CN114093668A - 一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷及制备方法 - Google Patents
一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷及制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114093668A CN114093668A CN202111352511.6A CN202111352511A CN114093668A CN 114093668 A CN114093668 A CN 114093668A CN 202111352511 A CN202111352511 A CN 202111352511A CN 114093668 A CN114093668 A CN 114093668A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- dielectric
- temperature
- ceramic
- medium
- low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910020489 SiO3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910002535 CuZn Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 16
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 8
- 238000007873 sieving Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010431 corundum Substances 0.000 claims description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims 1
- 239000004110 Zinc silicate Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- SHLNMHIRQGRGOL-UHFFFAOYSA-N barium zinc Chemical compound [Zn].[Ba] SHLNMHIRQGRGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 abstract description 2
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 235000019352 zinc silicate Nutrition 0.000 abstract description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910003077 Ti−O Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 2
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
本发明是中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷及制备方法，陶瓷配方体系为Ba‑Ti‑Cu‑Zn‑Si‑O，主体晶相表达式为：a*BaTi4O9‑b*(BaZn)SiO3。本发明的优点：采用多钛钡体系BaTi4O9和硅酸钡锌(BaZn)SiO3作为主体基相，CuZn氧化化合物作为降温烧结助剂；CuZn氧化化合物烧结助剂可起到温度系数调制以及降低烧成温度的效果，可有效降低烧结温度，获得很低的损耗，实现可调节的材料电容温度系数：介电常数20±5，介电损耗值＜0.05％，电容温度系数＜±30ppm/℃。介质陶瓷体系介电性能优异，原料无毒且价格低廉，制备工艺简单，在LTCC应用领域具有广泛应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及的是一种低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷及制备方法，具体涉及一种中介电常数的低温共烧多层陶瓷电容器用的介质陶瓷及其制备方法，属于电子陶瓷技术领域。
背景技术
随着近几十年来的发展，介质陶瓷已成为一种重要且不可缺少的功能陶瓷材料，尤其随着低温共烧技术在多层陶瓷电容器领域内的日益广泛的应用，低温烧结的介质陶瓷的重要性日益凸显，成为低温共烧多层陶瓷电容-LTCC的主要基材。
LTCC用介质陶瓷目前的应用，有部分是使用介电常数20±2的介质陶瓷材料。现有技术中主要使用的材料体系是Mg-Ti-O体系、Mg-Si-Ti-O体系，以及这两个体系互相结合产生的一些衍生体系。这些体系的缺点在于其不容易选择到与Mg-Ti-O体系、Mg-Si-Ti-O体系这些主体体系能良好匹配的低温烧结助剂(玻璃助剂)，而存在一个低温烧结温度和所需电特性之间的平衡关系较差的问题。即烧结温度越低，电性能劣化越严重。
发明内容
本发明提出的是一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷及制备方法，其目的旨在克服现有技术存在的上述不足，在降低烧结温度，满足银、铜内电极的前提条件下，获得优良的介质特性，重点是低损耗值和可控的电容温度系数并存。
本发明的技术解决方案：一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷，陶瓷配方体系为Ba-Ti-Cu-Zn-Si-O，主体晶相表达式为：a*BaTi4O9-b*(BaZn)SiO3，其中55％≤a≤85％，15％≤b≤45％。
优选的，所述的a和b分别为65％≤a≤75％，25％≤b≤35％。
优选的，其制备方法，包括以下工艺步骤：
1)将原材料BaCO3、TiO2、CuO、ZnO、SiO2按照主体晶相表达式配料，混合后充分球磨，球磨后烘干、过筛放入刚玉坩埚中，然后保温预烧，得到粉料主要基材；
