CN114121733A - 监测晶圆固定单元位置的方法及晶圆清洗机台 - Google Patents

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CN114121733A
CN114121733A CN202111422197.4A CN202111422197A CN114121733A CN 114121733 A CN114121733 A CN 114121733A CN 202111422197 A CN202111422197 A CN 202111422197A CN 114121733 A CN114121733 A CN 114121733A
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赵若云
施海铭
包中诚
曹玖明
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Abstract

本发明提供一种监测晶圆固定单元位置的方法及晶圆清洗机台，监测晶圆固定单元位置的方法包括：提供一晶圆，承载板上设置有若干晶圆固定单元，晶圆在承载板上具有预设圆心位置及预设偏移容量；获取晶圆静止时的几何圆心位置，比较与预设圆心位置的距离是否大于预设偏移容量；若否并旋转承载板，获取晶圆旋转时的几何圆心的位置，比较与预设圆心位置的距离是否大于预设偏移容量，若否，则晶圆固定单元的位置正常。本发明中，通过先后比较晶圆静止时的几何圆心位置以及晶圆旋转时的几何圆心位置与预设圆心位置的距离是否大于预设偏移容量，可快速准确实现晶圆固定单元的位置是否异常的判断，并防止晶圆从承载板上甩出。

Description

监测晶圆固定单元位置的方法及晶圆清洗机台
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种监测晶圆固定单元位置的方法及晶圆清洗机台。
背景技术
晶圆的制造工艺通常包括光刻、离子注入、刻蚀、热处理、气相沉积等诸多工序。在进行相关工序之后，例如对晶圆进行蚀刻工艺或炉管工艺后，对晶圆进行清洗，以去除晶圆表面上的杂质。据统计，晶圆清洗工艺约占整个晶圆制造工艺的20％～30％。若对晶圆清洗不充分，使得晶圆表面残留杂质，则在下一工序中，就将造成良率损失。
在晶圆清洗过程中，晶圆被固定于承载板上时并可随承载板同步升降或旋转，以提高晶圆的清洗效果及清洗效率。因此，在晶圆的较高速运动(升降或旋转)中，晶圆在承载板上的固定尤为重要，否则将可能导致晶圆甩出而破损。
在实际中，通常利用晶圆固定单元固定晶圆，但由于清洗液具有强腐蚀性以及承载板及晶圆固定单元的运动较为剧烈，因而时有发生晶圆固定单元位置异常，导致晶圆在承载板上固定效果不佳，而使得晶圆甩出的情况。但目前监测晶圆固定单元对晶圆的固定效果并无很好的办法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种监测晶圆固定单元位置的方法及晶圆清洗机台，以便于及时监测晶圆固定单元是否准确固定晶圆。
为解决上述技术问题，本发明提供一种监测晶圆固定单元位置的方法，包括：将晶圆放置于一承载板上，所述承载板上设置有若干晶圆固定单元，所述晶圆固定单元用于与所述晶圆的边缘相接触以固定所述晶圆，所述晶圆相对所述承载板具有预设圆心位置及预设偏移容量；获取所述晶圆静止时的几何圆心位置，比较所述晶圆静止时的几何圆心位置与所述预设圆心位置的距离是否大于所述预设偏移容量；若是，则判定所述晶圆固定单元的位置异常；若否，则判定所述晶圆固定单元的静止状态正常，并旋转所述承载板，获取所述晶圆旋转时的几何圆心位置，比较所述晶圆旋转时的几何圆心位置与所述预设圆心位置的距离是否大于所述预设偏移容量，若是，则判定所述晶圆固定单元的位置异常，若否，则判定所述晶圆固定单元的位置正常。可选的，利用图像获取单元获取所述晶圆的图形，并取所述图形的圆周上至少三点坐标以在一坐标系下计算所述晶圆的第一圆心位置或第二圆心位置。
