CN114075664A - 一种冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法 - Google Patents

一种冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法 Download PDF

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Abstract

本发明属于陶瓷表面金属化技术领域，具体涉及一种冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法。该方法包括：(1)采用冷气动力喷涂设备，将金属粉末(可为Al、Ti、Ni‑Al、Ta‑Al、Ag‑Cu‑Ti、NiCrAl等)在一定条件下喷涂到陶瓷基片(可为Al2O3、AlN、Si3N4等)表面形成过渡层。(2)采用冷气动力喷涂设备，在已制备的过渡层表面喷涂高纯Cu粉末，从而在陶瓷基片表面获得纯Cu涂层，结合激光切割钢制电路图案掩膜可以制备图形化陶瓷覆铜板。该方法制成的Cu层和陶瓷基片结合良好，且无需刻蚀过程，可以直接形成图形电路。

Description

一种冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法
技术领域
本发明属于陶瓷表面金属化技术领域，具体涉及一种冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法。
背景技术
陶瓷覆铜板拥有优良的散热能力、良好的电流承载能力、可靠的力学性能，广泛应用于电力电子器件中功率模块的封装。传统的DBC(Direct Bonded Copper)陶瓷覆铜工艺，需在较高的温度下进行键合，而Cu与陶瓷的热膨胀系数相差大，冷却后热应力大。在经受～200次热循环后，可能出现Cu层脱落等现象；且DBC工艺步骤复杂，一般需经铜箔预处理→铜箔与陶瓷基片的高温键合→冷热阶梯循环冷却→按要求刻蚀图形→化学镀镍等步骤。故传统的DBC工艺制备的陶瓷覆铜板，成本高，可靠性(热循环次数)差，开发出一种新型、简单、可靠的陶瓷基片覆铜技术的应用价值重大。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，通过冷气动力喷涂在陶瓷基片(可为Al2O3、AlN、Si3N4等)表面制备一个金属过渡层(可为纯金属、二元或三元金属混合物、合金等，如Al、Ti、Ni-Al、Ta-Al、Ag-Cu-Ti、NiCrAl等)，且通过掩膜技术在陶瓷基片表面制备冷喷涂图形化Cu涂层。
本发明的技术方案如下：
一种冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，陶瓷覆铜板包括：陶瓷基片、喷涂于陶瓷基片一面或者两面的金属过渡层、喷涂于金属过渡层一面或者两面的纯Cu层，其中：纯Cu层通过冷喷涂工艺制备，通过放置钢制电路图案掩膜直接得到图形电路；纯Cu层与陶瓷基片之间含有金属过渡层，金属过渡层通过冷喷工艺制备；金属过渡层的成分为纯金属、二元金属混合物、三元金属混合物、二元合金或三元合金。
所述的冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，陶瓷基片为Al2O3、AlN或Si3N4，金属过渡层为Al、Ti、Ni-Al、Ta-Al、Ag-Cu-Ti或NiCrAl。
所述的冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，陶瓷基片的厚度为250～1200μm，金属过渡层的厚度为20～100μm，纯Cu层的厚度为50～2000μm。
所述的冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，包括以下步骤：
(1)采用冷气动力喷涂设备，将金属过渡层使用的粉末喷涂到陶瓷基片表面形成金属过渡层；
(2)采用冷气动力喷涂设备，在已制备金属过渡层的表面喷涂高纯Cu粉末，形成纯Cu层，进而获得陶瓷覆铜板。
所述的冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，步骤(1)中，金属过渡层使用的粉末形貌为球形或不规则状，粒度范围为3～60μm。
所述的冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，步骤(1)中，陶瓷基片在喷涂前需进行喷砂处理使其具有表面粗糙度，喷砂处理后依次使用丙酮、无水乙醇、去离子水进行清洗。
所述的冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，步骤(1)中，陶瓷基片在喷涂前使用电阻丝对其预热至200～600℃。
所述的冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，步骤(1)及步骤(2)中，冷气动力喷涂使用压缩空气或氮气作为推进气体，气体加热温度为180～600℃，气体工作压力为0.5～3.5MPa，喷涂距离为10～40mm。
所述的冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，步骤(1)及步骤(2)中，在冷气动力喷涂时，在陶瓷片上放置钢制电路图案掩膜以直接获得图形电路。
所述的冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，步骤(2)中，高纯Cu粉末的纯度大于或者等于99.99％，形貌为类球形或枝晶状，粒度范围为3～50μm。
本发明的设计思想是：
冷气动力喷涂，又称冷喷涂，是一种固态粉末涂层制备技术，冷喷涂制备涂层有无氧化、无相变、应力低等一系列优点。一方面，使用冷气动力喷涂可在较低的温度下制备覆铜板，所制备出的覆铜板热应力低，可制备较厚的覆铜层，且能承受较高的热循环次数；另一方面，冷气动力喷涂工艺简单可控，无化学刻蚀等步骤，可直接制备出图形化的陶瓷覆铜板，成品率高，成本低。
本发明的优点及有益效果是：
1.本发明方法操作简单，条件易控制。相对于DBC等工艺，冷喷涂图形化陶瓷覆铜板无需高温、微氧条件，制备成本低，成品率高。
2.本发明可以直接制备具有电路图形的陶瓷覆铜板，无需再经过化学刻蚀等工艺。
3.采用冷气动力喷涂进行陶瓷覆铜板制备过程中，冷喷涂温度较低，有效的避免了热应力的引入，可制备较厚的覆铜层。
4.以冷喷涂纯金属、二元或三元金属混合物、合金等，如：Al、Ti、Ni-Al、Ta-Al、Ag-Cu-Ti、NiCrAl等作为过渡层，所得到的陶瓷覆铜板的结合强度高、抗热震性能好。
附图说明
图1为本发明冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的原理示意图。
图2为本发明所制备的陶瓷覆铜板的结构示意图。
图中：1-冷喷涂控制器，2-送粉器，3-气体加热器，4-拉瓦尔喷枪，5-电路图案掩膜，6-沉积层，7-陶瓷基片，8-电阻丝加热器，9-金属中间层，10-纯Cu层。
具体实施方式
如图1-图2所示，本发明冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的原理如下：
压缩空气或氮气进入冷喷涂控制器1，冷喷涂控制器1分出两个管路：一个管路与拉瓦尔喷枪4的进粉口相连，该管路上设有送粉器2；另一个管路与拉瓦尔喷枪4的进气口相连，该管路上设有气体加热器3；未加热的压缩空气或氮气经送粉器2携带粉体进入拉瓦尔喷枪4，与加热后的气体混合后，经拉瓦尔喷枪4的出口喷出。
拉瓦尔喷枪4的出口下方设置电阻丝加热器8，电阻丝加热器8顶部设置陶瓷基片7，陶瓷基片7的上方与拉瓦尔喷枪4的出口之间设置电路图案掩膜5，粉体通过电路图案掩膜5后，在陶瓷基片7表面形成沉积层6。沉积层6可以分别形成于陶瓷基片7的上下表面，沉积层6为陶瓷基片7表面依次沉积金属中间层9和纯Cu层10。
在具体实施过程中，本发明采用冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，首先，在陶瓷基片(可为Al2O3、AlN、Si3N4等)的表面固定一个掩膜，在陶瓷基片的一个或者两个表面采用冷气动力喷涂制备金属过渡层(可为纯金属、二元或三元金属混合物、合金等，如Al、Ti、Ni-Al、Ta-Al、Ag-Cu-Ti、NiCrAl等)；其次，在金属过渡层表面冷喷涂纯Cu层。进而获得图形化陶瓷覆铜板。该方法的具体步骤如下：
步骤1清洗：依次使用丙酮、无水乙醇、去离子水，通过超声清洗、脱水等工艺对陶瓷基片进行清洗。
步骤2掩膜的固定：通过螺栓、螺母将带有电路电子图案的掩膜固定在陶瓷基片的表面。
步骤3陶瓷基片的预热：使用电阻对陶瓷基片进行预热，预热温度为200～600℃。
步骤4金属过渡层的制备：采用冷气动力喷涂设备，将金属粉末(可为纯金属、二元或三元金属混合物、二元或三元合金等，如：Al、Ti、Ni-Al、Ta-Al、Ag-Cu-Ti、NiCrAl等)在一定条件下喷涂沉积到陶瓷基片的上下表面，形成金属过渡层，过渡层的厚度为30～100μm。
步骤5纯Cu层的制备：采用冷气动力喷涂设备，将纯铜粉末在一定条件下喷涂沉积到金属过渡层的表面，形成纯Cu层，纯Cu层的厚度为50～2000μm。
其中，步骤4中的金属粉末的形貌为球形或不规则状，粒度范围为10～40μm；步骤5中的Cu粉末的纯度大于或等于99.99wt％，形貌为类球形或枝晶状，粒度范围为3～60μm；冷气动力喷涂使用压缩空气或氮气作为推进气体，气体加热温度180～500℃，气体工作压力0.5～3.5MPa，喷涂距离10～40mm；冷喷涂设备请参见中国发明专利(专利号：01128130.8，授权公告号：CN1161188C)提到的一种冷气动力喷涂装置或其他商用冷喷涂、动力喷涂或低压冷喷涂设备。喷枪采用金属材质拉瓦尔(De Laval)喷枪，沉积过程中喷枪长时间出粉顺畅，未堵塞。
下面，对本发明的实施例作详细说明，在以发明技术方案为前提下进行实施，给出详细的实施方式和具体操作过程，但本发明的保护范围不限于下面的实施例。
实施例1
本实施例中，冷喷制备图形化Al2O3陶瓷覆铜板的方法，包括以下步骤：
(1)使用激光切割的方法制备钢制所需的电路图案掩膜；
(2)在喷涂前，对厚度为800μm的Al2O3陶瓷基片进行喷砂处理，使其具有表面粗糙度Ra为13μm，喷砂处理后依次使用丙酮、无水乙醇、去离子水进行超声清洗；
(3)通过螺栓螺母将电路图案掩膜固定在Al2O3陶瓷基片表面；
(4)通过电阻丝将Al2O3陶瓷基片预热至400℃；
(5)将粒度为30～40μm的气雾化Al粉，通过冷气动力喷涂沉积在Al2O3基片表面，Al粉的纯度大于或等于99.96wt％，冷喷涂加速气体为N2，加速气体温度为220℃，加速气体压力为2.2MPa，喷涂距离20mm，形成厚度～60μm的Al金属过渡层；
(6)将粒度为25～40μm的电解枝晶Cu粉，通过冷气动力喷涂沉积在上述Al金属过渡层表面，Cu粉的纯度大于或等于99.996wt％，冷喷涂加速气体为N2，加速气体温度为600℃，加速气体压力为2.2MPa，喷涂距离20mm，形成厚度～1000μm的纯Cu层；
(7)取下钢制掩膜，即可获得图形化的Al2O3陶瓷覆铜板。
实施例2
本实施例中，冷喷制备图形化AlN陶瓷覆铜板的方法，包括以下步骤：
(1)使用激光切割的方法制备钢制所需的电路图案掩膜；
(2)在喷涂前，对厚度为600μm的AlN陶瓷基片进行喷砂处理，使其具有表面粗糙度Ra为13μm，喷砂处理后依次使用丙酮、无水乙醇、去离子水进行超声清洗；
(3)通过螺栓螺母将电路图案掩膜固定在AlN陶瓷基片表面；
(4)通过电阻丝将AlN陶瓷基片预热至500℃；
(5)将粒度为30～40μm的球形Al粉，与粒度为30～40μm的不规则Ta粉在混粉设备中混合5h，其中：Al粉的体积分数为50％，折合质量分数为14％；
(6)将混合的Ta-Al粉末，通过冷气动力喷涂沉积在AlN基片表面，冷喷涂加速气体为N2，加速气体温度为300℃，加速气体压力为2.2MPa，喷涂距离10mm，形成厚度～60μm的Ta-Al金属过渡层；
(7)将粒度为25～40μm的气雾化Cu粉，通过冷气动力喷涂沉积在上述Ta-Al金属过渡表面，Cu粉的纯度大于或等于99.996wt％，冷喷涂加速气体为N2，加速气体温度为600℃，加速气体压力为2.2MPa，喷涂距离10mm，形成厚度～1200μm的纯Cu层；
(8)取下钢制掩膜，即可获得图形化的AlN陶瓷覆铜板。
实施例3
本实施例中，冷喷制备图形化Si3N4陶瓷覆铜板的方法，包括以下步骤：
(1)使用激光切割的方法制备钢制所需的电路图案掩膜；
(2)在喷涂前，对厚度为1000μm的Si3N4陶瓷基片进行喷砂处理，使其具有表面粗糙度Ra为15μm，喷砂处理后依次使用丙酮、无水乙醇、去离子水进行超声清洗；
(3)通过螺栓螺母将电路图案掩膜固定在Si3N4陶瓷基片表面；
(4)通过电阻丝将Si3N4陶瓷基片预热至500℃；
(5)将粒度为30～40μm的球形Al粉，纯度大于或等于99.96wt％与粒度为10～30μm的球形Ni粉，纯度大于或等于99.99wt％，在混粉设备中混合5h，其中：Al粉的体积分数为50％，折合质量分数为8.9％；
(6)将混合的Ni-Al粉末，通过冷气动力喷涂沉积在Si3N4基片表面，冷喷涂加速气体为N2，加速气体温度为260℃，加速气体压力为2.2MPa，喷涂距离30mm，形成厚度～50μm的Ni-Al金属过渡层；
(7)将粒度为25～40μm的气雾化Cu粉，通过冷气动力喷涂沉积在上述Ni-Al金属过渡表面，Cu粉的纯度大于或等于99.996wt％，冷喷涂加速气体为N2，加速气体温度为600℃，加速气体压力为2.2MPa，喷涂距离30mm，形成厚度～1200μm的纯Cu层；
(8)取下钢制掩膜，即可获得图形化的Si3N4陶瓷覆铜板。
实施例结果表明，本发明结合激光切割钢制电路图案掩膜可以制备图形化陶瓷覆铜板。该方法制成的Cu层、金属过渡层和陶瓷基片结合良好，且无需刻蚀过程，可以直接形成图形电路。

Claims (10)

1.一种冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，其特征在于，陶瓷覆铜板包括：陶瓷基片、喷涂于陶瓷基片一面或者两面的金属过渡层、喷涂于金属过渡层一面或者两面的纯Cu层，其中：纯Cu层通过冷喷涂工艺制备，通过放置钢制电路图案掩膜直接得到图形电路；纯Cu层与陶瓷基片之间含有金属过渡层，金属过渡层通过冷喷工艺制备；金属过渡层的成分为纯金属、二元金属混合物、三元金属混合物、二元合金或三元合金。
2.根据权利要求1所述的冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，其特征在于，陶瓷基片为Al2O3、AlN或Si3N4，金属过渡层为Al、Ti、Ni-Al、Ta-Al、Ag-Cu-Ti或NiCrAl。
3.根据权利要求1所述的冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，其特征在于，陶瓷基片的厚度为250～1200μm，金属过渡层的厚度为20～100μm，纯Cu层的厚度为50～2000μm。
4.根据权利要求1至3之一所述的冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)采用冷气动力喷涂设备，将金属过渡层使用的粉末喷涂到陶瓷基片表面形成金属过渡层；
(2)采用冷气动力喷涂设备，在已制备金属过渡层的表面喷涂高纯Cu粉末，形成纯Cu层，进而获得陶瓷覆铜板。
5.根据权利要求4所述的冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，其特征在于，步骤(1)中，金属过渡层使用的粉末形貌为球形或不规则状，粒度范围为3～60μm。
6.根据权利要求4所述的冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，其特征在于，步骤(1)中，陶瓷基片在喷涂前需进行喷砂处理使其具有表面粗糙度，喷砂处理后依次使用丙酮、无水乙醇、去离子水进行清洗。
7.根据权利要求4所述的冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，其特征在于，步骤(1)中，陶瓷基片在喷涂前使用电阻丝对其预热至200～600℃。
8.根据权利要求4所述的冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，其特征在于，步骤(1)及步骤(2)中，冷气动力喷涂使用压缩空气或氮气作为推进气体，气体加热温度为180～600℃，气体工作压力为0.5～3.5MPa，喷涂距离为10～40mm。
9.根据权利要求4所述的冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，其特征在于，步骤(1)及步骤(2)中，在冷气动力喷涂时，在陶瓷片上放置钢制电路图案掩膜以直接获得图形电路。
10.根据权利要求4所述的冷喷涂制备图形化陶瓷覆铜板的方法，其特征在于，步骤(2)中，高纯Cu粉末的纯度大于或者等于99.99％，形貌为类球形或枝晶状，粒度范围为3～50μm。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090120539A1 (en) * 2005-04-15 2009-05-14 Snt Co., Ltd Method of Preparing Metal Matrix Composite and Coating Layer and Bulk Prepared Thereby
CN104894554A (zh) * 2015-04-10 2015-09-09 西安交通大学 一种高致密度冷喷涂金属/金属基沉积体的制备方法和应用
CN104928672A (zh) * 2015-05-29 2015-09-23 中国兵器科学研究院宁波分院 电真空陶瓷管表面冷喷涂铝铜复合涂层的制备方法
CN111235563A (zh) * 2020-03-04 2020-06-05 中国科学院金属研究所 一种采用冷喷涂制备Ta／Al复合抗辐照涂层的方法
CN111235562A (zh) * 2020-03-04 2020-06-05 中国科学院金属研究所 一种采用冷喷涂制备抗辐照钽涂层的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090120539A1 (en) * 2005-04-15 2009-05-14 Snt Co., Ltd Method of Preparing Metal Matrix Composite and Coating Layer and Bulk Prepared Thereby
CN104894554A (zh) * 2015-04-10 2015-09-09 西安交通大学 一种高致密度冷喷涂金属/金属基沉积体的制备方法和应用
CN104928672A (zh) * 2015-05-29 2015-09-23 中国兵器科学研究院宁波分院 电真空陶瓷管表面冷喷涂铝铜复合涂层的制备方法
CN111235563A (zh) * 2020-03-04 2020-06-05 中国科学院金属研究所 一种采用冷喷涂制备Ta／Al复合抗辐照涂层的方法
CN111235562A (zh) * 2020-03-04 2020-06-05 中国科学院金属研究所 一种采用冷喷涂制备抗辐照钽涂层的方法

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