2)将步骤1)获得的粉料主要基材以及降温烧结助剂按照主体晶相表达式配比进行充分球磨，球磨后烘干、造粒、过筛；
3)将步骤2)过筛后的颗粒压制成圆柱体，然后烧结成瓷，烧结温度800～1000℃，即得中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷。
优选的，所述的步骤3)中，烧结温度850～900℃。
优选的，所述的步骤1)中的保温预烧，温度800～1000℃、时间2～4hr。
优选的，所述的步骤2)中的降温烧结助剂为CuZn氧化化合物。
优选的，所述的CuZn氧化化合物的使用量相对粉料主要基材的质量5～10％wt。
本发明的优点：采用多钛钡体系BaTi4O9和硅酸钡锌(BaZn)SiO3作为主体基相，CuZn氧化化合物作为降温烧结助剂；CuZn氧化化合物烧结助剂可起到温度系数调制以及降低烧成温度的效果，可有效降低烧结温度，并获得很低的损耗，实现可调节的材料的电容温度系数：介电常数为20±5，介电损耗值小于0.05％，电容温度系数小于±30ppm/℃。本发明介质陶瓷体系介电性能优异，原料无毒且价格低廉，制备工艺简单，在LTCC应用领域内具有广泛的应用前景。
附图说明
图1是本发明2个对比例及5个实施例对照表图。
具体实施方式
下面结合实施例和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷，陶瓷配方体系为Ba-Ti-Cu-Zn-Si-O，主体晶相表达式为：a*BaTi4O9-b*(BaZn)SiO3，其中65％≤a≤75％，25％≤b≤35％。
一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷的制备方法，包括以下工艺步骤：
1)将原材料BaCO3、TiO2、CuO、ZnO、SiO2按照上述化学式配料，混合后充分球磨，球磨后烘干、过筛放入刚玉坩埚中，然后保温预烧，温度800～1000℃、时间2～4hr，得到粉料主要基材；
2)将步骤1)获得的粉料主要基材以及低温玻璃助剂(如CuZn氧化化合物)按照预定配比(相对基材质量5～10％wt)进行充分球磨，球磨后烘干、造粒、过筛；
3)将步骤2)过筛后的颗粒压制成圆柱体，然后烧结成瓷，烧结温度850～900℃，即得中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷。
如图1所示，下面结合2个对比例和5个实施例对本发明不同配比情况下的产品性能进行对比。
对比例1
一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷，陶瓷配方体系为Ba-Ti-Cu-Zn-Si-O，主体晶相表达式为：a*BaTi4O9-b*(BaZn)SiO3，其中a＝45％，b＝55％。
生产时，
1)将原材料BaCO3、TiO2、CuO、ZnO、SiO2按照上述化学式配料，混合后充分球磨，球磨后烘干、过筛放入刚玉坩埚中，然后保温预烧，温度800～1000℃、时间2～4hr，得到粉料主要基材；
2)将步骤1)获得的粉料主要基材以及低温玻璃助剂(如CuZn氧化化合物)按照预定配比(相对基材质量5～10％wt)进行充分球磨，球磨后烘干、造粒、过筛；
3)将步骤2)过筛后的颗粒压制成圆柱体，然后烧结成瓷，烧结温度900℃，即得中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷，介电常数(DK)(1MHz)20、介质损耗(Df)(1MHz)0.15*10-2、谐振频率温度系数(TCC)(-55°～+125°)+15.1ppm/℃。
对比例2
一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷，陶瓷配方体系为Ba-Ti-Cu-Zn-Si-O，主体晶相表达式为：a*BaTi4O9-b*(BaZn)SiO3，其中a＝90％，b＝10％。
生产时，其余步骤与对比例1相同，烧结温度1200℃，得到的中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷，介电常数(DK)(1MHz)30、介质损耗(Df)(1MHz)0.10*10-2、谐振频率温度系数(TCC)(-55°～+125°)+75.8ppm/℃。
实施例1
一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷，陶瓷配方体系为Ba-Ti-Cu-Zn-Si-O，主体晶相表达式为：a*BaTi4O9-b*(BaZn)SiO3，其中a＝65％，b＝35％。
生产时，其余步骤与对比例1相同，烧结温度850℃，得到的中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷，介电常数(DK)(1MHz)20.8、介质损耗(Df)(1MHz)0.04*10-2、谐振频率温度系数(TCC)(-55°～+125°)+6.5ppm/℃。
实施例2
一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷，陶瓷配方体系为Ba-Ti-Cu-Zn-Si-O，主体晶相表达式为：a*BaTi4O9-b*(BaZn)SiO3，其中a＝68％，b＝32％。
生产时，其余步骤与对比例1相同，烧结温度870℃，得到的中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷，介电常数(DK)(1MHz)21.2、介质损耗(Df)(1MHz)0.03*10-2、谐振频率温度系数(TCC)(-55°～+125°)+9.8ppm/℃。
实施例3
一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷，陶瓷配方体系为Ba-Ti-Cu-Zn-Si-O，主体晶相表达式为：a*BaTi4O9-b*(BaZn)SiO3，其中a＝70％，b＝30％。
生产时，其余步骤与对比例1相同，烧结温度880℃，得到的中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷，介电常数(DK)(1MHz)22.6、介质损耗(Df)(1MHz)0.01*10-2、谐振频率温度系数(TCC)(-55°～+125°)+11.2ppm/℃。
实施例4
