CN114121137A - 一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法，用于对待测NandFlash芯片进行功耗测试，该系统包括测试板卡和测试主机，待测Nand Flash芯片的状态信号线连接测试板卡；测试主机用于根据当前功耗测试需求向测试板卡发送测试指令；测试板卡用于在接收到测试指令后，按照测试指令对待测Nand Flash芯片中的样本颗粒进行相应的测试；当测试板卡基于状态信号线确定待测Nand Flash芯片进入工作状态时，采集待测Nand Flash芯片在工作状态下的功耗数据。上述方案提供的系统使得到的功耗数据与待测Nand Flash颗粒的工作时间同步，从而保证了测得的Nand Flash功耗数据的准确性。

Description

一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法

技术领域

本申请涉及嵌入式硬件测试技术领域，尤其涉及一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法。

背景技术

目前，固态硬盘(Solid State Disk，简称SSD)已经广泛应用到大型数据中心、服务器等领域，SSD中的存储介质现在广泛采用的是NandFlash。由于目前对SSD的容量及性能的要求较高，所以常常是多片或者整盘所有Nand Flash颗粒并行工作，因此为了避免数据突发时功耗太大造成SSD硬件重启或者对电路造成损伤，需要根据Nand Flash功耗数据，对SSD进行相应的电路设计。

针对Nand Flash功耗数据的检测，通常是利用电压电流表或者示波器，对待检测Nand Flash功耗进行手工测量。但由于人工测量存在一定的局限性，无法保证测得的NandFlash数据的准确性。

发明内容

本申请提供一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法，以解决现有技术无法保证测得的Nand Flash功耗数据的准确性等缺陷。

本申请第一个方面提供一种Nand Flash颗粒功耗测试系统，用于对待测NandFlash芯片进行功耗测试，所述系统包括：测试板卡和测试主机，所述待测Nand Flash芯片的状态信号线连接所述测试板卡；

所述测试主机用于根据当前功耗测试需求向所述测试板卡发送测试指令；

所述测试板卡用于在接收到所述测试指令后，按照所述测试指令对所述待测NandFlash芯片中的样本颗粒进行相应的测试；

当所述测试板卡基于所述状态信号线确定待测Nand Flash芯片进入工作状态时，采集所述待测Nand Flash芯片在工作状态下的功耗数据。

可选的，所述测试板卡包括MCU，所述待测Nand Flash芯片的状态信号线连接所述MCU的中继口；

当所述状态信号线由高电平变成低电平时，触发所述MCU进入待测Nand Flash芯片功耗数据采集状态。

可选的，所述测试板卡中预存有随机数据样本，所述测试板卡具体用于：

当所述测试指令为写功耗测试指令时，将所述随机数据样本写入所述样本颗粒。

可选的，所述测试主机还用于：

获取所述待测Nand Flash芯片在不同测试指令下的功耗数据；

分析所述功耗数据，以确定所述待测Nand Flash芯片在不同测试指令下的功耗峰值、功耗最小值和功耗平均值。

可选的，所述测试主机还用于：

根据所述待测Nand Flash芯片在不同测试指令下的功耗数据，生成所述待测NandFlash芯片的功耗测试图表。

可选的，所述测试主板包括：

数据转换器，用于将模拟信号形式下的功耗数据转换为对应的数字信号。

可选的，所述测试主板还用于：

将数字信号形式下的功耗数据及对应的样本颗粒标识发送到所述测试主机。

可选的，所述测试板卡包括：

供电控制模块，用于控制所述待测Nand Flash芯片的供电电压。

可选的，所述测试板卡承载所述待测Nand Flash芯片，所述测试板卡与所述待测Nand Flash芯片采用Socket建立通信连接，所述测试板卡与所述测试主机采用网线建立通信连接。

本申请第二个方面提供一种Nand Flash颗粒功耗测试方法，用于对待测NandFlash芯片进行功耗测试，所述方法包括：

按照当前功耗测试需求，对待测Nand Flash芯片中的样本颗粒进行相应的测试；

当根据所述待测Nand Flash芯片的状态信号线的电平状态，确定待测Nand Flash芯片进入工作状态时，采集所述待测Nand Flash芯片在工作状态下的功耗数据。

