CN114094959A - 一种Doherty射频集成功率放大器 - Google Patents

一种Doherty射频集成功率放大器 Download PDF

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宣凯
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Abstract

本发明提供一种Doherty射频集成功率放大器，包括驱动放大器、载波输入匹配网络、载波功放、峰值输入匹配网络、峰值功放及功率合成和移相网络；驱动放大器的输出端分两路分别连接载波输入匹配网络的输入端和峰值输入匹配网络的输入端；载波输入匹配网络的输出端连接至载波功放的输入端；载波功放的输出端连接至功率合成和移相网络的第一输入端；峰值输入匹配网络的输出端连接至峰值功放的输入端；峰值功放的输出端连接至功率合成和移相网络的第二输入端；功率合成和移相网络包括巴伦阻抗变压器、电容Cb1、电容Cb2、电容Cb3、电容Cb4及电容Cb5。本发明Doherty射频集成功率放大器的版图面积小且功率附加效率高。

Description

一种Doherty射频集成功率放大器
技术领域
本发明涉及射频集成电路技术领域，尤其涉及一种Doherty射频集成功率放大器。
背景技术
为了满足人们对数据高通信速率的要求，5G无线通信技术采用了高阶正交幅度调制(QAM)技术，调制信号具有非常高的峰均比(PAPR)。高峰均比信号对射频功率放大器的线性提出了严格的要求。为了保证信号的不失真传输，无线通信系统要求射频功率放大器工作远离功率压缩点的功率回退状态，以保证射频信号的线性放大。但是射频功率放大器的效率在接近饱和区域时效率最高，功率回退点的效率显著降低了。为了提高功率回退时射频功率放大器的效率，Doherty结构是射频功率放大器设计的一种常用方法。
相关技术的Doherty射频集成功率放大器一般包括功分器、载波放大器、峰值放大器以及四分之一波长传输线。请参考图1所示，图1为相关技术的Doherty射频集成功率放大器的电路结构示意图，其中，输入信号通过功分器将输入功率一分为二，分别输入到载波放大器的输入端和峰值放大器的输入端。载波放大器的输出端通过四分之一波长传输线连接输出负载，而峰值放大器的输出端直接连接输出负载。相关技术的Doherty射频集成功率放大器的工作原理为：载波放大器偏置在Class AB或Class B，峰值放大器偏置在Class C。在低输出功率状态下，峰值放大器处于关闭状态，载波放大器的负载阻抗为2Ropt。在高输出功率状态下，峰值放大器打开，载波放大器的负载阻抗随着输入功率的增加从2Ropt变化到Ropt，峰值放大器的负载阻抗也随着输入功率增加从无限大值逐步减小到Ropt，两个放大器在输出点A完成功率合成。由于这种负载调制的变化，Doherty功率放大器在功率回退时呈现出了较高的效率。
然而，相关技术的Doherty射频集成功率放大器对于单片微波集成电路而言，传统Doherty射频集成功率放大器的功分器和四分之一波长传输线，尺寸都过于庞大，难以在芯片上实现，尤其是Sub-6GHz频段，频率越低，四分之一波长传输线就越长。单片微波集成电路的小尺寸特性要求采用集成电路工艺设计Doherty射频集成功率放大器时必须采用小尺寸的无源器件。
因此，实有必要提供一种新的宽带Doherty射频集成功率放大器解决上述问题。
发明内容
针对以上现有技术的不足，本发明提出一种版图面积小且功率附加效率高的Doherty射频集成功率放大器。
为了解决上述技术问题，本发明的实施例提供了一种Doherty射频集成功率放大器，其包括驱动放大器、载波输入匹配网络、载波功放、峰值输入匹配网络、峰值功放以及功率合成和移相网络；