一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷，陶瓷配方体系为Ba-Ti-Cu-Zn-Si-O，主体晶相表达式为：a*BaTi4O9-b*(BaZn)SiO3，其中a＝72％，b＝28％。
生产时，其余步骤与对比例1相同，烧结温度890℃，得到的中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷，介电常数(DK)(1MHz)22.7、介质损耗(Df)(1MHz)0.02*10-2、谐振频率温度系数(TCC)(-55°～+125°)+13.5ppm/℃。
实施例5
一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷，陶瓷配方体系为Ba-Ti-Cu-Zn-Si-O，主体晶相表达式为：a*BaTi4O9-b*(BaZn)SiO3，其中a＝75％，b＝25％。
生产时，其余步骤与对比例1相同，烧结温度900℃，得到的中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷，介电常数(DK)(1MHz)24.0、介质损耗(Df)(1MHz)0.03*10-2、谐振频率温度系数(TCC)(-55°～+125°)+14.5ppm/℃。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷，其特征是陶瓷配方体系为Ba-Ti-Cu-Zn-Si-O，主体晶相表达式为：a*BaTi4O9-b*(BaZn)SiO3，其中55％≤a≤85％，15％≤b≤45％。
2.如权利要求1所述的一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷，其特征是所述的a和b分别为65％≤a≤75％，25％≤b≤35％。
3.如权利要求1或2所述的一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷的制备方法，其特征是包括以下工艺步骤：
1)将原材料BaCO3、TiO2、CuO、ZnO、SiO2按照主体晶相表达式配料，混合后充分球磨，球磨后烘干、过筛放入刚玉坩埚中，然后保温预烧，得到粉料主要基材；
2)将步骤1)获得的粉料主要基材以及降温烧结助剂按照主体晶相表达式配比进行充分球磨，球磨后烘干、造粒、过筛；
3)将步骤2)过筛后的颗粒压制成圆柱体，然后烧结成瓷，烧结温度800～1000℃，即得中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷。
4.如权利要求3所述的一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷的制备方法，其特征是所述的步骤3)中，烧结温度850～900℃。
5.如权利要求4所述的一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷的制备方法，其特征是所述的步骤1)中的保温预烧，温度800～1000℃、时间2～4hr。
6.如权利要求4或5所述的一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷的制备方法，其特征是所述的步骤2)中的降温烧结助剂为CuZn氧化化合物。
7.如权利要求6所述的一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷的制备方法，其特征是所述的CuZn氧化化合物的使用量相对粉料主要基材的质量5～10％wt。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111352511.6A CN114093668B (zh) | 2021-11-16 | 2021-11-16 | 一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111352511.6A CN114093668B (zh) | 2021-11-16 | 2021-11-16 | 一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷及制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114093668A true CN114093668A (zh) | 2022-02-25 |
| CN114093668B CN114093668B (zh) | 2023-06-16 |
Family
ID=80300974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111352511.6A Active CN114093668B (zh) | 2021-11-16 | 2021-11-16 | 一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷及制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114093668B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114751743A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-07-15 | 电子科技大学 | 一种多层陶瓷电容器用改性Ni-Ti-Ta介质材料及其低温制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102060516A (zh) * | 2009-11-18 | 2011-05-18 | 日本碍子株式会社 | 陶瓷烧结体、其制造方法以及陶瓷结构体 |
| CN110092655A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-08-06 | 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 | 一种钡钐钛系低损耗微波介质陶瓷及其制备方法 |
-
2021
- 2021-11-16 CN CN202111352511.6A patent/CN114093668B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102060516A (zh) * | 2009-11-18 | 2011-05-18 | 日本碍子株式会社 | 陶瓷烧结体、其制造方法以及陶瓷结构体 |
| CN110092655A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-08-06 | 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 | 一种钡钐钛系低损耗微波介质陶瓷及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| KUEI-CHIH FENG等: "Phase evolution and electrical properties of copper-electroded BaTi4O9 materials with BaO–ZnO–B2O3–SiO2 glass system in reducing atmosphere", 《CERAMICS INTERNATIONAL》 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114751743A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-07-15 | 电子科技大学 | 一种多层陶瓷电容器用改性Ni-Ti-Ta介质材料及其低温制备方法 |
| CN114751743B (zh) * | 2022-04-29 | 2023-03-07 | 电子科技大学 | 一种多层陶瓷电容器用改性Ni-Ti-Ta介质材料及其低温制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114093668B (zh) | 2023-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110066169B (zh) | 一种氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷及制备方法 | |
| CN107986774B (zh) | 低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN110171963B (zh) | 一种低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末 | |
| CN113004028B (zh) | 一种硅基低介微波介质陶瓷及其制备方法 | |
| CN110563463B (zh) | 一种低介微波介质陶瓷材料及其ltcc材料 | |
| CN106699150B (zh) | 一种低温烧结低介c0g微波介质材料及其制备方法 | |
| US11897815B2 (en) | Mg—Ta based dielectric ceramic for multi-layer ceramic capacitor and low-temperature preparation method thereof | |
| CN108147809B (zh) | 中低温烧结钡-钛系微波介质材料及制备方法 | |
| CN111943664A (zh) | 一种低烧结温度钡钐钛系微波介质陶瓷及其制备方法 | |
| CN103951425B (zh) | 一种温度稳定型白钨矿结构微波介质陶瓷及其制备方法 | |
| CN114093668B (zh) | 一种中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷及制备方法 | |
| CN112979314B (zh) | 一种中等介电常数高q微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN103420670A (zh) | 一种低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN103408299A (zh) | 一种钛酸锌钡体系陶瓷低温烧结材料及制备方法 | |
| JP2000272960A (ja) | マイクロ波用誘電体磁器組成物およびその製造方法ならびにマイクロ波用誘電体磁器組成物を用いたマイクロ波用電子部品 | |
| CN106587991B (zh) | 一种低温烧结复合微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN111943673B (zh) | 一种低温烧结bnt微波介质材料及其制备方法 | |
| KR20200081774A (ko) | 고주파 소자용 유전체 세라믹스 조성물, 그에 의한 고주파 소자용 세라믹 기판 및 그의 제조방법 | |
| KR100842854B1 (ko) | 저온 소결용 마이크로파 유전체 세라믹스 및 그 제조방법 | |
| JP4473099B2 (ja) | Ｌｔｃｃ用セラミック組成物 | |
| CN113999005A (zh) | 中介电常数低温共烧多层陶瓷电容器用介质陶瓷及制备方法 | |
| CN113429204A (zh) | 一种锆锡钛系微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN110451951A (zh) | 中温烧结微波mlcc陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN110171972B (zh) | 一种低温烧结陶瓷材料 | |
| CN116041062B (zh) | 一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Ji An Inventor after: Jin Zhenlong Inventor before: Ji An Inventor before: Wang Xiaohui Inventor before: Jin Zhenlong |