/L和去离子水的混合液。
阻焊印刷的阻焊油墨为：β-丙烯酸羟乙酯改性三聚氰胺甲醛树脂70g/L、端基为羧基的线性聚酯30g/L、超支化树脂20g/L、活性稀释剂10g/L、光引发剂15g/L、颜料8g/L、FeTiO3 MgTiO3 20g/L、溶剂50g/L、增韧剂5g/L、固化剂4g/L和分散剂3g/L。
实施例3
电化学镀铜的镀铜液为：硫酸铜50g/L、硫酸5g/L、聚二硫二丙烷磺酸钠5g/L、酒石酸钠10g/L、甲醛8g/L、柠檬酸钠5g/L、人造血浆25g/L、溴化铵5g/L和去离子水的混合液。
VCP电镀的铜溶液为：硫酸铜30g/L、磷酸二氢钾20g/L、磷酸氢二钾10g/L、人造血浆25g/L、溴化铵5g/L和去离子水的混合液。
VCP电镀的专用镀铜光亮剂为：硫酸铜4.5g/L、硫酸锌50g/L、硫酸100g/L、糖精1.5g/L、柠檬酸5g/L、双胺兰0.005g/L、十二烷基磺酸钠4g/L、十二烷基硫酸钠2g/L和去离子水的混合液。
VCP电镀的正反电流比例为1:1、正反电流时间1:1、控制VCP电镀温度为15℃、电镀液回流比为1:3。
激光直写曝光的曝光速度20s，多光源扫描式累积直写曝光的次数为4次。
干膜显影的显影液为：氢氧化钠10g/L、二甘醇胺12g/L、磷酸氢二钾5g/L、磷酸二氢钾7g/L、柠檬酸2g/L、十二烷基苯磺酸钠6g/L、月桂基硫酸钠2g/L和去离子水的混合液。
酸性蚀刻的蚀刻液为：过硫酸铵20g/L、硫酸铜30g/L、硫酸10g/L、磷酸氢二钾15g/L、磷酸二氢钾15g/L、十二烷基苯磺酸钠10g/L、月桂基硫酸钠5g/L、多元醇9g/L、焦磷酸钠15g/L、1,5五亚甲基四唑15g/L和去离子水的混合液。
阻焊印刷的阻焊油墨为：β-丙烯酸羟乙酯改性三聚氰胺甲醛树脂70g/L、端基为羧基的线性聚酯30g/L、超支化树脂40g/L、活性稀释剂10g/L、光引发剂20g/L、颜料8g/L、FeTiO3 MgTiO3 20g/L、溶剂20g/L、增韧剂8g/L、固化剂4g/L和分散剂6g/L。
实施例4
电化学镀铜的镀铜液为：硫酸铜50g/L、硫酸5g/L、聚二硫二丙烷磺酸钠5g/L、酒石酸钠10g/L、甲醛8g/L、柠檬酸钠5g/L、人造血浆25g/L、溴化铵5g/L和去离子水的混合液。
VCP电镀的铜溶液为：硫酸铜45g/L、磷酸二氢钾10g/L、磷酸氢二钾15g/L、人造血浆15g/L、溴化铵10g/L和去离子水的混合液。
VCP电镀的专用镀铜光亮剂为：硫酸铜2.5g/L、硫酸锌90g/L、硫酸50g/L、糖精2.5g/L、柠檬酸2g/L、双胺兰0.015g/L、十二烷基磺酸钠2g/L、十二烷基硫酸钠5g/L和去离子水的混合液。
VCP电镀的正反电流比例为1:1、正反电流时间1:1、控制VCP电镀温度为20℃、电镀液回流比为1:3。
激光直写曝光的曝光速度10s，多光源扫描式累积直写曝光的次数为3次。
干膜显影的显影液为：氢氧化钠15g/L、二甘醇胺5g/L、磷酸氢二钾9g/L、磷酸二氢钾5g/L、柠檬酸5g/L、十二烷基苯磺酸钠3g/L、月桂基硫酸钠4g/L和去离子水的混合液。
酸性蚀刻的蚀刻液为：过硫酸铵40g/L、硫酸铜15g/L、硫酸10g/L、磷酸氢二钾10g/L、磷酸二氢钾15g/L、十二烷基苯磺酸钠5g/L、月桂基硫酸钠5g/L、多元醇9g/L、焦磷酸钠20g/L、1,5五亚甲基四唑15g/L和去离子水的混合液。
阻焊印刷的阻焊油墨为：β-丙烯酸羟乙酯改性三聚氰胺甲醛树脂40g/L、端基为羧基的线性聚酯60g/L、超支化树脂20g/L、活性稀释剂15g/L、光引发剂15g/L、颜料15g/L、FeTiO3 MgTiO3 10g/L、溶剂50g/L、增韧剂5g/L、固化剂7g/L和分散剂3g/L。
本发明基于激光直写曝光的PCB生产方法将VCP电镀与激光直写曝光相结合的方式进行PCB板的生产，通过脉冲电流VCP电镀，镀铜深度能力达到100％，镀层孔铜与面铜厚度为1:1，显著提高产品品质，通过激光直写曝光不需要制作线路菲林、不存在线路底片涨缩导致的线路曝偏问题、不会出现能量不足导致的曝光不足或曝光过度问题，同时曝光速度快，效率高，通过二次电镀显著改善PCB板最终产品品质，本发明设计科学合理，采用最先进的方式进行生产，提高产品品质的同时，有利于降低生产成本，提高经济效益，具有良好的市场应用前景和市场推广价值。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种基于激光直写曝光的PCB生产方法，其特征在于，具体包括有以下步骤：