可选的，至少获取一个所述晶圆静止时的图形，并获取所述晶圆静止时的图形的圆周上至少三点坐标，以获取至少一个所述晶圆静止时的几何圆心位置；至少获取一个所述晶圆旋转时的图形，并获取所述晶圆旋转时的图形的圆周上至少三点坐标，以获取至少一个所述晶圆旋转时的几何圆心位置。
可选的，比较所获取的至少一个所述晶圆静止时的几何圆心位置与所述预设圆心位置的距离的最大值是否大于所述预设偏移容量；比较所获取的至少一个所述晶圆旋转时的几何圆心位置与所述预设圆心位置的距离的最大值是否大于所述预设偏移容量。
可选的，获取所述晶圆静止时的几何圆心位置的步骤包括：作一直线并使其与所述晶圆静止时的图形的圆周相交，获得两个交点的坐标；再作一直线并使其与所述晶圆静止时的图形的圆周相交，再次获得两个交点的坐标；以及，利用所述坐标获取所述晶圆静止时的几何圆心位置；获取所述晶圆旋转时的几何圆心位置的步骤包括：作一直线并使其与所述晶圆旋转时的图形的圆周相交，获得两个交点的坐标；再作一直线并使其与所述晶圆旋转时的图形的圆周相交，再次获得两个交点的坐标；以及，利用所述坐标获取所述晶圆旋转时的几何圆心位置。
可选的，两个所述直线正交。
可选的，两个所述直线截取所述晶圆静止时的图形的圆周的弦为所述晶圆静止时的图形的半径的一倍至两倍之间，两个所述直线截取所述晶圆旋转时的图形的圆周的弦为所述晶圆静止时的图形的半径的一倍至两倍之间。
可选的，旋转所述承载板时的旋转速率为100r/min～600r/min。
基于本发明的另一方面，本发明还提供一种晶圆清洗机台，用于清洗晶圆，包括承载板、晶圆固定单元以及晶圆固定单元监测系统；所述承载板用于承载所述晶圆，并驱动所述晶圆旋转和/或升降，所述晶圆相对所述承载板具有预设圆心位置及预设偏移容量；所述晶圆固定单元设置于所述承载板上，用于与晶圆的边缘相接触以固定所述晶圆；所述晶圆固定单元监测系统用于监测所述晶圆固定单元的位置，所述晶圆固定单元监测系统用于分别获取所述晶圆静止时的几何圆心位置和旋转时的几何圆心位置，比较所述晶圆静止时的几何圆心位置与所述预设圆心位置的距离是否大于所述预设偏移容量，以及比较所述晶圆旋转时的几何圆心位置与所述预设圆心位置的距离是否大于所述预设偏移容量，以判断所述晶圆固定单元的位置是否异常。
可选的，所述晶圆固定单元监测系统包括图像获取单元以及判断单元，所述图像获取单元设于所述承载板的上方用于获取所述晶圆静止时的图形或所述晶圆旋转时的图形，所述判断单元电连接所述图像获取单元用于判断所述晶圆固定单元的位置。
可选的，所述晶圆固定单元监测系统还包括传感单元，所述传感单元设置于所述承载板下方的一侧，并与所述图像获取单元连接，用于当检测到所述承载板下降至设定高度时触发所述图像获取单元获取所述晶圆旋转时的图形。
综上所述，在本发明提供的监测晶圆固定单元位置的方法及晶圆清洗机台具有以下有益效果：通过比较晶圆静止时的几何圆心位置与预设圆心位置的距离是否大于预设偏移容量，从而实现初步判端晶圆以及晶圆固定单元的位置，并防止较为严重的位置偏差在后续步骤的旋转过程中导致晶圆破损，若判定晶圆静止状态正常则进一步比较晶圆旋转时的几何圆心位置与预设圆心位置的距离是否大于预设偏移容量，进而确定晶圆固定单元的位置是否正常，从而达到及时监测晶圆固定单元是否准确固定晶圆的效果。
附图说明
