CN114121877A - 一种陶瓷封装外壳及其制备方法 - Google Patents
一种陶瓷封装外壳及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114121877A CN114121877A CN202111397320.1A CN202111397320A CN114121877A CN 114121877 A CN114121877 A CN 114121877A CN 202111397320 A CN202111397320 A CN 202111397320A CN 114121877 A CN114121877 A CN 114121877A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ceramic
- pad
- solder resist
- hollow hole
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 121
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 96
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 19
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 9
- 241000283216 Phocidae Species 0.000 claims description 8
- 239000012671 ceramic insulating material Substances 0.000 claims description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
- H01L23/08—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
- H01L21/4807—Ceramic parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Geometry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明提供一种陶瓷封装外壳及其制备方法。该陶瓷封装外壳包括陶瓷主体,以及设于陶瓷主体的封口面的封口面焊盘和设于陶瓷主体的背面的背面焊盘,陶瓷主体的侧面设有一端连接封口面、另一端连接背面的凹槽,凹槽的内壁上设有一端连接封口面焊盘、另一端连接背面焊盘的侧面焊盘,侧面焊盘上设有阻焊层。本发明能够通过在侧面焊盘上设置阻焊层,实现了阻止焊料沿侧面焊盘流散到外壳侧面,避免了设置正面阻焊层,进而避免了因正面阻焊层导致的陶瓷封装外壳尺寸增大和封口区尺寸减小的问题。
Description
技术领域
本发明涉及陶瓷封装技术领域,尤其涉及一种陶瓷封装外壳及其制备方法。
背景技术
随着微波半导体技术的发展,器件的工作频率不断提高,用于封装芯片的陶瓷封装外壳应用频率随之提高。针对高频陶瓷封装外壳,可通过使射频焊盘两侧焊盘接地,并增加侧面焊盘,直连封口面与背面焊盘的方法增强接地效果,增加屏蔽,抑制谐振。但在此结构在封口过程中,焊料会沿侧面焊盘流散到外壳侧面甚至背面,导致封装外观不良及可靠性降低问题;因此需要设置阻焊区。
传统阻焊区位置在陶瓷封装外壳正面封口区外围,但是阻焊的增加会导致陶瓷封装外壳尺寸增大和封口区尺寸减小,影响器件的小型化和封口可靠性。
发明内容
本发明实施例提供了一种陶瓷封装外壳,以解决阻焊的增加导致陶瓷封装外壳尺寸增大和封口区尺寸减小的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种陶瓷封装外壳,包括陶瓷主体,以及设于陶瓷主体的封口面的封口面焊盘和设于陶瓷主体的背面的背面焊盘,所述陶瓷主体的侧面设有一端连接封口面、另一端连接背面的凹槽,所述凹槽的内壁上设有一端连接封口面焊盘、另一端连接背面焊盘的侧面焊盘,所述侧面焊盘上设有阻焊层。