所述驱动放大器的输入端作为所述Doherty射频集成功率放大器的输入端；
所述驱动放大器的输出端分两路分别连接所述载波输入匹配网络的输入端和所述峰值输入匹配网络的输入端；
所述载波输入匹配网络的输出端连接至所述载波功放的输入端；
所述载波功放的输出端连接至所述功率合成和移相网络的第一输入端；
所述峰值输入匹配网络的输出端连接至所述峰值功放的输入端；
所述峰值功放的输出端连接至所述功率合成和移相网络的第二输入端；
所述功率合成和移相网络的输出端作为所述Doherty射频集成功率放大器的输出端，以用于连接系统负载；
其中，所述功率合成和移相网络包括巴伦阻抗变压器、电容Cb1、电容Cb2、电容Cb3、电容Cb4以及电容Cb5；
所述巴伦阻抗变压器的初级线圈的第一端作为所述功率合成和移相网络的第一输入端，且所述巴伦阻抗变压器的初级线圈的第一端分别连接至所述电容Cb1的第一端和所述电容Cb4的第一端；所述电容Cb4的第二端连接至接地；
所述巴伦阻抗变压器的初级线圈的第二端分别连接至所述电容Cb2的第一端和所述电容Cb3的第一端；所述电容Cb3的第二端连接至接地；
所述巴伦阻抗变压器的次级线圈的第一端作为所述功率合成和移相网络的输出端，且所述巴伦阻抗变压器的次级线圈的第一端连接至所述电容Cb1的第二端；
所述巴伦阻抗变压器的次级线圈的第二端作为所述功率合成和移相网络的第二输入端，且所述巴伦阻抗变压器的次级线圈的第二端分别连接至所述电容Cb2的第二端和所述电容Cb5的第一端；所述电容Cb5的第二端连接至接地。
优选的，所述巴伦阻抗变压器为半集总移相90度的变压器。
优选的，所述电容Cb1的电容值和所述电容Cb2的电容值均为1/(2πfZ0)，所述电容Cb1的电容值为1/(πfZ0)；其中，f为所述Doherty射频集成功率放大器的工作频率，Z0为所述系统负载的特征阻抗。
优选的，所述驱动放大器、所述载波功放以及所述峰值功放均采用晶体管实现。
优选的，所述载波功放包括用于抑制二次谐波的载波谐振电路；所述峰值功放包括用于抑制二次谐波的载波谐振电路。
优选的，所述驱动放大器包括第一电感、第二电感、第一电容以及第一晶体管；所述第一电容的第一端作为所述驱动放大器的输入端，且所述第一电容的第一端通过串联所述第一电感后连接至接地；所述第一电容的第二端连接至所述第一晶体管的基极；所述第一晶体管的发射极连接至接地；所述第一晶体管的集电极作为所述驱动放大器的输出端，且所述第一晶体管的集电极分别连接至所述第二电感的第二端、所述载波输入匹配网络的输入端和所述峰值输入匹配网络的输入端；所述第二电感的第一端连接至电源电压；
所述载波输入匹配网络包括第三电感、第二电容以及第三电容；所述第二电容的第一端作为所述载波输入匹配网络的输入端，且所述第二电容的第一端至所述第一晶体管的集电极；所述第二电容的第二端分别连接至所述第三电容的第一端和所述第三电感的第一端；所述第三电感的第二端连接至接地；所述第三电容的第二端作为所述载波输入匹配网络的输出端；
所述载波功放包括第四电感、第五电感、第五电容以及第二晶体管；所述第二晶体管的基极作为所述载波功放的输入端，且所述第二晶体管的基极连接至所述第三电容的第二端；所述第二晶体管的发射极连接至接地；所述第二晶体管的集电极分别连接至所述第五电容的第一端、所述第四电感的第二端以及所述第五电感的第一端；所述第五电容的第二端连接至接地；所述第四电感的第一端连接至电源电压；所述第五电感的第二端作为所述载波功放的输出端；
所述峰值输入匹配网络包括第四电容；所述第四电容的第一端作为所述峰值输入匹配网络的输入端，且所述第四电容的第一端至所述第一晶体管的集电极；所述第四电容的第二端作为所述峰值输入匹配网络的输出端；