本领域的普通技术人员应当理解，提供的附图用于更好地理解本发明，而不对本发明的范围构成任何限定。其中：
图1是本申请实施例提供的监测晶圆固定单元位置的方法的流程图；
图2a是本申请实施例提供的晶圆放置于承载板的示意图；
图2b是本申请实施例提供的一种晶圆静止时状态的示意图；
图2c是本申请实施例提供的另一种晶圆静止时状态的示意图；
图2d是本申请实施例提供的又一种晶圆静止时状态的示意图
图3a是本申请实施例提供的一种两直线与晶圆静止时的图形相交的示意图；
图3b是本申请实施例提供的另一种两直线与晶圆静止时的图形相交的示意图；
图3c是本申请实施例提供的一直线截取晶圆静止时的图形的弦的示意图；
图4是本申请实施例提供的晶圆旋转时的位置的示意图；
图5是本申请实施例提供的晶圆清洗机台的结构示意图。
附图中：
10-晶圆；11-晶圆静止时的位置；12-晶圆旋转时的位置；20-承载板；30-固定单元；31-转轴；32-接触部；
40-晶圆静止时的图形；L1、L2、L3、L4-直线；
51-图像获取单元；52-光源；53-判断单元；
54-传感单元；54a-传感器；54b-传感拨片；
55-罩体；56-清洗腔。
具体实施方式
为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且未按比例绘制，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。
如在本发明中所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”包括复数对象，术语“或”通常是以包括“和/或”的含义而进行使用的，术语“若干”通常是以包括“至少一个”的含义而进行使用的，术语“至少两个”通常是以包括“两个或两个以上”的含义而进行使用的，此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者至少两个该特征，除非内容另外明确指出外。
本申请实施例提供了一种监测晶圆固定单元位置的方法及晶圆清洗机台，以便于及时监测晶圆固定单元是否准确固定晶圆。
图1是本申请实施例提供的监测晶圆固定单元位置的方法的流程图。
如图1所示，本实施例提供的监测晶圆固定单元位置的方法，包括：
S01：将晶圆放置于一承载板上，所述承载板上设置有若干晶圆固定单元，所述晶圆固定单元用于与所述晶圆的边缘相接触以固定所述晶圆，所述晶圆相对所述承载板具有预设圆心位置及预设偏移容量；
S02：获取所述晶圆静止时的几何圆心位置，比较所述晶圆静止时的几何圆心位置与所述预设圆心位置的距离是否大于所述预设偏移容量；
S03：若是，则判定所述晶圆固定单元的位置异常；
S04：若否，则判定所述晶圆固定单元的静止状态正常，并旋转所述承载板，获取所述晶圆旋转时的几何圆心位置，比较所述晶圆旋转时的几何圆心位置与所述预设圆心位置的距离是否大于所述预设偏移容量，若是，则判定所述晶圆固定单元的位置异常，若否，则判定所述晶圆固定单元的位置正常。
请参照图2a，执行步骤S01，提供一晶圆10，晶圆10设置于一承载板20上，承载板20设置有若干晶圆固定单元30，晶圆固定单元30用于与晶圆10的边缘相接触以固定晶圆10，晶圆相对于承载板20具有预设圆心位置及预设偏移容量。
其中，晶圆10可以为各个类型或规格的晶圆，可以理解的是，在晶圆10的表面上和/或晶圆中设置有若干结构单元，并用于执行相应的工艺制程，例如清洗工艺、涂布(旋涂)工艺等。在本实施例中，晶圆10可例如为直径300mm的硅片，并用于清洗工艺。