S1.真空压合：将PCB板的各层按照顺序进行堆叠，将堆叠后的板层置于真空压合机下进行真空压合，控制真空压合温度≤20℃，真空度为-0.1MPa，对堆叠板层反复压合至板厚不再变化，并对压合板进行开料、圆角、刨边和钻孔处理；
S2.水平沉铜：将压合后的覆铜板的开孔除毛刺，并浸泡在去油液中清除油污，去油时保证去油液回流循环浓度均一，清洗后再在钻孔处基材上用粗化液开设微型凹坑，将覆铜板水平置于沉铜槽中，通过胶体钯化学钻孔预镀铜和二次电化学水平镀铜，在钻孔处绝缘基材表面沉积上铜，实现层间电性连接；
S3.VCP电镀：将进行水平沉铜之后的覆铜板置于VCP电镀槽中，加入专用镀铜光亮剂、镀铜承载剂和铜溶液的混合电镀铜溶液，用脉冲波形电流进行VCP电镀，通过控制正反电流比例和正反电流时间以及控制VCP电镀温度和电镀液回流比，对覆铜板表面和层孔进行电镀铜；
其中，所述VCP电镀的铜溶液为：硫酸铜30-45g/L、磷酸二氢钾10-20g/L、磷酸氢二钾10-15g/L、人造血浆15-25g/L、溴化铵5-10g/L和去离子水的混合液；VCP电镀的专用镀铜光亮剂为：硫酸铜2.5-4.5g/L、硫酸锌50-90g/L、硫酸50-100g/L、糖精1.5-2.5g/L、柠檬酸2-5g/L、双胺兰0.005-0.015g/L、十二烷基磺酸钠2-4g/L、十二烷基硫酸钠2-5g/L和去离子水的混合液；
其中，所述VCP电镀的正反电流比例为1:1、正反电流时间1:1、控制VCP电镀温度≤20℃、电镀液回流比为1:3；
S4.自贴干膜：将VCP电镀后的覆铜板进行平整化，将裁剪后大小合适的干膜自动覆盖在覆铜板的两面，并用压膜器对干膜进行挤压，通过抽真空将干膜中残留气泡排除，使得干膜与覆铜板无缝贴合，将干膜与覆铜板进行二次挤压，使干膜牢固贴合；
S5.激光直写曝光：将贴干膜后的覆铜板至于激光直写曝光机下，采用定位用的专用摄像机与照相机与实物覆铜板上的定位孔进行精准自动对位控制，启动激光光源进行多光源扫描式累积直写曝光；
S6.干膜显影：将激光直写曝光后的覆铜板置于添加有显影液的显影机中进行干膜显影，显影时显影液回流循环，控制显影温度不超过30℃，在低压低氧下进行显影，避免显影液产生气泡；
S7.酸性蚀刻：将干膜显影后的覆铜板置于添加有蚀刻液的蚀刻机中进行蚀刻，蚀刻时蚀刻液回流循环，控制蚀刻温度不超过30℃，在低压低氧下进行蚀刻，避免蚀刻液产生气泡，蚀刻之后放掉蚀刻液，清洗烘干后焊接元件并进行AIO中检，整个AIO中检过程保持惰性气体环境或抽真空处理；
S8.阻焊印刷：将配置好的阻焊油墨采用丝网印刷的方式在覆铜板的表面涂覆一层阻焊，对阻焊进行激光直写曝光和显影后进行二次丝网印刷和二次曝光与显影，文字印刷烤板、表面处理、逻边成型、电测和检验后即可。
2.根据权利要求1所述的基于激光直写曝光的PCB生产方法，其特征在于，所述生产方法步骤2中电化学镀铜的镀铜液为：硫酸铜20-50g/L、硫酸5-10g/L、聚二硫二丙烷磺酸钠2-5g/L、酒石酸钠10-15g/L、甲醛3-8g/L、柠檬酸钠5-10g/L、人造血浆15-25g/L、溴化铵5-10g/L和去离子水的混合液。
3.根据权利要求1所述的基于激光直写曝光的PCB生产方法，其特征在于，所述生产方法步骤5中激光直写曝光的曝光速度10-20s，多光源扫描式累积直写曝光的次数≥3次。
4.根据权利要求1所述的基于激光直写曝光的PCB生产方法，其特征在于，所述生产方法步骤6中干膜显影的显影液为：氢氧化钠10-15g/L、二甘醇胺5-12g/L、磷酸氢二钾5-9g/L、磷酸二氢钾5-7g/L、柠檬酸2-5g/L、十二烷基苯磺酸钠3-6g/L、月桂基硫酸钠2-4g/L和去离子水的混合液。
5.根据权利要求1所述的基于激光直写曝光的PCB生产方法，其特征在于，所述生产方法步骤7中酸性蚀刻的蚀刻液为：过硫酸铵20-40g/L、硫酸铜15-30g/L、硫酸10-15g/L、磷酸氢二钾10-15g/L、磷酸二氢钾15-25g/L、十二烷基苯磺酸钠5-10g/L、月桂基硫酸钠5-8g/L、多元醇4-9g/L、焦磷酸钠15-20g/L、1,5五亚甲基四唑5-15g/L和去离子水的混合液。
6.根据权利要求1所述的基于激光直写曝光的PCB生产方法，其特征在于，所述生产方法步骤8中阻焊印刷的阻焊油墨为：β-丙烯酸羟乙酯改性三聚氰胺甲醛树脂40-70g/L、端基为羧基的线性聚酯30-60g/L、超支化树脂20-40g/L、活性稀释剂10-15g/L、光引发剂15-20g/L、颜料8-15g/L、FeTiO3 MgTiO3 10-20g/L、溶剂20-50g/L、增韧剂5-8g/L、固化剂4-7g/L和分散剂3-6g/L。
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