在一种可能的实现方式中,所述阻焊层为陶瓷绝缘材料制成。
在一种可能的实现方式中,所述阻焊层设置在侧面焊盘封口面焊盘的一端。
在一种可能的实现方式中,所述陶瓷主体为多层片状陶瓷,相应的,所述阻焊层设于多层片状陶瓷的封口面一层对应的侧面焊盘上。
第二方面,本发明实施例提供了一种陶瓷封装外壳的制备方法,所述制备方法包括:
在片状陶瓷生坯上冲孔,获得贯通陶瓷生坯的空心孔;
在陶瓷生坯的封口面进行金属化,获得封口面焊盘;
在陶瓷生坯的背面进行金属化,获得背面焊盘;
在所述空心孔的内壁进行金属化,形成一端连接封口面焊盘、另一端连接背面焊盘的侧面焊盘;
在所述侧面焊盘上涂覆阻焊浆料,获得阻焊层;
通过切割和烧结获得陶瓷封装外壳,切割后空心孔一分为二,分别成为两个陶瓷封装外壳的侧面凹槽。
在一种可能的实现方式中,所述在所述侧面焊盘上涂覆阻焊浆料,获得阻焊层包括:
将阻焊浆料填充空心孔;
去除空心孔内多余的阻焊浆料,形成附着在空心孔内壁的阻焊浆料层;
烘干所述阻焊浆料层,获得阻焊层。
在一种可能的实现方式中,所述阻焊层为陶瓷绝缘材料制成。
在一种可能的实现方式中,在将阻焊浆料填充空心孔之前,还包括:在陶瓷生坯表面空心孔之外区域设置阻挡层,所述阻挡层用于阻挡空心孔之外的区域与阻焊浆料接触。
在一种可能的实现方式中,所述陶瓷封装外壳的主体为多层片状陶瓷,所述阻焊层设于多层片状陶瓷的封口面一层对应的侧面焊盘上。
在一种可能的实现方式中,在将阻焊浆料填充空心孔之前,还包括:将陶瓷生坯通过有机溶剂稀释,制成阻焊浆料。
本发明实施例提供一种陶瓷封装外壳,包括陶瓷主体,以及设于陶瓷主体的封口面的封口面焊盘和设于陶瓷主体的背面的背面焊盘,所述陶瓷主体的侧面设有一端连接封口面、另一端连接背面的凹槽,所述凹槽的内壁上设有一端连接封口面焊盘、另一端连接背面焊盘的侧面焊盘,所述侧面焊盘上设有阻焊层。通过在侧面焊盘上设置阻焊层,实现了阻止焊料沿侧面焊盘流散到外壳侧面,避免了设置正面阻焊层,进而避免了因正面阻焊层导致的陶瓷封装外壳尺寸增大和封口区尺寸减小的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的陶瓷封装外壳的正面结构示意图;
图2是本发明实施例提供的图1虚线A处纵截面结构示意图
图3是本发明实施例提供的陶瓷封装外壳制备方法的实现流程图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本方案,下面将结合本方案实施例中的附图,对本方案实施例中的技术方案进行清楚地描述,显然,所描述的实施例是本方案一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本方案中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本方案保护的范围。
本方案的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”以及其他任何变形,是指“包括但不限于”,意图在于覆盖不排他的包含,并不仅限于文中列举的示例。此外,术语“第一”和“第二”等是用于区别不同对象,而非用于描述特定顺序。
以下结合具体附图对本发明的实现进行详细的描述:
图1为本发明实施例提供的陶瓷封装外壳的截面结构示意图;图2是本发明实施例提供的图1虚线A处纵截面结构示意图。参照图1、图2,该陶瓷封装外壳包括陶瓷主体1,以及设于陶瓷主体1的封口面的封口面焊盘2和设于陶瓷主体1的背面的背面焊盘3,陶瓷主体1的侧面设有一端连接封口面、另一端连接背面的凹槽4,凹槽4的内壁上设有一端连接封口面焊盘2、另一端连接背面焊盘3的侧面焊盘5,侧面焊盘5上设有阻焊层6。
封口面在陶瓷主体1的正面,封口面上设置封口面焊盘2,封口面焊盘2用于封口工艺,以将陶瓷封装外壳与盖板封装成密闭腔体;
背面焊盘3设置在陶瓷主体1的背面,用于陶瓷封装外壳连接外部电路;