承载板20例如为圆形，承载板20的表面上相对于晶圆10的四周设置有至少三个晶圆固定单元30。至少三个晶圆固定单元30环绕晶圆10，且活动设置于承载板20上，并可配置为：当晶圆10放置于承载板20上时，所有晶圆固定单元30可同步移动或转动以靠近晶圆10并与晶圆10的边缘相接触以固定(夹紧)晶圆10，或者所有晶圆固定单元30移动或转动以远离晶圆10以释放晶圆10。
请继续参照图2a，在本实施例中，承载板20上设置有六个呈环形均匀排布的晶圆固定单元30，每个晶圆固定单元30包括与承载板10转动连接的转轴31以及可与晶圆10接触的接触部32，六个晶圆固定单元30同步转动以接触或远离晶圆10用于固定或释放晶圆10。当然，晶圆固定单元30也可与承载板20表面滑动连接，例如沿承载板20的径向滑动以接触或远离晶圆，并且，晶圆固定单元30的数量也可为其他合适的数值。
需要特别说明的是，承载板20上还可设置有其它固定单元以从晶圆10下表面固定该晶圆10，其它固定单元可例如为真空吸附单元。但在实际中，例如本实施例中的承载板20及晶圆固定单元30应用于具有腐蚀气体或液体的清洗工艺，承载板20无法设置真空吸附单元。另外，本实施例中的承载板20还可旋转及升降，以驱动位于其表面上的晶圆10旋转及升降用于执行相应的工艺步骤。
本实施例中，晶圆10相对于承载板20具有预设圆心位置及预设偏移容量，用于监测放置晶圆于承载板20上的位置是否在预设范围内。以直径200mm的晶圆为例，其预设偏移容量可例如为1.5mm，预设圆心位置可为承载板20的中心(圆心)，若以承载板20的左上角为坐标原点建立正交的XY轴坐标系，则预设圆心位置可表示为(x，y)。
接着，执行步骤S02，获取晶圆静止时的几何圆心位置，比较晶圆10静止时的几何圆心位置与预设圆心位置的距离是否大于预设偏移容量，若是，则判定晶圆固定单元的位置异常；若否，则判定晶圆固定单元的静止状态正常。
其中，获取的晶圆静止时的几何圆心位置为经过晶圆固定单元30调整后的位置。在实际中，将晶圆10放置于承载板20上，晶圆固定单元30向晶圆边缘抵靠的作用力还会使晶圆10向预设位置(预设圆心位置)略微靠近，利用晶圆固定单元30对晶圆10在承载板20上的位置微调，以实现较佳的固定效果。应理解，在晶圆固定单元30正常发挥作用时，即晶圆固定单元30的位置正常时，晶圆固定单元30对晶圆10的微调范围大于上述的预设偏移容量。
如图2b所示，在一具体实施例中，由于放置晶圆10的传输手定位较偏，晶圆10在承载板20的位置较偏(未超过晶圆固定单30的微调范围)，但部分晶圆固定单元30异常(位置异常，未正常发挥作用)，进而使得晶圆10静止时的几何圆心位置与预设圆心位置的距离大于预设偏移容量，导致晶圆固定单元的位置异常。
如图2c所示，在另一具体实施例中，放置晶圆10的传输手定位过偏(超过晶圆固定单元30的微调范围)，使得晶圆10一侧放置到晶圆固定单元30的接触部32上，进而使得晶圆10静止时的几何圆心位置与预设圆心位置的距离大于预设偏移容量，导致晶圆固定单元的位置异常。
值得一提的是，在又一具体实施例中，如图2d所示，放置晶圆10的传输手定位正常，使得晶圆10静止时的几何圆心位置与预设圆心位置的距离在预设偏移容量内，但一个或多个晶圆固定单元30发生异常，导致其无法正常旋转或移动以固定(加紧)晶圆10，该晶圆固定单元30的异常情况难以通过晶圆静止时的几何圆心位置加以确定。
在上述晶圆静止状态异常的情况中，由于晶圆10在承载板20上的固定效果极差，承载板20的轻微运动，例如升降、移动或者旋转都极有可能将晶圆10从承载板20上抛出而产生破损。
其中，获取晶圆10静止时的几何圆心位置的方法可例如为：至少获取一个晶圆静止时的图形，并获取晶圆静止时的图形的圆周上至少三点坐标，以获取至少一个晶圆静止时的几何圆心位置。具体的，获取晶圆静止时的几何圆心位置的步骤包括：