可选的，所述根据所述待测Nand Flash芯片的状态信号线的电平状态，确定待测Nand Flash芯片进入工作状态时，采集所述待测Nand Flash芯片在工作状态下的功耗数据，包括：

当所述状态信号线由高电平变成低电平时，确定所述待测Nand Flash芯片进入工作状态，此时开始采集所述待测Nand Flash芯片功耗数据。

可选的，所述方法还包括：

获取预设的随机数据样本；

在需要对所述待测Nand Flash芯片中的样本颗粒进行写功耗测试时，将所述随机数据样本写入所述样本颗粒。

可选的，所述方法还包括：

通过分析所述待测Nand Flash芯片在不同测试指令下的功耗数据，确定所述待测Nand Flash芯片在不同测试指令下的功耗峰值、功耗最小值和功耗平均值。

可选的，所述方法还包括：

根据所述待测Nand Flash芯片在不同测试指令下的功耗数据，生成所述待测NandFlash芯片的功耗测试图表。

可选的，所述方法还包括：

将模拟信号形式下的功耗数据转换为对应的数字信号。

可选的，所述方法还包括：

控制所述待测Nand Flash芯片的供电电压。

本申请技术方案，具有如下优点：

本申请提供一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法，用于对待测Nand Flash芯片进行功耗测试，该系统包括测试板卡和测试主机，待测Nand Flash芯片的状态信号线连接测试板卡；测试主机用于根据当前功耗测试需求向测试板卡发送测试指令；测试板卡用于在接收到测试指令后，按照测试指令对待测Nand Flash芯片中的样本颗粒进行相应的测试；当测试板卡基于状态信号线确定待测Nand Flash芯片进入工作状态时，采集待测NandFlash芯片在工作状态下的功耗数据。上述方案提供的系统，通过根据待测Nand Flash芯片的状态信号线，判断待测Nand Flash芯片是否进入工作状态，进而收集其在工作状态下的功耗数据，使得到的功耗数据与待测Nand Flash颗粒的工作时间同步，从而保证了测得的Nand Flash功耗数据的准确性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种Nand Flash颗粒功耗测试系统的结构示意图；

图2为Nand Flash颗粒的命令时序示意图；

图3为本申请实施例提供的另一种Nand Flash颗粒功耗测试系统的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的再一种Nand Flash颗粒功耗测试系统的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的又一种Nand Flash颗粒功耗测试系统的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的示例性的功耗测试图表的结构示意图；

图7为本申请实施例提供示例性的电流及

信号线的状态变化示意图；

图8为本申请实施例提供示例性的电压及

信号线的状态变化示意图；

图9为本申请实施例提供的示例性的Nand Flash颗粒功耗测试系统的结构示意图；

图10为本申请实施例提供的Nand Flash颗粒功耗测试方法的流程示意图；

图11为本申请实施例提供的示例性的Nand Flash颗粒功耗测试方法的整体流程示意图。

通过上述附图，已示出本申请明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本公开构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。在以下各实施例的描述中，“多个”的含义是两个以上，除非另有明确具体的限定。

在现有技术中，通常是利用电压电流表或者示波器，对待检测Nand Flash的功耗进行手工测量。但由于人工测量存在一定的局限性，如在对待检测Nand Flash芯片开始进行功耗测试时就收集功耗数据，但由于Nand Flash芯片本身在执行命令时会产生一定的时延，导致其操作时刻与数据采集时刻无法同步，也就无法保证测得的Nand Flash功耗数据的准确性。