凹槽4设于陶瓷主体1的外侧面,一端连接封口面、另一端连接背面;凹槽4贯穿封口面和背面。
示例性的,凹槽4的横截面形状可以为半圆形、矩形或V形。
侧面焊盘5设置于凹槽4的内壁上,一端连接封口面焊盘2、另一端连接背面焊盘3;侧面焊盘5直连封口面焊盘2与背面焊盘3结构为高频外壳常见结构;在封口工艺中,焊料会沿侧面焊盘5流散到外壳侧面甚至背面;
阻焊层6设置在侧面焊盘5上,用于阻止焊料沿侧面焊盘5流散到外壳侧面。
在一个可选的实施例中,阻焊层6为陶瓷绝缘材料制成。
示例性的,陶瓷绝缘材料包括氧化铝、氮化铝、氧化铍、碳化硅或氮化硼。
示例性的,阻焊层6的材料与陶瓷主体1的材料相同;材料相同,便于在后续的烧结工艺中采用相同工艺条件,不需要考虑材料的兼容性。
在一个可选的实施例中,阻焊层6设置在侧面焊盘5封口面焊盘2的一端。
示例性的,阻焊层6可以覆盖整个侧面焊盘5。
在一个可选的实施例中,陶瓷主体1为多层片状陶瓷,相应的,阻焊层6设于多层片状陶瓷的封口面一层对应的侧面焊盘5上。
为实现复杂陶瓷封装结构,陶瓷主体1由多层陶瓷构成,每一层单独制备结构,再层压成型,构成完整的陶瓷主体1;各单层均设有侧面焊盘5;封口面层设于陶瓷主体1的顶部。
示例性的,阻焊层6设于封口面一层对应的侧面焊盘5上,其它各层的侧面焊盘5上不设置阻焊层6;简化工艺步骤,在封口面层制备过程中增加阻焊层6制备工艺,避免各层都要增加设置阻焊层6的工艺步骤。
本发明实施例提供的一种陶瓷封装外壳,通过在侧面焊盘5上设置阻焊层6,实现了阻止焊料沿侧面焊盘5流散到外壳侧面,避免了设置正面阻焊层,进而避免了因正面阻焊层导致的陶瓷封装外壳尺寸增大和封口区尺寸减小的问题。
图3为本发明实施例提供的陶瓷封装外壳制备方法的实现流程图。参照图3,该制备方法包括:
在步骤S1中、在片状陶瓷生坯上冲孔,获得贯通陶瓷生坯的空心孔。
陶瓷生坯由陶瓷粉料和有机溶剂混合,经干燥固化后制成。
示例性的,空心孔的横截面形状可以为圆形、矩形或菱形。
在步骤S2中、在陶瓷生坯的封口面进行金属化,获得封口面焊盘2。
示例性的,在陶瓷生坯的封口面通过丝网印刷、涂覆钨浆料和烘干,获得封口面焊盘2。
在步骤S3中、在陶瓷生坯的背面进行金属化,获得背面焊盘3。
示例性的,在陶瓷生坯的背面通过丝网印刷、涂覆钨浆料和烘干,获得背面焊盘3。
在步骤S4中、在空心孔的内壁进行金属化,形成一端连接封口面焊盘2、另一端连接背面焊盘3的侧面焊盘5。
侧面焊盘5设置于空心孔的内壁上,一端连接封口面焊盘2、另一端连接背面焊盘3;侧面焊盘5直连封口面焊盘2与背面焊盘3结构为高频外壳常见结构。
在步骤S5中、在侧面焊盘5上涂覆阻焊浆料,获得阻焊层6。
在一个可选的实施例中,在侧面焊盘5上涂覆阻焊浆料,获得阻焊层6包括:
将阻焊浆料填充空心孔;
去除空心孔内多余的阻焊浆料,形成附着在空心孔内壁的阻焊浆料层;
烘干阻焊浆料层,获得阻焊层6。
示例性的,通过将阻焊浆料流淌进空心孔,将阻焊浆料填充空心孔。
示例性的,通过真空吸去除空心孔内多余的阻焊浆料。
在一个可选的实施例中,阻焊层6为陶瓷绝缘材料制成。
示例性的,陶瓷绝缘材料包括氧化铝、氮化铝、氧化铍、碳化硅或氮化硼。
示例性的,阻焊层6的材料与陶瓷主体1的材料相同。
在一个可选的实施例中,在将阻焊浆料填充空心孔之前,还包括:在陶瓷生坯表面空心孔之外区域设置阻挡层,阻挡层用于阻挡空心孔之外的区域与阻焊浆料接触。
示例性的,通过丝网印刷工艺制作阻挡层。
在一个可选的实施例中,在将阻焊浆料填充空心孔之前,还包括:将陶瓷生坯通过有机溶剂稀释,制成阻焊浆料。
在一个可选的实施例中,陶瓷封装外壳的主体为多层片状陶瓷,阻焊层6设于多层片状陶瓷的封口面一层对应的侧面焊盘5上。
为实现复杂陶瓷封装结构,陶瓷主体1由多层陶瓷构成,每一层单独制备结构,再层压成型,构成完整的陶瓷主体1;各单层均设有侧面焊盘5;封口面层设于陶瓷主体1的顶部。
示例性的,阻焊层6设于封口面一层对应的侧面焊盘5上,其它各层的侧面焊盘5上不设置阻焊层6;简化工艺步骤,在封口面层制备过程中增加阻焊层6制备工艺,避免各层都要增加设置阻焊层6的工艺步骤。