所述峰值功放包括第六电感、第七电感、第六电容以及第三晶体管；所述第三晶体管的基极作为所述峰值功放的输入端，且所述第三晶体管的基极连接至所述第六电容的第二端；所述第三晶体管的发射极连接至接地；所述第三晶体管的集电极分别连接至所述第六电容的第一端、所述第六电感的第二端以及所述第七电感的第一端；所述第六电容的第二端连接至接地；所述第六电感的第一端连接至电源电压；所述第七电感的第二端作为所述峰值功放的输出端。
与相关技术相比，本发明的Doherty射频集成功率放大器通过载波功放和峰值功放输入端采用直接连接到驱动放大器输出端的方式。使得该电路不需要相关技术的功分器，电路的版图面积大大地减少。同时，输出端采用功率合成和移相网络实现负载调制和功率合成。其中，所述功率合成和移相网络由巴伦阻抗变压器、电容Cb1、电容Cb2、电容Cb3、电容Cb4以及电容Cb5组成。该电路所述功率合成和移相网络实现负载阻抗的变换，从而不需要相关技术的四分之一波长传输线，电路的版图面积大大地减少。更优的，所述功率合成和移相网络采用巴伦阻抗变压器的电路结构保证了电路工作在高效率状态，从而使得本发明的Doherty射频集成功率放大器的功率附加效率高。
附图说明
下面结合附图详细说明本发明。通过结合以下附图所作的详细描述，本发明的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中，
图1为相关技术的Doherty射频集成功率放大器的电路结构示意图；
图2为本发明Doherty射频集成功率放大器的电路结构示意图；
图3为本发明Doherty射频集成功率放大器的一种实施例的应用电路结构示意图；
图4为本发明Doherty射频集成功率放大器的功率合成和移相网络的电路图；
图5为本发明实施例提供的Doherty射频集成功率放大器的另一种实施例的应用电路结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的具体实施方式。
在此记载的具体实施方式/实施例为本发明的特定的具体实施方式，用于说明本发明的构思，均是解释性和示例性的，不应解释为对本发明实施方式及本发明范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书和说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案，都在本发明的保护范围之内。
(实施例一)
本发明实施例提供一种Doherty射频集成功率放大器100。
请同时参考图2-3所示，其中，图2为本发明Doherty射频集成功率放大器的应用电路结构示意图；图3为本发明Doherty射频集成功率放大器的一种实施例的应用电路结构示意图。
所述Doherty射频集成功率放大器100包括驱动放大器1、载波输入匹配网络2、载波功放3、峰值输入匹配网络4、峰值功放5以及功率合成和移相网络6。
所述Doherty射频集成功率放大器100的电路结构为：
所述驱动放大器1的输入端作为所述Doherty射频集成功率放大器100的输入端RFin。
所述驱动放大器1的输出端分两路分别连接所述载波输入匹配网络2的输入端和所述峰值输入匹配网络4的输入端。
所述载波输入匹配网络2的输出端连接至所述载波功放3的输入端。
所述载波功放3的输出端OPY1连接至所述的功率合成和移相网络6的第一输入端。
所述峰值输入匹配网络4的输出端连接至所述峰值功放5的输入端。
所述峰值功放5的输出端OPY2连接至所述的功率合成和移相网络6的第二输入端。
所述的功率合成和移相网络6的输出端作为所述Doherty射频集成功率放大器100的输出端RFout，以用于连接系统负载。
具体的，所述的功率合成和移相网络6包括巴伦阻抗变压器、电容Cb1、电容Cb2、电容Cb3、电容Cb4以及电容Cb5。
其中，所述巴伦阻抗变压器为半集总移相90度的变压器。所述的功率合成和移相网络6采用半集总移相90度的所述巴伦阻抗变压器结构，一方面实现负载阻抗的变换，从而不需要相关技术的四分之一波长传输线，电路的版图面积大大地减少；另一方面，保证了电路工作在高效率状态，从而使得本发明的Doherty射频集成功率放大器100的功率附加效率高。
所述的功率合成和移相网络6的电路结构为：
所述巴伦阻抗变压器的初级线圈Lp的第一端作为所述的功率合成和移相网络6的第一输入端，且所述巴伦阻抗变压器的初级线圈Lp的第一端分别连接至所述电容Cb1的第一端和所述电容Cb4的第一端。所述电容Cb4的第二端连接至接地。
所述巴伦阻抗变压器的初级线圈Lp的第二端分别连接至所述电容Cb2的第一端和所述电容Cb3的第一端。所述电容Cb3的第二端连接至接地。
所述巴伦阻抗变压器的次级线圈Ls的第一端作为所述的功率合成和移相网络6的输出端，且所述巴伦阻抗变压器的次级线圈Ls的第一端连接至所述电容Cb1的第二端。
所述巴伦阻抗变压器的次级线圈Ls的第二端作为所述的功率合成和移相网络6的第二输入端，且所述巴伦阻抗变压器的次级线圈Ls的第二端分别连接至所述电容Cb2的第二端和所述电容Cb5的第一端。所述电容Cb5的第二端连接至接地。
本实施例一中，所述电容Cb1的电容值和所述电容Cb2的电容值均为1/(2πfZ0)，所述电容Cb1的电容值为1/(πfZ0)。其中，f为所述Doherty射频集成功率放大器100的工作频率，Z0为所述系统负载的特征阻抗。所述Doherty射频集成功率放大器100工作在低输出功率模式时，峰值功放处于关闭状态，输出阻抗接近于开路状态，经过90度移相后，阻抗呈现出接近短路状态，载波功放工作在单端放大器状态，载波功放输出端看到的阻抗为2Z0，较高的负载阻抗保证了载波功放工作在高效率状态。所述Doherty射频集成功率放大器100工作在高输出功率模式时，载波放大器输出端看到的阻抗，随着输出功率的增大从2Z0变化到Z0，同时峰值功放输出端的阻抗从低阻抗区逐步变化到Z0。该结构使得所述的功率合成和移相网络6的所述巴伦阻抗变压器的隔离端口提供特殊的端口条件获得负载阻抗的有源调制。隔离端口为初级线圈Lp相对两端，即初级线圈Lp的第一端和第二端。传统Doherty PA载波功放输出端连接四分之一波长传输线，用于负载阻抗的变换。这个四分之一波长传输线通过对阻抗90度的移相来实现阻抗变换，单片微波集成电路设计所述Doherty射频集成功率放大器100时，可以用半集总移相90度的所述巴伦阻抗变压器来替换实现阻抗变换。
本实施例一中，所述驱动放大器1、所述载波功放3以及所述峰值功放5均采用晶体管实现。采用晶体管可以使得电路的版图面积小，易于电路集成。当然，不限于此，采用其他放大器电路或者元器件实现也是可以的。
更优的，所述载波功放3包括用于抑制二次谐波的载波谐振电路。所述峰值功放5包括用于抑制二次谐波的载波谐振电路。所述载波功放3和所述峰值功放5采用抑制二次谐波的电路，从而使得本发明的Doherty射频集成功率放大器100的功率附加效率高。
(实施例二)
实施例二提供一种Doherty射频集成功率放大器101。请参考图5所示。
Doherty射频集成功率放大器101为在Doherty射频集成功率放大器100的电路集成上，提供了所述驱动放大器1、所述载波输入匹配网络2、所述载波功放3、所述峰值输入匹配网络4、所述峰值功放5的具体电路。从而使得Doherty射频集成功率放大器101为一个版图面积下且功率附加效率高的具体技术方案。其中，在实施例二中，所述驱动放大器1、所述载波功放3以及所述峰值功放5均采用晶体管实现。
Doherty射频集成功率放大器101的具体电路结构为：
所述驱动放大器1包括第一电感L1、第二电感L2、第一电容C1以及第一晶体管Q1。
所述驱动放大器1的具体电路结构为：所述第一电容C1的第一端作为所述驱动放大器1的输入端，且所述第一电容C1的第一端通过串联所述第一电感L1后连接至接地。所述第一电容C1的第二端连接至所述第一晶体管Q1的基极。所述第一晶体管Q1的发射极连接至接地。所述第一晶体管Q1的集电极作为所述驱动放大器1的输出端，且所述第一晶体管Q1的集电极分别连接至所述第二电感L2的第二端、所述载波输入匹配网络2的输入端和所述峰值输入匹配网络4的输入端。所述第二电感L2的第一端连接至电源电压Vcc。
所述载波输入匹配网络2包括第三电感L3、第二电容C2以及第三电容C3。
所述载波输入匹配网络2的具体电路结构为：所述第二电容C2的第一端作为所述载波输入匹配网络2的输入端，且所述第二电容C2的第一端至所述第一晶体管Q1的集电极。所述第二电容C2的第二端分别连接至所述第三电容C3的第一端和所述第三电感L3的第一端。所述第三电感L3的第二端连接至接地。所述第三电容C3的第二端作为所述载波输入匹配网络2的输出端。
所述载波功放3包括第四电感L4、第五电感L5、第五电容C5以及第二晶体管Q2。
所述载波功放3的具体电路结构为：所述第二晶体管Q2的基极作为所述载波功放3的输入端，且所述第二晶体管Q2的基极连接至所述第三电容C3的第二端。所述第二晶体管Q2的发射极连接至接地。所述第二晶体管Q2的集电极分别连接至所述第五电容C5的第一端、所述第四电感L4的第二端以及所述第五电感L5的第一端。所述第五电容C5的第二端连接至接地。所述第四电感L4的第一端连接至电源电压Vcc。所述第五电感L5的第二端作为所述载波功放3的输出端。
所述峰值输入匹配网络4包括第四电容C4。
所述峰值输入匹配网络4的具体电路结构为：所述第四电容C4的第一端作为所述峰值输入匹配网络4的输入端，且所述第四电容C4的第一端至所述第一晶体管Q1的集电极。所述第四电容C4的第二端作为所述峰值输入匹配网络4的输出端OPY1。
所述峰值功放5包括第六电感L6、第七电感L7、第六电容C6以及第三晶体管Q3。
所述峰值功放5的具体电路结构为：所述第三晶体管Q3的基极作为所述峰值功放5的输入端，且所述第三晶体管Q3的基极连接至所述第六电容C6的第二端。所述第三晶体管Q3的发射极连接至接地。所述第三晶体管Q3的集电极分别连接至所述第六电容C6的第一端、所述第六电感L6的第二端以及所述第七电感L7的第一端。所述第六电容C6的第二端连接至接地。所述第六电感L6的第一端连接至电源电压Vcc。所述第七电感L7的第二端作为所述峰值功放5的输出端OPY2。
所述的功率合成和移相网络6包括巴伦阻抗变压器、电容Cb1、电容Cb2、电容Cb3、电容Cb4以及电容Cb5。
所述的功率合成和移相网络6的具体电路结构为：所述巴伦阻抗变压器的初级线圈Lp的第一端作为所述的功率合成和移相网络6的第一输入端，且所述巴伦阻抗变压器的初级线圈Lp的第一端分别连接至所述电容Cb1的第一端和所述电容Cb4的第一端。所述电容Cb4的第二端连接至接地。
所述巴伦阻抗变压器的初级线圈Lp的第二端分别连接至所述电容Cb2的第一端和所述电容Cb3的第一端。所述电容Cb3的第二端连接至接地。
所述巴伦阻抗变压器的次级线圈Ls的第一端作为所述的功率合成和移相网络6的输出端，且所述巴伦阻抗变压器的次级线圈Ls的第一端连接至所述电容Cb1的第二端。
所述巴伦阻抗变压器的次级线圈Ls的第二端作为所述的功率合成和移相网络6的第二输入端，且所述巴伦阻抗变压器的次级线圈Ls的第二端分别连接至所述电容Cb2的第二端和所述电容Cb5的第一端。所述电容Cb5的第二端连接至接地。
上述的电路结构可知：
功率放大单元由两级放大电路组成，第一晶体管Q1为驱动功率管，且第一晶体管Q1为单端放大结构。第二晶体管Q2和第三晶体管Q3均为输出功率管，并且第二晶体管Q2和第三晶体管Q3组成Doherty功率放大电路结构。第二晶体管Q2的输入端和第三晶体管Q3的输入端分别经过所述载波输入匹配网络2和所述峰值输入匹配网络4的匹配网络后，均与第一晶体管Q1的输出端直接连接，第二晶体管Q2的输出端和第三晶体管Q3的输出端连接到巴伦结构的所述功率合成和移相网络6。
其中，在实施例二中，所述载波功放3包括用于抑制二次谐波的载波谐振电路。所述峰值功放5包括用于抑制二次谐波的载波谐振电路。所述载波功放3和所述峰值功放5采用抑制二次谐波的电路。具体的：
为了抑制二次谐波，第二晶体管Q2的集电极和第三晶体管Q3的集电极分别并联了所述第五电容C5和第六电容C6，与键合电感串联谐振在二次谐波频率，形成对地近似短路。
所述功率合成和移相网络6并联了电容Cb4和Cb5，与键合电感也串联谐振在二次谐波频率上，加深了抑制二次谐波的深度，提高了输出功率的线性度。
因此，Doherty射频集成功率放大器101的电路元器件较少，电路性能高，易于集成在一个GaAs HBT工艺的芯片上。
与相关技术相比，本发明的Doherty射频集成功率放大器通过载波功放和峰值功放输入端采用直接连接到驱动放大器输出端的方式。使得该电路不需要相关技术的功分器，电路的版图面积大大地减少。同时，输出端采用功率合成和移相网络实现负载调制和功率合成。其中，所述功率合成和移相网络由巴伦阻抗变压器、电容Cb1、电容Cb2、电容Cb3、电容Cb4以及电容Cb5组成。该电路所述功率合成和移相网络实现负载阻抗的变换，从而不需要相关技术的四分之一波长传输线，电路的版图面积大大地减少。更优的，所述功率合成和移相网络采用巴伦阻抗变压器的电路结构保证了电路工作在高效率状态，从而使得本发明的Doherty射频集成功率放大器的功率附加效率高。
需要说明的是，以上参照附图所描述的各个实施例仅用以说明本发明而非限制本发明的范围，本领域的普通技术人员应当理解，在不脱离本发明的精神和范围的前提下对本发明进行的修改或者等同替换，均应涵盖在本发明的范围之内。此外，除上下文另有所指外，以单数形式出现的词包括复数形式，反之亦然。另外，除非特别说明，那么任何实施例的全部或一部分可结合任何其它实施例的全部或一部分来使用。

Claims (6)

1.一种Doherty射频集成功率放大器，其特征在于，其包括驱动放大器、载波输入匹配网络、载波功放、峰值输入匹配网络、峰值功放以及功率合成和移相网络；
所述驱动放大器的输入端作为所述Doherty射频集成功率放大器的输入端；
所述驱动放大器的输出端分两路分别连接所述载波输入匹配网络的输入端和所述峰值输入匹配网络的输入端；
所述载波输入匹配网络的输出端连接至所述载波功放的输入端；
所述载波功放的输出端连接至所述功率合成和移相网络的第一输入端；
所述峰值输入匹配网络的输出端连接至所述峰值功放的输入端；
所述峰值功放的输出端连接至所述功率合成和移相网络的第二输入端；
所述功率合成和移相网络的输出端作为所述Doherty射频集成功率放大器的输出端，以用于连接系统负载；
其中，所述功率合成和移相网络包括巴伦阻抗变压器、电容Cb1、电容Cb2、电容Cb3、电容Cb4以及电容Cb5；
所述巴伦阻抗变压器的初级线圈的第一端作为所述功率合成和移相网络的第一输入端，且所述巴伦阻抗变压器的初级线圈的第一端分别连接至所述电容Cb1的第一端和所述电容Cb4的第一端；所述电容Cb4的第二端连接至接地；
所述巴伦阻抗变压器的初级线圈的第二端分别连接至所述电容Cb2的第一端和所述电容Cb3的第一端；所述电容Cb3的第二端连接至接地；
所述巴伦阻抗变压器的次级线圈的第一端作为所述功率合成和移相网络的输出端，且所述巴伦阻抗变压器的次级线圈的第一端连接至所述电容Cb1的第二端；
所述巴伦阻抗变压器的次级线圈的第二端作为所述功率合成和移相网络的第二输入端，且所述巴伦阻抗变压器的次级线圈的第二端分别连接至所述电容Cb2的第二端和所述电容Cb5的第一端；所述电容Cb5的第二端连接至接地。
2.根据权利要求1所述的Doherty射频集成功率放大器，其特征在于，所述巴伦阻抗变压器为半集总移相90度的变压器。
3.根据权利要求1所述的Doherty射频集成功率放大器，其特征在于，所述电容Cb1的电容值和所述电容Cb2的电容值均为1/(2πfZ0)，所述电容Cb1的电容值为1/(πfZ0)；其中，f为所述Doherty射频集成功率放大器的工作频率，Z0为所述系统负载的特征阻抗。
4.根据权利要求1所述的Doherty射频集成功率放大器，其特征在于，所述驱动放大器、所述载波功放以及所述峰值功放均采用晶体管实现。
5.根据权利要求1所述的Doherty射频集成功率放大器，其特征在于，所述载波功放包括用于抑制二次谐波的载波谐振电路；所述峰值功放包括用于抑制二次谐波的载波谐振电路。
6.根据权利要求4所述的Doherty射频集成功率放大器，其特征在于，所述驱动放大器包括第一电感、第二电感、第一电容以及第一晶体管；所述第一电容的第一端作为所述驱动放大器的输入端，且所述第一电容的第一端通过串联所述第一电感后连接至接地；所述第一电容的第二端连接至所述第一晶体管的基极；所述第一晶体管的发射极连接至接地；所述第一晶体管的集电极作为所述驱动放大器的输出端，且所述第一晶体管的集电极分别连接至所述第二电感的第二端、所述载波输入匹配网络的输入端和所述峰值输入匹配网络的输入端；所述第二电感的第一端连接至电源电压；
所述载波输入匹配网络包括第三电感、第二电容以及第三电容；所述第二电容的第一端作为所述载波输入匹配网络的输入端，且所述第二电容的第一端至所述第一晶体管的集电极；所述第二电容的第二端分别连接至所述第三电容的第一端和所述第三电感的第一端；所述第三电感的第二端连接至接地；所述第三电容的第二端作为所述载波输入匹配网络的输出端；
所述载波功放包括第四电感、第五电感、第五电容以及第二晶体管；所述第二晶体管的基极作为所述载波功放的输入端，且所述第二晶体管的基极连接至所述第三电容的第二端；所述第二晶体管的发射极连接至接地；所述第二晶体管的集电极分别连接至所述第五电容的第一端、所述第四电感的第二端以及所述第五电感的第一端；所述第五电容的第二端连接至接地；所述第四电感的第一端连接至电源电压；所述第五电感的第二端作为所述载波功放的输出端；
所述峰值输入匹配网络包括第四电容；所述第四电容的第一端作为所述峰值输入匹配网络的输入端，且所述第四电容的第一端至所述第一晶体管的集电极；所述第四电容的第二端作为所述峰值输入匹配网络的输出端；
所述峰值功放包括第六电感、第七电感、第六电容以及第三晶体管；所述第三晶体管的基极作为所述峰值功放的输入端，且所述第三晶体管的基极连接至所述第六电容的第二端；所述第三晶体管的发射极连接至接地；所述第三晶体管的集电极分别连接至所述第六电容的第一端、所述第六电感的第二端以及所述第七电感的第一端；所述第六电容的第二端连接至接地；所述第六电感的第一端连接至电源电压；所述第七电感的第二端作为所述峰值功放的输出端。
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