针对上述问题，本申请实施例提供一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法，用于对待测Nand Flash芯片进行功耗测试，该系统包括测试板卡和测试主机，待测NandFlash芯片的状态信号线连接测试板卡；测试主机用于根据当前功耗测试需求向测试板卡发送测试指令；测试板卡用于在接收到测试指令后，按照测试指令对待测Nand Flash芯片中的样本颗粒进行相应的测试；当测试板卡基于状态信号线确定待测Nand Flash芯片进入工作状态时，采集待测Nand Flash芯片在工作状态下的功耗数据。上述方案提供的系统，通过根据待测Nand Flash芯片的状态信号线，判断待测Nand Flash芯片是否进入工作状态，进而收集其在工作状态下的功耗数据，使得到的功耗数据与待测Nand Flash颗粒的工作时间同步，从而保证了测得的Nand Flash功耗数据的准确性。

下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。下面将结合附图，对本发明实施例进行描述。

本申请实施例提供了一种Nand Flash颗粒功耗测试系统，用于对待测Nand Flash芯片进行功耗测试，主要用于检测Nand Flash芯片的功耗数据。

如图1所示，为本申请实施例提供的一种Nand Flash颗粒功耗测试系统的结构示意图，该系统10包括：测试板卡101和测试主机102，待测Nand Flash芯片的状态信号线连接测试板卡101。

其中，测试主机用于根据当前功耗测试需求向测试板卡发送测试指令；测试板卡用于在接收到测试指令后，按照测试指令对待测Nand Flash芯片中的样本颗粒进行相应的测试；当测试板卡基于状态信号线确定待测Nand Flash芯片进入工作状态时，采集待测Nand Flash芯片在工作状态下的功耗数据。

需要说明的是，待测Nand Flash芯片包括多个Block颗粒，为了提高功耗测试效率，可以按照预设步长，从这些Block颗粒中均匀选取样本颗粒。例如，待测Nand Flash芯片的颗粒总共有1000个，可以选择[0,99,199,299,399,499,599,699,799,899,999]编号对应的颗粒作为样本颗粒，即按照预设步长Step为100均匀选取样本颗粒，也可以多选择一些样本颗粒进行测试，看不同位置的样本颗粒的功耗数据是否有不同。

其中，功耗测试需求主要包括写功耗测试需求、擦除功耗测试需求和读功耗测试需求，对应的测试指令分别为写功耗测试指令、擦除功耗测试指令和读功耗测试指令。

具体地，在一实施例中，为了方便更换测试不同厂家的Nand Flash芯片，测试板卡承载待测Nand Flash芯片，测试板卡与待测Nand Flash芯片采用Socket建立通信连接，测试板卡与测试主机采用网线建立通信连接。

具体地，在功耗测试的过程中，待测Nand Flash芯片是安装在测试板卡上的，即测试板卡承载着待测Nand Flash芯片，由测试板卡对待测Nand Flash芯片进行直接控制。测试主机具体可以为电脑或服务器等终端设备，测试主机可以根据测试人员下发的当前功耗测试需求，通过无线/有线通信网络向测试板卡发送对应的测试指令，以控制该测试板卡对待测Nand Flash芯片进行相应的功耗测试。

为了便于本领域技术人员更好地了解本申请实施例提供的Nand Flash颗粒功耗测试系统的测试原理，如图2所示，为Nand Flash颗粒的命令时序示意图。其中，DQ表示NandFlash颗粒的控制信号线，

表示Nand Flash颗粒的状态信号线，控制信号线在t时刻收到控制信号，根据状态信号线的变化情况可以看出该Nand Flash颗粒在t+a时刻才真正开始操作，并且在t+b时刻结束操作，而控制信号线在t+c时刻才向上级反馈操作结束信号。

具体地，本申请实施例提供的功耗测试系统为了可以准确地采集各样本颗粒在整个真实操作周期内的全部功耗数据，可以基于与测试板卡连接的状态信号线，判断待测Nand Flash芯片是否进入工作状态，进而采集该待测Nand Flash芯片在工作状态下的功耗数据。

其中，为了确定待测Nand Flash芯片在工作状态下的功耗数据和非工作状态下的功耗数据之间的差异，也可以采集少量的待测Nand Flash芯片处于非工作状态下的功耗数据。

在上述实施例的基础上，为了提高测试板卡的响应速度，以进一步确保测得的Nand Flash颗粒功耗数据的准确性，如图3为本申请实施例提供的另一种Nand Flash颗粒功耗测试系统的结构示意图，作为一种可实施的方式，在上述实施例的基础上，在一实施例中，测试板卡101包括MCU1011，待测Nand Flash芯片的状态信号线连接MCU1011的中继口。

其中，当状态信号线由高电平变成低电平时，触发MCU进入待测Nand Flash芯片功耗数据采集状态。

具体地，该状态信号线具体可以图2中的

信号线，当待测Nand Flash颗粒真正开始操作时，该状态信号线由高电平变成低电平，同时产生中继信号，并通过MCU的中继口将产生的中继信号传输到MCU，以触发MCU进入待测Nand Flash芯片功耗数据采集进程。

在上述实施例的基础上，功耗测试需求主要分为测试待测Nand Flash芯片的写功耗、擦除功耗和读功耗，为了可以满足所有功耗测试需求，作为一种可实施的方式，在上述实施例的基础上，在一实施例中，测试板卡中预存有随机数据样本，测试板卡具体用于：

当测试指令为写功耗测试指令时，将随机数据样本写入样本颗粒。

需要说明的是，由于SSD在实际运行时写入Nand Flash颗粒的数据是经过随机化后的，即0、1的比例基本为1：1，并且Nand Flash颗粒对写入的数据也有这样的要求，所以生成Random(随机)数据(随机数据样本)并下载到测试板卡中，即在测试板卡预存随机数据样本，以作为样本颗粒测试Program(程序)写入的数据。

在上述实施例的基础上，由于测试板卡直接采集的功耗数据为逻辑信号，如图4为本申请实施例提供的再一种Nand Flash颗粒功耗测试系统的结构示意图，作为一种可实施的方式，在上述实施例的基础上，在一实施例中，测试主板101包括数据转换器1012。

其中，数据转换器用于将模拟信号形式下的功耗数据转换为对应的数字信号。

具体地，为了确保数据转换效率，数据转换器具体可以采用高速ADC芯片，也可以采用其他类型的数据转换器，具体本申请实施例不做限定。

进一步地，在一实施例中，测试主板还用于：将数字信号形式下的功耗数据及对应的样本颗粒标识发送到测试主机。

其中，样本颗粒标识具体可以指样本颗粒对应的颗粒编号，如[0,99,199,299,399,499,599,699,799,899,999]。

示例性的，若当前待测Nand Flash芯片为新的Nand Flash芯片，则可以先对该待测Nand Flash芯片进行写功耗测试，具体流程如下：测试主机中的主控程序下发写功耗测试指令到测试板卡，测试板卡收到写功耗测试指令后，按照之前下发的样本颗粒列表挨个取样本颗粒进行测试。第一次取Block0，测试板卡给Block0的每个Word Line(最小可写单位)发送Program命令(写命令)，并监测

信号线是否有中断信号产生，具体可以监测

信号线号线是否拉低(由高电平变成低电平)，若是，则开启高速ADC芯片，并开始采集该样本颗粒Block0的功耗数据，具体可以同时采集电压及电流信号，并将转换后的功耗数据及当前测试的Block编号实时传回测试主机进行保存。当监测到

信号线号线拉高(由低电平变成高电平)时，说明该样本颗粒Block0的写操作已经结束，此时测试板卡停止功耗数据采集。其中，为了数据对比，也可以采集一些

信号线号线拉高后的功耗数据。以此类推，至到完成所有样本颗粒的写功耗测试工作。

类似地，若当前待测Nand Flash芯片不是新的Nand Flash芯片，即当前待测NandFlash芯片中存储有数据，此时可能没办法正常执行写操作测试，所以可以先对其进行擦除功耗测试，擦除功耗测试的测试流程与写功耗测试的测试流程相似，具体流程为：测试主机中的主控程序下发擦除功耗测试指令到测试板卡，测试板卡收到擦除功耗测试指令后，按照之前下发的样本颗粒列表挨个取样本颗粒进行测试。第一次取Block0，测试板卡给Block0发送Erase命令，并监测

信号线是否有中断信号产生，具体可以监测

信号线号线是否拉低(由高电平变成低电平)，若是，则开启高速ADC芯片，并开始采集该样本颗粒Block0的功耗数据，具体可以同时采集电压及电流信号，并将转换后的功耗数据及当前测试的Block编号实时传回测试主机进行保存。当监测到

信号线号线拉高(由低电平变成高电平)时，说明该样本颗粒Block0的擦除操作已经结束，此时测试板卡停止功耗数据采集。其中，为了数据对比，也可以采集一些

信号线号线拉高后的功耗数据。以此类推，至到完成所有样本颗粒的擦除功耗测试工作。

进一步地，在当前待测Nand Flash芯片完成写功耗测试后，可以确定各样本颗粒中有数据可读，此时可以对其进行进一步的读功耗测试，读功耗测试的测试流程与读功耗测试的测试流程也相似，具体流程为：测试主机中的主控程序下发读功耗测试指令到测试板卡，测试板卡收到读功耗测试指令后，按照之前下发的样本颗粒列表挨个取样本颗粒进行测试。第一次取Block0，测试板卡给Block0的每个Page发送Read命令(读命令)，并监测

信号线是否有中断信号产生，具体可以监测

信号线号线是否拉低(由高电平变成低电平)，若是，则开启高速ADC芯片，并开始采集该样本颗粒Block0的功耗数据，具体可以同时采集电压及电流信号，并将转换后的功耗数据及当前测试的Block编号实时传回测试主机进行保存。当监测到

信号线号线拉高(由低电平变成高电平)时，说明该样本颗粒Block0的读操作已经结束，此时测试板卡停止功耗数据采集。其中，为了数据对比，也可以采集一些

信号线号线拉高后的功耗数据。以此类推，至到完成所有样本颗粒的读功耗测试工作。

在上述实施例的基础上，为了尽可能地简化Nand Flash颗粒功耗测试系统的结构，可以利用测试板卡直接为待测Nand Flash芯片提供供电服务，而不需要再额外为待测Nand Flash芯片设置电源，如图5为本申请实施例提供的又一种Nand Flash颗粒功耗测试系统的结构示意图，作为一种可实施的方式，在上述实施例的基础上，在一实施例中，测试板卡101包括供电控制模块1013。

其中，供电控制模块用于控制待测Nand Flash芯片的供电电压。

具体地，测试板卡可以根据待测Nand Flash芯片的型号、厂商和额定电压等属性信息，基于该供电控制模块控制待测Nand Flash芯片的供电电压，提高了该测试板卡的普适性。

具体地，在一实施例中，测试主机还用于：获取待测Nand Flash芯片在不同测试指令下的功耗数据；分析功耗数据，以确定待测Nand Flash芯片在不同测试指令下的功耗峰值、功耗最小值和功耗平均值。

其中，功耗数据主要包括电压数据和电流数据等。

具体地，可以根据待测Nand Flash芯片在不同测试指令下的功耗峰值、功耗最小值和功耗平均值，分析不同位置的样本颗粒的功耗数据是否存在差异。

进一步地，在一实施例中，为了提高功耗测试结果的可读性，测试主机还用于：根据待测Nand Flash芯片在不同测试指令下的功耗数据，生成待测Nand Flash芯片的功耗测试图表。

示例性的，以擦除功耗测试为例，测试主机可以将得到的功耗数据按照如图6所示的格式存储，图6为本申请实施例提供的示例性的功耗测试图表的结构示意图。其中，VOLTAGE表示电压，CURRENT表示电流，

为0表示

信号线为低电平，

为1表示

信号线为高电平。另外，写功耗测试及读功耗测试，同样会保存对应的电压及电流的数据文件，与以上格式相似。

进一步地，可以通过分析得到的功耗数据，分别得到擦除、写和读操作过程中功耗的峰值、最小值及平均值，如图7所示，为本申请实施例提供示例性的电流及

信号线的状态变化示意图，如图8所示，为本申请实施例提供示例性的电压及

信号线的状态变化示意图。通过数据分析及功耗测试图表的生成，可以看到在擦除操作过程中，电流的变化随

信号线变化比较明显，电压基本保持不变，同时根据统计的电流峰值数据，可以得到操作过程中功耗的最大值、最小值、平均值等信息。

其中，本申请实施例提供的图6-8只是一种示例性的输出结果，具体可以根据实际应用情况进行相应的调整和扩展，本申请实施例不做限定。

示例性的，如图9所示，为本申请实施例提供的示例性的Nand Flash颗粒功耗测试系统的结构示意图，图9中的Host主机具体指上述测试主机，Nand测试板卡即为上述测试板卡，Nand控制器主要用于传输MCU下发的测试指令等，如图9所示的Nand Flash颗粒功耗测试系统为上述实施例提供的Nand Flash颗粒功耗测试系统的一种示例性的实施方式，图9中的各个组成元素的工作原理已在上述实施例进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。

本申请实施例提供的Nand Flash颗粒功耗测试系统，用于对待测Nand Flash芯片进行功耗测试，该系统包括测试板卡和测试主机，待测Nand Flash芯片的状态信号线连接测试板卡；测试主机用于根据当前功耗测试需求向测试板卡发送测试指令；测试板卡用于在接收到测试指令后，按照测试指令对待测Nand Flash芯片中的样本颗粒进行相应的测试；当测试板卡基于状态信号线确定待测Nand Flash芯片进入工作状态时，采集待测NandFlash芯片在工作状态下的功耗数据。上述方案提供的系统，通过根据待测Nand Flash芯片的状态信号线，判断待测Nand Flash芯片是否进入工作状态，进而收集其在工作状态下的功耗数据，使得到的功耗数据与待测Nand Flash颗粒的工作时间同步，从而保证了测得的Nand Flash颗粒功耗数据的准确性。并且，该功耗测试系统可以适应多种Nand Flash芯片和不同的操作测试，灵活性较强。并且，可以直接生成待测Nand Flash芯片的功耗测试图表等数据分析结果，无需再手动繁琐地进行数据记录及计算，为相关测试人员提供了便利。

本申请实施例提供了一种Nand Flash颗粒功耗测试方法，用于对待测Nand Flash芯片进行功耗测试，主要用于检测Nand Flash芯片的功耗数据，本申请实施例的执行主体为上述实施例提供的Nand Flash颗粒功耗测试系统。

如图10所示，为本申请实施例提供的Nand Flash颗粒功耗测试方法的流程示意图。该方法包括：

步骤1001，按照当前功耗测试需求，对待测Nand Flash芯片中的样本颗粒进行相应的测试；

步骤1002，当根据待测Nand Flash芯片的状态信号线的电平状态，确定待测NandFlash芯片进入工作状态时，采集待测Nand Flash芯片在工作状态下的功耗数据。

具体地，在一实施例中，根据待测Nand Flash芯片的状态信号线的电平状态，确定待测Nand Flash芯片进入工作状态时，采集待测Nand Flash芯片在工作状态下的功耗数据，包括：

当状态信号线由高电平变成低电平时，确定待测Nand Flash芯片进入工作状态，此时开始采集待测Nand Flash芯片功耗数据。

具体地，在一实施例中，该方法还包括：

获取预设的随机数据样本；

在需要对待测Nand Flash芯片中的样本颗粒进行写功耗测试时，将随机数据样本写入样本颗粒。

具体地，在一实施例中，该方法还包括：

通过分析待测Nand Flash芯片在不同测试指令下的功耗数据，确定待测NandFlash芯片在不同测试指令下的功耗峰值、功耗最小值和功耗平均值。

具体地，在一实施例中，该方法还包括：

根据待测Nand Flash芯片在不同测试指令下的功耗数据，生成待测Nand Flash芯片的功耗测试图表。

具体地，在一实施例中，该方法还包括：

将模拟信号形式下的功耗数据转换为对应的数字信号。

具体地，在一实施例中，该方法还包括：

控制待测Nand Flash芯片的供电电压。

示例性的，如图11所示，为本申请实施例提供的示例性的Nand Flash颗粒功耗测试方法的整体流程示意图。其中，如图11所示的Nand Flash颗粒功耗测试方法为如图10所示的Nand Flash颗粒功耗测试方法的一种示例性的实现方式，二者实现原理相同，不再赘述。

关于本实施例中的Nand Flash颗粒功耗测试方法，其中各个步骤的具体实现方式已经在有关该系统的实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。

本申请实施例提供的Nand Flash颗粒功耗测试方法，执行主体为上述实施例提供的Nand Flash颗粒功耗测试系统，通过按照当前功耗测试需求，对待测Nand Flash芯片中的样本颗粒进行相应的测试；当根据待测Nand Flash芯片的状态信号线的电平状态，确定待测Nand Flash芯片进入工作状态时，采集待测Nand Flash芯片在工作状态下的功耗数据。使得到的功耗数据与待测Nand Flash颗粒的工作时间同步，从而保证了测得的NandFlash颗粒功耗数据的准确性。

本领域技术人员可以清楚地了解到，本申请实施例为描述的方便和简洁，仅以上述各模块和步骤的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要将上述功能分配由不同的模块或步骤完成。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种Nand Flash颗粒功耗测试系统，用于对待测Nand Flash芯片进行功耗测试，其特征在于，所述系统包括：测试板卡和测试主机，所述待测Nand Flash芯片的状态信号线连接所述测试板卡；

所述测试主机用于根据当前功耗测试需求向所述测试板卡发送测试指令；

所述测试板卡用于在接收到所述测试指令后，按照所述测试指令对所述待测NandFlash芯片中的样本颗粒进行相应的测试；

当所述测试板卡基于所述状态信号线确定待测Nand Flash芯片进入工作状态时，采集所述待测Nand Flash芯片在工作状态下的功耗数据。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述测试板卡包括MCU，所述待测NandFlash芯片的状态信号线连接所述MCU的中继口；

当所述状态信号线由高电平变成低电平时，触发所述MCU进入待测Nand Flash芯片功耗数据采集状态。

3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述测试板卡中预存有随机数据样本，所述测试板卡具体用于：

当所述测试指令为写功耗测试指令时，将所述随机数据样本写入所述样本颗粒。

4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述测试主机还用于：

获取所述待测Nand Flash芯片在不同测试指令下的功耗数据；

分析所述功耗数据，以确定所述待测Nand Flash芯片在不同测试指令下的功耗峰值、功耗最小值和功耗平均值。

5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述测试主机还用于：

根据所述待测Nand Flash芯片在不同测试指令下的功耗数据，生成所述待测NandFlash芯片的功耗测试图表。

6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述测试主板包括：

数据转换器，用于将模拟信号形式下的功耗数据转换为对应的数字信号。

7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述测试主板还用于：

将数字信号形式下的功耗数据及对应的样本颗粒标识发送到所述测试主机。

8.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述测试板卡包括：

供电控制模块，用于控制所述待测Nand Flash芯片的供电电压。

9.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述测试板卡承载所述待测Nand Flash芯片，所述测试板卡与所述待测Nand Flash芯片采用Socket建立通信连接，所述测试板卡与所述测试主机采用网线建立通信连接。

10.一种Nand Flash颗粒功耗测试方法，用于对待测Nand Flash芯片进行功耗测试，其特征在于，所述方法包括：

按照当前功耗测试需求，对待测Nand Flash芯片中的样本颗粒进行相应的测试；

当根据所述待测Nand Flash芯片的状态信号线的电平状态，确定待测Nand Flash芯片进入工作状态时，采集所述待测Nand Flash芯片在工作状态下的功耗数据。

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