在步骤S6中、通过切割和烧结获得陶瓷封装外壳,切割后空心孔一分为二,分别成为两个陶瓷封装外壳的侧面凹槽4。
本发明实施例提供的陶瓷封装外壳制备方法,通过批量加工陶瓷生坯,切割后分离成多个陶瓷封装外壳,实现在侧面焊盘5上批量设置阻焊层6,实现了阻止焊料沿侧面焊盘5流散到外壳侧面,避免了设置正面阻焊层,进而避免了因正面阻焊层导致的陶瓷封装外壳尺寸增大和封口区尺寸减小的问题。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种陶瓷封装外壳,包括陶瓷主体,以及设于陶瓷主体的封口面的封口面焊盘和设于陶瓷主体的背面的背面焊盘,其特征在于,所述陶瓷主体的侧面设有一端连接封口面、另一端连接背面的凹槽,所述凹槽的内壁上设有一端连接封口面焊盘、另一端连接背面焊盘的侧面焊盘,所述侧面焊盘上设有阻焊层。
2.如权利要求1所述的陶瓷封装外壳,其特征在于,所述阻焊层为陶瓷绝缘材料制成。
3.如权利要求1所述的陶瓷封装外壳,其特征在于,所述阻焊层设置在侧面焊盘封口面焊盘的一端。
4.如权利要求3所述的陶瓷封装外壳,其特征在于,所述陶瓷主体为多层片状陶瓷,相应的,所述阻焊层设于多层片状陶瓷的封口面一层对应的侧面焊盘上。
5.一种陶瓷封装外壳的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
在片状陶瓷生坯上冲孔,获得贯通陶瓷生坯的空心孔;
在陶瓷生坯的封口面进行金属化,获得封口面焊盘;
在陶瓷生坯的背面进行金属化,获得背面焊盘;
在所述空心孔的内壁进行金属化,形成一端连接封口面焊盘、另一端连接背面焊盘的侧面焊盘;
在所述侧面焊盘上涂覆阻焊浆料,获得阻焊层;
通过切割和烧结获得陶瓷封装外壳,切割后空心孔一分为二,分别成为两个陶瓷封装外壳的侧面凹槽。
6.如权利要求5所述的陶瓷封装外壳的制备方法,其特征在于,所述在所述侧面焊盘上涂覆阻焊浆料,获得阻焊层包括:
将阻焊浆料填充空心孔;
去除空心孔内多余的阻焊浆料,形成附着在空心孔内壁的阻焊浆料层;
烘干所述阻焊浆料层,获得阻焊层。
7.如权利要求6所述的陶瓷封装外壳的制备方法,其特征在于,所述阻焊层为陶瓷绝缘材料制成。
8.如权利要求6所述的陶瓷封装外壳的制备方法,其特征在于,在将阻焊浆料填充空心孔之前,还包括:
在陶瓷生坯表面空心孔之外区域设置阻挡层,所述阻挡层用于阻挡空心孔之外的区域与阻焊浆料接触。
9.如权利要求6所述的陶瓷封装外壳的制备方法,其特征在于,所述陶瓷封装外壳的主体为多层片状陶瓷,所述阻焊层设于多层片状陶瓷的封口面一层对应的侧面焊盘上。
10.如权利要求6所述的陶瓷封装外壳的制备方法,其特征在于,在将阻焊浆料填充空心孔之前,还包括:
将陶瓷生坯通过有机溶剂稀释,制成阻焊浆料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111397320.1A CN114121877A (zh) | 2021-11-23 | 2021-11-23 | 一种陶瓷封装外壳及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111397320.1A CN114121877A (zh) | 2021-11-23 | 2021-11-23 | 一种陶瓷封装外壳及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114121877A true CN114121877A (zh) | 2022-03-01 |
Family
ID=80440561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111397320.1A Pending CN114121877A (zh) | 2021-11-23 | 2021-11-23 | 一种陶瓷封装外壳及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114121877A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116544192A (zh) * | 2023-07-07 | 2023-08-04 | 合肥中航天成电子科技有限公司 | 一种cqfn管壳阻焊结构 |