作一直线并使其与晶圆静止时的图形的圆周相交，获得两个交点的坐标；
再作一直线并使其与晶圆静止时的图形的圆周相交，再次获得两个交点的坐标；以及，
利用坐标获取晶圆静止时的几何圆心位置。
上述图形及坐标均位于以承载板20的左上角为坐标原点建立的包括预设圆心位置可表示为(x，y)的正交XY轴坐标系中，上述两直线正交，以便于计算。
如图3a所示，在一具体实施例中，直线L1与坐标轴X平行且与晶圆静止时的图形40相较于坐标A1及坐标B1，直线L2与坐标轴Y平行且与晶圆静止时的图形40相较于坐标C1及坐标D1，直线L1与直线L2正交，利用坐标A1、坐标B1、坐标C1及坐标D1获得坐标获取晶圆10静止时的几何圆心位置。
如图3b所示，在另一具体实施例中，直线L3与坐标轴X斜交且与晶圆静止时的图形40相较于坐标A2及坐标B2，直线L4与坐标轴Y平行且与晶圆静止时的图形40相较于坐标C2及坐标D2，直线L3与直线L4正交，利用坐标A2、坐标B2、坐标C2及坐标D2获得坐标获取晶圆10静止时的几何圆心位置。
值得一提的是，如图3c所示，两直线中任一直线(例如L1)截取晶圆静止时的图形40的圆周的弦为晶圆静止时的图形40的半径的一倍至两倍之间，以防止获取的两坐标位置过于靠近，从而提高获取晶圆10静止时的几何圆心位置的准确度。具体的，一倍半径的弦长所对应的圆心角为60°，两倍半径的弦长所对应的圆心角为180°，即直线与晶圆静止时的图形40交点的圆心角为60°～180°。
优选的，可多次获取晶圆静止时的几何圆心位置，并比较所获取的多个晶圆静止时的几何圆心位置与预设圆心位置的距离的最大值是否大于预设偏移容量，若是，则判定晶圆固定单元的位置异常；若否，则判定晶圆固定单元的静止状态正常。
当判定晶圆固定单元的位置异常时，可停止相关作业，并报警提醒相关人员到场处理。
当判定晶圆固定单元的静止状态正常，则接着执行步骤S02，获取晶圆旋转时的几何圆心位置，比较晶圆旋转时的几何圆心位置与预设圆心位置的距离是否大于预设偏移容量，若是，则判定晶圆固定单元的位置异常，若否，则判定晶圆固定单元的位置正常。
如图4所示，晶圆10的静止状态正常，即晶圆10静止时的几何圆心位置与预设圆心位置的距离小于于预设偏移容量，但晶圆10四周的部分晶圆固定单元30的接触部32并非与晶圆10的边缘相抵靠接触，从而晶圆10相对于承载板20存在活动空间，该活动空间将导致晶圆10在伴随承载板20运动时相对运动(例如旋转)，甚至被抛出承载板20产生破损。当然，在实际中，若上述活动空间较小所导致晶圆10的相对运动空也较小的情况下，在预设偏移容量范围内的活动空间也是允许的。
请继续参照图4及图2d，当承载板20及晶圆10处于旋转状态时，晶圆固定单元30的接触部32的位置异常将导致晶圆10从晶圆静止时的位置11偏移至晶圆旋转时的位置12，该晶圆旋转时的位置12靠近晶圆固定单元30异常一侧，导致晶圆10在实际上伴随承载板20作偏心旋转，其偏心的程度(距离)越大，则晶圆10旋转时抛出的风险越大。由此，晶圆旋转的速率可合适范围内，例如为100r/min～600r/min，以便于准确监测晶圆的位置的变化，并防止晶圆固定单元30位置异常时晶圆10被甩出。
具体的，获取晶圆10旋转时的几何圆心位置的方法与获取晶圆10静止时的几何圆心位置的方法相似，例如包括：至少获取一个晶圆旋转时的图形，并获取晶圆旋转时的图形的圆周上至少三点坐标，以获取至少一个晶圆旋转时的几何圆心位置。具体的，获取晶圆旋转时的几何圆心位置的步骤包括：作一直线并使其与晶圆旋转时的图形的圆周相交，获得两个交点的坐标；再作一直线并使其与晶圆旋转时的图形的圆周相交，再次获得两个交点的坐标；以及，利用坐标获取晶圆旋转时的几何圆心位置。
当然，还可多次获取晶圆旋转时的几何圆心位置，并比较所获取的多个晶圆旋转时的几何圆心位置与预设圆心位置的距离的最大值是否大于预设偏移容量，若是，则判定晶圆固定单元的位置异常；若否，则判定晶圆固定单元的静止状态正常。
当判定晶圆固定单元的位置异常时，可立即停止相关作业，并报警提醒相关人员到场处理。当判定晶圆固定单元的位置正常时，则可继续下一工艺步骤。
图5为本实施实施例提供的晶圆清洗机台的结构示意图。
如图5所示，本实施例还提供了一种晶圆清洗机台，用于清洗晶圆10，晶圆清洗机台包括承载板20、晶圆固定单元30、晶圆固定单元监测系统。承载板20用于承载晶圆，并驱动晶圆旋转和/或升降，晶圆10相对承载板20具有预设圆心位置及预设偏移容量。晶圆固定单元30设置于承载板20用于与晶圆10的边缘相接触以固定晶圆10。晶圆固定单元监测系统用于监测晶圆固定单元30的位置，晶圆固定单元监测系统利用分别获取晶圆静止时的几何圆心位置和旋转时的几何圆心位置，比较晶圆静止时的几何圆心位置与预设圆心位置的距离是否大于预设偏移容量，以及比较晶圆旋转时的几何圆心位置与预设圆心位置的距离是否大于预设偏移容量，以判断晶圆固定单元的位置是否异常。
其中，晶圆固定单元监测系统包括设置于承载板20上方的图像获取单元51、以及与图像获取单元51电连接的判断单元53，判断单元53利用图像获取单元51获取晶圆静止时的几何圆心位置和旋转时的几何圆心位置，并用于判定晶圆位置及晶圆固定单元位置的方法可参考前述的监测晶圆固定单元位置的方法，在此不做赘述。
在本实施例中，晶圆清洗机台的清洗腔56设置于承载板20的下方，用于在清洗时容纳承载板20及晶圆10，清洗腔56上方还可设置有一罩体55，用于防止清洗液或晶圆10抛出。光源52与图像获取单元51电连接，以便于图像获取单元51获取较清晰图像。
优选的，晶圆固定单元30监测系统还包括传感单元54，检测传感单元设置于承载板20的下方的一侧，并与图像获取单元51电连接，以便在承载板20的下降过程中同时触发图像获取单元51以获取晶圆10旋转时的几何圆心位置，使得整个监测晶圆10及晶圆固定单元30的位置是否正常的过程与正常清洗过程完全兼容，在具有较佳监测效果的同时且不影响清洗机台的清洗速率。其中，传感单元54包括传感拨片54b及传感器54a，传感拨片54b设置于清洗腔体56外并可与承载板20同步升降，传感器54a与图像获取单元51电连接，设置于承载板20之下并与传感拨片54b匹配设置。
综上所述，在本发明提供的监测晶圆固定单元位置的方法及晶圆清洗机台具有以下有益效果：通过比较晶圆静止时的几何圆心位置与预设圆心位置的距离是否大于预设偏移容量，从而实现初步判端晶圆以及晶圆固定单元的位置，并防止较为严重的位置偏差在后续步骤的旋转过程中导致晶圆破损，若判定晶圆静止状态正常则进一步比较晶圆旋转时的几何圆心位置与预设圆心位置的距离是否大于预设偏移容量，进而确定晶圆固定单元的位置是否正常，从而达到及时监测晶圆固定单元是否准确固定晶圆的效果。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (10)

1.一种监测晶圆固定单元位置的方法，其特征在于，包括：
将晶圆放置于一承载板上，所述承载板上设置有若干晶圆固定单元，所述晶圆固定单元用于与所述晶圆的边缘相接触以固定所述晶圆，所述晶圆相对所述承载板具有预设圆心位置及预设偏移容量；
获取所述晶圆静止时的几何圆心位置，比较所述晶圆静止时的几何圆心位置与所述预设圆心位置的距离是否大于所述预设偏移容量；
若是，则判定所述晶圆固定单元的位置异常；
若否，则判定所述晶圆固定单元的静止状态正常，并旋转所述承载板，获取所述晶圆旋转时的几何圆心位置，比较所述晶圆旋转时的几何圆心位置与所述预设圆心位置的距离是否大于所述预设偏移容量，若是，则判定所述晶圆固定单元的位置异常，若否，则判定所述晶圆固定单元的位置正常。
2.根据权利要求1所述的监测晶圆固定单元位置的方法，其特征在于，至少获取一个所述晶圆静止时的图形，并获取所述晶圆静止时的图形的圆周上至少三点坐标，以获取至少一个所述晶圆静止时的几何圆心位置；至少获取一个所述晶圆旋转时的图形，并获取所述晶圆旋转时的图形的圆周上至少三点坐标，以获取至少一个所述晶圆旋转时的几何圆心位置。
3.根据权利要求2所述的监测晶圆固定单元位置的方法，其特征在于，比较所获取的至少一个所述晶圆静止时的几何圆心位置与所述预设圆心位置的距离的最大值是否大于所述预设偏移容量；比较所获取的至少一个所述晶圆旋转时的几何圆心位置与所述预设圆心位置的距离的最大值是否大于所述预设偏移容量。
4.根据权利要求1所述的监测晶圆固定单元位置的方法，其特征在于，获取所述晶圆静止时的几何圆心位置的步骤包括：作一直线并使其与所述晶圆静止时的图形的圆周相交，获得两个交点的坐标；再作一直线并使其与所述晶圆静止时的图形的圆周相交，再次获得两个交点的坐标；以及，利用所述坐标获取所述晶圆静止时的几何圆心位置；
获取所述晶圆旋转时的几何圆心位置的步骤包括：作一直线并使其与所述晶圆旋转时的图形的圆周相交，获得两个交点的坐标；再作一直线并使其与所述晶圆旋转时的图形的圆周相交，再次获得两个交点的坐标；以及，利用所述坐标获取所述晶圆旋转时的几何圆心位置。
5.根据权利要求4所述的监测晶圆固定单元位置的方法，其特征在于，两个所述直线正交。
6.根据权利要求4或5所述的监测晶圆固定单元位置的方法，其特征在于，两个所述直线截取所述晶圆静止时的图形的圆周的弦为所述晶圆静止时的图形的半径的一倍至两倍之间，两个所述直线截取所述晶圆旋转时的图形的圆周的弦为所述晶圆静止时的图形的半径的一倍至两倍之间。
7.根据权利要求1所述的监测晶圆固定单元位置的方法，其特征在于，旋转所述承载板的旋转速率为100r/min～600r/min。
8.一种晶圆清洗机台，用于清洗晶圆，其特征在于，包括承载板、晶圆固定单元以及晶圆固定单元监测系统；
所述承载板用于承载所述晶圆，并驱动所述晶圆旋转和/或升降，所述晶圆相对所述承载板具有预设圆心位置及预设偏移容量；
所述晶圆固定单元设置于所述承载板上，用于与晶圆的边缘相接触以固定所述晶圆；
所述晶圆固定单元监测系统用于监测所述晶圆固定单元的位置，所述晶圆固定单元监测系统用于分别获取所述晶圆静止时的几何圆心位置和旋转时的几何圆心位置，比较所述晶圆静止时的几何圆心位置与所述预设圆心位置的距离是否大于所述预设偏移容量，以及比较所述晶圆旋转时的几何圆心位置与所述预设圆心位置的距离是否大于所述预设偏移容量，以判断所述晶圆固定单元的位置是否异常。
9.根据权利要求8所述的晶圆清洗机台，其特征在于，所述晶圆固定单元监测系统包括图像获取单元以及判断单元，所述图像获取单元设于所述承载板的上方用于获取所述晶圆静止时的图形或所述晶圆旋转时的图形，所述判断单元电连接所述图像获取单元用于判断所述晶圆固定单元的位置。
10.根据权利要求9所述的晶圆清洗机台，其特征在于，所述晶圆固定单元监测系统还包括传感单元，所述传感单元设置于所述承载板下方的一侧，并与所述图像获取单元连接，用于当检测到所述承载板下降至设定高度时触发所述图像获取单元获取所述晶圆旋转时的图形。
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