-
2021
- 2021-11-23 CN CN202111397320.1A patent/CN114121877A/zh active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116544192A (zh) * | 2023-07-07 | 2023-08-04 | 合肥中航天成电子科技有限公司 | 一种cqfn管壳阻焊结构 |
CN116544192B (zh) * | 2023-07-07 | 2023-09-15 | 合肥中航天成电子科技有限公司 | 一种cqfn管壳阻焊结构 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101638634B1 (ko) | 세라믹 캐패시터 제조 방법 | |
US10410960B1 (en) | Parallel seam welding leadless ceramic package | |
EP3493328A1 (en) | Planar array antenna and quasi-millimeter wave/millimeter wave wireless communication module | |
JP7417448B2 (ja) | アンテナ基板およびアンテナモジュール | |
WO2021227374A1 (zh) | 陶瓷封装外壳及封装外壳安装结构 | |
CN114121877A (zh) | 一种陶瓷封装外壳及其制备方法 | |
CN104078458A (zh) | 堆叠式半导体结构及其制造方法 | |
JP3994936B2 (ja) | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 | |
WO2013141339A1 (ja) | 多層配線基板およびその製造方法 | |
KR900008995B1 (ko) | 고주파 반도체 소자용 세라믹 패키지 | |
JP2004247334A (ja) | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法ならびにセラミックグリーンシート積層構造物 | |
CN104269382B (zh) | 基于高温共烧陶瓷技术的x波段高可靠表贴型陶瓷外壳 | |
CN100378967C (zh) | 陶瓷封装及其制造方法 | |
CN112071808B (zh) | 集成天线和射频前端的有机基板埋入封装结构 | |
CN208077958U (zh) | 一种气密性ltcc基板及穿墙微带结构 | |
JP2004288660A (ja) | 配線基板 | |
CN108461881B (zh) | 一种ltcc基板微波信号的传输结构及其制造方法 | |
JP4002527B2 (ja) | 高周波用パッケージ | |
JP3538774B2 (ja) | 配線基板 | |
JP2004214584A (ja) | 高周波用パッケージ | |
JP2004048617A (ja) | 高周波用伝送線路基板 | |
CN116207048A (zh) | 无引线陶瓷外壳及加工方法 | |
JP5004826B2 (ja) | 高周波線路−導波管変換器 | |
JP2006093325A (ja) | 配線基板 | |
JP2005252079A (ja) | 多層セラミック基板、高周波モジュール、及び多層セラミック基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |